JP2014035799A - 発光装置、発光装置の製造方法、電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】発光寿命において高い信頼性を有すると共に小型な発光装置、発光装置の製造方法、該発光装置を備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】本適用例に係る発光装置としての有機ＥＬ装置１００は、基板としての基材１１と、基材１１上に形成された、陽極としての画素電極３１と陰極としての対向電極３３との間に有機発光層が含まれる機能層としての発光機能層３２を有する複数の発光素子としての有機ＥＬ素子３０と、複数の有機ＥＬ素子３０を封止する封止層３４と、を備え、対向電極３３は複数の有機ＥＬ素子３０に亘る共通陰極として形成され、封止層３４は、共通陰極の形成領域と同じもしくは当該形成領域より内側において共通陰極を覆うように形成されている。
【選択図】図５

Description

本発明は、発光素子を備える発光装置、発光装置の製造方法、電子機器に関する。

発光素子として発光ダイオードなどに比べて薄型化、小型化が容易である有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子が注目されている。有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に有機発光層を含む機能層を有しており、陽極と陰極との間に電圧が印加されると、機能層を流れる電流量に応じて有機発光層から発光が得られるものである。
このような機能層は、外部から水や酸素などが浸入すると、発光機能が低下あるいは失われてしまう。したがって、有機ＥＬ素子の発光寿命を確保するために水や酸素などの浸入を防ぐ手段を設ける必要がある。

例えば、特許文献１には、共通陰極としての第二電極を覆って、第一無機層、第二無機層、有機緩衝層、ガスバリア層を順に積層する有機ＥＬ素子の封止構造が提案されている。これによれば、有機ＥＬ素子とガスバリア層との間に有機緩衝層が設けられているので、例えば熱による膨張収縮によってガスバリア層にクラックが生じ、当該クラックから水や酸素などが浸入することを防いで、長寿命な発光装置を提供できるとしている。

特開２００７−１５７６０６号公報

上記特許文献１によれば、ガスバリア層は、有機緩衝層を覆うだけでなく、第二電極を覆った第一無機層の周端部を被覆するように形成されている。したがって、基板上において、第一無機層の周端部をガスバリア層で確実に被覆するために、複数の有機ＥＬ素子が配置された領域を囲む周辺領域が必要となっている。
しかしながら、発光装置自体の小型化を達成しようとして、周辺領域の面積を小さくする（幅を狭くする）と、上記特許文献１の封止構造を取り入れるのが困難になるという課題があった。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例に係る発光装置は、基板と、前記基板上に形成された、陽極と陰極との間に有機発光層が含まれる機能層を有する複数の発光素子と、前記複数の発光素子を封止する封止層と、を備え、前記陰極は前記複数の発光素子に亘る共通陰極として形成され、前記封止層は、前記共通陰極の形成領域と同じもしくは前記形成領域より内側において前記共通陰極を覆うように形成されていることを特徴とする。

この構成によれば、封止層は共通陰極の周端部を覆わなくてよいので、複数の発光素子が設けられた領域の周辺領域を必要以上に大きくしなくてもよい。したがって、従来の封止構造が取り入れられた発光装置よりも周辺領域（額縁領域）が小さく、小型化された発光装置を実現することができる。

［適用例２］上記適用例に係る発光装置において、前記封止層により覆われていない前記共通陰極の部分が不動態化していることを特徴とする。
この構成によれば、例えば、封止層により覆われていない共通陰極の部分に水や酸素などが接したとしても、当該部分が不動態化しているため、水や酸素などが当該部分よりも内側に浸入し難くなる。つまりは、発光寿命において信頼性が確保された小型な発光装置を提供できる。

［適用例３］上記適用例に係る発光装置において、前記基板と前記共通陰極との間に形成された配線層と、前記配線層と前記共通陰極との間に形成され、前記封止層で覆われた部分の前記共通陰極に接し、前記共通陰極と前記配線層とを電気的に接続させるコンタクト部と、を有することが好ましい。
この構成によれば、複数の発光素子が設けられた領域と配線層との間に、共通陰極のコンタクト部が形成されているので、水や酸素などの浸入がコンタクト部によっても阻まれる。したがって、発光寿命において高い信頼性を有する小型な発光装置を提供できる。

［適用例４］上記適用例に係る発光装置において、前記封止層は、前記共通陰極に接して形成された第１無機封止層と、前記第１無機封止層に順に積層された緩衝層と、第２無機封止層とを含むことが好ましい。
この構成によれば、封止層は、緩衝層を挟んで水や酸素などを通し難い第１および第２無機封止層が積層された構造となっているので、発光寿命において高い信頼性を有する小型な発光装置を提供できる。

［適用例５］上記適用例に係る発光装置において、前記緩衝層が有機材料で構成されていることを特徴とする。
この構成によれば、有機材料を用いて緩衝層を構成することで、例えば、塗布法で緩衝層を形成することが可能となり、緩衝層に平坦化機能を与えることができる。

［適用例６］上記適用例に係る発光装置において、前記封止層上に前記複数の発光素子ごとに対応して形成されたカラーフィルターを有することを特徴とする。
この構成によれば、フルカラー表示が可能であると共に、発光寿命において高い信頼性を有する小型な発光装置を提供できる。

［適用例７］上記適用例に係る発光装置において、前記基板の前記封止層に対して透明樹脂層を介して対向配置された対向基板を有することを特徴とする。
この構成によれば、発光寿命においてより高い信頼性を有する小型な発光装置を提供できる。

［適用例８］上記適用例に係る発光装置において、前記透明樹脂層が前記対向基板から外側にはみ出すことを防止するダム材を有し、前記ダム材は前記封止層の外縁と重なる位置に設けられていることが好ましい。
この構成によれば、透明樹脂層が対向基板からはみ出すことなく、発光寿命において高い信頼性を有する小型な発光装置を提供できる。

［適用例９］本適用例に係る発光装置の製造方法は、基板上に、陽極と陰極との間に有機発光層が含まれる機能層を有する複数の発光素子を備えた発光装置の製造方法であって、前記複数の発光素子に亘る共通陰極として前記陰極を形成する工程と、前記共通陰極の形成領域と同じもしくは前記形成領域よりも内側において前記共通陰極を覆って前記複数の発光素子を封止する封止層を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。

本適用例によれば、封止層によって共通陰極の周端部を覆わなくてもよいので、複数の発光素子が設けられた領域の周辺領域を必要以上に大きくしなくてもよい。したがって、従来の封止構造が取り入れられた発光装置よりも周辺領域（額縁領域）が小さく、小型化された発光装置を製造することができる。

［適用例１０］上記適用例に係る発光装置の製造方法において、前記封止層をマスクとして前記共通陰極をパターニングする工程を含むことが好ましい。
この方法によれば、封止層をマスクとして用いるので、封止層から外側に共通陰極がはみ出ることが抑制される。したがって、封止層の周端部と共通陰極の周端部とを揃えることが可能となる。すなわち、より小型な発光装置を製造することができる。

［適用例１１］上記適用例に係る発光装置の製造方法において、前記共通陰極をパターニングする工程は、酸素を含む処理ガスを用いて前記共通陰極をドライエッチングすることが好ましい。
この方法によれば、共通陰極のドライエッチング時に、封止層で覆われていない共通陰極の部分を不動態化することができる。これにより、不動態化された共通陰極の部分が水や酸素などの浸入を阻むように機能するので、発光寿命において高い信頼性を有する小型な発光装置を製造することができる。

［適用例１２］上記適用例に係る発光装置の製造方法において、前記封止層を形成する工程は、前記共通陰極に接して第１無機封止層を形成する工程と、前記第１無機封止層に接して緩衝層を形成する工程と、前記緩衝層を覆う第２無機封止層を形成する工程と、を含むことが好ましい。
この方法によれば、緩衝層を挟んで形成された水や酸素などを通し難い第１および第２無機封止層により封止層が形成されているので、発光寿命において高い信頼性を有する小型な発光装置を製造することができる。

［適用例１３］上記適用例に係る発光装置の製造方法において、前記緩衝層を形成する前に、前記第１無機封止層が形成された前記基板に酸素を含む処理ガスを用いてプラズマ処理を施す工程を含むことが好ましい。
この方法によれば、プラズマ処理によって第１無機封止層の表面に付着した汚染物などを取り除くことができ、第１無機封止層と緩衝層との密着性を向上させることができる。加えて、第１無機封止層で覆われていない共通陰極の部分を不動態化することができる。不動態化された共通陰極の部分によって水や酸素などの浸入が阻まれる。
すなわち、発光寿命においてより高い信頼性を有する小型な発光装置を製造することができる。

［適用例１４］上記適用例に係る発光装置の製造方法において、前記基板が複数面付されたマザー基板を用い、前記封止層を形成する工程は、前記マザー基板から前記基板を取り出すためのスクライブラインに対して間隔を置いて前記封止層を形成し、前記間隔を切りしろとして前記マザー基板を切断するダイシング工程を有することを特徴とする。
この方法によれば、ダイシング時に封止層が損傷することを避けることができ、発光寿命における信頼性に影響を与えずに小型な発光装置を製造することができる。

［適用例１５］本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の発光装置を備えたことを特徴とする。
本適用例によれば、発光寿命において高い信頼性を有すると共に、小型な電子機器を提供することができる。

第１実施形態の有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図。 第１実施形態の有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図。 第１実施形態における発光画素の配置を示す概略平面図。 図３のＡ−Ａ’線に沿った有機ＥＬ装置の構造を示す概略断面図。 図２のＣ−Ｃ’線に沿った有機ＥＬ装置の構造を示す概略断面図。 第１実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート。 （ａ）〜（ｅ）は第１実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図。 第２実施形態の有機ＥＬ装置の構造を示す概略断面図。 （ａ）及び（ｂ）は第２実施形態の有機ＥＬ装置の非表示領域の構造を示す概略断面図。 第２実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート。 マザー基板の構成を示す概略平面図。 （ａ）〜（ｅ）は第２実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図。 電子機器としてのテレビを示す概略図。 電子機器としてのヘッドマウントディスプレイを示す斜視図。

以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。

なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。

（第１実施形態）
＜発光装置＞
まず、本実施形態の発光装置としての有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）装置について、図１〜図３を参照して説明する。図１は第１実施形態の有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図、図２は第１実施形態の有機ＥＬ装置の構成を示す概略平面図、図３は第１実施形態における発光画素の配置を示す概略平面図である。

図１に示すように、本実施形態の発光装置としての有機ＥＬ装置１００は、互いに交差する複数の走査線１２及び複数のデータ線１３と、複数のデータ線１３のそれぞれに対して並列する複数の電源線１４とを有している。複数の走査線１２が接続される走査線駆動回路１６と、複数のデータ線１３が接続されるデータ線駆動回路１５とを有している。また、複数の走査線１２と複数のデータ線１３との各交差部に対応してマトリックス状に配置された発光画素としての複数のサブ画素１８を有している。

サブ画素１８は、発光素子としての有機ＥＬ素子３０と、有機ＥＬ素子３０の駆動を制御する画素回路２０とを有している。

有機ＥＬ素子３０は、陽極として機能する画素電極３１と、陰極として機能する対向電極３３と、画素電極３１と対向電極３３との間に設けられた発光機能層３２とを有している。このような有機ＥＬ素子３０は電気的にダイオードとして表記することができる。

画素回路２０は、スイッチング用トランジスター２１と、蓄積容量２２と、駆動用トランジスター２３とを含んでいる。２つのトランジスター２１，２３は、例えばｎチャネル型もしくはｐチャネル型の薄膜トランジスター（ＴＦＴ；Thin Film transistor）やＭＯＳトランジスターを用いて構成することができる。

スイッチング用トランジスター２１のゲートは走査線１２に接続され、ソースまたはドレインのうち一方がデータ線１３に接続され、ソースまたはドレインのうち他方が駆動用トランジスター２３のゲートに接続されている。
駆動用トランジスター２３のソースまたはドレインのうち一方が有機ＥＬ素子３０の画素電極３１に接続され、ソースまたはドレインのうち他方が電源線１４に接続されている。
駆動用トランジスター２３のゲートと電源線１４との間に蓄積容量２２が接続されている。

走査線１２が駆動されてスイッチング用トランジスター２１がオン状態になると、そのときにデータ線１３から供給される画像信号に基づく電位がスイッチング用トランジスター２１を介して蓄積容量２２に保持される。該蓄積容量２２の電位すなわち駆動用トランジスター２３のゲート電位に応じて、駆動用トランジスター２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用トランジスター２３がオン状態になると、電源線１４から駆動用トランジスター２３を介して画素電極３１と対向電極３３とに挟まれた発光機能層３２にゲート電位に応じた量の電流が流れる。有機ＥＬ素子３０は、発光機能層３２を流れる電流量に応じて発光する。

図２に示すように、有機ＥＬ装置１００は、素子基板１０を有している。素子基板１０には、表示領域Ｅ０（図中、一点鎖線で表示）と、表示領域Ｅ０の外側に非表示領域Ｅ３とが設けられている。表示領域Ｅ０は、実表示領域Ｅ１（図中、二点鎖線で表示）と、実表示領域Ｅ１を囲むダミー領域Ｅ２とを有している。

実表示領域Ｅ１には、発光画素としてのサブ画素１８がマトリックス状に配置されている。サブ画素１８は、前述したように発光素子としての有機ＥＬ素子３０を備えており、スイッチング用トランジスター２１及び駆動用トランジスター２３の動作に伴って、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）のうちいずれかの色の発光が得られる構成となっている。

本実施形態では、同色の発光が得られるサブ画素１８が第１の方向に配列し、異なる色の発光が得られるサブ画素１８が第１の方向に対して交差（直交）する第２の方向に配列した、所謂ストライプ方式のサブ画素１８の配置となっている。以降、上記第１の方向をＹ方向とし、上記第２の方向をＸ方向として説明する。なお、素子基板１０におけるサブ画素１８の配置はストライプ方式に限定されず、モザイク方式、デルタ方式であってもよい。

ダミー領域Ｅ２には、主として各サブ画素１８の有機ＥＬ素子３０を発光させるための周辺回路が設けられている。例えば、図２に示すように、Ｘ方向において実表示領域Ｅ１を挟んだ位置にＹ方向に延在して一対の走査線駆動回路１６が設けられている。一対の走査線駆動回路１６の間で実表示領域Ｅ１に沿った位置に検査回路１７が設けられている。

素子基板１０には、一対の走査線駆動回路１６に沿ったＹ方向と検査回路１７に沿ったＸ方向とに延在して、表示領域Ｅ０を囲むように配置された配線層２４を有している。また、配線層２４に重畳して配置され、配線層２４と電気的に接続されたコンタクト部２９とを有している。詳しくは後述するが、有機ＥＬ素子３０の対向電極３３は、複数の有機ＥＬ素子３０すなわち複数のサブ画素１８に亘って共通陰極として形成され、表示領域Ｅ０と非表示領域Ｅ３とに亘って形成されている。対向電極３３は、非表示領域Ｅ３において上記コンタクト部２９と接して形成されている。

素子基板１０のＹ方向における一辺部（図中の下方の辺部）に、外部駆動回路との電気的な接続を図るためのフレキシブル回路基板（ＦＰＣ）４３が接続されている。ＦＰＣ４３には、ＦＰＣ４３の配線を介して素子基板１０側の周辺回路と接続される駆動用ＩＣ４４が実装されている。駆動用ＩＣ４４は前述したデータ線駆動回路１５を含むものであり、素子基板１０側のデータ線１３や電源線１４は、ＦＰＣ４３を介して駆動用ＩＣ４４に電気的に接続されている。共通陰極としての対向電極３３もまた上記コンタクト部２９、配線層２４、ＦＰＣ４３を介して駆動用ＩＣ４４に電気的に接続されている。

次に、図３を参照してサブ画素１８の平面的な配置、とりわけ画素電極３１の平面的な配置について説明する。図３に示すように、青（Ｂ）の発光が得られるサブ画素１８Ｂ、緑（Ｇ）の発光が得られるサブ画素１８Ｇ、赤（Ｒ）の発光が得られるサブ画素１８ＲがＸ方向に順に配列している。同色の発光が得られるサブ画素１８はＹ方向に配列している。Ｘ方向に配列した３つのサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒを１つの画素１９として表示がなされる構成になっている。
サブ画素１８における画素電極３１は略矩形状であって、長手方向がＹ方向に沿って配置されている。画素電極３１を発光色に対応させて画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒと呼ぶこともある。各画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒの外縁を覆って絶縁層２７が形成されている。これによって、各画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒ上に開口部２７ａが形成され、開口部２７ａ内において画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒのそれぞれが露出している。開口部２７ａの平面形状もまた略矩形状となっている。

次に、有機ＥＬ装置１００の構造について、図４及び図５を参照して説明する。図４は図３のＡ−Ａ’線に沿った有機ＥＬ装置の構造を示す概略断面図、図５は図２のＣ−Ｃ’線に沿った有機ＥＬ装置の構造を示す概略断面図である。図４は実表示領域Ｅ１におけるサブ画素１８の構造を示し、図５は非表示領域Ｅ３における封止構造を示すものである。

図４に示すように、有機ＥＬ装置１００は、基材１１と、基材１１上に順に形成された、画素回路２０と、有機ＥＬ素子３０と、複数の有機ＥＬ素子３０を封止する封止層３４とを含む素子基板１０を備えている。また、素子基板１０に対して透明樹脂層３５を介して対向配置された対向基板４１を備えている。
対向基板４１は、例えばガラスなどの透明基板からなり、素子基板１０のサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒに対応して設けられた着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒと、各着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒを光学的に区分する遮光膜３６Ｍとを有するカラーフィルター３６を備えている。
サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒの発光機能層３２Ｂ，３２Ｇ，３２Ｒからの発光は、カラーフィルター３６を透過して対向基板４１側から取り出される。すなわち、有機ＥＬ装置１００はトップエミッション型の発光装置である。

基材１１は、有機ＥＬ装置１００がトップエミッション型のため、ガラスなどの透明基板や、シリコンやセラミックスなどの不透明な基板を用いることができる。以降、画素回路２０に薄膜トランジスターを用いた場合を例に説明する。
基材１１の表面を覆って第１層間絶縁膜１１ａが形成される。画素回路２０における例えば駆動用トランジスター２３の半導体層２３ａが第１層間絶縁膜１１ａ上に形成される。半導体層２３ａを覆ってゲート絶縁膜として機能する第２層間絶縁膜１１ｂが形成される。第２層間絶縁膜１１ｂを介して半導体層２３ａのチャネル領域と対向する位置にゲート電極２３ｇが形成される。ゲート電極２３ｇを覆って第３層間絶縁膜１１ｃが形成される。半導体層２３ａのソース領域２３ｓとドレイン領域２３ｄとにそれぞれ対応して、第２層間絶縁膜１１ｂと第３層間絶縁膜１１ｃとを貫通するコンタクトホールが形成される。これらのコンタクトホールを埋めるようにして導電膜が形成され、パターニングされて駆動用トランジスター２３に接続される配線が形成される。図４では図示を省略したが、画素回路２０におけるスイッチング用トランジスター２１や蓄積容量２２も同様に形成される。
第３層間絶縁膜１１ｃを覆って第４層間絶縁膜１１ｄが形成される。第４層間絶縁膜１１ｄは、画素回路２０の駆動用トランジスター２３などを覆うことによって生じた表面の凹凸を無くすように平坦化処理が施される。また、後に画素電極３１と駆動用トランジスター２３とを電気的に接続させるためのコンタクトホールが第４層間絶縁膜１１ｄを貫通して形成される。第１層間絶縁膜１１ａ〜第４層間絶縁膜１１ｄを構成する材料としては、例えばシリコンの酸化物や窒化物、あるいはシリコンの酸窒化物を用いることができる。

第４層間絶縁膜１１ｄに形成されたコンタクトホールを埋めるように、第４層間絶縁膜１１ｄを覆って導電膜が成膜され、この導電膜をパターニングすることによって画素電極３１（３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒ）が形成される。画素電極３１（３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒ）は、光反射性を有する例えばＡｌ（アルミニウム）やＡｇ（銀）、あるいはこれらの金属の合金を用いることができる。また、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜を用いてもよい。透明導電膜を用いて画素電極３１（３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒ）を形成した場合には、画素電極３１（３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒ）と基材１１との間に反射層を設ける。

各画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒの外縁部を覆って絶縁層２７が形成され、これにより各画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒ上に開口部２７ａが形成される。絶縁層２７は例えばシリコンの酸化物を用いて形成される。
絶縁層２７上に隔壁２８が形成される。隔壁２８は例えばアクリル系の感光性樹脂を用いて、１μｍ〜２μｍ程度の高さで各画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒをそれぞれ区画するように形成される。

本実施形態では、後述する発光機能層３２（３２Ｂ，３２Ｇ，３２Ｒ）が液相プロセスで形成されるため、隔壁２８の表面には撥液処理が施され、隔壁２８で囲まれた領域において露出した画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒの表面には親液処理が施される。なお、下層に絶縁層２７、上層に隔壁２８を有する所謂二層バンクの構成を採用することに限定されず、絶縁層２７を除いて撥液性を有する隔壁２８だけの構成としてもよい。

隔壁２８で区画された領域に発光機能層３２（３２Ｂ，３２Ｇ，３２Ｒ）がそれぞれ形成される。発光機能層３２は、例えば、画素電極３１側から、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層が順に形成されたものである。本実施形態では、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層ごとに、層構成材料を含む液体を用意し、隔壁２８で区画された領域に当該液体を塗布して乾燥することにより、これらの層が積層された発光機能層３２（３２Ｂ，３２Ｇ，３２Ｒ）を形成している。当該液体を所定の領域に対して選択的に塗布する方法として液滴吐出法（インクジェット法）が用いられている。なお、発光機能層３２（３２Ｂ，３２Ｇ，３２Ｒ）は、上記液滴吐出法（インクジェット法）によって形成されることに限定されず、上記所定の領域に対応する開口部を有するマスクを用いた蒸着法により形成してもよい。
なお、発光機能層３２Ｂから青（Ｂ）の発光が得られ、発光機能層３２Ｇから緑（Ｇ）の発光が得られ、発光機能層３２Ｒから赤（Ｒ）の発光が得られる。また、発光機能層３２の層構成は、これに限定されず、キャリアである正孔や電子の移動を制御する中間層を含んでいてもよい。また、発光色に対応して有機発光層の層構成材料を変えるだけでなく、発光色に対応して正孔注入層や正孔輸送層などの構成を異ならせてもよい。

発光機能層３２（３２Ｂ，３２Ｇ，３２Ｒ）と隔壁２８とを覆って共通陰極としての対向電極３３が形成される。対向電極３３は、例えばＭｇとＡｇとの合金を光透過性が得られる程度の膜厚（例えば１０ｎｍ〜３０ｎｍ）で成膜することによって形成される。これによって、複数の有機ＥＬ素子３０ができあがる。

次に、水や酸素などが浸入しないように複数の有機ＥＬ素子３０を覆う封止層３４が形成される。本実施形態の封止層３４は、対向電極３３側から順に、第１無機封止層３４ａ、緩衝層３４ｂ、第２無機封止層３４ｃが積層されたものである。
第１無機封止層３４ａ及び第２無機封止層３４ｃとしては、光透過性を有すると共に優れたガスバリア性を有する無機材料である例えば酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などを用いることが好ましい。

無機封止層の形成方法としては、蒸着法やスパッタ法を挙げることができる。無機封止層の膜厚を厚くすることで高いガスバリア性を実現できるが、その一方で膨張や収縮によってクラックが生じ易い。したがって、２００ｎｍ〜４００ｎｍ程度の膜厚に制御することが好ましく、本実施形態では緩衝層３４ｂを挟んで無機封止層を重ねることで高いガスバリア性を実現している。

緩衝層３４ｂは、熱安定性に優れた例えばエポキシ系樹脂を用いることができる。また、有機材料からなる緩衝層３４ｂをスクリーンなどの印刷法や定量吐出法などにより塗布形成すれば、緩衝層３４ｂの表面を平坦化することができる。つまり、緩衝層３４ｂは第１無機封止層３４ａの表面の凹凸を緩和する平坦化層としても機能させることができる。

素子基板１０と対向基板４１とは、間隔を置いて対向配置され、当該間隔に透明樹脂が充填されて透明樹脂層３５が構成される。透明樹脂としては、例えばウレタン系、アクリル系、エポキシ系、ポリオレフィン系などの樹脂を挙げることができる。

図５に示すように、非表示領域Ｅ３において、基材１１の第３層間絶縁膜１１ｃ上に配線層２４が設けられている。第４層間絶縁膜１１ｄ上にコンタクト部２９が設けられている。配線層２４とコンタクト部２９とは、第４層間絶縁膜１１ｄに形成されたコンタクトホールを介して電気的に接続されている。なお、配線層２４及びコンタクト部２９の構成はこれに限定されず、例えば第４層間絶縁膜１１ｄ上に配線層２４を形成し、配線層２４に接するようにコンタクト部２９を形成してもよい。あるいは、第４層間絶縁膜１１ｄが基材１１よりも狭い範囲に形成され、第４層間絶縁膜１１ｄの外縁（平面視した際の第４層間絶縁膜１１ｄの外縁と基材１１の外縁の間の領域）で配線層２４に接するようにコンタクト部２９を形成してもよい。
共通陰極としての対向電極３３は表示領域Ｅ０と非表示領域Ｅ３とに亘って形成されている。非表示領域Ｅ３では、対向電極３３はコンタクト部２９と第４層間絶縁膜１１ｄとに接するように形成されている。
封止層３４のうち、第１無機封止層３４ａと第２無機封止層３４ｃは、非表示領域Ｅ３において互いに接すると共に、対向電極３３と重なるように形成されている。緩衝層３４ｂは、少なくとも表示領域Ｅ０と重なるように第１無機封止層３４ａに積層形成されている。

複数の有機ＥＬ素子３０が設けられた素子基板１０と、カラーフィルター３６を備えた対向基板４１とを透明樹脂層３５を介して対向配置して接着するにあたり、非表示領域Ｅ３には表示領域Ｅ０を囲むようにダム材４２が設けられている。ダム材４２は例えばエポキシ系樹脂を主体とする熱硬化型の接着剤を用いることができる。

＜発光装置の製造方法＞
次に、本実施形態の発光装置の製造方法としての有機ＥＬ装置１００の製造方法について、図６及び図７を参照して説明する。図６は第１実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート、図７（ａ）〜（ｅ）は第１実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図である。なお、図７は図２のＣ−Ｃ’線に沿った素子基板１０の断面図に相当するものである。

図６に示すように、本実施形態の発光装置の製造方法としての有機ＥＬ装置１００の製造方法は、共通陰極形成工程（ステップＳ１）と、第１無機封止層形成工程（ステップＳ２）と、緩衝層形成工程（ステップＳ３）と、第２無機封止層形成工程（ステップＳ４）と、共通陰極パターニング工程（ステップＳ５）と、素子基板１０と対向基板４１とを貼り合わせる基板貼り合わせ工程（ステップＳ６）とを備えている。
なお、素子基板１０において、画素回路２０を形成する工程や、有機ＥＬ素子３０のうち画素電極３１、発光機能層３２を形成する工程は、前述したように公知の方法を用いることができる。したがって、本実施形態では、本願の特徴部分である共通陰極形成工程以降について説明する。

図６の共通陰極形成工程（ステップＳ１）では、図７（ａ）に示すように、共通陰極としての対向電極３３を表示領域Ｅ０と非表示領域Ｅ３とに亘って形成する。対向電極３３は、例えばＭｇとＡｇとの合金（ＭｇＡｇ）を蒸着法やスパッタ法などを用いて、表示領域Ｅ０では発光機能層３２と隔壁２８とに接して覆うように形成する。非表示領域Ｅ３では少なくともコンタクト部２９に接して覆うように形成する。対向電極３３は膜厚を１０ｎｍ〜３０ｎｍと薄く成膜することにより、導電性に加えて光透過性が付与される。そして、ステップＳ２へ進む。

図６の第１無機封止層形成工程（ステップＳ２）では、図７（ｂ）に示すように、第１無機封止層３４ａを表示領域Ｅ０と非表示領域Ｅ３とに亘って形成する。第１無機封止層３４ａは、例えばＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）を蒸着法やスパッタ法などを用いて対向電極３３に接して覆うように形成する。ただし、非表示領域Ｅ３では、対向電極３３を介してコンタクト部２９と重なると共に、対向電極３３の外縁が露出するように形成する。つまり、対向電極３３が形成された領域よりも内側に第１無機封止層３４ａを形成する。このような第１無機封止層３４ａの選択的な形成は、例えば、第１無機封止層３４ａが形成される領域に対応した開口を有するマスクを用いて蒸着またはスパッタすることによって実現できる。第１無機封止層３４ａの膜厚は２００ｎｍ〜４００ｎｍである。そして、ステップＳ３へ進む。

図６の緩衝層形成工程（ステップＳ３）では、図７（ｃ）に示すように、緩衝層３４ｂを少なくとも表示領域Ｅ０に亘って形成する。緩衝層３４ｂは、例えば、光透過性を有するエポキシ系樹脂（モノマー、オリゴマーと硬化剤とを含む）をスクリーンなどの印刷法や定量吐出法などにより、第１無機封止層３４ａに接して覆うように形成する。第１無機封止層３４ａにスクリーンなどの印刷手段が触れない点で、定量吐出法を採用することが好ましい。例えば、上記エポキシ系樹脂に溶媒を加えて吐出可能な程度の粘度に調整された溶液をノズルから表示領域Ｅ０に満遍なく吐出し、塗布された溶液を乾燥させて緩衝層３４ｂを形成する。溶液を乾燥する過程でレベリングされ、乾燥後に表面が比較的に平坦な緩衝層３４ｂを得ることができる。緩衝層３４ｂの膜厚は、異物などが混入した場合に、この後に形成される第２無機封止層３４ｃの形成に影響を及ぼさないように、１μｍ〜３μｍとすることが好ましい。そして、ステップＳ４へ進む。

図６の第２無機封止層形成工程（ステップＳ４）では、図７（ｄ）に示すように、第２無機封止層３４ｃを表示領域Ｅ０と非表示領域Ｅ３とに亘って形成する。第２無機封止層３４ｃは、第１無機封止層３４ａと同じ材料を用いて形成することが望ましく、ＳｉＯＮが好ましい。表示領域Ｅ０では緩衝層３４ｂに接して覆うように形成し、非表示領域Ｅ３では第１無機封止層３４ａに接するように形成する。第２無機封止層３４ｃは、第１無機封止層３４ａが形成された領域と同じか、それよりもやや内側に形成する。このような第２無機封止層３４ｃの選択的な形成もまたマスクを用いて蒸着またはスパッタすることによって実現できる。第２無機封止層３４ｃの膜厚は２００ｎｍ〜４００ｎｍである。これにより、封止層３４ができあがる。ステップＳ２〜ステップＳ４が封止層３４の形成工程に相当する。そして、ステップＳ５へ進む。

図６の共通陰極パターニング工程（ステップＳ５）では、図７（ｅ）に示すように、封止層３４をマスクとして共通陰極である対向電極３３をエッチングしてパターニングする。対向電極３３をエッチングする方法としては、酸素を含む処理ガスを用いたドライエッチングを挙げることができる。封止層３４をマスクとしたドライエッチングを施すことにより、封止層３４よりも膜厚が薄い対向電極３３が優先的にエッチングされ、非表示領域Ｅ３において対向電極３３の端部３３ｅと封止層３４の端部３４ｅとが揃った断面形状を実現できる。また、このとき、封止層３４で覆われていない、対向電極３３の端部３３ｅは、処理ガスに含まれた酸素によって不動態化される。対向電極３３と接するコンタクト部２９は、対向電極３３の端部３３ｅよりも内側（表示領域Ｅ０側）に位置しているので、酸素によって不動態化されることはない。そして、ステップＳ６へ進む。

図６の基板貼り合わせ工程（ステップＳ６）では、図５に示すように、複数の有機ＥＬ素子３０を封止する封止層３４が形成された素子基板１０と、カラーフィルター３６を有する対向基板４１とを透明樹脂層３５を介して貼り合わせる。貼り合わせ方法としては、素子基板１０または対向基板４１の非表示領域Ｅ３に例えば熱硬化型の接着剤であるダム材４２を配置し、ダム材４２が配置された基板のダム材４２より内側に所定量の透明樹脂を塗布する。そして、両基板を所定の位置で対向配置して圧着し、ダム材４２を加熱硬化させる。これによって、素子基板１０と対向基板４１との間に透明樹脂層３５が形成される。ダム材４２を非表示領域Ｅ３に配置することにより、圧着によって透明樹脂が両基板から外側にはみ出ることを防止すると共に、両基板を所定の間隔をおいて接着することができる。ダム材４２には、所定の間隔をおいて両基板を配置させるためのギャップ材を含むことが望ましい。

上記第１実施形態によれば、以下の効果が得られる。
（１）有機ＥＬ装置１００及びその製造方法によれば、非表示領域Ｅ３において封止層３４は対向電極３３の端部３３ｅを覆って形成されず、結果的に対向電極３３の形成領域と同じ領域またはそれよりも内側（表示領域Ｅ０側）に形成される。したがって、対向電極３３の端部３３ｅを覆うように封止層３４を形成する場合に比べて、非表示領域Ｅ３のＸ方向及びＹ方向の幅を狭く（小さく）することができる。つまり、発光寿命における信頼性を確保しつつ、小型な発光装置としての有機ＥＬ装置１００を提供できる。
（２）対向電極３３は封止層３４をマスクとしてドライエッチングすることによりパターニングされる。これにより、封止層３４で覆われていない対向電極３３の端部３３ｅが処理ガスに含まれた酸素により不動態化される。この後、対向電極３３の端部３３ｅが水や酸素に触れたとしても不動態化されているので、水や酸素が表示領域Ｅ０に浸入することを抑制できる。また、対向電極３３の不動態化された端部３３ｅよりも内側（表示領域Ｅ０側）にコンタクト部２９が配置されているので、水や酸素の表示領域Ｅ０への浸入をより確実に抑制することができる。
（３）複数の有機ＥＬ素子３０を覆って封止する封止層３４は、対向電極３３側から第１無機封止層３４ａ、緩衝層３４ｂ、第２無機封止層３４ｃの積層構造となっている。したがって、封止層３４を単純に無機材料からなる厚膜とする場合に比べて、熱膨張・収縮によるクラックや剥がれなどの不具合を低減し、確実に水や酸素などの浸入を抑制できる。また、緩衝層３４ｂは塗布法により有機材料を用いて形成されている。したがって、複数の有機ＥＬ素子３０の影響で第１無機封止層３４ａの表面に凹凸が生じたとしても、これを緩和する平坦化層として緩衝層３４ｂを機能させることができる。
（４）素子基板１０と対向基板４１とは透明樹脂層３５を介してダム材４２により貼り合わせられる。したがって、透明樹脂が両基板から外側にはみ出ることを防止することができる。また、素子基板１０と対向基板４１とを強力に接着できることから、複数の有機ＥＬ素子３０を確実に封止することができる。
（５）素子基板１０に対向配置される対向基板４１には、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒにそれぞれ対応した着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒを有するカラーフィルター３６が設けられている。発光機能層３２Ｂ，３２Ｇ，３２Ｒから発した光は着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒを透過する。したがって、高い色純度でフルカラー表示が可能な有機ＥＬ装置１００を提供できる。

（第２実施形態）
＜発光装置＞
次に、第２実施形態の発光装置としての有機ＥＬ装置について、図８及び図９を参照して説明する。図８は第２実施形態の有機ＥＬ装置の構造を示す概略断面図、図９（ａ）及び（ｂ）は第２実施形態の有機ＥＬ装置の非表示領域の構造を示す概略断面図である。なお、第２実施形態の発光装置としての有機ＥＬ装置は、第１実施形態の有機ＥＬ装置１００に対して素子基板１０の構成を異ならせたものであり、図８は図３のＡ−Ａ’線に沿った断面図に相当し、図９（ａ）及び（ｂ）は図２のＣ−Ｃ’線に沿った断面図に相当するものである。したがって、第１実施形態と同じ構成には同じ符号を付して詳細の説明は省略する。また、図８及び図９では、基材１１上に形成されている画素回路２０の駆動用トランジスター２３などの表示を省略した。

図８に示すように、本実施形態の発光装置としての有機ＥＬ装置２００は、基材１１と、基材１１上に順に形成された反射層２５、透明層２６、画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒ、発光機能層３２、共通陰極としての対向電極３３を有する。また、対向電極３３を覆う封止層３４と、封止層３４上に形成されたカラーフィルター３６とを有する。さらに、カラーフィルター３６を保護するために、素子基板１０に透明樹脂層４５を介して配置された対向基板４１を有する。本実施形態の素子基板１０は基材１１からカラーフィルター３６までを含むものである。

サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒに対応して設けられた画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒは、例えばＩＴＯなどの透明導電膜からなり、互いに膜厚が異なっている。青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）の順に膜厚が厚くなっている。
発光機能層３２はサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒに跨って共通に形成されており、白色発光が得られる構成となっている。
発光機能層３２を覆う対向電極３３は、例えばＭｇＡｇ合金からなり、光透過性と光反射性とを兼ね備えるように膜厚が制御されている。
本実施形態の有機ＥＬ装置２００は、反射層２５と対向電極３３との間で光共振器が構成されている。サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒごとの画素電極３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒの膜厚が異なることにより、それぞれの光共振器における光学的な距離が異なっている。これにより、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒのそれぞれにおいて各色に対応した共振波長の光が得られる構成となっている。
カラーフィルター３６の各着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒは封止層３４上に直接形成されている。
各サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒの光共振器から発せられた共振光は、各着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒを透過して透明な対向基板４１側から射出される。カラーフィルター３６が封止層３４上に形成されているため、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒ間での光漏れによる混色が低減される。このようなサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒの構造は、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒの平面的な大きさが小さくなればなるほど混色を効果的に低減できる。

図９（ａ）に示すように、非表示領域Ｅ３では、対向電極３３はコンタクト部２９に接して覆うように形成されている。封止層３４のうち第１無機封止層３４ａは対向電極３３に接して覆うように形成されている。ただし、対向電極３３の端部３３ｅは第１無機封止層３４ａによって覆われていない。第１無機封止層３４ａに対して緩衝層３４ｂを介して形成された第２無機封止層３４ｃは、非表示領域Ｅ３において第１無機封止層３４ａと接して積層されている。
素子基板１０と対向基板４１とは、非表示領域Ｅ３に配置されたダム材４２によって貼り合わされている。

図９（ａ）では、対向電極３３の端部３３ｅと封止層３４の端部３４ｅとが揃った断面形状となっている。また、ダム材４２の端に対しても揃った断面形状となっている。言い換えれば、封止層３４は対向電極３３の端部３３ｅを覆う必要がなく、ダム材４２もまた対向電極３３の端部３３ｅや封止層３４の端部３４ｅを覆う必要がないので、これらの端部３３ｅ，３４ｅを覆うように形成する場合に比べて、非表示領域Ｅ３の幅を小さくできる。

なお、対向電極３３の端部３３ｅと封止層３４の端部３４ｅとを断面形状において必ず揃える必要はなく、例えば、図９（ｂ）に示すように、対向電極３３が形成された領域よりも内側（表示領域Ｅ０側）に封止層３４を形成すればよく、対向電極３３の端部３３ｅと封止層３４の端部３４ｅとの間に段差が生じてもよい。
また、素子基板１０と対向基板４１とを接着するダム材４２は、対向電極３３の端部３３ｅに対してダム材４２の端を揃えて配置する必要はなく、対向電極３３の端部３３ｅよりも表示領域Ｅ０側にダム材４２を配置してもよい。
本実施形態においても、第１実施形態と同様に封止層３４で覆われていない対向電極３３の部分（端部３３ｅを含む）は、不動態化されている。詳しくは、以降の有機ＥＬ装置２００の製造方法において説明する。

＜発光装置の製造方法＞
第２実施形態の発光装置の製造方法としての有機ＥＬ装置２００の製造方法について、図１０〜図１２を参照して説明する。図１０は第２実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示すフローチャート、図１１はマザー基板の構成を示す概略平面図、図１２（ａ）〜（ｅ）は第２実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図である。

図１０に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置２００の製造方法は、共通陰極形成工程（ステップＳ１１）と、封止層形成工程（ステップＳ１２）と、共通陰極パターニング工程（ステップＳ１３）と、カラーフィルター形成工程（ステップＳ１４）と、基板貼り合わせ工程（ステップＳ１５）と、ダイシング工程（ステップＳ１６）とを備えている。

本実施形態では、図１１に示すように、素子基板１０の基材１１が設計上、複数面付けされたマザー基板１０Ｗを用いて、有機ＥＬ装置２００を製造するものである。マザー基板１０Ｗには、オリフラのカット面が延在する方向をＸ方向として、Ｘ方向とＹ方向とに複数の基材１１が所定の間隔を置いて面付けされている。基材１１上に前述した素子基板１０の各構成を形成し、個々の素子基板１０に対して対向基板４１をそれぞれ貼り合わせる。そして、Ｘ方向とＹ方向とに延在する上記間隔に設定されたスクライブライン（仮想切断線）ＳＬに沿ってダイシングすることにより、個々の有機ＥＬ装置２００が取り出される。

本実施形態の有機ＥＬ装置２００がトップエミッション方式であることから、マザー基板１０Ｗは、透明な例えば石英や無アルカリガラスなどの基板や、不透明なシリコンなどの基板を用いることができる。本実施形態では、マザー基板１０Ｗとして石英基板を用い、高温プロセスを使用して画素回路２０のトランジスター等をマザー基板１０Ｗ上に形成している。このような画素回路２０の形成方法は、公知の方法を採用することができる。

なお、図１２（ａ）〜（ｅ）は、マザー基板１０ＷのＸ方向において隣り合う基材１１の概略断面図を示している。また、図１２（ａ）〜（ｅ）は、素子基板１０側における画素回路２０や画素電極３１等の表示を省略して、本実施形態に係る共通陰極形成工程以降の内容を分かり易く表示したものである。

具体的には、図１０の共通陰極形成工程（ステップＳ１１）では、図１２（ａ）に示すように、共通陰極としての対向電極３３を、複数の基材１１の絶縁層２７とコンタクト部２９と発光機能層３２とを覆うように、マザー基板１０Ｗの全面に亘って形成する。対向電極３３は、前述したように、例えばＭｇＡｇ合金を用いて蒸着あるいはスパッタすることにより形成され、その厚みは光透過性と光反射性とを兼ね備えるように、例えば１０ｎｍ〜３０ｎｍとされている。そして、ステップＳ１２へ進む。

図１０の封止層形成工程（ステップＳ１２）では、図１２（ａ）に示すように、各基材１１に対応して、スクライブラインＳＬを挟んで間隔をおいて封止層３４を形成する。本実施形態の封止層形成工程は、第１無機封止層形成工程、緩衝層形成工程、第２無機封止層形成工程を含むものであって、基本的に第１実施形態のステップＳ２〜ステップＳ４と同じであるため、詳細の説明は省略する。そして、ステップＳ１３へ進む。

図１０の共通陰極パターニング工程（ステップＳ１３）では、図１２（ｂ）に示すように、封止層３４をマスクとして対向電極３３をエッチングしてパターニングする。エッチング方法は、第１実施形態のステップＳ５と同様にして酸素を含む処理ガスを用いたドライエッチング法を採用することができる。したがって、ドライエッチング後に封止層３４で覆われていない対向電極３３の部分（端部３３ｅを含む）が酸素と反応して不動態化される。そして、ステップＳ１４へ進む。

図１０のカラーフィルター形成工程（ステップＳ１４）では、図１２（ｃ）に示すように、封止層３４上にカラーフィルター３６を形成する。カラーフィルター３６の形成方法は、各着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒに対応した色材を含む感光性樹脂材料をスピンコート法などの方法を用いてマザー基板１０Ｗに塗布し、これを露光・現像・乾燥することで、着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒをそれぞれ形成する。着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒの膜厚はおよそ２μｍ程度である。そして、ステップＳ１５へ進む。

図１０の基板貼り合わせ工程（ステップＳ１５）では、図１２（ｄ）に示すように、マザー基板１０Ｗの基材１１ごとにダム材４２を配置する。配置されたダム材４２の内側に所定量の透明樹脂材料を塗布して、対向基板４１を貼り合わせる。本実施形態では、マザー基板１０Ｗの基材１１ごとにダム材４２を所定の位置（表示領域Ｅ０を囲む所定の位置）に配置する。そして、基材１１ごとに対向配置された対向基板４１を基材１１側に押圧して加熱することによりダム材４２を硬化させて、マザー基板１０Ｗに複数の対向基板４１を貼り合わせる。これにより、マザー基板１０Ｗと対向基板４１との間に透明樹脂材料が充填されて透明樹脂層４５が構成される。そして、ステップＳ１６へ進む。

図１０のダイシング工程（ステップＳ１６）では、図１２（ｅ）に示すように、スクライブラインＳＬに沿ってダイシングしてマザー基板１０Ｗを切断することにより、個々の有機ＥＬ装置２００を取り出す。ダイシングは、マザー基板１０Ｗに面付けされた基材１１の周囲に設けられた間隔を切りしろとして行われる。したがって、ダイシングブレードによって、対向電極３３や封止層３４が切断されることはない。

なお、本実施形態では、マザー基板１０Ｗに面付けされた基材１１のそれぞれに個片の対向基板４１を貼り合わせたが、対向基板４１が面付けされたマザー対向基板とマザー基板１０Ｗとを貼り合わせて、双方を切断して有機ＥＬ装置２００を取り出す方法を採用してもよい。また、これらの基板の切断は、ダイシングに限定されず、超鋼チップによるスジ入れスクライブや、レーザー光を照射して切断するレーザースクライブを用いたり、これらの切断方法を組み合わせて用いたりすることもできる。

上記第２実施形態の有機ＥＬ装置２００及びその製造方法によれば、上記第１実施形態の効果（１）、（２）、（３）と同様な効果に加えて、以下の効果が得られる。
（６）有機ＥＬ装置２００は、素子基板１０側においてサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒごとに光共振器と着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒとを備えている。したがって、着色層３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒを対向基板４１側に設けた場合に比べて、有機ＥＬ素子３０に対してカラーフィルター３６が近づいて配置され、サブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒ間の光漏れによる混色が低減され優れた表示品質を有する小型な有機ＥＬ装置２００を提供できる。
（７）ダイシング工程（ステップＳ１６）では、マザー基板１０Ｗに面付けされた基材１１の周囲に設けられた間隔を切りしろとしてダイシングが行われる。したがって、対向電極３３や封止層３４が切断されて損傷したり、基材１１から剥がれたりすることがないので、高い信頼性を実現できる。
（８）共通陰極パターニング工程（ステップＳ１３）において、封止層３４で覆われていない対向電極３３の部分（端部３３ｅを含む）は不動態化されており、ダイシング工程（ステップＳ１６）において水と接触しても、対向電極３３が水の影響を受け難い。

（第３実施形態）
＜電子機器＞
次に、本実施形態の電子機器について図１３、図１４を参照して説明する。図１３は電子機器としてのテレビを示す概略図、図１４は電子機器としてのヘッドマウントディスプレイを示す斜視図である。
図１３に示すように、本実施形態の電子機器としてのテレビ（ＴＶ）５００は、表示部５０１に上記実施形態の有機ＥＬ装置１００が用いられている。したがって、発光寿命において高い信頼性を有すると共に、非表示領域Ｅ３の幅が小さいので、同じ画面サイズなら従来に比べてより小型なＴＶ５００を提供できる。また、液晶表示装置を表示部５０１に採用する場合に比べて、照明装置が不要になることからより薄型のＴＶ５００を実現できる。

図１４に示すように、本実施形態の電子機器としてのヘッドマウントディスプレイ１０００は、左右の目に対応して設けられた２つの表示部１００１を有している。観察者Ｍはヘッドマイントディスプレイ１０００を眼鏡のように頭部に装着することにより、表示部１００１に表示された文字や画像などを見ることができる。例えば、左右の表示部１００１に視差を考慮した画像を表示すれば、立体的な映像を見て楽しむこともできる。
表示部１００１には、上述した有機ＥＬ装置２００が搭載されている。したがって、発光寿命において高い信頼性を有すると共に、従来に比べてより小型で軽量なヘッドマウントディスプレイ１０００を提供することができる。
ヘッドマウントディスプレイ１０００は、２つの表示部１００１を有することに限定されず、左右のいずれかに対応させた１つの表示部１００１を備える構成としてもよい。

なお、上記有機ＥＬ装置１００または有機ＥＬ装置２００が搭載された電子機器は、ＴＶ５００やヘッドマウントディスプレイ１０００に限定されない。例えば、パーソナルコンピューターや携帯型情報端末、ナビゲーター、ビューワー、ヘッドアップディスプレイなどの表示部を有する電子機器が挙げられる。

本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う発光装置および該発光装置の製造方法ならびに該発光装置を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。

（変形例１）上記第１実施形態の緩衝層形成工程（ステップＳ３）において、塗布法を用いて緩衝層３４ｂを形成する前に、第１無機封止層３４ａが形成された基材１１に対して、酸素を処理ガスとするプラズマ処理を施してもよい。これにより、第１無機封止層３４ａの表面がクリーニングされて緩衝層３４ｂとの密着性が高まる。また、プラズマ処理によって第１無機封止層３４ａに覆われていない対向電極３３の部分を不動態化することができる。言い換えれば、封止層３４で覆われていない対向電極３３の部分を不動態化する工程は、ドライエッチングを用いる共通陰極パターニング工程に限定されない。例えば、環境条件にもよるが対向電極３３の露出した部分が大気中の酸素と反応して不動態化されることもある。

（変形例２）上記第１実施形態及び上記第２実施形態において、封止層３４の緩衝層３４ｂを有機材料を用いて構成したが、これに限定されない。封止層３４のうち第１無機封止層３４ａ、第２無機封止層３４ｃに与えられる製造上のストレスに対して、これを緩和可能な物理的特性（例えば弾性率）を備えていれば、無機材料を用いて緩衝層３４ｂを構成することもできる。

（変形例３）上記第１実施形態及び上記第２実施形態において、共通陰極パターニング工程における対向電極３３のパターニング方法は、封止層３４をマスクとしたドライエッチングに限定されない。例えば、封止層３４を覆ってエッチング用レジストパターンを形成し、ウェットエッチングによって対向電極３３をパターニングしてもよい。そうすると、エッチング後の対向電極３３の端部３３ｅと封止層３４の端部３４ｅとが必ずしも揃わない断面形状となることもある。

（変形例４）上記第１実施形態の有機ＥＬ装置１００において、配線層２４と共通陰極としての対向電極３３との電気的な接続を図るコンタクト部２９は、Ｘ方向またはＹ方向に連続して設けられていることに限定されない。例えば、基材１１上において配線層２４と対向電極３３との間で島状に複数設けられていてもよい。

（変形例５）上記第１実施形態及び第２実施形態において、素子基板１０と対向基板４１とをダム材４２を介して接着したが、これに限定されない。例えば、透明樹脂層３５（透明樹脂層４５）に接着性を持たせてダム材４２を設けずに素子基板１０と対向基板４１とを接着してもよい。これによれば、ダム材４２を非表示領域Ｅ３に配置するときの位置精度を考慮して、非表示領域Ｅ３のＸ方向及びＹ方向における幅に余裕を持たせる必要がなくなる。したがって、非表示領域Ｅ３の幅を狭めて、より小型な有機ＥＬ装置１００及び有機ＥＬ装置２００を提供できる。透明樹脂層３５（透明樹脂層４５）は、少なくとも表示領域Ｅ０と重なって形成されていればよく、必ずしも対向電極３３の端部３３ｅや封止層３４の端部３４ｅを覆う必要はない。

（変形例６）上記第１実施形態の有機ＥＬ装置１００及び上記第２実施形態の有機ＥＬ装置２００において、実表示領域Ｅ１に設けられる発光画素は、青（Ｂ）、緑（Ｇ）、赤（Ｒ）の発光に対応したサブ画素１８Ｂ，１８Ｇ，１８Ｒに限定されない。例えば、上記３色以外の黄（Ｙ）を発光するサブ画素１８Ｙを備えてもよい。これにより、色再現性をさらに高めることが可能となる。

（変形例７）上記第１実施形態の封止構造を適用可能な発光装置は、トップエミッション型の有機ＥＬ装置１００，２００に限定されない。例えば、対向電極３３を反射層とし、画素電極３１と基材１１との間に半透過反射層を設け、発光機能層３２からの発光を基材１１側から取り出すボトムエミッション型の有機ＥＬ装置にも適用することができる。

１０…素子基板、１０Ｗ…マザー基板、１１…基板としての基材、２４…配線層、２９…コンタクト部、３０…発光素子としての有機ＥＬ素子、３１，３１Ｂ，３１Ｇ，３１Ｒ…陽極としての画素電極、３２…有機発光層を含む機能層としての発光機能層、３３…共通陰極としての対向電極、３４…封止層、３４ａ…第１無機封止層、３４ｂ…緩衝層、３４ｃ…第２無機封止層、３５…透明樹脂層、３６…カラーフィルター、３６Ｂ，３６Ｇ，３６Ｒ…着色層、４１…対向基板、４２…ダム材、１００，２００…発光装置としての有機ＥＬ装置、５００…電子機器としてのテレビ（ＴＶ）、１０００…電子機器としてのヘッドマウントディスプレイ、ＳＬ…スクライブライン。

Claims (15)

1. 基板と、
   前記基板上に形成された、陽極と陰極との間に有機発光層が含まれる機能層を有する複数の発光素子と、
   前記複数の発光素子を封止する封止層と、を備え、
   前記陰極は前記複数の発光素子に亘る共通陰極として形成され、
   前記封止層は、前記共通陰極の形成領域と同じもしくは前記形成領域より内側において前記共通陰極を覆うように形成されていることを特徴とする発光装置。
2. 前記封止層により覆われていない前記共通陰極の部分が不動態化していることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
3. 前記基板と前記共通陰極との間に形成された配線層と、
   前記配線層と前記共通陰極との間に形成され、前記封止層で覆われた部分の前記共通陰極に接し、前記共通陰極と前記配線層とを電気的に接続させるコンタクト部と、を有することを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
4. 前記封止層は、前記共通陰極に接して形成された第１無機封止層と、前記第１無機封止層に順に積層された緩衝層と、第２無機封止層とを含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の発光装置。
5. 前記緩衝層が有機材料で構成されていることを特徴とする請求項４に記載の発光装置。
6. 前記封止層上に前記複数の発光素子ごとに対応して形成されたカラーフィルターを有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の発光装置。
7. 前記基板の前記封止層に対して透明樹脂層を介して対向配置された対向基板を有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の発光装置。
8. 前記透明樹脂層が前記対向基板から外側にはみ出すことを防止するダム材を有し、
   前記ダム材は前記封止層の外縁と重なる位置に設けられていることを特徴とする請求項７に記載の発光装置。
9. 基板上に、陽極と陰極との間に有機発光層が含まれる機能層を有する複数の発光素子を備えた発光装置の製造方法であって、
   前記複数の発光素子に亘る共通陰極として前記陰極を形成する工程と、
   前記共通陰極の形成領域と同じもしくは前記形成領域よりも内側において前記共通陰極を覆って前記複数の発光素子を封止する封止層を形成する工程と、を備えたことを特徴とする発光装置の製造方法。
10. 前記封止層をマスクとして前記共通陰極をパターニングする工程を含むことを特徴とする請求項９に記載の発光装置の製造方法。
11. 前記共通陰極をパターニングする工程は、酸素を含む処理ガスを用いて前記共通陰極をドライエッチングすることを特徴とする請求項１０に記載の発光装置の製造方法。
12. 前記封止層を形成する工程は、前記共通陰極に接して第１無機封止層を形成する工程と、前記第１無機封止層に接して緩衝層を形成する工程と、前記緩衝層を覆う第２無機封止層を形成する工程と、を含むことを特徴とする請求項９乃至１１のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
13. 前記緩衝層を形成する前に、前記第１無機封止層が形成された前記基板に酸素を含む処理ガスを用いてプラズマ処理を施す工程を含むことを特徴とする請求項１２に記載の発光装置の製造方法。
14. 前記基板が複数面付されたマザー基板を用い、
    前記封止層を形成する工程は、前記マザー基板から前記基板を取り出すためのスクライブラインに対して間隔を置いて前記封止層を形成し、
    前記間隔を切りしろとして前記マザー基板を切断するダイシング工程を有することを特徴とする請求項９乃至１３のいずれか一項に記載の発光装置の製造方法。
15. 請求項１乃至８のいずれか一項に記載の発光装置を備えたことを特徴とする電子機器。

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