JP2002313564A

JP2002313564A - シャドウマスク、該シャドウマスクの製造方法、およびディスプレイ

Info

Publication number: JP2002313564A
Application number: JP2001118419A
Authority: JP
Inventors: Katsumi Suzuki; 克美鈴木
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 2001-04-17
Filing date: 2001-04-17
Publication date: 2002-10-25

Abstract

(57)【要約】【課題】開口率が高く、精度の高いシャドウマスクを
製造する。【解決手段】周囲にＳｉフレーム１１を残すようにし
て、（１１０）Ｓｉ単結晶基板２１の中心部に数十μｍ
の厚さのシャドウマスク形成領域１２を形成する。次
に、熱酸化法を用いて、（１１０）Ｓｉ単結晶基板２１
の表裏に熱酸化ＳｉＯ₂膜２２を形成する。次に、熱酸
化ＳｉＯ₂膜２２の表面側（図２（ｂ）の上面）に通常
のフォトリソグラフィ技術を用いて、レジストパターン
を形成し、このレジストパターンを保護膜にしてドライ
エッチングを行い、ＳｉＯ₂パターン２２ａを形成す
る。続いて、ＳｉＯ₂パターン２２ａを保護膜にしてＳ
ｉを蝕刻することで貫通孔２３が形成される。不要とな
った熱酸化ＳｉＯ₂膜２２を、弗酸を用いて蝕刻除去す
ることでシャドウマスク２４を得る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はシャドウマスク、該
シャドウマスクの製造方法、およびディスプレイに関
し、特に、有機化合物材料のＥＬ（エレクトロルミネッ
センス）を利用したカラー有機ＥＬディスプレイの製造
に用いるシャドウマスク、該シャドウマスクの製造方
法、および前記シャドウマスクを用いて作製したカラー
有機ＥＬディスプレイに関する。

【０００２】

【従来の技術】カラー有機ＥＬディスプレイの製造にお
いては、ディスプレイの発光面となる透明電極上に、い
わゆる光の３原色である赤、青、緑の有機ＥＬ材料を互
いに分離した微細領域に選択的に形成することが行われ
ている。

【０００３】従来、このカラー有機ＥＬディスプレイの
作製には、通常約０．１ｍｍ程度の厚さのＳＵＳなどの
金属板に有機ＥＬ材料を選択的に透過させるための開口
部を設けた、いわゆるシャドウマスクを透明電極に近接
して所定の位置に配置し、このシャドウマスクを通して
有機ＥＬ材料を透明電極上に真空蒸着する、いわゆるシ
ャドウマスク法が用いられている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、金属製
シャドウマスクを用いた従来の製造方法では、シャドウ
マスクの開口部の加工精度が要求される精度を十分満た
すことが困難になっている。すなわち、金属製シャドウ
マスクの開口部の加工には、量産性と経済性の観点か
ら、一般に打ち抜き加工法が用いられているが、この加
工では１００μｍ角程度が微細化の限界であり、また画
素の欠陥や解像性の阻害要因となる「ばり」を打ち抜き
加工時に生ずる欠点があった。

【０００５】さらに、金属製シャドウマスクは熱膨張率
が大きいため、有機ＥＬ材料を真空蒸着する際に熱膨張
して撓みや横方向の位置ずれを生じ、有機ＥＬ材料を所
定の領域に正確に成膜することが困難な場合があった。

【０００６】このような金属製シャドウマスクの欠点を
解消するために、特開平４−２３６７５８号公報では、
（１００）面単結晶シリコンウエハのマスク基板に側壁
が（１１１）面よりなる蒸着パターンが形成された蒸着
用マスクが開示されている。しかしながら、開口部の側
壁が（１１１）面であるため、基板表面に対して約５
４．７度の傾斜面となってしまい、よって、隣接する開
口部を隔てる隔壁の幅が不必要に大きくなってしまう。
この結果、開口ピッチの微細化が困難であり、また、開
口領域の面積に対する非開口部（梁）の面積比が大きく
なるため、いわゆる開口率が小さくなってしまい、形成
されたディスプレイは暗い画面となってしまう場合があ
った。

【０００７】そこで、本発明は、金属製シャドウマス
ク、および（１００）面単結晶シリコンウエハのマスク
基板からなるシャドウマスクの欠点を解消し、明るい画
面のディスプレイを製造可能な、シャドウマスク、前記
シャドウマスクの製造方法を提供し、本発明のシャドウ
マスクによって製造される明るい画面のディスプレイを
提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
ため、本発明のシャドウマスクは、蒸着材料を基板に蒸
着するに際して用いられる所定のパターンに配列された
複数の貫通孔が形成されているシャドウマスクにおい
て、開口の形状が矩形で、少なくとも１組の相対する側
壁を（１１１）面とする複数の前記貫通孔が形成され、
かつ薄膜化された所定の領域を含む（１１０）Ｓｉ単結
晶基板を有することを特徴とする。

【０００９】上記の通り構成された本発明のシャドウマ
スクは、貫通孔の少なくとも１組の相対する側壁が（１
１１）面であるため、貫通孔の側壁は、（１１０）Ｓｉ
単結晶基板の表裏面に対して垂直な壁面となる。これに
より、（１１１）面の側壁方向に隣接する貫通孔間に不
必要な幅を生じることはなく、貫通孔、すなわち、開口
の配列ピッチの微細化が容易となる。また、（１１０）
Ｓｉ単結晶基板は、金属に比べて熱膨張率が数分の１と
小さいため、金属製シャドウマスクに比べて、真空蒸着
する際に熱膨張して撓みや横方向の位置ずれを生じにく
い。さらに、（１１０）Ｓｉ単結晶基板への貫通孔の形
成は、通常のフォトリソグラフィ技術を用いることがで
きるため、金属製シャドウマスクでの開口の加工方法で
ある打ち抜き加工で生じる「ばり」の問題も生じること
もない。

【００１０】また、本発明のシャドウマスクは、各貫通
孔の側壁が、全て（１１１）面であるものであってもよ
い。この場合、配列された貫通孔のいずれの方向におい
ても、隣接する貫通孔間に不必要な幅を生じることがな
い。

【００１１】さらに、本発明のシャドウマスクは、各開
口の形状が平行四辺形であるものであってもよい。

【００１２】また、本発明のシャドウマスクは、（１１
０）Ｓｉ単結晶基板は、所定の領域の周囲の厚さが、所
定の領域の厚さよりも厚いものであってもよいし、（１
１０）Ｓｉ単結晶基板を、所定の領域の周囲に接合され
ることで保持するフレームを有するものであってもよ
い。すなわち、所定の領域の周囲を厚くしておく、ある
いは、所定の領域の周囲にフレームを接合することで、
薄膜化されている所定の領域を補強支持することができ
る。

【００１３】本発明のシャドウマスクの製造方法は、本
発明のシャドウマスクを製造するためのシャドウマスク
の製造方法であって、前記所定の領域を超音波加工法で
蝕刻して薄膜化することを特徴とする。

【００１４】上記の通り本発明のシャドウマスクの製造
方法は、超音波加工法を用いて（１１０）Ｓｉ単結晶基
板を蝕刻して所定の領域を薄膜化するため、薄膜化され
た所定の領域を周囲から補強支持する部位と所定の領域
とを一体的な構成とすることができる。よって、補強強
度が高められるともに、補強用のフレームを別途用意す
る必要もない。

【００１５】本発明のディスプレイは、電極と、発光材
料とからなる発光素子を基板上に有するディスプレイに
おいて、本発明のシャドウマスクを用いて前記発光材料
の蒸着がなされていることを特徴とする。

【００１６】上記の通り本発明のディスプレイは、発光
材料が、貫通孔の配列ピッチ、すなわち、開口の配列ピ
ッチが微細化された大きな開口率の本発明のシャドウマ
スクを用いて蒸着されているため、明るい画面のディス
プレイとなる。

【００１７】また、本発明のディスプレイは、発光材料
が有機ＥＬ材料であってもよい。

【００１８】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。（第１の実施形態）図１は本実施形態のシャドウマスク
を示す模式平面図である。

【００１９】本実施形態のシャドウマスクは、（１１
０）Ｓｉ単結晶基板の中央領域をシャドウマスク形成領
域１２とし、外周部にはシャドウマスク形成領域１２を
補強支持するＳｉフレーム１１を有する。シャドウマス
ク形成領域１２は、周囲のＳｉフレーム１１に比べて薄
く加工されており、複数の開口部２７（図２（ｆ）参
照）が形成されている。

【００２０】図２は本実施形態のシャドウマスクの製造
工程を順に説明する図であり、図１の平面図において線
Ａ−Ｂで示した部分の切断面を模式的に示したものであ
る。

【００２１】以下に図２を用いて本実施形態のシャドウ
マスクの製造工程を説明する。

【００２２】まず、図２（ａ）に示す（１１０）Ｓｉ単
結晶基板２１の中心部を、超音波加工法を用いて裏面か
ら蝕刻して、図２（ｂ）に示すように、中心部を数十μ
ｍの厚さに加工する。この薄膜化プロセスは、例えばＣ
ＶＤ法でＳｉＣ膜を形成し、通常のフォトリソグラフィ
技術とドライエッチングを用いて所望の開口領域を設
け、このＳｉＣ膜の開口領域の（１１０）Ｓｉ単結晶基
板２１を硝酸／弗酸／氷酢酸混合液または加熱したＫＯ
Ｈ水溶液を用いた化学エッチングで蝕刻してもよい。こ
のように、シャドウマスク形成領域１２の周囲にＳｉフ
レーム１１を有することで、その取扱いを容易にすると
同時に、使用時におけるシャドウマスク形成領域１２の
撓みを低減することができる。また、超音波加工法を用
いて（１１０）Ｓｉ単結晶基板２１を蝕刻してシャドウ
マスク形成領域１２を形成することで、Ｓｉフレーム１
１とシャドウマスク形成領域１２とが一体的な構成とな
るため、補強強度が高められるともに、補強用のフレー
ムを別途用意する必要もない。

【００２３】次に、熱酸化法を用いて、図２（ｃ）に示
すように、（１１０）Ｓｉ単結晶基板２１の表裏におよ
そ数百ｎｍ厚の熱酸化ＳｉＯ₂膜２２を形成する。

【００２４】次に、熱酸化ＳｉＯ₂膜２２の表面側（図
２（ｂ）の上面）に通常のフォトリソグラフィ技術を用
いて図３に示すような平行四辺形ＡＢＣＤを、隣接する
辺が互いに平行になるように縦横に規則正しく配列した
レジストパターンを形成し、このレジストパターンを保
護膜にして、緩衝系弗酸を用いた湿式化学エッチングも
しくはフッ素系ガスを用いたドライエッチングにより、
図２（ｄ）に示すような、熱酸化ＳｉＯ₂膜をパターニ
ングする。この際、レジスト３０に形成された開口パタ
ーン３１の辺ＡＢおよび辺ＡＤの長さは、製造する有機
ＥＬディスプレイの解像度に応じて適宜決定すればよ
い。但し、平行四辺形ＡＢＣＤの開口パターン３１の長
辺ＡＢおよびＤＣは、＜１１１＞結晶方位に平行になる
ように形成する。

【００２５】続いて、ＳｉＯ₂パターン２２ａを保護膜
にして、例えば約１００℃に加熱した３０％濃度のＫＯ
Ｈ水溶液中でＳｉＯ₂パターン２２ａの開口パターン３
１領域のＳｉを蝕刻すると、図２（ｅ）に示すような、
（１１１）面を側壁とした、ＳｉＯ₂パターン２２ａの
開口パターン３１領域に忠実な平面形状を有する貫通孔
２３が形成される。貫通孔２３の側壁は、（１１１）面
であるため、（１１０）Ｓｉ単結晶基板２１の表裏面に
対して垂直な壁面で構成される。不要となった熱酸化Ｓ
ｉＯ₂膜２２を、弗酸を用いて蝕刻除去すれば、図２
（ｆ）に示すような断面形状を有するシャドウマスク２
４が得られる。

【００２６】上述したように、本実施形態のシャドウマ
スク２４は、貫通孔２３の側壁が（１１１）面であり、
（１１０）Ｓｉ単結晶基板２１の表裏面に対して垂直で
あるため、隣接する貫通孔２３間のＳｉ梁２６に不必要
な幅を生じることはなく、貫通孔２３、すなわち、開口
部２７の配列ピッチの微細化が容易となる。このため、
Ｓｉ梁２６の面積に対する開口部２７の開口面積の比が
大きくなり、いわゆる開口率を大きくすることができ
る。よって、図３に示すような平行四辺形ＡＢＣＤを、
隣接する辺が互いに平行になるように縦横に配列したレ
ジストパターンを形成する際、開口パターン３１を密に
形成することができる。すなわち、本実施形態の開口率
の大きいシャドウマスク２４で形成されたレジストパタ
ーンにより製造されたディスプレイは、明るい画面のデ
ィスプレイとなる。

【００２７】また、本実施形態のシャドウマスク２４
は、金属製シャドウマスクに開口を形成するための打ち
抜き加工法の加工限度よりも微細な加工が可能であると
ともに、打ち抜き加工で生じる「ばり」の問題も生じな
い。

【００２８】さらに、本実施形態のシャドウマスク２４
は、金属の熱膨張率に比べて数分の１の熱膨張率である
（１１０）Ｓｉ単結晶基板２１を素材としているため、
金属製シャドウマスクに比べて、真空蒸着する際に熱膨
張して撓みや横方向の位置ずれを生じにくい。

【００２９】図４は完成したシャドウマスクの部分拡大
平面図である。幅が数μｍないし１０μｍのＳｉ梁２６
で仕切られた開口部２７は、４つの側壁が全て｛１１
１｝面で構成された平行四辺形を構成し、互いに隣接す
る側壁がなす角度は約１０９．５°もしくは７０．５°
である。

【００３０】なお、図４に示されるような開口部２７を
有するシャドウマスク２４は、カラーフィルタ方式有機
ＥＬディスプレイの白色光発光材料を真空蒸着する際に
用い、同ディスプレイのカラーフィルタの真空蒸着や、
赤、緑、青の各有機ＥＬ材料を塗り分けるいわゆるＲＧ
Ｂ塗り分け方式ディスプレイの有機ＥＬ材料形成の場合
には、図５に示すように開口部２７を３行おきに設けた
（図５において破線で示す２行には開口部２７が設けら
れていない）シャドウマスク２４ａを用い、シャドウマ
スク２４ａを一行ずつ移動させて各色の有機ＥＬ材料を
真空蒸着し、３色を塗り分ける。あるいは、図６に示す
ように開口部２７を３列おきに設けた（図６において破
線で示す２列には開口部２７が設けられていない）シャ
ドウマスク２４ｂを用い、シャドウマスク２４ｂを１列
ずつ移動させて各色の有機ＥＬ材料を真空蒸着し、３色
を塗り分ける。

【００３１】次に、本実施形態のシャドウマスクを用い
た有機ＥＬディスプレイの作製方法を、図７の模式断面
図を参照しながら説明する。

【００３２】ガラス基板４０の裏面に陽極となる透明陽
極電極４１を、加工すべき画素の寸法に対応する幅と間
隔で配列（この場合は紙面の奥行き方向）するように形
成する。この透明陽極電極４１は、例えばＩＴＯ（Ｉｎ
ｄｉｕｍ-Ｔｉｎ-Ｏｘｉｄｅ）をスパッタリング、また
はスピン塗布法で成膜した後、フォトリソグラフィ技術
と湿式エッチング技術を用いて所定の形状に形成する
か、またはシャドウマスクを用いて真空蒸着法によって
形成する。

【００３３】次に、本実施形態のシャドウマスク２４を
透明陽極電極４１に平行に近接させ、位置合わせして配
置し、赤、緑、青のいずれかの有機ＥＬ材料を透明陽極
電極４１上に真空蒸着させ、有機ＥＬ膜４２を形成す
る。続いてシャドウマスク２４を１画素分ずつ水平方向
に平行移動させて残る２原色の有機ＥＬ膜４２を順次真
空蒸着させる。しかる後、シャドウマスク２４を有機Ｅ
Ｌ膜４２の３原色の配列に順次位置合わせしつつ、陰極
材料（例えばＡｌ）を真空蒸着して透明陽極電極と直交
する陰極電極４３を形成する。

【００３４】図８は上記の方法で形成した有機ＥＬディ
スプレイの部分拡大平面図である。

【００３５】透明陽極電極４１の上に重ねるように平行
四辺形状の有機ＥＬ膜４２が堆積され、その有機ＥＬ膜
４２の画素上には透明陽極電極４１と直交するように陰
極電極４３が配列されることで発光素子を形成してい
る。

【００３６】以上説明したように、金属に比べて熱膨張
率が小さいＳｉ単結晶基板からなる本実施形態のシャド
ウマスク２４を用いることで、フォトリソグラフィ技術
と結晶方位依存性化学エッチング技術を用いて微細な開
口領域を高精度に加工することが可能となる。

【００３７】特に、（１１０）Ｓｉ単結晶基板表面に＜
１１１＞方位に平行な四辺を有する平行四辺形の開口領
域を加工することにより、０．１ｍｍ角以下の開口領域
と７０％以上の開口率を両立させたシャドウマスク２４
を用いて、従来実現が困難であった高精細で高輝度の有
機ＥＬディスプレイの製造を実現することができる。

【００３８】０．１ｍｍ角以下の開口領域を通して有機
ＥＬ材料を透明陽極電極４１上に均一に堆積させるため
に、シャドウマスク形成領域１２は、上述したように予
め超音波加工、もしくは湿式化学エッチングなどの方法
により、およそ３０μｍないし５０μｍ程度に薄膜化し
ておく。図９に示すように、有機ＥＬ材料の蒸着時にシ
ャドウマスク２４のスリットを構成するＳｉ梁２６の影
になる領域の最大幅δは、シャドウマスク２４と蒸着源
４５の距離Ｄ、シャドウマスク２４の中心から最外周部
までの距離ｄ、シャドウマスク（スリット）２４の厚さ
ｔを用いて次式で表される。 δ=ｔ・ｄ／Ｄ …（１）例えば、１００ｍｍ角の有機ＥＬディスプレイを、シャ
ドウマスクスリットピッチ：６０μｍ、開口領域：５０
μｍ角、Ｓｉ梁幅：１０μｍで作製する場合、開口領域
全面を有効利用した場合の開口率は最大５０²÷５５²×
１００＝８２．６（％）となるが、有機ＥＬ材料がスリ
ットの影になって真空蒸着されない領域の最大値ｄを考
慮すると、開口率が最も小さくなる最外周部の開口率
は、最大（５０−δ）²÷５５²×１００となる。したが
って、最外周部で７０％以上の開口率を確保するために
は、δ≦４．０μｍとする必要がある。δを上記のよう
に十分小さくすることは、シャドウマスク２４と透明電
極のギャップに起因する蒸着位置の幾何学的な位置ずれ
とシャドウマスク２４のスリットの側壁に付着する被蒸
着物の量を最小限とするためにも重要である。（１）式
においてｄ=５０ｍｍ、δ≦４．０μｍとすると、ｔ
（μｍ）×５０（ｍｍ）／Ｄ（ｍｍ）≦４．０（μｍ）
であるから、ｔ（μｍ）≦０．０８Ｄ（ｍｍ）となる。

【００３９】有機ＥＬ膜４２の膜厚分布とシャドウマス
ク２４と透明陽極電極４１とのギャップに起因する幾何
学的位置ずれを最小限にするためには、シャドウマスク
２４と蒸着源４５の距離Ｄは十分大きいことが望ましい
が、その反面、有機ＥＬ膜４２の堆積速度と利用効率は
蒸着源４５とシャドウマスク２４の距離Ｄの２乗に反比
例するため、この観点からは、蒸着源４５とシャドウマ
スク２４の間隔Ｄは小さいことが望ましい。この結果、
シャドウマスク２４の対角をＬとすると、距離Ｄの目安
としては、概ねＤ＝４Ｌ〜５Ｌとなる。この条件から、
Ｄ=５００ｍｍとすると、ｔ≦４０μｍとなる。一方、
実用的な機械的強度を持たせるためには、スリット厚ｔ
をおよそ３０μｍ以上に厚くすることが望ましい。すな
わち、シャドウマスク２４のスリット厚ｔを３０μｍな
いし４０μｍ、蒸着源４５とシャドウマスクの間隔であ
る距離Ｄを約５００ｍｍとすれば、有機ＥＬ膜４２の利
用効率、開口率（７０％以上）、シャドウマスク２４の
機械的強度を同時に満足する１００ｍｍ角の有機ＥＬデ
ィスプレイを作製できる。（第２の実施形態）本実施形態のシャドウマスク１２４
の部分拡大模式平面図を図１０に示す。

【００４０】第１の実施形態で示したシャドウマスク２
４の開口部２７が、個々の画素に対応して区切られてい
たのに対し、本実施形態のシャドウマスク１２４の開口
部１３１は個々の画素に対応して区切らずに、長手方向
（ディスプレイの垂直方向）に複数の画素にまたがるよ
うに形成されている。

【００４１】なお、本実施形態のシャドウマスク１２４
の製造方法、構成、および本実施形態のシャドウマスク
１２４を用いての有機ＥＬディスプレイの製造方法は、
第１の実施形態と同様であるため詳細の説明は省略す
る。

【００４２】本実施形態のシャドウマスク１２４を用い
ることで、有機ＥＬ材料を蒸着する際に、Ｓｉ梁１２６
の影になる部分が減少し、実質的な開口率が向上する。
なお、本実施形態のシャドウマスク１２４は、開口部１
３１が長く、かつ、Ｓｉ梁１２６が少ない構造であるた
め、開口部１３１の長さは作製するディスプレイの用途
や寸法に応じて適宜決定することで機械的強度を確保す
ることは可能である。

【００４３】本実施形態のシャドウマスク１２４も、第
１の実施形態と同様に、単結晶Ｓｉの結晶方位依存性エ
ッチングを用いて高精度の加工が可能なため、開口領域
を隔離するＳｉ梁１２６の幅を１０μｍ以下に狭めるこ
とが可能であり、その結果、１００μｍ角以下の画素を
７０％以上の開口率で形成することができる。

【００４４】なお、上述した各実施形態では、有機ＥＬ
ディスプレイを例として説明したがこれに限定されるも
のではなく、各実施形態のシャドウマスクは、有機ＥＬ
ディスプレイ以外のディスプレイの製造にも適用可能で
ある。また、上述の説明で用いた数値は一例であり、こ
れらの数値に各実施形態は限定されるものではない。

【００４５】また、上述した各実施形態では、機械的強
度を確保するためのＳｉフレームは、シャドウマスク形
成領域のみを薄膜化することで、Ｓｉフレームがシャド
ウマスク形成領域の周囲に残るようにして形成されてい
る例を説明したが、これに限定されるものではなく、シ
ャドウマスク形成領域とするために予め薄膜化しておい
た（１１０）Ｓｉ単結晶基板の周囲に、例えば、ガラス
等でフレームを形成するものであってもよい。

【００４６】

【発明の効果】本発明のシャドウマスクは、結晶方位依
存性エッチング等を用いて開口を形成できるため、従来
の金属製シャドウマスクに比べて非常に高精度の加工が
可能となるだけでなく、形成された貫通孔の側壁が（１
１１）面であるため、貫通孔の側壁は、（１１０）Ｓｉ
単結晶基板の表裏面に対して垂直な壁面となり、隣接す
る貫通孔間に不必要な幅を生じることがない。このた
め、開口の配列ピッチの微細化が図られた、開口率の高
いシャドウマスクとすることができる。また、本発明の
シャドウマスクは、熱膨張率が金属の数分の１と小さい
Ｓｉで形成されているため、真空蒸着する際の熱膨張が
小さく、真空蒸着する際に熱膨張して撓みや横方向の位
置ずれを生じにくい。よって、蒸着材料の蒸着位置の精
度を高めることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態のシャドウマスクを示
す模式平面図である。

【図２】図１に示したシャドウマスクの平面図において
線Ａ−Ｂで示した部分の切断面によりシャドウマスクを
製造工程順に説明する図である。

【図３】本発明の第１の実施形態のシャドウマスクの製
造に用いられるレジストパターンの一例を示す平面図で
ある。

【図４】本発明の第１の実施形態のシャドウマスクの部
分拡大平面図である。

【図５】ＲＧＢ塗り分け方式ディスプレイの有機ＥＬ材
料形成の場合に用いる、開口部が３行おきに設けられた
シャドウマスクの部分拡大平面図である。

【図６】ＲＧＢ塗り分け方式ディスプレイの有機ＥＬ材
料形成の場合に用いる、開口部が３列おきに設けられた
シャドウマスクの部分拡大平面図である。

【図７】本発明の第１の実施形態のシャドウマスクを用
いて作製された有機ＥＬディスプレイの模式断面図であ
る。

【図８】本発明の第１の実施形態のシャドウマスクを用
いて作製された有機ＥＬディスプレイの部分拡大平面図
である。

【図９】シャドウマスクを用いて有機ＥＬ材料を有機Ｅ
Ｌディスプレイ用ガラス基板に真空蒸着する際に、Ｓｉ
梁によって生ずる非蒸着領域の最大幅δを説明する模式
図である。

【図１０】本発明の第２の実施形態のシャドウマスクの
部分拡大平面図である。

【符号の説明】

１１フレーム１２シャドウマスク形成領域２１（１００）Ｓｉ単結晶基板２２ａＳｉＯ₂パターン２２熱酸化ＳｉＯ₂膜２３貫通孔２４、２４ａ、２４ｂシャドウマスク２６、１２６Ｓｉ梁２７開口部３０レジスト３１、１３１開口パターン４０ガラス基板４１透明陽極電極４２有機ＥＬ膜４３陰極電極４５蒸着源１２４シャドウマスク１２６梁Ｄ距離ｄ距離ｔスリット厚 δ 最大幅

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】蒸着材料を基板に蒸着するに際して用い
られる所定のパターンに配列された複数の貫通孔が形成
されているシャドウマスクにおいて、開口の形状が矩形で、少なくとも１組の相対する側壁を
（１１１）面とする複数の前記貫通孔が形成され、かつ
薄膜化された所定の領域を含む（１１０）Ｓｉ単結晶基
板を有することを特徴とするシャドウマスク。
【請求項２】前記各貫通孔の側壁が、全て（１１１）
面である請求項１に記載のシャドウマスク。
【請求項３】前記各開口の形状が平行四辺形である請
求項１または２に記載のシャドウマスク。
【請求項４】前記（１１０）Ｓｉ単結晶基板は、前記
所定の領域の周囲の厚さが、前記所定の領域の厚さより
も厚い請求項１ないし３のいずれか１項に記載のシャド
ウマスク。
【請求項５】前記（１１０）Ｓｉ単結晶基板を、前記
所定の領域の周囲に接合されることで保持するフレーム
を有する請求項１ないし３のいずれか１項に記載のシャ
ドウマスク。
【請求項６】請求項４に記載のシャドウマスクを製造
するためのシャドウマスクの製造方法であって、前記所定の領域を超音波加工法で蝕刻して薄膜化するこ
とを特徴とするシャドウマスクの製造方法。
【請求項７】電極と、発光材料とからなる発光素子を
基板上に有するディスプレイにおいて、請求項１ないし５のいずれかに記載のシャドウマスクを
用いて前記発光材料の蒸着がなされていることを特徴と
するディスプレイ。
【請求項８】前記発光材料が有機ＥＬ材料である請求
項７に記載のディスプレイ。