JPH0885868A - 磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体及びその製造方法Info
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- JPH0885868A JPH0885868A JP7062315A JP6231595A JPH0885868A JP H0885868 A JPH0885868 A JP H0885868A JP 7062315 A JP7062315 A JP 7062315A JP 6231595 A JP6231595 A JP 6231595A JP H0885868 A JPH0885868 A JP H0885868A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】簡便な方法によりディスク基板の面内温度分布
を均一に制御できる基板の加熱方法を実現することによ
り、面内膜質特性の均一な磁気記録媒体を得る。さら
に、基板の反り又は割れが生じることを防止し、高温に
基板を加熱するすることにより、高保磁力を有する磁気
記録媒体及びその製造方法を提供する。 【構成】ヒータ8によりディスク基板10を加熱しなが
ら基板上に磁性膜等を形成する場合、ヒータ8の前に、
構造を工夫したマスク9を配置して基板に到達する熱量
を制御するようにした。即ちマスク9は、ディスクの中
心部に対応して、ヒータが発する熱放射線を遮蔽する部
分と、この遮蔽部分の周囲に熱放射線を透過する部分を
有するように構成される。ヒータ8の前に配置されたマ
スク9により、基板の加熱は制御される。これによりデ
ィスク基板の中央部は異常に加熱されず、基板の反り又
は割れの発生が防止できる。また、この結果、磁性膜の
保磁力が2000エルステッド以上で、かつ面内保磁力
分布が±5%以内の、高密度記録に好適な磁気ディスク
媒体が得られる。
を均一に制御できる基板の加熱方法を実現することによ
り、面内膜質特性の均一な磁気記録媒体を得る。さら
に、基板の反り又は割れが生じることを防止し、高温に
基板を加熱するすることにより、高保磁力を有する磁気
記録媒体及びその製造方法を提供する。 【構成】ヒータ8によりディスク基板10を加熱しなが
ら基板上に磁性膜等を形成する場合、ヒータ8の前に、
構造を工夫したマスク9を配置して基板に到達する熱量
を制御するようにした。即ちマスク9は、ディスクの中
心部に対応して、ヒータが発する熱放射線を遮蔽する部
分と、この遮蔽部分の周囲に熱放射線を透過する部分を
有するように構成される。ヒータ8の前に配置されたマ
スク9により、基板の加熱は制御される。これによりデ
ィスク基板の中央部は異常に加熱されず、基板の反り又
は割れの発生が防止できる。また、この結果、磁性膜の
保磁力が2000エルステッド以上で、かつ面内保磁力
分布が±5%以内の、高密度記録に好適な磁気ディスク
媒体が得られる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録媒体及びその
製法に係り、特にスパッタリングにより磁気ディスク媒
体を製造する場合の、ディスク基板の加熱処理する方法
に関するものである。さらに、本発明は、高密度記録が
可能で高品質な磁気ディスク媒体、及びそれを用いた磁
気ディスク装置に関する。
製法に係り、特にスパッタリングにより磁気ディスク媒
体を製造する場合の、ディスク基板の加熱処理する方法
に関するものである。さらに、本発明は、高密度記録が
可能で高品質な磁気ディスク媒体、及びそれを用いた磁
気ディスク装置に関する。
【0002】
【従来の技術】磁気ディスク媒体を製造するに場合、真
空中でディスク状基板を加熱し、スパッタ法もしくは蒸
着法によりこの基板上に磁性膜及び保護膜等の薄膜を形
成している。この場合、基板の温度が薄膜の性質を大き
く左右する。均一な膜質を得ようとすると、基板の面内
温度を均一化し、そして基板を均一に加熱することが重
要となる。また、基板の不均一な加熱は昇温速度が速い
場合、基板の反りまたは割れが発生し、真空装置内での
基板の落下及び不良の原因となる。
空中でディスク状基板を加熱し、スパッタ法もしくは蒸
着法によりこの基板上に磁性膜及び保護膜等の薄膜を形
成している。この場合、基板の温度が薄膜の性質を大き
く左右する。均一な膜質を得ようとすると、基板の面内
温度を均一化し、そして基板を均一に加熱することが重
要となる。また、基板の不均一な加熱は昇温速度が速い
場合、基板の反りまたは割れが発生し、真空装置内での
基板の落下及び不良の原因となる。
【0003】このような問題に対して、特開平2−43
360号及び特開平3−6367号の様にヒ−タ部を分
割し、基板の温度分布を調節する方法が知られている。
また、特開平2−179879号及び特開平5−144
557号に記載のように、ヒ−タと基板との間に基板加
熱用の熱板を配置することにより基板温度の均一化を図
っている。さらに、特開平5−33128号では可動式
加熱体を用い、トレ−及びガラス基板との間隔を近づけ
て加熱することにより、ガラス基板の温度を均一化して
いる。
360号及び特開平3−6367号の様にヒ−タ部を分
割し、基板の温度分布を調節する方法が知られている。
また、特開平2−179879号及び特開平5−144
557号に記載のように、ヒ−タと基板との間に基板加
熱用の熱板を配置することにより基板温度の均一化を図
っている。さらに、特開平5−33128号では可動式
加熱体を用い、トレ−及びガラス基板との間隔を近づけ
て加熱することにより、ガラス基板の温度を均一化して
いる。
【0004】上記固定式ヒ−タを用いて基板を加熱する
方法では、基板とヒ−タの間隔が遠いほど熱量分布が悪
くなるため、基板は不均一に加熱され、基板に温度分布
が生じる。このため、基板面内の膜質特性に分布が生じ
る。また、基板の不均一加熱は加熱時の昇温速度が速い
場合、基板の反りの原因となる。さらに、ガラス基板等
の熱伝導率の悪い基板においては割れの原因となる。
方法では、基板とヒ−タの間隔が遠いほど熱量分布が悪
くなるため、基板は不均一に加熱され、基板に温度分布
が生じる。このため、基板面内の膜質特性に分布が生じ
る。また、基板の不均一加熱は加熱時の昇温速度が速い
場合、基板の反りの原因となる。さらに、ガラス基板等
の熱伝導率の悪い基板においては割れの原因となる。
【0005】また、ヒ−タ部を分割して制御する方法
(特開平2−43360等)は、外部制御装置が複数にな
り、加熱プロセスが複雑化する。また、可動式ヒ−タを
用いて基板とヒ−タの間隔を狭める方法(特開平5−3
3128号)は、同一電力での基板温度の高温化が図れ
るなどの利点を有しているが、可動装置の導入によりヒ
−タチャンバ−が大型化、かつ、複雑化するという欠点
がある。
(特開平2−43360等)は、外部制御装置が複数にな
り、加熱プロセスが複雑化する。また、可動式ヒ−タを
用いて基板とヒ−タの間隔を狭める方法(特開平5−3
3128号)は、同一電力での基板温度の高温化が図れ
るなどの利点を有しているが、可動装置の導入によりヒ
−タチャンバ−が大型化、かつ、複雑化するという欠点
がある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、基板
の反り又は割れが生じることを防止し、高温に基板を加
熱することができる基板の加熱方法を実現することにあ
る。
の反り又は割れが生じることを防止し、高温に基板を加
熱することができる基板の加熱方法を実現することにあ
る。
【0007】本発明の他の目的は、簡便な方法によりデ
ィスク基板の面内温度分布を均一に加熱することによ
り、面内の膜質特性の優れた磁気記録媒体を提供するこ
とにある。
ィスク基板の面内温度分布を均一に加熱することによ
り、面内の膜質特性の優れた磁気記録媒体を提供するこ
とにある。
【0008】更に本発明の他の目的は、高保磁力で面内
保磁力分布が均一な磁気ディスク媒体を提供することに
ある。
保磁力分布が均一な磁気ディスク媒体を提供することに
ある。
【0009】更に本発明の他の目的は、この種の磁気デ
ィスク媒体を用いて高密度記録が可能な磁気ディスク装
置を提供することにある。
ィスク媒体を用いて高密度記録が可能な磁気ディスク装
置を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は、ヒータにより
ディスク基板を加熱しながらこの基板上に薄膜を形成す
る場合、ヒータの前に、構造を工夫したマスクを配置し
て基板に達する熱量を制御するようにしたものである。
ディスク基板は中央部がより高温に加熱される傾向があ
る。そこで好ましくは、マスクの中央部にはディスクの
中心部に対応して、ヒータが発する熱放射線を遮蔽する
部分を有し、この遮蔽部分の周囲に熱放射線を透過する
部分を有するように構成される。この様に、マスクの構
造を工夫して、ヒ−タからの熱量を制御することによ
り、ディスク基板の面内温度分布を均一にでき、基板の
反りや割れが生じることが防げる。本発明の一例によれ
ば、ディスク基板の面内温度分布が±3%以下になるよ
うに加熱することが好ましい。直径3.5インチのディ
スク基板を加熱する場合、ディスク基板の中心部に対す
る周辺部の反りが10μm以下の範囲となるように加熱
するのが良い。
ディスク基板を加熱しながらこの基板上に薄膜を形成す
る場合、ヒータの前に、構造を工夫したマスクを配置し
て基板に達する熱量を制御するようにしたものである。
ディスク基板は中央部がより高温に加熱される傾向があ
る。そこで好ましくは、マスクの中央部にはディスクの
中心部に対応して、ヒータが発する熱放射線を遮蔽する
部分を有し、この遮蔽部分の周囲に熱放射線を透過する
部分を有するように構成される。この様に、マスクの構
造を工夫して、ヒ−タからの熱量を制御することによ
り、ディスク基板の面内温度分布を均一にでき、基板の
反りや割れが生じることが防げる。本発明の一例によれ
ば、ディスク基板の面内温度分布が±3%以下になるよ
うに加熱することが好ましい。直径3.5インチのディ
スク基板を加熱する場合、ディスク基板の中心部に対す
る周辺部の反りが10μm以下の範囲となるように加熱
するのが良い。
【0011】ディスク基板は高温に加熱されるので、マ
スクも過剰に加熱される。このマスクの温度が異常に上
昇することを防止するため、マスクに連結させて冷却装
置を設けるのが好ましい。この冷却装置内には例えば冷
却媒体が循環される。また、ヒ−タ側のマスク面に鏡面
加工を施し、ヒ−タ波長に対し高い反射率を有する様に
してもよい。この様にすれば、熱放射線吸収率を低下さ
せることができるため、マスクの異常な温度上昇を防止
できる。
スクも過剰に加熱される。このマスクの温度が異常に上
昇することを防止するため、マスクに連結させて冷却装
置を設けるのが好ましい。この冷却装置内には例えば冷
却媒体が循環される。また、ヒ−タ側のマスク面に鏡面
加工を施し、ヒ−タ波長に対し高い反射率を有する様に
してもよい。この様にすれば、熱放射線吸収率を低下さ
せることができるため、マスクの異常な温度上昇を防止
できる。
【0012】本発明による加熱方法を用いてディスク基
板を高温で加熱しながら、基板上に磁性膜や保護膜等を
均一に形成できる。これにより高保磁力化が達成でき、
面内の膜質特性の優れた磁気ディスク媒体を得ることが
できる。本発明によれば、磁性膜の保磁力が2000エ
ルステッド以上であり、かつ面内保磁力分布が±5%以
内となる磁気ディスク媒体を得ることができる。磁気デ
ィスク媒体の反りに着目すると、ディスクの中心部に対
する半径方向の反りは3μm/インチ以下である。例え
ば、直径3.5インチの磁気ディスク媒体の場合、ディ
スクの中心部に対する周辺部の反りが10μm以下とな
る。
板を高温で加熱しながら、基板上に磁性膜や保護膜等を
均一に形成できる。これにより高保磁力化が達成でき、
面内の膜質特性の優れた磁気ディスク媒体を得ることが
できる。本発明によれば、磁性膜の保磁力が2000エ
ルステッド以上であり、かつ面内保磁力分布が±5%以
内となる磁気ディスク媒体を得ることができる。磁気デ
ィスク媒体の反りに着目すると、ディスクの中心部に対
する半径方向の反りは3μm/インチ以下である。例え
ば、直径3.5インチの磁気ディスク媒体の場合、ディ
スクの中心部に対する周辺部の反りが10μm以下とな
る。
【0013】この磁気ディスク媒体を用いた好適な磁気
ディスク装置としては、磁性膜の保磁力が2000エル
ステッド以上であり、且つその面内保磁力分布が±5%
以内の磁気ディスク媒体を回転可能に支持し、この磁気
ディスク上に、磁気ヘッドを40nm以下の間隔を保っ
て移動させながら磁気ディスク媒体に情報を記録再生す
る様に構成する。例えば、直径3.5インチの磁気ディ
スク装置の場合、ディスクの中心部に対する周辺部の反
りが10μm以下のディスク媒体を用いることができ
る。
ディスク装置としては、磁性膜の保磁力が2000エル
ステッド以上であり、且つその面内保磁力分布が±5%
以内の磁気ディスク媒体を回転可能に支持し、この磁気
ディスク上に、磁気ヘッドを40nm以下の間隔を保っ
て移動させながら磁気ディスク媒体に情報を記録再生す
る様に構成する。例えば、直径3.5インチの磁気ディ
スク装置の場合、ディスクの中心部に対する周辺部の反
りが10μm以下のディスク媒体を用いることができ
る。
【0014】
【作用】本発明によれば、ヒ−タと基板との間に上記の
ような構成のマスクを配置することにより、ヒ−タから
ある距離にある基板平面上の単位面積あたりの熱量を一
定にできる。つまり、基板上の熱量分布を一定にするこ
とができる。これにより、基板表面の温度分布が均一に
なるように加熱することができるため、基板の割れを生
じるが防止でき、反りも一定範囲内に抑えることができ
る。
ような構成のマスクを配置することにより、ヒ−タから
ある距離にある基板平面上の単位面積あたりの熱量を一
定にできる。つまり、基板上の熱量分布を一定にするこ
とができる。これにより、基板表面の温度分布が均一に
なるように加熱することができるため、基板の割れを生
じるが防止でき、反りも一定範囲内に抑えることができ
る。
【0015】しかも、基板の割れや反りが生じることが
なく、高温で加熱することができるので、高保磁力で、
面内保磁力分布が均一な磁気記録媒体を得ることができ
る。
なく、高温で加熱することができるので、高保磁力で、
面内保磁力分布が均一な磁気記録媒体を得ることができ
る。
【0016】
【実施例】磁気ディスク装置の分野においてはディスク
の径を問わず、高記録密度化の動きが年々著しい。記録
密度の向上に関し、一般的に重要な要素は保磁力の向
上、媒体ノイズの低減及びヘッドの低浮上化である。磁
気特性の一部である保磁力とディスク基板の加熱温度と
の間には相関があり、基板の加熱温度を高温すると高保
磁力化する傾向がある。しかしながら、基板の高温化に
ついては従来技術のような基板の反り等の問題が生じる
ため、単純に基板を加熱することにより高保磁力化を達
成することは難しい。また、基板の反りが大きくなる
と、出力波形に反りのうねり成分が生じたり、磁気ヘッ
ドとのクラッシュが発生するため、磁気ヘッドの低浮上
化が難しくなる。さらに、磁気ディスク装置において、
安定的に高密度で記録を行うためには磁気ディスク媒体
の面内特性を均一にすることが重要である。
の径を問わず、高記録密度化の動きが年々著しい。記録
密度の向上に関し、一般的に重要な要素は保磁力の向
上、媒体ノイズの低減及びヘッドの低浮上化である。磁
気特性の一部である保磁力とディスク基板の加熱温度と
の間には相関があり、基板の加熱温度を高温すると高保
磁力化する傾向がある。しかしながら、基板の高温化に
ついては従来技術のような基板の反り等の問題が生じる
ため、単純に基板を加熱することにより高保磁力化を達
成することは難しい。また、基板の反りが大きくなる
と、出力波形に反りのうねり成分が生じたり、磁気ヘッ
ドとのクラッシュが発生するため、磁気ヘッドの低浮上
化が難しくなる。さらに、磁気ディスク装置において、
安定的に高密度で記録を行うためには磁気ディスク媒体
の面内特性を均一にすることが重要である。
【0017】従来技術による基板の加熱方法によれば、
1500〜1600エルステッド程度の保磁力を持つ磁
気ディスク媒体しか達成できず、これでは今後の高記録
密度化の要請には応えられない。本発明による加熱方法
によれば、面内保磁力分布を±5%以内、或いは基板の
反りを一定以内、即ちディスク基板の面内特性を均一に
できる。更に、保磁力が2000エルステッド以上の磁
気ディスク媒体、即ち600Mb/inch2以上の磁
気記録媒体が得られ、高密度記録の要請に応えられる。
1500〜1600エルステッド程度の保磁力を持つ磁
気ディスク媒体しか達成できず、これでは今後の高記録
密度化の要請には応えられない。本発明による加熱方法
によれば、面内保磁力分布を±5%以内、或いは基板の
反りを一定以内、即ちディスク基板の面内特性を均一に
できる。更に、保磁力が2000エルステッド以上の磁
気ディスク媒体、即ち600Mb/inch2以上の磁
気記録媒体が得られ、高密度記録の要請に応えられる。
【0018】以下、本発明の実施例について図面を用い
て説明する。
て説明する。
【0019】図1は本発明で用いた枚葉式スパッタ成膜
装置の概略図である。この成膜装置は、ロ−ドロック室
1、加熱室2、基板温度モニタ−室3、下地膜形成室
4、磁性膜形成室5、保護膜形成室6、アンロ−ドロッ
ク室7により構成されている。ディスク基板10はこれ
らの処理室を左から右に移動しながらいろいろな薄膜が
積層して形成され、最終的に磁気ディスク媒体が製造さ
れる。
装置の概略図である。この成膜装置は、ロ−ドロック室
1、加熱室2、基板温度モニタ−室3、下地膜形成室
4、磁性膜形成室5、保護膜形成室6、アンロ−ドロッ
ク室7により構成されている。ディスク基板10はこれ
らの処理室を左から右に移動しながらいろいろな薄膜が
積層して形成され、最終的に磁気ディスク媒体が製造さ
れる。
【0020】ディスク基板10は基板支持部11に搭載
され、ロ−ドロック室1に送られる。このロードロック
室1で真空排気された後、基板10は加熱室2に搬送さ
れる。加熱室2には、基板10の両面を加熱するために
一対のヒ−タ8が設けられ、その前には各々マスク9が
配置される。詳しくは後述するが、本発明においてはこ
のマスク9の構造が工夫される。
され、ロ−ドロック室1に送られる。このロードロック
室1で真空排気された後、基板10は加熱室2に搬送さ
れる。加熱室2には、基板10の両面を加熱するために
一対のヒ−タ8が設けられ、その前には各々マスク9が
配置される。詳しくは後述するが、本発明においてはこ
のマスク9の構造が工夫される。
【0021】基板10は、その後、基板温度モニタ−室
3に搬送され、赤外線輻射温度計12により基板の温度
が測定される。次に、基板10は下地膜形成室4に搬送
され、そこで3Nの純度を有するCrから成るターゲッ
ト13を用いて下地膜18(図8)が成膜される。次い
で、基板10は磁性膜形成室5に搬送され、そこでCo-C
r-Pt(18at%Cr,10at%Pt)合金から成るターゲット13を
用いて磁性膜19が成膜される。次に、基板10は保護
膜形成室6に搬送され、5Nの純度を有するCから成るタ
ーゲット13を用いて保護膜20が成膜される。その
後、基板10はアンロ−ドロック室7に搬送され、大気
中に開放される。そして、最終的には保護膜20の上に
潤滑膜21が形成されて、図8に示すような磁気ディス
ク媒体が出来上がる。
3に搬送され、赤外線輻射温度計12により基板の温度
が測定される。次に、基板10は下地膜形成室4に搬送
され、そこで3Nの純度を有するCrから成るターゲッ
ト13を用いて下地膜18(図8)が成膜される。次い
で、基板10は磁性膜形成室5に搬送され、そこでCo-C
r-Pt(18at%Cr,10at%Pt)合金から成るターゲット13を
用いて磁性膜19が成膜される。次に、基板10は保護
膜形成室6に搬送され、5Nの純度を有するCから成るタ
ーゲット13を用いて保護膜20が成膜される。その
後、基板10はアンロ−ドロック室7に搬送され、大気
中に開放される。そして、最終的には保護膜20の上に
潤滑膜21が形成されて、図8に示すような磁気ディス
ク媒体が出来上がる。
【0022】図8に示すように、ディスク基板10は例
えばNi−P/Al−Mg基板であって、この基板10
の上に、下地膜18が750Å、磁性膜19(Co-Cr-Ta)が3
50Å、保護膜20が200Å、フッ素系の潤滑剤が50Åの
厚さで形成されて磁気ディスク媒体が構成される。尚、
後述ように、ディスク基板はガラス基板であってもよ
く、基板の上に形成される薄膜及びそれらの厚さ等は上
記のものに限定されない。
えばNi−P/Al−Mg基板であって、この基板10
の上に、下地膜18が750Å、磁性膜19(Co-Cr-Ta)が3
50Å、保護膜20が200Å、フッ素系の潤滑剤が50Åの
厚さで形成されて磁気ディスク媒体が構成される。尚、
後述ように、ディスク基板はガラス基板であってもよ
く、基板の上に形成される薄膜及びそれらの厚さ等は上
記のものに限定されない。
【0023】次に、図2を参照してマスク9の構成につ
いて説明する。磁気ディスク基板の割れや、反りの原因
を調べたところ、ディスク基板10の中心部が周辺部よ
りも異常に加熱されるためであることが分かった。
いて説明する。磁気ディスク基板の割れや、反りの原因
を調べたところ、ディスク基板10の中心部が周辺部よ
りも異常に加熱されるためであることが分かった。
【0024】そこで、一実施例としては、図2(a)に
示される(タイプAと言う)様なものである。このマス
ク9は、内部に熱放射線遮蔽部9aを有し、且つこの熱
放射線遮蔽部9aの外側に熱放射線透過部9bを有する
ものであり、その材質は銅より成る。
示される(タイプAと言う)様なものである。このマス
ク9は、内部に熱放射線遮蔽部9aを有し、且つこの熱
放射線遮蔽部9aの外側に熱放射線透過部9bを有する
ものであり、その材質は銅より成る。
【0025】図2(b)に別の実施例に係るマスクを示
す(タイプBと言う)。このマスク9は中心部に熱放射
線を遮蔽する遮蔽部9aを有し、且つこの外側に4つに
分割された熱放射線透過部9bを有し、さらにこの外側
に熱放射線遮蔽部9aを有するものであり、その材質は
銅より成る。
す(タイプBと言う)。このマスク9は中心部に熱放射
線を遮蔽する遮蔽部9aを有し、且つこの外側に4つに
分割された熱放射線透過部9bを有し、さらにこの外側
に熱放射線遮蔽部9aを有するものであり、その材質は
銅より成る。
【0026】図12は磁気ディスク装置の構成を示す図
である。本発明に従って製造された磁気ディスク媒体が
実装されて高密度記録が達成される。図において、本発
明による複数枚の磁気ディスク30はスピンドルに固定
されており、図示されないモータによって駆動されて回
転される。各磁気ディスク30の面には情報を記録再生
するために各々磁気ヘッド31が配置される。磁気ヘッ
ドはそれぞれアーム32の一端に固定され、アーム32
の他端はアクチュエータ33に取り付けられている。ア
ーム32は軸に回転可能に支持されており、その後端に
はボイスコイルモータ34が取り付けられる。そしてボ
イスコイルモータ34に通電されると、アクチュエータ
33が駆動され、アーム33は軸を中心にスイングす
る。よって磁気ヘッドが目的とするトラックに位置付け
られ、記録再生される。
である。本発明に従って製造された磁気ディスク媒体が
実装されて高密度記録が達成される。図において、本発
明による複数枚の磁気ディスク30はスピンドルに固定
されており、図示されないモータによって駆動されて回
転される。各磁気ディスク30の面には情報を記録再生
するために各々磁気ヘッド31が配置される。磁気ヘッ
ドはそれぞれアーム32の一端に固定され、アーム32
の他端はアクチュエータ33に取り付けられている。ア
ーム32は軸に回転可能に支持されており、その後端に
はボイスコイルモータ34が取り付けられる。そしてボ
イスコイルモータ34に通電されると、アクチュエータ
33が駆動され、アーム33は軸を中心にスイングす
る。よって磁気ヘッドが目的とするトラックに位置付け
られ、記録再生される。
【0027】本発明は、磁気ディスクの保磁力及び膜質
特性と、磁気ディスクに対する磁気ヘッドの間隔に着目
たものである。特徴的には、磁気ディスク媒体の磁性膜
の保磁力が2000エルステッド以上で、且つその面内
保磁力分布が±5%以内の磁気ディスクが実装されてい
る。磁気ディスクに対し磁気ヘッドが40nm以下の間
隔を保つように支持されて記録再生される。このように
して、高密度記録が達成される。磁気ディスクの反りに
着目すると、ディスクの中心部に対する半径方向の反り
が3μm/インチ以下、例えば直径3.5インチの磁気
ディスクの場合、その反りが10μm以下、の磁気ディ
スクが実装される。
特性と、磁気ディスクに対する磁気ヘッドの間隔に着目
たものである。特徴的には、磁気ディスク媒体の磁性膜
の保磁力が2000エルステッド以上で、且つその面内
保磁力分布が±5%以内の磁気ディスクが実装されてい
る。磁気ディスクに対し磁気ヘッドが40nm以下の間
隔を保つように支持されて記録再生される。このように
して、高密度記録が達成される。磁気ディスクの反りに
着目すると、ディスクの中心部に対する半径方向の反り
が3μm/インチ以下、例えば直径3.5インチの磁気
ディスクの場合、その反りが10μm以下、の磁気ディ
スクが実装される。
【0028】次に、種々の条件を変えてディスク基板を
加熱したり、磁気ディスク媒体を製造する実験を行っ
た。以下、その検討結果について述べる。
加熱したり、磁気ディスク媒体を製造する実験を行っ
た。以下、その検討結果について述べる。
【0029】(例1)図1に示したスパッタ成膜装置に
より、ディスク基板10をロ−ドロック室1で真空排気
した後、加熱室2に搬送し、加熱室2においてこのディ
スク基板10の両面をマスク9を通しヒ−タ8により加
熱した。ここでディスク基板10として直径3.5イン
チ、厚さ0.8mmのNi−Pメッキ層を設けたAl−
Mg基板((株)日本軽金属社製:以下 Ni−P/A
l−Mg基板と記す)を用いた。マスク9としては、図
2(a)に示されるタイプAのマスクを用いた。
より、ディスク基板10をロ−ドロック室1で真空排気
した後、加熱室2に搬送し、加熱室2においてこのディ
スク基板10の両面をマスク9を通しヒ−タ8により加
熱した。ここでディスク基板10として直径3.5イン
チ、厚さ0.8mmのNi−Pメッキ層を設けたAl−
Mg基板((株)日本軽金属社製:以下 Ni−P/A
l−Mg基板と記す)を用いた。マスク9としては、図
2(a)に示されるタイプAのマスクを用いた。
【0030】ディスク基板10を加熱する際、加熱温度
は250℃、昇温速度は60℃/秒とした。加熱して3秒後
に、基板の面内温度を基板温度モニタ−室3で測定し
た。ここで基板の加熱時の基板温度は熱電対により測定
し、温度校正を行った。また、赤外線輻射温度計12に
よる基板の温度測定は、始めに基板の輻射率を求めてか
ら行った。その結果によるディスク基板10の面内温度
分布を図3−(b)に示す。比較のために、図3−(a)に
は、この種のマスクを使用せずにディスク基板を加熱し
た場合の面内温度分布の測定結果を示す。この結果、上
記したマスク9をヒ−タ8の前に配置することで、ディ
スク基板の上下方向、左右方向、及び内中外方向の温度
勾配を、従来に比べ均一になるように改善することがで
きた。
は250℃、昇温速度は60℃/秒とした。加熱して3秒後
に、基板の面内温度を基板温度モニタ−室3で測定し
た。ここで基板の加熱時の基板温度は熱電対により測定
し、温度校正を行った。また、赤外線輻射温度計12に
よる基板の温度測定は、始めに基板の輻射率を求めてか
ら行った。その結果によるディスク基板10の面内温度
分布を図3−(b)に示す。比較のために、図3−(a)に
は、この種のマスクを使用せずにディスク基板を加熱し
た場合の面内温度分布の測定結果を示す。この結果、上
記したマスク9をヒ−タ8の前に配置することで、ディ
スク基板の上下方向、左右方向、及び内中外方向の温度
勾配を、従来に比べ均一になるように改善することがで
きた。
【0031】(例2)ディスク基板10としていずれも
直径3.5インチの、Ni−P/Al−Mg基板及びガ
ラス基板(コ−ニング(株)社製)を用いて加熱した。
マスク9としては図2(b)に示されるタイプBのもの
を用い、実験例1と同様の方法で基板10を加熱した。
直径3.5インチの、Ni−P/Al−Mg基板及びガ
ラス基板(コ−ニング(株)社製)を用いて加熱した。
マスク9としては図2(b)に示されるタイプBのもの
を用い、実験例1と同様の方法で基板10を加熱した。
【0032】Ni-P/Al-Mg基板の加熱温度は250℃、昇温
速度は60℃/秒とした。ガラス基板の加熱温度は225℃、
昇温速度は40℃/秒とした。各基板を加熱してから3秒後
の基板の面内温度を測定した。その結果を図4に示し、
(a)は、Ni−P/Al−Mg基板、(b)はガラス基板の
場合を示す。これによれば、ディスク基板の面内温度差
を±3%以下にすることができた。
速度は60℃/秒とした。ガラス基板の加熱温度は225℃、
昇温速度は40℃/秒とした。各基板を加熱してから3秒後
の基板の面内温度を測定した。その結果を図4に示し、
(a)は、Ni−P/Al−Mg基板、(b)はガラス基板の
場合を示す。これによれば、ディスク基板の面内温度差
を±3%以下にすることができた。
【0033】次に、上記の昇温速度でNi−P/Al−
Mg基板及びガラス基板を150℃から280℃の範囲で加熱
した。各々の基板はマスクを使用した場合と使用しない
場合とでそれそれ加熱した。そして、干渉法を用いた基
板フラットネステスタ(富士写真光機(株)社製)で基
板10の反りの測定を行なった。基板の反りは、各基板
のサイズにおいて、ある平板面に対する半径方向におけ
る内周と外周の差の最大値とした。
Mg基板及びガラス基板を150℃から280℃の範囲で加熱
した。各々の基板はマスクを使用した場合と使用しない
場合とでそれそれ加熱した。そして、干渉法を用いた基
板フラットネステスタ(富士写真光機(株)社製)で基
板10の反りの測定を行なった。基板の反りは、各基板
のサイズにおいて、ある平板面に対する半径方向におけ
る内周と外周の差の最大値とした。
【0034】各ディスク基板についての反りの測定結果
を図5に示す。これによれば、マスクを使用しない場
合、190℃以上で加熱すると基板の反りは10μm/
3.5インチ以上となった。この様に反り量が大きい
と、ディスク基板の膜質特性も悪く面内保磁力分布も不
均一となるため、磁気ディスク装置に実装して使用する
のは好ましくなく、高密度記録には不向きとなる。
を図5に示す。これによれば、マスクを使用しない場
合、190℃以上で加熱すると基板の反りは10μm/
3.5インチ以上となった。この様に反り量が大きい
と、ディスク基板の膜質特性も悪く面内保磁力分布も不
均一となるため、磁気ディスク装置に実装して使用する
のは好ましくなく、高密度記録には不向きとなる。
【0035】一方、マスク9を用いて加熱した場合に
は、Ni-P/Al-Mg基板及びガラス基板のいずれも、ディス
ク基板の反り量を7μm/3.5インチ以下とすること
ができた。この様にディスク基板の反り量を大幅に少な
くできたのは、図4に示された様にディスク基板を均一
加熱することができたことと関係があると言える。
は、Ni-P/Al-Mg基板及びガラス基板のいずれも、ディス
ク基板の反り量を7μm/3.5インチ以下とすること
ができた。この様にディスク基板の反り量を大幅に少な
くできたのは、図4に示された様にディスク基板を均一
加熱することができたことと関係があると言える。
【0036】(例3)ディスク基板10として、Ni−
P/Al−Mg基板を用い、マスクを使用しないで実験
例1と同様の方法にて基板10を150℃から280℃で加熱
した後、各基板の反りを測定した。
P/Al−Mg基板を用い、マスクを使用しないで実験
例1と同様の方法にて基板10を150℃から280℃で加熱
した後、各基板の反りを測定した。
【0037】図6に示すように、ヘッド16とディスク
基板10の接触開始の浮上量をスピンドル回転数を変化
させて、アコ−スティックエミッション(AEセンサ−
17)により測定した。その結果を図7に示す。これに
よれば、基板の反り量、即ちディスクの中心に対する外
周部の反り量が10μm/3.5インチ以下でないと4
0nm以下の浮上を実現できないことが判った。このこ
とから、高密度記録を達成するためには、直径3.5イ
ンチで、保磁力が2000エルステッド以上の磁気ディ
スク媒体の場合、中心に対する外周部の反り量が少なく
とも10μm以下であって、磁気ヘッドと磁気ディスク
媒体の距離が40nm以下が好ましいと言える。前述し
た磁気ディスク装置はこれらの条件を満足して構成され
る。
基板10の接触開始の浮上量をスピンドル回転数を変化
させて、アコ−スティックエミッション(AEセンサ−
17)により測定した。その結果を図7に示す。これに
よれば、基板の反り量、即ちディスクの中心に対する外
周部の反り量が10μm/3.5インチ以下でないと4
0nm以下の浮上を実現できないことが判った。このこ
とから、高密度記録を達成するためには、直径3.5イ
ンチで、保磁力が2000エルステッド以上の磁気ディ
スク媒体の場合、中心に対する外周部の反り量が少なく
とも10μm以下であって、磁気ヘッドと磁気ディスク
媒体の距離が40nm以下が好ましいと言える。前述し
た磁気ディスク装置はこれらの条件を満足して構成され
る。
【0038】(例4)Ni−P/Al−Mg基板10に
ついて、マスクBを用いて実験例2と同様の方法にて基
板10を150℃から280℃の範囲で加熱した。その後、下
地膜18を750Å、磁性膜19(Co-Cr-Ta)を350Å、保護
膜20を200Å、フッ素系の潤滑剤を50Å形成し、図8
に示すような磁気ディスク媒体を作成した。この時の各
膜の成膜速度は下地膜を200Å/sec、磁性膜を60Å/se
c、保護膜を40Å/secである。
ついて、マスクBを用いて実験例2と同様の方法にて基
板10を150℃から280℃の範囲で加熱した。その後、下
地膜18を750Å、磁性膜19(Co-Cr-Ta)を350Å、保護
膜20を200Å、フッ素系の潤滑剤を50Å形成し、図8
に示すような磁気ディスク媒体を作成した。この時の各
膜の成膜速度は下地膜を200Å/sec、磁性膜を60Å/se
c、保護膜を40Å/secである。
【0039】加熱温度を変えたときの各磁気ディスク媒
体の磁気特性の測定を振動試料型磁力計装置(理研電子
(株)社製 BHV-50)により、円周方向に磁場を印加し
測定した。印加磁場は5000エルステッドとし、R=30mmに
ついて測定した。図9に、基板加熱温度と保磁力との相
関を示す。マスクを使用しない場合、190℃以上で加熱
すると基板の反りが10μm/3.5インチ以上とな
り、保磁力は1600エルステッドであった。この場合、磁
気ディスクの膜質特性は好ましいものでなく、高密度記
録が達成できない。
体の磁気特性の測定を振動試料型磁力計装置(理研電子
(株)社製 BHV-50)により、円周方向に磁場を印加し
測定した。印加磁場は5000エルステッドとし、R=30mmに
ついて測定した。図9に、基板加熱温度と保磁力との相
関を示す。マスクを使用しない場合、190℃以上で加熱
すると基板の反りが10μm/3.5インチ以上とな
り、保磁力は1600エルステッドであった。この場合、磁
気ディスクの膜質特性は好ましいものでなく、高密度記
録が達成できない。
【0040】一方、マスクを使用した場合、280℃で加
熱してもディスク基板の反りは6.2μm/3.5イン
チで、ディスクの円周方向の保磁力は2100エルステッド
であった。この磁気ディスクの膜質特性は良好あり、高
密度記録のために使用できる。
熱してもディスク基板の反りは6.2μm/3.5イン
チで、ディスクの円周方向の保磁力は2100エルステッド
であった。この磁気ディスクの膜質特性は良好あり、高
密度記録のために使用できる。
【0041】さらに、直径3.5インチのガラス基板1
0(コ−ニング(株)社製)について、マスクBを用い
て上記と同様の方法にて加熱温度250℃で加熱した。そ
の後、下地膜18を1000Å、磁性膜19(Co-Cr-Pt)を30
0Å、保護膜20を200Å、フッ素系の潤滑剤を50Å形成
し、磁気ディスク媒体を作成した。
0(コ−ニング(株)社製)について、マスクBを用い
て上記と同様の方法にて加熱温度250℃で加熱した。そ
の後、下地膜18を1000Å、磁性膜19(Co-Cr-Pt)を30
0Å、保護膜20を200Å、フッ素系の潤滑剤を50Å形成
し、磁気ディスク媒体を作成した。
【0042】この磁気ディスク媒体に対し、磁気特性の
測定をKerr効果を用いた磁気特性評価装置(日立DEC
O(株)社製 RO-3000)により、円周方向に磁場を印加
し、半径位置がR=15,20,25,30,35,40,45mmについて30゜
ごとに測定した。図10に、この磁気ディスクの面内保
磁力分布を示す。この結果から、面内保磁力分布は、デ
ィスクの半径方向に対しては2830〜2940エルス
テッド、ある半径位置におけるトラック(円周方向)、例
えばR=45mmのトラックにおいては2830〜2870エ
ルステッドの範囲になっている。このことからユーザデ
ータを記録する領域、即ちデ−タ保証領域における面内
保磁力分布は±5%以内である。このときの基板の反り
は4.7μm/3.5インチである。この磁気ディスク媒
体の膜質特性は良好であり、高密度記録に適している。
測定をKerr効果を用いた磁気特性評価装置(日立DEC
O(株)社製 RO-3000)により、円周方向に磁場を印加
し、半径位置がR=15,20,25,30,35,40,45mmについて30゜
ごとに測定した。図10に、この磁気ディスクの面内保
磁力分布を示す。この結果から、面内保磁力分布は、デ
ィスクの半径方向に対しては2830〜2940エルス
テッド、ある半径位置におけるトラック(円周方向)、例
えばR=45mmのトラックにおいては2830〜2870エ
ルステッドの範囲になっている。このことからユーザデ
ータを記録する領域、即ちデ−タ保証領域における面内
保磁力分布は±5%以内である。このときの基板の反り
は4.7μm/3.5インチである。この磁気ディスク媒
体の膜質特性は良好であり、高密度記録に適している。
【0043】(例5)この例は、図11に示すように加
熱室2のマスク9を積極的に冷却しようとするものであ
る。図1に示されたスパッタ成膜装置の加熱室2におい
て、タイプBのマスク9を用い、さらにこのマスク9に
冷却装置17を設置したものである。冷却媒体としては
純水を用い、この水を矢印の方向に循環している。尚、
ヒータ8としてはランプヒータ22を用いている。
熱室2のマスク9を積極的に冷却しようとするものであ
る。図1に示されたスパッタ成膜装置の加熱室2におい
て、タイプBのマスク9を用い、さらにこのマスク9に
冷却装置17を設置したものである。冷却媒体としては
純水を用い、この水を矢印の方向に循環している。尚、
ヒータ8としてはランプヒータ22を用いている。
【0044】この装置を用いて、Ni-P/Al-Mg基板10を
上記例1と同様の方法にてヒータ8で加熱した。ディス
ク基板の加熱温度は250℃とした。この結果、冷却装置
17によりマスク温度を430℃から280℃まで下げること
ができた。この様に冷却装置17を設置したことによ
り、過大な電力が必要となる場合においても、加熱によ
るマスク9の熱変形等の問題を防ぐことができる。ま
た、マスク9をヒ−タ8に近づけることができるため、
ヒ−タ8と基板10の間隔が狭い場合においても、マス
クの使用が可能になる。
上記例1と同様の方法にてヒータ8で加熱した。ディス
ク基板の加熱温度は250℃とした。この結果、冷却装置
17によりマスク温度を430℃から280℃まで下げること
ができた。この様に冷却装置17を設置したことによ
り、過大な電力が必要となる場合においても、加熱によ
るマスク9の熱変形等の問題を防ぐことができる。ま
た、マスク9をヒ−タ8に近づけることができるため、
ヒ−タ8と基板10の間隔が狭い場合においても、マス
クの使用が可能になる。
【0045】以上、いくつかの例について説明してきた
が、本発明はこの他にも種々変形して実施できる。
が、本発明はこの他にも種々変形して実施できる。
【0046】例えば、1つの変形例として、マスク9の
ヒ−タ側の遮蔽部面9aをヒ−タ波長に対し高い反射率
を有する様に鏡面加工を施すことができる。この様にし
て、250℃の加熱条件においてNi-P/Al-Mg基板を加熱し
た。その結果、マスク9の温度を430℃から380℃まで下
げることができた。さらに、ヒ−タの背後にリフレクタ
−などの反射を有する場合は、加熱効率を向上すること
ができる。
ヒ−タ側の遮蔽部面9aをヒ−タ波長に対し高い反射率
を有する様に鏡面加工を施すことができる。この様にし
て、250℃の加熱条件においてNi-P/Al-Mg基板を加熱し
た。その結果、マスク9の温度を430℃から380℃まで下
げることができた。さらに、ヒ−タの背後にリフレクタ
−などの反射を有する場合は、加熱効率を向上すること
ができる。
【0047】上記実施例ではマスク9の材質として耐熱
性に優れた銅を用いている。銅は熱伝導率が395 J/(m*s
*K)と高いため、効率良く冷却することができるが、そ
の他に、Ti、セラミックス等などを用いることも可能
である。
性に優れた銅を用いている。銅は熱伝導率が395 J/(m*s
*K)と高いため、効率良く冷却することができるが、そ
の他に、Ti、セラミックス等などを用いることも可能
である。
【0048】また、同じ加熱装置を用いてサイズの異な
ったディスク基板を均一に加熱する場合において、ヒ−
タ8の形状の変更、ディスク基板とヒ−タ間との距離の
変更、ヒ−タの分割化及び制御バランスの変更等の複雑
な改良を行わなくとも、マスクをディスクのサイズに応
じて変更するだけで対処することができる。
ったディスク基板を均一に加熱する場合において、ヒ−
タ8の形状の変更、ディスク基板とヒ−タ間との距離の
変更、ヒ−タの分割化及び制御バランスの変更等の複雑
な改良を行わなくとも、マスクをディスクのサイズに応
じて変更するだけで対処することができる。
【0049】さらに、本発明は磁気ディスク基板に加熱
処理を施す以外にも適用が可能である。例えば、蒸着装
置等により真空中で薄膜を形成する場合、基板上に均一
な膜質を得ることが可能になる。
処理を施す以外にも適用が可能である。例えば、蒸着装
置等により真空中で薄膜を形成する場合、基板上に均一
な膜質を得ることが可能になる。
【0050】
【発明の効果】本発明によれば、工夫されたマスクを用
いてディスク基板を加熱することにより、ディスク基板
に大きな反りや割れが生じることを防止して、基板を高
温に加熱できる。このため高保磁力の磁気ディスク媒体
が得られ、高密度記録が可能となる。
いてディスク基板を加熱することにより、ディスク基板
に大きな反りや割れが生じることを防止して、基板を高
温に加熱できる。このため高保磁力の磁気ディスク媒体
が得られ、高密度記録が可能となる。
【0051】さらに、簡便な加熱手段によってディスク
基板の面内温度分布を均一に加熱することができるの
で、この基板上に磁性膜等の薄膜を均一に形成すること
ができる。このため、高保磁力且つ保磁力分布の均一な
磁気記録媒体を得ることができる。従ってこの磁気ディ
スク媒体を用いた磁気ディスク装置により一層高密度記
録化が達成できる。
基板の面内温度分布を均一に加熱することができるの
で、この基板上に磁性膜等の薄膜を均一に形成すること
ができる。このため、高保磁力且つ保磁力分布の均一な
磁気記録媒体を得ることができる。従ってこの磁気ディ
スク媒体を用いた磁気ディスク装置により一層高密度記
録化が達成できる。
【図1】本発明の一実施例に供するスパッタ成膜装置の
概略図。
概略図。
【図2】本発明の一実施例よるマスクの平面図を示し、
(a)及び(b)は各々タイプA、タイプBのマスクを示す。
(a)及び(b)は各々タイプA、タイプBのマスクを示す。
【図3】ディスク基板の面内温度分布を示す図であり、
(a)はマスク未使用時、(b)はタイプAのマスク使用時の
面内温度分布を示す。
(a)はマスク未使用時、(b)はタイプAのマスク使用時の
面内温度分布を示す。
【図4】ディスク基板の面内温度分布を示す図であり、
(a)はタイプBのマスク使用時のNi-P/Al-Mg基板、(b)は
ガラス基板の場合を示す。
(a)はタイプBのマスク使用時のNi-P/Al-Mg基板、(b)は
ガラス基板の場合を示す。
【図5】基板の加熱温度に対するディスク基板の反り量
を示す図。
を示す図。
【図6】磁気ディスク基板に対するヘッドの接触浮上量
測定時の概略を示す図。
測定時の概略を示す図。
【図7】ディスク基板の反り量に対するディスク基板の
接触浮上量の関係を示す図。
接触浮上量の関係を示す図。
【図8】磁気ディスク媒体の断面図。
【図9】基板の加熱温度に対する保磁力の関係を示す
図。
図。
【図10】ガラス基板を用いた磁気ディスク媒体の保持
力の面内分布を示す図。
力の面内分布を示す図。
【図11】本発明の他の実施例によるディスク基板の加
熱装置の概略を示す図。
熱装置の概略を示す図。
【図12】磁気ディスク装置の構成を概略的に示す図。
1…ロ−ドロック室 2…加熱室 3…基板温度モニタ
−室 4…下地膜形成室 5…磁性膜形成室 6…保護膜形成
室 7…アンロ−ドロック室 8…ヒ−タ 9…マスク 9a…熱放射線遮蔽部 9b…熱放射線透過部 10…
基板 11…基板支持部 12…赤外線輻射温度計 13、14、15…タ−ゲット 22…ランプヒ−タ 23…冷却装置
−室 4…下地膜形成室 5…磁性膜形成室 6…保護膜形成
室 7…アンロ−ドロック室 8…ヒ−タ 9…マスク 9a…熱放射線遮蔽部 9b…熱放射線透過部 10…
基板 11…基板支持部 12…赤外線輻射温度計 13、14、15…タ−ゲット 22…ランプヒ−タ 23…冷却装置
フロントページの続き (72)発明者 小島 修一 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内
Claims (20)
- 【請求項1】ヒータにより基板を加熱しながら該基板上
に薄膜を形成する基板の加熱方法において、該ヒータが
発する熱放射線を透過する部分と該熱放射線を遮蔽する
部分とを有するマスクを、前記ヒータの前に配置し、該
ヒータにより該基板を加熱することを特徴とする基板の
加熱方法。 - 【請求項2】ディスク基板を加熱する方法であって、中
心部に該遮蔽部分を備え、その周囲に該透過部分を有す
るマスクを、該遮蔽部分がディスクの中心部に対応する
ように配置されることを特徴とする請求項1記載のディ
スク基板の加熱方法。 - 【請求項3】上記マスクに連結して冷却装置を設け、該
冷却装置に冷却媒体を通してヒータにより加熱されるマ
スクを冷却することを特徴とする請求項1記載の基板の
加熱方法。 - 【請求項4】上記マスクのヒ−タ側の遮蔽部面に鏡面加
工を施したことを特徴とする請求項1記載の基板の加熱
方法。 - 【請求項5】上記基板の面内温度分布を±3%以下で加
熱することを特徴とする請求項1乃至3記載の基板の加
熱方法。 - 【請求項6】直径3.5インチのディスク基板を加熱す
る方法であって、該基板の中心部に対する周辺部の反り
が10μm以下の範囲となるように加熱することを特徴
とする請求項1乃至5記載の基板の加熱方法。 - 【請求項7】ディスク基板の面内温度分布が±3%以
下、且つ該基板の中心部に対する外周部の反りが3μm
/インチ以下の範囲となるように加熱量を制御して加熱
することを特徴とする基板の加熱方法。 - 【請求項8】250℃以上で加熱されることを特徴とす
る請求項7記載の加熱方法。 - 【請求項9】面内温度分布が±3%以下で、かつ250
℃以上の条件でディスク基板を加熱しながら、スパッタ
リングにより該基板上に磁性膜を形成することを特徴と
する磁気ディスク媒体の製造方法。 - 【請求項10】請求項9において、ディスクの中心部に
対する周辺部の反りが10μm以下となるように加熱す
る3.5インチ磁気ディスク媒体の製造方法。 - 【請求項11】基板上に磁性膜を有し、該磁性膜上に保
護膜を有する磁気記録媒体において、前記磁気記録媒体
の保磁力が2000エルステッド以上であり、かつ面内
保磁力分布が±5%以内であることを特徴とする磁気記
録媒体。 - 【請求項12】Ni−P/Al−Mg基板に形成される
磁性膜の円周方向の保磁力が2000エルステッド以上
である請求項11記載の磁気ディスク媒体。 - 【請求項13】基板はガラス製のディスク基板である請
求項11記載の磁気ディスク媒体。 - 【請求項14】直径3.5インチの磁気ディスク媒体で
あって、該ディスクの中心部に対する周辺部の反りが1
0μm以下であることを特徴とした請求項11記載の磁
気記録媒体。 - 【請求項15】直径が任意の磁気ディスク媒体であっ
て、該ディスクの中心部に対する半径方向の反りが3μ
m/インチ以下であることを特徴とした請求項11記載
の磁気記録媒体。 - 【請求項16】ディスク状基板上に磁性膜を有し、該磁
性膜上に保護膜を有する磁気ディスク媒体において、前
記磁気記録媒体の保磁力が2000エルステッド以上で
あり、かつ該ディスクの中心部に対する半径方向の反り
が3μm/インチ以下であることを特徴とする磁気記録
媒体。 - 【請求項17】磁気ディスク媒体にはデータ記録用のト
ラックが規定されており、当該トラックのうち内周、中
周、外周に位置するトラックの任意の場所における面内
保磁力分布が±5%以内である請求項11乃至16記載
の磁気ディスク媒体。 - 【請求項18】基板上に磁性膜を有する磁気ディスク媒
体を回転させながら磁気ヘッドにより情報を記録再生す
る磁気ディスク装置において、該磁気ディスク媒体の磁
性膜の保磁力が2000エルステッド以上であり、且つ
その面内保磁力分布が±5%以内の磁気ディスク媒体の
上に、磁気ヘッドを40nm以下の間隔を保って記録再
生することを特徴とする磁気ディスク装置。 - 【請求項19】基板上に磁性膜を有する磁気ディスク媒
体を回転させながら磁気ヘッドにより情報を記録再生す
る磁気ディスク装置において、直径が任意の磁気ディス
ク媒体であって、その磁性膜の保磁力が2000エルス
テッド以上であり、且つ該ディスクの中心部に対する半
径方向の反りが3μm/インチ以下である磁気ディスク
媒体の上に、磁気ヘッドを40nm以下の間隔を保って
記録再生することを特徴とする磁気ディスク装置。 - 【請求項20】該ディスク媒体は直径3.5インチの磁
気ディスク媒体であって、該ディスクの中心部に対する
周辺部の反りが10μm以下の媒体であることを特徴と
する請求項18または19記載の磁気ディスク装置。
Priority Applications (4)
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JP7062315A JPH0885868A (ja) | 1994-07-20 | 1995-03-22 | 磁気記録媒体及びその製造方法 |
US08/483,981 US5707706A (en) | 1994-07-20 | 1995-06-07 | Magnetic recording disk medium having a magnetic layer with uniform properties over the disk surface |
US08/935,731 US5976661A (en) | 1994-07-20 | 1997-09-23 | Magnetic recording medium and method of fabricating the same |
US09/316,146 US6156405A (en) | 1994-07-20 | 1999-05-21 | Magnetic recording medium and method of fabricating the same |
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JP16767894 | 1994-07-20 | ||
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JP (1) | JPH0885868A (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6893575B2 (en) | 2001-09-20 | 2005-05-17 | Seiko Epson Corporation | Mask and method of manufacturing the same, electro-luminescence device and method of manufacturing the same, and electronic instrument |
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JP3918221B2 (ja) * | 1997-03-12 | 2007-05-23 | ソニー株式会社 | 保護膜形成装置及び保護膜形成方法 |
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---|---|---|---|---|
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FR2604552A1 (fr) * | 1986-09-29 | 1988-04-01 | Rhone Poulenc Chimie | Substrat polymere rigide utilisable comme support d'enregistrement magnetique et le disque magnetique obtenu a partir de ce substrat |
JPH0243360A (ja) * | 1988-08-03 | 1990-02-13 | Nippon Steel Corp | 物理蒸着装置 |
JPH02179879A (ja) * | 1988-12-28 | 1990-07-12 | Shimadzu Corp | 成膜装置の基板加熱構造 |
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- 1995-03-22 JP JP7062315A patent/JPH0885868A/ja active Pending
- 1995-06-07 US US08/483,981 patent/US5707706A/en not_active Expired - Fee Related
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- 1997-09-23 US US08/935,731 patent/US5976661A/en not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-05-21 US US09/316,146 patent/US6156405A/en not_active Expired - Fee Related
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---|---|
US6156405A (en) | 2000-12-05 |
US5707706A (en) | 1998-01-13 |
US5976661A (en) | 1999-11-02 |
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