CN1431851A - 掩模及其制造方法、场致发光装置及其制造方法以及电子机器 - Google Patents

掩模及其制造方法、场致发光装置及其制造方法以及电子机器 Download PDF

Info

Publication number
CN1431851A
CN1431851A CN02142498A CN02142498A CN1431851A CN 1431851 A CN1431851 A CN 1431851A CN 02142498 A CN02142498 A CN 02142498A CN 02142498 A CN02142498 A CN 02142498A CN 1431851 A CN1431851 A CN 1431851A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mask
single crystalline
crystalline substrate
manufacture method
hole
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN02142498A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1214697C (zh
Inventor
四谷真一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
BOE Technology HK Ltd
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Publication of CN1431851A publication Critical patent/CN1431851A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1214697C publication Critical patent/CN1214697C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/20—Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/12—Production of screen printing forms or similar printing forms, e.g. stencils
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

一种掩模，具有由表面、背面是镜面指数{110}面构成的单晶衬底10。在单晶衬底10上形成多个贯通孔18。各贯通孔18的开口的形状是各边与用{111}表示的组的面中某一面平行的多边形。各贯通孔18的壁面是{111}面。掩模的制造方法为按照所述贯通孔18的形状，在耐蚀刻膜上形成开口，蚀刻单晶衬底10。

Description

掩模及其制造方法、场致发光装置及其制造方法以及电子机器
技术领域
本发明涉及掩模及其制造方法、场致发光装置及其制造方法以及电子机器。
背景技术
需要高精密的掩模。例如，我们知道，在彩色的有机场致发光(以下称作“EL”)装置的制造过程中，通过使用了掩模的蒸镀，形成各色的有机材料。作为掩模的制造方法，有蚀刻基体材料的方法，但是，在以往的方法中，很难制造高精密的掩模。
发明内容
本发明目的就在于解决以往的问题，提供一种高精密的掩模及其制造方法、EL装置及其制造方法以及电子机器。
(1)本发明的的制造方法包含：在单晶衬底中，在用镜面指数{110}表示的表面上，形成了带多个开口的耐蚀刻膜，所述多个开口是各边与用{111}表示的组的面中某一面平行的多边形；
通过蚀刻，在所述开口内，在所述单晶衬底上形成多个贯通孔；所述蚀刻具有晶面取向依存性，即，对于{111}面的蚀刻速度比对{100}面和{110}面的蚀刻速度慢。
根据本发明，在耐蚀刻膜上形成的开口的各边与{111}表示的组的面中任意的面平行。而且，进行具有结晶的面取向依存性的蚀刻，在开口的内侧，从单晶衬底的用{110}表示的面以直角进行蚀刻。这样，能在单晶衬底的表面上形成垂直的贯通孔，所以能制造高精密的掩模。
(2)在该掩模的制造方法中，所述单晶衬底的两面是{110}面；
在所述两面上分别形成了带所述多个开口的所述耐蚀刻膜；
可以从所述单晶衬底的两面使所述蚀刻进行，使由蚀刻形成的凹部贯通，形成各所述贯通孔。
(3)在该掩模的制造方法中，可以在所述单晶衬底的所述两面上分别形成的所述耐蚀刻膜上，使一面的第一所述开口与另一面的第二所述开口对应形成。
(4)在该掩模的制造方法中，可以使所述第二开口比所述第一开口小，并且在所述第一开口的投影区域的内侧形成所述第二开口。
通过这样，使第一和第二开口的对位变得容易。
(5)在该掩模的制造方法中，各所述开口的形状可以是平行四边形。
(6)在该掩模的制造方法中，所述单晶衬底的厚度W与所述平行四边形的长边的长度L可以具有以下关系：
√3×W＜L
(7)在该掩模的制造方法中，可以在所述单晶衬底上通过能量射束形成了小贯通孔后，通过所述蚀刻扩大所述小贯通孔，形成所述贯通孔。
通过这样，能在厚的单晶衬底上也能形成贯通孔。
(8)在该掩模的制造方法中，所述单晶衬底的用{110}表示的所述面可以是通过镜面研磨而成的。
(9)在该掩模的制造方法中，所述单晶衬底可以是单晶硅衬底。
(10)在该掩模的制造方法中，所述耐蚀刻膜可以是氧化硅以及氮化硅中的任意一种。
(11)在该掩模的制造方法中，作为蚀刻液，可以使用有机氨类的碱水溶液以及无机碱水溶液。
(12)在该掩模的制造方法中，还可以包含：在形成了所述贯通孔后，在所述单晶衬底上形成磁性体膜。
通过这样，能制造能用磁力吸附的掩模。
(13)在该掩模的制造方法中，还可以包含：在所述单晶衬底的形成所述贯通孔的区域上再形成薄壁部。
通过这样，对于贯通孔的开口的大小(例如宽度)，能缩短贯通孔的轴向长度。另外，如果在单晶衬底上，把形成贯通孔的区域以外的部分形成厚壁，就能保持强度。
(14)在该掩模的制造方法中，可以避开所述单晶衬底的端部而形成所述薄壁部。
通过这样，单晶衬底的端部变成厚壁，就能保持强度。
(15)在该掩模的制造方法中，形成所述耐蚀刻膜，使其具有避开了要形成所述薄壁部的区域的第一部分、和配置在要形成所述薄壁部的区域上并且比第一区域薄的第二部分，并且使所述第二部分上具有所述开口；
减小所述耐蚀刻膜的厚度，在第一部分之前除去所述第二部分，通过蚀刻所述单晶衬底的从所述第一部分露出的面，形成所述薄壁部。
通过这样，只形成一次耐蚀刻膜，就能形成薄壁部和贯通孔。
(16)在该掩模的制造方法中，形成了所述贯通孔后，可以形成所述薄壁部。
(17)在该掩模的制造方法中，可以由没有晶面取向依存性的蚀刻形成所述薄壁部。
如果这样，与结晶的面取向无关，能把薄壁部形成所希望的形状。
(18)在该掩模的制造方法中，在所述单晶衬底上形成多个所述薄壁部；
可以在形成了一组的所述贯通孔的各区域上，形成各所述薄壁部。
(19)本发明的掩模，具有由表面、背面是镜面指数{110}面构成的单晶衬底；在单晶衬底上形成多个贯通孔；
各所述贯通孔的开口的形状是各边与用{111}表示的组的面中某一面平行的多边形；
各所述贯通孔的壁面是{111}面。
根据本发明，因为与单晶衬底的表面、背面垂直形成了贯通孔，所以掩模图形变为高精密的。
(20)在该掩模中，各所述开口形状可以是平行四边形。
(21)在该掩模中，所述单晶衬底的厚度W与所述平行四边形的长边的长度L具有以下关系：
√3×W＜L
(22)在该掩模中，所述单晶衬底可以是单晶硅衬底。
(23)在该掩模中，还可以具有：在所述单晶衬底上形成的磁性体膜。
通过这样，能用磁力吸附掩模。
(24)在该掩模中，所述单晶衬底的形成了所述贯通孔的区域上形成了薄壁部。
如果这样，对于贯通孔的开口的大小(例如宽度)，能缩短贯通孔的轴向长度。另外，如果在单晶衬底上，把形成贯通孔的区域以外的部分形成厚壁，就能保持强度。
(25)在该掩模中，避开所述单晶衬底的端部，形成所述薄壁部。
通过这样，单晶衬底的端部变成厚壁，就能保持强度。
(26)在该掩模中，在所述单晶衬底上形成了多个所述薄壁部；在形成了一组所述贯通孔的各区域上，形成了各所述薄壁部。
(27)本发明的EL装置的制造方法，包含使用所述的掩模，使发光材料成膜。
(28)本发明的EL装置由所述的方法制造。
(29)本发明的EL装置具有多个发光层，各所述的发光层的上表面是矩形以外的多边形；
所述多边形的各角的角度与用镜面指数的{111}表示的组的面中的两个面的交叉角度几乎相等。
(30)在该EL装置中，所述多边形可以是平行四边形。
(31)本发明的电子机器具有EL装置。
附图说明
下面简要说明附图。
图1A～1C是说明本发明的实施例的掩模的图。
图2A是说明贯通孔的俯视图，图2B是说明贯通孔的立体图，图2C是使用镜面指数说明结晶面的图。
图3A～图3F是说明本实施例的掩模的制造方法的图。
图4A～4C是说明实施例2的掩模的制造方法的图。
图5是说明实施例3的掩模的制造方法的图。
图6是说明实施例4的掩模和EL装置的制造方法的图。
图7A～图7C是说明发光材料的成膜方法的图。
图8A、图8B是表示通过适用了本发明的发光材料的成膜方法制造的EL装置的图。
图9是表示本发明的实施例的电子机器的图。
图10是表示本发明的实施例的电子机器的图。
具体实施方式
下面，参照附图就本发明的实施例加以说明。
实施例1
图1A～1C是说明本发明的实施例的掩模的图。图1B是图1A所示的IB-IB线剖视图，图1C是图1B的局部放大图。掩模具有单晶衬底10(或只由单晶衬底10构成)。单晶衬底10例如是单晶硅衬底，也可以是硅片。单晶衬底10具有用镜面指数{110}表示的表面。例如，单晶衬底10表面和背面是{110}面。须指出的是，{110}面包含与(110)面等价的多个面。在立方晶格中，与{110}面垂直的方向是<110>取向。
在单晶衬底10上至少形成一个(例如多个)薄壁部12。多个薄壁部12可以配置为矩阵状。单晶衬底10的薄壁部12以外的部分是厚壁部16。通过厚壁部16保持了单晶衬底10的强度。薄壁部12是避开单晶衬底10的端部形成的。即单晶衬底10的端部是厚壁部16。因为由厚壁部16包围了薄壁部12，所以薄壁部12很难变形。
薄壁部12在单晶衬底10的厚度方向上，位于偏向一方的面的位置。即薄壁部12是形成在单晶衬底10的一个面(表面、背面中的一方)上的凹部14的底部。这时，在单晶衬底10中，薄壁部12和此外的部分(厚壁部16)在与形成了凹部14的面相反一侧的面上是同一面。作为变形例，也可以在单晶衬底10的两面中(表面、背面)的对应的位置形成凹部。这时，薄壁部12位于单晶衬底10的厚度方向的中央部。
在单晶衬底10中，如图1C所示，形成了多个贯通孔18。形成贯通孔18的区域成为薄壁部12。在一个薄壁部12上形成一组的贯通孔18。
图2A是说明贯通孔的俯视图，图2B是说明贯通孔的立体图。如上所述，单晶衬底10的表面是{110}。贯通孔18的开口形状是矩形以外的多边形。图2A所示的贯通孔18的开口形状是平行四边形，它的长边的长度L和单晶衬底10(具体而言是厚壁部16)的厚度W1(参照图1C)具有以下关系：
√3×W1＜L
作为变形例平行四边形的长边的长度L和单晶衬底10的薄壁部12的厚度W2(参照图2C)也具有以下关系：
√3×W2＜L
贯通孔18的开口的各边位于与用{111}表示的组的面(具体例子记载在图2A和图2B中)中任意的面平行的位置。须指出的是，在立方晶格中，与{111}面垂直的方向是<111>取向。
图2C是使用镜面指数说明结晶面的图。从图2C可知，{110}面与{111}面垂直交叉。贯通孔18的壁面是用{111}表示的组的面(具体例子记载在图2A和图2B中)中的任意的面。因此，贯通孔18对于单晶衬底10的表面({110}面)是垂直形成的。因为贯通孔18垂直于单晶衬底10的表面、背面而形成，所以掩模图形变得高度精密。
图3A～图3F是说明本实施例的掩模的制造方法的图。在本实施例中，在形成了上述的贯通孔18之前的状态下，准备了单晶衬底10。单晶衬底10例如是单晶硅衬底，也可以是硅片。单晶衬底10具有用镜面指数的{110}表示的表面。例如单晶衬底10的表面、背面(两面)是{110}面。至少单晶衬底10的表面(或表面、背面)是镜面研磨而成的。
如图3A所示，在单晶衬底10上形成耐蚀刻膜20(例如1μm左右的厚度)。耐蚀刻膜20分别设置在单晶衬底10的表面、背面(两面)上。耐蚀刻膜20也可以连续覆盖单晶衬底10的整个面。可以由基于热氧化处理的氧化硅或氮化硅形成耐蚀刻膜20。
如图3B所示，在耐蚀刻膜20上形成多个开口22。在单晶衬底10表面、背面(两面)上形成一对开口22，使其相对。在形成上述的贯通孔18的位置形成了各开口22，并且具有与贯通孔18相同的形状。开口22为多边形(例如平行四边形)。开口22的各边位于与用{111}表示的组的面中任意的面平行的位置。关于开口22的形状的其它细节与上述的贯通孔18相同。能利用光刻形成开口22。
如图3C所示，对耐蚀刻膜20进行刻膜，使其具有避开了要形成薄壁部12的区域的第一部分24、配置在要形成薄壁部12的区域上并且比第一区域24薄的第二部分26。可以利用光刻进行该刻膜。如果刻膜结束，开口22就位于第二部分26。第一、第二部分24、26的外形(平面形状)分别与厚壁部16以及薄壁部12的外形(平面形状)相同。
然后，把具有第一、第二部分24、26的耐蚀刻膜20作为掩模，蚀刻单晶衬底10。这里适用的蚀刻是各向异性蚀刻，具有对于{111}面的蚀刻速度比对于{100}面以及{110}面的蚀刻速度慢(例如慢10倍以上，最好慢100倍以上)的结面取向依存性。须指出的是，作为蚀刻液，可以使用15％的氢氧化钾加热到80℃。当想避开钾时，作为蚀刻液，可以使用有机胺类碱溶液，例如，四甲基氢氧化铵的10～20重量％的水溶液。或使用氢氧化钾水溶液以外的无机碱水溶液，例如可以使用氨水。在本实施例中，因为在单晶衬底10的两面，有从开口22露出的面，所以蚀刻从两侧推进。
如图3D所示，在耐蚀刻膜20的开口22内，形成贯通孔18。须指出的是，单晶衬底10的厚度W1(参照图1C)和开口22的平行四边形的长边的长度L(与图2A所示的贯通孔18的平行四边形的长边的长度L相同)具有以下关系：
√3×W1＜L因此，来自两侧的蚀刻在途中不停止，能使通过蚀刻形成的凹部贯通。
如图3E所示，减小耐蚀刻膜20的厚度，在第一部分24之前除去第二部分26。该步骤可以通过蚀刻进行。这样，形成了贯通孔18的单晶衬底10由耐蚀刻膜20中的第一部分24覆盖。在单晶衬底10中，除去了第二部分26后露出的面是形成薄壁部12的区域。
如图3F所示，蚀刻从单晶衬底10的第一部分24露出的面，能形成薄壁部12。在该蚀刻中，如果适用没有晶面取向依存性的蚀刻，能形成所希望形状的薄壁部12。在本实施例中，形成了贯通孔18后，形成薄壁部12。薄壁部12的细节已经在前面描述过了，所以省略说明。然后，除去耐蚀刻膜20(具体而言是第一部分24)，就能制造出图1A～1C所示的掩模。
根据本实施例，在耐蚀刻膜20上形成的开口22的各边位于与用{111}表示的组的面中的任意的面平行的位置。于是，进行有结晶的面取向依存性的蚀刻，在开口22的内侧，能从单晶衬底10的用{110}表示的面以直角进行蚀刻，这样一来，能形成垂直于单晶衬底10表面的贯通孔18。所以能制造高精密的掩模。
须指出的是，在本实施例中，形成了薄壁部12，但是本发明包含未形成薄壁部12的例子。当不形成薄壁部12时，不要图3C所示的形成第二部分26的步骤和图3E以后的步骤。
实施例2
图4A～4C是说明实施例2的掩模的制造方法的图。在实施例1中，在单晶衬底10的两面，在耐蚀刻膜20上形成开口22。这时，因为两侧的开口22的对位很难，所以下面，以简单地进行该对位的方法为中心加以说明。
如图4A所示，在单晶衬底10的一方的面上形成的耐蚀刻膜30上形成第一开口34，在另一方的面上形成的耐蚀刻膜32上形成第二开口36。这里，第一、第二开口34、36的宽度具有如下关系：
B＜A因此，可以在第一开口32的投影区域的内侧形成第二开口36。该定位比与同样大小的开口对位简单。这样，在单晶衬底10的两面上分别形成的所述耐蚀刻膜30、32上，使一方的面的第一开口34和另一面的第二开口36对应形成。然后，如图4B所示，进行蚀刻，如图4C所示，形成贯通孔38。如图4C所示，形成了尺寸小的第二开口36的耐蚀刻膜32的端部向贯通孔38的内侧伸出，但是只要除去耐蚀刻膜32就可以了。在本实施例中说明的内容能适用于实施例1。
实施例3
图5是说明实施例3的掩模的制造方法的图。在实施例1中，单晶衬底10的厚度W1(参照图1C)和耐蚀刻膜20的开口22的平行四边形的长边的长度L(与图2A所示的贯通孔18的平行四边形的长边的长度L相同)具有以下关系：
√3×W1＜L如果是象这样比较薄的单晶衬底，就能形成贯通孔，但是，对于比这厚的单晶衬底，蚀刻在中途就停止了，无法形成贯通孔。
说明一下在本实施例中以下关系成立时(单晶衬底厚时)的贯通孔的形成方法。
√3×W1≥L
如图5所示，在形成单晶衬底10的贯通孔的区域(从刻膜的耐蚀刻膜40露出的面)上，在蚀刻前，预先形成小贯通孔(比贯通孔小的孔)42。小贯通孔42由能量射束形成(例如YAG激光)。通过这样做，因为在小贯通孔42的开口部形成了角部，所以蚀刻的进行不停止，能形成贯通孔。本实施例中说明的内容也能适用于实施例1。
实施例4
图6是说明实施例4的掩模和EL装置的制造方法的图。在图6所示的掩模10上形成了磁性体膜52。磁性体膜52能由铁、钴、镍等强磁性材料形成。或者，由Ni、Co、Fe或包含Fe成分的不锈钢等磁性金属材料、或磁性金属材料与非磁性金属材料的结合，形成磁性体膜52。在实施例1中已经说明了掩模的其它细节。
在本实施例中，使用掩模10，在衬底54上使发光材料成膜。衬底54是用于EL装置(例如有机EL装置)的，并且是玻璃衬底等透明衬底。如图7A所示，在衬底54上，形成了电极(例如由ITO等构成的透明电极)56、空穴输送层58。须指出的是，也可以形成电子输送层。配置了掩模10，使与衬底54相对的一侧向着凹部14。即使掩模10的平的面向着衬底54一侧。在衬底54的背后配置了磁铁50，吸引在掩模10上形成的磁性体膜52。由此，即使在掩模10上产生翘曲，也能校正。
图7A～图7C是说明发光材料的成膜方法的图。发光材料例如是有机材料，作为低分子材料，有铝的络合物(Alq3)，作为高分子材料，有PPV。能通过蒸镀进行发光材料的成膜。例如，如图7A所示，通过掩模10一边对红色的发光材料刻膜，一边成膜，形成红色发光层60。然后，如图7B所示，把掩模10错开一点，一边对绿色的发光材料刻膜，一边成膜，形成绿色发光层62。然后，如图7C所示，把掩模再错开一点，一边对蓝色的发光材料刻膜，一边成膜，形成蓝色发光层62。
图8A、图8B是表示利用发光材料的成膜方法制造的EL装置的图。EL装置(例如有机EL装置)具有衬底54、电极56、空穴输送层58、发光层60、62、64等。如图8B所示，各发光层60、62、64的上表面为矩形以外的多边形(例如平行四边形)。该形状与掩模10的贯通孔18的形状对应。在实施例1中已经说明了细节。在发光层60、62、64上形成了电极66。电极66例如是阴极电极。EL装置(EL面板)成为显示装置(显示器)。
作为具有本发明的实施例的EL装置的电子机器，在图中9表示了笔记本式个人电脑1000，在图10中表示了移动电话2000。
本发明并不局限于上述的实施例，能有各种变形。例如，本发明包含与实施例中说明的结构在实质上相同的结构(例如，功能、方法以及结果相同的结构或目的以及结果相同的结构)。另外，本发明包含置换了实施例中说明的结构中非本质的部分的结构。另外，本发明包含能取得实施例中说明的结构相同的作用效果或达到同一目的的结构。另外，本发明包含在实施例中说明的结构上附加众所周知的技术的结构。

Claims (32)

1.一种掩模的制造方法，其中，在单晶衬底中，在用镜面指数的{110}表示的表面上，形成了带多个开口的耐蚀刻膜，所述多个开口是各边与用{111}表示的组的面中某一面平行的多边形；
通过蚀刻，在所述开口内，在所述单晶衬底上形成多个贯通孔；
所述蚀刻具有晶面取向依存性，即，对于{111}面的蚀刻速度比对{100}面和{110}面的蚀刻速度慢。
2.根据权利要求1所述的掩模的制造方法，其中，所述单晶衬底的两面是{110}面，
在所述两面上分别形成了带所述多个开口的所述耐蚀刻膜，
从所述单晶衬底的两面使所述蚀刻进行，使由蚀刻形成的凹部贯通，形成各所述贯通孔。
3.根据权利要求2所述的掩模的制造方法，其中，在所述单晶衬底的所述两面上分别形成的所述耐蚀刻膜上，使一面的第一所述开口与另一面的第二所述开口对应形成。
4.根据权利要求3所述的掩模的制造方法，其中，使所述第二开口比所述第一开口小，并且在所述第一开口的投影区域的内侧形成所述第二开口。
5.根据权利要求2所述的掩模的制造方法，其中，各所述开口的形状是平行四边形。
6.根据权利要求5所述的掩模的制造方法，其中，所述单晶衬底的厚度W与所述平行四边形的长边的长度L具有以下关系：
√3×W＜L
7.根据权利要求1～6中任意一项所述的掩模的制造方法，其中，在所述单晶衬底上通过能量射束形成了小贯通孔后，通过所述蚀刻扩大所述小贯通孔，形成所述贯通孔。
8.根据权利要求1～6中任意一项所述的掩模的制造方法，所述单晶衬底的用{110}表示的所述面是通过镜面研磨而成的。
9.根据权利要求1～6中任意一项所述的掩模的制造方法，其中，所述单晶衬底是单晶硅衬底。
10.根据权利要求1～6中任意一项所述的掩模的制造方法，其中，所述耐蚀刻膜是氧化硅以及氮化硅中的任意一种。
11.根据权利要求1～6中任意一项所述的掩模的制造方法，其中，作为蚀刻液，使用有机胺类的碱水溶液以及无机碱水溶液。
12.根据权利要求1～6中任意一项所述的掩模的制造方法，其中，还包含：在形成了所述贯通孔后，在所述单晶衬底上形成磁性体膜。
13.根据权利要求1～6中任意一项所述的掩模的制造方法，其中，还包含如是步骤：在所述单晶衬底的形成所述贯通孔的区域上再形成薄壁部。
14.根据权利要求13所述的掩模的制造方法，其中，避开所述单晶衬底的端部而形成所述薄壁部。
15.根据权利要求13所述的掩模的制造方法，其中，形成所述耐蚀刻膜，使其具有避开了要形成所述薄壁部的区域的第一部分、和配置在要形成所述薄壁部的区域上并且比第一区域薄的第二部分，并且使所述第二部分上具有所述开口；
减小所述耐蚀刻膜的厚度，在第一部分之前除去所述第二部分，通过蚀刻所述单晶衬底的从所述第一部分露出的面，形成所述薄壁部。
16.根据权利要求13所述的掩模的制造方法，其中，形成了所述贯通孔后，形成所述薄壁部。
17.根据权利要求13所述的掩模的制造方法，其中，由没有晶面取向依存性的蚀刻形成所述薄壁部。
18.根据权利要求1～6中任意一项所述的掩模的制造方法，其中，在所述单晶衬底上形成多个所述薄壁部；
在形成了一组的所述贯通孔的各区域上，形成各所述薄壁部。
19.一种掩模，其中，具有由表面、背面是镜面指数{110}面构成的单晶衬底；
在单晶衬底上形成多个贯通孔；
各所述贯通孔的开口的形状是各边与用{111}表示的组的面中某一面平行的多边形；
各所述贯通孔的壁面是{111}面。
20.根据权利要求19所述的掩模，其中，各所述开口形状是平行四边形。
21.根据权利要求20所述的掩模，其中，所述单晶衬底的厚度W与所述平行四边形的长边的长度L具有以下关系：
√3×W＜L
22.根据权利要求19～21中的任意一项所述的掩模，其中，所述单晶衬底是单晶硅衬底。
23.根据权利要求19～21中的任意一项所述的掩模，其中，还具有在所述单晶衬底上形成的磁性体膜。
24.根据权利要求19～21中的任意一项所述的掩模，其中，所述单晶衬底的形成了所述贯通孔的区域上形成了薄壁部。其中，
25.根据权利要求24所述的掩模，其中，所述薄壁部形成在避开所述单晶衬底端部处。
26.根据权利要求24所述的掩模，其中，在所述单晶衬底上形成了多个所述薄壁部，
在形成了一组所述贯通孔的各区域上，形成了各所述薄壁部。
27.一种场致发光装置的制造方法，其中，包含使用权利要求19～21中的任意一个所述的掩模使发光材料成膜的步骤。
28.一种场致发光装置，其中，按权利要求27所述的方法制造。
29.一种场致发光装置，其中，具有多个发光层，各所述的发光层的上表面是矩形以外的多边形；
所述多边形的各角的角度与用镜面指数{111}表示的组的面中的两个面的交叉角度几乎相等。
30.根据权利要求29所述的场致发光装置，其中，所述多边形是平行四边形。
31.一种电子机器，其中，具有权利要求28所述的场致发光装置。
32.一种电子机器，其中，具有权利要求29所述的场致发光装置。
CNB021424985A 2001-09-20 2002-09-20 掩模及其制造方法和电致发光装置及其制造方法 Expired - Lifetime CN1214697C (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001287019A JP3775493B2 (ja) 2001-09-20 2001-09-20 マスクの製造方法
JP2001-287019 2001-09-20
JP2001287019 2001-09-20

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1431851A true CN1431851A (zh) 2003-07-23
CN1214697C CN1214697C (zh) 2005-08-10

Family

ID=19109897

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB021424985A Expired - Lifetime CN1214697C (zh) 2001-09-20 2002-09-20 掩模及其制造方法和电致发光装置及其制造方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US6893575B2 (zh)
JP (1) JP3775493B2 (zh)
KR (1) KR100501974B1 (zh)
CN (1) CN1214697C (zh)
TW (1) TW567393B (zh)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100459222C (zh) * 2004-03-23 2009-02-04 精工爱普生株式会社 掩模及其制法、薄膜图案的形成方法、电光学装置的制法
CN102789125A (zh) * 2012-07-27 2012-11-21 京东方科技集团股份有限公司 用于制作隔垫物的掩模版、隔垫物制作方法、显示装置
CN104465375A (zh) * 2013-09-17 2015-03-25 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 P型鳍式场效应晶体管的形成方法
CN105102668A (zh) * 2013-03-26 2015-11-25 大日本印刷株式会社 蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀掩模的制造方法、及有机半导体元件的制造方法
CN105779935A (zh) * 2012-01-12 2016-07-20 大日本印刷株式会社 蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法
CN107587106A (zh) * 2017-11-02 2018-01-16 京东方科技集团股份有限公司 掩模板、蒸镀掩模板组件、蒸镀设备及掩模板的制作方法
CN108333864A (zh) * 2018-02-28 2018-07-27 京东方科技集团股份有限公司 掩模板、曝光设备及掩模板的制造方法
CN108701776A (zh) * 2016-02-16 2018-10-23 Lg伊诺特有限公司 金属板、沉积用掩模及其制造方法
CN109554663A (zh) * 2013-03-26 2019-04-02 大日本印刷株式会社 蒸镀掩模、带框架的蒸镀掩模、及它们的制造方法
CN110783493A (zh) * 2018-07-26 2020-02-11 永恒光实业股份有限公司 掩模结构及其制造方法及工作件加工系统
CN114481085A (zh) * 2020-10-28 2022-05-13 佳能株式会社 气相沉积掩模和使用气相沉积掩模制造装置的方法

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4092914B2 (ja) * 2001-01-26 2008-05-28 セイコーエプソン株式会社 マスクの製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
JP3775493B2 (ja) * 2001-09-20 2006-05-17 セイコーエプソン株式会社 マスクの製造方法
JP3596502B2 (ja) 2001-09-25 2004-12-02 セイコーエプソン株式会社 マスク及びその製造方法、エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法並びに電子機器
JP3651432B2 (ja) * 2001-09-25 2005-05-25 セイコーエプソン株式会社 マスク及びその製造方法並びにエレクトロルミネッセンス装置の製造方法
JP3856123B2 (ja) * 2002-04-17 2006-12-13 セイコーエプソン株式会社 マスク及びその製造方法、エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法並びに電子機器
GB0306008D0 (en) 2003-03-15 2003-04-23 Qinetiq Ltd Optical device
DE10328261B4 (de) 2003-06-23 2007-10-25 Beiersdorf Ag Desinfizierende Auflage mit Silberbeschichtung und ihre Verwendung
JP3794407B2 (ja) * 2003-11-17 2006-07-05 セイコーエプソン株式会社 マスク及びマスクの製造方法、表示装置の製造方法、有機ｅｌ表示装置の製造方法、有機ｅｌ装置、及び電子機器
JP4441282B2 (ja) * 2004-02-02 2010-03-31 富士フイルム株式会社 蒸着マスク及び有機ｅｌ表示デバイスの製造方法
JP3765314B2 (ja) 2004-03-31 2006-04-12 セイコーエプソン株式会社 マスク、マスクの製造方法、電気光学装置の製造方法および電子機器
KR20050112456A (ko) 2004-05-25 2005-11-30 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
US7692179B2 (en) * 2004-07-09 2010-04-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Nanowire device with (111) vertical sidewalls and method of fabrication
US20070009104A1 (en) * 2004-09-23 2007-01-11 Renkis Martin A Wireless smart camera system and method
JP4375232B2 (ja) * 2005-01-06 2009-12-02 セイコーエプソン株式会社 マスク成膜方法
JP2006199998A (ja) * 2005-01-20 2006-08-03 Seiko Epson Corp 成膜装置、成膜方法
JP2006201538A (ja) * 2005-01-21 2006-08-03 Seiko Epson Corp マスク、マスクの製造方法、パターン形成方法、配線パターン形成方法
JP2006233286A (ja) * 2005-02-25 2006-09-07 Seiko Epson Corp マスク、マスクの製造方法、パターン形成装置、パターン形成方法
US7470622B2 (en) * 2005-06-17 2008-12-30 Hymite A/S Fabrication and use of polished silicon micro-mirrors
JP4285456B2 (ja) 2005-07-20 2009-06-24 セイコーエプソン株式会社 マスク、マスクの製造方法、成膜方法及び電気光学装置の製造方法
KR20130128227A (ko) * 2012-05-16 2013-11-26 삼성전자주식회사 전자소자 탑재용 기판의 제조방법
CN103668056B (zh) * 2013-12-31 2016-04-06 信利半导体有限公司 一种掩膜板及其制作方法
KR102411539B1 (ko) 2015-10-26 2022-06-22 삼성디스플레이 주식회사 마스크 조립체, 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법
KR102424976B1 (ko) 2015-11-12 2022-07-26 삼성디스플레이 주식회사 마스크 조립체, 이를 이용한 표시 장치의 제조장치 및 표시 장치의 제조방법
KR101817246B1 (ko) * 2016-04-22 2018-01-10 (주)포인트엔지니어링 유기발광다이오드용 마스크
CN106435473A (zh) * 2016-11-11 2017-02-22 京东方科技集团股份有限公司 掩模板及其制作方法、有机发光二极管显示器的制作方法
WO2019082739A1 (ja) * 2017-10-27 2019-05-02 大日本印刷株式会社 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法
KR102217996B1 (ko) * 2020-02-12 2021-02-19 풍원정밀(주) 유기 발광 표시 장치용 메탈 마스크 제조방법
KR102220552B1 (ko) * 2020-07-10 2021-02-25 풍원정밀(주) Oled 증착용 메탈 마스크 및 그의 제조방법
JP2022175925A (ja) * 2021-05-14 2022-11-25 キヤノン株式会社 蒸着マスク、及び、有機電子デバイスの製造方法

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3841261A (en) * 1973-01-22 1974-10-15 Gen Motors Corp Self-aligning etch-out spray mask
JPS5379775A (en) 1976-12-24 1978-07-14 Matsushima Kogyo Kk Thin film forming musk
JPS57126967A (en) * 1981-01-29 1982-08-06 Fujitsu Ltd Method for holding mask for film formation
JPH04236758A (ja) * 1991-01-16 1992-08-25 Oki Electric Ind Co Ltd 蒸着用マスク
US5198031A (en) * 1991-08-21 1993-03-30 Derstine Russell L Mask for door hinges
JPH0885868A (ja) 1994-07-20 1996-04-02 Hitachi Ltd 磁気記録媒体及びその製造方法
JPH08176799A (ja) * 1994-12-22 1996-07-09 Nippondenso Co Ltd 選択成膜マスク及びその製造方法
US5883012A (en) * 1995-12-21 1999-03-16 Motorola, Inc. Method of etching a trench into a semiconductor substrate
JP3755228B2 (ja) * 1997-04-14 2006-03-15 株式会社ニコン 荷電粒子線露光装置
US6165269A (en) * 1997-05-07 2000-12-26 Kathe; Robert D. Hardware paint protectors
US6609652B2 (en) * 1997-05-27 2003-08-26 Spheretek, Llc Ball bumping substrates, particuarly wafers
JPH11187214A (ja) 1997-12-24 1999-07-09 Nikon Corp 書画入力装置
JP3024641B1 (ja) 1998-10-23 2000-03-21 日本電気株式会社 シャドウマスク及びその製造方法並びにシャドウマスクを用いた有機ｅｌディスプレイの製造方法
US6469439B2 (en) * 1999-06-15 2002-10-22 Toray Industries, Inc. Process for producing an organic electroluminescent device
JP2001185350A (ja) 1999-12-24 2001-07-06 Sanyo Electric Co Ltd 被着用マスク、その製造方法、エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法
JP2001195009A (ja) * 2000-01-11 2001-07-19 Sony Corp 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ及びその製造方法
JP2002047560A (ja) 2000-07-31 2002-02-15 Victor Co Of Japan Ltd 真空蒸着用マスク、それを用いた薄膜パターンの形成方法及びｅｌ素子の製造方法
JP2002220656A (ja) * 2000-11-22 2002-08-09 Sanyo Electric Co Ltd 蒸着用マスクおよびその製造方法
JP4092914B2 (ja) * 2001-01-26 2008-05-28 セイコーエプソン株式会社 マスクの製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
JP2002313564A (ja) * 2001-04-17 2002-10-25 Nec Corp シャドウマスク、該シャドウマスクの製造方法、およびディスプレイ
JP3740444B2 (ja) * 2001-07-11 2006-02-01 キヤノン株式会社 光偏向器、それを用いた光学機器、ねじれ揺動体
JP3775493B2 (ja) * 2001-09-20 2006-05-17 セイコーエプソン株式会社 マスクの製造方法
JP3596502B2 (ja) * 2001-09-25 2004-12-02 セイコーエプソン株式会社 マスク及びその製造方法、エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法並びに電子機器
JP3651432B2 (ja) * 2001-09-25 2005-05-25 セイコーエプソン株式会社 マスク及びその製造方法並びにエレクトロルミネッセンス装置の製造方法
JP3856123B2 (ja) * 2002-04-17 2006-12-13 セイコーエプソン株式会社 マスク及びその製造方法、エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法並びに電子機器
JP4222035B2 (ja) * 2003-01-20 2009-02-12 セイコーエプソン株式会社 成膜用精密マスク及びその製造方法、エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法、電子機器
JP2005042133A (ja) * 2003-07-22 2005-02-17 Seiko Epson Corp 蒸着マスク及びその製造方法、表示装置及びその製造方法、表示装置を備えた電子機器
JP3794407B2 (ja) * 2003-11-17 2006-07-05 セイコーエプソン株式会社 マスク及びマスクの製造方法、表示装置の製造方法、有機ｅｌ表示装置の製造方法、有機ｅｌ装置、及び電子機器
JP2005179742A (ja) * 2003-12-19 2005-07-07 Seiko Epson Corp マスク、マスクの製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置、及び電子機器
JP2005276480A (ja) * 2004-03-23 2005-10-06 Seiko Epson Corp マスク、マスクの製造方法、薄膜パターンの形成方法、電気光学装置の製造方法および電子機器
JP3765314B2 (ja) * 2004-03-31 2006-04-12 セイコーエプソン株式会社 マスク、マスクの製造方法、電気光学装置の製造方法および電子機器

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100459222C (zh) * 2004-03-23 2009-02-04 精工爱普生株式会社 掩模及其制法、薄膜图案的形成方法、电光学装置的制法
CN105779935A (zh) * 2012-01-12 2016-07-20 大日本印刷株式会社 蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法
CN102789125A (zh) * 2012-07-27 2012-11-21 京东方科技集团股份有限公司 用于制作隔垫物的掩模版、隔垫物制作方法、显示装置
US10597766B2 (en) 2013-03-26 2020-03-24 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Vapor deposition mask, vapor deposition mask preparation body, method for producing vapor deposition mask, and method for producing organic semiconductor element
US10597768B2 (en) 2013-03-26 2020-03-24 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Vapor deposition mask, vapor deposition mask preparation body, method for producing vapor deposition mask, and method for producing organic semiconductor element
CN109913802B (zh) * 2013-03-26 2021-12-21 大日本印刷株式会社 蒸镀掩模、带框架的蒸镀掩模、及它们的制造方法
US10982317B2 (en) 2013-03-26 2021-04-20 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Vapor deposition mask, vapor deposition mask preparation body, method for producing vapor deposition mask, and method for producing organic semiconductor element
CN105102668A (zh) * 2013-03-26 2015-11-25 大日本印刷株式会社 蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀掩模的制造方法、及有机半导体元件的制造方法
CN105102668B (zh) * 2013-03-26 2019-02-19 大日本印刷株式会社 蒸镀掩模、蒸镀掩模准备体、蒸镀掩模的制造方法、及有机半导体元件的制造方法
CN109554663A (zh) * 2013-03-26 2019-04-02 大日本印刷株式会社 蒸镀掩模、带框架的蒸镀掩模、及它们的制造方法
CN109913802A (zh) * 2013-03-26 2019-06-21 大日本印刷株式会社 蒸镀掩模、带框架的蒸镀掩模、及它们的制造方法
TWI671414B (zh) * 2013-03-26 2019-09-11 日商大日本印刷股份有限公司 蒸鍍遮罩、蒸鍍遮罩準備體、蒸鍍遮罩之製造方法、及有機半導體元件之製造方法
CN104465375B (zh) * 2013-09-17 2017-09-29 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 P型鳍式场效应晶体管的形成方法
CN104465375A (zh) * 2013-09-17 2015-03-25 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 P型鳍式场效应晶体管的形成方法
CN108701776A (zh) * 2016-02-16 2018-10-23 Lg伊诺特有限公司 金属板、沉积用掩模及其制造方法
CN108701776B (zh) * 2016-02-16 2020-09-22 Lg伊诺特有限公司 金属板、沉积用掩模及其制造方法
CN107587106A (zh) * 2017-11-02 2018-01-16 京东方科技集团股份有限公司 掩模板、蒸镀掩模板组件、蒸镀设备及掩模板的制作方法
CN108333864A (zh) * 2018-02-28 2018-07-27 京东方科技集团股份有限公司 掩模板、曝光设备及掩模板的制造方法
CN110783493A (zh) * 2018-07-26 2020-02-11 永恒光实业股份有限公司 掩模结构及其制造方法及工作件加工系统
CN114481085A (zh) * 2020-10-28 2022-05-13 佳能株式会社 气相沉积掩模和使用气相沉积掩模制造装置的方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20050051516A1 (en) 2005-03-10
KR100501974B1 (ko) 2005-07-20
KR20030025815A (ko) 2003-03-29
TW567393B (en) 2003-12-21
JP3775493B2 (ja) 2006-05-17
CN1214697C (zh) 2005-08-10
JP2003100452A (ja) 2003-04-04
US6893575B2 (en) 2005-05-17
US20030054646A1 (en) 2003-03-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1214697C (zh) 掩模及其制造方法和电致发光装置及其制造方法
CN1514675A (zh) 掩模及其制造方法、场致发光装置及其制造方法以及电子机器
CN1678145A (zh) 掩模及其制造方法、电光学装置的制造方法和电子设备
CN1242650C (zh) 有机el装置及其制造方法
CN1265333C (zh) 发光显示板及其制造方法
CN1652650A (zh) 气相沉积掩模和有机电致发光显示设备制造方法
CN1719955A (zh) 微透镜的制造方法及有机电致发光元件的制造方法
CN1620203A (zh) 掩模、显示装置、有机电致发光显示装置及它们的制法
CN106876562A (zh) 一种新型微缩化led结构及其制备方法
CN1638580A (zh) 显示装置及其制造方法
CN1822729A (zh) 有机el显示器
CN1901138A (zh) 掩模及其制造方法、掩模芯片及其制造方法以及电子设备
CN1575062A (zh) 发光器件及其制作方法
CN1352407A (zh) 可发射白色光源的有机发光装置及其制作方法
CN1941438A (zh) 半导体发光元件及其制造方法
WO2018120710A1 (zh) Oled显示面板及其制造方法、显示装置
CN1578563A (zh) 蒸镀掩模及制法、显示装置及制法以及具有其的电子机器
CN1674730A (zh) 掩模及其制法、薄膜图案的形成方法、电光学装置的制法
CN1674752A (zh) 发光显示装置
CN1916228A (zh) 掩模及其制法、成膜方法、电光学装置的制法及电子设备
CN1806269A (zh) 光学设备和有机el显示器
CN1672468A (zh) 电致发光元件用密封板和用于制取多个该密封板的基样玻璃基板
CN1518399A (zh) 成膜用精密掩模及其制造方法、电致发光装置及制造方法
CN1249521C (zh) 掩模和其制造方法，以及电发光装置的制造方法
CN1494359A (zh) 掩模及其制造方法、场致发光装置及其制造方法以及电子机器

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20160612

Address after: 100015 Jiuxianqiao Road, Beijing, No. 10, No.

Patentee after: BOE TECHNOLOGY GROUP Co.,Ltd.

Address before: Hongkong, China

Patentee before: BOE Technology (Hongkong) Co.,Ltd.

Effective date of registration: 20160612

Address after: Hongkong, China

Patentee after: BOE Technology (Hongkong) Co.,Ltd.

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: Seiko Epson Corp.

CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20050810

CX01 Expiry of patent term