CN1719955A - 微透镜的制造方法及有机电致发光元件的制造方法 - Google Patents

微透镜的制造方法及有机电致发光元件的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1719955A
CN1719955A CNA2005100688718A CN200510068871A CN1719955A CN 1719955 A CN1719955 A CN 1719955A CN A2005100688718 A CNA2005100688718 A CN A2005100688718A CN 200510068871 A CN200510068871 A CN 200510068871A CN 1719955 A CN1719955 A CN 1719955A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mentioned
lens
lenticule
organic
host material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2005100688718A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100473245C (zh
Inventor
高桑敦司
下田达也
古泽昌宏
三谷忠兴
山口尚登
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Publication of CN1719955A publication Critical patent/CN1719955A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100473245C publication Critical patent/CN100473245C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/10Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B3/00Simple or compound lenses
    • G02B3/0006Arrays
    • G02B3/0037Arrays characterized by the distribution or form of lenses
    • G02B3/0043Inhomogeneous or irregular arrays, e.g. varying shape, size, height
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B3/00Simple or compound lenses
    • G02B3/0006Arrays
    • G02B3/0012Arrays characterised by the manufacturing method
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/875Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/879Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S264/00Plastic and nonmetallic article shaping or treating: processes
    • Y10S264/72Processes of molding by spraying

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Surface Treatment Of Glass (AREA)

Abstract

本发明提供一种光射出效率很高的有机薄膜元件,及以简便方法制造有机薄膜元件的方法,利用该元件制造电光学装置的方法,及制造电子仪器的方法。本发明的有机薄膜元件的制造方法,是在至少一个电极为透明电极的一对薄膜电极间含有有机薄膜的有机薄膜元件制造方法,包括:向基质材料上喷射含有透明电极形成材料的原料液,形成透明电极的工序;和在上述透明电极上形成有机薄膜的工序,从而解决了上述课题。

Description

微透镜的制造方法及有机电致发光元件的制造方法
技术领域
本发明是关于微透镜的制造方法及有机电致发光元件的制造方法。
背景技术
有机电致发光元件(以下称作有机EL元件)是利用流动电流进行自发光的自发光元件,辨认性、耐冲击性优良,并具有所谓比无机EL耗电量低的优良特性。因此,有机EL元件,从这种优良的特性方面考虑,作为下一代的显示装置广受注目。
有机EL元件,典型地讲是由基板/阳极/有机发光层/阴极构成。所以有机元件中。由于构成各层的材料存在折射率差异,所以在层界面处形成全反射。由全反射而关闭在各层内的光,向基板的横向传播后,形成端面发光,在传播工序中产生非辐射消失。结果导致向外部放出的发光量减少,光取出效率例如降低到20%左右。
为了解决此类问题,例如在专利文献1和专利文献2中公开了一种方法,即在有机EL元件上可其周围形成棱镜和微透镜,以提高光取出效率。
[专利文献1]特开2003-282255号公报
[专利文献2]特开2004-39500号公报
然而,上述公报中,通过将模的形状转印在基质材料上形成微透镜。因此,需要根据制造装置设计的类型。作为制造微透镜的其他方法,例如已知有利用喷墨法或光刻蚀技术的制造方法。然而,使用喷墨法不能一次大批量生产微透镜,使用光刻蚀技术,操作工序存在烦杂等不良现象。
发明内容
因此,本发明的目的是提供一种能以简便的方法,高效率地大批量生产微透镜的微透镜的制造方法,及有机电致发光元件的制造方法。
为解决上述课题,本发明提供的微透镜的制造方法,包括向基质材料表面喷射含有形成微透镜材料的,与该基质材料表面亲和性低的液体,并使其紧密附着的工序,和使上述液体固化的工序。
据此,由于基质材料表面上喷射了与材料表面亲和性低的液体,所以液体在基质材料上形成略呈半球状,通过使其固化,得到凸透镜状的微透镜。如上述,由于利用喷射形成微透镜,所以能以简便工序一次形成大量的微透镜,从而可提高生产效率。
上述基质材料优选具有与上述液体的亲和性比上述基质材料表面更低的基底膜。据此,不管基质材料的材质如何,都能形成微透镜。所谓亲和性低的基底膜,优选是疏液性的基底膜。
上述基底膜优选由自组织化单分子膜形成。据此,由于能形成稳定的基底膜,所以能在长时间内使基质材料表面具有疏液性。
上述喷射液体的平均粒径优选在1μm以下。据此可形成微小的微透镜。
上述微透镜的平均直径在5μm以下,根据本发明可形成这种细小的微透镜,进而,例如可形成0.1μm的微透镜。
上述液体与上述基质材料或基底膜的接触角优选在50°以上,由此可形成聚光性更高的微透镜。
本发明的微透镜的制造方法的其他方式,包括在上述基质材料上,经图案化而形成对上述液体亲和性不同的区域的工序;向上述基质材料表面喷射含有形成微透镜材料的液体,并使其附着的工序;和使上述液体固化的工序。
由此,可在所要求的位置上形成位置精度高的微透镜。而且,通过调整形成图案区域的大小,可改变微透镜的大小。
本发明的微透镜的制造方法的另一方式,包括在基质材料表面上,喷射含有形成蚀刻保护膜的材料的,与上述基质材料表面亲和性低的液体,并使其附着,形成具有凸透镜形状蚀刻膜的工序;和通过对形成上述蚀刻膜的上述基质材料进行蚀刻,将上述蚀刻膜的形状转印在上述基质材料上的工序。
据此,由于通过加工基质材料形成微透镜,所以微透镜与基质材料成一体化,所以也就不会因微透镜与基质材料的不同而产生光损失等。
本发明的另一方式是有机电致发光元件的制造方法,是包括在基板上形成第1电极膜的第1工序;在上述第1电极膜上形成至少含有发光层的有机化合物层的第2工序;和在上述有机化合物层上形成第2电极膜的第3工序的有机电致发光元件制造方法,其中,在从上述发光层到上述有机电致发光元件射出面的任一层间或上述射出面上,使用权利要求1~8中任一项所述的微透镜的制造方法形成微透镜。
据此,由于利用上述微透镜的制造方法,所以能以简便方法,有效制造层间或射出面上具有微透镜的,提高了光射出效率的有机电致发光元件。
形成上述微透镜的材料与构成上述微透镜层的材料,优选折射率差在0.05以下,更优选在0.02以下。再优选是形成上述微透镜的材料与构成上述微透镜层的材料,折射率差大致相等。由此可减小因微透镜与形成微透镜层材料的不同,而引起的光损失。
上述形成的微透镜,在上述第1电极上,也可以形成得使由上述发光层射出的光在射出面方向聚光。而且,也可以形成得在上述基板上使由上述发光层射出的光在射出面方向聚光。如上述,通过在层间或基板上形成微透镜,可使发光层射出的光形成聚光,并能提高光射出效率。
根据本发明的有机电致发光元件的制造方法,由上述微透镜构成的层表面粗糙度Ra,例如可在3nm以下,优选可达到1nm以下。
本发明的另一形态是有机电致发光装置,是由一对电极间含有发光层的有机化合物构成的有机电致发光装置,其特征在于,在从上述发光层到射出面间的层上,设置表面粗糙度在3nm以下,优选在1nm以下的,含有微小微透镜组的层。
据此,由于从发光层到射出面间的层上形成微透镜,所以能防止因光在有机化合物层内反射产生的光损失。而且,含有微透镜组的层(以下也称作微透镜层),其表面粗糙度Ra在所定值以下。所以利用微透镜层表面凹凸的影响,可减小从微透镜层到设在上层的层的膜厚变动。
另外,有机化合物中,除了含有发光层外,例如可含有空穴输送层、电子注入层等通常有机电致发光元件中含有的层。
附图说明
图1是用来说明本实施方式的微透镜的制造方法的图。
图2是表示通过本实施方式的制造方法制造的微透镜的实例的图。
图3是用来说明本实施方式的另一例微透镜的制造方法的图。
图4是用来说明设有亲和性的不同区域时,微透镜的制造方法的图。
图5是本发明的微透镜的制造方法的另一例说明图。
图6是用来说明本实施方式有机EL元件制造方法的一例的图。
图7是用来说明本实施方式有机EL元件制造方法的一例的图。
图8是表示通过本实施方式的有机EL元件制造方法制造的有机EL元件另一构成例的图。
图9是表示有机EL装置的一例的图。
图10是表示含有电光学装置(例:有机EL显示装置)的各种电子仪器构成例的图。
图11是表示含有电光学装置(例:有机EL显示装置)的各种电子仪器构成例的图。
图12是表示通过本发明的微透镜的制造方法获得的微透镜的电子显微镜照片。
图中:101-基板,102-微透镜前驱体,103-微透镜,105-基底膜,109-亲液性区域,111-疏液性区域,200-TFT基板,201-基板,203-绝缘膜,205-层间绝缘膜,207-保护膜,209-栅极电极,211-金属配线,213-半导体膜,215-像素电极,300-元件,301-基板,303-透明电极,305-贮格围堰(bank),307-基底膜,309-微透镜,311-空穴输送层,313-有机发光层,315-电子注入层,317-阴极,330-出射面,600-电光学装置,830-移动电话机,831-天线部,832-声音输出部,833-声音输入部,834-操作部,840-摄像机,841-受像部,842-操作部,843-声音输入部,850-计算机,851-摄像机部,852-操作部,860-头部固定式显示器,861-带子,862-光学系统收容部,900-电视机,910-卷起式电视机
具体实施方式
(微透镜的制造方法)
以下参照附图对本发明的微透镜的制造方法进行说明。
图1是用来说明本实施方式微透镜的制造方法的图。
在图1(a)所示基板(基质材料)101的表面上,喷射含有形成微透镜材料的液体,使其附着,形成多个微透镜的前驱体102(以下也称作微透镜前驱体)。
作为喷射含有形成微透镜材料液体的方法,没有特殊限定,但从为形成平均直径1μm以下,优选0.5μm以下的微小的微透镜方面考虑,优选作为平均粒径1μm以下,优选0.5μm以下的粒子,喷雾液体。作为这种喷雾方法,具体有例如液相式喷雾成膜法(Liguid Souree MistedChemical Deposition:LSMCD)。利用此方法,能够容易形成微米级或亚微米级的微小液滴。
此处,作为形成微透镜的材料,只要是固化后,能以透镜发挥功能的透明或半透明材料就可以,没有特殊限定。具体讲,形成微透镜的材料,可根据其用途适当选择,例如可使用钠钙玻璃、硼硅酸玻璃、石英玻璃等无机玻璃类、聚乙烯对酞酸酯、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯等树脂、ZnO、TiO2等金属氧化物、及Si3N等金属氮化物等。也可以是可聚合的单体和聚合引发剂的混合物。还可使用下述透明电极的材料或构成有机化合物层的材料。
作为含有形成微透镜材料的液体,优选是含有分散或溶解了上述类材料的液体,没有特殊限定。但是,优选是与基板101的表面亲和性低的液体。液体与基板101的亲和性是相对的,可根据基板101的种类变动。作为亲和性的指标,虽然没有特殊限定,但是,例如,将有机溶剂用作溶剂时,与基板101的接触角在50°以上,优选60°以上,更优选70°以上。由此可形成聚光性更高的微透镜。
基板101的材质没有特殊限定。可根据用途适当选择。如果基板101是疏液性的,可使用的液体选择幅度也宽。
微透镜103(或微透镜前驱体102)的形状,可通过适当调整液体的浓度及液体与基板101的亲和性程度(接触角),进行调节。
接着,如图1(b)所示,使上述形成的微透镜前驱体固化。由此可一次得到多个凸透镜状的微透镜。固化方法没有特殊限定,可根据使用的材料,进行适当的固化处理。
所形成的多个微透镜的形状及大小,可以是均匀的,也可以如图2(a)和(b)所示那样不均匀的。
另外,在基板101由亲液性材料构成时,即使将液体进行喷雾,附着在基板101上的液体,会在基板101上形成扩展,也有形不成微透镜的形状的情况。在这种情况下,为形成微透镜,作为基底膜105,也可形成疏液性的膜。
图3是用来说明本实施方式微透镜的制造方法的另一例的图。
在图3(a)所示的基板101上形成基底膜105(图3(b))。
基底膜105是调整与液体亲和性的膜,通过适当变更基底膜105的材质,也可调整微透镜的形状。作为形成这种基底膜105的材料,没有特殊限定,可根据微透镜的形状及材料,与液体的接触角、用途等进行适当选择。因此,可以使用与形成微透镜材料亲和性比基板101低的材料,即,疏液性(与液体的接触角)更大的材料。据此,与在基板101上直接形成微透镜的情况比较,可形成形体比更高(高度相对底面长度(L)的比大)的微透镜。作为与液体亲和性的指标,虽然没有特殊限定。但是,例如,将有机溶剂用作含有微透镜形成材料的液体溶剂时,接触角在50°以上,优选60°以上,更优选70°以上的材料为理想。由此可形成聚光性更高的微透镜。作为这样的材料,具体有,例如,氟系树脂等具有疏液性的树脂、聚烯烃等。从基底膜105的稳定性和平滑性优良等方面考虑,优选使用自组织化单分子膜。作为这种疏液性的自组织化膜,例如有氟化烷基硅烷(FAS)等。例如以前所公知的,通过涂布含自组织化单分子膜形成材料的液体,可很容易地形成自组织化单分子膜。
如图3(c)所示,以和上述一样的方法,向基底膜105上喷射液体,并附着形成多个微透镜前驱体102,通过使其固化,得到多个微透镜103。
如上述,通过设置基底膜105,不管基板101的材质如何,都能形成微透镜,并能很容易地调整微透镜的形状。
另外,也可在基板101上形成亲和性不同的区域,即,亲和性高的区域(亲液性区域)和亲和性低的区域(疏液性区域)。
图4是表示用来说明设置亲和性不同区域时,制造微透镜方法的图。
首先,在图4(a)所示的基板101上,形成带有图案的疏液性基底膜105,具体讲,例如,在湿润性良好的基板101一个面上,设置疏液性基底膜105后,通过电子束(Electron Beam:EB)或真空紫外光(VacuumUltra Vilet:VUV)等光,或激光等,除去一部分基底膜105,形成所要的图案的基底膜105。由此可在基板101的表面上形成亲液性区域109和疏液性区域111(图4(b))。
接着,向上述形成所要的图案的基底膜105上,喷射含有微透镜形成材料的液体。由此,如图4(c)所示,可有选择地在亲液性区域109内形成微透镜103。
根据本例,通过适当调整基底膜105的图案,可在所要的位置上形成位置精度高的微透镜。而且通过改变亲液性区域109的大小及形状等,也能调整微透镜的大小及形状。
以下对本发明的微透镜的制造方法的又一种方式进行说明。
图5是用来说明本发明的微透镜的制造方法另一例的图。
本例中,形成蚀刻保护膜,以取代通过喷雾形成微透镜。
首先,在图5(a)所示的基板101上设置和上述一样的基底膜105(图5(b))。接着,如图5(c)所示,在基底膜105上喷射含有形成蚀刻保护膜材料的液体,与基板101表面亲和性低的液体,并使其附着、固化。
此处,作为形成蚀刻保护膜的材料,可根据基板101的材质、蚀刻方法及蚀刻剂种类等作适宜选择。
由此,如图5(d)所示,可将蚀刻保护膜的形状转印在基板101上。由此,能够得到形成一个整体微透镜103的基板101。因此,与使用其他材料形成微透镜103的情况相比,能够减小光损失。
(有机电致发光元件的制造方法)
参照附图,对一例本发明的有机电致发光元件(以下称作有机EL元件)的制造方法进行说明。
图6和图7是用来说明一例本实施方式的有机电致发光元件制造方法的图。
首先,如图6(a)所示,例如通过溅射法等,在基板(基质材料)301的表面上,形成作为阳极的透明电极(第1电极)303。
其中,基板301的材质没有特殊限定,但用光射出面时,例如,使用由玻璃或树脂等构成的透明基板。作为玻璃,可使用钠钙玻璃、蓝板玻璃、硼酸盐玻璃、硅酸盐玻璃、磷酸盐玻璃、磷硅酸盐玻璃、硼硅酸盐玻璃等。作为树脂,可使用聚乙烯对酞酸酯、聚碳酸酯、聚醚砜、多芳基化树脂、聚甲基丙烯酸酯、聚丙烯酸酯、聚苯乙烯等。
另外,在形成透明电极之前,优选通过研磨等对基质材料表面进行表面处理,由此可使用透明电极形成平滑的表面,通过具有凹凸,或避免因电极间距离变短而产生短路等。
作为本实施方式中使用的透明电极形成材料,可使用功函数大,而且获得所要透明电极(透明电极膜)的金属、合金、电传导性化合物,或它们的混合物。具体讲,例如可适当使用不损害透明性厚度的Au、Ag或Al等金属,ITO(Indlum-Tin-Oxide)、SnO2或ZnO等介电性透明材料。作为透明电极的厚度没有特殊限定,例如,100nm~200nm。
如图6(b)所示,通过蒸镀等,由氮化硅形成绝缘膜,随后利用利用蚀刻等除去相当于像素区域的部位,形成由绝缘膜构成的贮格围堰305。
如图6(c)所示,在相当于由该贮格围堰305相互分离形成像素区域的透明电极303上,形成基底膜307。
在此,作为基底膜307,优选是与以后工序形成微透镜原料液(含有微透镜形成材料的液体)的亲和性比透明电极303低的(疏液性更高的)。而且,优选是与微透镜原料液形成的接触角在50°以上,优选60°以上,更优选70°以上的材料。由此可形成聚光性更高的微透镜。基底膜307的材料和/或膜厚,优选是不妨碍电极间(透明电极303和阴极317之间)的电导通。基底膜307的厚度随材料等而不同,没有特殊限定,例如为1~20nm左右。作为用于基底膜307的材料,具体有氟系树脂等疏水性树脂、聚烯烃等。从基底膜307的稳定性和平滑性考虑,优选使用氟化烷基硅烷等疏液性的自组织化单分子膜。
基底膜307的形成方法,随使用的材料不同,也没有特殊限定。例如,根据适当条件使用涂布法、喷射法或溅射法等。
接着,如图6(d)所示,喷射含有微透镜形成材料的液体,使其固化,在基底膜307上形成微透镜309。
具体讲,喷射液体的平均粒径在1μm以下,优选0.5μm以下,优选将液体进行喷雾。由此可形成平均直径5μm以下,优选1μm以下的微小的微透镜309。作为这样的喷雾法,具体讲,例如有液相式喷雾成膜法(Liquid Source Misted Chemical Deposition:LSMCD)。根据这种方法,能够容易地形成微米级或亚微米级的微小液滴。
在此,作为微透镜的形成材料,优选是固化后能发挥透镜功能的透明或半透明材料。具体讲,例如使用具有导电性的透明或半透明材料。作为这种材料的一个实例。优选使用与透明电极303构成材料相同的材料(例:ITO等)。如下述,微透镜309形成在玻璃基板301上时,没有必要是导电性的。
接着如图7(e)所示,通过蒸镀等形成空穴输送层311。
作为构成空穴输送层311的材料(空穴输送材料),例如有三唑衍生物、噁二唑衍生物、咪唑衍生物、聚芳基烷烃衍生物、吡唑啉衍生物、吡唑啉酮衍生物、苯二胺衍生物、芳胺衍生物、氨取代烷烃衍生物、噁唑衍生物、苯乙烯基蒽衍生物、氟润滑酯衍生物、腙衍生物、芪衍生物、硅氨烷衍生物、聚硅烷系化合物、苯胺系共聚物、噻吩低聚物等特定的导电性高分子低聚物等。
如图7(f)所示,通过蒸镀或喷墨法等,在空穴输送层311上形成有机发光层313。
作为构成有机发光层313的材料(有机发光材料),例如有苯并噻唑系、苯并咪唑系、苯并噁唑系等荧光增白剂、金属螯合化(oxynoid)化合物、苯乙烯基苯化合物、二苯乙烯基吡嗪衍生物、芳香族二甲氧乙吡啶化合物等。有机发光层313,除了只由有机发光材料形成外,还可以利用有机发光材料和空穴输送、材料和/或电子注入材料的混合物形成。作为此时的有机发光层313材料的具体例,有向聚甲基甲基丙烯酸酯、双酚A、聚碳酸酯(PC)等聚合物中分散了香豆素等有机发光材料的分子分散聚合物系、在聚碳酸酯骨架中导入二苯乙烯基苯衍生物的聚合物系、或者在聚苯撑乙烯(PPV)衍生物系、聚烷基噻吩(PAT)衍生物系。聚烷基芴(PAF)衍生物系、聚苯撑(PP)衍生物系、及聚芳烯(PA)衍生物系等共轭聚合物中等、或向空穴输送性的聚乙烯咔唑中分散中电子注入性的噁二唑系衍生物的体系等。
如图7(g)所示,通过蒸镀在有机发光层313上形成电子注入层315。
作为电子注入层315的材料(电子注入材料),例如有硝基取代氟润滑脂衍生物、蒽醌二甲烷衍生物、二苯醌衍生物、硫吡喃二氧化物衍生物、萘苝等杂环四羧酸酐、碳化二亚胺、芴叉甲烷衍生物、蒽醌二甲烷衍生物、蒽酮衍生物、噁二唑衍生物、8-羟基喹啉衍生物、其他电子传达性化合物等。
如图7(h)所示,通过蒸镀或溅射法,在电子注入层315上形成阴极层(阴极)317,得到有机EL元件。
作为阴极层317的材料,可以使用功函数小的金属、合金、电传导性化合物,或它们的混合物,具体讲,可以适当使用钠、镁、锂、镁和银的合金或混合金属、铟、稀土类金属等。
根据本实施方式的有机EL元件的制造方法,如上述,以雾状喷射的微小粒径原料液(微透镜形成材料)附着在疏液性基质材料上,可以容易地形成微小的微透镜。通过将这种微小的微透镜设在有机EL元件的层间,与将微透镜与每个有机EL元件对应形成的情况比较,不要求微透镜配置时的位置精度,而且,可降低由有机EL元件的层间折射率不同而引起的光损失。
在上述实例中,虽然在基底膜307上形成微透镜309,但在透明电极303自身与原料液的亲和性低时,也可以不使用基底膜307。将基底膜307图案形成,通过形成亲液性区域和疏液性区域,也可以形成微透镜309。这种情况下,为了减小微透镜309和形成下层的透明电极303之间的光损失,微透镜形成材料与透明电极303的折射率差在0.05以下,优选在0.02以下。进而优选是微透镜形成材料和构成透明电极303材料的折射率大致相等。在玻璃基板上形成微透镜时,如上述,也可以通过对玻璃基板进行蚀刻,形成微透镜。
另外,在上述例中,微透镜309形成在透明电极303和空穴输送层311之间。然而,并不限于此,如图8(a)和(b)所示,微透镜309也可以形成在从有机发光层313到射出面330的任何一个层间或射出面330上。
而且,上述例中,将在光射出面一侧(射出面侧)的基板301上形成层叠的情况作为实例进行了说明,但不限于此,在与光射出面相反一侧的基板上形成层叠的情况,也由同样的方法,在构成有机EL元件的层间形成微透镜。这时的基板可以是半透明或不透明的基板。在基板内也可以形成驱动有机EL元件的晶体管等。
有机EL元件层的构成,没有仅限于上述实例,例如,可以采用以下(1)~(8)的构成。下述(1)~(8)中依次所述了向基板上进行层叠的层构成。
(1)阳极(透明电极)/空穴输送层/有机发光层/电子注入层/阴极(镜面电极)
(2)阳极(透明电极)/空穴输送层/有机发光层/阴极(镜面电极)
(3)阳极(透明电极)/有机发光层/电子注入层/阴极(镜面电极)
(4)阳极(透明电极)/空穴输送层/有机发光层/接合层/阴极(镜面电极)
(5)阳极(透明电极)/有机发光层/阴极(镜面电极)
(6)阳极(透明电极)/空穴输送材料·有机发光材料·电子注入材料的混合层/阴极(镜面电极)
(7)阳极(透明电极)/空穴输送材料·有机发光材料的混合层/阴极(镜面电极)
(8)阳极(透明电极)/有机发光材料·电子注入材料的混合层/阴极(镜面电极)
除上述外,根据需要,也可以含有空穴注入层、电子输送层等其他层。关于这些层使用的材料,没有特殊限定。
(电光学装置及电子仪器)
本发明的微透镜的制造方法及有机EL元件的制造方法,适宜利用电光学装置的电子仪器的制造方法。即,在电光学装置和电子仪器的制造方法中,利用上述有机EL元件(有机薄膜元件)的制造方法时,可以以简便的工序提供寿命长的电光学装置和电子仪器。
在此,所谓电光学装置,是利用电光效应的装置,例如有有机EL显示装置。
图9示出一例有机EL装置。如图9所示,例如,在上述制造的有机EL元件300中,通过组合形成了薄膜晶体管的基板(以下也称作TFT基板)200,可形成有机EL装置。而且,TFT基板200主要是在玻璃等基板201上,由半导体膜213、绝缘膜203、栅极电极209、层间绝缘膜205、金属配线211、保护膜207、像素电极215构成。
构成有机EL装置的有机EL元件300的数量,可以是1个,也可以是多个。设置多个有机EL元件300时,各有机EL元件300的发光色,可以相同,也可以不同,将1种或多种有机EL元件300形成所要求的形状,以使有机EL装置整体的发光色形成所要求的颜色。例如,将有机EL装置整体的发光色形成白色时,可将发红色的有机EL元件300、发绿色光的有机EL元件、和发蓝色光的有机EL元件,配置成线条型、嵌镶型、三角形型、4像素配置型等。各个有机EL元件300的发光色,由于根据有机发光材料的种类变化,所以适当选择所用的有机发光材料的种类,使有机EL装置整体的发光色形成所要求的颜色。
另外,在上述例中,虽然将顶部发射型的有机EL显示装置作为示例。但不限于此,也可以是底部发射型的。
上述有机EL元件虽然形成在基板上,但有机EL元件一般惧怕水分,所以可以形成1层或2层以上的保护层,覆盖住基板上形成的有机EL元件,以防止水分浸入有机EL元件中。
这种有机EL显示装置可用于各种电子仪器。图10和图11是含有电光学装置600(例:有机EL显示装置)而构成的各种电子仪器的实例的图。
图10(A)是适用于移动电话机的实例,该移动电话机830备有天线部831、声音输出部832、声音输入部833、操作部834、以及本发明的电光学装置600。图10(B)是适用于摄像机的实例。该摄像机840备有受像部841、操作部842、声音输入部843、以及电光学装置600。图10(C)是适用于携带型个人计算机(所谓PDA)的实例,该计算机850备有摄像机部851、操作部852、和电光学装置600。图10(D)是适用于头部固定式显示器的实例,该头部固定式显示器860备有带子861、光学形态收容部862、以及电光学装置600。
图11(A)是适用于电视机的实例。该电视机900备有电光学装置600。对于个人计算机等使用的监视装置同样可适用该电光学装置600。图11(B)是适用于卷起式电视机的实例,该卷起式电视机910备有电光学装置600。
另外,在上述例中,作为一例电光学装置,虽举出了有机EL显示装置,但不限于此,也能适用于使用其他各种电光学元件(例如,等离子体发光元件、电泳动元件、液晶元件等)而构成的电光学装置的制造方法。而且,电光学装置,并不限于上述实例,也可用于面光源、液晶显示装置或时钟的背照光、字符显示装置、电饰用装置、车载用指示器、复印机的除电用光源、打印机用光源、光调变装置等电子仪器。
实施例
实施例1
首先,作为基质材料,准备了在25×75×1.1mm的透明玻璃基板上,通过溅射法成膜了作为阳极的ITO(Indium-Tin:Oxide)膜的。这时,溅射后的平均表面粗糙度Ra为7.33nm。接着,在ITO膜上,通过涂布含有氟化烷基硅烷(FAS)的溶液,形成了备有疏液性的基底膜。接着,通过LSMCD法,在基底膜上附着含有微透镜形成材料的液体(原料液),形成了微透镜前驱体。这时,作为形成微透镜的材料,和形成阳极的材料一样使用ITO,作为溶剂使用了酯酸丁酯。随后,通过将微透镜前驱体进行干燥、退火,得到了微透镜,由于FAS与原料液的亲和性低,不会在表面上一样地润湿扩展,而形成凸透镜状的微小透镜。溅射后的ITO膜表面,平坦性虽不太好,但由LSMCD法,通过形成微透镜,也改善了ITO膜表面的平坦性。
图12中示出所得的微透镜的电子显微镜照片。
之后,通过在微透镜层上形成空穴输送层/有机发光层/阴极,得到了有机EL元件。以下对空穴输送层/有机发光层/阴极的形成方法进行说明。
首先将上述形成ITO膜的玻璃基板固定在真空蒸镀装置的基板夹持器上,向钼制的电阻加热舟内,加入200mg N,N’-二苯基-N,N’-二-(3-甲苯基)-[1,1’-联苯基]-4,4’-二胺(以下称TPD),在另一个钼制的电阻加热舟内,加入200mg三(8-羟基喹啉)铝(以下称Alq),将真空室内减压到1×10-4pa。
接着,将加入TPD的前期电阻加热舟加热到215~220℃,以蒸镀速度0.1~0.3nm/秒,使TPD沉积在ITO膜上,形成了厚度60nm的空穴输送层膜。此时的基板温度为室温。接着,将形成空穴输送层膜的基板,从真空室不取出,而继续进行有机发光层的成膜。有机发光层的成膜是将加入Alq的电阻加热舟加热到275℃,以蒸镀速度0.1~0.2nm/秒,使Alq沉积在空穴输送层上,形成了厚度50nm的Alq层膜。此时的基板温度仍为室温。接着,在钼制的电阻加热舟内加入1g镁,在另一个钼制的电阻加热舟内加入500mg铟,将真空室内减压到2×10-4pa。之后,将加入镁的钼制电阻加热舟加热到500℃左右,以1.7~2.8nm/秒蒸镀速度蒸发镁,同时将加入铟的钼制电阻加热舟加热到800℃,以0.03~0.08nm/秒的蒸镀速度蒸发铟,在有机发光层上由镁和铟的混合金属形成了厚度150nm的阴极膜(镜面电极)。由此,得到基板上形成了阳极(ITO膜)/空穴输送层/有机发光层/阴极的有机EL元件。
实施例2
首先,作为基质材料在25×75×1.1nm的透明玻璃基板上,通过涂布含有氟化烷基硅烷(FAS)的溶液,形成了备有疏液性的基底膜。接着利用LSMCD法,将含有微透镜形成材料的液体(原料液)附着在基底膜上,形成了微透镜的前驱体。这时,作为微透镜形成材料,使用酯酸丁酯中分散了SiO2的分散液。随后,将微透镜前驱体进行干燥、退火,得到了微透镜。FAS与原料液的亲和性低,所以在表面上不能一样湿润扩展,而可以形成凸透镜状的微小透镜。随后,通过LSMCD法,在微透镜阵列层上形成含有ITO(Indium-Tin-Oxide)的原料液膜,通过干燥、退火得到作为阳极的透明电极。通过由LSMCD法形成ITO膜,就可以形成了表面平坦的ITO膜。
随后,通过在微透镜层上形成空穴输送层/有机发光层/阴极,得到了有机EL元件。
实施例3
首先,作为基质材料在25×75×1.1mm的透明明玻璃基板上,通过涂布含有氟化烷基硅烷(FAS)的溶液,形成了备有疏液性的基底膜。接着,通过LSMCD法,在基底膜上附着含有蚀刻保护膜形成材料的液体(原料液),形成了多个备有凸透镜形状的蚀刻保护膜。其中,作为蚀刻保护膜的形成材料,使用了ITO。随后,通过将蚀刻保护膜的图案转印在玻璃基板上,得到了形成一个整体微透镜的玻璃基板。接着,由LSMCD法,在微透镜阵列层上形成含有ITO(Indium-Tin-Oxide)的原料液膜,干燥、退火后,得到了作为阳极的透明电极。通过由LSMCD法形成ITO膜,就可以形成了表面平坦的ITO膜。
随后,在微透镜层上形成空穴输送层/有机发光层/阴极,得到了有机EL元件。
实施例4
首先,作为基质材料在25×75×1.1mm透明玻璃基板上,涂布含有氟化烷基硅烷(FAS)的溶液,形成了备有疏液性的基底膜。接着利用VUV光对基底膜进行掩模曝光,进行图案形成,分成亲液性区域和疏液性区域。随后,由LSMCD法,在形成图案的基底膜上,形成了在醋酸丁酯中分散了SiO2原料液的膜。这时,SiO2有选择地沉积在亲液性区域内。之后,通过干燥、退火,得到了微透镜。接着,由LSMCD法,在上述微透镜层状上,形成含有ITO(Indium-Tin-Oxide)的原料液膜,通过干燥、退火,得到了作为阳极的透明电极。通过利用LSMCD法形成ITO膜,就可以形成了表面平坦的ITO膜。
随后,通过在微透镜层上形成空穴输送层/有机发光层/阴极,得到了有机EL元件。
本实施例中,由于根据亲液性区域和疏液性区域的图案而形成SiO2,所以能容易地控制表面形状。

Claims (13)

1.一种微透镜的制造方法,其特征在于,包括向基质材料表面上喷射含有形成微透镜材料的,与上述基质材料表面亲和性低的液体,并使其附着的工序;和使上述液体固化的工序。
2.根据权利要求1所述的微透镜的制造方法,其特征在于,上述基质材料具有与上述液体的亲和性比上述基质材料表面低的基底膜。
3.根据权利要求2所述的微透镜的制造方法,其特征在于,上述基底膜由自组织化单分子膜形成。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的微透镜的制造方法,其特征在于,上述喷射液体的平均粒子径在1μm以下。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的微透镜的制造方法,其特征在于,上述微透镜的平均直径在5μm以下。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的微透镜的制造方法,其特征在于,上述液体与上述基质材料或上述基底膜的接触角在50°以上。
7.一种微透镜的制造方法,其特征在于,包括:
在上述基质材料上,图案化而形成对上述液体亲和性不同区域的工序;
在上述基质材料表面上喷射含有形成微透镜材料的液体,并使其附着的工序;和
使上述液体固化的工序。
8.一种微透镜的制造方法,其特征在于,包括:在基质材料的表面上,喷射含有形成蚀刻保护膜材料的,与上述基质材料表面亲和性低的液体,并使其附着形成具有凸透镜形状的蚀刻膜的工序;和
通过对上述形成蚀刻膜的上述基质材料进行蚀刻,将上述蚀刻膜的形状转印在上述基质材料上的工序。
9.一种有机电致发光元件的制造方法,是含有:第一工序,在基板上形成第1电极膜;第二工序,在上述第1电极膜上形成至少含有发光层的有机化合物层;和第三工序,在上述有机化合物层上形成第2电极膜的有机电致发光元件的制造方法,其特征在于,
在从上述发光层到上述有机电致发光元件射出面的任何层间或射出面上,利用权利要求1~8中任一项所述的微透镜的制造方法,形成微透镜。
10.根据权利要求9所述的有机电致发光元件制造方法,其特征在于,形成上述微透镜的材料与构成上述微透镜层的材料,其折射率差在0.05以下。
11.根据权利要求9所述的有机电致发光元件制造方法,其特征在于,形成上述微透镜的材料与构成上述微透镜层的材料,其折射率大致相等。
12.根据权利要求9或11所述的有机电致发光元件制造方法,其特征在于,形成的上述微透镜,使从上述发光层射出的光沿射出面方向聚光在上述第1电极上。
13.根据权利要求9~12中任一项所述的有机电致发光元件的制造方法,其特征在于,形成的上述微透镜,使从上述发光层射出的光沿射出面方向聚光在上述基板上。
CNB2005100688718A 2004-07-09 2005-05-12 微透镜的制造方法及有机电致发光元件的制造方法 Expired - Fee Related CN100473245C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004203923 2004-07-09
JP2004203923A JP4340199B2 (ja) 2004-07-09 2004-07-09 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1719955A true CN1719955A (zh) 2006-01-11
CN100473245C CN100473245C (zh) 2009-03-25

Family

ID=35541068

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2005100688718A Expired - Fee Related CN100473245C (zh) 2004-07-09 2005-05-12 微透镜的制造方法及有机电致发光元件的制造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7674407B2 (zh)
JP (1) JP4340199B2 (zh)
KR (1) KR100740965B1 (zh)
CN (1) CN100473245C (zh)
TW (1) TWI292491B (zh)

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100456527C (zh) * 2006-11-15 2009-01-28 吉林大学 一种改善平板发光器件耦合出光效率的方法
CN102210036A (zh) * 2008-11-07 2011-10-05 欧司朗光电半导体有限公司 用于制造发射辐射的有机器件的方法和发射辐射的有机器件
CN102368540A (zh) * 2011-08-22 2012-03-07 友达光电股份有限公司 有机发光二极管结构与光学膜的制作及使用方法
CN102388440A (zh) * 2009-04-10 2012-03-21 松下电器产业株式会社 用于处理基板的方法、用于生产半导体芯片的方法和用于生产具有树脂粘结剂层的半导体芯片的方法
CN102573165A (zh) * 2010-09-14 2012-07-11 株式会社半导体能源研究所 固态发光元件、发光装置和照明装置
CN102650710A (zh) * 2011-02-25 2012-08-29 富士康(昆山)电脑接插件有限公司 光波导结构及其制造方法
CN104241543A (zh) * 2013-06-05 2014-12-24 环球展览公司 发光装置及其制造方法
CN104538563A (zh) * 2015-01-16 2015-04-22 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置
CN104701350A (zh) * 2015-03-03 2015-06-10 京东方科技集团股份有限公司 电极及其制作方法、阵列基板及其制作方法
CN104749665A (zh) * 2015-04-08 2015-07-01 哈尔滨工业大学深圳研究生院 基于介质材料的平面透镜单元、平面透镜及制备方法
CN106784365A (zh) * 2016-11-28 2017-05-31 武汉华星光电技术有限公司 Oled显示装置及其制作方法
CN108389877A (zh) * 2018-02-09 2018-08-10 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 薄膜封装结构及其制作方法和显示面板
CN109524567A (zh) * 2018-11-30 2019-03-26 华南理工大学 一种基于喷涂工艺制备光取出微透镜提升双注入型发光二极管光取出率的方法
CN109546005A (zh) * 2018-12-07 2019-03-29 京东方科技集团股份有限公司 显示模组及其制备方法
CN109841751A (zh) * 2017-11-28 2019-06-04 乐金显示有限公司 有机发光器件的照明装置
CN110137386A (zh) * 2019-04-17 2019-08-16 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled器件的制备方法、oled器件及显示装置
CN111933824A (zh) * 2020-07-06 2020-11-13 华南理工大学 一种作为光取出层的微透镜、散射层及其制备方法
CN113066916A (zh) * 2021-03-05 2021-07-02 致晶科技(北京)有限公司 制备凸面微透镜的方法和制造白光led器件的方法
WO2024060783A1 (en) * 2022-09-21 2024-03-28 Huawei Technologies Co., Ltd. Organic electroluminescent device and organic electroluminescent display

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005062271B3 (de) * 2005-12-24 2007-03-08 Leoni Ag Verfahren zum Aufbringen von Material auf ein Bauteil sowie Bauteil
JP2007311236A (ja) * 2006-05-19 2007-11-29 Seiko Epson Corp デバイス、膜形成方法及びデバイスの製造方法
JP4464370B2 (ja) 2006-06-07 2010-05-19 株式会社日立製作所 照明装置及び表示装置
TWI306954B (en) * 2006-07-04 2009-03-01 Ind Tech Res Inst Method for fabricating an array of microlenses on an electro-optic device is disclosed
KR101300814B1 (ko) 2006-11-07 2013-08-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 디스플레이 및 이의 제조 방법
US20080190378A1 (en) * 2007-02-08 2008-08-14 Lance Tracy Hand-Held Transmitter for Animal Controller
JP5224835B2 (ja) 2007-02-09 2013-07-03 国立大学法人東京工業大学 有機el素子およびその製造方法、ならびに有機el素子の評価方法
EP2439806B1 (en) * 2007-03-30 2014-01-15 The Regents of the University of Michigan OLED with improved light outcoupling
US9508957B2 (en) 2007-03-30 2016-11-29 The Regents Of The University Of Michigan OLED with improved light outcoupling
JP5131166B2 (ja) * 2008-11-20 2013-01-30 凸版印刷株式会社 El素子
KR100970482B1 (ko) * 2008-12-04 2010-07-16 삼성전자주식회사 유기 발광소자 및 그 제조방법
JP2010157421A (ja) * 2008-12-26 2010-07-15 Panasonic Electric Works Co Ltd 有機el発光装置
JP5287356B2 (ja) * 2009-03-02 2013-09-11 凸版印刷株式会社 El素子、並びにそれを用いた表示装置、ディスプレイ装置及び液晶ディスプレイ装置
JP5694692B2 (ja) * 2009-06-30 2015-04-01 きそミクロ株式会社 光改質用光学部材およびその製造方法、植物の育成方法、ならびに植物育成用装置
WO2011045904A1 (ja) * 2009-10-15 2011-04-21 パナソニック株式会社 表示パネル装置、表示装置および表示パネル装置の製造方法
KR101218133B1 (ko) * 2010-04-27 2013-01-18 엘지디스플레이 주식회사 마이크로 렌즈의 제조방법 및 마이크로 렌즈를 구비한 태양전지
JP5835216B2 (ja) 2010-05-26 2015-12-24 コニカミノルタ株式会社 光取り出しシート、有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置
US8687145B2 (en) 2010-08-13 2014-04-01 Lg Chem, Ltd. Organic electroluminescent device and method for fabricating the same
TWI425250B (zh) * 2010-11-19 2014-02-01 Univ Nat Chiao Tung 微透鏡的製作方法
JP5827104B2 (ja) 2010-11-19 2015-12-02 株式会社半導体エネルギー研究所 照明装置
US9434641B2 (en) 2010-11-29 2016-09-06 Corning Incorporated Method for protecting glass surface using long-chain organic material
JP5741114B2 (ja) * 2010-12-27 2015-07-01 セイコーエプソン株式会社 時計用文字板および時計
US9991463B2 (en) * 2012-06-14 2018-06-05 Universal Display Corporation Electronic devices with improved shelf lives
KR101447216B1 (ko) * 2012-07-20 2014-10-06 주식회사 창강화학 산란체를 포함하는 렌즈 어레이 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
KR20140017109A (ko) * 2012-07-30 2014-02-11 한국전자통신연구원 유기발광소자 및 그 제조방법
CN103715363A (zh) * 2012-10-08 2014-04-09 东莞万士达液晶显示器有限公司 有机发光二极管封装结构以及于基板上制作凹穴的方法
WO2014069565A1 (ja) * 2012-10-31 2014-05-08 昭和電工株式会社 有機el素子並びにそれを備えた画像表示装置及び照明装置
KR102278454B1 (ko) * 2012-11-30 2021-07-19 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 하이브리드 편광자를 갖는 발광 디스플레이
FR3006108B1 (fr) * 2013-05-22 2016-12-02 Electricite De France Procede de fabrication d'un dispositif photosensible
JP6176449B2 (ja) * 2013-10-24 2017-08-09 富士ゼロックス株式会社 レンズアレイ製造方法
CN104808267A (zh) * 2015-05-08 2015-07-29 南昌航空大学 一种oled照明光提取膜
US11127916B2 (en) 2016-03-03 2021-09-21 Pioneer Corporation Light emitting device
CN111699430B (zh) * 2018-01-29 2022-07-22 应用材料公司 用于光学器件增强的润湿层
KR102670698B1 (ko) 2018-09-21 2024-05-30 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치와 그의 제조 방법
US11588137B2 (en) 2019-06-05 2023-02-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Functional panel, display device, input/output device, and data processing device
US11659758B2 (en) 2019-07-05 2023-05-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display unit, display module, and electronic device
WO2021009587A1 (ja) 2019-07-12 2021-01-21 株式会社半導体エネルギー研究所 機能パネル、表示装置、入出力装置、情報処理装置
US11997766B2 (en) 2019-10-11 2024-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Functional panel, display device, input/output device, and data processing device
KR20230100167A (ko) * 2021-12-28 2023-07-05 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03252603A (ja) 1990-03-02 1991-11-11 Ricoh Co Ltd 微小集光素子の作製方法
TW223105B (zh) 1990-11-09 1994-05-01 Ajinomoto Kk
JPH05136460A (ja) 1991-06-19 1993-06-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd マイクロレンズ形成方法
US5316640A (en) * 1991-06-19 1994-05-31 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Fabricating method of micro lens
JP2843925B2 (ja) 1991-06-24 1999-01-06 パイオニア株式会社 有機el素子
US6116516A (en) * 1996-05-13 2000-09-12 Universidad De Sevilla Stabilized capillary microjet and devices and methods for producing same
JPH10223367A (ja) 1997-02-04 1998-08-21 Mitsubishi Chem Corp 有機電界発光素子
JPH11354271A (ja) 1998-06-05 1999-12-24 Canon Inc 感光材料書込み装置
JP4275233B2 (ja) 1999-01-06 2009-06-10 大日本印刷株式会社 光学素子およびその製造方法
JP2002237383A (ja) 2000-03-31 2002-08-23 Seiko Epson Corp 有機el素子の製造方法、有機el素子
TW490997B (en) * 2000-03-31 2002-06-11 Seiko Epson Corp Method of manufacturing organic EL element, and organic EL element
CN1203367C (zh) * 2000-07-03 2005-05-25 精工爱普生株式会社 穿透型屏幕的制造方法及穿透型屏幕
US6402996B1 (en) * 2000-10-31 2002-06-11 Eastman Kodak Company Method of manufacturing a microlens and a microlens array
KR100877708B1 (ko) * 2001-03-29 2009-01-07 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 패턴 형성체의 제조 방법 및 그것에 사용하는 포토마스크
JP4766218B2 (ja) * 2001-07-09 2011-09-07 セイコーエプソン株式会社 有機elアレイ露光ヘッドとその作製方法及びそれを用いた画像形成装置
US6984934B2 (en) * 2001-07-10 2006-01-10 The Trustees Of Princeton University Micro-lens arrays for display intensity enhancement
JP2003098316A (ja) 2001-09-20 2003-04-03 Seiko Epson Corp 光学基板及びその製造方法並びに光学装置
JP2003167534A (ja) * 2001-09-21 2003-06-13 Seiko Epson Corp 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
JP2003282255A (ja) 2002-03-22 2003-10-03 Seiko Epson Corp 表示装置
JP2004039500A (ja) 2002-07-04 2004-02-05 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法及び電子機器

Cited By (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100456527C (zh) * 2006-11-15 2009-01-28 吉林大学 一种改善平板发光器件耦合出光效率的方法
CN102210036A (zh) * 2008-11-07 2011-10-05 欧司朗光电半导体有限公司 用于制造发射辐射的有机器件的方法和发射辐射的有机器件
US8734196B2 (en) 2008-11-07 2014-05-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing an organic radiation-emitting component and organic radiation-emitting component
CN102210036B (zh) * 2008-11-07 2016-11-09 欧司朗Oled股份有限公司 用于制造发射辐射的有机器件的方法和发射辐射的有机器件
CN102388440A (zh) * 2009-04-10 2012-03-21 松下电器产业株式会社 用于处理基板的方法、用于生产半导体芯片的方法和用于生产具有树脂粘结剂层的半导体芯片的方法
US9356209B2 (en) 2010-09-14 2016-05-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Solid-state light-emitting element, light-emitting device, and lighting device
CN102573165A (zh) * 2010-09-14 2012-07-11 株式会社半导体能源研究所 固态发光元件、发光装置和照明装置
US9876151B2 (en) 2010-09-14 2018-01-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Solid-state light-emitting element, light-emitting device, and lighting device
CN102573165B (zh) * 2010-09-14 2016-06-22 株式会社半导体能源研究所 固态发光元件、发光装置和照明装置
CN102650710A (zh) * 2011-02-25 2012-08-29 富士康(昆山)电脑接插件有限公司 光波导结构及其制造方法
CN102368540A (zh) * 2011-08-22 2012-03-07 友达光电股份有限公司 有机发光二极管结构与光学膜的制作及使用方法
US10468633B2 (en) 2013-06-05 2019-11-05 Universal Display Corporation Microlens array architectures for enhanced light outcoupling from an OLED array
US10886503B2 (en) 2013-06-05 2021-01-05 Universal Display Corporation Microlens array architectures for enhanced light outcoupling from an OLED array
CN104241543B (zh) * 2013-06-05 2019-02-15 环球展览公司 发光装置及其制造方法
CN104241543A (zh) * 2013-06-05 2014-12-24 环球展览公司 发光装置及其制造方法
CN104538563A (zh) * 2015-01-16 2015-04-22 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示面板及显示装置
CN104701350A (zh) * 2015-03-03 2015-06-10 京东方科技集团股份有限公司 电极及其制作方法、阵列基板及其制作方法
CN104749665B (zh) * 2015-04-08 2016-08-24 哈尔滨工业大学深圳研究生院 基于介质材料的平面透镜单元、平面透镜及制备方法
CN104749665A (zh) * 2015-04-08 2015-07-01 哈尔滨工业大学深圳研究生院 基于介质材料的平面透镜单元、平面透镜及制备方法
US10276832B2 (en) 2016-11-28 2019-04-30 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Oled display and manufacturing method thereof
CN106784365A (zh) * 2016-11-28 2017-05-31 武汉华星光电技术有限公司 Oled显示装置及其制作方法
CN109841751A (zh) * 2017-11-28 2019-06-04 乐金显示有限公司 有机发光器件的照明装置
US10892445B2 (en) 2017-11-28 2021-01-12 Lg Display Co., Ltd. Light apparatus for organic light emitting device
CN109841751B (zh) * 2017-11-28 2021-05-11 乐金显示有限公司 有机发光器件的照明装置
CN108389877B (zh) * 2018-02-09 2020-12-25 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 薄膜封装结构及其制作方法和显示面板
CN108389877A (zh) * 2018-02-09 2018-08-10 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 薄膜封装结构及其制作方法和显示面板
CN109524567A (zh) * 2018-11-30 2019-03-26 华南理工大学 一种基于喷涂工艺制备光取出微透镜提升双注入型发光二极管光取出率的方法
CN109546005A (zh) * 2018-12-07 2019-03-29 京东方科技集团股份有限公司 显示模组及其制备方法
US10964917B2 (en) 2018-12-07 2021-03-30 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display module and method for preparing the same
CN110137386A (zh) * 2019-04-17 2019-08-16 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled器件的制备方法、oled器件及显示装置
CN111933824A (zh) * 2020-07-06 2020-11-13 华南理工大学 一种作为光取出层的微透镜、散射层及其制备方法
CN113066916A (zh) * 2021-03-05 2021-07-02 致晶科技(北京)有限公司 制备凸面微透镜的方法和制造白光led器件的方法
WO2024060783A1 (en) * 2022-09-21 2024-03-28 Huawei Technologies Co., Ltd. Organic electroluminescent device and organic electroluminescent display

Also Published As

Publication number Publication date
JP4340199B2 (ja) 2009-10-07
KR20060047160A (ko) 2006-05-18
US7674407B2 (en) 2010-03-09
US20060007552A1 (en) 2006-01-12
JP2006023683A (ja) 2006-01-26
TWI292491B (en) 2008-01-11
CN100473245C (zh) 2009-03-25
TW200602677A (en) 2006-01-16
KR100740965B1 (ko) 2007-07-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1719955A (zh) 微透镜的制造方法及有机电致发光元件的制造方法
TWI476431B (zh) 抗反射膜和顯示裝置
KR100768995B1 (ko) 유기 발광 표시 장치
US9059420B2 (en) Organic EL element with light extraction and light emission efficiency
CN101101872B (zh) 一种半导体装置及其制造方法
TWI416159B (zh) 顯示裝置和電子裝置
US9052096B2 (en) Light extraction transparent substrate for organic EL element, and organic EL element using the same
CN1961613A (zh) 有机发光器件
TWI823257B (zh) 具有uv固化填料的有機發光二極體(oled)顯示器裝置及製造方法
CN1429054A (zh) 电光学装置及其制造方法、电路板及其制造方法以及电子仪器
CN101076211A (zh) 设备、膜形成方法及设备的制造方法
CN1638544A (zh) 一种有机电致发光器件及其制造方法
KR20090015991A (ko) 표시장치
CN1591922A (zh) 电子设备,半导体器件,以及适用于制造此类器件的方法
JP2008108439A (ja) 電界発光素子および電界発光パネル
CN1708194A (zh) 电致发光显示器件及其制造方法
US20120104368A1 (en) Display apparatus
CN1806269A (zh) 光学设备和有机el显示器
JP2002006129A (ja) 光学素子とその製造方法、液晶素子
TWI239790B (en) Organic light-emitting device and fabrication method thereof
JP2010186613A (ja) 有機発光素子及びその作製方法、並びに表示装置
JP2008140621A (ja) 有機elディスプレイおよびその製造方法
CN1582074A (zh) 有机el装置及其制造方法以及电子机器
JP2006024535A (ja) 有機薄膜素子の製造方法、電気光学装置の製造方法及び電子機器の製造方法
JP2005026228A (ja) 有機elディスプレイ

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20090325

Termination date: 20200512

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee