JPH11354271A - 感光材料書込み装置 - Google Patents
感光材料書込み装置Info
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- JPH11354271A JPH11354271A JP15700098A JP15700098A JPH11354271A JP H11354271 A JPH11354271 A JP H11354271A JP 15700098 A JP15700098 A JP 15700098A JP 15700098 A JP15700098 A JP 15700098A JP H11354271 A JPH11354271 A JP H11354271A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/435—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material
- B41J2/447—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using arrays of radiation sources
- B41J2/45—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of radiation to a printing material or impression-transfer material using arrays of radiation sources using light-emitting diode [LED] or laser arrays
- B41J2/451—Special optical means therefor, e.g. lenses, mirrors, focusing means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
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- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高速、小型、低コスト、高精細であると同時
に発光素子の発光した光量を効率よく利用可能な感光材
料書込み装置を提供する。 【解決手段】 基板１上に、陽極層３及び陰極層６と、
これらの間に挟持された有機化合物層８が積層された発
光素子アレイと、発光素子により露光される感光材料を
有する感光材料書込み装置において、発光素子アレイが
基板１にマイクロレンズ２を有する感光材料書込み装
置。
に発光素子の発光した光量を効率よく利用可能な感光材
料書込み装置を提供する。 【解決手段】 基板１上に、陽極層３及び陰極層６と、
これらの間に挟持された有機化合物層８が積層された発
光素子アレイと、発光素子により露光される感光材料を
有する感光材料書込み装置において、発光素子アレイが
基板１にマイクロレンズ２を有する感光材料書込み装
置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は複写機、プリンタ等
の電子写真装置に用いる感光材料書込み装置、特に光プ
リンタヘッドに関するものである。
の電子写真装置に用いる感光材料書込み装置、特に光プ
リンタヘッドに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、感光体上に潜像を書き込むた
めの露光方式としてレーザービーム方式、ＬＥＤアレイ
方式などが中心となっている。
めの露光方式としてレーザービーム方式、ＬＥＤアレイ
方式などが中心となっている。
【０００３】しかしながら、レーザービーム方式の場
合、ポリゴンミラーやレンズ等の光学部品が必要となり
装置の小型化が難しく、また超高速化も難しいという問
題がある。
合、ポリゴンミラーやレンズ等の光学部品が必要となり
装置の小型化が難しく、また超高速化も難しいという問
題がある。
【０００４】また、ＬＥＤアレイ方式の場合は、基板が
高価であり、一枚の基板でアレイをつくれないため、切
り出したチップを並べる必要がある。そのときにチップ
間の段差、間隔が問題となる。
高価であり、一枚の基板でアレイをつくれないため、切
り出したチップを並べる必要がある。そのときにチップ
間の段差、間隔が問題となる。
【０００５】また、感光体上に結像するためにロッドレ
ンズアレイが必要であるが、拡散光をロッドレンズアレ
イで結像しようとした場合、ロッドレンズアレイの光入
射効率が低く、発光素子の発光した光を効率よく利用す
ることができない。従って、感光体上で必要な光量を得
るためには、発光素子を必要以上に発光させなくてはな
らなかった。
ンズアレイが必要であるが、拡散光をロッドレンズアレ
イで結像しようとした場合、ロッドレンズアレイの光入
射効率が低く、発光素子の発光した光を効率よく利用す
ることができない。従って、感光体上で必要な光量を得
るためには、発光素子を必要以上に発光させなくてはな
らなかった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来の
問題を解決し、高速、小型、低コスト、高精細であると
同時に発光素子の発光した光量を効率よく利用可能な感
光材料書込み装置、特に光プリンタヘッドを提供するこ
とを目的とする。
問題を解決し、高速、小型、低コスト、高精細であると
同時に発光素子の発光した光量を効率よく利用可能な感
光材料書込み装置、特に光プリンタヘッドを提供するこ
とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の感光材料書込み
装置は、基板上に、少なくとも陽極層及び陰極層と、こ
れらの間に挟持された一層または複数層の有機化合物層
により構成される発光素子アレイと、該発光素子アレイ
により露光される感光材料を有する感光材料書込み装置
において、発光素子アレイが基板にマイクロレンズを有
することを特徴とする。
装置は、基板上に、少なくとも陽極層及び陰極層と、こ
れらの間に挟持された一層または複数層の有機化合物層
により構成される発光素子アレイと、該発光素子アレイ
により露光される感光材料を有する感光材料書込み装置
において、発光素子アレイが基板にマイクロレンズを有
することを特徴とする。
【０００８】このような構成をとることにより、高速、
小型、低コスト、高精細であると同時に発光素子アレイ
とレンズ系の位置合わせが不必要な感光材料書込み装
置、具体的には光プリンタヘッド等を提供することが可
能である。
小型、低コスト、高精細であると同時に発光素子アレイ
とレンズ系の位置合わせが不必要な感光材料書込み装
置、具体的には光プリンタヘッド等を提供することが可
能である。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図面を用いて詳細
に説明する。
に説明する。
【００１０】図１は本発明の感光材料書込み装置に用い
る発光素子アレイの一例を示す断面図である。
る発光素子アレイの一例を示す断面図である。
【００１１】図１において、１は基板、２はマイクロレ
ンズ、３は陽極層、６は陰極層、７は誘電層、８は正孔
輸送層４及び電子輸送層５より構成される有機化合物層
であり、陽極層３と陰極層６間に電圧を印加することに
より、陽極層３と陰極層６が交差している部分（発光
部）から発光が得られ、陽極層３又は陰極層６の電極幅
を変更することで、任意の大きさの発光部を得ることが
可能である。
ンズ、３は陽極層、６は陰極層、７は誘電層、８は正孔
輸送層４及び電子輸送層５より構成される有機化合物層
であり、陽極層３と陰極層６間に電圧を印加することに
より、陽極層３と陰極層６が交差している部分（発光
部）から発光が得られ、陽極層３又は陰極層６の電極幅
を変更することで、任意の大きさの発光部を得ることが
可能である。
【００１２】本発明において、基板１はマイクロレンズ
２を有する。図１に示すように、マイクロレンズ２は、
発光部と１対１対応に形成されている。
２を有する。図１に示すように、マイクロレンズ２は、
発光部と１対１対応に形成されている。
【００１３】この際、発光した光を効率よく利用するた
めには、マイクロレンズ２の開口部面積が発光部の面積
よりも大きい方が好ましい。また、光量を効率的に得る
ためには、マイクロレンズ２の焦点距離が、発光部とそ
の発光部に対応するマイクロレンズ２間の距離よりも短
い方が好ましい。
めには、マイクロレンズ２の開口部面積が発光部の面積
よりも大きい方が好ましい。また、光量を効率的に得る
ためには、マイクロレンズ２の焦点距離が、発光部とそ
の発光部に対応するマイクロレンズ２間の距離よりも短
い方が好ましい。
【００１４】マイクロレンズ２は図１に示すものに限定
されるものではなく、発光部からの発光を集光できるも
のであればよい。具体的には、図１においては、マイク
ロレンズ２が、発光部に対して凸レンズ形状を有するマ
イクロレンズであるが、凹レンズ形状を有するマイクロ
レンズとしてもよい。また、図１においては、マイクロ
レンズ２が、基板１の有機化合物層８が形成される側と
同一側の面に形成されているが、マイクロレンズ２を、
基板１の有機化合物層８が形成される側と反対側の面に
形成してもよい。
されるものではなく、発光部からの発光を集光できるも
のであればよい。具体的には、図１においては、マイク
ロレンズ２が、発光部に対して凸レンズ形状を有するマ
イクロレンズであるが、凹レンズ形状を有するマイクロ
レンズとしてもよい。また、図１においては、マイクロ
レンズ２が、基板１の有機化合物層８が形成される側と
同一側の面に形成されているが、マイクロレンズ２を、
基板１の有機化合物層８が形成される側と反対側の面に
形成してもよい。
【００１５】本発明において、基板１としては、発光素
子、マイクロレンズを表面に構成できるものであればよ
く、例えばソーダライムガラス等のガラス、樹脂フィル
ム等の透明絶縁性基板を用いるのが好ましい。
子、マイクロレンズを表面に構成できるものであればよ
く、例えばソーダライムガラス等のガラス、樹脂フィル
ム等の透明絶縁性基板を用いるのが好ましい。
【００１６】本発明において、陽極層３の材料としては
仕事関数が大きなものが望ましく、例えばＩＴＯ、酸化
錫、金、白金、パラジウム、セレン、イリジウム、ヨウ
化銅などを用いることができる。一方、陰極層６の材料
としては仕事関数が小さなものが望ましく、例えばＭｇ
／Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｉｎあるいはこれらの合金等を用
いることができる。
仕事関数が大きなものが望ましく、例えばＩＴＯ、酸化
錫、金、白金、パラジウム、セレン、イリジウム、ヨウ
化銅などを用いることができる。一方、陰極層６の材料
としては仕事関数が小さなものが望ましく、例えばＭｇ
／Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｉｎあるいはこれらの合金等を用
いることができる。
【００１７】本発明において、有機化合物層８は、一層
構成であっても良いし、複数層構成であっても良く、例
えば図１に示すように、陽極層３から正孔が注入される
正孔輸送層４、及び陰極層６から電子が注入される電子
輸送層５からなり、正孔輸送層４と電子輸送層５のいず
れかが発光層となる。また、蛍光体を含有する蛍光体層
を正孔輸送層４と電子輸送層５との間に設けても良い。
また、混合一層構成で正孔輸送層４，電子輸送層５，蛍
光層を兼ねた構成も可能である。
構成であっても良いし、複数層構成であっても良く、例
えば図１に示すように、陽極層３から正孔が注入される
正孔輸送層４、及び陰極層６から電子が注入される電子
輸送層５からなり、正孔輸送層４と電子輸送層５のいず
れかが発光層となる。また、蛍光体を含有する蛍光体層
を正孔輸送層４と電子輸送層５との間に設けても良い。
また、混合一層構成で正孔輸送層４，電子輸送層５，蛍
光層を兼ねた構成も可能である。
【００１８】有機発光材料は、使用する感光ドラム等の
感光材料と感度のあったスペクトル発光をするものを選
択することが望ましい。
感光材料と感度のあったスペクトル発光をするものを選
択することが望ましい。
【００１９】正孔輸送層４としては、例えば、Ｎ，Ｎ’
−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル
−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（以
下ＴＰＤ）を用いることができ、その他にも下記の有機
材料を用いることができる。
−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル
−（１，１’−ビフェニル）−４，４’−ジアミン（以
下ＴＰＤ）を用いることができ、その他にも下記の有機
材料を用いることができる。
【００２０】
【化１】
【００２１】
【化２】
【００２２】
【化３】
【００２３】
【化４】
【００２４】
【化５】
【００２５】電子輸送層５としては、例えば、トリス
（８−キノリノール）アルミニウム（以下Ａｌｑ3）を
用いることができ、その他にも下記の材料を用いること
ができる。
（８−キノリノール）アルミニウム（以下Ａｌｑ3）を
用いることができ、その他にも下記の材料を用いること
ができる。
【００２６】
【化６】
【００２７】
【化７】
【００２８】
【化８】
【００２９】
【化９】
【００３０】また、以下に示されているようなドーパン
ド色素を電子輸送層５、あるいは正孔輸送層４にドーピ
ングすることもできる。
ド色素を電子輸送層５、あるいは正孔輸送層４にドーピ
ングすることもできる。
【００３１】
【化１０】
【００３２】また、本発明においては、図１に示すよう
に、陽極層３と基板１との間にＳｉＯ2，ＳｉＯ等の誘
電層７を設けてもよい。光量を効率的に得るために、誘
電層７の厚さはマイクロレンズ２の焦点距離よりも厚く
するのが好ましい。
に、陽極層３と基板１との間にＳｉＯ2，ＳｉＯ等の誘
電層７を設けてもよい。光量を効率的に得るために、誘
電層７の厚さはマイクロレンズ２の焦点距離よりも厚く
するのが好ましい。
【００３３】以下、本発明の発光素子アレイの作製工程
の一例を図２に沿って説明する。
の一例を図２に沿って説明する。
【００３４】ａ）マイクロレンズ２の作製（図２
（ａ）） マイクロレンズ２は、発光部に対応する部分の基板１を
イオン交換することにより形成することができる。
（ａ）） マイクロレンズ２は、発光部に対応する部分の基板１を
イオン交換することにより形成することができる。
【００３５】まず、基板１の両面を十分に洗浄する。次
に、基板１全体をＴｉなどのイオン非透過性の膜によっ
てマスクする。イオン拡散面のＴｉにフォトリソエッチ
ング法により所望の直径、中心間隔で開口部列を形成す
る。この基板をイオン交換処理を行うため、例えばＴｌ
ＮＯ3とＫＮＯ3の混合溶融塩、Ａｇ+、Ｔｌ+などの硝酸
塩、硫酸塩などの溶融塩に浸し、半球状のマイクロレン
ズ２を形成する。
に、基板１全体をＴｉなどのイオン非透過性の膜によっ
てマスクする。イオン拡散面のＴｉにフォトリソエッチ
ング法により所望の直径、中心間隔で開口部列を形成す
る。この基板をイオン交換処理を行うため、例えばＴｌ
ＮＯ3とＫＮＯ3の混合溶融塩、Ａｇ+、Ｔｌ+などの硝酸
塩、硫酸塩などの溶融塩に浸し、半球状のマイクロレン
ズ２を形成する。
【００３６】この際、マイクロレンズ２の屈折率分布を
何段階かに分けて形成しても良い。
何段階かに分けて形成しても良い。
【００３７】また、マイクロレンズ２の形成方法は特に
限定されず、後述する実施例に示すように、フォトレジ
ストを用いる方法、レプリカ法等により形成してもよ
い。
限定されず、後述する実施例に示すように、フォトレジ
ストを用いる方法、レプリカ法等により形成してもよ
い。
【００３８】ｂ）図２（ｂ）に示すように、マイクロレ
ンズ２の形成された面上にスパッタ法により、誘電層７
を形成する。次に、マイクロレンズ２に対応する部分に
陽極層３がのるように、ライン幅、ピッチを調整して金
属マスクを被せて、スパッタ法により所定の厚さに陽極
層３を形成する。
ンズ２の形成された面上にスパッタ法により、誘電層７
を形成する。次に、マイクロレンズ２に対応する部分に
陽極層３がのるように、ライン幅、ピッチを調整して金
属マスクを被せて、スパッタ法により所定の厚さに陽極
層３を形成する。
【００３９】ｃ）図２（ｃ）に示すように、正孔輸送層
４、電子輸送層５を順次真空蒸着法により蒸着する。
４、電子輸送層５を順次真空蒸着法により蒸着する。
【００４０】ｄ）図２（ｄ）に示すように、所望のライ
ン幅の金属マスクをマイクロレンズ２の列に重なるよう
にして被せ、陰極層６を形成する。
ン幅の金属マスクをマイクロレンズ２の列に重なるよう
にして被せ、陰極層６を形成する。
【００４１】本発明の感光材料書込み装置の一例とし
て、電子写真方式を用いた画像形成装置の概略構成図を
図３に示す。
て、電子写真方式を用いた画像形成装置の概略構成図を
図３に示す。
【００４２】１１は像担持体としての回転ドラム型の電
子写真感光体、１２は帯電装置、１３は現像装置、１４
は転写装置、１５は定着装置、１６はクリーニング装置
である。
子写真感光体、１２は帯電装置、１３は現像装置、１４
は転写装置、１５は定着装置、１６はクリーニング装置
である。
【００４３】発光素子アレイ（不図示）には、駆動用ド
ライバが接続され、光源Ｌとして用いられる。陽極層を
プラス、陰極層をマイナスにして直流電圧を印加する
と、発光部から緑色の発光が得られ、マイクロレンズを
通して感光体１１上に結像させることができ、良好な画
像を得ることができる。
ライバが接続され、光源Ｌとして用いられる。陽極層を
プラス、陰極層をマイナスにして直流電圧を印加する
と、発光部から緑色の発光が得られ、マイクロレンズを
通して感光体１１上に結像させることができ、良好な画
像を得ることができる。
【００４４】感光体１１上を帯電装置１２により一様に
帯電する。この感光体１１の帯電面に対して出力される
目的の画像情報の時系列電気デジタル画素信号に対応し
て発光素子アレイによる露光Ｌがなされ、感光体１１の
周面に対して目的の画像情報に対応した静電潜像が形成
される。その静電潜像は絶縁トナーを用いた現像装置１
３によりトナー像として現像される。一方、給紙部（不
図示）から記録材としての転写材ｐが供給されて、感光
体１１と、これに所定の押圧力で当接させた接触転写手
段との圧接ニップ部（転写部）Ｔに所定のタイミングに
て導入され、所定の転写バイアス電圧を印加して転写を
行う。
帯電する。この感光体１１の帯電面に対して出力される
目的の画像情報の時系列電気デジタル画素信号に対応し
て発光素子アレイによる露光Ｌがなされ、感光体１１の
周面に対して目的の画像情報に対応した静電潜像が形成
される。その静電潜像は絶縁トナーを用いた現像装置１
３によりトナー像として現像される。一方、給紙部（不
図示）から記録材としての転写材ｐが供給されて、感光
体１１と、これに所定の押圧力で当接させた接触転写手
段との圧接ニップ部（転写部）Ｔに所定のタイミングに
て導入され、所定の転写バイアス電圧を印加して転写を
行う。
【００４５】トナー画像の転写をうけた転写材Ｐは感光
体１１の面から分離されて熱定着方式等の定着装置１５
へ導入されてトナー画像の定着をうけ、画像形成物（プ
リント）として装置外へ排出される。また転写材Ｐに対
するトナー画像転写後の感光体面はクリーニング装置１
６により残留トナー等の付着汚染物の除去をうけて清掃
され繰り返して作像に供される。
体１１の面から分離されて熱定着方式等の定着装置１５
へ導入されてトナー画像の定着をうけ、画像形成物（プ
リント）として装置外へ排出される。また転写材Ｐに対
するトナー画像転写後の感光体面はクリーニング装置１
６により残留トナー等の付着汚染物の除去をうけて清掃
され繰り返して作像に供される。
【００４６】
【実施例】（実施例１）図２に示す手順で図１に示す有
機ＬＥＤアレイを作製した。
機ＬＥＤアレイを作製した。
【００４７】透明絶縁性の基板１は各発光部に対応した
部分にイオン交換法によりマイクロレンズ２が形成され
ており、その上には誘電層７、陽極層３、正孔輸送層
４、発光層を兼ねた電子輸送層５、そして陰極層６が積
層されている。
部分にイオン交換法によりマイクロレンズ２が形成され
ており、その上には誘電層７、陽極層３、正孔輸送層
４、発光層を兼ねた電子輸送層５、そして陰極層６が積
層されている。
【００４８】まず、基板１のマイクロレンズ２の作成方
法について説明する。
法について説明する。
【００４９】本実施例では、透明絶縁性の基板１として
ソーダライムガラス基板を用いた。このガラス基板の両
面を十分に洗浄する。
ソーダライムガラス基板を用いた。このガラス基板の両
面を十分に洗浄する。
【００５０】次に、ガラス基板全体をＴｉ膜によってマ
スクする。イオン拡散面のＴｉにフォトリソエッチング
法により直径３０μｍで中心間隔が８０μｍの開口部列
を形成する。
スクする。イオン拡散面のＴｉにフォトリソエッチング
法により直径３０μｍで中心間隔が８０μｍの開口部列
を形成する。
【００５１】この基板をイオン交換を行うためＴｌＮＯ
3とＫＮＯ3の混合溶融塩に浸し、直径がほぼ７０μｍの
半球状の屈折率領域（マイクロレンズ）２を形成する。
3とＫＮＯ3の混合溶融塩に浸し、直径がほぼ７０μｍの
半球状の屈折率領域（マイクロレンズ）２を形成する。
【００５２】次に、有機ＬＥＤの作成方法について説明
する。
する。
【００５３】マイクロレンズ２の形成された面上にスパ
ッタ法により、誘電層７としてＳｉＯ2層を形成する。
誘電層７の厚さはマイクロレンズ２の焦点距離よりも厚
くした。これは、光量を効率的に得るためである。
ッタ法により、誘電層７としてＳｉＯ2層を形成する。
誘電層７の厚さはマイクロレンズ２の焦点距離よりも厚
くした。これは、光量を効率的に得るためである。
【００５４】次に陽極層３としてＩＴＯを形成する。マ
イクロレンズ２に対応する部分にＩＴＯがのるように、
ライン幅５０μｍ、ピッチ８０μｍの金属マスクを被せ
てＩＴＯをスパッタ法により１００ｎｍ形成する。
イクロレンズ２に対応する部分にＩＴＯがのるように、
ライン幅５０μｍ、ピッチ８０μｍの金属マスクを被せ
てＩＴＯをスパッタ法により１００ｎｍ形成する。
【００５５】次に、正孔輸送層４としてＴＰＤを、電子
輸送層５としてＡｌｑ3を順次真空蒸着法により５０ｎ
ｍずつ蒸着する。なお、蒸着時の真空度は２〜３×１０
-6Ｔｏｒｒであり、成膜速度は０．２〜０．３ｎｍ／ｓ
とした。
輸送層５としてＡｌｑ3を順次真空蒸着法により５０ｎ
ｍずつ蒸着する。なお、蒸着時の真空度は２〜３×１０
-6Ｔｏｒｒであり、成膜速度は０．２〜０．３ｎｍ／ｓ
とした。
【００５６】最後に、ライン幅４０μｍの金属マスクを
マイクロレンズ２の列に重なるようにして被せ、陰極層
６としてＭｇとＡｇと１０：１の蒸着速度比で共蒸着
し、Ｍｇ／Ａｇが１０／１の合金を２００ｎｍ形成す
る。このとき、成膜速度は１ｎｍ／ｓとした。
マイクロレンズ２の列に重なるようにして被せ、陰極層
６としてＭｇとＡｇと１０：１の蒸着速度比で共蒸着
し、Ｍｇ／Ａｇが１０／１の合金を２００ｎｍ形成す
る。このとき、成膜速度は１ｎｍ／ｓとした。
【００５７】マイクロレンズ２の開口面積は発光部の面
積よりも大きくし、発光した光を効率よく得るようにし
ている。
積よりも大きくし、発光した光を効率よく得るようにし
ている。
【００５８】このようにして得られた有機ＬＥＤアレイ
に駆動用ドライバを接続することで、電子写真用の光源
として用いることができる。陽極層であるＩＴＯ電極を
プラス、陰極層であるＭｇ／Ａｇ電極をマイナスにして
直流電圧を印加すると、ＩＴＯ電極とＭｇ／Ａｇ電極が
交差している部分から緑色の発光が得られ、マイクロレ
ンズ２を通して感光ドラム面上に結像させることがで
き、実際に画像を出力したところ良好な画像を得ること
ができた。
に駆動用ドライバを接続することで、電子写真用の光源
として用いることができる。陽極層であるＩＴＯ電極を
プラス、陰極層であるＭｇ／Ａｇ電極をマイナスにして
直流電圧を印加すると、ＩＴＯ電極とＭｇ／Ａｇ電極が
交差している部分から緑色の発光が得られ、マイクロレ
ンズ２を通して感光ドラム面上に結像させることがで
き、実際に画像を出力したところ良好な画像を得ること
ができた。
【００５９】本実施例においては、３００ｄｐｉの有機
ＬＥＤアレイを作成したが、電極幅を変更することで、
任意の大きさの発光点を得ることが可能である。
ＬＥＤアレイを作成したが、電極幅を変更することで、
任意の大きさの発光点を得ることが可能である。
【００６０】（実施例２）図４は本実施例の有機ＬＥＤ
アレイの断面図である。
アレイの断面図である。
【００６１】透明絶縁性の基板１としてのガラス基板に
は各発光部に対応した部分に凸レンズ形状を有するマイ
クロレンズ２４が形成されており、その上には陽極層
３、正孔輸送層４、発光層を兼ねた電子輸送層５、そし
て陰極層６が積層されている。
は各発光部に対応した部分に凸レンズ形状を有するマイ
クロレンズ２４が形成されており、その上には陽極層
３、正孔輸送層４、発光層を兼ねた電子輸送層５、そし
て陰極層６が積層されている。
【００６２】まず、ガラス基板上のマイクロレンズ２４
の作成方法について説明する。
の作成方法について説明する。
【００６３】レンズを形成するための材料としては、通
常の紫外、遠紫外用フォトレジストがあり、特にポリメ
チルメタクリレート系、ＰＭＩＰＫ系、ポリグリシルメ
チルアクリレート系、フェノールボラック系等のポジ型
遠紫外用フォトレジストが、比較的低温で軟化して、集
光レンズ形状を形成し易いので望ましい。
常の紫外、遠紫外用フォトレジストがあり、特にポリメ
チルメタクリレート系、ＰＭＩＰＫ系、ポリグリシルメ
チルアクリレート系、フェノールボラック系等のポジ型
遠紫外用フォトレジストが、比較的低温で軟化して、集
光レンズ形状を形成し易いので望ましい。
【００６４】ガラス基板上に上記したようなフォトレジ
ストを塗布等の方法により積層し、フォトリソ法により
直径７０μｍで中心間隔が８０μｍになるように、フォ
トレジスト層をリフトオフ法やドライエッチング法等の
パターン形成法を用いてパターニングする。このパター
ニングされたフォトレジストをアニーリングによって、
軟化、流動化させ、円弧状のマイクロレンズ２４を形成
する。
ストを塗布等の方法により積層し、フォトリソ法により
直径７０μｍで中心間隔が８０μｍになるように、フォ
トレジスト層をリフトオフ法やドライエッチング法等の
パターン形成法を用いてパターニングする。このパター
ニングされたフォトレジストをアニーリングによって、
軟化、流動化させ、円弧状のマイクロレンズ２４を形成
する。
【００６５】このマイクロレンズ２４に対応するよう
に、ライン幅５０μｍ、ピッチ８０μｍの金属マスクを
被せて陽極層３としてＩＴＯをスパッタ法により１００
ｎｍ形成する。
に、ライン幅５０μｍ、ピッチ８０μｍの金属マスクを
被せて陽極層３としてＩＴＯをスパッタ法により１００
ｎｍ形成する。
【００６６】次に、実施例１と同様に正孔輸送層４とし
てＴＰＤを、電子輸送層５としてＡｌｑ3を順次真空蒸
着法により５０ｎｍずつ蒸着する。なお、蒸着時の真空
度は２〜３×１０-6であり、成膜速度は０．２〜０．３
ｎｍ／ｓとした。
てＴＰＤを、電子輸送層５としてＡｌｑ3を順次真空蒸
着法により５０ｎｍずつ蒸着する。なお、蒸着時の真空
度は２〜３×１０-6であり、成膜速度は０．２〜０．３
ｎｍ／ｓとした。
【００６７】最後に、ライン幅４０μｍの金属マスクを
マイクロレンズ２４の列に重なるようにして被せ、陰極
層６としてＭｇとＡｇを１０：１の蒸着速度比で共蒸着
し、Ｍｇ／Ａｇが１０／１の合金を２００ｎｍ形成す
る。このとき、成膜速度は１ｎｍ／ｓとした。
マイクロレンズ２４の列に重なるようにして被せ、陰極
層６としてＭｇとＡｇを１０：１の蒸着速度比で共蒸着
し、Ｍｇ／Ａｇが１０／１の合金を２００ｎｍ形成す
る。このとき、成膜速度は１ｎｍ／ｓとした。
【００６８】このようにして得られた有機ＬＥＤアレイ
に駆動用ドライバを接続し、電子写真用の光源として用
いた。実施例１と同様にＩＴＯ電極とＭｇ／Ａｇ電極を
交差している部分から緑色の発光が得られ、マイクロレ
ンズ２４を通して感光ドラム面上に結像させることがで
き、良好な画像を得ることができた。
に駆動用ドライバを接続し、電子写真用の光源として用
いた。実施例１と同様にＩＴＯ電極とＭｇ／Ａｇ電極を
交差している部分から緑色の発光が得られ、マイクロレ
ンズ２４を通して感光ドラム面上に結像させることがで
き、良好な画像を得ることができた。
【００６９】（実施例３）図６に示す手順で図５に示す
有機ＬＥＤアレイを作製した。
有機ＬＥＤアレイを作製した。
【００７０】基板１としてのガラス基板上には各発光部
に対応した部分に凸レンズ形状を有するマイクロレンズ
２５が形成されており、基板１に対しマイクロレンズ２
５と反対側の面に陽極層３、正孔輸送層４、発光層を兼
ねた電子輸送層５、そして陰極層６が積層されている。
に対応した部分に凸レンズ形状を有するマイクロレンズ
２５が形成されており、基板１に対しマイクロレンズ２
５と反対側の面に陽極層３、正孔輸送層４、発光層を兼
ねた電子輸送層５、そして陰極層６が積層されている。
【００７１】まず、ガラス基板上のマイクロレンズ２５
の作成方法について説明する。図６（ａ）に示すよう
に、マイクロレンズ２５はレプリカ法により開口部の直
径が７５μｍ、中心間隔が８０μｍのアレイを形成す
る。
の作成方法について説明する。図６（ａ）に示すよう
に、マイクロレンズ２５はレプリカ法により開口部の直
径が７５μｍ、中心間隔が８０μｍのアレイを形成す
る。
【００７２】図６（ｂ）に示す様に、マイクロレンズ２
５を形成した面と反対側の面に、マイクロレンズ２５に
対応するように、ライン幅５０μｍ、ピッチ８０μｍの
金属マスクを被せて陽極層３としてＩＴＯをスパッタ法
により１００ｎｍ形成する。
５を形成した面と反対側の面に、マイクロレンズ２５に
対応するように、ライン幅５０μｍ、ピッチ８０μｍの
金属マスクを被せて陽極層３としてＩＴＯをスパッタ法
により１００ｎｍ形成する。
【００７３】次に、図６（ｃ）に示すように、実施例１
と同様に正孔輸送層４としてＴＰＤを、電子輸送層５と
してＡｌｑ3を順次真空蒸着法により５０ｎｍずつ蒸着
する。
と同様に正孔輸送層４としてＴＰＤを、電子輸送層５と
してＡｌｑ3を順次真空蒸着法により５０ｎｍずつ蒸着
する。
【００７４】最後に、図６（ｄ）に示すように、ライン
幅４０μｍの金属マスクをマイクロレンズ２５の列に重
なるようにして被せ、陰極層６としてＭｇとＡｇを１
０：１の蒸着速度比で共蒸着し、Ｍｇ／Ａｇが１０／１
の合金を２００ｎｍ形成する。
幅４０μｍの金属マスクをマイクロレンズ２５の列に重
なるようにして被せ、陰極層６としてＭｇとＡｇを１
０：１の蒸着速度比で共蒸着し、Ｍｇ／Ａｇが１０／１
の合金を２００ｎｍ形成する。
【００７５】このようにして得られた有機ＬＥＤアレイ
に駆動用ドライバを接続し、電子写真用の光源として用
いることで、良好な画像が得ることができた。
に駆動用ドライバを接続し、電子写真用の光源として用
いることで、良好な画像が得ることができた。
【００７６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
高速、小型、低コスト、高精細であると同時に発光素子
の発光した光量を効率よく利用可能な光プリンタヘッド
等の感光材料書込み装置を提供することが可能となる。
高速、小型、低コスト、高精細であると同時に発光素子
の発光した光量を効率よく利用可能な光プリンタヘッド
等の感光材料書込み装置を提供することが可能となる。
【図１】本発明の発光素子アレイの一例を示す斜視図で
ある。
ある。
【図２】本発明の発光素子アレイの作製工程の一例を示
す図である。
す図である。
【図３】本発明の感光材料書込み装置の一例を示す概略
構成図である。
構成図である。
【図４】実施例２における発光素子アレイを示す断面図
である。
である。
【図５】実施例３における発光素子アレイを示す断面図
である。
である。
【図６】実施例３における発光素子アレイの作製工程を
示す図である。
示す図である。
１ 基板 ２、２４，２５ マイクロレンズ ３ 陽極層 ４ 正孔輸送層 ５ 電子輸送層 ６ 陰極層 ７ 誘電層 ８ 有機化合物層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 上野 和則 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 妹尾 章弘 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内
Claims (8)
- 【請求項１】 基板上に、少なくとも陽極層及び陰極層
と、これらの間に挟持された一層または複数層の有機化
合物層により構成される発光素子アレイと、該発光素子
アレイにより露光される感光材料を有する感光材料書込
み装置において、発光素子アレイが基板にマイクロレン
ズを有することを特徴とする感光材料書込み装置。 - 【請求項２】 マイクロレンズが、発光部と１対１対応
であることを特徴とする請求項１記載の感光材料書込み
装置。 - 【請求項３】 マイクロレンズの開口部面積が、発光部
の面積より大きいことを特徴とする請求項１〜２記載の
感光材料書込み装置。 - 【請求項４】 マイクロレンズの焦点距離が、発光部と
その発光部に対応するマイクロレンズ間の距離よりも短
いことを特徴とする請求項１〜３記載の感光材料書込み
装置。 - 【請求項５】 マイクロレンズが、発光部に対応する部
分の基板をイオン交換することにより形成されることを
特徴とする請求項１〜４記載の感光材料書込み装置。 - 【請求項６】 マイクロレンズが、発光部に対して凸レ
ンズ形状を有するマイクロレンズであることを特徴とす
る請求項１〜５記載の感光材料書込み装置。 - 【請求項７】 マイクロレンズが、基板の有機化合物層
が形成される側と同一側の面に形成されていることを特
徴とする請求項１〜６記載の感光材料書込み装置。 - 【請求項８】 マイクロレンズが、基板の有機化合物層
が形成される側と反対側の面に形成されていることを特
徴とする請求項１〜６記載の感光材料書込み装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15700098A JPH11354271A (ja) | 1998-06-05 | 1998-06-05 | 感光材料書込み装置 |
| US09/321,721 US6583805B2 (en) | 1998-06-05 | 1999-05-28 | Exposure unit for image forming apparatus using electrophotographic system, and electrophotographic image forming apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15700098A JPH11354271A (ja) | 1998-06-05 | 1998-06-05 | 感光材料書込み装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11354271A true JPH11354271A (ja) | 1999-12-24 |
Family
ID=15640005
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15700098A Pending JPH11354271A (ja) | 1998-06-05 | 1998-06-05 | 感光材料書込み装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6583805B2 (ja) |
| JP (1) | JPH11354271A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002164163A (ja) * | 2000-11-24 | 2002-06-07 | Stanley Electric Co Ltd | 有機ｅｌ書込光源装置 |
| US6538682B2 (en) | 2000-12-28 | 2003-03-25 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Exposure device |
| FR2836584A1 (fr) * | 2002-02-27 | 2003-08-29 | Thomson Licensing Sa | Panneau electroluminescent dote d'elements d'extractions de lumiere |
| US6816181B2 (en) | 2001-07-04 | 2004-11-09 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Image forming device |
| KR100798443B1 (ko) | 2005-03-22 | 2008-01-28 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 광원 장치, 그 제조 방법 및 라인 헤드 모듈 |
| US7427223B2 (en) | 2001-01-29 | 2008-09-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a light-emitting device, personal computer using the same, and portable telephone using the same |
| CN100454568C (zh) * | 2003-06-06 | 2009-01-21 | 精工爱普生株式会社 | 有机电致发光显示装置及其制造方法、具备其的显示装置 |
| US7674407B2 (en) | 2004-07-09 | 2010-03-09 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing microlens and method for manufacturing organic electroluminescence element |
| US9349991B2 (en) | 2010-10-22 | 2016-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and lighting device |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20020075566A1 (en) * | 2000-12-18 | 2002-06-20 | Tutt Lee W. | 3D or multiview light emitting display |
| CN100463484C (zh) * | 2001-03-29 | 2009-02-18 | 松下电器产业株式会社 | 图像写入装置,光源,光源单元,微透镜以及微透镜的制造方法 |
| US7011420B2 (en) * | 2002-09-04 | 2006-03-14 | Eastman Kodak Company | Planar directed light source |
| KR100546652B1 (ko) * | 2003-06-30 | 2006-01-26 | 엘지전자 주식회사 | 유기 ｅｌ 소자 |
| CN100367531C (zh) * | 2003-09-15 | 2008-02-06 | 统宝光电股份有限公司 | 具有光效率提升结构的有机发光组件 |
| KR100705181B1 (ko) * | 2004-03-16 | 2007-04-06 | 주식회사 엘지화학 | 나노 크기의 반구형 볼록부를 갖는 기판 또는 전극을이용한 고효율 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법 |
| WO2005112514A1 (ja) | 2004-05-17 | 2005-11-24 | Zeon Corporation | エレクトロルミネッセンス素子、照明装置、および表示装置 |
| JP2006103307A (ja) * | 2004-09-07 | 2006-04-20 | Seiko Epson Corp | ラインヘッドモジュール及び画像形成装置 |
| CN100444033C (zh) * | 2004-09-07 | 2008-12-17 | 精工爱普生株式会社 | 线性头模块及图像形成装置 |
| KR100635569B1 (ko) * | 2004-09-23 | 2006-10-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 레이저 조사 장치 및 그를 이용한 유기 전계 발광 소자의제조 방법 |
| US7468736B2 (en) * | 2004-10-12 | 2008-12-23 | Seiko Epson Corporation | Image forming apparatus |
| JP2006150707A (ja) * | 2004-11-29 | 2006-06-15 | Seiko Epson Corp | 透明基板、電気光学装置、画像形成装置及び電気光学装置の製造方法 |
| US20090185828A1 (en) * | 2008-01-18 | 2009-07-23 | Seiko Epson Corporation | Lens Array, Exposure Head, and Image Forming Apparatus |
| US8120635B2 (en) * | 2008-01-18 | 2012-02-21 | Seiko Epson Corporation | Exposure head and an image forming apparatus |
| FR2937798B1 (fr) * | 2008-10-24 | 2010-12-24 | Saint Gobain | Substrat verrier avec electrode notamment destine a un dispositif a diode electroluminescente organique |
| KR100970482B1 (ko) * | 2008-12-04 | 2010-07-16 | 삼성전자주식회사 | 유기 발광소자 및 그 제조방법 |
| US9991463B2 (en) * | 2012-06-14 | 2018-06-05 | Universal Display Corporation | Electronic devices with improved shelf lives |
| DE102012109209B4 (de) * | 2012-09-28 | 2017-05-11 | Osram Oled Gmbh | Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61286866A (ja) * | 1985-06-14 | 1986-12-17 | Nec Home Electronics Ltd | 光プリンタ |
| DK300689A (da) * | 1988-06-21 | 1989-12-22 | Rohm Co Ltd | Apparat til optisk skrivning af informationer |
| US5465265A (en) * | 1992-06-24 | 1995-11-07 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Multi-beam laser light source and multi-beam semiconductor laser array |
| JPH08288064A (ja) * | 1995-04-18 | 1996-11-01 | Mitsubishi Chem Corp | 有機電界発光素子の製造方法 |
| JP3420399B2 (ja) | 1995-07-28 | 2003-06-23 | キヤノン株式会社 | 発光素子 |
-
1998
- 1998-06-05 JP JP15700098A patent/JPH11354271A/ja active Pending
-
1999
- 1999-05-28 US US09/321,721 patent/US6583805B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002164163A (ja) * | 2000-11-24 | 2002-06-07 | Stanley Electric Co Ltd | 有機ｅｌ書込光源装置 |
| US6538682B2 (en) | 2000-12-28 | 2003-03-25 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Exposure device |
| US7427223B2 (en) | 2001-01-29 | 2008-09-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a light-emitting device, personal computer using the same, and portable telephone using the same |
| US7973471B2 (en) | 2001-01-29 | 2011-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device comprising transparent protrusion, first and second electrodes and organic layer |
| US8614547B2 (en) | 2001-01-29 | 2013-12-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| US6816181B2 (en) | 2001-07-04 | 2004-11-09 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Image forming device |
| FR2836584A1 (fr) * | 2002-02-27 | 2003-08-29 | Thomson Licensing Sa | Panneau electroluminescent dote d'elements d'extractions de lumiere |
| CN100454568C (zh) * | 2003-06-06 | 2009-01-21 | 精工爱普生株式会社 | 有机电致发光显示装置及其制造方法、具备其的显示装置 |
| US7674407B2 (en) | 2004-07-09 | 2010-03-09 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing microlens and method for manufacturing organic electroluminescence element |
| KR100798443B1 (ko) | 2005-03-22 | 2008-01-28 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 광원 장치, 그 제조 방법 및 라인 헤드 모듈 |
| US9349991B2 (en) | 2010-10-22 | 2016-05-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and lighting device |
| TWI562421B (en) * | 2010-10-22 | 2016-12-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light-emitting element, light-emitting device, and lighting device |
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