JP2843925B2 - 有機ｅｌ素子 - Google Patents
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電流の注入による物質
のエレクトロルミネッセンス（以下、ＥＬという）を利
用して、かかる物質を薄膜に形成したＥＬ層を備えたＥ
Ｌ素子に関し、特に発光物質が有機化合物である有機Ｅ
Ｌ素子に関する。
のエレクトロルミネッセンス（以下、ＥＬという）を利
用して、かかる物質を薄膜に形成したＥＬ層を備えたＥ
Ｌ素子に関し、特に発光物質が有機化合物である有機Ｅ
Ｌ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の有機ＥＬ素子として、図３に示
すように、金属陰極１と透明陽極２との間に、それぞれ
有機化合物からなり互いに積層された発光体薄膜からな
るＥＬ層３及び正孔輸送層４が配された２層構造のもの
や、図４に示すように、金属陰極１と透明陽極２との間
に互いに積層された有機化合物からなる電子輸送層５、
ＥＬ層３及び正孔輸送層４が配された３層構造のものが
知られている。ここで、正孔輸送層４は陽極から正孔を
注入させ易くする機能と電子をブロックする機能とを有
し、電子輸送層５は陰極から電子を注入させ易くする機
能と正孔をブロックする機能とを有している。
すように、金属陰極１と透明陽極２との間に、それぞれ
有機化合物からなり互いに積層された発光体薄膜からな
るＥＬ層３及び正孔輸送層４が配された２層構造のもの
や、図４に示すように、金属陰極１と透明陽極２との間
に互いに積層された有機化合物からなる電子輸送層５、
ＥＬ層３及び正孔輸送層４が配された３層構造のものが
知られている。ここで、正孔輸送層４は陽極から正孔を
注入させ易くする機能と電子をブロックする機能とを有
し、電子輸送層５は陰極から電子を注入させ易くする機
能と正孔をブロックする機能とを有している。
【０００３】例えば金属陰極１には、アルミニウム、マ
グネシウム、インジウム、銀又は各々の合金等の仕事関
数が小さな金属からなり厚さが１０００〜５０００オン
グストローム程度のものが用い得る。また、例えば陽極
２には、インジウムすず酸化物（以下、ＩＴＯという）
等の仕事関数の大きな導電性材料からなり厚さが１００
０〜３０００オングストローム程度で、又は金で厚さが
８００〜１５００オングストローム程度のものが用い得
る。
グネシウム、インジウム、銀又は各々の合金等の仕事関
数が小さな金属からなり厚さが１０００〜５０００オン
グストローム程度のものが用い得る。また、例えば陽極
２には、インジウムすず酸化物（以下、ＩＴＯという）
等の仕事関数の大きな導電性材料からなり厚さが１００
０〜３０００オングストローム程度で、又は金で厚さが
８００〜１５００オングストローム程度のものが用い得
る。
【０００４】ＥＬ層３には、アルミキノリノール錯体す
なわちＡｌオキシンキレート（以下、Ａｌｑ3 とい
う）、テトラフェニルブタジエン誘導体等が用いられ得
る。正孔輸送層４にはトリフェニルジアミン誘導体であ
るＮ，Ｎ´−ジフェニル−Ｎ，Ｎ´−ビス（３メチルフ
ェニル）−１，１´−ビフェニル−４，４´−ジアミン
（以下、ＴＰＤという）が好ましく用いられ、更にＣＴ
Ｍ（Ｃａｒｒｉｅｒ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ Ｍａ
ｔｅｒｉａｌｓ）として知られている化合物を単独、も
しくは混合物として用い得る。
なわちＡｌオキシンキレート（以下、Ａｌｑ3 とい
う）、テトラフェニルブタジエン誘導体等が用いられ得
る。正孔輸送層４にはトリフェニルジアミン誘導体であ
るＮ，Ｎ´−ジフェニル−Ｎ，Ｎ´−ビス（３メチルフ
ェニル）−１，１´−ビフェニル−４，４´−ジアミン
（以下、ＴＰＤという）が好ましく用いられ、更にＣＴ
Ｍ（Ｃａｒｒｉｅｒ Ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ Ｍａ
ｔｅｒｉａｌｓ）として知られている化合物を単独、も
しくは混合物として用い得る。
【０００５】電子輪送層には、例えばオキサジアゾール
誘導体（ＰＢＤ）等が用いられ得る。これら有機ＥＬ素
子において、透明電極２の外側にはガラス基板６が配さ
れており、金属陰極１から注入された電子と透明陽極２
からＥＬ層３へ注入された正孔との再結合によって励起
子が生じ、ＥＬ層における正孔輸送層との境界面近傍に
て励起子が放射失活する過程で光を放ち、この光が透明
陽極２及びガラス基板６を介して外部に放出される（特
開昭５９−１９４３９３号公報及び特開昭６３−２９５
６９５公報参照）。
誘導体（ＰＢＤ）等が用いられ得る。これら有機ＥＬ素
子において、透明電極２の外側にはガラス基板６が配さ
れており、金属陰極１から注入された電子と透明陽極２
からＥＬ層３へ注入された正孔との再結合によって励起
子が生じ、ＥＬ層における正孔輸送層との境界面近傍に
て励起子が放射失活する過程で光を放ち、この光が透明
陽極２及びガラス基板６を介して外部に放出される（特
開昭５９−１９４３９３号公報及び特開昭６３−２９５
６９５公報参照）。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで発明者は、２
層構造の有機ＥＬ素子のＥＬ層膜厚、発光スペクトル及
び輝度並びに視角度の研究の結果、輝度にはＥＬ層膜厚
による依存性及び視角度依存性があることを知見した。
すなわち、図５に示すように有機ＥＬ素子のガラス基板
６側表面を目視者が見る角度によって発光スペクトル及
び輝度が変化する。
層構造の有機ＥＬ素子のＥＬ層膜厚、発光スペクトル及
び輝度並びに視角度の研究の結果、輝度にはＥＬ層膜厚
による依存性及び視角度依存性があることを知見した。
すなわち、図５に示すように有機ＥＬ素子のガラス基板
６側表面を目視者が見る角度によって発光スペクトル及
び輝度が変化する。
【０００７】目視者にとってＥＬ層内の発光源Ｐの１点
から発した光には、図中の直接基板６へ向かう経路Ａ及
び背面の金属電極１で反射し基板６へ向かう経路Ｂの２
つの光が含まれる。この２つの経路の光は以下の数式１
に示す光路差Ｌ、さらに数式２に示す位相差ηｙを保持
しているので、互いに干渉する（両数式中、ｎはＥＬ層
３の屈折率を、ｙは発光源Ｐから金属電極１までの距離
を、θはＥＬ層内における表示表面の法線からそれる視
角を、λは波長をそれぞれ示す。以下、同じ）。
から発した光には、図中の直接基板６へ向かう経路Ａ及
び背面の金属電極１で反射し基板６へ向かう経路Ｂの２
つの光が含まれる。この２つの経路の光は以下の数式１
に示す光路差Ｌ、さらに数式２に示す位相差ηｙを保持
しているので、互いに干渉する（両数式中、ｎはＥＬ層
３の屈折率を、ｙは発光源Ｐから金属電極１までの距離
を、θはＥＬ層内における表示表面の法線からそれる視
角を、λは波長をそれぞれ示す。以下、同じ）。
【０００８】
【数１】
【０００９】
【数２】 よって、干渉効果としてその強度Ｉ（ｙ、λ）は数式３
の如く表せる。
の如く表せる。
【００１０】
【数３】
【００１１】ＥＬ層中で発光強度ｆ（ｙ）分布は、図６
に示すように正孔輸送層４の境界面においては強く金属
電極１に向かうほど減少し、膜厚に関する指数関数分布
として数式４の如く表せ、ＥＬ層全体としては数式５の
如く正規化できる（両数式中、ｄは発光源から金属電極
までの距離を、εは発光強度分布パラメータを、ｋは定
数をそれぞれ示す。以下、同じ）。
に示すように正孔輸送層４の境界面においては強く金属
電極１に向かうほど減少し、膜厚に関する指数関数分布
として数式４の如く表せ、ＥＬ層全体としては数式５の
如く正規化できる（両数式中、ｄは発光源から金属電極
までの距離を、εは発光強度分布パラメータを、ｋは定
数をそれぞれ示す。以下、同じ）。
【００１２】
【数４】
【００１３】
【数５】
【００１４】発光源自体の発光スペクトルの強度分布Ｆ
（λ）は発光体特有の波長λの関数として表せる。よっ
て、目視者によって実際に観察されるＥＬ素子の発光強
度Ｔ（λ，θ，ｄ）は数式６のように表せる。
（λ）は発光体特有の波長λの関数として表せる。よっ
て、目視者によって実際に観察されるＥＬ素子の発光強
度Ｔ（λ，θ，ｄ）は数式６のように表せる。
【００１５】
【数６】
【００１６】ここで、ＥＬ素子の発光強度Ｔ（λ，θ，
ｄ）を確認するために、膜厚ｄを６０００オングストロ
ームとしたＡｌｑ3 からなるＥＬ層を含む有機ＥＬ素子
を作成し、視角θを０゜から７５゜まで種々変化させて
その発光強度の試験を行った。図７は、発光波長に対す
る発光強度分布を示す。かかる発光強度分布と上記数式
６の発光強度Ｔ（λ，θ，ｄ）とが略一致することが確
認された。図から明らかなように、目視者にとっては視
角０゜から７５゜までＥＬ素子表示面を見る方向によっ
て色彩が順次異なるように見える。
ｄ）を確認するために、膜厚ｄを６０００オングストロ
ームとしたＡｌｑ3 からなるＥＬ層を含む有機ＥＬ素子
を作成し、視角θを０゜から７５゜まで種々変化させて
その発光強度の試験を行った。図７は、発光波長に対す
る発光強度分布を示す。かかる発光強度分布と上記数式
６の発光強度Ｔ（λ，θ，ｄ）とが略一致することが確
認された。図から明らかなように、目視者にとっては視
角０゜から７５゜までＥＬ素子表示面を見る方向によっ
て色彩が順次異なるように見える。
【００１７】さらに、実用に沿うように、波長λに対し
て特定値で感応する目視者または光検出器の視感度特性
Ｅ（λ）を考慮する。例えば視感度特性Ｅ（λ）を正規
分布とすると、かかる感度特性内におけるＥＬ素子の輝
度特性Ｌ（ｄ）は、数式７のようにｄの関数として表せ
る（Ｋは定数を示す）。
て特定値で感応する目視者または光検出器の視感度特性
Ｅ（λ）を考慮する。例えば視感度特性Ｅ（λ）を正規
分布とすると、かかる感度特性内におけるＥＬ素子の輝
度特性Ｌ（ｄ）は、数式７のようにｄの関数として表せ
る（Ｋは定数を示す）。
【００１８】
【数７】
【００１９】図８は、Ａｌｑ3 からなるＥＬ層（θ＝
０，ｎ＝１．７）についてその膜厚を略０オングストロ
ームから８０００オングストロームにわたって変化させ
計算した場合の膜厚に対する輝度／電流特性の膜厚輝度
減衰（特性）を示し、この減衰曲線が有機ＥＬ素子にお
ける輝度の膜厚依存性を示している。
０，ｎ＝１．７）についてその膜厚を略０オングストロ
ームから８０００オングストロームにわたって変化させ
計算した場合の膜厚に対する輝度／電流特性の膜厚輝度
減衰（特性）を示し、この減衰曲線が有機ＥＬ素子にお
ける輝度の膜厚依存性を示している。
【００２０】以上のことから、有機ＥＬ素子は、視角に
より色（発光スペクトル）及び輝度が変化し、また膜厚
のバラツキにより輝度が変化するので、カラー表示を行
うと、見る角度で色及び輝度が変化し、ディスプレイと
して非常に不都合となりその改善が大きな課題となる。
より色（発光スペクトル）及び輝度が変化し、また膜厚
のバラツキにより輝度が変化するので、カラー表示を行
うと、見る角度で色及び輝度が変化し、ディスプレイと
して非常に不都合となりその改善が大きな課題となる。
【００２１】そこで本発明は、このような事情に対処し
てなされたもので輝度、及び発光スペクトルの視角依存
性を低減した有機ＥＬ素子を提供することを目的とす
る。
てなされたもので輝度、及び発光スペクトルの視角依存
性を低減した有機ＥＬ素子を提供することを目的とす
る。
【００２２】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の知見に
基づいて完成されたものであって、透明基板上に透明電
極、有機ＥＬ層及び金属電極を順に積層した有機ＥＬ素
子において、前記有機ＥＬ層の前記金属電極に接する側
の面又は前記金属電極の前記有機ＥＬ層に接する側の面
が粗面化されていることを特徴とするものである。また
本発明は、透明基板上に透明電極、有機ＥＬ層及び金属
電極を順に積層した有機ＥＬ素子において、前記透明基
板の前記透明電極が積層される側の面が粗面化されてい
ることを特徴とするものである。
基づいて完成されたものであって、透明基板上に透明電
極、有機ＥＬ層及び金属電極を順に積層した有機ＥＬ素
子において、前記有機ＥＬ層の前記金属電極に接する側
の面又は前記金属電極の前記有機ＥＬ層に接する側の面
が粗面化されていることを特徴とするものである。また
本発明は、透明基板上に透明電極、有機ＥＬ層及び金属
電極を順に積層した有機ＥＬ素子において、前記透明基
板の前記透明電極が積層される側の面が粗面化されてい
ることを特徴とするものである。
【００２３】
【作用】本発明の面発光装置では、たとえばホール輸送
層及び発光層からなる有機ＥＬ層にあっては、膜厚によ
り輝度が変化し、また視角により発光スペクトルや輝度
が変化することにより、視角により輝度が低下してしま
うということが本発明者等の実験によって判明した。更
に、このような変化は、干渉モデルによって説明するこ
とができることも判明した。
層及び発光層からなる有機ＥＬ層にあっては、膜厚によ
り輝度が変化し、また視角により発光スペクトルや輝度
が変化することにより、視角により輝度が低下してしま
うということが本発明者等の実験によって判明した。更
に、このような変化は、干渉モデルによって説明するこ
とができることも判明した。
【００２４】したがって、透明基板の前記透明電極が積
層される側の面を粗面化する等の方法で、有機ＥＬ層の
金属電極に接する側の面又は金属電極の有機ＥＬ層に接
する側の面を粗面化することにより、発光層内の発光点
からの光の光路差が多少異なり、干渉効果が平均化され
るため、角度依存性及び膜圧依存性が小さくなる。
層される側の面を粗面化する等の方法で、有機ＥＬ層の
金属電極に接する側の面又は金属電極の有機ＥＬ層に接
する側の面を粗面化することにより、発光層内の発光点
からの光の光路差が多少異なり、干渉効果が平均化され
るため、角度依存性及び膜圧依存性が小さくなる。
【００２５】
【実施例】以下、本発明の実施例の詳細を図面に基づい
て説明する。なお、以下に説明する図において、図３と
共通する部分には同一符号を付し重複する説明を省略す
る。
て説明する。なお、以下に説明する図において、図３と
共通する部分には同一符号を付し重複する説明を省略す
る。
【００２６】図１は、本発明の有機ＥＬ素子を２層構造
のものに適用した場合の一実施例を示すもので、ガラス
基板６の粗面上にＩｎ2Ｏ3やＳｎＯ2 等の透明電極２、
有機ＥＬ層を構成するトリフェニルジアミン誘導体（Ｔ
ＰＤ）からなるホール輸送層４及びアルミキノリノーム
錯体（Ａｌｑ3 ）からなる発光層３、及びＭｇ−Ａｌ等
からなる金属電極１が順に形成されている。
のものに適用した場合の一実施例を示すもので、ガラス
基板６の粗面上にＩｎ2Ｏ3やＳｎＯ2 等の透明電極２、
有機ＥＬ層を構成するトリフェニルジアミン誘導体（Ｔ
ＰＤ）からなるホール輸送層４及びアルミキノリノーム
錯体（Ａｌｑ3 ）からなる発光層３、及びＭｇ−Ａｌ等
からなる金属電極１が順に形成されている。
【００２７】図２は、上記の粗面部分を拡大して示すも
ので、その粗面化された面の最大の高さは１μｍ程度と
され、粗面化された山と山との間隔Ｌは３μｍ程度とす
るのが望ましい。そして、上記のように粗面化された有
機ＥＬ素子は、次のようにして作成される。
ので、その粗面化された面の最大の高さは１μｍ程度と
され、粗面化された山と山との間隔Ｌは３μｍ程度とす
るのが望ましい。そして、上記のように粗面化された有
機ＥＬ素子は、次のようにして作成される。
【００２８】まず、たとえばフッソ酸塩等の腐食作用を
有した薬品による腐食処理やサンドブラスト処理等によ
って、ガラス基板６の表面を処理する。このとき粗面化
された面の最大の高さ及び山と山との間隔Ｌは、それぞ
れ１μｍ程度及び３μｍ程度である。これらの処理方法
は、いわゆる曇りガラスの製法と同様な手法である。
有した薬品による腐食処理やサンドブラスト処理等によ
って、ガラス基板６の表面を処理する。このとき粗面化
された面の最大の高さ及び山と山との間隔Ｌは、それぞ
れ１μｍ程度及び３μｍ程度である。これらの処理方法
は、いわゆる曇りガラスの製法と同様な手法である。
【００２９】次いで、ガラス基板６の粗面化処理された
面上にスパッタリングによってＩＴＯの薄膜を約１００
０オングストロームとした透明電極２の層を形成する。
この透明電極２の層を形成する際には、ＡｒとＯ2 の混
合ガスを用いるとともに、１０- 3Torr程度の真空度中に
て行う。
面上にスパッタリングによってＩＴＯの薄膜を約１００
０オングストロームとした透明電極２の層を形成する。
この透明電極２の層を形成する際には、ＡｒとＯ2 の混
合ガスを用いるとともに、１０- 3Torr程度の真空度中に
て行う。
【００３０】透明電極２の形成を終えた後、その面上
に、１０- 6〜１０- 7Torrの真空度中にてＴＰＤ及びＡｌ
ｑ3 を順に抵抗加熱蒸着法により蒸着し、それぞれ５０
０オングストロームのホール輸送層４及び発光層３を形
成する。発光層３の形成を終えた後、その上に１０- 6〜
１０- 7Torrの真空度中にてＭｇ−Ａｌを蒸着し、金属電
極１を形成する。
に、１０- 6〜１０- 7Torrの真空度中にてＴＰＤ及びＡｌ
ｑ3 を順に抵抗加熱蒸着法により蒸着し、それぞれ５０
０オングストロームのホール輸送層４及び発光層３を形
成する。発光層３の形成を終えた後、その上に１０- 6〜
１０- 7Torrの真空度中にてＭｇ−Ａｌを蒸着し、金属電
極１を形成する。
【００３１】このようにして各層の界面が上述した程度
に粗面化されることとなる。その結果、ある視角からみ
た時の発光層内の各発光点の光路差が異なり、一定では
なくなる。従って干渉効果は平均化され、輝度及び発光
スペクトルの視角依存性や膜厚のバラツキによる変化も
抑制されることとなる。
に粗面化されることとなる。その結果、ある視角からみ
た時の発光層内の各発光点の光路差が異なり、一定では
なくなる。従って干渉効果は平均化され、輝度及び発光
スペクトルの視角依存性や膜厚のバラツキによる変化も
抑制されることとなる。
【００３２】さらに正反射が減少するのでコントラスト
も向上する。なお、本実施例では、まずガラス基板１の
表面に対して粗面化処理することによて、発光層と金属
電極の接する面を粗面化した場合について説明したが、
この例に限らず、発光層の金属電極と接する側の面のみ
に対して粗面化処理を施すようにしてもよい。
も向上する。なお、本実施例では、まずガラス基板１の
表面に対して粗面化処理することによて、発光層と金属
電極の接する面を粗面化した場合について説明したが、
この例に限らず、発光層の金属電極と接する側の面のみ
に対して粗面化処理を施すようにしてもよい。
【００３３】さらに、本発明は、上記実施例の２層構造
に限らず、図４に示す３層構造の場合も同様に各層間の
界面を粗面化することができる。
に限らず、図４に示す３層構造の場合も同様に各層間の
界面を粗面化することができる。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の有機ＥＬ
素子によれば、透明基板の前記透明電極が積層される側
の面を粗面化する等の方法で有機ＥＬ層の金属電極に接
する側の面又は金属電極の有機ＥＬ層に接する側の面を
粗面化し、発光層内の発光点からの光の光路差を異なら
せたことにより、干渉効果を平均化し、角度依存性及び
膜圧依存性が小さくしたので、視角による輝度低下を阻
止することができる。
素子によれば、透明基板の前記透明電極が積層される側
の面を粗面化する等の方法で有機ＥＬ層の金属電極に接
する側の面又は金属電極の有機ＥＬ層に接する側の面を
粗面化し、発光層内の発光点からの光の光路差を異なら
せたことにより、干渉効果を平均化し、角度依存性及び
膜圧依存性が小さくしたので、視角による輝度低下を阻
止することができる。
【図１】本発明を２層構造の有機ＥＬ素子に適用した場
合の一実施例を示す図である。
合の一実施例を示す図である。
【図２】図１に示す有機ＥＬ素子の粗面部分の一部を示
す図である。
す図である。
【図３】２層構造の有機ＥＬ素子を示す構造図である。
【図４】３層構造の有機ＥＬ素子を示す構造図である。
【図５】２層構造の有機ＥＬ素子における光の干渉を説
明する部分拡大断面図である。
明する部分拡大断面図である。
【図６】２層構造の有機ＥＬ素子におけるＥＬ層の膜厚
発光強度分布を説明するグラフである。
発光強度分布を説明するグラフである。
【図７】２層構造の有機ＥＬ素子におけるＥＬ層の波長
発光強度分布を説明するグラフである。
発光強度分布を説明するグラフである。
【図８】２層構造の有機ＥＬ素子におけるＥＬ層の単体
層の膜厚輝度減衰曲線を説明するグラフである。
層の膜厚輝度減衰曲線を説明するグラフである。
１ 金属電極 ２ 透明電極 ３ ＥＬ層 ４ 正孔輸送層 ５ 電子輸送層 ６ ガラス基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 幸男 山梨県甲府市大里町465番地 パイオニ アビデオ株式会社国母工場内 (72)発明者 米本 圭伸 山梨県甲府市大里町465番地 パイオニ アビデオ株式会社国母工場内 (56)参考文献 特開 平２−309592（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−65797（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−43996（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H05B 33/14 H05B 33/26
Claims (4)
- 【請求項１】 透明基板上に透明電極、有機ＥＬ層及び
金属電極を順に積層した有機ＥＬ素子において、前記有
機ＥＬ層の前記金属電極に接する側の面又は前記金属電
極の前記有機ＥＬ層に接する側の面が粗面化されている
ことを特徴とする有機ＥＬ素子。 - 【請求項２】 透明基板上に透明電極、有機ＥＬ層及び
金属電極を順に積層した有機ＥＬ素子において、前記透
明基板の前記透明電極が積層される側の面が粗面化され
ていることを特徴とする有機ＥＬ素子。 - 【請求項３】 前記有機ＥＬ層はホール輸送層及び発光
層からなることを特徴とする請求項１ないしは２に記載
の有機ＥＬ素子。 - 【請求項４】 前記有機ＥＬ層はホール輸送層、発光層
及び電子輸送層からなることを特徴とする請求項１ない
しは３に記載の有機ＥＬ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17867991A JP2843925B2 (ja) | 1991-06-24 | 1991-06-24 | 有機ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17867991A JP2843925B2 (ja) | 1991-06-24 | 1991-06-24 | 有機ｅｌ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH053079A JPH053079A (ja) | 1993-01-08 |
| JP2843925B2 true JP2843925B2 (ja) | 1999-01-06 |
Family
ID=16052662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17867991A Expired - Fee Related JP2843925B2 (ja) | 1991-06-24 | 1991-06-24 | 有機ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP2843925B2 (ja) |
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| US6054809A (en) * | 1996-08-14 | 2000-04-25 | Add-Vision, Inc. | Electroluminescent lamp designs |
| JPH10172767A (ja) * | 1996-12-11 | 1998-06-26 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 |
| KR100280962B1 (ko) * | 1997-12-26 | 2001-02-01 | 김덕중 | 고효율유기전기발광소자 |
| JP2000208255A (ja) | 1999-01-13 | 2000-07-28 | Nec Corp | 有機エレクトロルミネセント表示装置及びその製造方法 |
| TW511298B (en) | 1999-12-15 | 2002-11-21 | Semiconductor Energy Lab | EL display device |
| DE10045204A1 (de) * | 2000-09-13 | 2002-04-04 | Siemens Ag | Träger für eine OLED und Verfahren zur Herstellung eines Trägers für eine OLED |
| TW527848B (en) | 2000-10-25 | 2003-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Light-emitting element and display device and lighting device utilizing thereof |
| JP2002352956A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-12-06 | Mitsubishi Chemicals Corp | 薄膜型発光体及びその製造方法 |
| AUPS327002A0 (en) | 2002-06-28 | 2002-07-18 | Kabay & Company Pty Ltd | An electroluminescent light emitting device |
| JP4136799B2 (ja) * | 2002-07-24 | 2008-08-20 | 富士フイルム株式会社 | Ｅｌ表示素子の形成方法 |
| CN100469206C (zh) * | 2003-08-05 | 2009-03-11 | 松下电器产业株式会社 | 有机发光元件及其制造方法、显示装置及照明装置 |
| CN100356592C (zh) * | 2004-01-06 | 2007-12-19 | 元砷光电科技股份有限公司 | 发光二极管及其制造方法 |
| EP1566854A1 (en) * | 2004-02-19 | 2005-08-24 | Heptagon OY | Organic light emitting device |
| JP4340199B2 (ja) | 2004-07-09 | 2009-10-07 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法 |
| JP2006269251A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Seiko Epson Corp | 発光装置 |
| JP4852972B2 (ja) * | 2005-10-26 | 2012-01-11 | パナソニック電工株式会社 | 光学部品の製造方法及び発光素子 |
| KR100847924B1 (ko) * | 2006-02-03 | 2008-07-22 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 유기 발광소자와 그 제조방법, 표시장치 및 조명장치 |
| DE102011003641A1 (de) * | 2011-02-04 | 2012-08-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauteils und optoelektronisces Bauteil |
-
1991
- 1991-06-24 JP JP17867991A patent/JP2843925B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH053079A (ja) | 1993-01-08 |
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