JPH08185983A - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス素子Info
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- JPH08185983A JPH08185983A JP6340283A JP34028394A JPH08185983A JP H08185983 A JPH08185983 A JP H08185983A JP 6340283 A JP6340283 A JP 6340283A JP 34028394 A JP34028394 A JP 34028394A JP H08185983 A JPH08185983 A JP H08185983A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ホール注入電極と電子注入電極とから注入さ
れた電子とホールとを発光層内において再結合させて発
光させるにあたり、十分な輝度を持つEL光が得られる
ようになった発光特性の良い有機EL素子を提供する。 【構成】 ホール注入電極2と電子注入電極5との間
に、少なくとも有機材料を用いた発光層4とキャリア輸
送層3とが積層された有機エレクトロルミネッセンス素
子において、上記の発光層4やキャリア輸送層3と接触
する少なくとも一方の電極2の面2aに微細な凹凸を形
成した。
れた電子とホールとを発光層内において再結合させて発
光させるにあたり、十分な輝度を持つEL光が得られる
ようになった発光特性の良い有機EL素子を提供する。 【構成】 ホール注入電極2と電子注入電極5との間
に、少なくとも有機材料を用いた発光層4とキャリア輸
送層3とが積層された有機エレクトロルミネッセンス素
子において、上記の発光層4やキャリア輸送層3と接触
する少なくとも一方の電極2の面2aに微細な凹凸を形
成した。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、ホール注入電極と電
子注入電極との間に、少なくとも有機材料を用いたキャ
リア輸送層と発光層とが積層されてなる有機エレクトロ
ルミネッセンス素子に係り、特に、ホール注入電極や電
子注入電極から発光層やキャリア輸送層にホールや電子
が効率よく注入されて、十分な輝度を持つエレクトロル
ミネッセンス光が得られるようになった有機エレクトロ
ルミネッセンス素子に関するものである。
子注入電極との間に、少なくとも有機材料を用いたキャ
リア輸送層と発光層とが積層されてなる有機エレクトロ
ルミネッセンス素子に係り、特に、ホール注入電極や電
子注入電極から発光層やキャリア輸送層にホールや電子
が効率よく注入されて、十分な輝度を持つエレクトロル
ミネッセンス光が得られるようになった有機エレクトロ
ルミネッセンス素子に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、情報機器の多様化等にともなっ
て、従来より一般に使用されているCRTに比べて消費
電力や空間占有面積が少ない平面表示素子のニーズが高
まり、このような平面表示素子の一つとしてエレクトロ
ルミネッセンス素子(以下、EL素子と略す。)が注目
されている。
て、従来より一般に使用されているCRTに比べて消費
電力や空間占有面積が少ない平面表示素子のニーズが高
まり、このような平面表示素子の一つとしてエレクトロ
ルミネッセンス素子(以下、EL素子と略す。)が注目
されている。
【0003】そして、このEL素子は使用する材料によ
って無機EL素子と有機EL素子に大別され、無機EL
素子においては、一般に発光部に高電界を作用させ、電
子をこの高電界中で加速して発光中心に衝突させ、これ
により発光中心を励起させて発光させるようになってい
る。一方、有機EL素子においては、電子注入電極とホ
ール注入電極とからそれぞれ電子とホールとを発光部内
に注入させ、このように注入された電子とホールとを発
光中心で再結合させて、有機分子を励起状態にする。そ
して、この有機分子が励起状態から基底状態に移るとき
に蛍光を発光するようになっている。
って無機EL素子と有機EL素子に大別され、無機EL
素子においては、一般に発光部に高電界を作用させ、電
子をこの高電界中で加速して発光中心に衝突させ、これ
により発光中心を励起させて発光させるようになってい
る。一方、有機EL素子においては、電子注入電極とホ
ール注入電極とからそれぞれ電子とホールとを発光部内
に注入させ、このように注入された電子とホールとを発
光中心で再結合させて、有機分子を励起状態にする。そ
して、この有機分子が励起状態から基底状態に移るとき
に蛍光を発光するようになっている。
【0004】ここで、無機EL素子においては、上記の
ように高電界を作用させるため、その駆動電圧として1
00〜200Vと高い電圧を必要とするのに対し、上記
の有機EL素子においては、5〜20V程度の低い電圧
で駆動できるという利点があった。また、このような有
機EL素子においては、発光材料である螢光物質を選択
することによって適当な色彩に発光する発光素子を得る
ことができ、フルカラーの表示装置等としても利用でき
るという期待があり、近年、このような有機EL素子に
ついて様々な研究が行なわれるようになった。
ように高電界を作用させるため、その駆動電圧として1
00〜200Vと高い電圧を必要とするのに対し、上記
の有機EL素子においては、5〜20V程度の低い電圧
で駆動できるという利点があった。また、このような有
機EL素子においては、発光材料である螢光物質を選択
することによって適当な色彩に発光する発光素子を得る
ことができ、フルカラーの表示装置等としても利用でき
るという期待があり、近年、このような有機EL素子に
ついて様々な研究が行なわれるようになった。
【0005】そして、上記の有機EL素子における素子
構造としては、ホール注入電極と電子注入電極との間に
ホール輸送層と発光層と電子輸送層とを積層させたDH
構造と称される三層構造のものや、ホール注入電極と電
子注入電極との間にホール輸送層と電子輸送性に富む発
光層とが積層されたSH−A構造と称される二層構造の
ものや、ホール注入電極と電子注入電極との間にホール
輸送性に富む発光層と電子輸送層とが積層されたSH−
B構造と称される二層構造のものが知られていた。
構造としては、ホール注入電極と電子注入電極との間に
ホール輸送層と発光層と電子輸送層とを積層させたDH
構造と称される三層構造のものや、ホール注入電極と電
子注入電極との間にホール輸送層と電子輸送性に富む発
光層とが積層されたSH−A構造と称される二層構造の
ものや、ホール注入電極と電子注入電極との間にホール
輸送性に富む発光層と電子輸送層とが積層されたSH−
B構造と称される二層構造のものが知られていた。
【0006】しかし、このような有機EL素子は、上記
のように無機EL素子に比べて低電圧で駆動でき、多色
化が容易であるという利点を有しているが、得られるE
L光の輝度などがまだ十分ではなく発光特性が低いとい
う問題があった。
のように無機EL素子に比べて低電圧で駆動でき、多色
化が容易であるという利点を有しているが、得られるE
L光の輝度などがまだ十分ではなく発光特性が低いとい
う問題があった。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】この発明は、有機EL
素子における上記のような問題を解決することを課題と
するものであり、ホール注入電極と電子注入電極とから
注入された電子とホールとを発光層内において再結合さ
せて発光させるにあたり、十分な輝度を持つEL光が得
られるようになった発光特性の良い有機EL素子を提供
することを目的とするものである。
素子における上記のような問題を解決することを課題と
するものであり、ホール注入電極と電子注入電極とから
注入された電子とホールとを発光層内において再結合さ
せて発光させるにあたり、十分な輝度を持つEL光が得
られるようになった発光特性の良い有機EL素子を提供
することを目的とするものである。
【0008】
【課題を解決するための手段】この発明においては、上
記のような課題を解決するため、ホール注入電極と電子
注入電極との間に、少なくとも有機材料を用いた発光層
とキャリア輸送層とが積層された有機エレクトロルミネ
ッセンス素子において、上記の発光層やキャリア輸送層
と接触する少なくとも一方の電極の面に微細な凹凸を形
成するようにしたのである。
記のような課題を解決するため、ホール注入電極と電子
注入電極との間に、少なくとも有機材料を用いた発光層
とキャリア輸送層とが積層された有機エレクトロルミネ
ッセンス素子において、上記の発光層やキャリア輸送層
と接触する少なくとも一方の電極の面に微細な凹凸を形
成するようにしたのである。
【0009】ここで、この有機EL素子においては、そ
のホール注入電極として、金やITO(インジウム−ス
ズ酸化物)等の仕事関数の大きな材料を用いるようにす
る一方、電子注入電極としては、マグネシウム等の仕事
関数の小さな電極材料を用いるようにし、EL光を取り
出すために、少なくとも一方の電極を透明にする必要が
あり、一般にはホール注入電極に透明で仕事関数の大き
いITOを用いるようにする。
のホール注入電極として、金やITO(インジウム−ス
ズ酸化物)等の仕事関数の大きな材料を用いるようにす
る一方、電子注入電極としては、マグネシウム等の仕事
関数の小さな電極材料を用いるようにし、EL光を取り
出すために、少なくとも一方の電極を透明にする必要が
あり、一般にはホール注入電極に透明で仕事関数の大き
いITOを用いるようにする。
【0010】また、この発明における有機EL素子の素
子構造は、前記のDH構造,SH−A構造,SH−B構
造の何れの構造のものであっても良い。
子構造は、前記のDH構造,SH−A構造,SH−B構
造の何れの構造のものであっても良い。
【0011】また、この発明における有機エレクトロル
ミネッセンス素子においては、上記のように発光層やキ
ャリア輸送層と接触する少なくとも一方の電極の面に凹
凸を形成するにあたり、この凹凸の高低差が30〜10
00Åの範囲になるようにした。
ミネッセンス素子においては、上記のように発光層やキ
ャリア輸送層と接触する少なくとも一方の電極の面に凹
凸を形成するにあたり、この凹凸の高低差が30〜10
00Åの範囲になるようにした。
【0012】ここで、上記のように発光層やキャリア輸
送層と接触する少なくとも一方の電極の面に凹凸を形成
するにあたっては、例えば、基板の表面に電極を形成し
た状態で、この基板を酸化アルミニウム粒子を含有する
水中で超音波処理し、この基板の表面に形成された電極
の表面に凹凸を形成する等、電極に表面処理を行なっ
て、電極の表面に直接凹凸を形成する他、電極を設ける
基板を表面処理して、この基板の表面に凹凸を形成し、
このように凹凸が形成された基板の表面に電極を形成し
て、基板の表面における凹凸に対応した凹凸を電極の表
面に形成するようにしてもよい。なお、このように凹凸
が形成された基板の表面に電極を形成すると、電極の表
面における凹凸が基板の表面における凹凸より若干緩和
されるため、電極の表面に直接形成する凹凸よりも大き
な凹凸を基板の表面に形成しておくことが望ましい。
送層と接触する少なくとも一方の電極の面に凹凸を形成
するにあたっては、例えば、基板の表面に電極を形成し
た状態で、この基板を酸化アルミニウム粒子を含有する
水中で超音波処理し、この基板の表面に形成された電極
の表面に凹凸を形成する等、電極に表面処理を行なっ
て、電極の表面に直接凹凸を形成する他、電極を設ける
基板を表面処理して、この基板の表面に凹凸を形成し、
このように凹凸が形成された基板の表面に電極を形成し
て、基板の表面における凹凸に対応した凹凸を電極の表
面に形成するようにしてもよい。なお、このように凹凸
が形成された基板の表面に電極を形成すると、電極の表
面における凹凸が基板の表面における凹凸より若干緩和
されるため、電極の表面に直接形成する凹凸よりも大き
な凹凸を基板の表面に形成しておくことが望ましい。
【0013】
【作用】この発明における有機EL素子においても、電
子注入電極とホール注入電極との間に設けられた発光層
やキャリア輸送層に、電子注入電極とホール注入電極と
からそれぞれ電子とホールとを注入させ、このように注
入された電子とホールとを発光層において再結合させ
て、有機分子を励起状態し、この有機分子が励起状態か
ら基底状態に移るときに蛍光を発光するようになってい
る。
子注入電極とホール注入電極との間に設けられた発光層
やキャリア輸送層に、電子注入電極とホール注入電極と
からそれぞれ電子とホールとを注入させ、このように注
入された電子とホールとを発光層において再結合させ
て、有機分子を励起状態し、この有機分子が励起状態か
ら基底状態に移るときに蛍光を発光するようになってい
る。
【0014】ここで、この発明における有機EL素子に
おいては、発光層やキャリア輸送層と接触する少なくと
も一方の電極の面に微細な凹凸を形成し、発光層やキャ
リア輸送層と接触する面積を大きくしているため、この
電極から電子やホールが発光層やキャリア輸送層に効率
よく注入されるようになる。そして、このように効率よ
く注入された電子やホールが発光層において再結合され
て発光するようになり、その発光特性が向上して輝度の
高いEL光が得られるようになる。
おいては、発光層やキャリア輸送層と接触する少なくと
も一方の電極の面に微細な凹凸を形成し、発光層やキャ
リア輸送層と接触する面積を大きくしているため、この
電極から電子やホールが発光層やキャリア輸送層に効率
よく注入されるようになる。そして、このように効率よ
く注入された電子やホールが発光層において再結合され
て発光するようになり、その発光特性が向上して輝度の
高いEL光が得られるようになる。
【0015】また、上記のように発光層やキャリア輸送
層と接触する少なくとも一方の電極の面に凹凸を形成す
るにあたり、電極の面における凹凸が大きすぎると、こ
の電極上に形成されるキャリア輸送層や発光層の膜厚が
不均一になる等の問題が生じて十分な発光特性が得られ
なくなる一方、この凹凸が小さすぎると、発光層やキャ
リア輸送層と接触する面積の増加が十分ではなく、電極
から発光層やキャリア輸送層に注入される電子やホール
の増加が少なくて、発光特性を十分に向上させることが
できなくなる。このため、上記のように電極の面におけ
る凹凸の高低差が30〜1000Åの範囲になるように
すると、この電極上に形成されるキャリア輸送層や発光
層に悪影響を及ぼすことなく、発光特性を十分に向上さ
せることができるようになる。
層と接触する少なくとも一方の電極の面に凹凸を形成す
るにあたり、電極の面における凹凸が大きすぎると、こ
の電極上に形成されるキャリア輸送層や発光層の膜厚が
不均一になる等の問題が生じて十分な発光特性が得られ
なくなる一方、この凹凸が小さすぎると、発光層やキャ
リア輸送層と接触する面積の増加が十分ではなく、電極
から発光層やキャリア輸送層に注入される電子やホール
の増加が少なくて、発光特性を十分に向上させることが
できなくなる。このため、上記のように電極の面におけ
る凹凸の高低差が30〜1000Åの範囲になるように
すると、この電極上に形成されるキャリア輸送層や発光
層に悪影響を及ぼすことなく、発光特性を十分に向上さ
せることができるようになる。
【0016】
【実施例】以下、この発明の実施例に係る有機EL素子
を添付図面に基づいて具体的に説明すると共に、比較例
を挙げ、この実施例における有機EL素子が耐久性等の
点で優れていることを明らかにする。
を添付図面に基づいて具体的に説明すると共に、比較例
を挙げ、この実施例における有機EL素子が耐久性等の
点で優れていることを明らかにする。
【0017】(実施例1)この実施例における有機EL
素子は、図1に示すように、ガラス基板1上に、ITO
で構成された透明なホール注入電極2と、下記化1に示
すN,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチル
フェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミ
ン(以下、TPDと略す。)で構成された膜厚が500
Åのホール輸送層3と、下記化2に示す10−ベンゾ
[h]キノリノール−ベリリウム錯体(以下、BeBq
2 と略す。)からなるホスト材料に下記化3に示すキナ
クリドンがゲスト材料として0.03wt%ドープされ
た膜厚が500Åの発光層4と、マグネシウム・インジ
ウム合金(Mg:In=10:1)で構成された膜厚が
2000Åの電子注入電極5とが順々に形成されたSH
−A構造になっていると共に、図2に示すように、上記
のホール輸送層3と接触するホール注入電極2の面2a
に微細な凹凸が形成されている。
素子は、図1に示すように、ガラス基板1上に、ITO
で構成された透明なホール注入電極2と、下記化1に示
すN,N’−ジフェニル−N,N’−ビス(3−メチル
フェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’−ジアミ
ン(以下、TPDと略す。)で構成された膜厚が500
Åのホール輸送層3と、下記化2に示す10−ベンゾ
[h]キノリノール−ベリリウム錯体(以下、BeBq
2 と略す。)からなるホスト材料に下記化3に示すキナ
クリドンがゲスト材料として0.03wt%ドープされ
た膜厚が500Åの発光層4と、マグネシウム・インジ
ウム合金(Mg:In=10:1)で構成された膜厚が
2000Åの電子注入電極5とが順々に形成されたSH
−A構造になっていると共に、図2に示すように、上記
のホール輸送層3と接触するホール注入電極2の面2a
に微細な凹凸が形成されている。
【0018】
【化1】
【0019】
【化2】
【0020】
【化3】
【0021】次に、この実施例の有機EL素子を製造す
る方法を具体的に説明する。
る方法を具体的に説明する。
【0022】まず、表面にITOで構成されたホール注
入電極2が形成されたガラス基板1を酸化アルミニウム
粒子(Al2 O3 、粒子径0.06μm)を含有する水
中に入れて20分間超音波洗浄して表面処理を行ない、
ホール注入電極2の面2aに上記のような微細な凹凸を
形成した後、これを中性洗剤により洗浄し、さらにアセ
トン中で20分間,エタノール中で20分間それぞれ超
音波洗浄を行ない、その後、これを沸騰したエタノール
中に約1分間浸漬させて取り出した後、すぐにこれを送
風乾燥させた。
入電極2が形成されたガラス基板1を酸化アルミニウム
粒子(Al2 O3 、粒子径0.06μm)を含有する水
中に入れて20分間超音波洗浄して表面処理を行ない、
ホール注入電極2の面2aに上記のような微細な凹凸を
形成した後、これを中性洗剤により洗浄し、さらにアセ
トン中で20分間,エタノール中で20分間それぞれ超
音波洗浄を行ない、その後、これを沸騰したエタノール
中に約1分間浸漬させて取り出した後、すぐにこれを送
風乾燥させた。
【0023】そして、上記のように微細な凹凸が形成さ
れたITOからなるホール注入電極2の面2aに上記の
TPDを真空蒸着させてホール輸送層3を形成し、続い
てこのホール輸送層3上に上記のBeBq2 とキナクリ
ドンとの混合物を真空蒸着させて発光層4を形成し、さ
らにこの発光層4の上にマグネシウム・インジウム合金
からなる電子注入電極5を形成した。なお、これらの蒸
着は何れも真空度1×10-6Torr、基板温度20℃
で行なうと共に、上記のホール輸送層3及び発光層4を
形成するにあたってはそれぞれその蒸着速度を2Å/s
ecの条件で行なった。
れたITOからなるホール注入電極2の面2aに上記の
TPDを真空蒸着させてホール輸送層3を形成し、続い
てこのホール輸送層3上に上記のBeBq2 とキナクリ
ドンとの混合物を真空蒸着させて発光層4を形成し、さ
らにこの発光層4の上にマグネシウム・インジウム合金
からなる電子注入電極5を形成した。なお、これらの蒸
着は何れも真空度1×10-6Torr、基板温度20℃
で行なうと共に、上記のホール輸送層3及び発光層4を
形成するにあたってはそれぞれその蒸着速度を2Å/s
ecの条件で行なった。
【0024】そして、上記のホール注入電極2にプラ
ス、電子注入電極5にマイナスのバイアスを印加させて
発光させるようにした。
ス、電子注入電極5にマイナスのバイアスを印加させて
発光させるようにした。
【0025】(比較例1)この比較例の有機EL素子に
おいては、表面にITOで構成されたホール注入電極2
が形成されたガラス基板1を酸化アルミニウム粒子を含
有する水中で超音波洗浄して表面処理する工程をなく
し、ホール輸送層3と接触するホール注入電極2の面2
aに微細な凹凸が形成されてないものを使用し、それ以
外は上記実施例1の有機EL素子と同様にして構成し
た。
おいては、表面にITOで構成されたホール注入電極2
が形成されたガラス基板1を酸化アルミニウム粒子を含
有する水中で超音波洗浄して表面処理する工程をなく
し、ホール輸送層3と接触するホール注入電極2の面2
aに微細な凹凸が形成されてないものを使用し、それ以
外は上記実施例1の有機EL素子と同様にして構成し
た。
【0026】(実施例2)この実施例の有機EL素子に
おいては、上記実施例1と同様に、表面にITOで構成
されたホール注入電極2が形成されたガラス基板1を酸
化アルミニウム粒子を含有する水中で超音波洗浄して表
面処理し、ホール輸送層3と接触するホール注入電極2
の面2aに微細な凹凸を形成したものを用いるようにし
た。
おいては、上記実施例1と同様に、表面にITOで構成
されたホール注入電極2が形成されたガラス基板1を酸
化アルミニウム粒子を含有する水中で超音波洗浄して表
面処理し、ホール輸送層3と接触するホール注入電極2
の面2aに微細な凹凸を形成したものを用いるようにし
た。
【0027】そして、この実施例の有機EL素子におい
ては、上記実施例1の有機EL素子と発光層4だけを変
更し、下記の化4に示すトリス(8−キノリノール)ア
ルミニウム錯体(以下、Alq3 と略す。)からなるホ
スト材料に下記化5に示すルブレンがゲスト材料として
1.15wt%ドープされた発光層4を設けるようにし
た。
ては、上記実施例1の有機EL素子と発光層4だけを変
更し、下記の化4に示すトリス(8−キノリノール)ア
ルミニウム錯体(以下、Alq3 と略す。)からなるホ
スト材料に下記化5に示すルブレンがゲスト材料として
1.15wt%ドープされた発光層4を設けるようにし
た。
【0028】
【化4】
【0029】
【化5】
【0030】(比較例2)この比較例の有機EL素子に
おいては、上記比較例1と同様に、ホール輸送層3と接
触するホール注入電極2の面2aに微細な凹凸が形成さ
れてないものを使用し、それ以外は上記実施例2の有機
EL素子と同様にして構成した。
おいては、上記比較例1と同様に、ホール輸送層3と接
触するホール注入電極2の面2aに微細な凹凸が形成さ
れてないものを使用し、それ以外は上記実施例2の有機
EL素子と同様にして構成した。
【0031】次に、上記実施例1,2及び比較例1,2
の各有機EL素子におけるホール注入電極2と電子注入
電極5との間に9Vの電圧を印加して、各有機EL素子
を発光させるようにし、各有機EL素子における発光輝
度,電流密度,発光波長及び発光色を調べ、その結果を
下記の表1に示した。
の各有機EL素子におけるホール注入電極2と電子注入
電極5との間に9Vの電圧を印加して、各有機EL素子
を発光させるようにし、各有機EL素子における発光輝
度,電流密度,発光波長及び発光色を調べ、その結果を
下記の表1に示した。
【0032】
【表1】
【0033】この結果から明らかなように、上記実施例
1,2の有機EL素子のようにホール輸送層3と接触す
るホール注入電極2の面2aに微細な凹凸を形成する
と、ホール輸送層3と接触するホール注入電極2の面2
aに微細な凹凸を形成しなかった比較例1,2の有機E
L素子に比べて、電流密度が高くなって発光輝度が向上
していた。
1,2の有機EL素子のようにホール輸送層3と接触す
るホール注入電極2の面2aに微細な凹凸を形成する
と、ホール輸送層3と接触するホール注入電極2の面2
aに微細な凹凸を形成しなかった比較例1,2の有機E
L素子に比べて、電流密度が高くなって発光輝度が向上
していた。
【0034】なお、上記実施例1,2においては、素子
構造がSH−A構造になった有機EL素子の例を示した
だけであるが、この発明における有機EL素子はSH−
A構造のものに限られず、前記のDH構造やSH−B構
造のものであっても同様の効果が得られる。
構造がSH−A構造になった有機EL素子の例を示した
だけであるが、この発明における有機EL素子はSH−
A構造のものに限られず、前記のDH構造やSH−B構
造のものであっても同様の効果が得られる。
【0035】また、上記実施例1,2においては、ホー
ル輸送層3と接触するホール注入電極2の面2aに微細
な凹凸を形成した例を示しただけであるが、発光層4と
接触する電子注入電極5の面に微細な凹凸を形成した
り、ホール注入電極2と電子注入電極5との双方に微細
な凹凸を形成することも可能であり、これらの場合も同
様の効果が得られる。
ル輸送層3と接触するホール注入電極2の面2aに微細
な凹凸を形成した例を示しただけであるが、発光層4と
接触する電子注入電極5の面に微細な凹凸を形成した
り、ホール注入電極2と電子注入電極5との双方に微細
な凹凸を形成することも可能であり、これらの場合も同
様の効果が得られる。
【0036】
【発明の効果】以上詳述したように、この発明における
有機EL素子においては、発光層やキャリア輸送層と接
触する少なくとも一方の電極の面に微細な凹凸を形成し
て、発光層やキャリア輸送層と接触する面積を大きくし
たため、これらの電極から電子やホールが発光層やキャ
リア輸送層に効率よく注入されるようになり、このよう
に効率よく注入された電子やホールが発光層において再
結合されて発光するようになり、発光特性が向上して輝
度の高いEL光が得られるようになった。
有機EL素子においては、発光層やキャリア輸送層と接
触する少なくとも一方の電極の面に微細な凹凸を形成し
て、発光層やキャリア輸送層と接触する面積を大きくし
たため、これらの電極から電子やホールが発光層やキャ
リア輸送層に効率よく注入されるようになり、このよう
に効率よく注入された電子やホールが発光層において再
結合されて発光するようになり、発光特性が向上して輝
度の高いEL光が得られるようになった。
【0037】また、上記のように発光層やキャリア輸送
層と接触する少なくとも一方の電極の面に凹凸を形成す
るにあたり、電極の面における凹凸の高低差が30〜1
000Åの範囲になるようにすると、発光層やキャリア
輸送層と接触する面積が十分に増加すると共に、電極上
に形成されるキャリア輸送層や発光層の膜厚が不均一に
なるということもなく、発光特性が十分に向上されるよ
うになった。
層と接触する少なくとも一方の電極の面に凹凸を形成す
るにあたり、電極の面における凹凸の高低差が30〜1
000Åの範囲になるようにすると、発光層やキャリア
輸送層と接触する面積が十分に増加すると共に、電極上
に形成されるキャリア輸送層や発光層の膜厚が不均一に
なるということもなく、発光特性が十分に向上されるよ
うになった。
【図1】実施例1,2及び比較例1,2における有機E
L素子の素子構造を示した概略断面図である。
L素子の素子構造を示した概略断面図である。
【図2】実施例1,2の有機EL素子において、ホール
輸送層と接触するホール注入電極の面の状態を示した部
分拡大断面図である。
輸送層と接触するホール注入電極の面の状態を示した部
分拡大断面図である。
1 ガラス基板 2 ホール注入電極 2a ホール輸送層と接触するホール注入電極の面 3 ホール輸送層 4 発光層 5 電子注入電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤井 孝則 大阪府守口市京阪本通2丁目5番5号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 柴田 賢一 大阪府守口市京阪本通2丁目5番5号 三 洋電機株式会社内
Claims (2)
- 【請求項1】 ホール注入電極と電子注入電極との間
に、少なくとも有機材料を用いた発光層とキャリア輸送
層とが積層された有機エレクトロルミネッセンス素子に
おいて、上記の発光層やキャリア輸送層と接触する少な
くとも一方の電極の面に微細な凹凸が形成されてなるこ
とを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。 - 【請求項2】 請求項1に記載した有機エレクトロルミ
ネッセンス素子において、上記の発光層やキャリア輸送
層と接触する少なくとも一方の電極の面に形成される凹
凸の高低差が30〜1000Åの範囲であることを特徴
とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6340283A JPH08185983A (ja) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6340283A JPH08185983A (ja) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08185983A true JPH08185983A (ja) | 1996-07-16 |
Family
ID=18335463
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6340283A Pending JPH08185983A (ja) | 1994-12-28 | 1994-12-28 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08185983A (ja) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2002352956A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-12-06 | Mitsubishi Chemicals Corp | 薄膜型発光体及びその製造方法 |
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WO2003081959A1 (fr) * | 2002-03-26 | 2003-10-02 | Nippon Soda Co.,Ltd. | Source de lumiere |
WO2005013645A1 (ja) * | 2003-08-05 | 2005-02-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 有機発光素子とその製造方法、表示装置および照明装置 |
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-
1994
- 1994-12-28 JP JP6340283A patent/JPH08185983A/ja active Pending
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