CN109841751B - 有机发光器件的照明装置 - Google Patents

有机发光器件的照明装置 Download PDF

Info

Publication number
CN109841751B
CN109841751B CN201811389465.5A CN201811389465A CN109841751B CN 109841751 B CN109841751 B CN 109841751B CN 201811389465 A CN201811389465 A CN 201811389465A CN 109841751 B CN109841751 B CN 109841751B
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
light emitting
layer
lighting device
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201811389465.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109841751A (zh
Inventor
金钟珉
宋泰俊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Display Co Ltd filed Critical LG Display Co Ltd
Publication of CN109841751A publication Critical patent/CN109841751A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109841751B publication Critical patent/CN109841751B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8791—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K59/8792—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. black layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/814—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
    • H10K59/179—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H10K59/1795—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H10K59/80515—Anodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H10K59/80516—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/877—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
    • F21Y2115/15—Organic light-emitting diodes [OLED]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/813—Anodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

公开了一种有机发光二极管(OLED)照明装置，其能够通过最大化发光区域来提高照明效率和寿命。为此，在根据本公开内容的OLED照明装置中，第一电极在界面处设置有压纹图案，基板上的外涂层与该第一电极接触，并且第一电极由高折射透明导电材料制成，并且被布置在整个有源区域中。结果，由于根据本公开内容的OLED照明装置可以通过由于通过设置有压纹图案的第一电极的微透镜效应而引起的光散射来提高光提取效率，因此可以去除布置在基板和外涂层之间的界面处的光提取层，从而降低了工艺产量和制造成本。此外，在根据本公开内容的OLED照明装置中，代替去除辅助线和保护层，由高折射透明导电材料制成的第一电极布置在整个有源区域中，并且甚至可以在不发光区域中发出光。因此，通过最大化发光区域可以提高光提取效率，从而可以提高寿命。

Description

有机发光器件的照明装置
技术领域
本公开内容涉及OLED照明装置，具体而言，涉及能够通过最大化发光区域来提高照明效率和寿命的OLED照明装置。
背景技术
目前，荧光灯或白炽灯主要用作照明装置。其中，白炽灯尽管具有高显色指数，但具有能量效率非常低的问题，并且荧光灯尽管具有良好的能量效率，但具有低显色指数和含汞导致环境污染的问题。
因此，已经提出发光二极管(LED)作为能够替换荧光灯或白炽灯的照明装置。这种LED由无机发光材料形成，并且其发光效率在蓝色波长带中具有最大值并且朝向具有最高可见度的红色波长带和绿色波长带减小。因此，当组合红色LED、绿色LED和蓝色LED以发射白光时，发光效率降低。另外，当使用红色LED、绿色LED和蓝色LED时，由于每个峰的宽度窄，所以显色性降低。
为了克服这些问题，已经提出了一种照明装置，其被配置为通过蓝色LED和黄色磷光体的组合而不是将红色LED与绿色LED和蓝色LED组合来发射白光。这是因为通过组合具有高发光效率的蓝色LED与在被从蓝色LED照射蓝光时发射黄光的磷光体的组合获得白光的方法比使用具有低发光效率的绿色LED更有效。
然而，这种被配置为通过蓝色LED与黄色磷光体的组合发射白光的照明装置由于发射黄光的荧光材料的低发光效率而限制了照明装置的发光效率。
如上所述，为了解决发光效率降低的问题，已经提出了使用由有机发光材料形成的有机发光器件的有机发光二极管(OLED)照明装置。通常，与无机发光器件相比，OLED在绿色和红色波长区域中具有相对良好的发光效率。另外，与无机发光器件相比，这种有机发光器件由于蓝色、红色和绿色波长区域中的相对宽的发光峰值而展现出改善的显色性，因此，发光装置的光更类似于阳光。
发明内容
本公开内容的目的是提供一种有机发光二极管(OLED)照明装置，其能够通过最大化发光区域来提高照明效率和寿命。
为此，在根据本公开内容的OLED照明装置中，第一电极在界面处设置有压纹图案，基板上的外涂层与该第一电极接触，并且第一电极由高折射透明导电材料制成，并且被布置在整个有源区域中。
结果，由于根据本公开内容的OLED照明装置可以通过由于通过设置有压纹图案的第一电极的微透镜效应而引起的光散射来提高光提取效率，因此可以去除布置在基板和外涂层之间的界面处的光提取层，从而降低了工艺产量和制造成本。
此外，在根据本公开内容的OLED照明装置中，代替去除辅助线和保护层，由高折射透明导电材料制成的第一电极布置在整个有源区域中，并且甚至可以在不发光区域中发出光。因此，通过最大化发光区域，可以提高光提取效率，从而可以提高寿命。
在根据本公开内容的示例性实施例的OLED照明装置中，外涂层布置在基板上，并且在界面处设置有压纹图案并与外涂层接触的第一电极布置在外涂层上。
因此，由于根据本公开内容的OLED照明装置可以通过由于通过设置有压纹图案的第一电极的微透镜效应而引起的光散射来提高光提取效率，因此可以去除布置在基板和外涂层之间的界面处的光提取层，从而降低了工艺产量和制造成本。
为此，在根据本公开内容的示例性实施例的OLED照明装置中，布置了在界面处由高折射透明导电材料形成的第一电极，基板上的外涂层与第一电极接触，并且第一电极具有含有第一厚度的压纹图案的发光部分和含有比第一厚度厚的第二厚度的压纹图案的辅助电极部分。
另外，在根据本公开内容的示例性实施例的OLED照明装置中，由于去除了布置在基板和外涂层之间的界面处的光提取层，可以改善基板和外涂层之间的界面粘合，从而改善由于湿气渗透引起的可靠性降低。
此外，在根据本公开内容的OLED照明装置中，代替去除辅助线和保护层，由高折射透明导电材料制成的第一电极布置在整个有源区域中并且甚至可以在不发光区域中发出光。因此，通过最大化发光区域，可以提高光提取效率，从而可以提高寿命。
在根据本公开内容的OLED照明装置中，在整个有源区域中布置了第一电极，第一电极在界面处具有含有第一厚度的压纹图案的发光部分和含有比第一厚度厚的第二厚度的压纹图案的辅助电极部分，基板上的外涂层与第一电极接触，并且第一电极由高折射透明导电材料制成。
因此，由于根据本公开内容的OLED照明装置可以通过由于通过设置有压纹图案的第一电极的微透镜效应而引起的光散射来提高光提取效率，因此可以去除布置在基板和外涂层之间的界面处的光提取层，从而降低了工艺产量和制造成本。
另外，在根据本公开内容的OLED照明装置中，由于布置了在基板和外涂层之间的界面处布置的光提取层，因此可以改善基板和外涂层之间的界面粘合，从而改善了由于水分渗透引起的可靠性降低。
此外，在根据本公开内容的OLED照明装置中，代替去除辅助线和保护层，由高折射透明导电材料制成的第一电极布置在整个有源区域中并且甚至可以在不发光区域中发出光。因此，通过最大化发光区域，可以提高光提取效率，从而可以提高寿命。
此外，由于根据本发明的OLED照明装置没有布置辅助线和保护层，并且涂覆具有含有压纹图案的发光部分和辅助电极部分的第一电极，以覆盖基板上的外涂层的整个上部。因此，它具有平坦的表面结构，并且不存在阶梯状覆盖，从而防止由于阶梯状覆盖而引起的有机发光层和第二电极的断开缺陷。
附图说明
图1是示出根据本公开内容第一实施例的有机发光二极管(OLED)照明装置的平面图。
图2是示出图1的A部分的放大平面图。
图3是沿图2中的线III-III'截取的截面图。
图4是示出根据本公开内容第二实施例的OLED照明装置的平面图。
图5是示出图4的B部分的放大截面图。
图6是沿图5中的VI-VI'线截取的截面图。
图7至10是示出根据本公开内容第二实施例的制造OLED照明装置的方法的过程截面图。
具体实施方式
将参考附图详细说明本公开内容的上述目的、特征和优点，因此，本领域技术人员可以易于执行本公开内容的技术构思。在说明本公开内容时，当确定与本公开内容相关的已知技术的详细说明可能不必要地使本公开内容的主旨难以理解时，将省略详细说明。在下文中，将参考附图详细说明根据本公开内容的优选实施例。在附图中，相同的附图标记用于表示相同或相似的部件。
在下文中，将参考附图详细说明根据本公开内容优选实施例的有机发光二极管(OLED)照明装置。
图1是示出根据本公开内容第一实施例的有机发光二极管(OLED)照明装置的平面图，图2是示出图1的A部分的放大平面图，图3是沿图2中的线III-III'截取的截面图。
参考图1至3，在根据本公开内容第一实施例的OLED照明装置100中，外涂层115布置在基板110上，并且有机发光器件E布置在外涂层115上。
除了使基板110的表面平坦化之外，外涂层115还用于阻挡从基板110的下部渗透的湿气和空气。为此，外涂层115可以由包括光丙烯酸(PAC)的有机材料形成。外涂层115也可以由包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)和氧化铝(AlOx)中的任何一种的无机材料制成。外涂层115也可以由包括无机层和有机层的多个层形成。
有机发光器件E包括布置在外涂层115上的第一电极130、堆叠在第一电极130上的有机发光层140、以及堆叠在有机发光层140上的第二电极150。在具有这种结构的OLED照明装置100中，有机发光层140在信号施加到有机发光器件E的第一电极130和第二电极150时发光，从而可以在整个基板110上发射光。
此时，可以将基板110划分为其中布置有机发光器件E的有源区域AA和在有源区域AA外部的其中未布置有机发光器件E的非有源区域NAA。在基板110上的有源区域AA中，辅助线120以矩阵形状布置，以将基板110的有源区域AA划分为多个像素单元。
可以将有源区域AA划分为第一区域T1和第二区域T2，在第一区域T1中，发出从有机发光器件E发射的光，在第二区域T2中，从有机发光器件E发射的光被以矩阵形式布置的辅助线120阻挡而不发出。
辅助线120由具有良好导电性的金属形成，以允许均匀的电压施加到布置在基板110上的整个有源区域AA上的第一电极130，从而使得可以在大面积OLED照明装置100中以均匀的亮度发光。辅助线120可以布置在外涂层115和第一电极130之间，以直接接触第一电极130的形式连接。
第一电极130由诸如ITO的透明导电材料形成，并借此透射发射的光。然而，与金属相比，第一电极130具有非常高的电阻。因此，当制造大面积OLED照明装置100时，由于透明导电材料的高电阻，施加到广阔区域的电流散布不均匀。这种不均匀的电流散布使得大面积OLED照明装置100不可能以均匀亮度发光。
辅助线120以矩阵形式布置在整个基板110上方，以允许均匀的电压施加到整个基板110上的第一电极130，从而大面积OLED照明装置100可以以均匀亮度发光。即，由于辅助线120具有比第一电极130低得多的电阻，所以第一电极130的电压通过辅助线120施加到第一电极130而不是直接施加到第一电极130。因此，尽管第一电极130形成在整个基板110上方，但是第一电极130可以通过辅助线120分成多个像素单元。
为此，辅助线120可以由选自Al、Au、Cu、Ti、W、Mo和Cr的一种或两种或者更多种合金材料形成。辅助线120可以由单层结构形成，或者可以具有两层或更多层的多层结构。
保护层125堆叠在第一电极130的上部。该保护层125布置在第一电极130上以覆盖辅助线120。
保护层125可以由无机层形成，例如SiOx或SiNx。另外，保护层125可以由诸如PAC的有机材料形成，或者可以由包括无机层和有机层的多个层形成。
此时，由于辅助线120由不透明金属制成，形成辅助线120的第二区域T2成为不发出光的不发光区域。因此，保护层125仅设置在布置辅助线120的第二区域T2的上部，并且保护层125不布置在第一电极130上的未布置辅助线120的第一区域T1处。结果，光仅在与发光像素的发光区域对应的第一区域T1中发出。
有机发光层140和第二电极150顺序布置在第一电极130和保护层125的上部。
有机发光层140可以由发射白光的有机发光材料形成。例如，有机发光层140可以由蓝色有机发光层、红色有机发光层和绿色有机发光层形成，并且可以由包括蓝色发光层和黄绿色发光层的串联结构形成。然而，本公开内容的有机发光层140不限于上述结构，而是可以应用各种结构。
尽管未在附图中示出，但是有机发光器件E还可以包括电子注入层和空穴注入层，用以将电子和空穴注入有机发光层140中；电子传输层和空穴传输层，用以将注入的电子和空穴分别传输到有机发光层140；以及电荷生成层，用以生成诸如电子和空穴的电荷。
有机发光层140是通过分别从空穴传输层和电子传输层传输空穴和电子并将它们结合而在可见光区域发光的材料，并且对于荧光或磷光具有良好量子效率的材料是优选的。作为有机材料，例如，可以使用8-羟基-喹啉铝配合物(Alq3)、咔唑基化合物、二聚化苯乙烯基化合物、BAlq、10-羟基苯并喹啉-金属化合物、苯并恶唑、苯并噻唑和苯并咪唑基化合物、聚对苯乙炔(PPV)，但不限于此。
第二电极150可以由诸如Ca、Ba、Mg、Al和Ag的金属或其合金形成。
第一电极130、有机发光层140和第二电极150形成有机发光器件E。此处，第一电极130是有机发光器件E的阳极，而第二电极150是有机发光器件E的阴极。当电压施加到第一电极130和第二电极150时，电子从第二电极150注入到有机发光层140，并且空穴从第一电极130注入到有机发光层140，从而在有机发光层140中生成激子。随着激子衰变，生成与有机发光层140的最低未占分子轨道(LUMO)和最高占据分子轨道(HOMO)之间的能量差对应的光，并向基板110发射。
此外，根据本公开内容第一实施例的OLED照明装置100还可以包括封装层160，该封装层160布置为覆盖其上形成有有机发光器件E的基板110上的第二电极150。
封装层160可以包括粘附层162和布置在粘附层162上的基材层164。如上所述，封装层160布置在其上具有有机发光器件E的基板110上，使得OLED照明装置100可以通过附接到粘附层162的基材层164密封。
此处，粘附层162可以使用光固化粘合剂或热固性粘合剂。基材层164被布置为防止湿气或空气从外部渗透，并且可以由任何材料形成，只要该材料可以完成该功能即可。例如，作为基材层164的材料，可以应用聚合物材料，例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)，或者可以由金属材料形成，例如铝箔、Fe-Ni合金或Fe-Ni-Co合金。
同时，如图3所示，根据本公开内容第一实施例的OLED照明装置100具有插入到基板110内部的微透镜图案结构的光提取层105，从而通过由光提取层105的微透镜图案的光散射提高光提取效率。
为此，根据本公开内容第一实施例的OLED照明装置100将微透镜图案结构的光提取层105附着在基板100上，然后，布置外涂层115以覆盖附着有光提取层105的基板110。
如上所述，光提取层105布置在基板110和外涂层115之间的界面处，并且通过由微透镜图案的光散射减少了在基板110和外涂层115的界面处的光的反射，从而提高了从有机发光层140发射的光的提取效率。
然而，在根据本公开内容第一实施例的OLED照明装置100中，由于单独制造的光提取层150附着到基板110和外涂层115之间的界面，所以在基板110和外涂层115之间的粘附不良，并且由于粘附降低，它充当了水分渗透到光提取层105和基板110之间的界面中的路径，从而由于湿气渗透导致OLED照明装置100的可靠性降低。
另外，根据本公开内容第一实施例的OLED照明装置100必须布置辅助线120以及保护层125，该辅助线120被布置用于将均匀电压施加到由诸如ITO的透明导电材料制成的第一电极130，该保护层125布置在第一电极130上以覆盖辅助线120，并且它成为不发光区域，其不向形成有由不透明金属形成的辅助线120的第二区域T2发射光，从而降低了光提取效率。
为了解决该问题，在根据本公开内容第二实施例的OLED照明装置中，在界面处设置有压纹图案的第一电极与基板上的外涂层接触，并且由高折射透明导电材料制成，第一电极布置在整个有源区域中，从而可以去除辅助线和保护层。
结果，根据本公开内容第二实施例的OLED照明装置可以通过由于通过设置有压纹图案的第一电极的微透镜效应而引起的光散射来提高光提取效率，从而可以减小布置在基板和外涂层之间的界面处的光提取层，导致降低了工艺产量和制造成本。
此外，在根据本公开内容第二实施例的OLED照明装置中，代替去除辅助线和保护层，由于由高折射透明导电材料制成的第一电极布置在整个有源区域中，并且甚至可以在不发光区域中发出光，因此通过最大化发光区域，可以提高光提取效率，从而可以提高寿命。
将参考附图更详细地说明这一点。
图4是示出根据本公开内容第二实施例的OLED照明装置的平面图，图5是示出图4的B部分的放大截面图，图6是沿图5中的VI-VI'线截取的截面图。
参考图4至6，根据本公开内容第二实施例的OLED照明装置200包括基板210、外涂层215、第一电极230、有机发光层240和第二电极250。
基板210可以使用透明玻璃材料。此外，基板210可以使用具有柔性的聚合物材料。
外涂层215布置在基板210上，有机发光器件E布置在外涂层215上。
此时，可以将基板210划分为其中布置有机发光器件E的有源区域AA和在有源区域AA外部的其中未布置有源发光器件E的无源区域NAA。
外涂层215除了使基板210的表面平坦化之外，还用于阻挡湿气和空气从基板210的下部渗透。为此，外涂层215可以由包括光丙烯酸(PAC)的有机材料形成。外涂层215也可以由包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)和氧化铝(AlOx)中的任何一种的无机材料制成。另外，外涂层215可以由包括无机层和有机层的多个层形成。
第一电极230堆叠在外涂层215上，并且压纹图案EP设置在外涂层215接触的界面处。第一电极230覆盖基板210上的外涂层215的整个上表面并且具有平坦表面。因此，第一电极230具有其一部分嵌入外涂层215内部的表面。
第一电极230由高折射透明导电材料制成。为此，第一电极230可以包括粘合剂、导电材料和光散射珠。
再次参考图3，通常，从有机发光层140发射的光不通过界面，而是由于在有机发光层140和第一电极130之间的界面以及第一电极130和基板110之间的界面处彼此的相邻层的折射率差而被反射，在第一电极130和基板110内部形成反射光的波导，以传输到第一电极130和基板110的侧面横截面。此时，从有机发光层130发射的约80％的光在每层的界面处被反射，并且其中仅20％被发射到外部。由于光损失，不仅OLED照明装置100的功率效率而且OLED照明装置100的光提取效率降低，从而寿命降低。
同时，如图4至6所示，在本公开内容的第二实施例中，通过将光散射珠散布在第一电极230中来减小第一电极230和基板210之间的折射率差，从而减少在第一电极230和基板210之间的界面处的光反射。
为此，优选第一电极包括基于按重量100份的粘合剂的按重量100至300份的导电材料以及按重量50至200份的光散射珠。
粘合剂可以包括选自四乙基原硅酸盐(TEOS)、倍半硅氧烷(SSQ)和聚硅氧烷(聚-硅氧烷)中的至少一种或多种。
导电材料可以包括选自聚(3,4-乙二氧噻吩)(PEDOT)、碳纳米管(CNT)、石墨烯、Cu纳米线、Ag纳米线和Au纳米线中的至少一种或多种。
光散射珠可以使用高折射光散射颗粒。可以使用任何材料，只要高折射光散射材料具有设定的折射率即可。具体地，可以使用选自TiO2、BaTiO3、ZrO2、ZnO、SiO2和SiO等中的至少一种或多种。
此时，通过将添加到粘合剂中的导电材料的添加量控制到最佳含量比，可以控制第一电极230的导电率。此时，在本公开内容的第二实施例中，第一电极230可以具有1,000Ω或更小的低电阻。
为此，优选的，基于按重量100份的粘合剂，导电材料包括按重量100至300份。当基于按重量100份的粘合剂，导电材料的添加量少于按重量100份时，难以确保导电性。相反，当基于按重量100份的粘合剂，导电材料的添加量超过按重量300份时，过量添加导电材料会降低透射率，这不是优选的。
此外，优选的是，基于按重量100份的粘合剂，光散射珠包括按重量50至200份。当基于按重量100份的粘合剂，光散射珠的添加量少于按重量50份时，难以适当地展现出光散射效果。相反，当基于按重量100份的粘合剂，光散射珠的大添加量超过按重量200份时，其作为增加制造成本而不是进一步增加效果的因素，这是不经济的。
由诸如常用ITO的透明导电材料形成的第一电极(图3中的130)的折射率约为1.9，并且由玻璃制成的基板210的折射率约为1.5。另一方面，由于本公开内容第二实施例的第一电极230由高折射透明导电材料形成，其中光散射珠散布在粘合剂和导电材料上，所以第一电极的折射率230减小到1.65或更低。换句话说，在根据本公开内容第二实施例的OLED照明装置200中，借助第一电极230中的光散射珠在第一电极230和基板210之间的界面处的折射率差减小，并且可以减少第一电极230和基板210之间的界面处的光反射，并且因此增加透射第一电极230的光量。
另外，第一电极230还可以包括添加剂，例如匀染剂和表面剂。基于按重量100份的粘合剂，这种添加剂的添加量可以为按重量2份或更少。
特别地，根据本公开内容第二实施例的第一电极230包括具有第一厚度t1的压纹图案EP的发光部分230a和具有比第一厚度t1厚的第二厚度t2的压纹图案EP的辅助电极部分230b。
如上所述，由于与基板210上的外涂层215接触的在界面处具有含有第一厚度t1的压纹图案EP的发光部分230a和含有比第一厚度t1厚的第二厚度t2的压纹图案EP的辅助电极部分230b的第一电极230布置在整个有源区域AA上方，从有机发光层240发射的光在基板210和第一电极230之间的界面处被散射，从而提高了光提取效率。
因此，根据本公开内容第二实施例的OLED照明装置200可以通过由通过设置有压纹图案EP的第一电极230的微透镜效应的光散射来提高光提取效率，可以去除布置在基板210和外涂层215之间的界面处的光提取层(图3中的105)，从而降低了工艺产量和制造成本。
另外，在根据本公开内容第二实施例的OLED照明装置200中，由于去除了布置在基板210和外涂层215之间的界面处的光提取层，因此可以改善基板210和外涂层215之间的界面粘合，从而改善由于水气渗透引起的OLED照明装置200的可靠性降低。
此时，第一电极230的辅助电极部分230b以矩阵形式布置在基板210上的有源区域AA中，从而将基板210的有源区域AA分成多个像素单元。因此，可以将基板210上的有源区域AA划分为布置有第一电极230的发光部分230b的第一区域T1和布置有第一电极230的辅助电极部分230b的第二区域T2。
如上所述，在根据本公开内容第二实施例的OLED照明装置200中，第一电极230的发光部分230a布置在第一区域T1中，并且第一电极230的辅助电极部分230b布置在第二区域T2中。此时，第一电极230的辅助电极部分230b由高折射透明导电材料形成，其与第一电极230的发光部分230a相同，从有机发光器件E发出的光通过第二区域T2以发光，第二区域T2中布置有第一电极230的辅助电极部分230b。
因此，在根据本公开内容第二实施例的OLED照明装置200中，代替去除辅助线和保护层，由高折射透明导电材料制成的第一电极230布置在整个有源区域AA上方，甚至可以在不发光区域中发出光，从而使得通过最大化发光区域，可以提高光提取效率并且可以提高寿命。
此时，第一电极230的辅助电极部分230b形成得比第一电极230的发光部分230a厚，使得均匀电压施加到第一电极230的发光部分230a，使得大面积OLED照明装置200可以以均匀亮度发光。
即，在根据本公开内容第二实施例的OLED照明装置200中，第一电极230布置在第二区域T2中的辅助电极部分230b的厚度被设定为比第一电极230布置在第一区域T1中的发光部分230a的厚度厚，可以将第一电极230的辅助电极部分230b的电阻减小到与金属电阻近似的水平。
为此，优选地控制第一电极230的辅助电极部分230b具有与第一电极230的发光部分230a相比至少1.5倍或者更大的厚度。更具体地，与作为第一电极230的发光部分230a的厚度的第一厚度t1相比，作为第一电极230的辅助电极部分230b的厚度的第二厚度t2优选为150％至400％。当第二厚度t2与第一厚度t1相比小于150％时，难以降低电阻。相反，当第二厚度t2与第一厚度t1相比超过400％时，它作为仅增加厚度而不进一步增加效果的因素，从而增加了制造成本和时间，并降低了工艺产量。
因此，第一电极230由高折射透明导电材料制成，并且可以透射发射的光。仅选择性地增加第一电极230的辅助电极部分230b的厚度，从而将布置在第二区域T2中的第一电极230的辅助电极部分230的电阻降低到与金属电阻近似的水平。结果，第一电极230的辅助电极部分230b基本上起到与金属的辅助线相同的作用，从而均匀地施加电流的扩散，并且可以发出均匀亮度的光。
同时，如图3所示，在本公开内容的第一实施例中，尽管布置在第一电极130上并覆盖辅助线120的保护层125减小了由于辅助线120引起的阶梯状覆盖的一部分，但是难以完全去除由于辅助线120引起的阶梯状覆盖，导致堆叠在第一电极130上的有机发光层140和第二电极150等断开。
同时，如图5和6所示，利用辅助线和保护层去除根据本公开内容第二实施例的OLED照明装置200，并且涂覆具有含有压纹图案EP的发光部分230a和辅助电极部分230b的第一电极以便覆盖基板210上的外涂层215的整个上部。因此，它具有平坦的表面结构并且不存在阶梯状覆盖。因此，可以防止由于阶梯状覆盖而引起的有机发光层240和第二电极250的断开缺陷。
同时，有机发光层240堆叠在第一电极230上，并且第二电极250堆叠在有机发光层240上。
有机发光层240可以由发射白光的有机发光材料形成。例如，有机发光层240可以由蓝色有机发光层、红色有机发光层和绿色有机发光层形成，并且可以由包括蓝色发光层和黄绿色发光层的串联结构形成。然而，本公开内容的有机发光层240不限于上述结构，而是可以应用各种结构。
另外，尽管未在图中示出，但是有机发光器件E还可以包括电子注入层和空穴注入层，用以将电子和空穴分别注入有机发光层240中；电子传输层和空穴传输层，用以将注入的电子和空穴传输到有机发光层；以及电荷生成层，用以生成诸如电子和空穴的电荷。
有机发光层240是通过分别从空穴传输层和电子传输层传输空穴和电子并将它们结合而在可见光区域中发光的材料，并对于荧光或磷光具有良好量子效率的材料是优选的。作为有机材料，例如，可以使用8-羟基-喹啉铝配合物(Alq3)、咔唑基化合物、二聚化苯乙烯基化合物、BAlq、10-羟基苯并喹啉-金属化合物、苯并恶唑、苯并噻唑和苯并咪唑基化合物、聚对苯乙炔(PPV)，但不限于此。
第二电极250可以由诸如Ca、Ba、Mg、Al和Ag的金属或其合金形成。
此时，第一电极230是有机发光器件E的阳极，并且第二电极250是有机发光器件E的阴极。当电压施加到第一电极230和第二电极250时，电子从第二电极250注入到有机发光层240，并且空穴从第一电极230注入到有机发光层240，从而在有机发光层240中生成激子。随着激子衰变，生成与有机发光层240的最低未占分子轨道(LUMO)和最高占据分子轨道(HOMO)之间的能量差对应的光，并向基板210发射。
另外，根据本公开内容第二实施例的OLED照明装置200还可以包括焊盘270，焊盘270分别连接到第一电极230和第二电极250，并且布置在非有源区域NAA中。此时，焊盘270分别连接到第一电极230和第二电极250，并从外部接收电压。为此，焊盘270可以包括连接到第一电极230的第一焊盘272和连接到第二电极250的第二焊盘274。第一焊盘272和第二焊盘274分别通过第一连接线276和第二连接线278电连接到第一电极230和第二电极250。
在图4中，尽管焊盘270布置在基板210的一侧的边缘区域处，但是它是说明性的，并且其位置和数量可以以各种形式改变。即，焊盘270可以分别布置在两侧的边缘区域处，或者可以分别布置在基板210的四边的边缘区域处。
此时，焊盘270可以由与第一电极230的辅助电极部分230b相同的高折射透明导电材料形成，并且可以具有第二厚度。
另外，根据本公开内容第二实施例的OLED照明装置200还可以包括封装层260。
堆叠封装层260以覆盖基板210的上部，其中布置了有机发光器件E，以密封有机发光器件E。
封装层260可以包括粘附层262和布置在粘附层262上的基材层264。如上所述，包括粘附层262和基材层264的封装层260布置在其上形成有有机发光器件E的基板110上，使得OLED照明装置200可以通过附着到粘附层262的基材层264密封。
此处，作为粘附层262，可以使用光固化粘合剂或热固性粘合剂。基材层264被布置为防止湿气或空气从外部渗透，并且可以由任何材料形成，只要该材料可以执行该功能即可。例如，作为基材层264的材料，可以应用聚合物材料，例如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)，或者可以由金属材料形成，例如铝箔、Fe-Ni合金或Fe-Ni-Co合金等。
在根据本公开内容第二实施例的OLED照明装置200中，作为第一电极，其在与在基板210上的外涂层215接触的界面处具有含有第一厚度t1的压纹图案EP的发光部分230a和含有比第一厚度t1厚的第二厚度t2的压纹图案EP的辅助电极部分230b，并且由高折射透明导电材料制成，布置在整个有源区域AA上，从有机发光层240发出的光在在表面210和第一电极230之间的界面处被散射，从而提高了光提取效率。
因此，由于根据本公开内容第二实施例的OLED照明装置200可以通过由通过设置有压纹图案EP的第一电极230的微透镜效应的光散射来提高光提取效率，可以去除布置在基板210和外涂层215之间的界面处的光提取层，从而降低了工艺产量和制造成本。
另外，在根据本公开内容第二实施例的OLED照明装置200中，由于去除了布置在基板210和外涂层215之间的界面处的光提取层，可以改善基板210和外涂层215之间的界面粘合，从而改善由于水气渗透引起的可靠性降低。
此外，在根据本公开内容第二实施例的OLED照明装置200中，代替去除辅助线和保护层，由于由高折射透明导电材料制成的第一电极230布置在整个有源区域AA中，并且甚至可以在不发光区域中发出光，因此通过最大化发光区域，可以提高光提取效率，从而可以提高寿命。
此外，由于根据本公开内容第二实施例的OLED照明装置没有布置有辅助线和保护层，并且涂覆具有含有压纹图案的发光部分230a和辅助电极部分230b的第一电极230，以覆盖基板210上的外涂层215的整个上部。因此，它具有平坦的表面结构，并且不存在阶梯状覆盖，从而防止由于阶梯状覆盖而引起的有机发光层240和第二电极250的断开缺陷。
在下文中，将参考附图说明根据本公开内容第二实施例的制造OLED照明装置的方法。
图7至10是示出根据本公开内容第二实施例的制造OLED照明装置的方法的过程截面图。
如图7所示，在基板210的整个表面上形成外涂层215。除了使基板210的表面平坦化之外，外涂层215还用于阻挡湿气和空气从基板210的下部渗透。为此，外涂层215可以由包括光丙烯酸(PAC)的有机材料形成。另外，外涂层215可以由包括氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)和氧化铝(AlOx)中的任何一种的无机材料形成。另外，外涂层215可以由包括无机层和有机层的多个层形成。
如图8所示，在将半色调掩模(未示出)安装在与形成在基板210上的外涂层215间隔开的上部上之后，通过使用半色调掩模的选择性曝光和显影，图案化外涂层215的一部分以形成压纹图案EP。
这时，半色调掩模可以包括透明区域、半透明区域和阻挡区域，并且可以使用透明区域和半透明区域的透射量的差来不同地形成压纹图案EP的厚度。
举例来说，压纹图案EP可以通过利用使用半色调掩模的选择性曝光和显影过程进行图案化而形成，而不在外涂层215上形成单独的光致抗蚀剂层(未示出)。为此，更优选使用包括光丙烯酸(PAC)的有机材料作为外涂层215。
如上所述，由于由包括光丙烯酸(PAC)的有机材料制成的外涂层215是感光材料，因此可以通过选择性曝光和显影过程执行图案化而不形成单独的光致抗蚀剂层，并且简化了工艺从而提高了产量。
如图9所示，将高折射透明导电材料嵌入外涂层215的压纹图案EP中并固化，并将压纹图案EP转移到与外涂层215接触的界面，以形成具有平坦表面的第一电极230。
因此，在第一电极230中，具有第一厚度t1的压纹图案EP的发光部分230a布置在第一区域T1，并且具有比第一厚度t1厚的第二厚度t2的压纹图案EP的辅助电极部分230b布置在第二区域T2中。
此时，由于第一电极230的辅助电极部分230b由高折射透明导电材料形成，其与第一电极230的发光部分230a的相同，从有机发光器件(图10的E)发射的光可以穿过第二区域T2以发光，第二区域T2中布置了第一电极230的辅助电极部分230b。
因此，在本公开内容的第二实施例中，代替去除辅助线和保护层，将由高折射透明导电材料制成的第一电极230布置在整个有源区域(图4中的AA)中，甚至可以在不发光区域中发出光，从而通过最大化发光区域，可以提高光提取效率，并且可以提高寿命。
此时，高折射透明导电材料可以包括粘合剂、导电材料、光散射珠和溶剂。即，将高折射透明导电材料以液态涂敷在外涂层215上，其中粘合剂、导电材料和光散射珠与诸如丙二醇单甲基乙醚乙酸酯(PGMEA)的溶剂混合，并且它通过固化硬化。在固化过程中，溶剂挥发并除去。
如上所述，通过将光散射珠散布在第一电极230中，减小了第一电极230和基板210之间的折射率差，并且减小了第一电极230和基板210之间的界面处的光反射。
此时，优选地第一电极230可以包括基于按重量100份的粘合剂的按重量100至300份的导电材料和按重量50至200份的光散射珠。另外，第一电极230还可以包括添加剂，例如匀染剂和表面剂。基于按重量100份的粘合剂，这种添加剂的添加量可以为按重量2份或更少。
粘合剂可以包括选自四乙基原硅酸盐(TEOS)、倍半硅氧烷(SSQ)和聚硅氧烷(聚-硅氧烷)中的至少一种或多种。
导电材料可以包括选自聚(3,4-乙二氧噻吩)(PEDOT)、碳纳米管(CNT)、石墨烯、Cu纳米线、Ag纳米线和Au纳米线中的至少一种或多种。
作为光散射珠，可以使用高折射光散射颗粒。可以使用任何材料，只要高折射光散射颗粒具有设定的折射率的材料即可，具体地，可以使用选自TiO2、BaTiO3、ZrO2、ZnO、SiO2和SiO等中的至少一种或多种。
如图10所示，在通过在进行表面平坦化的第一电极230上沉积有机发光材料形成有机发光层240之后，在有机发光层240上沉积诸如Ca、Ba、Mg、Al、Ag之类的金属，并选择性地蚀刻以形成第二电极250。第一电极230、有机发光层240和第二电极250形成有机发光器件E。
此时，由于涂覆具有含有压纹图案EP的发光部分230a和辅助电极部分230b的第一电极230以便覆盖基板210上的外涂层215的整个上部，所以它具有平坦的表面结构，并且不存在阶梯状覆盖，从而防止由于阶梯状覆盖引起的有机发光层240和第二电极250的断开缺陷。
接下来，在通过将光固化粘合剂材料或热固性粘合剂材料制成的粘合剂涂覆在其上形成有机发光器件E的基板210上来形成粘附层262之后，在基材层264堆叠在粘附层262上的状态下通过热压附着基材层264，以将有机发光器件E密封在基板210上。此时，粘附层262和基材层264形成封装层260。
虽然上文主要说明了本公开内容的实施例，但是可以在本领域技术人员的水平内进行各种修改和改变。因此，应理解，除非修改和变化不脱离本公开内容的范围，否则这些修改和变化包括在本公开内容的范围内。

Claims (9)

1.一种有机发光二极管(OLED)照明装置，包括：
基板；
外涂层，其布置在所述基板上；
第一电极，其堆叠在所述外涂层上并且在与所述外涂层接触的界面处具有压纹图案；
有机发光层，其堆叠在所述第一电极上；以及
第二电极，其堆叠在所述有机发光层上，
其中，所述第一电极具有：
发光部分，所述发光部分具有第一厚度的压纹图案；以及
辅助电极部分，所述辅助电极部分具有比所述第一厚度厚的第二厚度的压纹图案。
2.根据权利要求1所述的OLED照明装置，其中，所述第一电极覆盖所述基板上的所述外涂层的整个上部，并且具有平坦表面。
3.根据权利要求1所述的OLED照明装置，其中，所述第一电极的所述发光部分布置在第一区域中，并且所述第一电极的所述辅助电极部分布置在第二区域中，使得在所述基板上的整个有源区域中发光。
4.根据权利要求1所述的OLED照明装置，其中，所述第二厚度具有所述第一厚度的150％至400％。
5.根据权利要求1所述的OLED照明装置，其中，所述第一电极包括基于按重量100份的粘合剂的按重量100至300份的导电材料和按重量50至200份的光散射珠。
6.根据权利要求5所述的OLED照明装置，其中，所述粘合剂包括选自四乙基原硅酸盐(TEOS)、倍半硅氧烷(SSQ)和聚硅氧烷(聚-硅氧烷)中的至少一种或多种。
7.根据权利要求5所述的OLED照明装置，其中所述导电材料包括选自聚(3,4-乙二氧噻吩)(PEDOT)、碳纳米管(CNT)、石墨烯、Cu纳米线、Ag纳米线和Au纳米线中的至少一种或多种。
8.根据权利要求5所述的OLED照明装置，其中，所述光散射珠包括选自TiO2、BaTiO3、ZrO2、ZnO、SiO2和SiO中的至少一种或多种。
9.根据权利要求1所述的OLED照明装置，还包括封装层，所述封装层覆盖所述第二电极和所述基板的上部。
CN201811389465.5A 2017-11-28 2018-11-21 有机发光器件的照明装置 Active CN109841751B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2017-0160120 2017-11-28
KR1020170160120A KR102422061B1 (ko) 2017-11-28 2017-11-28 Oled 조명 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109841751A CN109841751A (zh) 2019-06-04
CN109841751B true CN109841751B (zh) 2021-05-11

Family

ID=66632784

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201811389465.5A Active CN109841751B (zh) 2017-11-28 2018-11-21 有机发光器件的照明装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10892445B2 (zh)
KR (1) KR102422061B1 (zh)
CN (1) CN109841751B (zh)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102415045B1 (ko) * 2017-11-28 2022-06-29 엘지디스플레이 주식회사 Oled 조명 장치
CN111063720B (zh) * 2019-12-30 2022-07-05 厦门天马微电子有限公司 显示面板和显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1551691A (zh) * 2003-05-07 2004-12-01 Lg 有机电致发光设备及其制造方法
CN1719955A (zh) * 2004-07-09 2006-01-11 精工爱普生株式会社 微透镜的制造方法及有机电致发光元件的制造方法
CN1758819A (zh) * 2004-10-05 2006-04-12 三星Sdi株式会社 有机发光器件及其制造方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4511440B2 (ja) 2004-10-05 2010-07-28 三星モバイルディスプレイ株式會社 有機発光素子及び有機発光素子の製造方法
CN102986053B (zh) 2010-07-16 2016-03-02 皇家飞利浦电子股份有限公司 Oled装置及制造其的方法
KR101298490B1 (ko) 2011-05-02 2013-08-21 한국생산기술연구원 몰리브덴이 도핑된 ｉｔｏ계 ｔｃｏ 박막 및 이의 코팅방법
KR101934787B1 (ko) 2012-07-25 2019-03-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 소자 및 그 제조 방법
GB201309717D0 (en) * 2013-05-31 2013-07-17 Pilkington Group Ltd Interface layer for electronic devices
KR102100767B1 (ko) * 2013-11-26 2020-04-21 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
KR20230164214A (ko) * 2014-07-24 2023-12-01 유니버셜 디스플레이 코포레이션 향상층(들)을 갖는 oled 디바이스

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1551691A (zh) * 2003-05-07 2004-12-01 Lg 有机电致发光设备及其制造方法
CN1719955A (zh) * 2004-07-09 2006-01-11 精工爱普生株式会社 微透镜的制造方法及有机电致发光元件的制造方法
CN1758819A (zh) * 2004-10-05 2006-04-12 三星Sdi株式会社 有机发光器件及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US10892445B2 (en) 2021-01-12
US20190165319A1 (en) 2019-05-30
CN109841751A (zh) 2019-06-04
KR20190061588A (ko) 2019-06-05
KR102422061B1 (ko) 2022-07-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102618599B1 (ko) 유기발광소자를 이용한 조명장치 및 그 제조방법
KR102598926B1 (ko) 유기발광소자를 이용한 조명장치 및 그 제조방법
US10559773B2 (en) Lighting apparatus using organic light emitting diode and manufacturing method thereof
US10559774B2 (en) Lighting apparatus using organic light-emitting diode and manufacturing method thereof
US10944078B2 (en) Organic light emitting diode and method of manufacturing the same
CN109244262B (zh) 使用有机发光器件的照明装置和用于制造照明装置的方法
KR20230069901A (ko) 유기발광소자를 이용한 조명장치 및 그 제조방법
US10497891B2 (en) Lighting apparatus using organic light-emitting diode
CN109841750B (zh) Oled照明设备
CN109841751B (zh) 有机发光器件的照明装置
KR102661550B1 (ko) 유기발광소자를 이용한 조명장치 및 그 제조방법
JP2014002960A (ja) 面発光パネル
CN109841648B (zh) Oled照明设备
KR102459222B1 (ko) Oled 조명 장치
JP2023548288A (ja) 分割ｏｌｅｄ

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant