CN109841648B - Oled照明设备 - Google Patents

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Abstract

本文披露了一种能够补偿由透明导电材料形成的第一电极的高薄层电阻,同时通过增大开口率而提高光提取效率的OLED照明设备。为此，OLED照明设备省略辅助线，并且替代辅助线，包括第一辅助线和第二辅助线，以确保低电阻。结果，OLED照明设备能够补偿第一电极的高薄层电阻，从而当实现为大面积高分辨率照明设备时，在不因电流下降而导致亮度降低的情况下实现正常发光。

Description

OLED照明设备
技术领域
本发明涉及一种OLED照明设备，且更具体地，涉及一种能够补偿第一电极的高薄层电阻(sheet resistance)，同时通过增大开口率而提高光提取效率的OLED照明设备。
背景技术
目前，主要使用荧光灯和白炽灯作为照明设备。白炽灯虽然具有高显色指数，但其具有能量效率非常低的问题，荧光灯虽然具有良好的能量效率，但其存在显色指数低、含汞造成环境污染的问题。
因此，已经提出发光二极管(LED)作为能够替代荧光灯或白炽灯的照明设备。这种发光二极管由无机发光材料形成，且其发光效能在蓝色波段中具有最大值并朝向红色波段和绿色波段(具有最高可见性)降低。因此，通过将红色LED与绿色LED和蓝色LED组合获得白光的方法具有发光效能降低的问题。由于每个LED的发射峰(emission peak)的较小宽度，这种方法还具有显色性能下降的问题。
为了克服这些问题，已经提出了代替红色LED与绿色LED和蓝色LED组合，通过将蓝色LED与黄色磷光体组合来发出白光的照明设备。这是因为，通过将具有高发光效能的蓝色LED与当被来自蓝色LED的蓝光照射时发出黄光的磷光体组合而获得白光的方法比使用具有低发光效能的绿色LED更加高效。
然而，由于黄色磷光体的低发光效能，这种配置成通过将蓝色LED与黄色磷光体组合发出白光的照明设备具有有限的发光效能。
为了解决发光效能下降这一问题，已经提出了利用由有机发光材料形成的有机发光装置的OLED照明设备。一般来说，相较于无机发光装置，有机发光装置在绿色波长区域和红色波长区域中具有相对较好的发光效能。此外，相较于无机发光装置，这种有机发光装置因在蓝色波长区域、红色波长区域和绿色波长区域中相对较宽的发射峰而表现出改善的显色性能，因而能够发出类似于太阳光的光。
这种有机发光装置包括阳极、阴极、以及设置阳极与阴极之间的有机发光层。在此，由于阳极与阴极之间的距离较小，所以这种用于照明设备的有机发光装置很容易因异物的渗透而穿孔。此外，由于裂纹的产生、有机发光装置的阶梯式内部结构以及堆叠层的粗糙度，阳极很可能直接接触阴极，导致阳极与阴极之间的短路。此外，当由于有机发光层的形成过程中的工艺故障或工艺误差，有机发光层的厚度小于预定值时，也可能导致阳极与阴极之间的短路。
当照明设备中的阳极与阴极之间发生短路时，短路区域形成低电阻电流路径。因此，电流仅在短路区域中流动，并且很少或没有电流流经有机发光装置的其他区域，从而导致有机发光装置的发射输出下降或导致有机发光装置的发射故障。
结果，来自照明设备的光具有低于预定值的亮度，导致照明设备的质量下降或导致照明设备的故障。此外，对应于短路区域的像素变成有缺陷的像素，导致照明设备的质量下降。
发明内容
本发明目的在于提供一种能够补偿由透明导电材料形成的第一电极的高薄层电阻，同时通过增大开口率提高光提取效率的OLED照明设备。
为了这个目的，在本发明的一个方面中，一种OLED照明设备，包括：基板；设置在所述基板上的第一辅助线；连接至所述第一辅助线并且设置在所述基板上的第二辅助线；覆盖其上设置有所述第一辅助线和所述第二辅助线的所述基板的保护层，所述保护层具有部分地暴露出所述第一辅助线的通孔；设置在所述保护层上的第一电极，所述第一电极经由所述通孔连接至所述第一辅助线并且所述第一电极具有部分地暴露所述保护层的开口；设置在所述第一电极上的有机发光层；和设置在所述有机发光层上的第二电极。
根据本发明的OLED照明设备利用第一辅助线和第二辅助线替代辅助线，以在保持短路防止电阻的同时确保低电阻。
结果，OLED照明设备能够补偿第一电极的高薄层电阻，从而当实现为大面积高分辨率照明设备时，在不因电流下降而导致亮度降低的情况下实现正常发光。
根据本发明的实施方式，OLED照明设备省略了辅助线以增加开口率，并且代替辅助线，包括第一辅助线和第二辅助线，第一辅助线设置在每个像素的一侧，第二辅助线具有较小线宽并以矩阵形式设置在像素内以连接至第一辅助线。
结果，根据实施方式的OLED照明设备能够利用第一辅助线和第二辅助线补偿由诸如ITO之类的透明导电材料形成的第一电极的高电阻，同时通过省略了辅助线而防止开口率下降。
此外，第一辅助线和第二辅助线的除对应于通孔的部分之外的整个区域能够被保护层稳定地保护，从而提高OLED照明设备的可靠性。
此外，由于施加至第一辅助线和第二辅助线的信号经由电阻图案施加至第一电极，因此可通过将第一电极的开口设置为围绕像素以使得电阻图案具有足够细长的形状，确保足够长的信号路径。
结果，可通过第一电极的开口的设计变化而产生具有期望幅值的短路防止电阻，从而当第一电极和第二电极之间发生短路时防止电流仅在短路区域中流动。
此外，根据实施方式的OLED照明设备能够通过利用第一辅助线和第二辅助线替代辅助线而补偿第一电极的高薄层电阻，以在保持短路防止电阻的同时确保低电阻，从而当实现为大面积高分辨率照明设备时，在不因电流下降而导致亮度降低的情况下实现正常发光。
结果，在根据实施方式的OLED照明设备中，由于省略了辅助线，并且代替辅助线，第一辅助线仅设置在像素的一侧，并且具有相当小线宽的第二辅助线以矩阵形式设置在像素内，因此非发射区域可限于设置第一辅助线和第二辅助线的区域。
因此，根据实施方式的OLED照明设备也允许从原先形成辅助线的区域发射光，从而具有增加的开口率。
根据本发明，OLED照明设备省略了辅助线以增加开口率，并且代替辅助线，包括设置在每个像素的一侧处的第一辅助线以及具有较小线宽并以矩阵形式设置在像素内以连接至第一辅助线的第二辅助线。
结果，根据本发明的OLED照明设备能够利用第一辅助线和第二辅助线补偿由诸如ITO之类的透明导电材料形成的第一电极的高电阻，同时通过省略了辅助线而防止开口率下降。
此外，在根据本发明的OLED照明设备中，由于施加至第一辅助线和第二辅助线的信号经由电阻图案施加至第一电极，所以可通过将第一电极的开口设置为围绕像素以使得电阻图案具有足够细长的形状，确保足够长的信号路径。
结果，在根据本发明的OLED照明设备中，可通过第一电极的开口的设计变化而产生具有期望幅值的短路防止电阻，从而当第一电极与第二电极之间发生短路时防止电流仅在短路区域中流动。
此外，根据本发明的OLED照明设备能够通过利用第一辅助线和第二辅助线替代辅助线而补偿第一电极的高薄层电阻，以在保持短路防止电阻的同时确保低电阻，从而当实现为大面积高分辨率照明设备时，在不因电流下降而导致亮度降低的情况下实现正常发光。
在本发明的另一个方面中，一种OLED照明设备，包括：基板；以矩阵形式设置在所述基板上的辅助线；设置在所述基板上且具有开口的第一电极，所述辅助线接触所述第一电极；设置在所述第一电极上的有机发光层；和设置在所述有机发光层上的第二电极。
在本发明的另一个方面中，一种OLED照明设备，包括：基板；设置在所述基板上的辅助线；设置在其上设置有所述辅助线的所述基板的整个表面上的保护层，所述保护层具有部分地暴露所述辅助线的通孔；设置在所述保护层上的第一电极，所述第一电极经由所述通孔连接至所述辅助线并且所述第一电极具有部分地暴露所述保护层的开口；设置在所述第一电极上的有机发光层；和设置在所述有机发光层上的第二电极。
附图说明
通过以下结合附图对各实施方式的描述，本发明的上述和其他方面、特征和优点将变得显而易见。
图1是根据本发明第一实施方式的OLED照明设备的平面图；
图2是图1的部分A的放大平面图；
图3是沿图2的线III-III'截取的截面图；
图4是根据本发明第二实施方式的OLED照明设备的平面图；
图5是根据第二实施方式的OLED照明设备的单位像素的平面图；
图6是沿图5的线VI-VI'截取的截面图；
图7至图10是图解根据第二实施方式的OLED照明设备的制造方法的平面图；
图11至图14是图解根据第二实施方式的OLED照明设备的制造方法的截面图。
具体实施方式
下文中，将参照附图详细描述本发明的实施方式。应当理解的是，本发明并不限于以下实施方式，且可以以不同的方式实施，给出这些实施方式以提供本发明的完整公开并向本领域技术人员提供对本发明的充分理解。将省略会对可能不必要地模糊本发明的主题的已知功能和结构的描述。在整个说明书中，将以相似的附图标记表示相似的部件。
现在，将参照附图详细描述根据本发明第一示例性实施方式的OLED照明设备。
图1是根据本发明第一实施方式的OLED照明设备的平面图，图2是图1的部分A的放大平面图，图3是沿图2的线III-III'截取的截面图。
参照图1至图3，根据第一实施方式的OLED照明设备100包括设置在基板110上的缓冲层115和设置在缓冲层115上的有机发光装置E。
有机发光装置E包括设置在缓冲层115上的第一电极130、设置在第一电极130上的有机发光层140、和设置在有机发光层140上的第二电极150。在具有这种结构的OLED照明设备100中，当信号被施加至有机发光装置E的第一电极130和第二电极150时，有机发光层140发出光，由此可实现遍及整个基板110的光发射。
在此，辅助线120以矩阵形式布置在基板110上。辅助线120由具有良好导电性的金属形成，以使均匀的电压施加至设置在整个基板110之上的第一电极130，由此即使当OLED照明设备100实现为大型照明设备时，也能够发射具有均匀亮度的光。辅助线120可设置在缓冲层115与第一电极130之间以直接接触第一电极130。
第一电极130由诸如ITO之类的透明导电材料形成，并且有利地通过其透射所发出的光。然而，第一电极130具有高电阻的缺点。因此，当OLED照明设备100实现为大面积照明设备时，由于透明导电材料的高电阻导致较宽有效区域中的电流分布不均匀。这种不均匀的电流分布使得大型OLED照明设备100难以发射具有均匀亮度的光。
辅助线120以矩阵形式布置在整个基板110之上，以使均匀的电压施加至基板110上的第一电极130，由此大型OLED照明设备100能够发射具有均匀亮度的光。
为此，辅助线120优选具有5μm或更大，更优选具有5μm至50μm的线宽。辅助线120可由选自由Al、Au、Cu、Ti、W、Mo、Cr和它们的合金构成的组中的任意一种形成。辅助线120可具有单层结构或多层结构。
尽管在此示出辅助线120设置在第一电极130的下表面上，但应理解的是，本发明并不限于此，辅助线120可设置在第一电极130的上表面上。
基板110可被布置成矩阵形式的辅助线120划分为多个单位像素P。由于辅助线120具有比第一电极130低得多的电阻，因此用于第一电极130的电压经由辅助线120施加至第一电极130，而不是直接施加至第一电极130。以这种方式，形成在整个基板110之上的第一电极130可被辅助线120划分为多个像素P。
保护层125设置在第一电极130上。具体地说，保护层125设置在第一电极130上以覆盖辅助线120。
由于辅助线120由不透明的金属形成，因此从形成辅助线120的区域不发射光。相应地，保护层125仅形成在第一电极130的上表面的一些部分上，这些部分下方设置有辅助线120，由此光只能从像素的发光区域发射。换句话说，保护层125仅形成在除每个像素P的中央区域之外的其他区域上。
此外，保护层125可形成为围绕辅助线120，以减小由辅助线120产生的表面粗糙度，使得使有机发光层140和第二电极150能够以稳定的方式顺序地堆叠而不断开。
为此，保护层125可由诸如SiOx或SiNx之类的无机材料形成。或者，保护层125可由诸如光学亚克力(photoacryl)之类的有机材料形成，或者保护层125可由包括无机层和有机层的多个层组成。
有机发光层140和第二电极150顺序地设置在第一电极130和保护层125上。
有机发光层140可由发射白光的有机发光材料形成。例如，有机发光层140可由蓝色有机发光层、红色有机发光层、和绿色有机发光层组成。或者，有机发光层140可具有包括蓝色发光层和黄绿色发光层在内的串联结构(tandem structure)。然而，应当理解的是，本发明并不限于此，有机发光层140可以以各种方式配置。
尽管附图中未示出，但有机发光装置E可进一步包括：分别将电子和空穴注入到有机发光层140中的电子注入层和空穴注入层；将注入的电子和空穴传输至有机发光层140的电子传输层和空穴传输层；以及产生诸如电子和空穴之类的电荷的电荷产生层。
有机发光层140可由分别从空穴传输层和电子传输层接收空穴和电子的材料形成，以通过空穴和电子的重组发射可见光区域中的光。特别是，优选对于荧光或磷光具有良好量子效率的材料。所述材料的示例可包括8-羟基喹啉铝络合物(Alq3)、咔唑类化合物、二聚苯乙烯化合物、BAlq、10-羟基苯并喹啉金属化合物、苯并恶唑、苯并噻唑和苯并咪唑类化合物、以及聚(对-亚苯基乙烯撑)(PPV)，但并不限于此。
第二电极150可由金属，诸如Ca、Ba、Mg、Al、Ag或它们的合金形成。
第一电极130、有机发光层140和第二电极150构成有机发光装置E。在此，第一电极130是有机发光装置E的阳极，且第二电极150是有机发光装置E的阴极。当在第一电极130与第二电极150之间施加电压时，电子和空穴分别从第二电极150和第一电极130被注入到有机发光层140中，由此在有机发光层140中产生激子。随着激子衰变，产生与有机发光层140的最低未占分子轨道(LUMO)和最高占有分子轨道(HOMO)之间的能量差相对应的光并朝向基板110发射。
此外，根据第一实施方式的OLED照明设备100可进一步包括封装层160，封装层160覆盖其上形成有有机发光装置E的基板110上的第二电极150。
封装层160可包括粘结层162和设置在粘结层162上的基层164。以这种方式，封装层160设置在其上形成有有机发光装置E的基板110上，使得OLED照明设备100能够被贴附至粘结层162的基层164密封。
在此，粘结层162可由光固化粘合剂或热固性粘合剂形成。基层164用于防止湿气或空气从外部渗入并且可由任何材料形成，只要材料能执行这种功能即可。例如，基层164可由诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)之类的聚合物材料或诸如铝箔、Fe-Ni合金、或Fe-Ni-Co合金之类的金属材料形成。
参照图2和图3，在根据第一实施方式的OLED照明设备100中，第一电极130设置在由布置成矩阵形式的辅助线120限定的像素P内，并且辅助线120通过具有相对较高电阻的电阻图案132电连接至第一电极130。
因此，在根据第一实施方式的OLED照明设备100中，施加至辅助线120的信号经由电阻图案132施加至第一电极130。因此，当第一电极130的开口135被设置成围绕像素P以使得电阻图案132足够长时，能够确保足够长的信号路径。因此，可通过第一电极130的开口135的设计变化而产生具有期望幅值的短路防止电阻。
就是说，第一电极130的开口135设置为围绕像素P，以限定出具有细长形状的电阻图案132，其中电阻图案132是第一电极130的一部分。施加至辅助线120的信号经由电阻图案132施加至第一电极130。
以这种方式，通过部分地移除设置在辅助线120和基板110之上的第一电极130来提供开口135，由此可提供由与第一电极130相同的材料形成的电阻图案132。
结果，在根据本发明的OLED照明设备中，可通过第一电极的开口的设计变化而产生具有期望幅值的短路防止电阻，从而当第一电极与第二电极之间发生短路时防止电流仅在短路区域中流动。
然而，在根据第一实施方式的OLED照明设备100中，由于从设置有辅助线120、第一电极130的开口135和电阻图案132的区域不发射光，因此这些区域被保护层125覆盖，由此导致OLED照明设备的总开口率下降。
特别是，由于电阻图案132需具有预定的宽度和长度以获得预定的电阻值，因此不管像素P的面积如何，电阻图案132都需占据像素P内一定的面积。结果，相较于不具有短路防止电阻的OLED照明设备的开口率，根据第一实施方式的OLED照明设备100的开口率减小约8.5％。
因此，当OLED照明设备100实现为具有较小像素尺寸的高分辨率照明设备时，OLED照明设备的开口率可降低到预定值以下，从而导致OLED照明设备100的质量故障。
换句话说，利用第一电极130的开口135和电阻图案132产生的短路防止电阻可降低像素P的开口率，使得难以制造高分辨率OLED照明设备。
当去除基板110上的辅助线120以克服开口率下降时，由于由诸如ITO之类的透明导电材料形成且设置在基板110的整个表面之上的第一电极130的高电阻，导致光发射的均匀性可能会下降。
为了解决这一问题，根据第二实施方式的OLED照明设备省略了辅助线以增加开口率，并且代替辅助线，包括第一辅助线和第二辅助线，第一辅助线设置在每个像素的一侧处，第二辅助线具有较小线宽并以矩阵形式设置在像素内以连接至第一辅助线。
结果，根据第二实施方式的OLED照明设备能够利用第一辅助线和第二辅助线补偿由诸如ITO之类的透明导电材料形成的第一电极的高电阻，同时通过省略辅助线而防止开口率下降。
现在，将参照附图详细描述根据第二实施方式的OLED照明设备。
图4是根据本发明第二实施方式的OLED照明设备的平面图，图5是根据第二实施方式的OLED照明设备的单位像素的平面图，图6是沿图5的线VI-VI'截取的截面图。
参照图4至图6，根据第二实施方式的OLED照明设备包括设置在基板210的整个表面上的缓冲层215和设置在缓冲层215上的第一辅助线222。
基板210可由透明玻璃形成。或者，基板210可由具有柔性的聚合物材料形成。
缓冲层215用于阻止湿气或空气从下面渗透。为此，缓冲层215可由诸如SiOx或SiNx之类的无机材料形成。可省略缓冲层215。
第一辅助线222设置在基板210上的缓冲层215上。因此，缓冲层215设置在基板210与第一辅助线222之间并且设置在基板210与第二辅助线224之间。
第二辅助线224设置在基板210上的缓冲层215上以连接至第一辅助线222。第二辅助线224以交叉矩阵的形式设置在基板上的像素P内。
优选地，第二辅助线224具有至多是根据第一实施方式的辅助线120(图2)的线宽的二分之一的线宽。更优选地，第二辅助线224具有1μm至3μm的线宽。当第二辅助线224的线宽小于1μm时，尽管开口率增大，但很难降低第一电极230的电阻。当第二辅助线224的线宽超过3μm时，第二辅助线224所占的面积会增加，像素中的发光面积会减小，从而导致开口率下降。
在此，第一辅助线222设置在与第二辅助线224相同的层上并且由与第二辅助线224相同的金属材料形成。因此，在同一层上第一辅助线222一体地连接至第二辅助线224。然而，第一辅助线222和第二辅助线224可设置在不同的层上。
保护层225覆盖其上设置有第一辅助线222和第二辅助线224的基板210并且具有部分地暴露第一辅助线222的通孔TH。在此，第一辅助线222被通孔TH暴露其至少一半的面积并且直接接触有机发光装置E的第一电极230。保护层225形成在像素的发光区域中。
保护层225可由诸如SiOx或SiNx之类的无机材料形成。或者，保护层225可由诸如光学亚克力之类的有机材料形成，或者保护层225可由包括无机层和有机层的多个层组成。
以这种方式，第一辅助线222和第二辅助线224的除对应于通孔TH的部分之外的整个区域能够被保护层225稳定地保护，从而提高了OLED照明设备200的可靠性。
特别是，根据第二实施方式的OLED照明设备200能够通过利用第一辅助线222和第二辅助线224替代辅助线而补偿由诸如ITO之类的透明导电材料形成的第一电极230的高薄层电阻，以确保低电阻，从而当实现为大面积高分辨率照明设备时，在不因电流下降而导致亮度降低的情况下实现正常发光。
第一辅助线222和第二辅助线224的每一者优选由具有良好导电性的金属形成，以补偿第一电极230的高薄层电阻。具体地说，第一辅助线222和第二辅助线224的每一者可由选自Al、Au、Cu、Ti、W、Mo和它们的合金中的任意一种形成。
特别是，根据第二实施方式，第一辅助线222可具有比第二辅助线224更高的厚度，从而在OLED照明设备200实现为大面积高分辨率照明设备时防止因电流下降导致的亮度降低。
因此，第一辅助线222可具有第一厚度，第二辅助线224可具有比第一厚度小的第二厚度。优选地，第二厚度为第一厚度的20％至60％。当第二厚度小于第一厚度的20％时，很难降低第一电极230的电阻。当第二厚度超过第一厚度的60％时，由于第二辅助线的厚度过大，难以减小第二辅助线224的线宽，导致开口率下降。
如上所述，在第二实施方式中，第二辅助线224一体地连接至第一辅助线222，第一辅助线222接着经由通孔TH直接电连接至第一电极230，使得可通过第二辅助线224和第一辅助线222补偿第一电极230的高薄层电阻，从而将第一电极的薄层电阻减小至10Ω/□或更小。
为了减小第一电极230的薄层电阻，第一辅助线222有利地设置为围绕每个像素P的四个边。然而，当第一辅助线222设置在每个像素P的四个边处时，存在以下问题：由于从设置第一辅助线222的区域不发出光，因此OLED照明设备200的总开口率降低。
因此，在本发明的第二实施方式中，优选地，第一辅助线222仅设置在基板210上的像素P的一侧，即，原先设置辅助线的区域的一侧，并且第一辅助线222和第二辅助线224电连接至第一电极230，使得OLED照明设备200能够在不因电流下降而导致亮度降低的情况下实现正常发光，同时防止OLED照明设备的总开口率降低。
以这种方式，根据第二实施方式的OLED照明设备200通过利用仅设置在像素P的一侧处的第一辅助线222和具有相当小线宽且以矩阵形式设置在像素P内的第二辅助线224替代辅助线，使得其非发光区域限于设置第一辅助线222和第二辅助线224的区域。
因此，根据第二实施方式的OLED照明设备200也允许从原先设置辅助线的区域发射光，从而提高了开口率。
结果，根据第一实施方式的OLED照明设备100具有约80％的开口率，而根据第二实施方式的OLED照明设备200具有约90％或更高的开口率。
有机发光装置E包括第一电极230、设置在第一电极230上的有机发光层240、和设置在有机发光层240上的第二电极250。
保护层225上的第一电极230经由保护层225的通孔TH连接至第一辅助线222，并且第一电极230具有部分地暴露保护层225的开口235。在此，第一电极230由包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、和氧化铟锡锌(ITZO)中的任意一种的透明导电材料形成。因此，第一电极230能够透射光，但具有比金属高得多的电阻。
类似于第一实施方式，在本发明的第二实施方式中，施加至第一辅助线222和第二辅助线224的信号经由电阻图案232施加至第一电极230。因此，当第一电极230的开口235设置成围绕像素P以使得电阻图案232足够长时，能够确保足够长的信号路径。结果，可通过第一电极230的开口235的设计变化而产生具有期望幅值的短路防止电阻，从而当第一电极230与第二电极250之间发生短路时防止电流仅在短路区域中流动。
就是说，第一电极230的开口235设置为围绕像素P，以限定出具有细长形状的电阻图案232，其中电阻图案232是第一电极230的一部分。施加至第一辅助线222和第二辅助线224的信号经由电阻图案232施加至第一电极230。
因此，根据第二实施方式的OLED照明设备200通过利用第一辅助线222和第二辅助线224替代辅助线而能够补偿第一电极230的高薄层电阻，以在保持短路防止电阻的同时确保低电阻，从而在OLED照明设备200实现为大面积高分辨率照明设备时，在不因电流下降而导致亮度降低的情况下实现正常发光。
有机发光层240可由发射白光的有机发光材料形成。例如，有机发光层240可包括蓝色有机发光层、红色有机发光层、和绿色有机发光层。或者，有机发光层240可具有包括蓝色发光层和黄绿色发光层的串联结构。然而，应当理解的是，本发明并不限于此，有机发光层240可以以各种方式配置。
尽管附图中未示出，但有机发光装置E可进一步包括：分别将电子和空穴注入到有机发光层240中的电子注入层和空穴注入层；将注入的电子和空穴传输至有机发光层的电子传输层和空穴传输层；以及产生诸如电子和空穴之类的电荷的电荷产生层。
有机发光层240可由分别从空穴传输层和电子传输层接收空穴和电子的材料形成，以通过空穴和电子的重组发射可见光区域中的光。特别是，优选对于荧光或磷光具有良好量子效率的材料。所述材料的示例可包括8-羟基喹啉铝络合物(Alq3)、咔唑类化合物、二聚苯乙烯化合物、BAlq、10-羟基苯并喹啉金属化合物、苯并恶唑、苯并噻唑和苯并咪唑类化合物、以及聚(对-亚苯基乙烯撑)(PPV)，但并不限于此。
第二电极250可由金属，诸如Ca、Ba、Mg、Al、Ag或它们的合金形成。
在此，第一电极230是有机发光装置E的阳极，第二电极250是有机发光装置E的阴极。当在第一电极230与第二电极250之间施加电压时，电子和空穴分别从第二电极250和第一电极230注入到有机发光层240中，由此在有机发光层240中产生激子。随着激子衰变，产生与有机发光层240的最低未占分子轨道(LUMO)与最高占有分子轨道(HOMO)之间的能量差相对应的光并朝向基板210发射。
此外，根据第二实施方式的OLED照明设备200可进一步包括封装层260。
封装层260设置成覆盖有机发光装置E的第二电极250。
封装层260可包括粘结层262和设置在粘结层262上的基层264。以这种方式，包括粘结层262和基层264的封装层260设置在其上形成有有机发光装置E的基板210上，使得OLED照明设备200能够被贴附至粘结层262的基层264密封。
在此，粘结层262可由光固化粘合剂或热固性粘合剂形成。基层264用于防止湿气或空气从外部渗入并且可由任何材料形成，只要该材料能执行这种功能即可。例如，基层264可由诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)之类的聚合物材料或诸如铝箔、Fe-Ni合金、或Fe-Ni-Co合金之类的金属材料形成。
如同第一实施方式，在根据第二实施方式的OLED照明设备中，由于施加至第一辅助线222和第二辅助线224的信号经由电阻图案232施加至第一电极230，因此当第一电极230的开口235设置成围绕像素P以使得电阻图案232足够长时，能够确保足够长的信号路径。结果，可通过第一电极230的开口235的设计变化而产生具有期望幅值的短路防止电阻。
因此，根据第二实施方式的OLED照明设备200通过利用第一辅助线222和第二辅助线224替代辅助线而能够补偿第一电极230的高薄层电阻，以在保持短路防止电阻的同时确保低电阻，从而在实现为大面积高分辨率照明设备时，在不因电流下降而导致亮度降低的情况下实现正常发光。
接下来，将参照附图描述根据本发明第二实施方式的OLED照明设备的制造方法。
图7至图10是图解根据本发明第二实施方式的OLED照明设备的制造方法的平面图，图11至图14是图解根据本发明第二实施方式的OLED照明设备的制造方法的截面图。
参照图7和图11，在基板210的整个表面上形成缓冲层215。
在此，基板210可由透明玻璃形成。或者，基板210可由具有柔性的聚合物材料形成。
缓冲层215用于阻止湿气或空气从下面渗透。为此，缓冲层215可由诸如SiOx或SiNx之类的无机材料形成。可省略缓冲层215。
接着，在缓冲层215上形成第一辅助线222和第二辅助线224。举例来说，可通过溅射包括选自Al、Au、Cu、Ti、W、Mo和它们的合金中的任意一种的靶材以形成金属层(未示出)，并且利用半色调掩模对金属层进行选择性构图来形成第一辅助线222和第二辅助线224。
因此，第一辅助线222设置在与第二辅助线224相同的层上并且由与第二辅助线224相同的材料形成。因此，在同一层上第一辅助线222可一体地连接至第二辅助线224。
在此，第二辅助线224以交叉矩阵的形式设置在基板210上的像素P内。
优选地，第二辅助线224的线宽至多是辅助线的线宽的二分之一。更优选地，第二辅助线224具有1μm至3μm的线宽。
在此，第一辅助线222具有第一厚度，第二辅助线224具有比第一厚度小的第二厚度。优选地，第二厚度为第一厚度的20％至60％。
参照图8和图12，形成保护层2255以覆盖其上形成有第一辅助线222和第二辅助线224的基板210的整个表面。
保护层225可由诸如SiOx或SiNx之类的无机材料形成。或者，保护层225可由诸如光学亚克力之类的有机材料形成，或者保护层225可由包括无机层和有机层的多个层组成。
接着，通过利用光掩模选择性地构图保护层225的一部分来形成部分地暴露第一辅助线222的通孔TH。
在此，通孔TH可暴露第一辅助线222的面积的至少一半，以增加有机发光装置的第一电极230(图13)与第一辅助线222之间的接触面积，从而提高接触可靠性。
以这种方式，第一辅助线222和第二辅助线224的除对应于通孔TH的部分之外的整个区域能够被保护层225稳定地保护，从而提高了OLED照明设备的可靠性。
参照图9和图13，在其上形成有具有通孔TH的保护层225的基板210上形成第一电极230。因此，第一电极230直接电连接至被通孔TH暴露出的第一辅助线222。
在此，第一电极230由包括选自ITO、IZO、和ITZO中的任意一种的透明导电材料形成，以允许光从中透过。
接着，通过构图每个像素中的第一电极230的一部分形成部分地暴露保护层225的开口235。
如同第一实施方式，在根据第二实施方式的OLED照明设备中，由于施加至第一辅助线222和第二辅助线224的信号经由电阻图案232施加至第一电极230，因此通过将第一电极230的开口235形成为围绕像素P以使得电阻图案232具有足够细长的形状，能够确保足够长的信号路径。结果，可通过第一电极230的开口235的设计变化而产生具有期望幅值的短路防止电阻。
参照图10和图14，在第一电极230上顺序地形成有机发光层240和第二电极250。在此，第一电极230、有机发光层240和第二电极250构成有机发光装置E。有机发光层240可由发射白光的有机发光材料形成。例如，有机发光层240可包括蓝色有机发光层、红色有机发光层、和绿色有机发光层。或者，有机发光层240可具有包括蓝色发光层和黄绿色发光层的串联结构。
第二电极250可由金属，诸如Ca、Ba、Mg、Al、Ag或它们的合金形成。
接着，将封装层260贴附至其上形成有有机发光装置E的基板210。
封装层260可包括粘结层262和设置在粘结层262上的基层264。以这种方式，包括粘结层262和基层264的封装层260设置在其上形成有有机发光装置E的基板210上，由此OLED照明设备200能够被贴附至粘结层262的基层264密封。
在此，粘结层262可由光固化粘合剂或热固性粘合剂形成。基层264用于防止湿气或空气从外部渗入并且可由任何材料形成，只要该材料能执行这种功能即可。例如，基层264可由诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)之类的聚合物材料或诸如铝箔、Fe-Ni合金、或Fe-Ni-Co合金之类的金属材料形成。
在根据第二实施方式的OLED照明设备的制造方法中，省略了辅助线，以增加开口率，代替辅助线，将第一辅助线放置在每个像素的一侧处，并且将具有较小线宽的第二辅助线以矩阵形式设置在像素内并使其连接至第一辅助线。
结果，根据第二实施方式的OLED照明设备的制造方法能够利用第一辅助线和第二辅助线补偿由诸如ITO之类的透明导电材料形成的第一电极的高电阻，同时通过省略了辅助线而防止开口率下降。
此外，在根据第二实施方式的OLED照明设备的制造方法中，由于施加至第一辅助线和第二辅助线的信号经由电阻图案施加至第一电极，因此可通过将第一电极的开口设置为围绕像素以使得电阻图案具有足够细长的形状，确保足够长的信号路径。结果，可通过第一电极的开口的设计变化而产生具有期望幅值的短路防止电阻。
此外，根据第二实施方式的OLED照明设备的制造方法能够通过利用第一辅助线和第二辅助线替代辅助线而补偿第一电极的高薄层电阻，以在允许OLED照明设备保持短路防止电阻的同时确保低电阻，由此当实现为大面积高分辨率照明设备时，能够在不因电流下降而导致亮度降低的情况下实现正常发光。
尽管本文已描述了一些实施方式，但本领域技术人员应当理解的是，这些实施方式仅通过举例说明的方式给出，本发明并不限于此。此外，应当理解的是，在不背离本发明的精神和范围的情况下，本领域技术人员可做出各种修改、变化和替换。
<附图标记列表>
200：OLED照明设备         210：基板
215：缓冲层               222：第一辅助线
224：第二辅助线           225：保护层
230：第一电极             235：第一电极的开口
240：有机发光层           250：第二电极
260：封装层               262：粘结层
264：基层                 E：有机发光装置
TH：通孔

Claims (17)

1.一种OLED照明设备，包括：
基板；
设置在所述基板上的第一辅助线；
连接至所述第一辅助线并且设置在所述基板上的第二辅助线；
覆盖其上设置有所述第一辅助线和所述第二辅助线的所述基板的保护层，所述保护层具有部分地暴露所述第一辅助线的通孔；
设置在所述保护层上的第一电极，所述第一电极经由所述通孔连接至所述第一辅助线并且所述第一电极具有部分地暴露所述保护层的开口；
设置在所述第一电极上的有机发光层；和
设置在所述有机发光层上的第二电极。
2.根据权利要求1所述的OLED照明设备，其中所述第二辅助线以交叉矩阵形式设置在所述基板上的像素内。
3.根据权利要求1所述的OLED照明设备，其中所述第二辅助线具有1μm至3μm的线宽。
4.根据权利要求1所述的OLED照明设备，其中所述第一辅助线仅设置在所述基板上的像素的一侧处。
5.根据权利要求1所述的OLED照明设备，其中所述第一辅助线被所述通孔暴露其至少一半的面积以直接接触所述第一电极。
6.根据权利要求1所述的OLED照明设备，其中所述第一辅助线设置在与所述第二辅助线相同的层上并且由与所述第二辅助线相同的材料形成。
7.根据权利要求1所述的OLED照明设备，其中所述第一辅助线具有第一厚度，并且所述第二辅助线具有比所述第一厚度小的第二厚度。
8.根据权利要求7所述的OLED照明设备，其中所述第二厚度为所述第一厚度的20％至60％。
9.根据权利要求1所述的OLED照明设备，进一步包括：
缓冲层，所述缓冲层设置在所述基板与所述第一辅助线之间以及所述基板与所述第二辅助线之间；和
覆盖所述第二电极的封装层。
10.根据权利要求1所述的OLED照明设备，其中所述第一电极的开口设置为围绕所述基板上的像素，以限定出具有细长形状的电阻图案，所述电阻图案是所述第一电极的一部分，并且
其中施加至所述第一辅助线和所述第二辅助线的信号经由所述电阻图案施加至所述第一电极。
11.一种OLED照明设备，包括：
基板；
以矩阵形式设置在所述基板上的辅助线；
设置在所述基板上且具有开口的第一电极，所述辅助线接触所述第一电极；
设置在所述第一电极上的有机发光层；和
设置在所述有机发光层上的第二电极，
其中所述辅助线包括设置在所述基板上的第一辅助线和连接至所述第一辅助线并且设置在所述基板上的第二辅助线。
12.根据权利要求11所述的OLED照明设备，其中所述第一电极的开口设置为围绕所述基板上的像素，以限定出具有细长形状的电阻图案，所述电阻图案是所述第一电极的一部分，并且
其中施加至所述第一辅助线和所述第二辅助线的信号经由所述电阻图案施加至所述第一电极。
13.根据权利要求11所述的OLED照明设备，进一步包括：
缓冲层，所述缓冲层设置在所述基板与所述第一辅助线之间以及所述基板与所述第二辅助线之间；和
覆盖所述第二电极的封装层。
14.根据权利要求11所述的OLED照明设备，进一步包括：
保护层，所述保护层形成在所述第一电极的一些部分下方以覆盖所述第一辅助线和所述第二辅助线。
15.一种OLED照明设备，包括：
基板；
设置在所述基板上的辅助线；
设置在其上设置有所述辅助线的所述基板的整个表面上的保护层，所述保护层具有部分地暴露所述辅助线的通孔；
设置在所述保护层上的第一电极，所述第一电极经由所述通孔连接至所述辅助线并且所述第一电极具有部分地暴露所述保护层的开口；
设置在所述第一电极上的有机发光层；和
设置在所述有机发光层上的第二电极，
其中所述辅助线包括设置在所述基板上的第一辅助线和连接至所述第一辅助线并且设置在所述基板上的第二辅助线。
16.根据权利要求15所述的OLED照明设备，其中所述第一辅助线具有第一厚度，并且所述第二辅助线具有比所述第一厚度小的第二厚度。
17.根据权利要求15所述的OLED照明设备，其中相邻辅助线之间的区域是发光区域，所述保护层设置在所述发光区域中。
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