CN112103403B - 金属板、沉积用掩模及其制造方法 - Google Patents

金属板、沉积用掩模及其制造方法 Download PDF

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Abstract

公开了一种金属板、沉积用掩模及其制造方法。根据一个实施方案的用于制造沉积用掩模的金属板包括：通过距离金属板的表面1μm或更小的厚度限定的外层；和除外层之外的内层，其中外层的蚀刻速率比内层的蚀刻速率慢，以及其中当在用包含35重量％至45重量％的FeCl3的蚀刻剂在45℃下进行蚀刻的条件下测量时，外层的蚀刻速率为0.03μm/秒或更小，内层的蚀刻速率为0.03μm/秒至0.05μm/秒。

Description

金属板、沉积用掩模及其制造方法
本申请是申请日为2017年1月31日、申请号为201780011646.1、发明名称为“金属板、沉积用掩模及其制造方法”之申请的分案申请。
技术领域
一个实施方案涉及金属板。具体地，一个实施方案涉及能够用于沉积用掩模的金属板。更具体地，可以通过使用根据一个实施方案的沉积用掩模来制造有机发光二极管(OLED)面板。
背景技术
随着对具有高分辨率和低功耗的显示装置的需要，已开发了各种显示装置，例如液晶显示装置和电致发光显示装置。
与液晶显示装置相比，电致发光显示装置由于诸如低发光、低功耗和高分辨率等优异的特性而作为下一代显示装置受到关注。
在电场显示装置中存在有机发光显示装置和无机发光显示装置。即，电场显示装置可根据发光层的材料分为有机发光显示装置和无机发光显示装置。
其中，有机发光显示装置受到关注，因为有机发光显示装置具有宽的视角，具有快的响应速度，并且需要具有低的功耗。
构成这样的发光层的有机材料可以通过精细金属掩模法在基底上形成为具有用于形成像素的图案。
此时，精细金属掩模即沉积用掩模可以具有与待在基底上形成的图案对应的通孔，并且形成像素的红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的图案可以通过在使精细金属掩模在基底上对准之后沉积有机材料来形成。
可以通过蚀刻工艺在能够用作沉积用掩模的金属板上形成复数个通孔。
此时，当复数个通孔不均匀时，沉积的均匀性可能劣化，并且由于通过其形成的图案的沉积效率可能劣化，工艺效率可能劣化。
发明内容
技术问题
一个实施方案旨在提供一种能够形成均匀通孔的金属板。
技术方案
在根据一个实施方案的用于制造沉积用掩模的金属板中，金属板包括：通过距离所述金属板的表面小于或等于1μm的厚度范围限定的外层；和除外层之外的内层，其中外层的蚀刻速率比内层的蚀刻速率慢，外层的蚀刻速率小于或等于0.03μm/秒，内层的蚀刻速率为0.03μm/秒至0.05μm/秒，所述蚀刻速率在用包含35重量％至45重量％的FeCl3的蚀刻剂在45℃下进行蚀刻的条件下测量。
根据一个实施方案的制造沉积用掩模的方法包括：准备基础金属板；对基础金属板进行轧制；形成光致抗蚀剂层以在基础金属板的第一表面上设置第一光致抗蚀剂层以及在基础金属板的第二表面上设置第二光致抗蚀剂层；以及进行蚀刻以形成通孔，第一表面的第一表面孔和第二表面的第二表面孔通过所述通孔彼此连通，其中在蚀刻之后第一表面孔和第二表面孔中的至少一者的蚀刻因子大于或等于2.0。
有益效果
根据一个实施方案的金属板可以包括通过距离金属板的表面小于或等于1μm的厚度范围限定的外层和除外层之外的内层。
此时，金属板可以包含具有彼此不同取向的两个或更多个晶面。
金属板的表面上的{220}晶面的比率在外层与内层之间可以不同。即，可以通过调节外层和内层的{220}晶面的比率来相对于内层延缓外层中的蚀刻速率。因此，金属板可以形成均匀的通孔。
即，用于制造沉积用掩模的金属板包括具有改善的均匀性的通孔，使得通过通孔形成的图案的均匀性可以得到改善，并且工艺效率可以通过增加图案的沉积效率而得到改善。
另外，根据实施方案的金属板可以包含平均尺寸小于或等于30μm的晶界。金属板的蚀刻特性可以通过调节晶界的尺寸得到改善。
因此，通过使用根据实施方案的沉积用掩模制造的OLED面板具有优异的图案沉积效率，并且沉积均匀性可以得到改善。
根据实施方案的金属板可以包括基础金属板和设置在基础金属板上的表面层。
表面层可以分别设置在基础金属板的第一表面上和与第一表面相对的第二表面上，使得可以延缓金属板的第一表面和第二表面上的蚀刻速率。
因此，包括表面层的金属板可以形成均匀的通孔。
即，由于用于制造沉积用掩模的金属板包括具有改善的均匀性的通孔，通过通孔形成的图案的均匀性可以得到改善，并且工艺效率可以通过增加图案的沉积效率得到改善。
因此，通过使用根据实施方案的沉积用掩模制造的OLED面板具有优异的图案沉积效率，并且沉积均匀性可以得到改善。
附图说明
图1和2为示出在基底上沉积有机材料的工艺的概念图。
图3和4为示出金属板的正视图的图。
图5为示出金属板的晶面取向与轧制方向之间的关系的图。
图6为第一实施方案的图，示出了沿图3中的线A-A'截取的截面图。
图7至10为示出根据第一实施方案的金属板的制造工艺的图。
图11为示出示例性实施方案1和比较例1的X射线衍射强度的图。
图12为示出示例性实施方案1和比较例1的根据蚀刻深度的蚀刻速率的图。
图13为第二实施方案的图，示出了沿图3中的线A-A'截取的截面图。
图14至18为示出根据第二实施方案的金属板的制造工艺的图。
图19为根据示例性实施方案2的金属板的通孔的照片。
图20为根据比较例2的金属板的通孔的照片。
图21为示出示例性实施方案3和4以及比较例3的根据蚀刻深度的蚀刻速率的图。
图22为示出示例性实施方案3的蚀刻工艺中的表面孔的截面图的图。
图23为示出示例性实施方案4的蚀刻工艺中的表面孔的截面图的图。
图24为示出比较例3的蚀刻工艺中的表面孔的截面图的图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图详细描述实施方案。
在参照附图的描述中，相同的附图标记用于表示相同的元件，并且将省略其重复的描述。
虽然可以使用能够诸如“第一”、“第二”等术语描述要素，但是上述要素不应受上述术语限制，并且仅用于区分一个要素与另一要素。
另外，当一个部分被称为“包括”一个要素时，除非另外具体说明，否则意指该部分也可以包括其他要素而不排除其他要素。
在附图中，为了清楚和方便解释，可以修改各个层(膜)、区域、图案或结构的厚度或尺寸，并因此不完全反映实际尺寸。在对实施方案的描述中，在各个层(膜)、区域图案或结构被描述为形成在基底、各个层(膜)、区域、衬垫或图案“之上”、“上”或“之下”的情况下，“之上”、“上”和“之下”包括“直接地”形成和“间接地”形成两者。各个实施方案可以独立或一起实施，并且可以排除一些要素以便满足本发明的目的。在下文中，将参照附图对实施方案进行描述。
将参照图1和2描述用于在基底上沉积有机材料的工艺。
图1为示出有机材料沉积设备的图，其中包括根据一个实施方案的金属板100作为沉积用掩模。
有机材料沉积设备可以包括用作沉积用掩模的金属板100、掩模框架200、基底300、有机材料沉积容器400和真空室500。
沉积用掩模可以为根据一个实施方案的金属板100。金属板100可以包括复数个通孔。此时，通孔可以形成为与待在基底上形成的图案对应。
掩模框架200可以包括开口。金属板100的复数个通孔可以设置在与开口对应的区域上。因此，可以将供应至有机材料沉积容器400的有机材料沉积在基底300上。
沉积用掩模可以设置并固定在掩模框架200上。例如，可以通过焊接将沉积用掩模张紧并固定在掩模框架200上。
基底300可以为用于制造显示装置的基底。红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的图案可以形成在基底300上以形成作为光的三原色的像素。
有机材料沉积容器400可以为坩埚。有机材料可以设置在坩埚的内部。
当向真空室500中的坩埚供应热源和/或电流时，可以将有机材料沉积在基底100上。
图2为金属板100的一个通孔的放大图。
金属板100可以包括第一表面101和面对第一表面的第二表面102。
金属板100的第一表面101可以包括第一表面孔V1，以及金属板100的第二表面102可以包括第二表面孔V2。
通孔可以由连接部分CA形成，第一表面孔V1和第二表面孔V2通过连接部分CA彼此连通。
第二表面孔V2的宽度可以大于第一表面孔V1的宽度。此时，第一表面孔V1的宽度可以在第一表面101处测量，第二表面孔V2的宽度可以在第二表面102处测量。
第一表面孔V1可以朝向基底300设置。因此，第一表面孔V1可以具有与沉积材料D(即，图案)对应的形状。
第二表面孔V2可以朝向有机材料沉积容器400设置。因此，第二表面孔V2可以以宽的宽度容纳从有机材料沉积容器400供应的有机材料，并且可以通过具有比第二表面孔V2的宽度更小的宽度的第一表面孔V1在基底300上快速形成精细图案。
图3和4是示出金属板100的正视图的图。
金属板100可以包括复数个通孔。图3中所示的复数个通孔可以表示第二表面孔V2。当测量参照孔(其为通孔中的任一个)的水平方向上的直径Cx和垂直方向上的直径Cy时，与参照孔相邻的孔(如图中所示的总计六个孔)之间的水平方向上的直径Cx和垂直方向上的直径Cy的偏差可以分别实现为2％至10％。即，当一个参照孔的相邻孔之间的尺寸偏差实现为2％至10％时，可以确保沉积的均匀性。
例如，参照孔与相邻孔之间的尺寸偏差可以为4％至9％。例如，参照孔与相邻孔之间的尺寸偏差可以为5％至7％。
当参照孔与相邻孔之间的尺寸偏差小于2％时，可能增加沉积后OLED面板中的莫尔条纹(moire)的发生率。当参照孔与相邻孔之间的尺寸偏差大于10％时，可能增加沉积后OLED面板中的色彩斑点的发生率。
一个实施方案可以在参照孔与相邻孔之间的在±3μm内的尺寸偏差下实现。因此，可以改善沉积效率。
例如，参照图3，通孔可以在垂直轴上成排设置，并且在水平轴上成排设置。
例如，参照图4，通孔可以在垂直轴上成排设置，并且可以在水平轴上设置成彼此交错。
通孔可以具有在垂直方向上测量的第一直径和在水平方向上测量的第二直径，第一直径和第二直径可以彼此对应或者可以彼此不同。通孔可以具有在与A-A'的截面方向对应的第一对角线方向上测量的第三直径和在与第一对角线方向交叉的第二对角线方向上测量的第四直径，第三直径和第四直径可以彼此对应或者可以彼此不同。通孔可以为圆化的。
图5为示出金属板的晶面取向与轧制方向的关系的图。
金属板100可以包含金属材料。大多数金属由多晶构成。多晶可以通过诸如轧制、退火、热处理等制造工艺呈现出具有优选取向的晶体结构。
例如，金属板100可以包含镍合金。例如，金属板100可以包含殷钢，其包含约35重量％至37重量％的镍、约63重量％至65重量％的铁以及痕量的C、Si、S、P、Cr、Mo、Mn、Ti、Co、Cu、Fe、Ag、Nb、V、In和Sb中的至少一者。在此，痕量可以指小于或等于1重量％。具体地，在此，痕量可以指小于或等于0.5重量％。由于镍合金例如殷钢具有小的热膨胀系数，其具有可以增加沉积用掩模的寿命的优点。然而，其具有难以对镍合金例如殷钢进行均匀蚀刻的问题。
即，在镍合金例如殷钢中，在蚀刻的初始阶段随着蚀刻速率增加，通孔可能扩大至侧表面，并因此可能发生光致抗蚀剂层脱膜。此外，当对殷钢进行蚀刻时，随着通孔的尺寸增加，可能难以形成具有精细尺寸的通孔。此外，通孔不均匀地形成，使得沉积用掩模的良品率可能劣化。
根据第一实施方案和第二实施方案的用于制造沉积用掩模的金属板可以包括：通过距离金属板的表面小于或等于1μm的厚度范围限定的外层；和除外层之外的内层，其中外层的蚀刻速率可以比内层的蚀刻速率慢。
首先，将描述第一实施方案。
第一实施方案首先旨在降低金属板100的表面处的蚀刻速率。
面心立方的殷钢可以具有通过轧制、热处理等再结晶的立方结构。
例如，在经轧制的殷钢的情况下，再结晶结构可以沿轧制方向取向，即，可以在金属板的纵向方向上{100}取向。金属板100可以包含具有彼此不同取向的两个或更多个晶面。例如，经轧制的表面可以包含{111}、{200}和{220}晶面。即，金属板100的表面可以包含{111}、{200}和{220}晶面。
再结晶结构可以根据在经轧制的表面上结晶的晶面的比率而具有不同的蚀刻特性。
由于第一实施方案使经轧制的表面(即，金属板的表面)上的{220}晶面结晶，可以降低金属板100的第一表面101和第二表面102处的蚀刻速率。即，一个实施方案可以降低蚀刻初始阶段中的蚀刻速率，防止光致抗蚀剂层脱膜或分离，以及改善通孔的均匀性。此外，可以形成精细的通孔，并且可以改善通孔的制造良品率和工艺效率。
第一实施方案其次旨在在蚀刻工艺中表面孔的蚀刻因子大于或等于2.0。
在第一实施方案中，由于表面孔的蚀刻因子大于或等于2.0，蚀刻特性可以是优异的，并且可以形成均匀且精细尺寸的通孔。
第一实施方案第三旨在提高金属板100的表面处的蚀刻均匀性。
根据第一实施方案的金属板100可以包含平均尺寸小于或等于30μm的晶界。经轧制的金属板可以包含平均尺寸小于或等于30μm的晶界。
由于金属板100可以包含具有彼此不同取向的两个或更多个晶面，金属板100可以包含晶界。晶界可以具有比晶粒更高的蚀刻速率。即，根据一个实施方案的金属板100包含平均尺寸小于或等于30μm的晶界，从而提高蚀刻的均匀性。因此，通孔的形状可以是均匀的，并且通孔的表面粗糙度可以较低。
即，由于根据一个实施方案的金属板100包含平均尺寸小于或等于30μm的晶界，通孔的内周表面可以为平滑的曲线，并且可以改善待通过其沉积的图案形状的均匀性。
例如，当晶界的平均尺寸大于或等于30μm时，蚀刻可能沿晶界发生，使得蚀刻形状可能是不规则的并且通孔的表面粗糙度可能较大。此外，当蚀刻形状在蚀刻的初始阶段不均匀时，腐蚀可能在不均匀形状的间隙中进行，并且通孔的均匀性可能劣化。因此，通过其沉积的图案形状的均匀性可能劣化。
金属板100可以是ASTM E112标准的，并且晶粒的数量可以为7至13。例如，金属板100可以是ASTM E112标准的，并且晶粒的数量可以为7至12。例如，金属板100可以是ASTME112标准的，并且晶粒的数量可以为8至11。
当根据第一实施方案的金属板是ASTM E112标准的时，金属板可以包含7至13个晶粒，并因此蚀刻特性可以是优异的，并且可以形成内周表面光滑的通孔。
图6是第一实施方案的图，其中复数个通孔的截面被放大。
参照图6，用于制造沉积用掩模的金属板100可以包括内层100a以及外层100b和100c。例如，金属板100可以包括通过距离金属板的表面小于或等于1μm的厚度范围限定的外层100b和100c以及除外层之外的内层100a。
金属板100可以包括通过距离金属板的第一表面101小于或等于1μm的厚度范围限定的第一外层100b和通过距离金属板的第二表面102小于或等于1μm的厚度范围限定的第二外层100c。例如，金属板100可以包括通过距离金属板的第一表面101小于或等于0.5μm的厚度范围限定的第一外层100b和通过距离金属板的第二表面102小于或等于0.5μm的厚度范围限定的第二外层100c。例如，金属板100可以包括通过距离金属板的第一表面101小于或等于0.1μm的厚度范围限定的第一外层100b和通过距离金属板的第二表面102小于或等于0.1μm的厚度范围限定的第二外层100c。然而，实施方案不限于此，并且可以具有不同的厚度。即，外层的{220}晶面显然可以在合金的范围内具有不同的厚度，所述合金被制造成包含多于或等于内层的{220}晶面。
内层100a的厚度可以大于外层的厚度。例如，内层100a的厚度可以大于第一外层100b的厚度和第二外层100c的厚度。
金属板100的厚度T可以为10μm至50μm。例如，金属板100的厚度T可以为10μm至30μm。当金属板100的厚度T小于10μm时，制造效率可能较低。当金属板100的厚度T在10μm至30μm的范围内以制造沉积用掩模时，可以提高沉积效率。
当金属板100的厚度T大于50μm时，形成通孔的工艺效率可能劣化。在此，金属板100的厚度T可以在轧制工艺之后测量。
内层100a的厚度可以小于或等于50μm。例如，内层100a的厚度可以小于或等于30μm。
第一外层100b和第二外层100c可以具有彼此对应的厚度。在此，“对应”可以包括由于公差引起的误差。
金属板100可以包含镍合金。内层100a、第一外层100b和第二外层100c可以包含镍合金。例如，内层100a、第一外层100b和第二外层100c可以包含殷钢。然而，实施方案不限于此，并且显然可以包含各种金属材料。
内层100a的包含在内层100a中的晶面的比率可以与外层100b和100c的该晶面的比率不同。例如，对于金属板，内层100a的{220}晶面的比率可以与外层100b和100c的{220}晶面的比率不同。
金属板在外层100b和100c中的{220}晶面的比率可以大于在内层100a中的{220}晶面的比率。
可以控制金属板100使得外层100b和100c的{220}晶面的比率高于内层100a的{220}晶面的比率，使得外层100b和100c中的蚀刻速率可以比内层100a的蚀刻速率慢。因此，根据第一实施方案的金属板100可以在金属板的厚度方向上即在通孔的深度方向上具有优异的蚀刻特性，并因此可以提高蚀刻因子。即，可以控制金属板100使得外层100b和100c的{220}晶面的比率高于内层100a的{220}晶面的比率，使得内层100a中的蚀刻速率可以比外层100b和100c的蚀刻速率快。因此，根据第一实施方案的金属板100可以在金属板的厚度方向上即在通孔的深度方向上具有优异的蚀刻特性，并且可以提高蚀刻因子。
因此，即使在使用镍合金例如殷钢时，第一实施方案也可以制造具有优异的蚀刻特性并且其中通孔的蚀刻均匀性得到改善的沉积用掩模。
内层100a的X射线衍射强度的比率与外层100b和100c的X射线衍射强度的比率可以彼此不同。例如，在外层100b和100c中金属板的{220}晶面的X射线衍射强度的比率可以比在内层100a中的更大。因此，可以看出与内层100a相比，外层100b和100c具有更高的{220}晶面比率。
即，根据一个实施方案的金属板100的{220}晶面的比率可以从金属板的表面朝向厚度方向减小。具体地，在根据实施方案的金属板100中，{220}晶面的比率可以从第一表面101和第二表面102至第一表面101与第二表面102之间的区域(即在具有金属板100的一半厚度的中间区域中)减小。
金属板100可以沿通孔的厚度方向具有不同的通孔宽度。例如，第一表面孔V1的宽度W1可以大于连接部分CA的宽度W3。具体地，通孔的宽度可以随着第一表面孔V1从第一表面101朝向连接部分CA移动而减小。更具体地，通孔的宽度可以随着第一表面孔V1从第一表面101朝向连接部分CA移动而逐渐减小。
例如，第二表面孔V2的宽度W2可以大于连接部分CA的宽度W3。具体地，通孔的宽度可以随着第二表面孔V2从第二表面102朝向连接部分CA移动而减小。更具体地，通孔的宽度可以随着第二表面孔V2从第二表面102朝向连接部分CA移动而逐渐减小。
通孔的宽度可以大于或等于20μm。例如，通孔的宽度可以为20μm至40μm。例如，第一表面孔的宽度W1和第二表面孔的宽度W2中的至少一者可以具有大于或等于20μm的宽度。例如，第一表面孔的宽度W1和第二表面孔的宽度W2中的至少一者可以具有20μm至40μm的宽度。
第二表面孔V2的高度H2可以大于第一表面孔V1的高度H1。
同时，第一表面孔V1的高度H1与金属板100的厚度T的比率可以为1:3至1:30。例如，第一表面孔V1的高度H1相对于金属板100的厚度T的比率可以为1:3.5至1:12.5。例如，第一表面孔V1的高度H1相对于金属板100的厚度T的比率可以为1:4.5至1:10.5。
当第一表面孔V1的高度H1大于相对于金属板100的厚度T的比率时，第一表面孔V1的高度H1增加并且有机材料的厚度变化增加，因此可能发生未沉积有机材料的区域。因此，通过沉积用掩模制造的OLED面板的制造良品率可能降低。
第一表面孔V1的高度H1可以为0.1μm至7μm。例如，第一表面孔V1的高度H1可以为1μm至6μm。例如，第一表面孔V1的高度H1可以为2μm至4.5μm。当第一表面孔V1的高度H1小于0.1μm时，通过金属板的沉积有机材料的效率可能降低。当第一表面孔V1的高度H1大于7μm时，难以形成精细尺寸的图案并且可能发生未沉积有机材料的区域，并因此通过其制造的OLED面板的良品率可能劣化。
同时，由于与第一表面孔V1相邻并且形成在第一表面101上的第三表面孔V3和与第二表面孔V2相邻并且形成在第二表面102上的第四表面孔V4分别通过连接部分CA连通，可以形成复数个通孔。
根据一个实施方案的金属板可以包括在任意第一通孔和与该第一通孔相邻的第二通孔之间的桥接区域BR。例如，第一表面孔V1与第三表面孔V3之间的第一表面101可以包括第一桥接区域BR1，第二表面孔V2与第四表面孔V4之间的第二表面102可以包括第二桥接区域BR2。
将连接部分CA的端部的任意点A1与第二表面孔V2的端部的任意点B1连接的倾斜角可以在20度至70度的范围内。例如，将连接部分CA的端部的任意点A1与第二表面孔V2的端部的任意点B1连接的倾斜角可以在30度至60度的范围内。例如，将连接部分CA的端部的任意点A1与第二表面孔V2的端部的任意点B1连接的倾斜角可以在32度至38度或52度至58度的范围内。当将连接部分CA的端部的任意点A1与第二表面孔V2的端部的任意点B1连接的倾斜角在20度至70度的范围内时，可以改善沉积的均匀性。当倾斜角在该范围之外时，可能发生未沉积有机材料的区域，并因此沉积效率和工艺效率可能劣化。
通孔的宽度可以随着第一表面孔V1朝向金属板100的中心移动而变得更窄。例如，第一表面孔V1的内表面可以为具有弯曲形貌的结构。此外，通孔的宽度可以随着第二表面孔V2朝向金属板100的中心移动而变得更窄。例如，第一表面孔V1的内表面可以为具有弯曲形貌的结构。因此，与简单的斜坡结构相比，可以控制沉积材料的引入密度，并且可以改善沉积的均匀性。
第一表面孔V1的宽度W1与连接部分CA的宽度W3之间的差值W1-W3可以在0.2μm至14μm的范围内。
从第一表面孔V1的端部的任意点C1至连接部分CA的端部的任意点A1的垂直距离可以在0.1μm至7μm的范围内。从第一表面孔V1的端部的任意点C1至连接部分CA的端部的任意点A1的垂直距离可以在1μm至6μm的范围内。从第一表面孔V1的端部的任意点C1至连接部分CA的端部的任意点A1的垂直距离可以在2μm至4.5μm的范围内。
当垂直距离小于0.1μm时，通过金属板100沉积有机材料的效率可能降低。当垂直距离大于7μm时，难以形成精细尺寸的图案并且可能发生未沉积有机材料的区域，并因此通过其制造的OLED面板的良品率可能劣化。
第一表面孔V1可以在第一表面101上的开口区域的边缘部分(即，开口区域的外部)处具有弯曲形貌。或者，第二表面孔V2可以在第二表面102上的开口区域的边缘部分(即，开口区域的外部)处具有弯曲形貌。例如，开口区域的边缘部分可以是具有预定范围的弯曲形貌的圆化结构。通过延伸边缘部分的圆化部分的弯曲形貌形成的虚拟圆的直径可以在5μm至20μm的范围内。例如，通过延伸边缘部分的圆化部分的弯曲形貌形成的虚拟圆的直径可以在7μm至15μm的范围内。通过延伸边缘部分的圆化部分的弯曲形貌形成的虚拟圆的直径可以在8μm至12μm的范围内。在所述范围内，沉积速率高并且可以均匀地沉积有机材料。
当通过延伸边缘部分的圆化部分的弯曲形貌形成的虚拟圆的直径小于5μm时，沉积速率与不进行弯曲形貌处理的情况的差异可能不大。当通过延伸边缘部分的圆化部分的弯曲形貌形成的虚拟圆的直径大于20μm时，沉积速率可能劣化。
第四表面孔V4的宽度W5可以大于第三表面孔V3的宽度W4。例如，第三表面孔V3的宽度W4可以大于连接部分CA的宽度W6。具体地，通孔的宽度可以随着第三表面孔V3从第一表面101朝向连接部分CA移动而减小。具体地，通孔的宽度可以随着第三表面孔V3从第一表面101朝向连接部分CA移动而逐渐减小。
例如，第四表面孔V4的宽度W5可以大于连接部分CA的宽度W6。具体地，通孔的宽度可以随着第四表面孔V4从第二表面102朝向连接部分CA移动而减小。具体地，通孔的宽度可以随着第四表面孔V4从第二表面102朝向连接部分CA移动而逐渐减小。
第四表面孔V4的高度H4可以大于第三表面孔V3的高度H3。
根据第一实施方案，第一外层100b的蚀刻速率可以比内层100a的蚀刻速率慢。第二外层100c的蚀刻速率可以比内层100a的蚀刻速率慢。
在由其中外层的{220}晶面的比率小于内层的{220}晶面的比率的金属板100制成的沉积用掩模中，随着金属板100的与蚀刻剂接触的表面的蚀刻速率增加，在金属板100的表面处形成的通孔的宽度可以增加。因此，难以形成具有精细图案的通孔，并且制造良品率可能劣化。此外，复数个通孔的均匀性可能劣化。因此，通过其制造的OLED面板可能具有低的图案沉积效率，并且图案的沉积均匀性可能劣化。
当{220}晶面的比率在外层100b和100c中比在内层100a中大时，第一表面孔V1的宽度W1可以与第三表面孔V3的宽度W4对应，并且第二表面孔V2的宽度W2可以与第四表面孔V4的宽度W5对应。
当{220}晶面的比率在外层100b和100c中比在内层100a中大时，第一表面孔V1的高度H1可以与第三表面孔V3的高度H3对应，并且第二表面孔V2的高度H2可以与第四表面孔V4的高度H4对应。
即，当{220}晶面的比率在外层100b和100c中比在内层100a中大时，可以改善复数个通孔的宽度和高度的均匀性。
根据第一实施方案的金属板可以形成为使得外层100b和100c的蚀刻速率比内层的蚀刻速率慢，使得通孔可以具有小的宽度和深的厚度。因此，可以防止由金属表面处的快速蚀刻引起光致抗蚀剂层脱膜现象。因此，根据第一实施方案的沉积用掩模可以形成具有均匀性的复数个通孔，并且可以改善制造沉积用掩模的工艺效率。
此外，根据第一实施方案的用于制造沉积用掩模的金属板可以控制表面处的蚀刻速率，并且可以制造具有精细图案的通孔。此外，可以改善用于制造沉积用掩模的金属板的制造良品率，并且可以改善复数个通孔的均匀性。因此，通过使用这样的沉积用掩模制造的OLED面板具有优异的图案沉积效率并且可以改善沉积均匀性。
根据第一实施方案的用于制造沉积用掩模的金属板100的内层100a以及外层100b和100c的蚀刻速率可以不同。
例如，外层100b和100c的蚀刻速率可以小于或等于0.03μm/秒。例如，外层100b和100c的蚀刻速率可以小于或等于0.01μm/秒至0.03μm/秒。例如，外层100b和100c的蚀刻速率可以小于或等于0.02μm/秒至0.03μm/秒。例如，外层100b和100c的蚀刻速率可以小于或等于0.01μm/秒至0.02μm/秒。
例如，内层100a的蚀刻速率可以为0.03μm/秒至0.06μm/秒。例如，内层100a的蚀刻速率可以为0.03μm/秒至0.05μm/秒。
即，根据一个实施方案的用于制造沉积用掩模的金属板的外层100b和100c的蚀刻速率可以比内层100a的蚀刻速率慢，使得通孔的蚀刻特性可以是优异的。此外，通过使用根据一个实施方案的沉积用掩模制造的OLED面板具有优异的图案沉积效率并且可以改善沉积均匀性。
参照图7至10，将描述根据第一实施方案的沉积用掩模的制造工艺。
根据第一实施方案的沉积用掩模的制造方法可以包括：准备基础金属板；对基础金属板进行轧制；在基础金属板的第一表面上形成光致抗蚀剂层并在第二表面上设置第二光致抗蚀剂层；以及进行蚀刻以形成通孔，第一表面的第一表面孔与第二表面的第二表面孔通过所述通孔彼此连通。
然后，可以通过除去光致抗蚀剂层来制造包括复数个通孔的沉积用掩模。
首先，将对基础金属板的准备进行描述。在基础金属板中，可以准备镍合金。例如，基础金属板可以为镍和铁的合金。例如，基础金属板可以为殷钢，其包含约35重量％至37重量％的镍、约63重量％至65重量％的铁、以及痕量的C、Si、S、P、Cr、Mo、Mn、Ti、Co、Cu、Fe、Ag、Nb、V、In和Sb中的至少一者。
然后，将参照图7对基础金属板的轧制进行描述。经轧制的基础金属板100的厚度T1可以小于或等于50μm。此时，通过轧制，基础金属板100的对应于距离基础金属板的表面小于或等于1μm的厚度范围的外层的晶面与除外层之外的内层的晶面可以不同。外层的{220}晶面的比率可以大于内层的{220}晶面的比率。
然后，将参照图8对光致抗蚀剂层的形成进行描述。可以在基础金属板的第一表面101上设置第一光致抗蚀剂层P1，并且可以在基础金属板的第二表面102上形成第二光致抗蚀剂层P2。
具体地，可以分别在基础金属板的第一表面101和第二表面102上涂覆光致抗蚀剂材料，并且可以通过曝光和显影过程分别设置第一光致抗蚀剂层P1和第二光致抗蚀剂层P2。
第一光致抗蚀剂层P1和第二光致抗蚀剂层P2被设置成使得开口区域的宽度彼此不同，使得在第一表面101上形成的第一表面孔V1的宽度与在第二表面102上形成的第二表面孔V2的宽度可以不同。
然后，参照图9，将对蚀刻进行描述。在蚀刻工艺中，可以形成第一表面101的第一表面孔V1和第二表面102的第二表面孔V2，并且当第一表面孔V1和第二表面孔V2通过连接部分CA彼此连通时可以形成通孔。
例如，蚀刻工艺可以通过湿法蚀刻工艺来进行。因此，可以对第一表面101和第二表面102同时进行蚀刻。例如，可以通过使用包含氯化铁的蚀刻剂在约45℃下进行湿法蚀刻工艺。此时，蚀刻剂可以包含35重量％至45重量％的FeCl3。具体地，蚀刻剂可以包含36重量％的FeCl3。例如，包含43重量％的FeCl3的蚀刻剂的比重在20℃下可以为1.47。包含41重量％的FeCl3的蚀刻剂的比重在20℃下可以为1.44。包含38重量％的FeCl3的蚀刻剂的比重在20℃下可以为1.39。
在蚀刻之后，通过式1计算的第一表面孔和第二表面孔中的至少一者的蚀刻因子可以大于或等于2.0。
<式1>
/>
在该式中，B可以为蚀刻的表面孔的宽度，
A可以为开口的光致抗蚀剂层的宽度，和
C可以指蚀刻的表面孔的深度。
随着蚀刻因子变得更大，可以意味着蚀刻特性在金属板的厚度方向(即，通孔的深度方向)上是优异的。
随着蚀刻因子变得更小，意味着通孔的宽度更大。即，由于通孔的宽度随着蚀刻因子变得更小而增加，可能发生光致抗蚀剂层隆起或分离的现象。
当蚀刻因子大于或等于2.0时，表面孔的宽度小并且蚀刻特性在深度方向上可以是优异的。此外，当蚀刻因子大于或等于2.0时，光致抗蚀剂层与桥接区域BR之间的接触面积可以变宽，并且可以稳定地防止光致抗蚀剂层脱膜。因此，可以通过根据一个实施方案的沉积用掩模形成精细的沉积图案。
然后，参照图10，可以通过除去第一光致抗蚀剂层P1和第二光致抗蚀剂层P2来形成具有复数个通孔的金属板。
在下文中，将参照示例性实施方案和比较例详细描述第一实施方案。这样的实施方案仅是用于更详细地说明本发明的实施例。因此，本发明不限于这样的实施方案。
<实验例1：X射线衍射强度的测量>
示例性实施方案1
准备经轧制和退火的殷钢金属，并通过轧制工艺形成再结晶结构。
此时，殷钢金属的外层形成为使得{220}晶面的比率大于除外层之外的内层的{220}晶面的比率。
然后，测量X射线衍射强度。
在距离殷钢金属表面小于或等于1μm的厚度范围内的外层处测量X射线衍射强度，在位于距离殷钢金属表面深度为10μm的区域处的内层处测量X射线衍射强度，并在位于距离殷钢金属表面深度为15μm的区域处的内层处测量X射线衍射强度。
比较例1
准备经轧制和退火的殷钢金属，并通过轧制工艺形成再结晶结构。
此时，殷钢金属的外层形成为使得{220}晶面的比率小于除外层之外的内层的{220}晶面的比率。
然后，测量X射线衍射强度。
殷钢金属的厚度和X射线衍射强度与示例性实施方案1的殷钢金属的厚度和X射线衍射强度相同，不同之处在于轧制条件不同。
可以看出，实验例1的X射线衍射分析示出了晶面的分布。由于一个实施方案是其中非均匀地混合有多种不同晶面的多晶，可以看出数个峰表示不同的强度。
可以看出，通过测量X射线衍射强度示出了设置在金属板表面上的晶面的比率。
参照图11，由于示例性实施方案1的外层在{220}晶面处示出强峰，可以看出外层的{220}晶面的比率大于内层的{220}晶面的比率。
示例性实施方案1的外层的{220}晶面的X射线衍射强度可以大于位于距离殷钢金属表面深度为10μm的区域处的内层的{220}晶面的X射线衍射强度。具体地，示例性实施方案1的外层的{220}晶面的X射线衍射强度可以是位于距离殷钢金属表面深度为10μm的区域处的内层的{220}晶面的X射线衍射强度的至少两倍。例如，具体地，示例性实施方案1的外层的{220}晶面的X射线衍射强度可以是位于距离殷钢金属表面深度为10μm的区域处的内层的{220}晶面的X射线衍射强度的至少2.1倍。因此，可以看出，示例性实施方案1的外层的{220}晶面的比率大于位于距离殷钢金属表面深度为10μm的区域处的内层的{220}晶面的比率。
示例性实施方案1的外层的{220}晶面的X射线衍射强度可以大于位于距离殷钢金属表面深度为15μm的区域处的内层的{220}晶面的X射线衍射强度。具体地，示例性实施方案1的外层的{220}晶面的X射线衍射强度可以是位于距离殷钢金属表面深度为15μm的区域处的内层的{220}晶面的X射线衍射强度的至少两倍。例如，具体地，示例性实施方案1的外层的{220}晶面的X射线衍射强度可以是位于距离殷钢金属表面深度为15μm的区域处的内层的{220}晶面的X射线衍射强度的至少2.2倍。因此，可以看出，示例性实施方案1的外层的{220}晶面的比率大于位于距离殷钢金属表面深度为15μm的区域处的内层的{220}晶面的比率。
示例性实施方案1的位于距离殷钢金属表面深度为10μm的区域处的内层的{220}晶面的X射线衍射强度可以大于位于距离殷钢金属表面深度为15μm的区域处的内层的{220}晶面的X射线衍射强度。具体地，示例性实施方案1的位于距离殷钢金属表面深度为10μm的区域处的内层的{220}晶面的X射线衍射强度可以是位于距离殷钢金属表面深度为15μm的区域处的内层的{220}晶面的X射线衍射强度的至少1.1倍。因此，可以看出，示例性实施方案1的位于距离殷钢金属表面深度为10μm的区域处的内层的{220}晶面的比率大于位于距离殷钢金属表面深度为15μm的区域处的内层的{220}晶面的比率。
示例性实施方案1的{220}晶面的比率可以从外层向内层的中心减小。示例性实施方案1的外层的{220}晶体结构的比率与内层的{220}晶体结构的比率之比可以大于1(外层的{220}晶体结构的比率/内层的{220}晶体结构的比率>1)。因此，在示例性实施方案1中，外层中的蚀刻速率与内层中的蚀刻速率相比可以降低，因此可以改善蚀刻因子。此外，由于{220}晶面的比率从外层向内层的中心减小，蚀刻特性在金属板的厚度方向(即通孔的深度方向)上可以是优异的，因此可以形成具有精细尺寸的通孔以具有优异的均匀性。
根据示例性实施方案1的外层的{220}晶面的比率可以大于外层的{111}晶面的比率。根据示例性实施方案1的外层的{220}晶面的比率可以大于外层的{200}晶面的比率。
在根据示例性实施方案1的外层中测量的金属板的{220}晶面的X射线衍射强度的比率与{200}晶面的X射线衍射强度的比率之比可以大于或等于1({220}X射线强度比率/{200}X射线强度比率>1)。
根据示例性实施方案1的在距离金属板表面10μm的内部测量的内层的{220}晶面的比率可以大于在距离金属板表面10μm的内部测量的内层的{111}晶面的比率。此外，根据示例性实施方案1的在距离金属板表面10μm的内部测量的内层的{220}晶面的比率可以大于在距离金属板表面10μm的内部测量的内层的{200}晶面的比率。
根据示例性实施方案1的在距离金属板表面10μm的内部测量的{220}晶面的X射线衍射强度的比率与{200}晶面的X射线衍射强度的比率之比可以大于或等于1({220}X射线强度比率/{200}X射线强度比率>1)。
同时，由于在{220}晶面中比较例1的外层示出比示例性实施方案1弱的峰，可以看出外层的{220}晶面的比率小于内层的{220}晶面的比率。
比较例1的外层的{220}晶面的X射线衍射强度可以小于位于距离殷钢金属表面深度为10μm的区域处的内层的{220}晶面的X射线衍射强度。具体地，比较例1的位于距离殷钢金属表面深度为10μm的区域处的内层的{220}晶面的X射线衍射强度可以是外层的{220}晶面的X射线衍射强度的至少2倍。例如，比较例1的位于距离殷钢金属表面深度为10μm的区域处的内层的{220}晶面的X射线衍射强度可以是外层的{220}晶面的X射线衍射强度的至少2.5倍。因此，可以看出，比较例1的外层的{220}晶面的比率小于位于距离殷钢金属表面深度为10μm的区域处的内层的{220}晶面的比率。
比较例1的外层的{220}晶面的X射线衍射强度可以小于位于距离殷钢金属表面深度为15μm的区域处的内层的{220}晶面的X射线衍射强度。具体地，比较例1的位于距离殷钢金属表面深度为15μm的区域处的内层的{220}晶面的X射线衍射强度可以是外层的{220}晶面的X射线衍射强度的至少1.1倍。例如，比较例1的位于距离殷钢金属表面深度为15μm的区域处的内层的{220}晶面的X射线衍射强度可以是外层的{220}晶面的X射线衍射强度的至少1.2倍。因此，可以看出，比较例1的外层的{220}晶面的比率小于位于距离殷钢金属表面深度为15μm的区域处的内层的{220}晶面的比率。
比较例1的位于距离殷钢金属表面深度为10μm的区域处的内层的{220}晶面的X射线衍射强度可以大于位于距离殷钢金属表面深度为15μm的区域处的内层的{220}晶面的X射线衍射强度。具体地，比较例1的位于距离殷钢金属表面深度为10μm的区域处的内层的{220}晶面的X射线衍射强度可以是位于距离殷钢金属表面深度为15μm的区域处的内层的{220}晶面的X射线衍射强度的至少1.5倍。因此，可以看出，比较例1的位于距离殷钢金属表面深度为10μm的区域处的内层的{220}晶面的比率大于位于距离殷钢金属表面深度为15μm的区域处的内层的{220}晶面的比率。
比较例1的外层的{220}晶体结构的比率与内层的{220}晶体结构的比率之比可以小于1(外层的{220}晶体结构的比率/内层的{220}晶体结构的比率<1)。因此，在比较例1中，外层中的蚀刻速率与内层中的蚀刻速率相比可能更快，因此蚀刻因子可能较低并且OLED沉积效率可能劣化。
根据比较例1的外层的{220}晶面的比率可以小于外层的{111}晶面的比率。此外，根据比较例1的外层的{220}晶面的比率可以小于外层的{200}晶面的比率。
在根据比较例1的外层中测量的金属板的{220}晶面的X射线衍射强度的比率与其{200}晶面的X射线衍射强度的比率之比可以小于1({220}X射线强度比率/{200}X射线强度比率<1)。具体地，在根据比较例1的外层中测量的金属板的{220}晶面的X射线衍射强度的比率与其{200}晶面的X射线衍射强度的比率之比可以小于0.5。例如，在根据比较例1的外层中测量的金属板的{220}晶面的X射线衍射强度的比率与其{200}晶面的X射线衍射强度的比率之比可以为0.1至0.4。
根据比较例1的在距离金属板表面10μm的内部测量的内层的{220}晶面的比率可以小于在距离金属板表面10μm的内部测量的内层的{200}晶面的比率。
根据比较例1的在距离表面10μm的内部测量的{220}晶面的X射线衍射强度的比率与{200}晶面的X射线衍射强度的比率之比可以小于1({220}X射线强度比率/{200}X射线强度比率<1)。
<实验例2：蚀刻因子和蚀刻速率的评估>
在根据示例性实施方案1和比较例1的经轧制的殷钢金属的每一个表面上形成开口的光致抗蚀剂层。
之后，通过蚀刻工艺形成表面孔。
在形成有开口的光致抗蚀剂层的表面上进行蚀刻工艺。光致抗蚀剂层可以包含能够在蚀刻工艺中保持物理/化学稳定性的材料。因此，设置有光致抗蚀剂层的殷钢金属可以防止蚀刻。同时，当位于光致抗蚀剂层的开口区域处的殷钢金属与蚀刻剂接触时，可以形成表面孔。可以在一个开口的光致抗蚀剂层的下部形成一个表面孔。此时，一个表面孔可以是第一表面孔和第二表面孔中的一者。可以同时在复数个开口的光致抗蚀剂层的下部形成复数个表面孔。
通过湿法蚀刻工艺在45℃下进行蚀刻工艺，蚀刻剂包含36重量％的FeCl3。
下表1示出了根据示例性实施方案1和比较例1的蚀刻因子和蚀刻速率。
在距离经轧制殷钢金属板表面1μm内的点的厚度范围内测量外层的蚀刻速率。
在距离殷钢金属板表面1μm的点至10μm的点的厚度范围内测量内层的蚀刻速率。
[表1]
参照表1和图12，在湿法蚀刻工艺之后，通过式1计算的根据比较例1的表面孔的蚀刻因子可以小于2.0。通过式1计算的根据比较例1的表面孔的蚀刻因子可以小于1.5。具体地，根据比较例1的表面孔的蚀刻因子测量为1.3。因此，可能发生蚀刻的不均匀性。此外，当蚀刻因子小于2.0时，可能形成具有比期望的通孔更大的尺寸的通孔，因此加工的再现性可能劣化。因此，可能难以形成精细尺寸的OLED图案。
在比较例1中，可以看出，外层的蚀刻速率比内层的蚀刻速率快。即，在比较例1中，可以看出，具有宽的蚀刻剂接触面积的表面处的蚀刻速率比其内部的蚀刻速率快。具体地，比较例1的外层的蚀刻速率可以大于0.03μm/秒。更具体地，比较例1的外层的蚀刻速率测量为0.5μm/秒。
同时，参照表1和图12，在湿法蚀刻工艺之后，通过式1计算的根据示例性实施方案1的表面孔的蚀刻因子可以大于或等于2.0。通过式1计算的根据示例性实施方案1的表面孔的蚀刻因子可以为2.0至2.5。具体地，根据示例性实施方案1的表面孔的蚀刻因子测量为2.2。因此，可以改善复数个通孔的均匀性。当蚀刻因子大于2.0时，可以确保加工的再现性，并且可以形成具有精细尺寸的通孔。因此，可以形成精细尺寸的OLED图案。
在示例性实施方案1中，可以看出，内层的蚀刻速率比外层的蚀刻速率快。具体地，示例性实施方案1的外层的蚀刻速率可以小于或等于0.03μm/秒。更具体地，示例性实施方案1的外层的蚀刻速率测量为0.02μm/秒。根据示例性实施方案1的内层的蚀刻速率可以为0.03μm/秒至0.05μm/秒。示例性实施方案1的内层的蚀刻速率测量为0.05μm/秒。
即，在示例性实施方案1中，可以通过轧制形成在距离金属板表面小于或等于1μm的厚度范围的区域中{220}晶面的比率高的晶体结构。因此，金属板表面处(即外层)的蚀刻速率可以比内层的蚀刻速率慢。因此，根据示例性实施方案1的金属板可以形成精细的通孔。例如，外层可以包括通过距离金属板表面15nm至30nm的厚度范围限定的表面层110和120。例如，外层可以包括通过距离金属板表面15nm至25nm的厚度范围限定的表面层110和120。
然后，参照图13至18，将描述根据第二实施方案的金属板。
第二实施方案首先旨在降低金属板100的表面处的蚀刻速率。
第二实施方案可以包括通过距离金属板表面10nm至30nm的厚度范围限定的表面层。表面层可以具有比除表面层之外的金属层更高的氧含量。因此，金属板的第一表面和第二表面上的蚀刻速率可以较慢。即，第二实施方案可以降低蚀刻的初始阶段中的蚀刻速率，从而防止光致抗蚀剂层脱膜或分离。因此，第二实施方案可以改善通孔的均匀性并形成精细的通孔，因此可以提高通孔的制造良品率和工艺效率。
第二实施方案其次旨在在蚀刻工艺中表面孔的蚀刻因子大于或等于2.0。
在第二实施方案中，由于表面孔的蚀刻因子大于或等于2.0，蚀刻特性可以是优异的，并且可以形成具有精细尺寸的均匀通孔。
参照图13，用于制造沉积用掩模的金属板100可以包括通过距离金属板表面小于或等于1μm的厚度范围限定的外层；和除外层之外的内层。
外层可以包括通过距离金属板表面10nm至30nm的厚度范围限定的表面层110和120。
根据第二实施方案的金属板可以包括第一表面101和面对第一表面的第二表面102，并且表面层可以包括由距离第一表面101为10nm至30nm的厚度范围限定的第一表面层110和由距离第二表面102为10nm至30nm的厚度范围限定的第二表面层120。
根据第二实施方案的金属板可以包括表面层和基础金属板100d，基础金属板100d是除表面层之外的金属板。
例如，金属板100可以包括基础金属板100d、设置在基础金属板100d的第一表面101d上的第一表面层110、和设置在基础金属板100d的面对第一表面101的第二表面102d上的第二表面层120。
基础金属板100d的厚度可以大于表面层的厚度。例如，基础金属板100d的厚度T1可以大于第一表面层110的厚度T2和第二表面层120的厚度T3。
金属板100的厚度可以为10μm至50μm。例如，金属板100的厚度可以为10μm至30μm。当金属板100的厚度小于10μm时，制造效率可能较低。
当金属板100的厚度大于50μm时，形成通孔的工艺效率可能劣化。
基础金属板100d的厚度T1可以小于或等于50μm。例如，基础金属板100d的厚度T1可以小于或等于30μm。
第一表面层110和第二表面层120可以具有彼此对应的厚度。在此，“对应”可以包括由于公差引起的误差。
第一表面层110的厚度T2可以为10nm至30nm。例如，第一表面层110的厚度T2可以为10nm至20nm。
当第一表面层110的厚度T2小于10nm时，降低第一表面101上的蚀刻速率的效果可能降低，因此通孔的均匀性可能劣化。
例如，当第一表面层110的厚度T2小于10nm时，形成厚度和/或宽度变化大的的通孔，使得通过具有该通孔的金属板形成的图案可能不均匀，因此显示装置的制造效率可能劣化。
此外，当第一表面层110的厚度T2小于10nm时，降低第一表面101上的蚀刻速率的效果可能降低，因此难以形成具有精细尺寸的通孔。
此外，当第一表面层110的厚度T2小于10nm时，第一表面孔V1的内周表面的表面粗糙度增加，使得通过第一表面孔V1形成的沉积图案的品质可能降低，因此工艺效率可能劣化。
同时，当第一表面层110的厚度T2大于30nm时，制造效率可能劣化。
第二表面层120的厚度T3可以为10nm至30nm。例如，第二表面层120的厚度T3可以为10nm至20nm。当第二表面层120的厚度T3小于10nm时，降低第二表面102上的蚀刻速率的效果可能降低，因此通孔的均匀性可能劣化。例如，当第二表面层120的厚度T3小于10nm时，形成厚度和/或宽度变化大的的通孔，使得通过具有该通孔的金属板形成的图案可能不均匀，因此显示装置的制造效率可能劣化。
此外，当第二表面层120的厚度T3小于10nm时，降低第二表面102上的蚀刻速率的效果可能降低，因此难以形成具有精细尺寸的通孔。
此外，当第二表面层120的厚度T3小于10nm时，第二表面孔V2的内周表面的表面粗糙度可能增加。
同时，当第二表面层120的厚度T3大于30nm时，制造效率可能劣化。
基础金属板100d可以包含金属材料。例如，基础金属板100d可以包含镍合金。例如，基础金属板100d可以是镍和铁的合金。例如，基础金属板100d可以是殷钢，其包含约35重量％至37重量％的镍、约63重量％至65重量％的铁、以及痕量的C、Si、S、P、Cr、Mo、Mn、Ti、Co、Cu、Fe、Ag、Nb、V、In和Sb中的至少一者。然而，基础金属板100d不限于此，并且显然可以包含各种金属材料。
基础金属板100d可以具有包含在第一表面层110中的元素的不同组成。此外，基础金属板100d可以具有包含在第二表面层120中的元素的不同组成。
例如，第一表面层110和第二表面层120可以包含氧元素。第一表面层110和第二表面层120可以是金属氧化物膜。第一表面层110和第二表面层120的厚度可以根据氧注入溅射条件下的表面处理时间来确定。
表面层中的氧含量可以高于除表面层之外的外层中的氧含量。此外，表面层中的氧含量可以高于内层中的氧含量。
第一表面层110中的氧含量可以高于基础金属板100d中的氧含量。第二表面层120中的氧含量可以高于基础金属板100d中的氧含量。即，表面层可以是包含氧的氧层。在此，氧层的氧含量可以大于或等于1重量％。或者，氧层的氧含量可以大于或等于0.1重量％。或者，氧层的氧含量可以大于或等于0.01重量％。然而，实施方案不限于此，并且表面层可以不包含氧。在此，不存在氧可以意指氧少于或等于0.001重量％。在此，不存在氧可以意指氧少于或等于0重量％。
在根据第二实施方案的金属板中，使用X射线光电子能谱(XPS)来测量第一表面层110和第二表面层120的氧含量，其大于基础金属板100d的氧含量。
第一表面层110和第二表面层120的氧含量通过X射线光电子能谱测量为高于基础金属板100d的氧含量。
通过X射线光电子能谱测量的第一表面层110中的高氧含量从基础金属板100d的第一表面101d作为起点显著降低。此外，通过X射线光电子能谱测量的第二表面层120中的高氧含量从基础金属板100d的第二表面102d作为起点显著降低。
第一表面层110和第二表面层120可以包含金属氧化物和金属氢氧化物中的至少一者。例如，第一表面层110和第二表面层120可以包含铁氧化物和镍氧化物作为金属氧化物。例如，第一表面层110和第二表面层120可以包含铁氢氧化物和镍氢氧化物作为金属氢氧化物。具体地，第一表面层110可以包含FeO、NiO、FeOH、NiOH、Fe(OH)2、Fe(OH)3、NiO2、NiO3、NinOm、FenOm、Nin(OH)m和Fen(OH)m中的至少一者。在NinOm、FenOm、Nin(OH)m和Fen(OH)m中，n和m分别可以为大于或等于1的整数。此外，第二表面层110可以包含FeO、NiO、FeOH、NiOH、Fe(OH)2、Fe(OH)3、NiO2、NiO3、NinOm、FenOm、Nin(OH)m和Fen(OH)m中的至少一者。在NinOm、FenOm、Nin(OH)m和Fen(OH)m中，n和m分别可以为大于或等于1的整数。
第一表面层110的蚀刻速率可以比基础金属板100d的蚀刻速率慢。第二表面层120的蚀刻速率可以比基础金属板100d的蚀刻速率慢。
在第二实施方案中，第一表面层可以设置在基础金属板100d的第一表面101d上，第二表面层可以设置在基础金属板100d的第二表面102d上，因此可以降低金属板表面处的蚀刻速率。
第一表面层110和第二表面层120可以包含氧元素，使得蚀刻速率可以比基础金属板100d的蚀刻速率慢。此外，在一个实施方案中，第一表面层110和第二表面层120分别以10nm至30nm的厚度设置在基础金属板100d上，从而形成精细的通孔。
例如，在根据一个实施方案的金属板中，当第一表面层110和第二表面层120分别以10nm至30nm的厚度设置时，第一表面孔V1的宽度W1可以与第三表面孔V3的宽度W4对应，第二表面孔V2的宽度W2可以与第四表面孔V4的宽度W5对应。例如，在根据一个实施方案的金属板中，当第一表面层110和第二表面层120分别以10nm至30nm的厚度设置时，第一表面孔V1的高度H1可以与第三表面孔V3的高度H3对应，第二表面孔V2的高度H2可以与第四表面孔V4的高度H4对应。即，可以改善复数个通孔的宽度和高度的均匀性。
即，根据一个实施方案的金属板可以在设置有第一表面层110和第二表面层120的区域中具有慢的蚀刻速率，使得可以形成宽度小和厚度深的通孔。因此，可以防止由金属表面处的快速蚀刻引起的光致抗蚀剂层脱膜现象。
此外，根据一个实施方案的用于制造沉积用掩模的金属板可以控制表面处的蚀刻速率，因此金属板可以改善具有精细图案的通孔的制造良品率，并且可以改善复数个通孔的均匀性。因此，通过使用这样的沉积用掩模制造的OLED面板具有优异的图案沉积效率并且可以改善沉积均匀性。此外，根据一个实施方案的表面层包含金属氧化物和金属水合物中的至少一者，使得可以改善光致抗蚀剂层的粘合力，因此可以防止光致抗蚀剂层在蚀刻工艺中脱膜或分离。具体地，基于陶瓷的表面层与光致抗蚀剂层之间的粘合力可以大于金属层与光致抗蚀剂层之间的粘合力。因此，根据一个实施方案的金属板可以改善复数个通孔的制造良品率和工艺效率。
在根据第二实施方案的用于制造沉积用掩模的金属板中，内层和外层可以具有不同的蚀刻速率。
例如，外层的蚀刻速率可以小于或等于0.03μm/秒。例如，外层的蚀刻速率可以小于或等于0.01μm/秒至0.03μm/秒。例如，外层的蚀刻速率可以小于或等于0.02μm/秒至0.03μm/秒。
例如，内层的蚀刻速率可以为0.03μm/秒至0.06μm/秒。例如，内层的蚀刻速率可以为0.03μm/秒至0.05μm/秒。
即，根据一个实施方案的用于制造沉积用掩模的金属板的外层的蚀刻速率可以比内层的蚀刻速率慢，使得通孔的蚀刻特性可以是优异的。此外，通过使用根据一个实施方案的沉积用掩模制造的OLED面板具有优异的图案沉积效率并且可以改善沉积均匀性。
通孔的宽度可以大于或等于20μm。例如，通孔的宽度可以为20μm至40μm。例如，第一表面孔的宽度W1和第二表面孔的宽度W2中的至少一者可以具有大于或等于20μm的宽度。例如，第一表面孔的宽度W1和第二表面孔的宽度W2中的至少一者可以具有20μm至40μm的宽度。
当通孔的宽度小于20μm时，在热处理前后通过表面层降低蚀刻速率的效果可能较小。
参照图14至18，将描述根据第二实施方案的沉积用掩模的制造工艺。
根据第二实施方案的沉积用掩模的制造方法可以包括：准备基础金属板；对基础金属板进行轧制；形成表面层以在基础金属板的第一表面上设置第一表面层并在基础金属板的第二表面上设置第二表面层；形成光致抗蚀剂层以在基础金属板的第一表面上设置第一光致抗蚀剂层并在第二表面上设置第二光致抗蚀剂层；以及进行蚀刻以形成通孔，第一表面的第一表面孔和第二表面的第二表面孔通过所述通孔彼此连通。
然后，可以通过去除第一光致抗蚀剂层和第二光致抗蚀剂层来形成包括复数个通孔的沉积用掩模。
首先，将描述基础金属板的准备。在基础金属板中，可以准备镍合金。例如，基础金属板可以是镍和铁的合金。例如，基础金属板可以是殷钢，其包含约35重量％至37重量％的镍、约63重量％至65重量％的铁、以及痕量的C、Si、S、P、Cr、Mo、Mn、Ti、Co、Cu、Fe、Ag、Nb、V、In和Sb中的至少一者。
然后，将参照图14描述基础金属板的轧制。经轧制的基础金属板100d的厚度T1可以小于或等于50μm。例如，经轧制的基础金属板100d的厚度T1可以小于或等于30μm。
然后，将参照图15描述表面层的形成。参照图15，可以在基础金属板100d上形成表面层。例如，可以对基础金属板100d进行热处理，使得可以在基础金属板100d上形成表面层。具体地，可以在氧气氛下对基础金属板100d进行热处理，使得可以在基础金属板100d的第一表面101d上形成第一表面层110，可以在基础金属板100d的第二表面102d上形成第二表面层120。例如，可以通过热处理过程同时形成第一表面层110和第二表面层120，从而提高工艺效率。此外，第一表面层110和第二表面层120可以以彼此对应的厚度设置在基础金属板100d上，使得基础金属板100d的第一表面101和第二表面102的蚀刻速率可以降低。然而，实施方案不限于此，并且显然可以通过阳极氧化、等离子体处理等来形成表面层。
然后，将参照图16描述光致抗蚀剂层的形成。可以在基础金属板100d的第一表面101d上设置第一光致抗蚀剂层P1，可以在其第二表面102d上形成第二光致抗蚀剂层P2。具体地，可以在第一表面层110上设置第一光致抗蚀剂层P1，可以在第二表面层120上设置第二光致抗蚀剂层P2。更具体地，可以分别在第一表面层110和第二表面层120上涂覆光致抗蚀剂材料，并且可以通过曝光和显影工艺来分别设置第一光致抗蚀剂层P1和第二光致抗蚀剂层P2。
第一光致抗蚀剂层P1和第二光致抗蚀剂层P2被设置成使得开口区域的宽度彼此不同，使得形成在第一表面101上的第一表面孔V1的宽度与形成在第二表面102上的第二表面孔V2的宽度可以不同。
然后，将参照图17描述蚀刻。在蚀刻工艺中，可以形成第一表面孔V1和第二表面孔V2，并且在第一表面孔V1和第二表面孔V2通过连接部分CA彼此连通时，可以形成通孔。
例如，蚀刻工艺可以通过湿法蚀刻工艺来进行。因此，可以同时对第一表面101和第二表面102进行蚀刻。例如，湿法蚀刻工艺可以通过使用包含氯化铁的蚀刻剂在约45℃下进行。此时，蚀刻剂可以包含35重量％至45重量％的FeCl3。具体地，蚀刻剂可以包含36重量％的FeCl3。例如，包含43重量％的FeCl3的蚀刻剂的比重在20℃下可以为1.47。包含41重量％的FeCl3的蚀刻剂的比重在20℃下可以为1.44。包含38重量％的FeCl3的蚀刻剂的比重在20℃下可以为1.39。
在蚀刻之后，通过式1计算的第一表面孔和第二表面孔中的至少一者的蚀刻因子可以大于或等于2.0。
然后，参照图18，可以去除第一光致抗蚀剂层P1和第二光致抗蚀剂层P2，使得可以在基础金属板100d上设置第一表面层110和第二表面层120，并且可以形成具有复数个通孔的金属板。
在下文中，将参照示例性实施方案和比较例更详细地描述第二实施方案。这样的实施方案仅是用于更详细地说明本发明的实施例。因此，本发明不限于这样的实施方案。
<实验例3：通孔的均匀性和粗糙度的评估>
示例性实施方案2
在经轧制的殷钢金属上形成20nm的表面层，然后通过蚀刻工艺形成表面。
此时，蚀刻工艺通过湿法蚀刻工艺在45℃下进行，并且蚀刻剂包含36重量％的FeCl3。
比较例2
在经轧制的殷钢金属上形成5nm的表面层，然后通过蚀刻工艺形成表面孔。
此时，殷钢金属的轧制条件、殷钢金属的厚度和蚀刻工艺在与示例性实施方案2中相同的条件下进行。
图19和20是根据示例性实施方案2和比较例2形成的通孔的照片。
参照图19，可以看出，根据示例性实施方案2形成的通孔具有低的通孔表面粗糙度。即，通孔的内周表面可以是光滑的曲线，并且可以改善通过其沉积的图案形状的均匀性。
同时，参照图20，可以看出，根据比较例2形成的通孔具有大的通孔表面粗糙度。即，通孔的内周表面可以包括粗糙形状，使得通过通孔沉积的图案形状的均匀性可能降低。
根据示例性实施方案2和比较例2，确定当表面层的厚度大于或等于10nm时，通孔的均匀性得到改善。
<实验例4：氧浓度和晶面比率的测量>
示例性实施方案3
在经轧制的殷钢金属上形成表面层。
通过热处理预定时间段来形成表面层。
然后，通过蚀刻工艺形成表面孔。
示例性实施方案4
在经轧制的殷钢金属上形成表面层。
示例性实施方案3的表面层形成为使得热处理温度和/或热处理时间与示例性实施方案4的表面层的热处理温度和/或热处理时间不同。
然后，通过蚀刻工艺形成表面孔。
示例性实施方案4的表面层的厚度可以小于示例性实施方案3的表面层的厚度。
此时，殷钢金属的轧制条件、殷钢金属的厚度和蚀刻工艺在与示例性实施方案3中相同的条件下进行。
比较例3
在经轧制的殷钢金属上未形成表面层，并通过蚀刻工艺形成表面孔。
此时，殷钢金属的轧制条件、殷钢金属的厚度和蚀刻工艺在与示例性实施方案3中相同的条件下进行。
为了测量氧浓度，通过XPS分析对示例性实施方案3和4以及比较例3的金属表面进行测量。在15kV、100μm(X射线束尺寸)下应用XPS，并在2kV 2×2mm2、10分钟的条件下对Ar溅射进行测量。在金属表面处0nm至100nm的厚度范围内测量氧浓度。此时，在示例性实施方案3中测量氧浓度为597.10，在示例性实施方案4中测量氧浓度为313.75，在比较例3中测量氧浓度为233.08。当结合能为1000eV时，氧的计数器值(counter shot value)测量为大于3.0×104。
在示例性实施方案3和4中，外层的氧含量可以大于内层的氧含量。在示例性实施方案3和4中，表面层的氧含量可以大于基础金属板的氧含量，基础金属板是除表面层之外的金属板。
在示例性实施方案3和4中，确定表面层中的氧浓度大于铁的浓度。第一表面层110和第二表面层120可以具有比金属含量更大的氧含量。例如，第一表面层110和第二表面层120的氧含量(原子％)可以大于铁含量(原子％)。例如，第一表面层110和第二表面层120的氧含量(原子％)可以大于镍含量(原子％)。例如，第一表面层110和第二表面层120的氧含量(原子％)可以大于或等于30原子％。例如，第一表面层110和第二表面层120的氧含量(原子％)可以大于或等于50原子％。
同时，进行XRD分析以测量晶面的比率。
根据第二实施方案的金属板的外层可以包含50％至70％的{220}晶面。例如，根据第二实施方案的金属板的外层可以包含55％至70％的{220}晶面。
在距离示例性实施方案3的金属板表面厚度为1μm的外层中，{220}晶面测量为58.1％，{200}晶面为40.8％，{111}晶面为1.0％。在距离示例性实施方案3的金属板的1μm厚度区域10μm的厚度范围的内层中，{220}晶面测量为24.6％，{200}晶面为30.3％，{111}晶面为45.1％。
在距离示例性实施方案4的金属板表面厚度为1μm的外层中，{220}晶面测量为68.9％，{200}晶面为28.0％，{111}晶面为3.1％。
在距离比较例3的金属板表面厚度为1μm的外层中，{220}晶面测量为27.2％，{200}晶面为67.3％，{111}晶面为5.5％。在距离比较例3的金属板的1μm厚度区域10μm的厚度范围的内层中，{220}晶面测量为13.2％，{200}晶面为64.8％，{111}晶面为22％。
因此，可以看出，当外层中包含的{220}晶面大于70％时，蚀刻因子劣化。此外，当外层中包含的{220}晶面小于50％时，可以看出蚀刻因子劣化。
<实验例5：蚀刻因子和蚀刻速率的评估>
虽然未在表2中示出，但在第二实施方案中，通过改变表面层的形成条件测量了多个不同范围内的蚀刻因子和蚀刻速率。
此时，确定其中蚀刻特性通过改变热处理温度和热处理时间得到改善的表面层的最佳厚度为10nm至30nm。
通常，用于制造沉积用掩模的金属板包括约5nm的表面层。然而，在一个实施方案中，为了改善金属板的蚀刻特性，表面层以10nm至30nm的厚度形成。
此外，当分别形成在水平方向上直径为20μm且在垂直方向上直径为20μm的表面孔和在水平方向上直径为25μm且在垂直方向上直径为25μm的表面孔时，测量多个不同范围内的蚀刻因子和蚀刻速率。
此时，沉积用掩模的蚀刻因子可以为2.0至2.9。例如，在第二实施方案中，沉积用掩模的蚀刻因子可以为2.0至2.5。当沉积用掩模的蚀刻因子为2.0至2.9时，确定由于在金属板的厚度方向上优异的蚀刻特性，形成了均匀尺寸的细孔。
下表2示出了根据示例性实施方案3和4以及比较例3的蚀刻因子和蚀刻速率。
[表2]
在表2中，外层的蚀刻速率表示在距离金属板表面小于或等于1μm的厚度处观察到的蚀刻速率。在表2中，内层的蚀刻速率表示从距离金属板表面1μm的厚度至10μm的厚度观察到的蚀刻速率。
参照表2和图21，可以看出，在比较例3中，外层的蚀刻速率比内层的蚀刻速率快。在比较例3中，外层的蚀刻速率测量为内层的蚀刻速率的2倍。即，在比较例3中，具有宽的蚀刻剂接触面积的表面处的蚀刻速率比其内部的蚀刻速率快。具体地，比较例3的外层的蚀刻速率可以大于0.03μm/秒。更具体地，比较例3的外层的蚀刻速率测量为0.1μm/秒。
参照图21，在距离金属板表面10μm的深度以内蚀刻速率最大化。具体地，距离金属板表面6μm至8μm之间的内层可以具有最大的蚀刻速率。
另一方面，在示例性实施方案3和4中，可以看出，内层的蚀刻速率比外层的蚀刻速率快。即，在示例性实施方案3和4中，可以在金属层上设置包含氧元素的表面层，使得金属板表面处的蚀刻速率可以比金属板中的蚀刻速率慢。因此，根据一个实施方案的金属板可以形成精细的通孔。具体地，示例性实施方案3和4的外层的蚀刻速率可以小于或等于0.03μm/秒。更具体地，示例性实施方案3的外层的蚀刻速率测量为0.02μm/秒，示例性实施方案4的外层的蚀刻速率测量为0.03μm/秒。
图22是根据示例性实施方案3的表面孔的截面图，图23是根据示例性实施方案4的表面孔的截面图。
参照图22和23，可以看出，示例性实施方案3和4具有大于或等于2.0的高蚀刻因子，使得通孔的宽度小并且蚀刻特性在深度方向上优异。因此，可以防止光致抗蚀剂层变形。此外，能够通过根据示例性实施方案3和4的金属板形成的图案可以实现精细图案。
参照图24，可以看出，在比较例3中，由于相邻表面孔重叠，发生光致抗蚀剂层的脱膜现象。因此，当蚀刻因子小于2.0时，可以看出，通孔的制造良品率和工艺效率劣化。
在根据第二实施方案的沉积用掩模中，金属板可以包括基础金属板，所述基础金属板包括彼此面对的第一表面和第二表面；设置在第一表面上的第一表面层；以及设置在第二表面上的第二表面层，其中金属板可以包括复数个通孔，第一表面层和第二表面层可以在其中设置有通孔的区域处开口，第一表面层和第二表面层的厚度分别可以为10nm至30nm，金属板的厚度可以小于或等于50μm，以及第一表面孔和第二表面孔中的至少一者的蚀刻因子可以大于或等于2.0。
在根据第二实施方案的沉积用掩模中，可以在形成通孔之前在基础金属板上设置表面层。因此，可以使表面层开口而不设置在其中设置有通孔的区域上。
通孔的内部区域可以具有与包含在表面层中的元素的不同组成。例如，第一表面层中的氧含量可以高于通孔的连接部分中包含的氧含量。例如，第二表面层中的氧含量可以高于通孔的连接部分中包含的氧含量。
即，根据第二实施方案的沉积用掩模可以具有这样的结构特征：在用于形成通孔的蚀刻工艺中，蚀刻速率从外层向内层逐渐增加，因此可以改善蚀刻效率和通孔的均匀性。
此外，通过使用根据一个实施方案的沉积用掩模制造的OLED面板具有优异的图案沉积效率并且可以改善沉积均匀性。
本公开还涉及以下方面：
1.一种用于制造沉积用掩模的金属板，所述金属板包括：
通过从所述金属板的表面至所述金属板内部1μm的厚度范围限定的外层；和
除所述外层之外的内层，
其中当通过使用包含35重量％至45重量％的FeCl3的蚀刻剂在45℃下从所述金属板的表面进行蚀刻时，所述外层的蚀刻速率小于或等于0.03μm/秒，以及
所述内层的蚀刻速率为0.03μm/秒至0.05μm/秒。
2.根据项1所述的金属板，其中所述内层的蚀刻速率在距离所述金属板的表面6μm至8μm的范围内最大。
3.根据项1所述的金属板，包含：
具有彼此不同取向的两个或更多个晶面，
其中所述外层的{220}晶面的比率大于所述内层的{220}晶面的比率。
4.根据项3所述的金属板，其中所述外层包含{220}晶面、{200}晶面和{111}晶面，
其中所述外层的{220}晶面的比率为50％至70％。
5.根据项1所述的金属板，其中所述外层的{200}晶面的X射线衍射强度大于所述内层的在距离所述金属板的表面10μm的内部处测量的{200}晶面的X射线衍射强度。
6.根据项3所述的金属板，其中所述内层的在距离所述金属板的表面10μm的内部处测量的{220}晶面的比率大于所述内层的在距离所述金属板的表面10μm的内部处测量的{111}晶面的比率。
7.根据项1所述的金属板，其中所述外层包含距离所述金属板的表面的厚度为10nm至30nm的表面层，
其中所述表面层包含金属氧化物和金属氢氧化物中的至少一者。
8.根据项1所述的金属板，其中所述金属板包含殷钢，
其中所述金属板的厚度为10μm至30μm。
9.根据项1所述的金属板，包含：
平均尺寸小于或等于30μm的晶界。
10.一种制造沉积用掩模的方法，包括：
准备基础金属板；
对所述基础金属板进行轧制；
形成表面层以在所述基础金属板的第一表面上设置第一表面层，以及在所述基础金属板的第二表面上设置第二表面层；
形成光致抗蚀剂层以在所述基础金属板的所述第一表面上设置第一光致抗蚀剂层，以及在第二表面上设置第二光致抗蚀剂层；以及
进行蚀刻以形成通孔，所述第一表面的第一表面孔和所述第二表面的第二表面孔通过所述通孔彼此连通，
在所述蚀刻之后，通过式1计算的所述第一表面孔和所述第二表面孔中的至少一者的蚀刻因子可以大于或等于2.0，
<式1>
在所述式中，B可以是经蚀刻的表面孔的宽度，
A可以是开口的光致抗蚀剂层的宽度，和
C可以指所述经蚀刻的表面孔的深度。
在上述实施方案中描述的特性、结构、效果等包括在本发明的至少一个实施方案中，但不限于仅一个实施方案。此外，各实施方案中示出的特性、结构和效果可以被本领域技术人员针对其他实施方案进行组合或修改。因此，应理解这样的组合和修改包括在本发明的范围内。
以上对实施方案的描述仅为示例并且不限制本发明。对本领域普通技术人员显而易见的是，在不改变技术构思或其基本特征的情况下，本发明可以容易地以许多不同的形式呈现。例如，可以修改和实现本文描述的示例性实施方案的要素。此外，应理解，与这样的变化和应用有关的差异包括在所附权利要求书中限定的本发明的范围内。

Claims (13)

1.一种沉积用掩模，包括：
金属板，所述金属板包括第一表面，与所述第一表面相反的第二表面以及贯穿所述第一表面和所述第二表面的通孔，
其中，所述第一表面形成有第一表面孔，
其中，所述第二表面形成有第二表面孔，
其中，通孔由所述第一表面孔、所述第二表面孔和连接部分形成，所述第一表面孔和所述第二表面孔通过所述连接部分彼此连通，
其中，所述金属板包括殷钢，
其中，所述金属板包括：
由距所述第一表面小于或等于1μm的深度限定的第一外层；
由距所述第二表面小于或等于1μm的深度限定的第二外层；和
所述第一外层与所述第二外层之间的内层，
其中，当将所述金属板的轧制表面定义为{100}面时，所述第一外层和所述第二外层中的至少之一的{220}晶面的比率大于所述内层的{220}晶面的比率。
2.根据权利要求1所述的沉积用掩模，其中，所述{220}晶面的比率从所述第一表面朝向所述内层减小，或者从所述第二表面朝向所述内层减小。
3.根据权利要求2所述的沉积用掩模，其中，所述{220}晶面的比率从所述第一表面或所述第二表面朝向所述内层的中心减小。
4.根据权利要求1所述的沉积用掩模，其中，所述第一外层和所述第二外层中的至少之一包括{110}、{200}、{220}晶面，
其中所述{220}晶面的比率大于所述{110}晶面的比率。
5.根据权利要求4所述的沉积用掩模，其中，所述{220}晶面的比率大于所述{200}晶面的比率。
6.根据权利要求1所述的沉积用掩模，其中，所述内层包括{110}、{200}、{220}晶面，
其中，内层包括所述{220}晶面的比率大于所述{110}晶面的比率的区域。
7.根据权利要求6所述的沉积用掩模，其中，所述内层包括其中所述{220}晶面的比率大于所述{200}晶面的比率的区域。
8.根据权利要求1所述的沉积用掩模，其中，所述第一外层和所述第二外层中的至少之一包括由距所述第一表面或所述第二表面15nm至30nm的厚度范围限定的表面层。
9.根据权利要求8所述的沉积用掩模，其中，所述表面层的氧含量高于所述表面层以外的所述内层以及所述第一外层和所述第二外层。
10.根据权利要求1所述的沉积用掩模，其中，所述第一外层和所述第二外层的{220}晶面的X射线衍射强度是位于距所述第一表面或所述第二表面深度为10μm的区域的所述内层的{220}晶面的X射线衍射强度的至少2.1倍。
11.根据权利要求1所述的沉积用掩模，其中，所述第一外层和所述第二外层的{220}晶面的X射线衍射强度是位于距所述第一表面或所述第二表面深度为15μm的区域的所述内层的{220}晶面的X射线衍射强度的至少2.2倍。
12.根据权利要求1所述的沉积用掩模，其中，位于距所述第一表面或所述第二表面深度为10μm的区域的所述内层的{220}晶面的X射线衍射强度是位于距所述第一表面或所述第二表面深度为15μm的区域的所述内层的{220}晶面的X射线衍射强度的至少1.1倍。
13.根据权利要求1所述的沉积用掩模，包括：
平均尺寸小于或等于30μm的晶界。
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