TWI648867B - Light guide plate with high aspect ratio light guide hole array and manufacturing method thereof - Google Patents

Light guide plate with high aspect ratio light guide hole array and manufacturing method thereof Download PDF

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Abstract

一種具高深寬比光導孔陣列之光導板及其製造方法，其係利用蝕刻技術對一金屬板片之一第一面及相對之一第二面進行蝕刻作業，用以在該第一面及該第二面上分別蝕刻成型數條第一凹槽及第二凹槽，其中各第一凹槽與各第二凹槽係在該金屬板片中形成一上一下之一對一對應關係及一上一下之交叉狀態，並使各第一凹槽能與所對應之各第二凹槽在該交叉位置處蝕刻產生一上下向之貫穿區，藉以在該金屬板片上形成一精密的光導孔陣列，且各光導孔具有高深寬比(Aspect Ratio)如比值接近10，使光線能藉該光導孔陣列佈局以由該金屬板片之第一面穿過該貫穿區而穿透至相對之第二面，提昇該光導板的使用放果。

Description

具高深寬比光導孔陣列之光導板及其製造方法
本發明係有關一種光導板及其製造方法，尤指一種具高深寬比光導孔陣列之光導板，以及利用雙面蝕刻作業以在一金屬板片之上下面上分別形成數條呈現一上一下之一對一對應關係之凹槽並能一上一下交叉形成一上下方向之貫穿區供作為光導孔的製造方法。
本發明之光導板乃是指在一板片上設有一由多個光導孔構成之光導孔陣列，各光導孔係垂直穿過該板片之厚度，供光線能藉由該光導孔陣列以由該板片之第一面(上面)垂直地傳至第一面(底面)，例如當應用於指紋辨識領域時，可將按壓在第一面上之指紋及其特徵準確地引導至設於第二面上之指紋辨識用感測器上(如指紋辨識晶片)供進行指紋辨識功能。
現有之光導板製造技術包含：微米壓印工法，其缺點在於製程中須要壓印模具配合；厚膠光刻工法，其缺點在於光導孔可能無法達到5-10μm寬及50μm深的規格要求；厚光阻疊加工法，其缺點在於光導孔之孔型不佳及疊加難度較高；雙面蝕刻工法，其缺點在於光導孔之孔型不佳；填孔縮小孔徑工法(即先製作較寬孔再藉電鍍縮小孔徑)，其缺點在於 製程較為繁複。由上可知，上述現有之光導板製造技術各有各的缺點，以致難以直接應用於製作一具高深寬比(如比值接近10)之光導孔。
在此，以本發明之光導板為例，說明一具高深寬比光導孔陣列之光導板所要求的尺寸規格但不限制。本發明為一矩形光導板，其長度及寬度設為5.5英寸(約13.97cm)，厚度設為50至60μm，光導孔之寬度(孔徑)設為5至6μm，其在長度方向等距排列設有1920個光導孔(即相鄰二光導孔10之間距約72μm)，在寬度方向等距排列設有1080個光導孔(即相鄰二光導孔10之間距約129μm)，而構成一光導孔陣列。由於光導孔之深寬比(或厚徑比，板厚孔徑比，Aspect Ratio)，即光導孔之深度與光導孔之寬度(或孔徑)之比值(50至60μm/5至6μm)接近於10，因此本發明之光導板可視為一種具高深寬比光導孔陣列之光導板。然，利用上述現有之光導板製造技術，確實難以有效率製作完成一如本發明之具高深寬比光導孔陣列之光導板，因此針對上述問題，有必要提出有效的解決方案。
本發明主要目的乃在於提供一種具高深寬比光導孔陣列之光導板，其係在一具一厚度之金屬板片上設有一使光線能垂直穿過該金屬板片之光導孔陣列而形成，且各光導孔之深寬比(Aspect Ratio)接近10，該光導板包含：一金屬板片，其係一具有均勻厚度之金屬片體，包含一第一面及相對之一第二面；數條第一凹槽，其係利用蝕刻技術以成型且凹入設在該金屬板片之第一面上，其中各第一凹槽之長度係沿著或平行一第一方向延伸，各第一凹槽之寬度係藉由蝕刻製程以控制在近乎(approximately)等於各光導孔之寬度(或孔徑)，各第一凹槽之深度係藉由蝕刻製程以控制 在近乎等於或微大於該金屬板片之厚度的一半；數條第二凹槽，其係利用蝕刻技術以成型且凹入設在該金屬板片之第二面上，其中各第二凹槽之長度係沿著或平行一第二方向延伸，各第二凹槽之寬度係藉由蝕刻製程以控制在近乎(approximately)等於各光導孔之寬度(或孔徑)，各第二凹槽之深度係藉由蝕刻製程以控制在近乎等於或微大於該金屬板片之厚度的一半；其中成型在該第一面上之各第一凹槽與成型在該第二面上之各第二凹槽之間係在該金屬板片中形成一上一下之一對一對應關係；其中各第一凹槽與所對應之第二凹槽係在該金屬板片中形成一上一下之交叉狀態，藉以使各第一凹槽能與所對應之各第二凹槽在該交叉位置處產生一上下方向之貫穿區，並使該貫穿區之寬度尺寸得控制以保有該光導孔之寬度(或孔徑)或保持在該光導孔之寬度的容許裕度範圍內；其中各光導孔係由各貫穿區與各第一凹槽及各第二凹槽中分別垂直於該貫穿區之一局部區域所構成，使光線能藉各光導孔以由該金屬板片之第一面或第二面穿過該貫穿區而穿透至相對之第二面或第一面。
本發明再一目的乃在於提供一種具高深寬比光導孔陣列之光導板的製造方法，包含下列步驟：步驟S1：提供一可蝕刻之金屬板片，其具有一第一面及相對該第一面之一第二面；步驟S2：利用蝕刻技術以對該金屬板片之第一面及第二面進行蝕刻作業，用以在該第一面及第二面上分別蝕刻成型數條第一凹槽及第二凹槽；其中各第一凹槽之長度係沿著或平行一第一方向延伸，寬度係藉由蝕刻製程以控制在近乎(approximately)等於各光導孔之寬度(或孔徑)，深度係藉由蝕刻製程以控制在近乎等於或微大於該金屬板片之厚度的一半；其中各第二凹槽之長度係沿著或平行一 第二方向延伸，寬度係藉由蝕刻製程以控制在近乎(approximately)等於各光導孔之寬度(或孔徑)，深度係藉由蝕刻製程以控制在近乎等於或微大於該金屬板片之厚度的一半；其中各第一凹槽與各第二凹槽之間係在該金屬板片中形成一上一下之一對一對應關係及一上一下之交叉狀態，藉以使各第一凹槽能與所對應之各第二凹槽在該交叉位置處產生一上下方向之貫穿區，並使該貫穿區之寬度尺寸得控制以保有該光導孔之寬度(或孔徑)或保持在該光導孔之寬度的容許裕度範圍內；其中各光導孔係由各貫穿區與各第一凹槽及各第二凹槽中分別垂直於該貫穿區之一局部區域所構成，使各光導孔能由該金屬板片之第一面垂直經過該貫穿區而貫穿至該金屬板片之第二面；及步驟3：完成一光導板，並使該光導板上具有一由數個光導孔構成之光導孔陣列。
1‧‧‧光導板
10‧‧‧光導孔
20‧‧‧金屬板片
21‧‧‧第一面
22‧‧‧第二面
30‧‧‧第一凹槽
30a‧‧‧第一凹槽局部
40‧‧‧第二凹槽
40a‧‧‧第二凹槽局部
50‧‧‧貫穿區
60‧‧‧光阻層
61‧‧‧光阻開口
70‧‧‧光阻層
71‧‧‧光阻開口
圖1係本發明之光導板一實施例(具一光導孔陣列)之上視示意圖。
圖2係圖1所示實施例之底視示意圖。
圖3係本發明之光導板之蝕刻製程中進行光阻層塗佈程序一實施例之側面示意圖。
圖4係本發明之光導板一局部之側面剖視示意圖。
圖5係本發明之光導板一局部之立體剖視示意圖。
圖6係圖5之立體示意圖。
圖7至圖10分別係本發明之光導板另四個實施例(具不同光導孔陣列局)之上視示意圖。
配合圖示，將本發明的結構及其技術特徵詳述如後，其中各圖示只用以說明本發明的結構關係及相關功能，因此各部尺寸或形狀或大小並非依實際比例設置且非用以限制本發明。
參考圖1至圖6，本發明係一種具高深寬比光導孔10陣列之光導板1，其係在一具一均勻厚度之金屬板片20上設置一由數個光導孔10構成之陣列，供光線能由該金屬板片20之一第一面21垂直穿過該金屬板片20而傳至相對該第一面21之一第二面22；其中各光導孔10之深寬比(或厚徑比，或板厚孔徑比，Aspect Ratio)，即各光導孔10之深度(或該金屬板片20之厚度)與各光導孔10之寬度(或孔徑)之比值是接近於10但不限制。該光導板1包含一金屬板片20、數條第一凹槽30、數條第二凹槽40、及一由數個光導孔10所形成之光導孔陣列。
該金屬板片20係一具有均勻厚度之金屬片體，包含一第一面21及相對該第一面21之一第二面22。
該數條第一凹槽30係利用蝕刻技術以成型且凹入設在該金屬板片20之第一面21上，其中各第一凹槽30之長度向係沿著或平行一第一方向延伸，如圖1中X箭頭所示方向但不限制；各第一凹槽30之寬度係藉由蝕刻技術及製程以控制在近乎(approximately)等於各光導孔10所預先設定之寬度(或孔徑)如5至6μm但不限制，其中各第一凹槽30之深度係藉由蝕刻製程以控制在近乎等於或微大於該金屬板片20之厚度的一半，例如該金屬板片20之厚度為50至60μm時(參考圖4)，各第一凹槽30之深度即控制在近乎等於或微大於25至30μm但不限制。
該數條第二凹槽40係利用蝕刻技術以成型且凹入設在該金屬板片20之第二面22上，其中各第二凹槽40之長度向係沿著或平行一第二方向延伸，如圖1中Y箭頭所示方向但不限制；各第二凹槽40之寬度係藉由蝕刻技術及製程以控制在近乎(approximately)等於各光導孔10所預先設定之寬度(或孔徑)如5至6μm(參考圖4)但不限制，其中各第二凹槽30之深度係藉由蝕刻製程以控制在近乎等於或微大於該金屬板片20之厚度的一半，例如該金屬板片20之厚度為50至60μm(參考圖4)時，各第一凹槽30之深度即控制在近乎等於或微大於25至30μm但不限制。
參考圖1、2、4、5、6，成型在該第一面21上之各第一凹槽30與成型在該第二面22上之各第二凹槽40之間係在該金屬板片20中形成一上一下之一對一對應關係，即一第一凹槽30與一第二凹槽40在該金屬板片20中形成一上一下之上下堆疊關係。
參考圖4、5、6，各第一凹槽30與所對應之第二凹槽40係在該金屬板片20中進一步形成一上一下之交叉狀態，藉以使各第一凹槽30能與所對應之各第二凹槽40在該交叉位置處產生一上下方向之貫穿區50。
在實際製作時，可在該第一面21及第二面22上分別進行光阻層60、70塗佈程序如圖3所示但不限制，再進行雙面曝光程序並以光罩留下並設定各第一凹槽30之光阻開口61及各第二凹槽40之光阻開口71；再進行雙面蝕刻程序以使各第一凹槽30及各第二凹槽40分別在該第一面21及該第二面22上被蝕刻成型。當各第一凹槽30與所對應之各第二凹槽40於蝕刻過程中在交叉位置處產生一上下方向之貫穿區50時，即當各第一凹槽30與所對應之各第二凹槽40在凹槽中間交叉處蝕穿時，就停止蝕刻，因此該貫 穿區50之寬度尺寸亦能控制以保持有該光導孔10原預定之寬度(或孔徑)或保持在該光導孔10原預定之寬度的容許裕度範圍內。此外，在蝕刻時因侵蝕速度可能會造成各第一凹槽30與各第二凹槽40之溝槽內部蝕刻形狀過蝕的情形，但因為採用雙面蝕刻，故只要各第一凹槽30與各第二凹槽40分別在該第一面21及該第二面22上的溝槽形狀完整即可。
參考圖4、5、6，因為光線只有穿過該貫穿區50才能穿過該金屬板片20，因此各光導孔10係由各貫穿區50與各第一凹槽30中垂直於該貫穿區70之一局部區域(如圖4中之第一凹槽局部30a)及各第二凹槽40中分別垂直於該貫穿區70之一局部區域(如圖4中之第二凹槽局部40a)所構成，使光線能藉各光導孔10(30a、50、40a)以由該金屬板片20之第一面21或第二面22穿過該貫穿區50而穿透至相對之第二面22或第一面21，達成該光導板1之使用功效。
在本發明之實施例中，該金屬板片20係以可蝕刻之材料製成，如不銹鋼、銅、鋁等但不限制。
在本發明之實施例中，各第一凹槽30之長度向或第一方向(如圖1中X所示但不限制)與所對應之各第二凹槽40之長度向或第二方向(如圖1中Y所示但不限制)係在該金屬板片20中形成一上一下之十字垂直交叉或非十字垂直交叉；其中當該第一凹槽30與其所對應之第二凹槽40形成一上一下之十字垂直交叉時如圖1、2、5至9所示，該光導孔10之貫穿區50的形狀係形成矩形；其中當該第一凹槽30與其所對應之第二凹槽40係形成一上一下之非十字垂直交叉時如圖10所示，該光導孔10之貫穿區50的形狀係形成菱形。
在本發明一實施例中，該金屬板片20之厚度或各光導孔10之深度為50至60μm，各光導孔10之貫穿區50的寬度尺寸控制為5至6μm。
在本發明一實施例中，該光導板1之長度及寬度均為5.5英寸(約13.97cm)，厚度為50至60μm，其在長度向等距排列設有1920個光導孔10，即相鄰二光導孔10之長度向間距約72μm，在寬度方向等距排列設有1080個光導孔10，即相鄰二光導孔10之寬度向間距約129μm，使該光導板20上具有一由1920x1080個光導孔10構成之光導孔陣列。
本發明之光導板1所具有之光導孔陣列得包含不同數目之光導孔10或不同樣態之光導孔陣列，分別說明如下但非用以限制本發明。
參考圖7，本實施例之光導板1的光導孔10(貫穿區50)的形狀(矩形)及光導孔陣列之樣態係與圖1、2所示實施例類似，即該第一凹槽30與其所對應之第二凹槽40是形成一上一下之十字垂直交叉，因此該光導孔10之貫穿區50的形狀係形成矩形，但二者間之不同點在於：本實施例之光導孔陣列中，位於同一行之各第一凹槽30(如圖7中共有橫向4行但不限制)或位於同一列之各第二凹槽40(如圖7中共有縱向8列但不限制)，係在長度方向延伸連接而分別形成一連續且較長的第一凹槽30或第二凹槽40，即相鄰二第一凹槽30在長度方向延伸連接成一較長的第一凹槽30，或相鄰二第二凹槽40也在長度方向延伸連接成一較長的第二凹槽40，但不影響本實施例之光導板1或其光導孔10陣列之使用功能。
參考圖8，本實施例之光導板1的光導孔10(貫穿區50)的形狀(矩形)係與圖1、2所示實施例類似，即該第一凹槽30與其所對應之第二凹槽40是形成一上一下之十字垂直交叉，因此該光導孔10之貫穿區50 的形狀係形成矩形，但二者間之不同點在於：本實施例之光導孔陣列的樣態不同於圖1、2所示之實施例，即在本實施例中，相鄰二行第一凹槽30之間或相鄰二列第二凹槽40之間係形成交錯樣態。
參考圖9，本實施例之光導板1之光導孔10(貫穿區50)的形狀(矩形)及光導孔陣列之樣態係與圖8所示實施例類似，即該第一凹槽30與其所對應之第二凹槽40是形成一上一下之十字垂直交叉，因此該光導孔10之貫穿區50的形狀係形成矩形，且相鄰二行第一凹槽30之間或相鄰二列第二凹槽40之間係形成交錯樣態。但二者間之不同點在於：本實施例與圖8所示實施例相比，本實施例之各第一凹槽30與其所對應之第二凹槽40的長度方向係分別順時針旋轉45度，即由圖1中X箭頭及Y箭頭所示之方向分別旋轉45度，但仍然是形成一上一下之十字垂直交叉。
參考圖10，本實施例之光導板1的光導孔陣列之樣態係與圖8所示實施例類似，即相鄰二行第一凹槽30之間或相鄰二列第二凹槽40之間係形成交錯樣態。但二者間之不同點在於：本實施例中各第一凹槽30與其所對應之各第二凹槽40是形成一上一下之非十字垂直交叉；本實施例與圖8所示實施例相比，本實施例中各第二凹槽40的長度方向(如圖1中Y箭頭所示方向)係逆時針旋轉45度如圖10所示，因此該光導孔10之貫穿區50的形狀係形成菱形。
此外，參考圖1至圖6，本發明係提供一種具高深寬比光導孔10陣列之光導板1的製造方法，包含下列步驟： 步驟S1：提供一可蝕刻之金屬板片20，其具有一第一面21及相對該第一面21之一第二面22。
步驟S2：利用蝕刻技術以對該金屬板片20之第一面21及第二面22進行蝕刻作業，用以在該第一面21及第二面22上分別蝕刻成型數條第一凹槽30及第二凹槽40；其中各第一凹槽30之長度係沿著或平行一第一方向(X)延伸，寬度係藉由蝕刻製程以控制在近乎(approximately)等於各光導孔10之寬度(或孔徑)，深度係藉由蝕刻製程以控制在近乎等於或微大於該金屬板片20之厚度的一半；其中各第二凹槽40之長度係沿著或平行一第二方向(Y)延伸，寬度係藉由蝕刻製程以控制在近乎(approximately)等於各光導孔10之寬度(或孔徑)，深度係藉由蝕刻製程以控制在近乎等於或微大於該金屬板片20之厚度的一半；其中各第一凹槽30與各第二凹槽40之間係在該金屬板片20中形成一上一下之一對一對應關係及一上一下之交叉狀態，藉以使各第一凹槽30能與所對應之各第二凹槽40在該交叉位置處蝕刻產生一上下方向之貫穿區50，並使該貫穿區50之寬度尺寸得控制以保持有該光導孔10之寬度(或孔徑)或保持在該光導孔10之寬度的容許裕度範圍內；其中各光導孔10係由各貫穿區50與各第一凹槽30及各第二凹槽40中分別垂直於該貫穿區70之一局部(30a、40a)所構成，使各光導孔10能由該金屬板片20之第一面21垂直經過該貫穿區50而貫穿至該金屬板片20之第二面22。
步驟s3：完成一光導板20，並使該光導板20上具有一由數個光導孔10構成之陣列。
此外，在該步驟S2之蝕刻作業中，進一步可包含下列程序但不限制：在該金屬板片20之第一面21及第二面22上分別進行光阻層60、70塗佈程序；再進行雙面曝光程序並以光罩留下並設定各第一凹槽30之光 阻開口61及各第二凹槽40之光阻開口71，藉以確定各第一凹槽30、各第二凹槽40及各光導孔10之預定位置(參考圖3)；再進行雙面蝕刻程序，以使各第一凹槽30及各第二凹槽40被蝕刻成型；其中當各第一凹槽30與所對應之各第二凹槽40在交叉位置處蝕刻產生一上下方向之貫穿區50時，即停止雙面蝕刻程序。
此外，在雙面蝕刻程序停止之後，該光阻層60、70可以不移除而分別保留在該金屬板片20之第一面21及第二面22上，藉此該光阻層60、70之厚度可相對減少該金屬板片20被蝕穿之厚度。
本發明與現有技術比較，具有以下優點：
(1)在實際製作時，當各第一凹槽30與所對應之各第二凹槽40在凹槽中間交叉處蝕穿時，就停止蝕刻作業，因此各貫穿區50或所完成之各光導孔10的寬度尺寸能得到適當的控制。
(2)在蝕刻作業時，因侵蝕速度可能會造成各第一凹槽30與各第二凹槽40之溝槽內部蝕刻形狀過蝕的情形，但因為是採用雙面蝕刻，只要各第一凹槽30與各第二凹槽40分別在該第一面21及該第二面22表面上的溝槽形狀完整即可，有利於提昇各光導孔10蝕刻成型之精密度。
(3)本發明係利用光罩以留下各第一凹槽30之光阻開口61及各第二凹槽40之光阻開口71，故可精密地設定及控制各第一凹槽30與各第二凹槽40在該金屬板片20上一上一下之一對一對應關係及一上一下之交叉位置，也就是可使各第一凹槽30、各第二凹槽40及各光導孔10精密地蝕刻成型於其所設定之正確位置處，有利於提昇本發明之光導板1的精密度及製造良率。
以上所述僅為本發明的優選實施例，對本發明而言僅是說明性的，而非限制性的；本領域普通技術人員理解，在本發明權利要求所限定的精神和範圍內可對其進行許多改變，修改，甚至等效變更，但都將落入本發明的保護範圍內。

Claims (10)

  1. 一種具高深寬比光導孔陣列之光導板，其係在一具一均勻厚度之金屬板片上設置一由數個能使光線垂直穿過該金屬板片之光導孔所構成之光導孔陣列，且各光導孔之深寬比接近於10，該光導板包含：一金屬板片，其係一具有均勻厚度之金屬片體，包含一第一面及相對該第一面之一第二面；數條第一凹槽，其係利用蝕刻技術以成型且凹入設在該金屬板片之第一面上，其中各第一凹槽之長度係沿著或平行一第一方向延伸，其中各第一凹槽之寬度係藉由蝕刻製程以控制在近乎等於各光導孔之寬度，其中各第一凹槽之深度係藉由蝕刻製程以控制在近乎等於或微大於該金屬板片之厚度的一半；數條第二凹槽，其係利用蝕刻技術以成型且凹入設在該金屬板片之第二面上，其中各第二凹槽之長度係沿著或平行一第二方向延伸，其中各第二凹槽之寬度係藉由蝕刻製程以控制在近乎等於各光導孔之寬度，其中各第二凹槽之深度係藉由蝕刻製程以控制在近乎等於或微大於該金屬板片之厚度的一半；其中成型在該第一面上之各第一凹槽與成型在該第二面上之各第二凹槽之間係在該金屬板片中形成一上一下之一對一對應關係；其中各第一凹槽與所對應之第二凹槽係在該金屬板片中形成一上一下之交叉狀態，藉以使各第一凹槽能與所對應之各第二凹槽在該交叉位置處產生一上下方向之貫穿區，並使該貫穿區之寬度尺寸得控制以保持有該光導孔之寬度或保持在該光導孔之寬度的容許裕度範圍內； 其中各光導孔係由各貫穿區與各第一凹槽及各第二凹槽中分別垂直於該貫穿區之一局部區域所構成，使光線能藉該光導孔陣列以由該金屬板片之第一面或第二面穿透至相對之第二面或第一面。
  2. 如請求項1所述之光導板，其中該金屬板片之材料包含不銹鋼、銅、鋁。
  3. 如請求項1所述之光導板，其中各第一凹槽之長度的第一方向與所對應之各第二凹槽之長度的第二方向係在該金屬板片中形成一上一下之十字垂直交叉或非十字垂直交叉；其中當該第一凹槽與其所對應之第二凹槽形成一上一下之垂直交叉時，該光導孔之貫穿區的形狀係形成矩形，其中當該第一凹槽與其所對應之第二凹槽形成一上一下之非十字垂直交叉時，該光導孔之貫穿區的形狀係形成菱形。
  4. 如請求項1所述之光導板，其中該金屬板片之厚度或各光導孔之深度為50至60μm，各光導孔之貫穿區的寬度尺寸控制為5至6μm。
  5. 如請求項1所述之光導板，其中該光導板之長度及寬度均為5.5英寸(13.97cm)而厚度為50至60μm，其在長度方向等距排列設有1920個光導孔，即相鄰二光導孔10之間距約72μm；其在寬度方向等距排列設有1080個光導孔，即相鄰二光導孔之間距約129μm，使該光導板上具有一由1920x1080個光導孔所構成之光導孔陣列。
  6. 一種具高深寬比光導孔陣列之光導板的製造方法，包含下列步驟：步驟S1：提供一可蝕刻之金屬板片，其具有一第一面及相對該第一面之一第二面；步驟S2：利用蝕刻技術以對該金屬板片之第一面及第二面進行蝕刻作業，用以在該第一面及第二面上分別蝕刻成型數條第一凹槽及第二凹槽；其中 各第一凹槽之長度係沿著或平行一第一方向延伸，寬度係藉由蝕刻製程以控制在近乎等於各光導孔之寬度，深度係藉由蝕刻製程以控制在近乎等於或微大於該金屬板片之厚度的一半；其中各第二凹槽之長度係沿著或平行一第二方向延伸，寬度係藉由蝕刻製程以控制在近乎等於各光導孔之寬度，深度係藉由蝕刻製程以控制在近乎等於或微大於該金屬板片之厚度的一半；其中各第一凹槽與各第二凹槽之間係在該金屬板片中形成一上一下之一對一對應關係及一上一下之交叉狀態，藉以使各第一凹槽能與所對應之各第二凹槽在該交叉位置處產生一上下方向之貫穿區，並使該貫穿區之寬度尺寸得控制以保持有該光導孔之寬度或保持在該光導孔之寬度的容許裕度範圍內；其中各光導孔係由各貫穿區與各第一凹槽及各第二凹槽中分別垂直於該貫穿區之一局部區域所構成，使各光導孔能由該金屬板片之第一面垂直經過該貫穿區而貫穿至該金屬板片之第二面；及步驟S3：完成一光導板，並使該光導板上具有一由數個光導孔形成之光導孔陣列。
  7. 如請求項6所述之光導板的製造方法，其中該步驟S2中進一步包含下列程序：在該第一面及第二面之雙面上分別進行光阻層塗佈程序；再進行雙面曝光程序並以光罩留下並設定各第一凹槽及各第二凹槽之位置；再進行雙面蝕刻程序以使各第一凹槽及各第二凹槽被蝕刻成型；其中當各第一凹槽與所對應之各第二凹槽在交叉位置處蝕刻產生一上下方向之貫穿區時，即停止雙面蝕刻程序。
  8. 如請求項7所述之光導板的製造方法，其中在雙面蝕刻程序停止之後，該光阻層係保留在該第一面及第二面上而不移除。
  9. 如請求項6所述之光導板的製造方法，其中各第一凹槽之長度的第一方向與所對應之各第二凹槽之長度的第二方向係在該金屬板片中形成一上一下之十字垂直交叉或非十字垂直交叉；其中當該第一凹槽與其所對應之第二凹槽形成一上一下之垂直交叉時，該光導孔之貫穿區的形狀係形成矩形，其中當該第一凹槽與其所對應之第二凹槽形成一上一下之非垂直交叉時，該光導孔之貫穿區的形狀係形成菱形。
  10. 如請求項6所述之光導板的製造方法，其中該金屬板片之厚度或各光導孔之深度為50至60μm，各光導孔之貫穿區的寬度尺寸控制為5至6μm，該光導板在其長度方向等距排列設有1920個光導孔，即相鄰二光導孔之間距約72μm；其在寬度方向等距排列設有1080個光導孔，即相鄰二光導孔之間距約129μm，使該光導板上具有一由1920x1080個光導孔所構成之光導孔陣列。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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CN101600485A (zh) * 2007-02-08 2009-12-09 创意工程企业有限责任公司 过滤元件的制造
TW201518522A (zh) * 2013-07-02 2015-05-16 V Technology Co Ltd 成膜罩體及成膜罩體之製造方法
WO2017142231A1 (ko) * 2016-02-16 2017-08-24 엘지이노텍 주식회사 금속판, 증착용마스크 및 이의 제조방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101600485A (zh) * 2007-02-08 2009-12-09 创意工程企业有限责任公司 过滤元件的制造
TW201518522A (zh) * 2013-07-02 2015-05-16 V Technology Co Ltd 成膜罩體及成膜罩體之製造方法
WO2017142231A1 (ko) * 2016-02-16 2017-08-24 엘지이노텍 주식회사 금속판, 증착용마스크 및 이의 제조방법

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