TW201518522A - 成膜罩體及成膜罩體之製造方法 - Google Patents

成膜罩體及成膜罩體之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201518522A
TW201518522A TW103122481A TW103122481A TW201518522A TW 201518522 A TW201518522 A TW 201518522A TW 103122481 A TW103122481 A TW 103122481A TW 103122481 A TW103122481 A TW 103122481A TW 201518522 A TW201518522 A TW 201518522A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
film
metal
cover
frame
opening
Prior art date
Application number
TW103122481A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI611031B (zh
Inventor
Michinobu Mizumura
Original Assignee
V Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by V Technology Co Ltd filed Critical V Technology Co Ltd
Publication of TW201518522A publication Critical patent/TW201518522A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI611031B publication Critical patent/TWI611031B/zh

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K11/00Resistance welding; Severing by resistance heating
    • B23K11/10Spot welding; Stitch welding
    • B23K11/11Spot welding
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36Removing material
    • B23K26/38Removing material by boring or cutting
    • B23K26/382Removing material by boring or cutting by boring
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C16/042Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/02Local etching
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/16Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本發明係一種成膜罩體,構成上具備有:樹脂製膜1,形成貫通之複數開口圖案4,並設有框狀金屬薄膜5,該框狀金屬薄膜5於一面具有大小可內包複數開口圖案4的開口;金屬罩體2,於膜1之一面1a側對應於金屬薄膜5之開口的位置處係和膜1呈分離獨立而設置,且設置有大小可內包複數開口圖案4當中至少一個開口圖案4的複數貫通孔6;以及金屬框3,位於膜1之一面1a側,設置有大小可內包金屬罩體2之複數貫通孔6的開口部7而形成為框狀,在張設膜1以及金屬罩體2之狀態下,將金屬薄膜5之部分以及金屬罩體2之周緣部區域點焊接於一端面3a來支撐膜1以及金屬罩體2。

Description

成膜罩體及成膜罩體之製造方法
本發明係關於一種對應於基板上所成膜之複數薄膜圖案而設置有複數開口圖案的成膜罩體,尤其關於一種能以高位置精度方式形成高精細薄膜圖案之成膜罩體及成膜罩體之製造方法。
以往此種成膜罩體為對應於基板上所成膜之複數薄膜圖案而設置有貫通之複數開口圖案的金屬罩體之製造上,係使得具有複數貫通開口之第1阻劑圖案形成於金屬板上,經由上述第1阻劑圖案之貫通開口來進行蝕刻處理來於上述金屬板形成貫通之複數貫通孔後,去除上述第1阻劑圖案,再使得第2阻劑圖案(具有複數第2貫通開口,分別露出上述複數開口圖案個別周圍既定寬度的金屬周緣部)形成於上述金屬板上,經由上述第2阻劑圖案之第2貫通開口來進行蝕刻處理而形成上述複數貫通開口個別周圍的罩體本體部以及位於該罩體本體部周圍且具有厚度大於罩體本體部之厚度的周緣部後,去除上述第2阻劑圖案(例如參見特開2001-237072號公報)。
但是,如此之以往之成膜罩體由於對金屬板進行蝕刻處理而於該金屬板形成貫通之複數開口圖案,而無法高精度地形成高精細之開口圖案。尤其,當使用一邊長度為數十公分以上之大面積的例如有機EL顯示面板用成膜罩體之情況,會因為蝕刻不均之發生以及等向蝕刻所致開口面積的擴大等,而無法於整個罩體全面均一地形成高精細開口圖案。
是以,申請人提議了一種複合罩體,具有由樹脂製膜(形成有和基板上所成膜之複數薄膜圖案相對應並與該薄膜圖案之形狀尺寸相同的複數開口圖案)與薄板狀磁性金屬構件(所形成之貫通孔大小可將複數開口圖案當中至少一個開口圖案加以內包)所密接而成之構造。
上述複合罩體係於厚度10μm~30μm程度之薄樹脂製膜以雷射加工形成開口圖案,而可高精度地形成高精細之開口圖案,即便是上述大面積之成膜罩體也可於整個罩體全面均一地形成開口圖案,此為其特點所在。
但是,上述複合罩體,由於將例如殷鋼或是殷鋼合金般熱膨脹係數小的磁性金屬構件與樹脂製膜此類熱膨脹係數相對大的構件在室溫以上進行密接,而會起因於兩構件間之熱膨脹差在膜發生內部應力。從而,若對於如此之膜依序雷射加工出複數開口圖案,則上述內部應力會部分性釋放,其結果,會有開口圖案位置累積性偏移之情況。從而,恐有無法以高位置精度來形成高精細薄膜圖案之虞。
是以,本發明因應於如此之問題,其目的在於提供一種能以高位置精度來形成高精細薄膜圖案之成膜罩體及成膜罩體之製造方法。
為了達成上述目的,第1發明之成膜罩體,對應於基板上所成膜之複數薄膜圖案而設有複數開口圖案;構成上具備有:樹脂製膜,形成貫通之該複數開口圖案,並設有框狀金屬薄膜,該框狀金屬薄膜於一面具有大小可內包該複數開口圖案的開口;金屬罩體,於該膜之一面側對應於該金屬薄膜之該開口的位置處係和該膜呈分離獨立而設置,且設置有大小可內包該複數開口圖案當中至少一個開口圖案的複數貫通孔;以及,金屬框,位於該膜之一面側,設置有大小可內包該金屬罩體之該複數貫通孔的開口部而形成為框狀,在張設該膜以及該金屬罩體之狀態下,將該金屬薄膜之部分以及該金屬罩體之周緣部區域點焊接於一端面來支撐該膜以及該金屬罩體。
此外,第2發明之成膜罩體之製造方法,該成膜罩體對應於基板上所成膜之複數薄膜圖案而設有複數開口圖案;包含以下步驟:第1步驟,係於樹脂製膜之一面形成框狀金屬薄膜,該框狀金屬薄膜具有大小可內包該複數開口圖案的開口;第2步驟,係於具有大小規範於該金屬薄膜之開口內的外形尺寸之金屬片處,設置大小可內包該複數開口圖案當中至少一個開口圖案的複數貫通孔,來形成金屬罩體;第3步驟,係於具有大小可內 包該複數貫通孔的開口部之框狀金屬框處張設著該金屬罩體之狀態下,將該金屬罩體之周緣區域點焊接於該金屬框之一端面;第4步驟,係將該膜之一面側當作該金屬罩體側來覆蓋該金屬罩體,於張設在該金屬框之狀態下,將該膜之該金屬薄膜的部分點焊接於該金屬框之一端面;以及第5步驟,係對於該金屬罩體之貫通孔內的該膜部分照射雷射光來形成該開口圖案。
依據本發明,膜與金屬罩體有別於前述複合罩體並非密合固定而是相互分離獨立,故膜中不會因為其與金屬罩體之熱膨脹差而存在內部應力。從而,即便雷射加工複數開口圖案之情況,也可抑制開口圖案之位偏而高位置精度地形成開口圖案。是以,可高位置精度地形成高精細之薄膜圖案。
1‧‧‧樹脂製膜
1a‧‧‧一面
2‧‧‧金屬罩體
3‧‧‧金屬框
3a‧‧‧一端面
4‧‧‧開口圖案
5‧‧‧框狀金屬薄膜
6‧‧‧貫通孔
6'‧‧‧假想貫通孔
7‧‧‧開口部
8‧‧‧張力夾
9,9A,9B‧‧‧單位罩體
10‧‧‧間隙
圖1係顯示本發明之成膜罩體之第1實施形態之圖,(a)為俯視圖,(b)為(a)之S-S線剖面箭頭圖。
圖2係說明上述第1實施形態之成膜罩體之製造方法之圖,為顯示金屬罩體對金屬框之接合製程之剖面圖。
圖3係說明上述第1實施形態之成膜罩體之製造方法之圖,為顯示膜對金屬框之接合製程之剖面圖。
圖4係說明上述第1實施形態之成膜罩體之製造方法之圖,為顯示開口圖案形成製程之剖面圖。
圖5係顯示本發明之成膜罩體之第2實施形態之圖,(a)為俯視圖,(b)為(a)之T-T線剖面箭頭圖。
圖6係說明上述第2實施形態之成膜罩體之製造方法之圖,為顯示金屬罩體對金屬框之接合製程之前半部之俯視圖。
圖7係說明上述第2實施形態之成膜罩體之製造方法之圖,為顯示金屬罩體對金屬框之接合製程之後半部之俯視圖。
圖8係說明上述第2實施形態之成膜罩體之製造方法之圖,為顯示膜對金屬框之接合製程之前半部之俯視圖。
圖9係說明上述第2實施形態之成膜罩體之製造方法之圖,為顯示膜對金屬框之接合製程之後半部之俯視圖。
圖10係說明上述第2實施形態之成膜罩體之製造方法之圖,為顯示開口圖案形成製程之要部放大俯視圖。
以下,就本發明之實施形態基於所附圖式來詳細說明。圖1顯示本發明之成膜罩體之第1實施形態之圖,(a)為俯視圖,(b)為(a)之S-S線剖面箭頭圖。此成膜罩體乃對應於基板上所成膜之複數薄膜圖案而設有複數開口圖案,構成上具備有樹脂製膜1、金屬罩體2、金屬框3。
上述膜1對應於基板上所成膜之複數薄膜圖案而形成有和該薄膜圖案為相同形狀尺寸之貫通狀態之複數開口圖案4,為例如厚度為10μm~30μm程度之聚醯亞胺或是聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)等穿透可見光之樹脂製膜。
再者,於上述膜1之一面1a處,具有內包上述複數開口圖案4之大小的開口、成為一定寬度框狀的例如由殷鋼或是殷鋼合金等所構成之金屬薄膜(以下稱為「框狀金屬薄膜」)5係藉由鍍敷等來成膜出30μm~50μm程度之厚度而設置。
於上述膜1之一面1a側對應於上述框狀金屬薄膜5之框內(開口內)的位置處係和上述膜1分離獨立地設有金屬罩體2。此金屬罩體2以雷射加工來形成上述複數開口圖案4之際係從下方來支撐上述膜1,且於成膜時被設置於基板背面之磁石所吸引而讓上述膜1密合於基板面,係由具有被規範於上述框狀金屬薄膜5之框內之大小的外形尺寸、且厚度和上述框狀金屬薄膜5為大致相同之30μm~50μm程度之例如殷鋼或是殷鋼合金等磁性金屬材料之金屬片所形成。此外,於上述金屬罩體2設置有將上述複數開口圖案4當中至少一個開口圖案4加以內包之大小的複數貫通孔6。
此外,上述金屬罩體2可為使得細長狹縫狀之複數貫通孔並列設置者,或是如圖1所示般,使得例如大小可內包一個開口圖案4之複數貫通孔6 經1列並排而成之複數貫通孔列以事先所決定之一定排列間距P來並列設置。
位於上述膜1之一面1a側設置有框狀之金屬框3,其具有大小可內包上述金屬罩體2之複數貫通孔6的開口部7,外形和上述膜1之框狀金屬薄膜5之外形大致相等。此金屬框3係以張設上述膜1以及金屬罩體2之狀態來將上述膜1之框狀金屬薄膜5之部分以及金屬罩體2之周緣部區域點焊接於一端面3a(參見圖2以及圖3)以支撐膜1以及金屬罩體2,由厚度為30mm~50mm程度之例如殷鋼或是殷鋼合金等磁性金屬材料所形成。
其次,針對以此方式所構成之成膜罩體之製造方法來說明。
首先,準備於一面1a形成有框狀金屬薄膜5(具有大小可內包複數開口圖案4之開口)之膜1。更詳細來說,此膜1為厚度10μm~30μm、裁切為方形狀之例如聚醯亞胺等穿透可見光之樹脂製膜,其一面1a沿著周緣部形成有一定寬度的框狀金屬薄膜5。此時,上述框狀金屬薄膜5之開口大小設定為可內包其後在膜1所形成之複數開口圖案4,並可收容金屬罩體2。
此處,針對上述框狀金屬薄膜5之形成來詳細說明。
首先,於樹脂製膜1之一面1a以蒸鍍、濺鍍或是無電鍍等公知成膜技術以50nm程度之厚度來形成良電導性之金屬膜所構成之種晶層。於此情況,當膜1為聚醯亞胺之時,種晶層可使用鎳等。由於銅會往聚醯亞胺內擴散,故作為相對於聚醯亞胺之種晶層不佳。另一方面,當膜1為PET之情況,從密合性觀點以使用銅等作為種晶層為佳。
其次,於上述種晶層上以例如30μm之厚度塗布光阻劑後,使用光罩進行曝光顯影,在和上述框狀金屬薄膜5之框內(開口內)相對應之部分以及和框外相對應之部分形成島圖案。
接著,於上述島圖案外側之種晶層上以公知之鍍敷技術以例如30μm之厚度來形成例如殷鋼或是殷鋼合金等磁性金屬材料所構成之金屬薄膜。之後,去除上述島圖案,將位於該島圖案下部之種晶層加以蝕刻去除。藉此,於膜1之一面1a形成框狀金屬薄膜5。
此外,準備設有複數貫通孔6之金屬罩體2。此金屬罩體2具有大小規範於上述框狀金屬薄膜5之框內的外形尺寸,於例如厚度為30μm之例如殷 鋼或是殷鋼合金等磁性金屬材料所構成之金屬片設置複數貫通孔6(大小可內包上述膜1處所形成之複數開口圖案4當中至少一個開口圖案4)。
上述複數貫通孔6之形成係以如下方式進行。亦即,於金屬片之一面以一定厚度塗布光阻劑,使用光罩進行曝光顯影,形成在和上述複數貫通孔6相對應之位置處分別具有開口之阻劑罩體。其次,使用此阻劑罩體來蝕刻金屬片,而於對應於上述開口之金屬片之部分形成貫通孔6。藉此,形成上述金屬罩體2。
再者,準備框狀之金屬框3。此金屬框3之外形尺寸和上述膜1之框狀金屬薄膜5之外形尺寸大致一致,框內之開口部7大小設定為內包複數貫通孔6,對厚度為30mm~50mm之例如殷鋼或是殷鋼合金之磁性金屬板例如進行切削加工來形成上述開口部7。
以下,針對本發明之成膜罩體之第1實施形態之製造方法,參見圖2~圖4來說明。
首先,如圖2(a)所示般,將金屬罩體2之周緣部以張力夾(tension grip)8夾持而朝和金屬罩體2之面為平行之側方進行拉伸,在以一定張力架設之狀態下,將金屬罩體2張設於金屬框3之一端面3a。然後,於此狀態下,如同圖(b)所示般,對金屬罩體2之周緣區域使用例如YAG雷射來照射雷射光L,將金屬罩體2點焊接於金屬框3之一端面3a。此點焊接於複數部位進行為佳。之後,如同圖(c)所示般,以金屬罩體2被規範於膜1上所形成之框狀金屬薄膜5之框內的方式來藉由刀具切除金屬罩體2之周緣部。
其次,如圖3(a)所示般,以膜1設有框狀金屬薄膜5之一面1a側作為金屬罩體2側,將周緣部以複數張力夾8來夾持並朝和膜1之面為平行之側方進行拉伸,對膜1施加該膜1不致伸長之程度的一定張力。然後,於該狀態下,膜1係覆蓋金屬罩體2而位於金屬框3之上方。其次,如同圖(b)所示般,以支撐於金屬框3之金屬罩體2位於膜1之框狀金屬薄膜5之框內的方式進行調整後,使得膜1之框狀金屬薄膜5密合於金屬框3之一端面3a。接著,如同圖(c)所示般,對上述框狀金屬薄膜5之部分照射雷射光,將框狀金屬薄膜5點焊接於金屬框3之一端面3a。此點焊接係和金屬罩體2之點焊接同樣地在複數部位進行為佳。此外,在上述點焊接結束為止,膜 1被施加一定的張力。之後,如同圖(d)所示般,膜1沿著金屬框3之外周緣被切割。藉此,膜1被固定支撐於金屬框3。於此情況,膜1與金屬罩體2乃相互分離獨立著。
其次,上述金屬框3以膜1為上側而載置於雷射加工裝置之XY平台上。然後,如圖4所示般,膜1對應於金屬罩體2之貫通孔6之部分受到例如400nm以下之雷射光L(以照射面積等同於開口圖案4之面積的方式經過整形)所照射,使得膜1被燒蝕去除。藉此,對應於一個貫通孔6來貫通膜1而形成例如一個開口圖案4。以後,一邊使得XY平台以預先決定之既定間距往XY方向步進移動、一邊對於膜1對應於金屬罩體2之貫通孔6的部分照射雷射光L,來形成開口圖案4。如此一來,完成圖1所示之成膜罩體。
依據本發明之成膜罩體,膜1與金屬罩體2有別於前述複合罩體並非密合固定而是相互分離獨立,故膜1不會因為其與金屬罩體2之熱膨脹差而存在內部應力。從而,即便雷射加工出複數開口圖案4之情況,開口圖案4之位偏會受到抑制而可高位置精度地形成開口圖案4。
此外,於膜1形成開口圖案4之際,由於膜1被金屬罩體2從下方支撐而不會撓曲。從而,依據此金屬罩體2之下方支撐效果亦可高位置精度地形成開口圖案4。
此外,膜1由於被施加膜1不致伸長程度之一定的張力,而會起因於此張力存在些許內部應力。從而,形成開口圖案4之際恐會發生開口圖案4之若干位偏。但是,由於上述張力朝和膜1之面內為平行之側方被均等地施加,故膜1之內部應力在膜1之面內呈現一樣的分布,上述開口圖案4之位偏方向以及位偏量可從事先的實驗等來確認而可容易預測。從而,只要預估上述位偏而一邊調整雷射光L之照射位置、一邊雷射加工開口圖案4,則最終所形成之全部開口圖案4可定位在正確位置。
圖5係顯示本發明之成膜罩體之第2實施形態之圖,(a)為俯視圖,(b)為(a)之T-T線剖面箭頭圖。此處,針對有別於第1實施形態之部分來說明。
此第2實施形態可對應於邊長為1m以上之大面積基板,具備有邊長為1m以上之附框狀金屬薄膜之膜1、以及同樣具有邊長為1m以上之外形尺 寸的金屬框3。另一方面,金屬罩體2由於作為基材之金屬片寬度受限於製造設備(現狀最大為500mm程度),故寬度之選擇自由度較膜1、金屬框3來得小。從而,於第2實施形態,金屬罩體2係使得寬度最大為500mm程度之短長方形狀之複數單位罩體9平行於其長軸而並排設置。
更詳細而言,上述單位罩體9係使得複數貫通孔沿其長軸排列為1列而設置之複數貫通孔之列、或是沿著上述長軸而延伸之狹縫狀之複數貫通孔在和上述長軸成為交叉之方向上,如圖5(b)所示般以一定配置排列間距P來形成。此外,複數上述單位罩體9係於鄰接單位罩體9間空出可使得至少一個貫通孔之列或是狹縫狀之貫通孔維持上述配置排列間距而存在之間隙10而並排設置,點焊接於金屬框3之一端面3a處。此外,圖5中顯示複數貫通孔6以1列並排之情況,並顯示於上述間隙10可存在1個貫通孔6之列的情況。
如此之成膜罩體係以下述方式製造。
首先,膜1係從捲繞成為輥狀之寬度為1m以上、厚度為10μm~30μm之膜片被切出而形成邊長為1m以上之方形狀。之後,和第1實施形態同樣地,於膜1之一面1a形成框狀金屬薄膜5。
另一方面,上述單位罩體9係從捲繞成輥狀之例如具有500mm以下寬度、厚度為30μm~50μm之帶狀金屬片被切出,而對於被形成為事先決定之既定長度之短長方狀的金屬片和第1實施形態同樣地設置複數貫通孔6而形成。
其次,實施上述單位罩體9對於金屬框3之安裝製程。
首先,如圖6(a)所示般,金屬框3設置於XY平台上之預定之既定位置。例如,藉由設置於XY平台上之定位銷來讓金屬框3之至少正交的2邊被限制、定位。
其次,如圖6(b)所示般,在單位罩體9A藉由張力夾8使得長軸方向之周緣部被夾持而往同方向受到拉伸而被賦予一定張力的狀態下,張設於金屬框3之一端面3a。再者,於該狀態下,事先形成於金屬框3之圖示省略之對準標記與事先形成於單位罩體9A之圖示省略之對準標記係以對準攝像機來攝像,以兩標記成為一定位置關係的方式來調整例如單位罩體9A之 位置,使得單位罩體9A相對於金屬框3被對準。之後,對於單位罩體9A之長軸方向(Y方向)之周緣部區域照射雷射光L,使得單位罩體9A被點焊接於金屬框3之一端面3a而被固定。
接著,如圖7(a)所示般,將第2片單位罩體9B和上述第1片單位罩體9A同樣地定位於金屬框3之一端面3a而被安裝。於此情況,如同圖(a)所示,以第1片之單位罩體9A與第2片之單位罩體9B之間的連接處產生間隙10(相對於鄰接貫通孔6之列可維持配置排列間距P而存在至少1列之貫通孔6)的方式來安裝第2片之單位罩體9B。此外,同圖(a)中顯示了設置有可存在1列貫通孔(假想貫通孔6')之間隙10的情況。
若以此方式將複數單位罩體9A、9B點焊接於金屬框3之一端面3a而被固定,則單位罩體9A、9B如圖7(b)所示般以其長軸方向(Y方向)之長度成為規範於膜1所設之框狀金屬薄膜5之框內之尺寸的方式使得同方向之兩端部被刀具所切除。
其次,實施膜1對於金屬框3之安裝製程。
首先,如圖8(a)所示般,以於XY平台上所被定位固定之金屬框3上覆蓋金屬罩體2的方式來載置膜1。再者,如同圖(b)所示般,將膜1之周緣部以張力夾8來夾持並對和膜1之面為平行之側方進行拉伸,對膜1施加一定之張力。然後,於該狀態下,例如一邊從上方透過膜1來觀察金屬罩體2、一邊以金屬罩體2被規範於膜1之框狀金屬薄膜5之框內的方式來進行膜1之位置調整。之後,框狀金屬薄膜5之部分被雷射光所照射而讓框狀金屬薄膜5點焊接於金屬框3之一端面3a。藉此,膜1被固定於金屬框3。
其次,如圖9所示般,膜1沿著金屬框3之外周緣被切斷,整頓為成膜罩體之外形。
之後,和第1實施形態同樣地,一邊使得XY平台往XY方向來步進移動、一邊對於膜1對應於金屬罩體2之複數貫通孔6的部分照射雷射光L,來形成複數開口圖案4。於此情況,如圖10所放大顯示般,由於鄰接單位罩體9A、9B間之間隙10之部分也對應於假想的貫通孔6'而形成開口圖案 4,故膜1處例如於Y方向上排成一列之開口圖案4之列會在X方向上以配置排列間距P來排列形成。
如此般,依據本發明之成膜罩體之第2實施形態,具有和第1實施形態同樣的效果,並可輕易製造出邊長為1m以上之大面積的成膜罩體。
此外,本發明之成膜罩體不限於例如有機EL顯示面板之有機EL層等之蒸鍍用罩體,也可適用作為例如靜電電容式觸控面板之透明電極等濺鍍成膜用罩體。
1‧‧‧樹脂製膜
1a‧‧‧一面
2‧‧‧金屬罩體
3‧‧‧金屬框
4‧‧‧開口圖案
5‧‧‧框狀金屬薄膜
6‧‧‧貫通孔
7‧‧‧開口部

Claims (8)

  1. 一種成膜罩體,對應於基板上所成膜之複數薄膜圖案而設有複數開口圖案;構成上具備有:樹脂製膜,形成貫通之該複數開口圖案,並設有框狀金屬薄膜,該框狀金屬薄膜於一面具有大小可內包該複數開口圖案的開口;金屬罩體,於該膜之一面側對應於該金屬薄膜之該開口的位置處係和該膜呈分離獨立而設置,且設置有大小可內包該複數開口圖案當中至少一個開口圖案的複數貫通孔;以及金屬框,位於該膜之一面側,設置有大小可內包該金屬罩體之該複數貫通孔的開口部而形成為框狀,在張設該膜以及該金屬罩體之狀態下,將該金屬薄膜之部分以及該金屬罩體之周緣部區域點焊接於一端面來支撐該膜以及該金屬罩體。
  2. 如申請專利範圍第1項之成膜罩體,其中該金屬罩體係使得短長方形狀之複數單位罩體平行於其長軸而並排設置者。
  3. 如申請專利範圍第2項之成膜罩體,其中該單位罩體係使得複數貫通孔沿其長軸排列為1列而設置之複數貫通孔之列、或是沿著該長軸而延伸之狹縫狀之複數貫通孔在和該長軸成為交叉之方向上以一定之配置排列間距而形成者;該複數單位罩體係於鄰接之該單位罩體間空出可使得至少一個該貫通孔之列或是該狹縫狀之貫通孔維持該配置排列間距而存在之間隙而並排設置者。
  4. 如申請專利範圍第3項之成膜罩體,其中該膜對應於鄰接之該單位罩體間之該間隙的部分也形成有複數該開口圖案。
  5. 一種成膜罩體之製造方法,該成膜罩體對應於基板上所成膜之複數薄膜圖案而設有複數開口圖案;包含以下步驟:第1步驟,係於樹脂製膜之一面形成框狀金屬薄膜,該框狀金屬薄膜具有大小可內包該複數開口圖案的開口;第2步驟,係於具有大小規範於該金屬薄膜之開口內的外形尺寸之金屬片處,設置大小可內包該複數開口圖案當中至少一個開口圖案的複數貫通孔,來形成金屬罩體; 第3步驟,係於具有大小可內包該複數貫通孔的開口部之框狀金屬框處張設著該金屬罩體之狀態下,將該金屬罩體之周緣區域點焊接於該金屬框之一端面;第4步驟,係將該膜之一面側當作該金屬罩體側來覆蓋該金屬罩體,於張設在該金屬框之狀態下,將該膜之該金屬薄膜的部分點焊接於該金屬框之一端面;以及第5步驟,係對於該金屬罩體之貫通孔內的該膜部分照射雷射光來形成該開口圖案。
  6. 如申請專利範圍第5項之成膜罩體之製造方法,其中該金屬罩體係使得短長方形狀之複數單位罩體平行於其長軸而並排設置者;於該第3步驟,係將該複數單位罩體分別張設於該金屬框,將其長軸方向的兩端緣部區域點焊接於該金屬框之一端面。
  7. 如申請專利範圍第6項之成膜罩體之製造方法,其中該單位罩體係使得該複數貫通孔沿其長軸排列成1列而設置之複數貫通孔之列、或是沿著該長軸延伸之狹縫狀複數貫通孔在和該長軸交叉之方向上以一定之配置排列間距所形成者;該第3步驟中,係於鄰接之該單位罩體間空出可使得至少一個該貫通孔之列或是該狹縫狀之貫通孔維持該配置排列間距而存在之間隙,將該複數單位罩體點焊接於該金屬框之一端面。
  8. 如申請專利範圍第7項之成膜罩體之製造方法,其中該膜對應於鄰接之該單位罩體間之該間隙的部分也於該第5步驟中被照射雷射光,而形成該開口圖案。
TW103122481A 2013-07-02 2014-06-30 成膜罩體及成膜罩體之製造方法 TWI611031B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013138814A JP6078818B2 (ja) 2013-07-02 2013-07-02 成膜マスク及び成膜マスクの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201518522A true TW201518522A (zh) 2015-05-16
TWI611031B TWI611031B (zh) 2018-01-11

Family

ID=52143704

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103122481A TWI611031B (zh) 2013-07-02 2014-06-30 成膜罩體及成膜罩體之製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (2) US10053767B2 (zh)
JP (1) JP6078818B2 (zh)
KR (1) KR20160029032A (zh)
CN (1) CN105358732B (zh)
TW (1) TWI611031B (zh)
WO (1) WO2015002129A1 (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI581479B (zh) * 2015-09-25 2017-05-01 Sinto S-Precision Ltd Metal hood manufacturing method
TWI648867B (zh) * 2018-01-16 2019-01-21 美屬薩摩亞商茂邦電子有限公司 Light guide plate with high aspect ratio light guide hole array and manufacturing method thereof
TWI682044B (zh) * 2016-03-28 2020-01-11 鴻海精密工業股份有限公司 蒸鍍遮罩之製造方法、製造裝置及有機發光二極體之製造方法
CN112176284A (zh) * 2015-07-03 2021-01-05 大日本印刷株式会社 制造蒸镀掩模、有机半导体元件和有机el显示器的方法、蒸镀掩模准备体、及蒸镀掩模

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103882375B (zh) * 2014-03-12 2016-03-09 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜板及其制作方法
KR102441557B1 (ko) * 2015-04-28 2022-09-08 삼성디스플레이 주식회사 마스크 프레임 조립체, 그 제조 방법 및 표시 장치의 제조 방법
KR102352280B1 (ko) * 2015-04-28 2022-01-18 삼성디스플레이 주식회사 마스크 프레임 조립체 제조 장치 및 이를 이용한 마스크 프레임 조립체 제조 방법
JP6527408B2 (ja) * 2015-07-02 2019-06-05 株式会社ブイ・テクノロジー 成膜マスクの製造方法及びその製造装置
CN108884555B (zh) * 2015-12-25 2021-02-09 鸿海精密工业股份有限公司 蒸镀掩模、蒸镀掩模的制造方法及有机半导体元件的制造方法
KR102586048B1 (ko) 2016-01-12 2023-10-10 삼성디스플레이 주식회사 마스크 조립체, 이의 제조방법 및 이를 포함한 표시 장치의 제조장치
CN112030102B (zh) * 2016-02-10 2022-12-06 鸿海精密工业股份有限公司 蒸镀掩模的制造方法
WO2017154233A1 (ja) * 2016-03-10 2017-09-14 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 蒸着マスク、蒸着マスク用マスク部材、及び蒸着マスクの製造方法と有機el表示装置の製造方法
WO2017163443A1 (ja) * 2016-03-23 2017-09-28 鴻海精密工業股▲ふん▼有限公司 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法および有機半導体素子の製造方法
WO2017170172A1 (ja) * 2016-03-29 2017-10-05 株式会社ブイ・テクノロジー 成膜マスク、その製造方法及び成膜マスクのリペア方法
JP6341434B2 (ja) * 2016-03-29 2018-06-13 株式会社ブイ・テクノロジー 成膜マスク、その製造方法及び成膜マスクのリペア方法
JP6709534B2 (ja) * 2016-04-06 2020-06-17 大日本印刷株式会社 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法
CN105951040A (zh) * 2016-05-03 2016-09-21 上海天马有机发光显示技术有限公司 掩膜块、掩膜版及掩膜版的制造方法
JP7017032B2 (ja) * 2016-06-28 2022-02-08 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、有機半導体素子の製造方法、および有機elディスプレイの製造方法
WO2018025835A1 (ja) * 2016-08-05 2018-02-08 凸版印刷株式会社 蒸着用メタルマスク、蒸着用メタルマスクの製造方法、および、表示装置の製造方法
KR20180023139A (ko) * 2016-08-24 2018-03-07 삼성디스플레이 주식회사 증착용 마스크 어셈블리
CN107797376A (zh) * 2016-09-07 2018-03-13 上海和辉光电有限公司 一种掩膜版及其制作方法
CN106299152B (zh) * 2016-09-18 2019-01-22 深圳市华星光电技术有限公司 顶发射amoled顶电极光罩、顶发射amoled顶电极及顶发射amoled
CN106271167B (zh) * 2016-09-26 2019-03-29 京东方科技集团股份有限公司 一种金属掩膜板焊接贴合器件及其焊接方法
WO2018062300A1 (ja) * 2016-09-30 2018-04-05 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、蒸着マスク準備体、蒸着パターン形成方法、有機半導体素子の製造方法、有機elディスプレイの製造方法
US11196002B2 (en) * 2016-10-06 2021-12-07 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Method for producing vapor deposition mask, method for producing organic semiconductor element, and method for producing organic EL display
WO2018142464A1 (ja) * 2017-01-31 2018-08-09 堺ディスプレイプロダクト株式会社 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク、および有機半導体素子の製造方法
JP6878032B2 (ja) * 2017-02-10 2021-05-26 株式会社ジャパンディスプレイ 蒸着マスク固定装置
JP6904718B2 (ja) * 2017-02-10 2021-07-21 株式会社ジャパンディスプレイ 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法および蒸着マスクの製造装置
JP6300257B1 (ja) 2017-08-31 2018-03-28 堺ディスプレイプロダクト株式会社 成膜マスクの製造方法
JP6658790B2 (ja) * 2018-04-19 2020-03-04 大日本印刷株式会社 蒸着マスク、フレーム付き蒸着マスク、蒸着マスク準備体、蒸着マスクの製造方法、有機半導体素子の製造方法、有機elディスプレイの製造方法、及びパターンの形成方法
KR102342736B1 (ko) * 2018-07-10 2021-12-28 주식회사 오럼머티리얼 프레임 일체형 마스크의 제조 방법
KR102342735B1 (ko) * 2018-07-10 2021-12-28 주식회사 오럼머티리얼 프레임 일체형 마스크의 제조 방법 및 마스크 지지에 사용되는 트레이
US20210265602A1 (en) * 2018-08-08 2021-08-26 Sakai Display Products Corporation Vapor deposition mask, method for manufacturing vapor deposition mask, and method for manufacturing organic semiconductor element
KR20200065142A (ko) 2018-11-29 2020-06-09 삼성디스플레이 주식회사 마스크 조립체 및 이의 제조 방법
JP7149196B2 (ja) * 2019-02-01 2022-10-06 株式会社ジャパンディスプレイ 蒸着マスク
CN111534789A (zh) * 2019-02-07 2020-08-14 悟勞茂材料公司 缩减掩模单元片材部的变形量的方法、框架一体型掩模及其制造方法
CN110838565B (zh) * 2019-11-26 2022-07-29 京东方科技集团股份有限公司 金属掩模版、显示面板和显示装置
JP2021175824A (ja) * 2020-03-13 2021-11-04 大日本印刷株式会社 有機デバイスの製造装置の蒸着室の評価方法、評価方法で用いられる標準マスク装置及び標準基板、標準マスク装置の製造方法、評価方法で評価された蒸着室を備える有機デバイスの製造装置、評価方法で評価された蒸着室において形成された蒸着層を備える有機デバイス、並びに有機デバイスの製造装置の蒸着室のメンテナンス方法
JP2021155763A (ja) * 2020-03-25 2021-10-07 株式会社ジャパンディスプレイ 蒸着マスクの製造方法
CN112376016B (zh) * 2020-11-24 2022-08-02 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 蒸镀掩膜板组件及其制作方法
CN113684444B (zh) * 2021-08-06 2023-08-04 昆山国显光电有限公司 支撑条及张网方法
KR102371486B1 (ko) * 2021-10-08 2022-03-07 풍원정밀(주) 파인메탈 마스크

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07300664A (ja) * 1994-04-28 1995-11-14 Fujitsu Ltd メタルマスクの製造方法とその再生方法
JP2001237072A (ja) 2000-02-24 2001-08-31 Tohoku Pioneer Corp メタルマスク及びその製造方法
KR100490534B1 (ko) * 2001-12-05 2005-05-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 전자 발광 소자의 박막 증착용 마스크 프레임 조립체
KR100534580B1 (ko) * 2003-03-27 2005-12-07 삼성에스디아이 주식회사 표시장치용 증착 마스크 및 그의 제조방법
KR100700839B1 (ko) * 2005-01-05 2007-03-27 삼성에스디아이 주식회사 수직증착용 섀도우마스크 패턴 제조방법
EP2425034B1 (en) * 2009-04-03 2016-07-13 OSRAM OLED GmbH An arrangement for holding a substrate in a material deposition apparatus
KR101135544B1 (ko) * 2009-09-22 2012-04-17 삼성모바일디스플레이주식회사 마스크 조립체, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 평판표시장치용 증착 장치
JP6078741B2 (ja) * 2011-11-04 2017-02-15 株式会社ブイ・テクノロジー 薄膜パターン形成方法及びマスク
JP5899585B2 (ja) * 2011-11-04 2016-04-06 株式会社ブイ・テクノロジー マスクの製造方法
JP5515025B2 (ja) * 2011-10-06 2014-06-11 株式会社ブイ・テクノロジー マスク、それに使用するマスク用部材、マスクの製造方法及び有機el表示用基板の製造方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112176284A (zh) * 2015-07-03 2021-01-05 大日本印刷株式会社 制造蒸镀掩模、有机半导体元件和有机el显示器的方法、蒸镀掩模准备体、及蒸镀掩模
CN112176284B (zh) * 2015-07-03 2023-09-01 大日本印刷株式会社 制造蒸镀掩模、有机半导体元件和有机el显示器的方法、蒸镀掩模准备体、及蒸镀掩模
TWI581479B (zh) * 2015-09-25 2017-05-01 Sinto S-Precision Ltd Metal hood manufacturing method
TWI682044B (zh) * 2016-03-28 2020-01-11 鴻海精密工業股份有限公司 蒸鍍遮罩之製造方法、製造裝置及有機發光二極體之製造方法
TWI648867B (zh) * 2018-01-16 2019-01-21 美屬薩摩亞商茂邦電子有限公司 Light guide plate with high aspect ratio light guide hole array and manufacturing method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
US10053767B2 (en) 2018-08-21
JP6078818B2 (ja) 2017-02-15
CN105358732A (zh) 2016-02-24
US20160115580A1 (en) 2016-04-28
CN105358732B (zh) 2017-12-19
JP2015010270A (ja) 2015-01-19
TWI611031B (zh) 2018-01-11
US10301716B2 (en) 2019-05-28
US20180282856A1 (en) 2018-10-04
WO2015002129A1 (ja) 2015-01-08
KR20160029032A (ko) 2016-03-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201518522A (zh) 成膜罩體及成膜罩體之製造方法
JP6510126B2 (ja) 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスク、および有機半導体素子の製造方法
KR102471409B1 (ko) 증착 마스크 장치 및 증착 마스크 장치의 제조 방법
CN108779550B (zh) 成膜掩模、其制造方法及成膜掩模的修复方法
CN109207919B (zh) 蒸镀掩模、蒸镀掩模装置、蒸镀掩模的制造方法和蒸镀掩模装置的制造方法
JP7113109B2 (ja) 蒸着用マスク
JP5459632B1 (ja) 蒸着マスクの製造方法および蒸着マスク
JP2013245392A (ja) 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法
WO2015053250A1 (ja) 成膜マスク及びその製造方法
WO2014069049A1 (ja) 成膜マスク
JP6240960B2 (ja) 成膜マスクの製造方法及び成膜マスク
JP6163376B2 (ja) 成膜マスクの製造方法及び成膜マスク
JP2019173181A (ja) 基板付蒸着マスク
JP2017066440A (ja) 基板付蒸着マスクの製造方法、蒸着マスクの製造方法および基板付蒸着マスク

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees