CN112376016B - 蒸镀掩膜板组件及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种蒸镀掩膜板组件及其制作方法,蒸镀掩膜板组件包括:中空的金属框架;金属掩膜板,具有第一表面以及第二表面,金属掩膜板的所述第二表面的周边固定于所述金属框架上,且所述金属掩膜板具有多个第一图形开口,多个第一图形开口中具有比预设图形开口尺寸大的超规格图形开口;以及金属遮挡部,固定于所述金属框架上,且所述金属遮挡部对应所述超规格图形开口设置并覆盖于所述金属掩膜板的表面,以遮挡所述超规格图形开口超出所述预设图形开口的区域。本发明可以解决现有技术中的金属掩膜板开口尺寸及位置精度难达到需求管控规格精度的问题。

Description

蒸镀掩膜板组件及其制作方法
技术领域
本发明涉及显示设备技术领域,特别是涉及一种蒸镀掩膜板组件及其制作方法。
背景技术
AMOLED手机显示屏制作过程中,器件相应共通层材料蒸镀会使用到CMM(共通层金属掩膜板,Common Metal Mask)治具完成相应图形蒸镀。CMM主要通过在金属框架(Frame)上焊接一体式金属网面完成制作,其中金属网面上的图形开口区开口尺寸精度及其位置精度成为关键管控对象。目前业界可达到管控精度约在25-50um,但是此管控精度仍不利于实现窄边框产品需求,同时管控精度要求越高,CMM制作合格率也随之下降,将带来一定的制作成本问题。因而会存在,由于CMM本身设计、制作工艺及张网精度限制等因素,存在金属网面本身开口尺寸及位置精度制作不合格或张网焊接后开口变形导致整体开口尺寸及位置精度未达到需求管控规格精度的问题。
发明内容
针对上述技术问题,本发明提供一种蒸镀掩膜板组件及其制作方法,以解决现有技术中的金属掩膜板开口尺寸及位置精度难达到需求管控规格精度的问题。
本发明提供的一种一种蒸镀掩膜板组件,所述蒸镀掩膜板组件包括:中空的金属框架;金属掩膜板,具有面向蒸镀源的第一表面以及背向所述蒸镀源的第二表面,所述金属掩膜板的所述第二表面固定于所述金属框架上,且所述金属掩膜板具有多个第一图形开口,所述多个第一图形开口中具有比预设图形开口尺寸大的超规格图形开口;以及金属遮挡部,固定于所述金属框架上,且所述金属遮挡部对应所述超规格图形开口设置并覆盖于所述金属掩膜板的表面,以遮挡所述超规格图形开口超出所述预设图形开口的区域。
优选地,所述金属遮挡部覆盖于所述金属掩膜板的所述第一表面,且所述金属遮挡部的厚度为15~30um。
优选地,所述金属框架与所述金属掩膜板的连接处预留有间隙,所述金属遮挡部自所述金属掩膜板的所述第二表面一侧插入所述间隙,所述金属遮挡部覆盖于所述金属掩膜板的所述第二表面。
优选地,所述金属遮挡部对应所述金属掩膜板的区域具半刻凹槽部,所述金属遮挡部具有形成所述半刻凹槽部的槽底以及位于该槽底周边的槽侧壁,所述金属掩膜板位于所述半刻凹槽部内,且所述金属掩膜板的所述第二表面与所述槽底接触,所述金属掩膜板的所述第一表面与所述槽侧壁的远离槽底的第三表面位于同一平面。
优选地,所述金属掩膜板为一体式网面结构。
优选地,所述金属遮挡部具有多个第二图形开口,所述多个第二图形开口与所述多个第一图形开口一一对应,且第二图形开口的尺寸小于第一图形开口的尺寸,其中所述第二图形开口与所述预设图形开口的尺寸相同。
本发明还提供一种蒸镀掩膜板组件的制作方法,所述制作方法包括:
提供金属掩膜板、金属遮挡部以及中空的金属框架,所述金属掩膜板具有面向蒸镀源的第一表面以及背向所述蒸镀源的第二表面;
将所述金属掩膜板的所述第二表面固定于所述金属框架上,且所述金属掩膜板具有多个第一图形开口;
检测所述多个第一图形开口的尺寸以及位置,并将比预设图形开口尺寸大的第一图形开口定义为超规格图形开口;以及
对应所述超规格图形开口设置所述金属遮挡部覆盖于所述金属掩膜板的表面,以遮挡所述超规格图形开口超出所述预设图形开口的区域。
优选地,所述金属遮挡部覆盖于所述金属掩膜板的所述第一表面,所述金属遮挡部的厚度为15~30um。
优选地,所述金属框架与所述金属掩膜板的连接处预留有间隙,所述金属遮挡部自所述金属掩膜板的所述第二表面一侧插入所述间隙,所述金属遮挡部覆盖于所述金属掩膜板的所述第二表面。
优选地,所述金属遮挡部具有多个第二图形开口,所述多个第二图形开口与所述多个第一图形开口一一对应,且第二图形开口的尺寸小于第一图形开口的尺寸,其中所述第二图形开口与所述预设图形开口的尺寸相同。
与现有技术相比,本发明通过将金属掩膜板(CMM)按常规工艺完成张网后进行相应图形开口尺寸及位置精度检查,针对超出规格部分图形开口通过补焊接相应金属条(金属遮挡部)进行补偿的手段或方案,达到了改善CMM 图形开口尺寸及位置精度,进而改善蒸镀过程因CMM制作精度不足导致的产品不良的效果。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案,下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本发明的一些实施方式,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明一实施例的蒸镀掩膜板组件的分解示意图。
图2为图1中的蒸镀掩膜板组件的组合示意图。
图3为本发明另一实施例的蒸镀掩膜板组件的示意图。
图4为图3中的蒸镀掩膜板组件的沿AB线的剖面示意图。
图5为本发明再一实施例的蒸镀掩膜板组件的分解示意图。
图6为图1中的蒸镀掩膜板组件的组合示意图。
图7所示为本发明的一实施例的蒸镀掩膜板组件的制作方法的流程示意图。
具体实施方式
为使对本发明的目的、构造、特征、及其功能有进一步的了解,兹配合实施例详细说明如下。需要说明的是,术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,附图所示的各元件的形状、大小、方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明的技术内容,因此不能理解为对本发明的限制。
请参见图1,图1为本发明一实施例的蒸镀掩膜板组件的分解示意图,图2为图1中的蒸镀掩膜板组件的组合示意图。本发明提供一种蒸镀掩膜板组件,上述蒸镀掩膜板组件包括中空的金属框架11、金属掩膜板12以及金属遮挡部13。蒸镀掩膜板组件用于对显示基板进行蒸镀,金属掩膜板12上的第一图形开口对应显示基板的显示区域。金属掩膜板12具有相对的第一表面121以及第二表面122,其中,第一表面121面向蒸镀源,第二表面122背向蒸镀源。金属掩膜板12的第二表面122的周边固定于金属框架11上,例如本实施例中,金属框架11以及金属掩膜板12均为方形结构,所以四边各自对应固定即可。而且,金属掩膜板12例如为一体式网面结构,金属掩膜板12具有多个第一图形开口123,这些第一图形开口123中具有与预设图形开口不符的超规格图形开口124,亦即这些第一图形开口123中具有比预设图形开口尺寸大的超规格图形开口124,例如图1中,在这些第一图形开口中,第一图形开口125的尺寸与预设图形开口的尺寸相同,超规格图形开口124则具有超出预设图形开口的区域126。这种超规格图形开口形成的因素很多,例如,金属掩膜板在张网制作过程中,可能存在图形开口过大、前期网面制作补偿不佳、焊接撤销拉力后图形偏位等现象导致图形呈现部分区域规格超标的问题。
金属遮挡部13固定于所述金属框架11上,且所述金属遮挡部13对应所述超规格图形开口124设置并覆盖于所述金属掩膜板12的表面,以遮挡所述超规格图形开口124超出所述预设图形开口的区域126,从而解决第一图形开口超规格的问题。
如图2所示,本实施方式中,金属遮挡部13为金属条结构,其两端131、132焊接固定于金属框架11上。而且金属遮挡部13对应超规格图形开口124覆盖于所述金属掩膜板12的第一表面121。而且,较佳地,金属遮挡部13的厚度为15~30um(微米),如此可以尽量保证金属遮挡部13的平面与金属掩膜板12平面即第一表面121虽然不在一个水平面但更接近在一个水平面,从而保证蒸镀过程金属掩膜板12与基板的贴合状况良好。
上述第一图形开口即为蒸镀沉积孔,对于超规格图形开口,由于有金属遮挡部的存在,使得超规格图形开口的除了与预设图形开口符合的区域内沉积有材料,其他区域并无多余材料沉积。
如上所述,在金属掩膜板12张网并固定于金属框架11上后,进行金属条(金属遮挡部)补焊遮挡,能够改善金属掩膜板12的开口尺寸以及位置精度,从而提高蒸镀图形的精度,实现更窄边框产品的制作。此外,还能提升金属掩膜板制作的合格率,进而降低金属掩膜板制作成本以及生产节拍。
请参见图3和图4,图3为本发明另一实施例的蒸镀掩膜板组件的示意图,图4为图3中的蒸镀掩膜板组件的沿AB线的剖面示意图。本实施方式中,蒸镀掩膜板组件包括中空的金属框架11、金属掩膜板12以及金属遮挡部23。金属掩膜板12具有相对的第一表面121以及第二表面122,其中,第一表面121面向蒸镀源,第二表面122背向蒸镀源。金属掩膜板12的第二表面122的四周固定于金属框架11上,而且,金属掩膜板12例如为一体式网面结构,金属掩膜板12具有多个第一图形开口123,这些第一图形开口中具有比预设图形开口尺寸大的超规格图形开口124。这种超规格图形开口形成的因素很多,例如,金属掩膜板在张网制作过程中,可能存在图形开口过大、前期网面制作补偿不佳、焊接撤销拉力后图形偏位等现象导致图形呈现部分区域规格超标的问题。
金属遮挡部23固定于所述金属框架11上,且所述金属遮挡部23对应所述超规格图形开口124设置并覆盖于所述金属掩膜板12的表面,以遮挡所述超规格图形开口124超出所述预设图形开口的区域126,从而解决第一图形开口超规格的问题。
本实施方式中,金属框架11与金属掩膜板12的连接处14预留有间隙,例如,若金属掩膜板12的四周为采用焊接方式固定于金属框架11上,那么在焊接处预留一间隙。金属遮挡部23自金属掩膜板12的所述第二表面122一侧插入所述间隙,金属遮挡部23覆盖于金属掩膜板12的第二表面122。
请继续参见图4,金属遮挡部23对应所述金属掩膜板12的区域具有半刻凹槽部231,金属遮挡部23具有形成所述半刻凹槽部231的槽底2311以及位于槽底2311周边的槽侧壁2312,所述金属掩膜板12位于所述半刻凹槽部231内,且所述金属掩膜板12的所述第二表面122与槽底2311接触,所述金属掩膜板12的所述第一表面121与槽侧壁2312的远离槽底2311的第三表面2313位于同一平面。如此,金属遮挡部(本实施例中为金属条)由金属框架11与金属掩膜板12之间的间隙穿过,使得金属掩膜板12对应金属遮挡部23的区域能够卡设于金属遮挡部23的半刻凹槽部231,且金属掩膜板12的第二表面122与槽底2311接触,金属遮挡部23的部分槽侧壁2312则由超规格图形开口126穿出,从而藉由槽侧壁2312与槽底2311共同对超规格图形开口进行补偿遮挡,而且能够使得金属遮挡部的槽侧壁与金属掩膜板的第一表面尽可能地在同一水平面上。
其中,上述半刻凹槽部231例如采用半蚀刻工艺形成。另外,由于金属掩膜板的各第一图形开口之间有间隔,所以对应的可以将金属遮挡部23上与此间隔对应的槽侧壁部分做蚀刻。
本实施例中,通过金属遮挡部(金属条)的设置以及对相应金属遮挡部做特殊图形设计,具体例如本实施例中的半刻凹槽部,用以匹配金属掩膜板的一体式网面,从而保证金属遮挡部与金属掩膜板网面高度位置保持一致,进而解决蒸镀过程金属掩膜板与基板贴合情况而保证蒸镀效果。
请参见图5和图6,图5为本发明再一实施例的蒸镀掩膜板组件的分解示意图,图6为图1中的蒸镀掩膜板组件的组合示意图。本实施例中,同样的,蒸镀掩膜板组件包括中空的金属框架11、金属掩膜板12以及金属遮挡部33,其中金属框架11以及金属掩膜板均匀上述实施例相同(在此不再赘述),不同之处在于金属遮挡部33的设计。本实施例中,金属遮挡部33具有多个第二图形开口331,这些第二图形开口331与这些第一图形开口123一一对应,且第二图形开口331的尺寸小于第一图形开口123的尺寸,其中所述第二图形开口331与所述预设图形开口的尺寸相同。其中上述金属遮挡部33例如由多个金属横条332和多个金属竖条333交叉排列形成,且第二图形开口331的大小即为预设图形开口的大小。
也就是说,本实施例中,将金属遮挡部33设计呈与金属掩膜板12类似的结构,其也具有图形开口,且这些图形开口与金属掩膜板12的图形开口一一对应。在张网制作时,可以将金属掩膜板12的第一图形开口设计得比预设图形开口大一些,然后通过金属遮挡部补偿遮挡的方式覆盖于金属掩膜板上,以实现最终图形开口的需求。因为一般来说,金属掩膜板在张网过程中要保证所有图形开口均满足规格要求,较难控制,则可通过本实施例的方式进行补偿遮挡,同时也能保证金属掩膜板整体强度以及稳定性。而且,在蒸镀使用过程中,蒸镀、检查、清洗等设备以及人员操作等因素都可能会导致图形开口损伤等的问题。而此种方式的图形开口为金属条实现,其不仅能够提升金属掩膜板图形开口以及位置精度,还能保护金属掩膜板的一体式主体网面,以及在造成损伤时可通过修复相应金属条即可,从而达到降低金属掩膜板修复成本。
请参见图7,图7所示为本发明的一实施例的蒸镀掩膜板组件的制作方法的流程示意图。本发明还提供一种如上所述的蒸镀掩膜板组件的制作方法,所述制作方法包括:
步骤S1,提供金属掩膜板、金属遮挡部以及中空的金属框架,所述金属掩膜板具有面向蒸镀源的第一表面以及背向所述蒸镀源的第二表面;
步骤S2,将所述金属掩膜板的所述第二表面固定于所述金属框架上,且所述金属掩膜板具有多个第一图形开口;
步骤S3,检测所述多个第一图形开口的尺寸以及位置,并将比预设图形开口尺寸大的第一图形开口定义为超规格图形开口;以及
步骤S4,对应所述超规格图形开口设置所述金属遮挡部覆盖于所述金属掩膜板的表面,以遮挡所述超规格图形开口超出所述预设图形开口的区域。
综上所述,本发明通过将金属掩膜板(CMM)按常规工艺完成张网后进行相应图形开口尺寸及位置精度检查,针对超出规格部分图形开口通过补焊接相应金属条(金属遮挡部)进行补偿的手段或方案,达到了改善CMM 图形开口尺寸及位置精度,进而改善蒸镀过程因CMM制作精度不足导致的产品不良的效果。
本发明已由上述相关实施例加以描述,然而上述实施例仅为实施本发明的范例。此外,上面所描述的本发明不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。必需指出的是,已揭露的实施例并未限制本发明的范围。相反地,在不脱离本发明的精神和范围内所作的更动与润饰,均属本发明的专利保护范围。

Claims (4)

1.一种蒸镀掩膜板组件,其特征在于,所述蒸镀掩膜板组件包括:
中空的金属框架;
金属掩膜板,具有面向蒸镀源的第一表面以及背向所述蒸镀源的第二表面,所述金属掩膜板的所述第二表面固定于所述金属框架上,且所述金属掩膜板具有多个第一图形开口,所述多个第一图形开口中具有比预设图形开口尺寸大的超规格图形开口;以及
金属遮挡部,固定于所述金属框架上,且所述金属遮挡部对应所述超规格图形开口设置并覆盖于所述金属掩膜板的表面,以遮挡所述超规格图形开口超出所述预设图形开口的区域;
其中,所述金属框架与所述金属掩膜板的连接处预留有间隙,所述金属遮挡部自所述金属掩膜板的所述第二表面一侧插入所述间隙,所述金属遮挡部覆盖于所述金属掩膜板的所述第二表面。
2.如权利要求1所述的蒸镀掩膜板组件,其特征在于,所述金属遮挡部对应所述金属掩膜板的区域具半刻凹槽部,所述金属遮挡部具有形成所述半刻凹槽部的槽底以及位于该槽底周边的槽侧壁,所述金属掩膜板位于所述半刻凹槽部内,且所述金属掩膜板的所述第二表面与所述槽底接触,所述金属掩膜板的所述第一表面与所述槽侧壁的远离槽底的第三表面位于同一平面。
3.如权利要求1所述的蒸镀掩膜板组件,其特征在于,所述金属掩膜板为一体式网面结构。
4.一种蒸镀掩膜板组件的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:
提供金属掩膜板、金属遮挡部以及中空的金属框架,所述金属掩膜板具有面向蒸镀源的第一表面以及背向所述蒸镀源的第二表面;
将所述金属掩膜板的所述第二表面固定于所述金属框架上,且所述金属掩膜板具有多个第一图形开口;
检测所述多个第一图形开口的尺寸以及位置,并将比预设图形开口尺寸大的第一图形开口定义为超规格图形开口;以及
对应所述超规格图形开口设置所述金属遮挡部覆盖于所述金属掩膜板的表面,以遮挡所述超规格图形开口超出所述预设图形开口的区域;
其中,所述金属框架与所述金属掩膜板的连接处预留有间隙,所述金属遮挡部自所述金属掩膜板的所述第二表面一侧插入所述间隙,所述金属遮挡部覆盖于所述金属掩膜板的所述第二表面。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113789497B (zh) * 2021-09-10 2024-02-13 京东方科技集团股份有限公司 掩膜版组件及其制造方法、显示基板、显示装置
CN114540760B (zh) * 2022-02-10 2024-02-02 广州华星光电半导体显示技术有限公司 一种掩膜版及其制作方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1406392A (zh) * 2000-12-26 2003-03-26 松下电器产业株式会社 曝光用掩膜、它的制造方法及曝光方法
JP2013209710A (ja) * 2012-03-30 2013-10-10 V Technology Co Ltd 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法及び有機el表示装置の製造方法
CN105358732A (zh) * 2013-07-02 2016-02-24 株式会社V技术 成膜掩模和成膜掩模的制造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6142194B2 (ja) * 2012-11-15 2017-06-07 株式会社ブイ・テクノロジー 蒸着マスクの製造方法及び蒸着マスク
JP5958824B2 (ja) * 2012-11-15 2016-08-02 株式会社ブイ・テクノロジー 蒸着マスクの製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1406392A (zh) * 2000-12-26 2003-03-26 松下电器产业株式会社 曝光用掩膜、它的制造方法及曝光方法
JP2013209710A (ja) * 2012-03-30 2013-10-10 V Technology Co Ltd 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法及び有機el表示装置の製造方法
CN105358732A (zh) * 2013-07-02 2016-02-24 株式会社V技术 成膜掩模和成膜掩模的制造方法

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