CN110518024B - 一种阵列基板、显示面板及显示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 54
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 105
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 27
- 230000009194 climbing Effects 0.000 abstract description 10
- 230000002411 adverse Effects 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 5
- 238000003475 lamination Methods 0.000 abstract description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
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Abstract
本发明涉及显示设备技术领域,公开了一种阵列基板、显示面板及显示装置,该阵列基板包括衬底基板、形成于所述衬底基板一侧的功能膜层、形成于所述功能膜层背离所述衬底基板一侧的栅线、形成于所述栅线背离所述功能膜层一侧的层间绝缘层、形成于所述层间绝缘层背离所述栅线一侧的数据线,其中:所述数据线与所述栅线之间相互交叉;所述功能膜层与所述栅线相对的部位的两侧形成有波动结构,且所述数据线与所述波动结构之间相互交叉。该阵列基板能够解决栅线与数据线交叠区数据线爬坡困难、产生爬坡断线的问题,解决层间绝缘层覆盖断裂导致的栅线与数据线短路的问题,降低了栅线与数据线之间叠层造成的不良影响。
Description
技术领域
本发明涉及显示设备技术领域,特别涉及一种阵列基板、显示面板及显示装置。
背景技术
针对高分辨率显示面板产品,由于分辨率的提升,导电层图案线宽减小,需将其厚度增大,以满足导电需求,如图1所示,为常规栅线和数据线相交结果示意图,包含:衬底基板01,功能膜层02,栅线03,层间绝缘层04,数据线05。
在上述情况下,会造成在横向和纵向栅线与数据线交叠区,爬坡较难,容易产生爬坡断线,栅金属膜原子扩散造成短路,层间绝缘层04覆盖断裂导至栅线与数据线短路等问题。
发明内容
本发明提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置,上述阵列基板能够解决栅线与数据线交叠区数据线爬坡困难、产生爬坡断线的问题,解决层间绝缘层覆盖断裂导致的栅线与数据线短路的问题,降低了栅线与数据线之间叠层造成的不良影响。
为达到上述目的,本发明提供以下技术方案:
一种阵列基板,包括衬底基板、形成于所述衬底基板一侧的功能膜层、形成于所述功能膜层背离所述衬底基板一侧的栅线、形成于所述栅线背离所述功能膜层一侧的层间绝缘层、形成于所述层间绝缘层背离所述栅线一侧的数据线,其中:
所述数据线与所述栅线之间相互交叉;
所述功能膜层与所述栅线相对的部位的两侧形成有波动结构,且所述数据线与所述波动结构之间相互交叉。
上述发明阵列基板中,包括衬底基板、形成于衬底基板一侧的功能膜层、形成于功能膜层背离衬底基板一侧的栅线、形成于栅线背离功能膜层一侧的层间绝缘层、形成于层间绝缘层背离栅线一侧的数据线,其中,数据线与栅线之间相互交叉,功能膜层与栅线相对的部位的两侧形成有波动结构,且数据线与波动结构之间相互交叉。上述阵列基板中,由于功能膜层与栅线相对的部位的两侧形成有波动结构,在形成层间绝缘层以及数据线时,波动结构能够减小层间绝缘层以及数据线与波动结构相对区域的膜层应力,能够解决因膜层应力大导致的爬坡断线的问题,以及解决层间绝缘层覆盖断裂导致的栅线与数据线短路的问题,降低了栅线与数据线之间叠层造成的不良影响。
可选地,所述栅线与所述数据线相对的部位为交叉部,所述功能膜层与所述交叉部相对的部位的两侧形成有所述波动结构。
可选地,所述波动结构为所述功能膜层与所述栅线相对的部位的两侧形成的凸起波动结构,所述凸起波动结构围成凹槽,沿所述衬底基板的厚度方向,所述栅线的至少一部分厚度位于所述凹槽内。
可选地,所述凸起波动结构包括一个凸起,或者包括沿所述数据线延伸方向排列的至少两个凸起。
可选地,所述凸起呈阶梯状,且所述凸起临近所述栅线的一侧的高度高于所述凸起远离所述栅线一侧的高度。
可选地,所述波动结构为所述功能膜层与所述栅线相对的部位的两侧形成的凹陷波动结构。
可选地,所述凹陷波动结构包括一个凹陷,或者,包括沿所述数据线延伸方向排列的至少两个凹陷。
可选地,所述功能膜层包括缓冲层、有源层以及栅绝缘层,所述波动结构位于所述功能膜层的任意一层上。
本发明还提供一种显示面板,包括上述技术方案中提到的任意一种阵列基板。
本发明还提供一种显示装置,包括上述技术方案中提到的任意一种显示面板。
附图说明
图1为现有技术中的一种阵列基板的结构示意图;
图2为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图;
图3为本发明实施例提供的一种栅线与数据线在功能膜层上的正投影示意图;
图4为本发明实施例提供的一种波动结构的示意图;
图5为本发明实施例提供的一种波动结构的示意图;
图6为本发明实施例提供的一种波动结构的示意图;
图7a、图7b以及图7c为本发明实施例提供的波动结构制作过程示意图。
图标:
01-衬底基板;02-功能膜层;03-栅线;04-层间绝缘层;05-数据线;
1-衬底基板;2-功能膜层;21-凸起;211-凹槽;22-凹陷;23-缓冲层;3-栅线;4-层间绝缘层;5-数据线;6-光刻胶。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
请参考图2,本发明提供一种阵列基板,包括衬底基板1、形成于衬底基板1一侧的功能膜层2、形成于功能膜层2背离衬底基板1一侧的栅线3、形成于栅线3背离功能膜层2一侧的层间绝缘层4、形成于层间绝缘层4背离栅线3一侧的数据线5,其中:
数据线5与栅线3之间相互交叉;
功能膜层2与栅线3相对的部位的两侧形成有波动结构,且数据线5与波动结构之间相互交叉。
上述发明实施例提供的阵列基板中,包括衬底基板1、形成于衬底基板1一侧的功能膜层2、形成于功能膜层2背离衬底基板1一侧的栅线3、形成于栅线3背离功能膜层2一侧的层间绝缘层4、形成于层间绝缘层4背离栅线3一侧的数据线5,其中,数据线5与栅线3之间相互交叉,功能膜层2与栅线3相对的部位的两侧形成有波动结构,且数据线5与波动结构之间相互交叉。上述阵列基板中,由于功能膜层2与栅线3相对的部位的两侧形成有波动结构,在形成层间绝缘层4以及数据线5时,波动结构能够减小层间绝缘层4以及数据线5与波动结构相对区域的膜层应力,能够解决因膜层应力大导致的爬坡断线的问题,以及解决层间绝缘层4覆盖断裂导致的栅线3与数据线5短路的问题,降低了栅线3与数据线5之间叠层造成的不良影响。
具体地,栅线3与数据线5相对的部位为交叉部,功能膜层2与交叉部相对的部位的两侧形成有波动结构。即波动结构可以只设置在栅线3与数据线5交叠的部位对应的区域。如图3所示,栅线3在功能膜层2上的正投影31与数据线5在功能膜层2上的正投影51之间相互交叉,在栅线3上与数据线5相对的交叉部两侧设置有波动结构。
在一种具体的实施方式中,如图2和图4所示,波动结构可以为功能膜层2与栅线3相对的部位的两侧形成的凸起波动结构,凸起波动结构围成凹槽211,沿衬底基板1的厚度方向,栅线3的至少一部分厚度位于凹槽211内。功能膜层2上的凸起波动结构能够减小绝缘膜层以及数据线5上的膜层应力,以改善爬坡断线的问题,以及解决层间绝缘层4覆盖断裂导致的栅线3与数据线5短路的问题,还能够很好的通过增加数据线5爬坡阶梯数,有效降低了栅线3的高度差以及侧面角度,来改善栅线3金属膜坡度差造成的爬坡难问题,并且能够防止栅线3金属膜原子扩散造成的短路问题,从而改善栅线3与数据线5之间交线工艺不良,且为进一步提升栅线3和数据线5的厚度提供了工艺可能。
具体地,如图1和图4所示,凸起波动结构可以为一个凸起21,或者还可以为沿数据线5延伸方向排列的至少两个凸起21。
具体地,凸起21的形状可以呈阶梯状,且凸起21临近栅线3的一侧的高度高于凸起21远离栅线3一侧的高度,能够增加数据线5的爬坡台阶数有效降低了栅线3的高度差以及侧面角度,来改善栅线3金属膜坡度差造成的爬坡难问题,从而改善栅线3与数据线5之间交线工艺不良,且为进一步提升栅线3和数据线5的厚度提供了工艺可能。
上述凸起波动结构中,凸起21的截面形状还可以为正方形、长方形及圆形等,在这里不做限制。
在另一种具体的实施方式中,如图5和图6,波动结构可以为功能膜层2与栅线3相对的部位的两侧形成的凹陷波动结构。凹陷波动结构能够减小层间绝缘层4以及数据线5与其对应的部位的膜层应力,改善了爬坡断线问题以及层间绝缘层4覆盖断裂导致的栅线3与数据线5短路的问题,降低了栅线3与数据线5之间叠层造成的不良影响。
具体地,如图5和图6,凹陷波动结构可以为一个凹陷22,或者,还可以为沿数据线5延伸方向排列的至少两个凹陷22。
具体地,功能膜层2包括缓冲层、有源层以及栅绝缘层,波动结构位于功能膜层2的任意一层上。该阵列基板可以为顶栅型产品。顶栅层产品的具体结构,在衬底基板11上形成有缓冲层,在缓冲层背离衬底基板11的一侧形成有有源层,在有源层背离所述缓冲层的一侧形成有栅绝缘层,在栅绝缘层背离有源层的一侧形成有栅线33,可以在缓冲层上设置波动结构,形成有源层和栅绝缘层后,栅线3的两侧相应的可以具有波动结构;还可以缓冲层正常设置,直接在栅绝缘层上设置波动结构;还可以在有源层上形成波动结构,形成栅绝缘层后,栅线3的两侧相应的可以具有波动结构。
例如,如图7a、7b以及7c所示,为波动结构的制作流程图,以在缓冲层上形成凸起21为例。首先,在衬底基板1上形成缓冲层23,如图7a所示;然后,在缓冲层上涂上光刻胶6,对光刻胶6进行曝光,得到光刻胶图案,如图7b所示;然后,对缓冲层23进行干刻刻蚀,形成波动结构;最后,去除光刻胶6,如图7c所示。
本发明还提供一种显示面板,包括上述技术方案中提到的任意一种阵列基板。
本发明还提供一种显示装置,包括上述技术方案中提到的任意一种显示面板。
显然,本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (7)
1.一种阵列基板,其特征在于,包括衬底基板、形成于所述衬底基板一侧的功能膜层、形成于所述功能膜层背离所述衬底基板一侧的栅线、形成于所述栅线背离所述功能膜层一侧的层间绝缘层、形成于所述层间绝缘层背离所述栅线一侧的数据线,其中:
所述数据线与所述栅线之间相互交叉;
所述功能膜层与所述栅线相对的部位的两侧形成有波动结构,且所述数据线与所述波动结构之间相互交叉;
所述功能膜层背离所述衬底基板一侧的表面位于所述波动结构两侧的区域平齐;
所述波动结构为所述功能膜层与所述栅线相对的部位的两侧形成的凸起波动结构,所述凸起波动结构围成凹槽,沿所述衬底基板的厚度方向,所述栅线的一部分位于所述凹槽内。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述栅线与所述数据线相对的部位为交叉部,所述功能膜层与所述交叉部相对的部位的两侧形成有所述波动结构。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述凸起波动结构包括一个凸起,或者包括沿所述数据线延伸方向排列的至少两个凸起。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述凸起呈阶梯状,且所述凸起临近所述栅线的一侧的高度高于所述凸起远离所述栅线一侧的高度。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述功能膜层包括缓冲层、有源层以及栅绝缘层,所述波动结构位于所述功能膜层的任意一层上。
6.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1-5任一项所述的阵列基板。
7.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求6所述的显示面板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910963156.2A CN110518024B (zh) | 2019-10-11 | 2019-10-11 | 一种阵列基板、显示面板及显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201910963156.2A CN110518024B (zh) | 2019-10-11 | 2019-10-11 | 一种阵列基板、显示面板及显示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN110518024A CN110518024A (zh) | 2019-11-29 |
CN110518024B true CN110518024B (zh) | 2022-05-20 |
Family
ID=68634340
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201910963156.2A Active CN110518024B (zh) | 2019-10-11 | 2019-10-11 | 一种阵列基板、显示面板及显示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN110518024B (zh) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111697008B (zh) * | 2020-06-22 | 2023-07-14 | 成都京东方显示科技有限公司 | 阵列基板及阵列基板制作方法 |
CN112768478B (zh) * | 2021-01-19 | 2023-04-07 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种显示面板以及显示面板的制作方法 |
CN117280891A (zh) * | 2022-04-19 | 2023-12-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及制作方法、显示装置 |
CN117321487A (zh) * | 2022-04-27 | 2023-12-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、显示面板和显示装置 |
CN114815426A (zh) * | 2022-05-10 | 2022-07-29 | 广州华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及显示面板 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5409024B2 (ja) * | 2008-02-15 | 2014-02-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2012014868A (ja) * | 2010-06-29 | 2012-01-19 | Sony Corp | 表示装置 |
WO2012090799A1 (en) * | 2010-12-28 | 2012-07-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
CN103199060B (zh) * | 2013-02-17 | 2015-06-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法及显示装置 |
CN106783896B (zh) * | 2017-03-31 | 2020-01-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、显示面板和显示装置 |
CN109860207B (zh) * | 2019-02-27 | 2022-07-19 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置 |
-
2019
- 2019-10-11 CN CN201910963156.2A patent/CN110518024B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110518024A (zh) | 2019-11-29 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |