CN212433551U - 一种显示基板及显示装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型提供一种显示基板及显示装置，该显示基板包括：衬底基板；形成于衬底基板之上的栅金属图形，栅金属图形包括多根栅金属走线；形成于栅金属图形的远离衬底基板的一侧的源漏金属图形，包括多根源漏金属走线；栅金属走线与源漏金属走线交叉设置，且栅金属走线在与源漏金属走线交叉的位置，以第一分界线为界线，划分为第一走线部分和第二走线部分，且第一走线部分和第二走线部分在第一分界线的延伸方向上错开预定距离，并连接为一体，第一分界线与源漏金属走线的走线方向相同。本实用新型的显示基板及显示装置，能够改善显示基板中处于上、下层关系且交叉设置的两层信号走线在交叉位置位于上层的信号走线爬坡处容易断开所造成的显示不良。

Description

一种显示基板及显示装置

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板及显示装置。

背景技术

随着液晶显示的广泛应用，解决各种显示不良和优化显示效果的技术和设计也在逐步发展。在相关技术中，显示器件有一种显示不良是：基于TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)基板工艺制作流程，数据线(即Data线，由源漏金属层形成)在栅线和公共电极线(即Gate&Com线，由栅金属层形成)上面形成，由于栅线和公共电极线具有一定的厚度，因此，数据线在跨越栅线和公共电极线时会形成一定的坡度跨越，而数据线较细，在爬坡处容易断开造成显示不良，降低产品良率，降低收益。

实用新型内容

为了解决上述技术问题，本实用新型提供一种显示基板及显示装置，能够改善显示基板中处于上、下层关系且交叉设置的两层信号走线在交叉位置位于上层的信号走线爬坡处容易断开所造成的显示不良。

为了达到上述目的，本实用新型采用的技术方案是：

本实用新型一方面提供了一种显示基板，包括：

衬底基板；

形成于所述衬底基板之上的栅金属图形，所述栅金属图形包括多根栅金属走线；

及，形成于所述栅金属图形的远离所述衬底基板的一侧的源漏金属图形，所述源漏金属图形包括多根源漏金属走线；

其中所述栅金属走线与所述源漏金属走线交叉设置，且所述栅金属走线在与所述源漏金属走线交叉的位置，以第一分界线为界线，划分为第一走线部分和第二走线部分，且所述第一走线部分和所述第二走线部分在所述第一分界线的延伸方向上错开预定距离，并连接为一体，所述第一分界线与所述源漏金属走线的走线方向相同。

示例性的，所述预定距离为0.9～1.1μm。

示例性的，所述预定距离为1μm。

示例性的，所述栅金属走线包括栅线和/或公共电极线；

所述源漏金属走线包括数据线。

示例性的，所述第一走线部分和所述第二走线部分在垂直于该栅金属走线的走线方向上的线宽相同。

示例性的，所述栅线中，所述第一走线部分和所述第二走线部分在垂直于该栅金属走线的走线方向上的线宽均为24±1μm；

所述公共电极线中，所述第一走线部分和所述第二走线部分在垂直于该栅金属走线的走线方向上的线宽均为10±1μm。

示例性的，所述源漏金属走线在垂直于所述源漏金属走线的走线方向上的线宽为7±1μm。

本实用新型的另一方面提供了一种显示装置，包括如上所述的显示基板。

本实用新型所带来的技术效果如下：

本公开实施例所提供的显示基板及显示装置，栅金属走线在与源漏金属走线交叉的位置划分为第一走线部分和第二走线部分，且所述第一走线部分和所述第二走线部分在所述第一分界线的延伸方向上错开预定距离，并连接为一体，也就是说，将栅金属走线在与源漏金属走线的走线方向垂直的方向上分为两部分走线，并且两部分走线进行错位设计，这样，源漏金属走线跨越栅金属走线上的错位结构所在位置时，跨越处由水平线变成具有一定倾角的斜线，从而，既能增大源漏金属走线爬坡跨越宽度，而改善断线，又不会增加源漏金属走线与栅金属走线之间的电容，不会增加像素Load。

附图说明

图1表示本公开实施例中的显示基板中栅金属线和源漏金属线交叉位置的局部结构示意图；

图2表示本公开一些示例性实施例中显示基板中栅线、公共电极线与数据线交叉位置的具体结构示意图。

具体实施方式

为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例的附图，对本实用新型实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本实用新型的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

在本实用新型的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

在对本公开实施例提供的显示基板进行详细说明之前，有必要对于现有技术进行以下说明：

随着液晶显示的广泛应用，解决各种显示不良和优化显示效果的技术和设计也在逐步发展。在相关技术中，显示器件有一种显示不良是：基于TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)基板工艺制作流程，数据线(即Data线，由源漏金属层形成)在栅线和公共电极线(即Gate&Com线，由栅金属层形成)上面形成，由于栅线和公共电极线具有一定的厚度，因此，数据线在跨越栅线和公共电极线时会形成一定的坡度跨越，而数据线较细，在爬坡处容易断开造成显示不良，降低产品良率，降低收益。

而在相关技术中，为了解决数据线在爬坡处容易断开导致的不良，采用的改善方式是，在爬坡处增加数据线的宽度，但是在爬坡处增加数据线的宽度同时会增大数据线与栅线和公共电极线之间电容，而降低充电率，从而影响产品的显示质量。

针对上述问题，如图1所示，本实用新型实施例中提供了一种显示基板，包括：

衬底基板100；

形成于所述衬底基板100之上的栅金属图形，所述栅金属图形包括多根栅金属走线200；

及，形成于所述栅金属图形的远离所述衬底基板100的一侧的源漏金属图形，所述源漏金属图形包括多根源漏金属走线300；

其中所述栅金属走线200与所述源漏金属走线300交叉设置，且所述栅金属走线200在与所述源漏金属走线300交叉的位置，以第一分界线K为界线，划分为第一走线部分210和第二走线部分220，且所述第一走线部分210和所述第二走线部分220在所述第一分界线K的延伸方向上错开预定距离d，并连接为一体，所述第一分界线K与所述源漏金属走线300的走线方向相同。

上述公开实施例中，所述栅金属走线200在与所述源漏金属走线300交叉的位置划分为第一走线部分210和第二走线部分220，且所述第一走线部分210和所述第二走线部分220在所述第一分界线K的延伸方向上错开预定距离d，并连接为一体，也就是说，将所述栅金属走线200在与源漏金属走线300的走线方向垂直的方向上分为两部分走线，且两部分走线进行错位设计。为了便于说明，以图所示为例，将栅金属走线200分为左、右两部分走线，并且这两部分走线上、下错位设计，这样，源漏金属走线300在跨越栅金属走线200的错位结构时，跨越线由水平线变成具有一定倾角的斜线，从而，可以在不增加源漏金属走线300的宽度的情况下，增大源漏金属走线300爬坡跨越宽度而改善断线，又不会增加源漏金属走线300与栅金属走线200之间的电容，不会增加像素负载(Load)。

在本公开所提供的实施例中，所述栅金属走线200可以是栅线201和公共电极线202中的至少一种；所述源漏金属走线300包括数据线301。

例如，图所示的一些实施例中，所述栅线201和所述公共电极线202均与所述数据线301交叉设置，在所述栅线201和所述公共电极线202上均进行了错位设计，所述栅线201在与所述数据线301交叉的位置，以第一分界线K划分为第一部分栅线201a和第二部分栅线201b，其中所述第一部分栅线201a和所述第二部分栅线201b在所述第一分界线K的延伸方向上错开预定距离d，以进行错位设计，所述数据线301在跨越所述第一部分栅线201a和所述第二部分栅线201b错位处时，跨越线不再是水平线，而是具有一定倾角的斜线，从而增大源漏金属走线300爬坡跨越宽度而改善断线；所述公共电极线202在与所述数据线301交叉的位置，以第一分界线K划分为第一部分公共电极线202a和第二部分公共电极线202b，其中所述第一部分公共电极线202a和所述第二部分公共电极线202b在所述第一分界线K的延伸方向上错开预定距离d，以进行错位设计，所述数据线301在跨越所述第一部分公共电极线202a和所述第二部分公共电极线202b错位处时，跨越线不再是水平线，而是具有一定倾角的斜线，从而增大源漏金属走线300爬坡跨越宽度而改善断线。

此外，所述显示基板可以是阵列基板，在该显示基板上设置多根所述栅线201和多根所述数据线301，所述栅线201和所述数据线301交叉设置而限定出多个像素，所述公共电极线202与所述栅线201平行设置，也就是说，所述栅线201、所述公共电极线202和所述数据线301设置在像素之间的非显示区域，所述非显示区域的宽度，受所述栅线201的线宽以及栅线201与公共电极线202之间的间距等影响，因此，所述非显示区域的宽度会受所述栅线201和所述公共电极线202上错位尺寸影响。

为了保证像素开口率，所述像素之间的非显示区域的宽度不能过大，因此，在本公开实施例所提供的显示基板中，所述预定距离d的取值范围为0.9～1.1μm。

也就是说，所述栅线201的第一部分栅线201a和所述第二部分栅线201b在所述第一分界线K的延伸方向上错位距离应在0.9～1.1μm之间，所述公共电极线202的第一部分公共电极线202a和所述第二部分公共电极线202b在所述第一分界线K的延伸方向上错位距离应在0.9～1.1μm之间，这样，对所述像素之间的非显示区域的宽度不会造成影响。进一步的，所述预定距离d为1μm。当然可以理解的是，以上仅是示例，在实际应用中，所述预定距离d不仅限于此。

此外，在本公开一些示例性的实施例中，所述第一走线部分210和所述第二走线部分220在垂直于该栅金属走线200的走线方向上的线宽相同。也就是说，对于所述栅金属走线200自身的线宽不进行改变，仅仅是将第一走线部分210和第二走线部分220进行错位即可。

此外，在本公开一些示例性的实施例中，所述栅线201中，所述第一走线部分210和所述第二走线部分220在垂直于该栅金属走线200的走线方向上的线宽均为24±1μm；所述公共电极线202中，所述第一走线部分210和所述第二走线部分220在垂直于该栅金属走线200的走线方向上的线宽均为10±1μm。

在上述公开实施例中，所述栅线201的线宽大约在24μm左右，所述公共电极线202的线宽大约在10μm左右。当然可以理解的是，在实际应用中，所述栅线201的线宽和所述公共电极线202的线宽具体尺寸不仅限于此。

此外，在相关技术中，为了改善源漏金属走线300在爬坡处断开的问题，所述源漏金属走线300增宽，大约为大于或等于8μm，这样会增大源漏金属走线300与栅金属走线200之间的电容，而本公开一些示例性的实施例中，如图所示，所述源漏金属走线300在垂直于所述源漏金属走线300的走线方向上的线宽为7±1μm，进一步的，所述源漏金属走线300为7.0μm，不会增大源漏金属走线300与栅金属走线200之间的电容。

当然，以上仅是示例，针对不同产品型号，各所述源漏金属走线300和所述栅金属走线200的具体线宽不限于此。

此外，本公开还提供了一种显示装置，包括本公开实施例所提供的显示基板。显然，本公开实施例所提供的显示装置也能够带来本公开实施例所提供的显示基板所带来的有益效果，在此不再赘述。

所述显示装置可以为：液晶电视、液晶显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件，其中，所述显示装置还包括柔性电路板、印刷电路板和背板。

有以下几点需要说明：

(1)本公开实施例附图只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。

(2)为了清晰起见，在用于描述本公开的实施例的附图中，层或区域的厚度被放大或缩小，即这些附图并非按照实际的比例绘制。可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”或者可以存在中间元件。

(3)在不冲突的情况下，本公开的实施例及实施例中的特征可以相互组合以得到新的实施例。

以上，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (8)

1.一种显示基板，其特征在于，包括：

衬底基板；

形成于所述衬底基板之上的栅金属图形，所述栅金属图形包括多根栅金属走线；

及，形成于所述栅金属图形的远离所述衬底基板的一侧的源漏金属图形，所述源漏金属图形包括多根源漏金属走线；

其中所述栅金属走线与所述源漏金属走线交叉设置，且所述栅金属走线在与所述源漏金属走线交叉的位置，以第一分界线为界线，划分为第一走线部分和第二走线部分，且所述第一走线部分和所述第二走线部分在所述第一分界线的延伸方向上错开预定距离，并连接为一体，所述第一分界线与所述源漏金属走线的走线方向相同。

2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，

所述预定距离为0.9～1.1μm。

3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，

所述预定距离为1μm。

4.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，

所述栅金属走线包括栅线和/或公共电极线；

所述源漏金属走线包括数据线。

5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，

所述第一走线部分和所述第二走线部分在垂直于该栅金属走线的走线方向上的线宽相同。

6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，

所述栅线中，所述第一走线部分和所述第二走线部分在垂直于该栅金属走线的走线方向上的线宽均为24±1μm；

所述公共电极线中，所述第一走线部分和所述第二走线部分在垂直于该栅金属走线的走线方向上的线宽均为10±1μm。

7.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，

所述源漏金属走线在垂直于所述源漏金属走线的走线方向上的线宽为7±1μm。

8.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至7任一项所述的显示基板。

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