CN115356879B - 显示面板 - Google Patents

显示面板 Download PDF

Info

Publication number
CN115356879B
CN115356879B CN202211291610.2A CN202211291610A CN115356879B CN 115356879 B CN115356879 B CN 115356879B CN 202211291610 A CN202211291610 A CN 202211291610A CN 115356879 B CN115356879 B CN 115356879B
Authority
CN
China
Prior art keywords
sub
signal transmission
display panel
layer
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202211291610.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN115356879A (zh
Inventor
蒙艳红
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Guangzhou China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Original Assignee
Guangzhou China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Guangzhou China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd filed Critical Guangzhou China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
Priority to CN202211291610.2A priority Critical patent/CN115356879B/zh
Publication of CN115356879A publication Critical patent/CN115356879A/zh
Priority to US18/088,969 priority patent/US20240134237A1/en
Application granted granted Critical
Publication of CN115356879B publication Critical patent/CN115356879B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134372—Electrodes characterised by their geometrical arrangement for fringe field switching [FFS] where the common electrode is not patterned
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H01L27/1244—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits for preventing breakage, peeling or short circuiting

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明公开了一种显示面板。其包括基板、第一金属层、绝缘层、第二金属层以及导通层；第一金属层包括至少一第一信号传输部；绝缘层包括覆盖第一信号传输部的凸起部；第二金属层包括至少一第二信号传输部，第二信号传输部包括设置于凸起部远离第一信号传输部一侧的第一子部以及分别连接于第一子部两端的第二子部和第三子部；导通层包括设置于第二信号传输部远离第一信号传输部一侧的桥接部；其中，第二子部在基板上的正投影以及第三子部在基板上的正投影皆位于凸起部在基板上的正投影的覆盖范围以外，桥接部的两端分别电性连接于第二子部和第三子部。本发明可以改善由于第二信号传输部的断线而信号传输中断的现象。

Description

显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板。
背景技术
目前，在显示面板的阵列基板中，通常设置有多层绝缘层以及金属层，其中，金属层可用于构成薄膜晶体管或者信号线，以实现显示面板的显示，而绝缘层可用于对不同层或者传输不同信号的金属层进行间隔。
例如，在阵列基板中，金属层和栅极之间可设置栅极绝缘层进行间隔绝缘；但是，栅极绝缘层在覆盖栅极的位置会形成斜坡部，进而金属层在与栅极的重叠处也会形成爬坡，而金属层接触的栅极绝缘层通常为氧化硅层，其与金属层之间的粘附力较小，导致金属层与氧化硅层之间在爬坡处容易发生剥离，进而在对金属层进行刻蚀时，蚀刻液容易发生渗透，并对金属层产生过刻蚀，导致金属层发生断线。
发明内容
本发明实施例提供一种显示面板，能够改善由于第一信号传输部发生断裂，而使得信号传输中断的现象，提高显示面板的良品率。
本发明实施例提供一种显示面板，其包括：
基板；
第一金属层，设置于所述基板上，并包括至少一第一信号传输部；
绝缘层，覆盖所述基板和所述第一金属层，所述绝缘层包括覆盖所述第一信号传输部的凸起部；
第二金属层，设置于所述绝缘层远离所述第一金属层的表面，并包括至少一第二信号传输部，所述第二信号传输部包括设置于所述凸起部远离所述第一信号传输部一侧的第一子部以及分别连接于所述第一子部两端的第二子部和第三子部；以及
导通层，设置于所述第二金属层远离所述绝缘层的一侧，并包括设置于所述第二信号传输部远离所述第一信号传输部一侧的桥接部；
其中，所述第二子部在所述基板上的正投影以及所述第三子部在所述基板上的正投影皆位于所述凸起部在所述基板上的正投影的覆盖范围以外，所述桥接部的两端分别电性连接于所述第二子部和所述第三子部。
在本发明的一种实施例中，所述显示面板还包括设置于所述基板上的多个薄膜晶体管以及与各所述薄膜晶体管电性连接的数据线，所述薄膜晶体管包括栅极、有源部以及与所述有源部搭接的源极和漏极；
其中，所述第一信号传输部为所述栅极，所述第一子部为所述源极，所述第二子部和所述第三子部皆为所述数据线，所述源极位于所述凸起部远离所述栅极的一侧，所述数据线连接于所述源极的两端，且所述数据线在所述基板上的正投影位于所述凸起部在所述基板上的正投影的覆盖范围以外，所述桥接部的两端皆电性连接于所述数据线。
在本发明的一种实施例中，所述显示面板还包括设置于所述显示面板的非显示区内的第一走线、第二走线、第三走线以及第四走线；
所述第一信号传输部为所述第四走线，所述第一子部为所述第一走线，所述第二子部为所述第二走线，所述第三子部为所述第三走线，且第一走线位于所述凸起部远离所述第四走线的一侧，所述第二走线和所述第三走线分别连接于所述第一走线的两端，所述桥接部的两端分别连接于所述第二走线和所述第三走线。
在本发明的一种实施例中，所述显示面板还包括设置于所述第二金属层和所述导通层之间的间隔层，所述间隔层包括第一接触孔以及第二接触孔，且所述桥接部穿过所述第一接触孔与所述第二子部连接，所述桥接部穿过所述第二接触孔与所述第三子部连接；
其中，所述第一接触孔在所述基板上的正投影以及所述第二接触孔在所述基板上的正投影皆位于所述凸起部在所述基板上的正投影的覆盖范围以外。
在本发明的一种实施例中，所述间隔层包括设置于所述第二金属层和所述导通层之间的至少一层间介质层，所述导通层还包括公共电极，所述公共电极与所述桥接部间隔设置。
在本发明的一种实施例中，所述间隔层包括设置于所述第二金属层和所述导通层之间的至少两层间介质层，所述显示面板还包括夹设于任意相邻两所述层间介质层之间的公共电极；
其中，所述导通层还包括像素电极，所述像素电极与所述桥接部间隔设置。
在本发明的一种实施例中，所述第一接触孔以及所述第二接触孔皆穿过至少两所述层间介质层，且在所述第一接触孔以及所述第二接触孔处，所述公共电极与所述桥接部之间相间隔设置。
在本发明的一种实施例中，所述间隔层包括设置于所述第二金属层和所述导通层之间的至少一层间介质层，所述显示面板还包括设置于至少一所述层间介质层远离所述第二金属层一侧的公共电极层，所述导通层设置于所述公共电极层远离至少一所述层间介质层的一面上；
其中，所述导通层还包括与所述桥接部间隔设置的辅助电极，所述公共电极层包括设置于所述桥接部和至少一所述层间介质层之间的隔垫电极以及设置于所述辅助电极和至少一所述层间介质层之间的公共电极，且所述隔垫电极与所述公共电极间隔设置。
在本发明的一种实施例中，所述导通层包括多个所述辅助电极，多个所述辅助电极沿第一方向延伸且沿第二方向排列于所述公共电极远离至少一所述层间介质层的一面上，以使得多个所述辅助电极与所述公共电极电性连接，且所述第一方向与所述第二方向相异。
在本发明的一种实施例中，所述第二金属层包括多个所述第二信号传输部，且多个所述第二信号传输部沿所述第一方向延伸且沿所述第二方向排列于所述绝缘层远离所述第一金属层的一面上，每一所述辅助电极对应设置于一个所述第二信号传输部远离所述第一金属层的一侧。
根据本发明的上述目的，本发明实施例还提供一种显示装置，所述显示装置包括所述显示面板。
本发明的有益效果：本发明通过在第二信号传输部上方设置桥接部，且使得桥接部的两端分别与第二子部和第三子部电性连接，以使得桥接部和第一子部并联，其中，第二子部和第三子部皆与凸起部重叠；因此，即使当第一子部在凸起部的侧壁处发生断线时，信号也可以通过桥接部进行传输，并不会使得信号传输中断，改善了由于第二信号传输部发生断线而导致信号传输中断的现象，提高了显示面板的良品率和稳定性；此外，本发明设置桥接部与第二信号传输部并联，进而可以降低第二信号传输部的电阻，提高第二信号传输部的电流传输效率，提高了显示面板的显示效果。
附图说明
图1为相关技术中显示面板的一种平面分布结构示意图；
图2为相关技术中显示面板沿图1中aa线截得的截面结构示意图；
图3为相关技术中显示面板沿图1中bb线截得的截面结构示意图；
图4为本发明实施例提供的显示面板的一种平面分布结构示意图；
图5为本发明实施例提供的显示面板沿图4中AA线截得的截面结构示意图；
图6为本发明实施例提供的显示面板沿图4中BB线截得的截面结构示意图；
图7为本发明实施例提供的显示面板在非显示区内的一种截面结构示意图；
图8为本发明实施例提供的显示面板的一种平面分布结构示意图；
图9为本发明实施例提供的显示面板沿图8中CC线截得的截面结构示意图；
图10为本发明实施例提供的显示面板沿图8中DD线截得的截面结构示意图；
图11为本发明实施例提供的显示面板在非显示区内的另一种截面结构示意图；
图12为本发明实施例提供的显示面板的一种平面分布结构示意图；
图13为本发明实施例提供的显示面板沿图12中EE线截得的截面结构示意图；
图14为本发明实施例提供的显示面板沿图12中FF线截得的截面结构示意图；
图15为本发明实施例提供的显示面板在非显示区内的另一种截面结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在相关技术中，请参照图1、图2以及图3，显示面板包括设置于基板上的薄膜晶体管，具体包括设置于基板上的栅电极1、覆盖栅电极1的栅绝缘层5、设置于栅绝缘层5上并对应栅电极1的有源层2以及设置于有源层2两侧的源电极3和漏电极4，且显示面板还包括与薄膜晶体管中的源电极3电性连接的数据线，而数据线与源电极3为一体成型设置。其中，栅绝缘层5在覆盖栅电极1时将在位置c形成爬坡，而源电极3在爬坡位置c容易发生断线，进而使得数据线的信号传输中断，进而会影响显示面板的正常显示功能。
请参照图4、图5以及图6，本发明实施例还提供一种显示面板，该显示面板包括基板10、第一金属层、绝缘层30、第二金属层以及导通层50。
其中，第一金属层设置于基板10上，并包括至少一第一信号传输部20；绝缘层30覆盖基板10和第一金属层，绝缘层30包括覆盖第一信号传输部20的凸起部31；第二金属层设置于绝缘层30远离第一金属层的表面，并包括至少一第二信号传输部40，第二信号传输部40包括设置于凸起部31远离第一信号传输部20一侧的第一子部41以及分别连接于第一子部41两端的第二子部42和第三子部43；导通层50设置于第二金属层远离绝缘层30的一侧，并包括设置于第二信号传输部40远离第一信号传输部20一侧的桥接部51。
进一步地，第二子部42在基板10上的正投影以及第三子部43在基板10上的正投影皆位于凸起部31在基板10上的正投影的覆盖范围以外，桥接部51的两端分别电性连接于第二子部42和第三子部43。
在实施应用过程中，第二信号传输部40包括位于凸起部31上的第一子部41以及连接于第一子部41两端的第二子部42和第三子部43，而第二子部42和第三子部43皆与凸起部31不重叠；本发明实施例通过在第二信号传输部40上方设置桥接部51，且使得桥接部51的两端分别与第二子部42和第三子部43电性连接，以使得桥接部51和第一子部41并联；因此，即使当第一子部41在凸起部31的侧壁处发生断线时，信号也可以通过桥接部51进行传输，并不会使得信号传输中断，提高了显示面板的良品率和稳定性；此外，本发明实施例将第二信号传输部40并联桥接部51，进而可以降低第二信号传输部40的电阻，提高第二信号传输部40的电流传输效率，提高了显示面板的显示效果。
在本发明的一种实施例中，请继续参照图4、图5、图6以及图7，该显示面板包括基板10、设置于基板10上的第一金属层、设置于基板10上并覆盖第一金属层的绝缘层30、设置于绝缘层30上的半导体层、设置于绝缘层30和半导体层上的第二金属层、设置于绝缘层30上并覆盖半导体层和第二金属层的至少一层间介质层、设置于层间介质层上的导通层50、设置于层间介质层上且覆盖导通层50的第三介质层63以及设置于第三介质层63上的像素电极81。
其中，第一金属层包括设置于基板10上的第一信号传输部20，绝缘层30覆盖基板10和第一信号传输部20，并形成有覆盖第一信号传输部20的凸起部31。可以理解的是，第一信号传输部20凸出于基板10的表面，而绝缘层30在覆盖第一信号传输部20时，在第一信号传输部20凸出于基板10处形成凸起部31。
第二金属层设置于半导体层和绝缘层30上，且第二金属层包括第二信号传输部40，第二信号传输部40包括设置于凸起部31远离第一信号传输部20一侧的第一子部41以及分别连接于第一子部41两端的第二子部42和第三子部43；需要说明的是，第二子部42在基板10上的正投影以及第三子部43在基板10上的正投影皆位于凸起部31在基板10上的正投影的覆盖范围以外。
至少一层间介质层包括覆盖第二金属层的第一介质层61、设置于第一介质层61远离第二金属层一侧的第二介质层62；其中，第一介质层61可为无机绝缘材料制成，而第二介质层62可为有机绝缘材料制成。
导通层50设置于第二介质层62远离第一介质层61的一侧，导通层50包括间隔设置的桥接部51以及公共电极71，其中，桥接部51的两端分别与第二子部42和第三子部43电性连接。即至少一层间介质层中设置有第一接触孔601和第二接触孔602，而第一接触孔601和第二接触孔602皆穿过第一介质层61和第二介质层62，此外，第一接触孔601在基板10上的正投影、第二接触孔602在基板10上的正投影皆位于凸起部31在基板10上的正投影的覆盖范围以外。其中，桥接部51的一端穿过第一接触孔601与第二子部42连接，桥接部51的另一端穿过第二接触孔602与第三子部43连接，以使得桥接部51与第一子部41并联。由于凸起部31的侧壁处形成有爬坡，而第二信号传输部40中的第一子部41覆盖在爬坡处，进而第一子部41容易发生断裂，使得第二信号传输部40的信号传输中断，而本发明实施例中通过设置桥接部51与第一子部41并联，即使当第一子部41发生在爬坡处发生断裂时，桥接部51依然可以实现第二信号传输部40的信号传输，提高了显示面板的良品率和显示效果。
进一步地，像素电极81设置于第三介质层63上，且像素电极81可与公共电极71公共形成电场，进而本发明实施例提供的显示面板可用于边缘场开关(Fringe FieldSwitching，FFS)型液晶显示器。
在本发明实施例中，显示面板还包括设置于基板10上的多个薄膜晶体管以及与各薄膜晶体管电性连接的数据线，其中，薄膜晶体管包括栅极21、有源部60以及与有源部60搭接的源极和漏极44。
具体地，请参照图5和图6，显示面板包括显示区101，而多个薄膜晶体管设置于显示区101内。其中，第一信号传输部20包括栅极21，半导体层包括位于栅极21上方的有源部60，第二金属层包括漏极44，第二信号传输部40包括源极和数据线；即第一子部41可以为源极，第二子部42和第三子部43皆可以为数据线。源极和漏极44位于有源部60的两侧，且数据线连接于源极的两端，以与源极一体成型设置，其中，绝缘层30在覆盖栅极21时，形成有凸起部31，有源部60位于凸起部31远离栅极21的一侧表面，源极位于凸起部31以及有源部60皆远离栅极21的一面上并覆盖凸起部31的部分侧壁，而数据线连接于源极的两端，且数据线在基板10上的正投影与凸起部31在基板10上的正投影不重叠设置，而桥接部51的两端分别与源极两侧的数据线连接，以实现桥接部51与源极并联，进而可以避免由于源极在凸起部31的侧壁处发生断裂而使得数据线的信号传输中断的概率，提高了显示面板的良品率和显示效果。
需要说明的是，像素电极81穿过第三介质层63、第二介质层62以及第一介质层61与漏极44搭接，以实现信号的传输，并可与公共电极71形成电场。此外，由于显示面板包括设置于显示区101内的多条数据线，而各数据线皆沿同一方向进行排列，以将信号传输至各薄膜晶体管中，进而数据线由于传输路径较长以及电阻的原因，也容易发生信号传输衰减，而本发明实施例中可以通过设置与源极并联的桥接部51，以降低数据线的电阻，提高信号传输效率，提高显示效果。
另外，显示面板还包括与显示区101邻接的非显示区102，而显示面板还包括设置于非显示区102内的多条走线，用于为显示区101内的信号线或者电极件传输信号，例如多条走线可以包括第一走线、第二走线、第三走线以及第四走线22。
具体地，请参照图7，第一子部41可以为第一走线，第二子部42可以为第二走线，第三子部43可以为第三走线，而第一信号传输部20可以为第四走线22；其中，凸起部31覆盖第四走线22，而第一走线设置于凸起部31远离第四走线22的一侧，第二走线和第三走线分别连接于第一走线的两端，以与第一走线一体成型设置，且第二走线在基板10上的正投影以及第三走线在基板10上的正投影皆位于凸起部31在基板10上的正投影的覆盖范围以外。桥接部51的两端分别与第二走线和第三走线连接，以使得桥接部51与第一走线并联，进而可以避免由于第一走线在凸起部31的侧壁处发生断裂而使得第二走线和第三走线的信号传输中断的概率，提高了显示面板的良品率和显示效果。
需要说明的是，第一走线、第二走线以及第三走线相连接，并可以与显示区101内的数据线进行连接，以为显示区101内的各薄膜晶体管传输信号，而第四走线22可以为非显示区102内与第一走线具有重叠的走线，并可以与栅极21同层设置。
承上，在本发明实施例中，第二信号传输部40包括位于凸起部31上的第一子部41以及连接于第一子部41两端的第二子部42和第三子部43，而第二子部42和第三子部43皆与凸起部31不重叠；本发明实施例通过在第二信号传输部40上方设置桥接部51，且使得桥接部51的两端分别与第二子部42和第三子部43电性连接，以使得桥接部51和第一子部41并联；因此，即使当第一子部41在凸起部31的侧壁处发生断线时，信号也可以通过桥接部51进行传输，并不会使得信号传输中断，提高了显示面板的良品率和稳定性；此外，本发明通过设置桥接部51与第二信号传输部40并联，进而可以降低第二信号传输部40的电阻，提高第二信号传输部40的电流传输效率，提高了显示面板的显示效果；此外，本发明实施例中，桥接部51可以与公共电极71同层制备，进而不需要增加光罩等工艺，即可改善显示面板中第二信号传输部40发生断线的现象，提高了显示面板的良品率。
在本发明的另一种实施例中，请参照图8、图9、图10以及图11，本实施例与上一实施例的区别之处在于：导通层50和第二金属层之间设置有三层层间介质层，具体包括第一介质层61、第二介质层62以及第三介质层63，而公共电极71夹设于第二介质层62和第三介质层63之间；此外，导通层50设置于第三介质层63远离公共电极71的一侧，导通层50包括桥接部51以及像素电极81。
需要说明的是，在本发明的其他实施中，公共电极71还可以设置于第一介质层61、第二介质层62以及第三介质层63中的任意两者之间，且层间介质层的数量也不限于三个，还可以为两个、四个、五个或者更多。
在本实施例中，桥接部51通过第一接触孔601与第二子部42连接，通过第二接触孔602与第三子部43连接，而第一接触孔601和第二接触孔602皆穿过第一介质层61、第二介质层62以及第三介质层63，同时，第一接触孔601和第二接触孔602也穿过公共电极71所在的膜层，但是，在第一接触孔601以及第二接触孔602处，桥接部51与公共电极71相间隔设置，即公共电极71并不会暴露在第一接触孔601和第二接触孔602的内壁处。
承上，在本发明实施例中，第二信号传输部40包括位于凸起部31上的第一子部41以及连接于第一子部41两端的第二子部42和第三子部43，而第二子部42和第三子部43皆与凸起部31不重叠；本发明实施例通过在第二信号传输部40上方设置桥接部51，且使得桥接部51的两端分别与第二子部42和第三子部43电性连接，以使得桥接部51和第一子部41并联；因此，即使当第一子部41在凸起部31的侧壁处发生断线时，信号也可以通过桥接部51进行传输，并不会使得信号传输中断，提高了显示面板的良品率和稳定性；此外，本发明通过设置桥接部51与第二信号传输部40并联，进而可以降低第二信号传输部40的电阻，提高第二信号传输部40的电流传输效率，提高了显示面板的显示效果；此外，本发明实施例中，桥接部51可以与公共电极71同层制备，进而不需要增加光罩等工艺，即可改善显示面板中第二信号传输部40发生断线的现象，提高了显示面板的良品率。
在本发明的另一种实施例中，请参照图12、图13、图14以及图15，本实施例与第一个实施例的区别之处在于：导通层50和第二介质层62之间设置有公共电极层70，导通层50设置于公共电极层70和第三介质层63之间，而像素电极81设置于第三介质层63远离导通层50的一侧。
其中，导通层50包括与桥接部51间隔设置的辅助电极91，而公共电极层70包括设置于桥接部51和第二介质层62之间的隔垫电极72以及设置于辅助电极91和第二介质层62之间的公共电极71，且公共电极71与隔垫电极72相间隔设置。
在本实施例中，辅助电极91设置于公共电极71远离第二介质层62的一面上，进而辅助电极91可与公共电极71电性连接，即使得公共电极71可以与辅助电极91并联。可选的，辅助电极91的材料可以为铜，进而可以有效降低公共电极71的电阻，由于公共电极71一般为整面设置，进而容易产生电压降现象，本实施例中通过设置辅助电极91以降低公共电极71的电阻，进而可以改善公共电极71的电压降现象，提高公共电极71与像素电极81形成的电场的均一性，提高显示面板的显示效果。
进一步地，此外，显示面板还包括多个第二信号传输部40，可以理解的是，各第二信号传输部40由一体成型的源极和数据线组成，则多个第二信号传输部40可以按照显示区101内数据线的排列方式进行排列，即多个第二信号传输部40可沿第一方向延伸且沿第二方向排列，而第一方向与第二方向相交，且第一方向与第二方向可以为相互垂直。
在本实施例中，显示面板包括多个辅助电极91，且多个辅助电极91的排列方式可与多个第二信号传输部40相同，即多个辅助电极91沿第一方向延伸并沿第二方向排列；其中，多个辅助电极91与多个第二信号传输部40为一一对应设置，即每一辅助电极91对应设置于一个第二信号传输部40远离第一金属层的一侧。
需要说明的是，辅助电极91在基板10上的正投影面积可以大于第二信号传输部40在基板10上的正投影面积，或者辅助电极91在基板10上的正投影面积可以等于第二信号传输部40在基板10上的正投影面积，或者辅助电极91在基板10上的正投影面积也可以小于第二信号传输部40在基板10上的正投影面积。
承上，在本发明实施例中，第二信号传输部40包括位于凸起部31上的第一子部41以及连接于第一子部41两端的第二子部42和第三子部43，而第二子部42和第三子部43皆与凸起部31不重叠；本发明实施例通过在第二信号传输部40上方设置桥接部51，且使得桥接部51的两端分别与第二子部42和第三子部43电性连接，以使得桥接部51和第一子部41并联；因此，即使当第一子部41在凸起部31的侧壁处发生断线时，信号也可以通过桥接部51进行传输，并不会使得信号传输中断，提高了显示面板的良品率和稳定性；此外，本发明通过设置桥接部51与第二信号传输部40并联，进而可以降低第二信号传输部40的电阻，提高第二信号传输部40的电流传输效率，提高了显示面板的显示效果；此外，本发明实施例还通过在导通层50中设置与公共电极71并联的辅助电极91，以改善公共电极71的电压降现象，提高了公共电极71与像素电极81产生电场的均一性。
根据本发明的上述目的，本发明实施例还提供一种显示装置，该显示装置包括上述实施例中所述的显示面板以及装置主体，且显示面板与装置主体组合为一体。
其中，装置主体可以包括中框、框胶等，该显示装置可以为手机、平板、电视等显示终端，在此不做限定。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本发明实施例所提供的一种显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例的技术方案的范围。

Claims (9)

1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括基板、设置于所述基板上的多个薄膜晶体管以及与各所述薄膜晶体管电性连接的数据线，所述薄膜晶体管包括栅极、有源部以及与所述有源部搭接的源极和漏极；
所述显示面板还包括：
第一金属层，设置于所述基板上，并包括至少一第一信号传输部，所述第一信号传输部包括所述栅极；
绝缘层，覆盖所述基板和所述第一金属层，所述绝缘层包括覆盖所述第一信号传输部的凸起部；
第二金属层，设置于所述绝缘层远离所述第一金属层的表面，并包括至少一第二信号传输部，所述第二信号传输部包括设置于所述凸起部远离所述第一信号传输部一侧的第一子部以及分别连接于所述第一子部两端的第二子部和第三子部，所述第一子部包括所述源极，所述第二子部和所述第三子部皆包括所述数据线，所述源极位于所述凸起部远离所述栅极的一侧，所述数据线连接于所述源极的两端；以及
导通层，设置于所述第二金属层远离所述绝缘层的一侧，并包括设置于所述第二信号传输部远离所述第一信号传输部一侧的桥接部；
其中，所述第二子部在所述基板上的正投影以及所述第三子部在所述基板上的正投影皆位于所述凸起部在所述基板上的正投影的覆盖范围以外，所述桥接部的两端分别电性连接于所述第二子部和所述第三子部，且所述数据线在所述基板上的正投影位于所述凸起部在所述基板上的正投影的覆盖范围以外，所述桥接部的两端皆电性连接于所述数据线。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括设置于所述显示面板的非显示区内的第一走线、第二走线、第三走线以及第四走线；
所述第一信号传输部包括所述第四走线，所述第一子部包括所述第一走线，所述第二子部包括所述第二走线，所述第三子部包括所述第三走线，且第一走线位于所述凸起部远离所述第四走线的一侧，所述第二走线和所述第三走线分别连接于所述第一走线的两端，所述桥接部的两端分别连接于所述第二走线和所述第三走线。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括设置于所述第二金属层和所述导通层之间的至少一层间介质层，至少一所述层间介质层包括第一接触孔以及第二接触孔，且所述桥接部穿过所述第一接触孔与所述第二子部连接，所述桥接部穿过所述第二接触孔与所述第三子部连接；
其中，所述第一接触孔在所述基板上的正投影以及所述第二接触孔在所述基板上的正投影皆位于所述凸起部在所述基板上的正投影的覆盖范围以外。
4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括设置于所述导通层远离至少一所述层间介质层一侧的像素电极，所述导通层还包括公共电极，所述公共电极与所述桥接部间隔设置。
5.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第二金属层和所述导通层之间设置有至少两所述层间介质层，所述显示面板还包括夹设于任意相邻两所述层间介质层之间的公共电极；
其中，所述导通层还包括像素电极，所述像素电极与所述桥接部间隔设置。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第一接触孔以及所述第二接触孔皆穿过至少两所述层间介质层，且在所述第一接触孔以及所述第二接触孔处，所述公共电极与所述桥接部之间相间隔设置。
7.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括设置于至少一所述层间介质层远离所述第二金属层一侧的公共电极层，所述导通层设置于所述公共电极层远离至少一所述层间介质层的一面上；
其中，所述导通层还包括与所述桥接部间隔设置的辅助电极，所述公共电极层包括设置于所述桥接部和至少一所述层间介质层之间的隔垫电极以及设置于所述辅助电极和至少一所述层间介质层之间的公共电极，且所述隔垫电极与所述公共电极间隔设置。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述导通层包括多个所述辅助电极，多个所述辅助电极沿第一方向延伸且沿第二方向排列于所述公共电极远离至少一所述层间介质层的一面上，多个所述辅助电极与所述公共电极电性连接，且所述第一方向与所述第二方向相异。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述第二金属层包括多个所述第二信号传输部，且多个所述第二信号传输部沿所述第一方向延伸且沿所述第二方向排列于所述绝缘层远离所述第一金属层的一面上，每一所述辅助电极对应设置于一个所述第二信号传输部远离所述第一金属层的一侧。
CN202211291610.2A 2022-10-20 2022-10-21 显示面板 Active CN115356879B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211291610.2A CN115356879B (zh) 2022-10-21 2022-10-21 显示面板
US18/088,969 US20240134237A1 (en) 2022-10-20 2022-12-27 Display panel and display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202211291610.2A CN115356879B (zh) 2022-10-21 2022-10-21 显示面板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN115356879A CN115356879A (zh) 2022-11-18
CN115356879B true CN115356879B (zh) 2023-01-03

Family

ID=84008396

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202211291610.2A Active CN115356879B (zh) 2022-10-20 2022-10-21 显示面板

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20240134237A1 (zh)
CN (1) CN115356879B (zh)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104793420A (zh) * 2015-05-08 2015-07-22 厦门天马微电子有限公司 阵列基板及制作方法、显示装置
WO2016090659A1 (zh) * 2014-12-09 2016-06-16 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板、液晶显示面板及该阵列基板的制造方法
CN106681036A (zh) * 2017-03-29 2017-05-17 合肥京东方显示技术有限公司 阵列基板、显示面板及显示装置
CN110928091A (zh) * 2019-12-12 2020-03-27 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板及其修复方法、显示装置
CN111952246A (zh) * 2020-08-19 2020-11-17 惠科股份有限公司 阵列基板的制造方法
CN212433551U (zh) * 2020-07-21 2021-01-29 北京京东方显示技术有限公司 一种显示基板及显示装置
CN113257738A (zh) * 2021-06-02 2021-08-13 苏州华星光电技术有限公司 阵列基板的制备方法、阵列基板及显示面板

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10847596B2 (en) * 2017-11-10 2020-11-24 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Bendable display panel and fabricating method thereof
CN111624797B (zh) * 2020-06-17 2022-08-19 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016090659A1 (zh) * 2014-12-09 2016-06-16 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板、液晶显示面板及该阵列基板的制造方法
CN104793420A (zh) * 2015-05-08 2015-07-22 厦门天马微电子有限公司 阵列基板及制作方法、显示装置
CN106681036A (zh) * 2017-03-29 2017-05-17 合肥京东方显示技术有限公司 阵列基板、显示面板及显示装置
CN110928091A (zh) * 2019-12-12 2020-03-27 Tcl华星光电技术有限公司 显示面板及其修复方法、显示装置
CN212433551U (zh) * 2020-07-21 2021-01-29 北京京东方显示技术有限公司 一种显示基板及显示装置
CN111952246A (zh) * 2020-08-19 2020-11-17 惠科股份有限公司 阵列基板的制造方法
CN113257738A (zh) * 2021-06-02 2021-08-13 苏州华星光电技术有限公司 阵列基板的制备方法、阵列基板及显示面板

Also Published As

Publication number Publication date
CN115356879A (zh) 2022-11-18
US20240134237A1 (en) 2024-04-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11488987B2 (en) Display substrate, splicing screen and manufacturing method thereof
US9711541B2 (en) Display panel and method for forming an array substrate of a display panel
CN108445686B (zh) 阵列基板、显示面板与显示装置
CN110927997B (zh) 显示面板测试线路及测试方法
KR20170034188A (ko) 디스플레이 장치
CN106775124B (zh) 一种触控显示面板及显示装置
WO2018099404A1 (zh) 触控基板及其制备方法、触控显示装置
CN111668242A (zh) Oled显示面板及其制备方法
CN111880344A (zh) 一种显示面板及其制备方法、显示装置
CN104617106A (zh) 一种阵列基板及显示装置
CN110797352B (zh) 显示面板及其制作方法、显示装置
KR20170002283A (ko) 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
US20230195267A1 (en) Touch panel, display panel and display apparatus
CN113782546A (zh) 显示面板和显示装置
US11086460B2 (en) Touch substrate, method for manufacturing same, and touch device
KR20170005254A (ko) 디스플레이 장치
CN115356879B (zh) 显示面板
US11328644B2 (en) Array substrate and display panel
CN112435988A (zh) 阵列基板、显示面板和显示装置
CN110310572B (zh) 一种显示面板及显示装置
US20210333602A1 (en) Pixel electrode, array substrate and device
CN111081723B (zh) 阵列基板、阵列基板的制作方法、显示面板以及显示装置
CN115275044A (zh) 显示面板
CN113451335B (zh) 一种阵列基板及其制备方法、显示面板和显示装置
US11581386B2 (en) Display panel and display device

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant