JP2021155763A - 蒸着マスクの製造方法 - Google Patents
蒸着マスクの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021155763A JP2021155763A JP2020053845A JP2020053845A JP2021155763A JP 2021155763 A JP2021155763 A JP 2021155763A JP 2020053845 A JP2020053845 A JP 2020053845A JP 2020053845 A JP2020053845 A JP 2020053845A JP 2021155763 A JP2021155763 A JP 2021155763A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- vapor deposition
- deposition mask
- mask
- glass substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title claims abstract description 107
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 85
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 71
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 200
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 106
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 79
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 60
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract description 55
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims abstract description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 78
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 78
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 claims description 24
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 10
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 claims description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 claims description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 6
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 5
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 claims description 2
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 2
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 claims description 2
- -1 polypropylene Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 claims description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 45
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 12
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 7
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N acetic acid Substances CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 3
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 3
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 239000006082 mold release agent Substances 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 229960003280 cupric chloride Drugs 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D1/00—Electroforming
- C25D1/10—Moulds; Masks; Masterforms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D1/00—Electroforming
- C25D1/20—Separation of the formed objects from the electrodes with no destruction of said electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
【課題】プロセス温度又は環境温度の影響を受けにくい蒸着マスクの製造方法を提供すること。【解決手段】蒸着マスクの製造方法は、ガラス基板の上に保護層を形成し、前記保護層の上にめっき成長層を形成し、前記めっき成長層の上に電気めっきによりマスク部を形成し、溶液を用いて前記ガラス基板を溶解して除去し、前記保護層及び前記めっき成長層を除去することを含む。前記保護層は、前記溶液に対して耐性を有する材料で構成されてもよい。前記保護層は、樹脂材料で構成されてもよい。【選択図】図１３
Description
本発明の一実施形態は、蒸着マスクの製造方法に関する。
近年、発光素子として有機ＥＬ素子を用いる有機ＥＬ表示装置が知られている。有機ＥＬ素子は、アノード電極とカソード電極との間に有機ＥＬ材料を含む層（以下、「有機ＥＬ層」という）を有する。有機ＥＬ層は、発光層、電子注入層、正孔注入層といった機能層を含む。有機ＥＬ素子は、機能層を構成する有機材料の選択により、様々な波長の色で発光させることが可能である。
低分子化合物を材料とする有機ＥＬ素子の薄膜の形成には、真空蒸着法が用いられる。真空蒸着法においては、真空下において蒸着材料をヒータによって加熱することにより昇華させ、基板の表面に堆積（蒸着）させることにより薄膜を形成する。このとき、多数の微細な開口パターンを備えたマスク（蒸着マスク）を用いることにより、高精細な薄膜パターンを形成することができる。
蒸着マスクは、エッチングを用いて開口パターンを形成するファインメタルマスク（ＦＭＭ）と、電鋳（電気鋳造）技術を用いて開口パターンを形成するエレクトロファインフォーミングマスク（ＥＦＭ）とに分けられる。例えば、特許文献１には、高精細な開口パターンを有するマスク部を電鋳技術により形成し、形成されたマスク部を電鋳技術により枠体部に固定する方法が開示されている。
特許文献１に記載された蒸着マスクの製造方法では、ステンレス又は真鍮で構成された支持基板の上に複数の電鋳工程を経てマスク部を形成する。複数の電鋳工程において、金属材料で構成された支持基板は、電流の供給経路として利用される。しかしながら、ステンレス及び真鍮は、線膨張係数が大きいため、プロセス温度又は環境温度の影響により、支持基板が伸縮してしまう場合がある。このような支持基板の伸縮は、蒸着マスクの開口の位置精度のばらつきを招くという問題がある。
また、ステンレス又は真鍮で構成された支持基板は、電鋳技術により形成されたマスク部よりも剛性が高いため、支持基板を剥離する際に、マスク部に対して強い応力が加わるという問題もある。マスク部に加わる応力は、マスク部の破損及びマスク部を支持する支持枠からの脱離などの不具合の原因となり得る。
本発明の一実施形態は、プロセス温度又は環境温度の影響を受けにくい蒸着マスクの製造方法を提供することを目的の一つとする。
本発明の一実施形態は、マスク部に応力を加えることなく支持基板を除去することができる蒸着マスクの製造方法を提供することを目的の一つとする。
本発明の一実施形態における蒸着マスクの製造方法は、ガラス基板の上に保護層を形成し、前記保護層の上にめっき成長層を形成し、前記めっき成長層の上に電気めっきによりマスク部を形成し、溶液を用いて前記ガラス基板を溶解して除去し、前記保護層及び前記めっき成長層を除去することを含む。
本発明の一実施形態における蒸着マスクの製造方法は、ガラス基板の上にめっき成長層を形成し、前記めっき成長層の上に電気めっきによりマスク部を形成し、第１溶液を用いて前記ガラス基板を溶解して除去し、前記めっき成長層を除去することを含む。
以下、本発明の実施形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図面において、既出の図面に関して説明したものと同様の機能を備えた要素には、同一の符号を付して、重複する説明を省略することがある。
本明細書および特許請求の範囲において、ある一つの膜に対してエッチング等の加工処理を施すことにより形成された複数の要素（ｅｌｅｍｅｎｔ）は、それぞれ異なる機能又は役割を有する要素として記載されることがある。これら複数の要素は、同一の層構造及び同一の材料で構成されたものであり、同一の層にある要素として記載される。
本明細書および特許請求の範囲において、ある構造体の上に他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。
本明細書において「αはＡ、Ｂ又はＣを含む」、「αはＡ、Ｂ及びＣのいずれかを含む」、「αはＡ、Ｂ及びＣからなる群から選択される一つを含む」といった表現は、特に明示が無い限り、αはＡ〜Ｃの複数の組み合わせを含む場合を排除しない。さらに、これらの表現は、αが他の要素を含む場合も排除しない。
〈第１実施形態〉
［蒸着マスクの構成］
図１は、本発明の第１実施形態における蒸着マスク１００の構成を示す平面図である。図２は、本発明の第１実施形態における蒸着マスク１００の構成を示す断面図である。具体的には、図２に示す断面図は、図１のＡ−Ａ’線に沿った断面を示している。図１及び図２に示すように、蒸着マスク１００は、電鋳（電気鋳造）により形成された薄膜状のマスク部１１０、マスク部１１０を支持する支持部１２０、及びマスク部１１０と支持部１２０とを接続する接続部１３０を有する。
［蒸着マスクの構成］
図１は、本発明の第１実施形態における蒸着マスク１００の構成を示す平面図である。図２は、本発明の第１実施形態における蒸着マスク１００の構成を示す断面図である。具体的には、図２に示す断面図は、図１のＡ−Ａ’線に沿った断面を示している。図１及び図２に示すように、蒸着マスク１００は、電鋳（電気鋳造）により形成された薄膜状のマスク部１１０、マスク部１１０を支持する支持部１２０、及びマスク部１１０と支持部１２０とを接続する接続部１３０を有する。
マスク部１１０は、複数のパネル領域１１５を有する。有機ＥＬ材料を蒸着する際には、各パネル領域１１５に対して有機ＥＬ表示装置の表示領域が重なるように被蒸着基板（図示せず）が配置される。各パネル領域１１５には、複数の開口部１１１が、有機ＥＬ表示装置の画素ピッチに合わせて設けられている。マスク部１１０の開口部１１１以外の領域を非開口部１１２という。非開口部１１２は、各開口部１１１を囲む領域である。非開口部１１２は、各パネル領域１１５において、蒸着材料を遮蔽する部分に相当する。
蒸着時には、被蒸着基板における蒸着領域（薄膜を形成すべき領域）と開口部１１１とが重なり、被蒸着基板における非蒸着領域と非開口部１１２とが重なるように蒸着マスク１００と被蒸着基板の位置合わせが行われる。蒸着材料の蒸気が開口部１１１を通過して被蒸着基板に到達することにより、蒸着領域に蒸着材料が堆積して薄膜が形成される。
支持部１２０は、平面視において、マスク部１１０の複数のパネル領域１１５を囲むように、マスク部１１０の外周に設けられる。つまり、支持部１２０は、薄膜状のマスク部１１０を支持する枠体として機能する。なお、図１では、支持部１２０は、マスク部１１０の外周に設けられているが、この例に限らず、各パネル領域１１５を囲むように格子状に設けられてもよい。
接続部１３０は、マスク部１１０と支持部１２０とを接続する部材である。本実施形態の蒸着マスク１００は、マスク部１１０と支持部１２０とが接続部１３０を介して接続される。つまり、図２に示すように、マスク部１１０と支持部１２０とは直接接続されていない。ただし、この例に限らず、マスク部１１０と支持部１２０とが直接接続されていてもよい。その場合、接続部１３０を補強部材として用いることが好ましい。
上記構成において、マスク部１１０は、薄膜状のめっき層で構成される。本実施形態のマスク部１１０は、電気めっきにより形成された薄膜である。マスク部１１０の厚さｄ１は、例えば３μｍ以上２０μｍ以下（好ましくは、５μｍ以上１０μｍ以下）である。本実施形態において、マスク部１１０の厚さは、５μｍとする。支持部１２０は、例えばインバー（ｉｎｖａｒ）などの合金で構成される。インバー合金は、常温における熱膨張係数が小さいため、マスク部１１０にストレスを与えにくいという利点を有する。支持部１２０の厚さｄ２は、例えば０．５ｍｍ以上１．５ｍｍ以下（好ましくは、０．８ｍｍ以上１．２ｍｍ以下）である。本実施形態において、支持部１２０の厚さは、１ｍｍとする。
本実施形態では、マスク部１１０、支持部１２０及び接続部１３０を構成する金属材料として、いずれもインバー（ｉｎｖａｒ）を用いる。インバーは、ニッケル等に比べて常温および有機ＥＬ素子形成工程中の温度における熱膨張係数が小さく、ガラスの熱膨張係数に近い。そのため、蒸着マスク１００の構成材料をインバーとすることにより、後述する蒸着マスク１００の製造プロセスにおいて、マスク部１１０とガラス基板との間の熱膨張による影響を抑えることができる。また、蒸着時においても、蒸着マスクと被蒸着基板（通常、ガラス基板を用いる）との間の熱膨張によるずれが小さくなり、蒸着の位置精度が向上するという利点がある。ただし、この例に限らず、ガラスの熱膨張係数に近い係数を有する材料であれば、インバー以外の他の材料を用いてもよい。また、支持部１２０は、マスク部１１０及び接続部１３０と異なる金属材料で構成してもよい。
以上説明した本実施形態の蒸着マスク１００は、製造プロセスにおいて、ガラス基板上に形成される。以下、本実施形態の蒸着マスク１００の製造方法について詳細に説明する。
［蒸着マスク１００の製造方法］
図３から図１３を用いて、本発明の第１実施形態における蒸着マスク１００の製造方法について説明する。図３から図１２は、本発明の第１実施形態における蒸着マスク１００の製造方法を示す断面図である。図１３は、本発明の第１実施形態における蒸着マスク１００の製造方法を示すフローチャート図である。
図３から図１３を用いて、本発明の第１実施形態における蒸着マスク１００の製造方法について説明する。図３から図１２は、本発明の第１実施形態における蒸着マスク１００の製造方法を示す断面図である。図１３は、本発明の第１実施形態における蒸着マスク１００の製造方法を示すフローチャート図である。
図３は、本発明の第１実施形態における蒸着マスク１００の製造方法において、保護層２１０を形成する工程を示す断面図である。図３に示すように、ガラス基板２００上の略全面に保護層２１０を形成する。ガラス基板２００の厚さは、０．３ｍｍ以上１ｍｍ以下の範囲とすればよい。本実施形態では、ガラス基板２００の厚さを０．５ｍｍとする。ガラス基板２００の材料に制限はなく、後述するように、溶液で溶解する材料であればよい。また厚さについても、歪みの無い平面が得られる限りにおいて、溶解を容易にするためには薄い方が好ましい。
本実施形態において、保護層２１０は、樹脂材料で構成される。具体的には、保護層２１０は、ポリイミド樹脂、ポリエチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリプロピレン樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、シロキサン樹脂、及びフッ素樹脂から選択された樹脂材料で構成される。後述するように、これらの樹脂材料は、フッ化水素を含む溶液（例えば、フッ化水素酸）に対して耐性を有する材料である。本実施形態では、保護層２１０として、ポリイミド樹脂で構成された樹脂層を用いる。
保護層２１０の厚さは、５μｍ以上２０μ以下（好ましくは、１０μｍ以上１５μｍ以下）の範囲で選択することが好ましい。本実施形態では、保護層２１０の厚さを１０μｍとする。
図４は、本発明の第１実施形態における蒸着マスク１００の製造方法において、めっき成長層２２０を形成する工程を示す断面図である。めっき成長層２２０は、後述するめっき層２４０（図６参照）を形成するためのシード層として機能する。また、めっき成長層２２０は、保護層２１０との密着性を高めるための密着層としての役割も有する。
本実施形態において、めっき成長層２２０は、保護層２１０から近い順に、第１金属層２２０ａ及び第２金属層２２０ｂを含む。第１金属層２２０ａは、保護層２１０との密着性のよい金属層であることが好ましい。本実施形態では、保護層２１０の材料としてポリイミド樹脂を用いるため、第１金属層２２０ａとして、チタン（Ｔｉ）を含む金属層を用いる。ただし、この例に限らず、保護層２１０との密着性を確保できれば他の金属層（例えば、ＩＴＯ、モリブデン、タンタル、ニッケル等）を用いてもよい。
第２金属層２２０ｂは、めっき層２４０のシード層として機能し得る金属層である。第２金属層２２０ｂは、第１金属層２２０ａよりも低抵抗であることが好ましい。本実施形態では、めっき層２４０の材料としてニッケル合金であるインバーを用いるため、第２金属層２２０ｂとして、銅（Ｃｕ）を含む金属層を用いる。ただし、この例に限らず、シード層として機能し得る金属層であれば他の金属層を用いてもよい。
めっき成長層２２０の厚さは、めっき層２４０を成長させるために必要な導電性を確保できる厚さであればよい。例えば、めっき成長層２２０の厚さは、５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲とすればよい。具体的には、第１金属層２２０ａの厚さを１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下とし、第２金属層２２０ｂの厚さを１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下とすればよい。本実施形態では、第１金属層２２０ａの厚さを５０ｎｍとし、第２金属層２２０ｂの厚さを２００ｎｍとする。すなわち、めっき成長層２２０の厚さは２５０ｎｍである。めっき成長層２２０は、スパッタ法又はＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いて形成すればよい。
図５は、本発明の第１実施形態における蒸着マスク１００の製造方法において、レジストマスク２３０を形成する工程を示す断面図である。レジストマスク２３０は、第２金属層２２０ｂの上に感光性樹脂材料を塗布した後、露光処理及び現像（エッチング）処理を行うことにより形成される。レジストマスク２３０が形成される領域は、図１及び図２に示したマスク部１１０の複数の開口部１１１が設けられる領域に対応する。本実施形態では、レジストマスク２３０の側壁がテーパー状になるように露光及びエッチングを行う。具体的には、図５に示すように、レジストマスク２３０は、第２金属層２２０ｂに近い部分ほど幅が狭くなっている。
図６は、本発明の第１実施形態における蒸着マスク１００の製造方法において、めっき層２４０を形成する工程を示す断面図である。図６に示すように、めっき層２４０は、レジストマスク２３０が配置されていない領域に形成される。すなわち、めっき層２４０が形成される領域は、図１及び図２に示したマスク部１１０の非開口部１１２が設けられる領域に対応する。本実施形態では、めっき層２４０の形成前に、第２金属層２２０ｂの表面に対し、離型剤による前処理を行う。離型剤としては、例えば、日本化学産業株式会社のニッカノンタック（登録商標）などを用いればよい。
本実施形態において、めっき層２４０は、ニッケル合金（具体的には、インバー）を材料とする金属層である。本実施形態では、めっき成長層２２０をシード層として、電気めっきを行い、めっき層２４０を形成する。めっき層２４０の厚さは、電気めっき処理の時間を制御することにより調整することができる。例えば、めっき層２４０の厚さは、３μｍ以上２０μｍ以下の範囲で調整すればよい。本実施形態において、めっき層２４０の厚さは、５μｍとする。めっき層２４０の厚さは、図１及び図２に示したマスク部１１０の厚さを決定する。本実施形態では、めっき層２４０をインバーで形成する例を示したが、この例に限らず、電気めっきに使用可能な材料であれば他の金属材料を用いてもよい。
図７は、本発明の第１実施形態における蒸着マスク１００の製造方法において、支持部１２０を形成する工程を示す断面図である。めっき層２４０を形成した後、レジストマスク２３０を除去する。レジストマスク２３０を除去することにより、めっき層２４０には、図１及び図２に示した開口部１１１が形成される。すなわち、図７に示す状態で残存しためっき層２４０は、図１及び図２における非開口部１１２に対応する。すなわち、図７に示す状態において、開口部１１１及び非開口部１１２を有するマスク部１１０が形成される。
レジストマスク２３０を除去した後、図７に示すように、めっき層２４０の一部（マスク部１１０として使用しない部分）の上に、支持部１２０を配置する。支持部１２０は、めっき層２４０の一部の上に設けた接着層（図示せず）を用いて接着される。ただし、接着層の接着力は、支持部１２０を仮止めできる程度の強さであることが好ましい。本実施形態では、支持部１２０として、厚さが１ｍｍのインバー材料で構成される金属フレームを用いる。支持部１２０は、図１に示すように、マスク部１１０を囲むように配置される。
図８は、本発明の第１実施形態における蒸着マスク１００の製造方法において、レジストマスク２５０を形成する工程を示す断面図である。レジストマスク２５０は、マスク部１１０及び支持部１２０の上に形成される。レジストマスク２５０は、マスク部１１０及び支持部１２０の上に感光性樹脂材料を塗布した後、露光処理及び現像（エッチング）処理を行うことにより形成される。レジストマスク２５０が形成される領域は、図１及び図２に示した接続部１３０が設けられる領域以外の領域である。
図９は、本発明の第１実施形態における蒸着マスク１００の製造方法において、接続部１３０を形成する工程を示す断面図である。図９に示すように、接続部１３０は、レジストマスク２５０が配置されていない領域に形成される。接続部１３０は、電気めっきを用いて形成される。具体的には、接続部１３０は、支持部１２０、めっき層２４０及び第２金属層２２０ｂをシード層として、レジストマスク２５０の配置されていない領域に選択的に形成される。そのため、図９に示すように、支持部１２０の側壁にも形成される。接続部１３０の形成が完了した後、レジストマスク２５０を除去する。
本実施形態では、接続部１３０が支持部１２０の側壁からめっき層２４０の上に至るまで連続的に形成される。これにより、支持部１２０とマスク部１１０とを接続部１３０を介して接続することができる。めっき層２４０のうち、接続部１３０と重畳する部分に設けられた開口部２４０ａは、マスク部１１０と支持部１２０とを物理的に分断する役割、及び、マスク部１１０と接続部１３０との密着性を向上させる役割を有する。
本実施形態において、接続部１３０は、ニッケル合金（具体的には、インバー）を材料とするめっき層（金属層）により形成される。本実施形態では、接続部１３０の厚さを５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲で調整する。接続部１３０の厚さは、支持部１２０からの距離によって異なる。本実施形態では、接続部１３０をインバーで形成する例を示したが、この例に限らず、電気めっきに使用可能な材料であれば他の金属材料を用いてもよい。
図１０は、本発明の第１実施形態における蒸着マスク１００の製造方法において、ガラス基板２００を除去する工程を示す断面図である。本実施形態では、フッ化水素を含む溶液を用いてガラス基板２００を除去する。具体的には、フッ化水素を含む溶液を用いてガラス基板２００を溶解することにより、ガラス基板２００を除去して保護層２１０を露出させる。前述したように、保護層２１０は、フッ化水素を含む溶液に対して耐性を有する。したがって、保護層２１０は、マスク部１１０、支持部１２０及び接続部１３０を溶液から保護する役割を有する。フッ化水素を含む溶液としては、例えば、フッ酸と、硫酸、硝酸、塩酸又は酢酸とを混合した酸を用いることができる。
本実施形態では、ガラス基板２００の除去に際して、フッ化水素を含む溶液を用いたケミカルエッチングを行う。すなわち、フッ化水素を含む溶液中にガラス基板２００を浸漬させて溶解する。また、例えば、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）による研磨を途中まで行い、ガラス基板２００を薄くした後に、溶液による溶解に切り替えることも可能である。ガラス基板２００を除去する際、図示は省略するが、マスク部１１０、支持部１２０及び接続部１３０を覆う保護部材（例えば、ドライフィルムレジスト：ＤＦＲ）を設け、フッ化水素を含む溶液による影響を防いでもよい。
図１１は、本発明の第１実施形態における蒸着マスク１００の製造方法において、保護層２１０及びめっき成長層２２０を除去する工程を示す断面図である。本実施形態では、マスク部１１０から、保護層２１０及びめっき成長層２２０を物理的に剥離する。例えば、支持部１２０を固定した上で、保護層２１０に接着又は吸着させた把持部材（図示せず）を用いて、保護層２１０及びめっき成長層２２０を剥離すればよい。前述のとおり、第２金属層２２０ｂの表面には離型剤（図示せず）による前処理が施されているため、第２金属層２２０ｂとめっき層２４０との間の界面では、両者の密着性が弱い。したがって、保護層２１０及びめっき成長層２２０は、マスク部１１０から剥離しやすい状態となっている。
また、上述の剥離工程の際、支持部１２０が固定されるため、剥離される側は、保護層２１０及びめっき成長層２２０である。したがって、保護層２１０及びめっき成長層２２０を剥離する際、集中的に応力が加わるのは保護層２１０及びめっき成長層２２０の側である。このように、本実施形態によれば、マスク部１１０に強い応力を加えることなく、保護層２１０及びめっき成長層２２０を剥離することができる。
ところで、本実施形態では、保護層２１０及びめっき成長層２２０を剥離する際、支持部１２０と重畳するめっき層２４０（図１１に示すように、支持部１２０の下方に位置するめっき層２４０）も一緒に剥離される。前述のとおり、支持部１２０は、めっき層２４０に対して接着層（図示せず）によって仮止めされている。そのため、第２金属層２２０ｂとめっき層２４０との間の密着性よりも、めっき層２４０と支持部１２０との間の密着性の方が低ければ、支持部１２０と一緒にめっき層２４０も剥離される。ただし、この例に限らず、支持部１２０の下方にめっき層２４０が剥離されずに残るようにしてもよい。
図１２は、本発明の第１実施形態における蒸着マスク１００の製造方法において、マスク部１１０から保護層２１０及びめっき成長層２２０を剥離した後の状態を示す断面図である。保護層２１０及びめっき成長層２２０を剥離した後、マスク部１１０は、接続部１３０を介して支持部１２０に支持される。図１２では、マスク部１１０を構成するめっき層２４０が個々に分離しているようにみえるが、実際には、図１に示したように、マスク部１１０は、複数の開口部１１１を有する金属層である。以上の製造プロセスを経て、蒸着マスク１００が完成する。
図１３は、本発明の第１実施形態における蒸着マスク１００の製造方法を示すフローチャート図である。図１３に示すように、本実施形態の蒸着マスク１００の製造方法が開始されると、ステップ３０１において、保護層２１０が形成される。ステップ３０１は、図３に示したプロセスに対応する。次に、ステップ３０２において、めっき成長層２２０が形成される。ステップ３０２は、図４に示したプロセスに対応する。
めっき成長層２２０が形成されたら、ステップ３０３において、めっき層２４０が形成される。ステップ３０３は、図６に示したプロセスに対応する。次に、ステップ３０４において、支持部１２０が形成される。ステップ３０４は、図７に示したプロセスに対応する。支持部１２０を形成した後、ステップ３０５において、接続部１３０が形成される。ステップ３０５は、図９に示したプロセスに対応する。
接続部１３０を形成した時点で、蒸着マスク１００の原型が完成する。その後、ステップ３０６において、フッ化水素を含む溶液を用いたガラス基板２００の除去が行われる。ステップ３０６は、図１０に示したプロセスに対応する。最後に、ステップ３０７において、保護層２１０及びめっき成長層２２０が除去される。ステップ３０７は、図１１に示したプロセスに対応する。
以上のように、本実施形態では、蒸着マスク１００を製造するに当たり、支持基板としてガラス基板２００を用いる。ガラス基板２００の線膨張係数は、マスク部１１０を構成するめっき層２４０（本実施形態では、インバーで構成される金属層）の線膨張係数に近いため、製造プロセスの過程において、プロセス温度又は環境温度の影響を受けにくい。したがって、本実施形態の蒸着マスク１００の製造方法は、支持基板の伸縮に起因する開口部１１１の位置精度のばらつき抑制することができる。
さらに、本実施形態では、ガラス基板２００を除去する際に、溶液を用いてガラス基板２００を溶解する。そのため、マスク部１１０に応力を加えることなく、ガラス基板２００を除去することができる。保護層２１０及びめっき成長層２２０は、いずれも薄膜であるため、これらの層を剥離する際もマスク部１１０に応力を加えることがない。したがって、本実施形態の蒸着マスク１００の製造方法は、応力を加えることなくマスク部１１０を形成することができる。
（変形例１）
本実施形態では、ガラス基板２００の除去にフッ化水素を含む溶液を用いたが、この例に限られるものではない。ガラス基板２００を溶解することができる溶液であれば、フッ化水素とは異なる物質を含む溶液を用いてもよい。その場合、保護層２１０として、ガラス基板２００の除去に用いる溶液に対して耐性を有する材料を用いることが望ましい。
本実施形態では、ガラス基板２００の除去にフッ化水素を含む溶液を用いたが、この例に限られるものではない。ガラス基板２００を溶解することができる溶液であれば、フッ化水素とは異なる物質を含む溶液を用いてもよい。その場合、保護層２１０として、ガラス基板２００の除去に用いる溶液に対して耐性を有する材料を用いることが望ましい。
（変形例２）
本実施形態では、保護層２１０として、フッ化水素を含む溶液に対して耐性を有する材料（具体的には、ポリイミド樹脂）を用い、保護層２１０をエッチングストッパーとして用いたが、この例に限られるものではない。例えば、保護層２１０の厚さを十分に厚くして、ガラス基板２００の除去タイミング（エッチングの終点検出）を時間で制御してもよい。保護層２１０の厚さが十分に厚い場合、ガラス基板２００が除去された後にしばらく保護層２１０の溶解が進んだとしても、第１金属層２２０ａが露出する前に溶液による処理を止めることができる。
本実施形態では、保護層２１０として、フッ化水素を含む溶液に対して耐性を有する材料（具体的には、ポリイミド樹脂）を用い、保護層２１０をエッチングストッパーとして用いたが、この例に限られるものではない。例えば、保護層２１０の厚さを十分に厚くして、ガラス基板２００の除去タイミング（エッチングの終点検出）を時間で制御してもよい。保護層２１０の厚さが十分に厚い場合、ガラス基板２００が除去された後にしばらく保護層２１０の溶解が進んだとしても、第１金属層２２０ａが露出する前に溶液による処理を止めることができる。
〈第２実施形態〉
本実施形態では、第１実施形態とは異なる製造方法で蒸着マスク１００を形成する例について説明する。具体的には、第１実施形態の保護層２１０を用いることなく、蒸着マスク１００を形成する。本実施形態において保護層２１０を用いない点以外は、第１実施形態の蒸着マスク１００の製造方法と同様であるため、第１実施形態と同じ要素については、同じ符号を用いて詳細な説明を省略する。
本実施形態では、第１実施形態とは異なる製造方法で蒸着マスク１００を形成する例について説明する。具体的には、第１実施形態の保護層２１０を用いることなく、蒸着マスク１００を形成する。本実施形態において保護層２１０を用いない点以外は、第１実施形態の蒸着マスク１００の製造方法と同様であるため、第１実施形態と同じ要素については、同じ符号を用いて詳細な説明を省略する。
図１４から図２０を用いて、本発明の第２実施形態における蒸着マスク１００の製造方法について説明する。図１４から図１９は、本発明の第２実施形態における蒸着マスク１００の製造方法を示す断面図である。図２０は、本発明の第２実施形態における蒸着マスク１００の製造方法を示すフローチャート図である。
図１４は、本発明の第２実施形態における蒸着マスク１００の製造方法において、めっき成長層２２０を形成する工程を示す断面図である。第１実施形態と同様に、めっき成長層２２０は、めっき層２４０を形成するためのシード層として機能する。また、めっき成長層２２０は、ガラス基板２００との密着性を高めるための密着層としての役割も有する。
本実施形態において、めっき成長層２２０は、ガラス基板２００から近い順に、第１金属層２２０ａ及び第２金属層２２０ｂを含む。第１金属層２２０ａは、ガラス基板２００との密着性のよい金属層であることが好ましい。本実施形態では、第１金属層２２０ａとして、チタン（Ｔｉ）を含む金属層を用いる。ただし、この例に限らず、ガラス基板２００との密着性を確保できれば他の金属層（例えば、ＩＴＯ、モリブデン、タンタル、ニッケル等）を用いてもよい。また、本実施形態では、めっき層２４０の材料としてニッケル合金であるインバーを用いるため、第２金属層２２０ｂとして、銅（Ｃｕ）を含む金属層を用いる。ただし、この例に限らず、シード層として機能し得る金属層であれば他の金属層を用いてもよい。
図１５は、本発明の第２実施形態における蒸着マスク１００の製造方法において、めっき層２４０を形成する工程を示す断面図である。第１実施形態と同様に、開口部１１１として機能する領域にレジストマスク２３０を設ける。その後、電気めっきを用いてめっき層２４０を形成する。本実施形態では、めっき層２４０の形成前に、第２金属層２２０ｂの表面に対し、離型剤による前処理を行う。
図１６は、本発明の第２実施形態における蒸着マスク１００の製造方法において、支持部１２０を形成する工程を示す断面図である。めっき層２４０を形成した後、レジストマスク２３０を除去する。その後、めっき層２４０の一部の上に、支持部１２０を配置する。本実施形態では、支持部１２０は、めっき層２４０の一部の上に設けた接着層（図示せず）を用いて接着される。
図１７は、本発明の第２実施形態における蒸着マスク１００の製造方法において、接続部１３０を形成する工程を示す断面図である。第１実施形態と同様に、レジストマスク（図示せず）をマスク部１１０の一部及び支持部１２０の上に形成した後、電気めっきを用いて接続部１３０を形成する。
図１７に示すプロセスにより、支持部１２０とマスク部１１０とを接続部１３０を介して接続することができる。本実施形態において、接続部１３０は、ニッケル合金（具体的には、インバー）を材料とするめっき層（金属層）により形成される。ただし、この例に限らず、接続部１３０は、電気めっきに使用可能な他の金属材料で形成してもよい。
図１８は、本発明の第２実施形態における蒸着マスク１００の製造方法において、ガラス基板２００及び第１金属層２２０ａを除去する工程を示す断面図である。本実施形態では、フッ化水素を含む溶液を用いてガラス基板２００及び第１金属層２２０ａを除去する。具体的には、フッ化水素を含む溶液を用いてガラス基板２００及び第１金属層２２０ａを溶解することにより第２金属層２２０ｂを露出させる。本実施形態では、第２金属層２２０ｂが銅を含む金属層であるため、フッ化水素を含む溶液に対して耐性を有する。したがって、第２金属層２２０ｂは、マスク部１１０、支持部１２０及び接続部１３０を溶液から保護する役割を有する。
本実施形態において、ガラス基板２００の除去に際して、フッ化水素を含む溶液を用いたケミカルエッチングを行う。すなわち、フッ化水素を含む溶液中にガラス基板２００を浸漬させて溶解する。また、例えば、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）による研磨によりガラス基板２００を薄くした後に、溶液による溶解に切り替えることも可能である。
図１９は、本発明の第２実施形態における蒸着マスク１００の製造方法において、第２金属層２２０ｂを除去する工程を示す断面図である。本実施形態では、過酸化水素を含む溶液を用いて第２金属層２２０ｂを除去する。具体的には、過酸化水素を含む溶液を用いて第２金属層２２０ｂを溶解することによりめっき層２４０及び接続部１３０の一部を露出させる。過酸化水素を含む溶液としては、例えば、過酸化水素とエチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）との混合液を用いることができる。この混合液は、ニッケルに悪影響を及ぼすことなく銅をエッチングすることができるという利点を有する。ただし、この例に限らず、銅エッチング液（例えば、アルカリ溶液、塩化第二鉄溶液、塩化第二銅液など）を用いて第２金属層２２０ｂを除去してもよい。
本実施形態では、めっき層２４０及び接続部１３０がインバーで構成される金属層であるため、過酸化水素を含む溶液に対して耐性を有する。また、支持部１２０もインバーで構成されるため、蒸着マスク１００の全体が過酸化水素を含む溶液に対して耐性を有する。以上の製造プロセスを経て、蒸着マスク１００が完成する。
図２０は、本発明の第２実施形態における蒸着マスク１００の製造方法を示すフローチャート図である。図２０に示すように、本実施形態の蒸着マスク１００の製造方法が開始されると、ステップ３５１において、めっき成長層２２０が形成される。ステップ３５１は、図１４に示したプロセスに対応する。次に、ステップ３５２において、めっき層２４０が形成される。ステップ３５２は、図１５に示したプロセスに対応する。
めっき層２４０が形成されたら、ステップ３５３において、支持部１２０が形成される。ステップ３５３は、図１６に示したプロセスに対応する。支持部１２０を形成した後、ステップ３５４において、接続部１３０が形成される。ステップ３５４は、図１７に示したプロセスに対応する。
接続部１３０を形成した時点で、蒸着マスク１００の原型が完成する。その後、ステップ３５５において、フッ化水素を含む溶液を用いたガラス基板２００及び第１金属層２２０ａの除去が行われる。ステップ３５５は、図１８に示したプロセスに対応する。最後に、ステップ３５６において、過酸化水素を含む溶液を用いた第２金属層２２０ｂの除去が行われる。ステップ３５６は、図１９に示したプロセスに対応する。
本実施形態の場合、支持部１２０の下方にめっき層２４０が残る場合がある。支持部１２０の下方にめっき層２４０を残す場合、めっき層２４０が支持部１２０の剛性を高める補強部材として機能する。また、蒸着時に、被蒸着基板（図示せず）に対して蒸着マスク１００をセットした場合において、支持部１２０と被蒸着基板との間に空間が形成されない。そのため、蒸着時において、蒸着マスク１００と被蒸着基板との間の密着性を高めることができる。
以上のように、本実施形態では、蒸着マスク１００を製造するに当たり、支持基板としてガラス基板２００を用いる。そのため、本実施形態の蒸着マスク１００の製造方法は、支持基板の伸縮に起因する開口部１１１の位置精度のばらつき抑制することができる。さらに、本実施形態では、ガラス基板２００及びめっき成長層２２０を除去する際に、溶液を用いてガラス基板２００及びめっき成長層２２０を溶解する。そのため、マスク部１１０に応力を加えることがない。したがって、本実施形態の蒸着マスク１００の製造方法は、応力を加えることなくマスク部１１０を形成することができる。
（変形例１）
本実施形態では、フッ化水素を含む溶液を用いてガラス基板２００及び第１金属層２２０ａを溶解し、その後、過酸化水素を含む溶液を用いて第２金属層２２０ｂを溶解する例を示した。しかし、第１金属層２２０ａの材料として、フッ化水素を含む溶液に対して耐性を有する金属材料（例えば、銅を含む合金）を用いることにより、フッ化水素を含む溶液を用いてガラス基板２００を選択的に溶解させることも可能である。この場合、第１金属層２２０ａ及び第２金属層２２０ｂを他の溶液（例えば、過酸化水素を含む溶液）を用いて溶解すればよい。
本実施形態では、フッ化水素を含む溶液を用いてガラス基板２００及び第１金属層２２０ａを溶解し、その後、過酸化水素を含む溶液を用いて第２金属層２２０ｂを溶解する例を示した。しかし、第１金属層２２０ａの材料として、フッ化水素を含む溶液に対して耐性を有する金属材料（例えば、銅を含む合金）を用いることにより、フッ化水素を含む溶液を用いてガラス基板２００を選択的に溶解させることも可能である。この場合、第１金属層２２０ａ及び第２金属層２２０ｂを他の溶液（例えば、過酸化水素を含む溶液）を用いて溶解すればよい。
〈第３実施形態〉
本実施形態では、第１実施形態とは異なる構成の蒸着マスク１００Ａについて説明する。図１９は、本発明の第３実施形態における蒸着マスク１００Ａの構成を示す平面図である。図２０は、本発明の第３実施形態における蒸着マスク１００Ａの構成を示す断面図である。本実施形態の蒸着マスク１００Ａは、支持部１２０及び接続部１３０の配置が異なる以外は第１実施形態の蒸着マスク１００と同様の構造を有している。したがって、第１実施形態と同じ要素については、同じ符号を用いて詳細な説明を省略する。
本実施形態では、第１実施形態とは異なる構成の蒸着マスク１００Ａについて説明する。図１９は、本発明の第３実施形態における蒸着マスク１００Ａの構成を示す平面図である。図２０は、本発明の第３実施形態における蒸着マスク１００Ａの構成を示す断面図である。本実施形態の蒸着マスク１００Ａは、支持部１２０及び接続部１３０の配置が異なる以外は第１実施形態の蒸着マスク１００と同様の構造を有している。したがって、第１実施形態と同じ要素については、同じ符号を用いて詳細な説明を省略する。
図１９及び図２０に示すように、蒸着マスク１００Ａは、支持部１２０が、マスク部１１０の上に格子状に設けられている。すなわち、格子状に設けられた支持部１２０によってマスク部１１０が支持される。第１実施形態と同様に、マスク部１１０は、接続部１３０を介して支持部１２０に接続される。
以上のように、本実施形態では、支持部１２０として、矩形状の金属部材を用いるのではなく、格子状の金属部材を用いる。そのため、ガラス基板２００を除去する際のマスク部１１０への影響を第１実施形態よりも低減することができる。
本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。各実施形態の蒸着マスクの製造方法を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除もしくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
また、上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
１００、１００Ａ…蒸着マスク、１１０…マスク部、１１１…開口部、１１２…非開口部、１１５…パネル領域、１２０…支持部、１３０…接続部、２００…ガラス基板、２１０…保護層、２２０…めっき成長層、２２０ａ…第１金属層、２２０ｂ…第２金属層、２３０…レジストマスク、２４０…めっき層、２４０ａ…開口部、２５０…レジストマスク
Claims (14)
- ガラス基板の上に保護層を形成し、
前記保護層の上にめっき成長層を形成し、
前記めっき成長層の上に電気めっきによりマスク部を形成し、
溶液を用いて前記ガラス基板を溶解して除去し、
前記保護層及び前記めっき成長層を除去することを含む、蒸着マスクの製造方法。 - 前記保護層は、前記溶液に対して耐性を有する材料で構成される、請求項１に記載の蒸着マスクの製造方法。
- 前記保護層は、樹脂材料で構成される、請求項２に記載の蒸着マスクの製造方法。
- 前記溶液は、フッ化水素を含む溶液である、請求項２に記載の蒸着マスクの製造方法。
- 前記保護層は、ポリイミド樹脂、ポリエチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリプロピレン樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、シロキサン樹脂、及びフッ素樹脂から選択された材料で構成される、請求項４に記載の蒸着マスクの製造方法。
- 前記めっき成長層は、前記保護層から近い順に、チタンを含む第１金属層及び銅を含む第２金属層を含む、請求項１に記載の蒸着マスクの製造方法。
- 前記保護層及び前記めっき成長層を除去することは、マスク部から前記保護層及び前記めっき成長層を剥離することを含む、請求項１に記載の蒸着マスクの製造方法。
- ガラス基板の上にめっき成長層を形成し、
前記めっき成長層の上に電気めっきによりマスク部を形成し、
第１溶液を用いて前記ガラス基板を溶解して除去し、
前記めっき成長層を除去することを含む、蒸着マスクの製造方法。 - 前記めっき成長層を除去することは、前記第１溶液とは異なる第２溶液を用いて前記めっき成長層を除去することを含む、請求項８に記載の蒸着マスクの製造方法。
- 前記めっき成長層は、前記ガラス基板から近い順に、第１金属層及び第２金属層を含み、
前記第１金属層は、前記ガラス基板と共に前記第１溶液を用いて溶解して除去され、
前記第２金属層は、前記第２溶液を用いて溶解して除去される、請求項９に記載の蒸着マスクの製造方法。 - 前記第１金属層は、チタンを含む金属層であり、
前記第２金属層は、銅を含む金属層である、請求項１０に記載の蒸着マスクの製造方法。 - 前記第１溶液は、フッ化水素を含む溶液であり、
前記第２溶液は、過酸化水素を含む溶液である、請求項１１に記載の蒸着マスクの製造方法。 - 前記マスク部の上に支持部を配置し、
前記支持部と前記マスク部とを接続する接続部を電鋳により形成することを含む、請求項１又は８に記載の蒸着マスクの製造方法。 - 前記マスク部及び前記接続部は、インバーを含む材料で形成される、請求項１３に記載の蒸着マスクの製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020053845A JP2021155763A (ja) | 2020-03-25 | 2020-03-25 | 蒸着マスクの製造方法 |
| CN202110252771.XA CN113445002A (zh) | 2020-03-25 | 2021-03-08 | 蒸镀掩模的制造方法 |
| KR1020210031207A KR20210119882A (ko) | 2020-03-25 | 2021-03-10 | 증착 마스크의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2020053845A JP2021155763A (ja) | 2020-03-25 | 2020-03-25 | 蒸着マスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2021155763A true JP2021155763A (ja) | 2021-10-07 |
Family
ID=77809051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2020053845A Pending JP2021155763A (ja) | 2020-03-25 | 2020-03-25 | 蒸着マスクの製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2021155763A (ja) |
| KR (1) | KR20210119882A (ja) |
| CN (1) | CN113445002A (ja) |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2985088B2 (ja) * | 1989-02-20 | 1999-11-29 | セイコーエプソン株式会社 | 時計用外装部品の製造方法 |
| JP2006013152A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | ２層フレキシブル基板とその製造方法 |
| JP4899816B2 (ja) * | 2006-11-16 | 2012-03-21 | 住友金属鉱山株式会社 | 銅被覆ポリイミド基板とその製造方法 |
| JP6035548B2 (ja) * | 2013-04-11 | 2016-11-30 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 蒸着マスク |
| JP6078818B2 (ja) * | 2013-07-02 | 2017-02-15 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 成膜マスク及び成膜マスクの製造方法 |
| JP6559027B2 (ja) * | 2014-09-30 | 2019-08-14 | 日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社 | ポリアミド酸、ポリイミド、樹脂フィルム及び金属張積層板 |
| JP6722512B2 (ja) | 2016-05-23 | 2020-07-15 | マクセルホールディングス株式会社 | 蒸着マスクおよびその製造方法 |
| KR20180047594A (ko) * | 2016-10-31 | 2018-05-10 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막 증착용 마스크와 이의 제조 방법 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| KR20190089206A (ko) * | 2017-02-27 | 2019-07-30 | 후지필름 가부시키가이샤 | 도전성 필름의 제조 방법, 및 도전성 필름 |
| JP2019094528A (ja) * | 2017-11-21 | 2019-06-20 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法、及び表示装置の製造方法 |
| CN110241389A (zh) * | 2018-03-08 | 2019-09-17 | 日铁化学材料株式会社 | 蒸镀掩模、蒸镀掩模形成用聚酰胺酸、蒸镀掩模形成用层叠体及蒸镀掩模的制造方法 |
| JP2019157269A (ja) * | 2018-03-08 | 2019-09-19 | 日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社 | 蒸着マスク、蒸着マスク形成用ポリアミド酸、蒸着マスク形成用積層体及び蒸着マスクの製造方法 |
| TWI773911B (zh) * | 2018-08-10 | 2022-08-11 | 日商大日本印刷股份有限公司 | 蒸鍍罩、蒸鍍罩裝置、蒸鍍罩之製造方法、蒸鍍罩裝置之製造方法及蒸鍍方法 |
-
2020
- 2020-03-25 JP JP2020053845A patent/JP2021155763A/ja active Pending
-
2021
- 2021-03-08 CN CN202110252771.XA patent/CN113445002A/zh active Pending
- 2021-03-10 KR KR1020210031207A patent/KR20210119882A/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113445002A (zh) | 2021-09-28 |
| KR20210119882A (ko) | 2021-10-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100496577B1 (ko) | 피착용 마스크, 그 제조 방법, 일렉트로 루미네센스 표시장치 및 그 제조 방법 | |
| CN105177496B (zh) | 掩膜板的制作方法 | |
| JP5958804B2 (ja) | 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法及び有機ｅｌ表示装置の製造方法 | |
| US8623162B2 (en) | Fabricating method of flexible display | |
| WO2022149350A1 (ja) | 蒸着マスクの製造装置、及び蒸着マスクの製造方法 | |
| JP2004006371A (ja) | 蒸着用マスク、蒸着用マスクフレーム組立体及びこれらの製造方法 | |
| CN112921365B (zh) | 金属遮罩的制造方法 | |
| JP2021155763A (ja) | 蒸着マスクの製造方法 | |
| US11650637B2 (en) | Wiring structure, preparation method thereof, and display device | |
| KR101722936B1 (ko) | 플렉서블 표시장치의 제조방법 | |
| JP7421617B2 (ja) | 蒸着マスク | |
| JP2004273438A (ja) | エッチング用マスク | |
| JP2005340138A (ja) | マスク構造体及びその製造方法 | |
| KR20110050122A (ko) | 유기전계발광 표시장치의 제조방법 | |
| JP2022080753A (ja) | 蒸着マスクの製造方法 | |
| KR20230077651A (ko) | 증착 마스크와 그 제조 방법 | |
| KR102672615B1 (ko) | 증착 마스크의 제조 방법 | |
| JP2007011146A (ja) | ポリマー光導波路の電極形成方法 | |
| KR102152612B1 (ko) | 마스크 이송 장치 | |
| CN113493893B (zh) | 蒸镀掩模的制作方法 | |
| JP2023006792A (ja) | 蒸着マスク | |
| JP2023106977A (ja) | 蒸着マスクおよびその製造方法 | |
| JP2022066709A (ja) | 蒸着マスクおよび蒸着マスクの製造方法 | |
| JP2021143358A (ja) | 蒸着マスクユニットの作製方法 | |
| JPH11219783A (ja) | 表示素子の製造方法 |