JP2023106977A - 蒸着マスクおよびその製造方法 - Google Patents

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Abstract

Figure 2023106977000001
【課題】蒸着不良が低減されるマスクを提供すること。
【解決手段】蒸着マスクは、第1の方向および第1の方向と交差する第2の方向に沿って複数の開口部が設けられたマスク本体を含み、複数の開口部の各々は、第1の方向に第1の開口幅を有する第1の開口と、第1の開口の上において、第1の方向に第1の開口幅よりも大きい第2の開口幅を有する第2の開口と、第1の開口と第2の開口とが連通されることによって設けられる段差と、を含み、第2の開口の深さは、第1の開口の深さよりも大きく、第1の方向に沿った断面視において、段差の上面と、第1の開口の上端部と第2の開口の上端部とを結ぶ直線とのなす角は60°未満である。
【選択図】図2

Description

本発明の一実施形態は、蒸着マスクに関する。また、本発明の一実施形態は、蒸着マスクの製造方法に関する。
有機EL(Electroluminescence)表示装置は、フラットパネル型表示装置の一つである。有機EL表示装置では、各画素に有機EL素子が設けられる。有機EL素子は、アノード電極およびカソード電極から成る一対の電極間に、有機EL材料を含む層(以下、「有機EL層」という)を挟んだ構造を有する。有機EL層は、発光層、電子注入層、または正孔注入層などの機能層から構成される。有機EL素子は、発光層の有機材料の選択により様々な波長の色で発光させることが可能である。
有機EL材料が低分子化合物である場合、有機EL層には、真空蒸着法を用いて薄膜が形成される。真空蒸着法においては、蒸着材料が、高真空下においてヒーターによって加熱され、気化(蒸発または昇華)する。気化した蒸着材料を、基板の表面に堆積(蒸着)させることで薄膜が形成される。また、真空蒸着法においては、多数の微細な開口パターンを有するマスク(蒸着マスク)を用いることで、開口パターンに対応した高精細な薄膜パターンを形成することができる。
蒸着マスクは、製法により分類することができ、エッチングでパターニングされたファインメタルマスク(FMM)と、電鋳技術を用いるエレクトロファインフォーミングマスク(EFM)と、に大別することができる。例えば、特許文献1には、微細な開口パターンを有するマスク本体を電鋳で形成した後、さらに電鋳を用いて、マスク本体とマスクフレームとを接続する蒸着マスクの製造方法が開示されている。
特開2017-210633号公報
真空蒸着法では、気化された蒸着材料は、蒸着マスクの開口部に垂直方向からだけでなく、斜め方向からも入射する。斜め方向から開口部に入射する蒸着材料は、入射角度によっては開口部の上端部で遮られる。その結果、基板に形成される薄膜は、外周部の膜厚が中央部の膜厚よりも小さくなり、膜厚のばらつきが大きくなる蒸着不良が生じる問題があった。
また、繰り返し用いた蒸着マスクには、開口部を通過しない蒸着材料が堆積されるため、堆積された蒸着材料が入射する蒸着材料を遮るようになる。そのため、蒸着マスクは、所定の回数ごとに洗浄する必要がある。しかしながら、蒸着マスクの開口部は微細であるため、蒸着マスクの洗浄で蒸着マスクから剥離した異物が開口部に付着し、開口部を塞いでしまう場合がある。開口部が塞がれた蒸着マスクを用いた場合では、薄膜が欠損する蒸着不良が生じる問題があった。
本発明の一実施形態は、上記問題に鑑み、蒸着不良が低減されるマスクを提供することを課題の一つとする。また、本発明の一実施形態は、蒸着不良が低減されるマスクの製造方法を提供することを課題の一つとする。
本発明の一実施形態に係る蒸着マスクは、第1の方向および第1の方向と交差する第2の方向に沿って複数の開口部が設けられたマスク本体を含み、複数の開口部の各々は、第1の方向に第1の開口幅を有する第1の開口と、第1の開口の上において、第1の方向に第1の開口幅よりも大きい第2の開口幅を有する第2の開口と、第1の開口と第2の開口とが連通されることによって設けられる段差と、を含み、第2の開口の深さは、第1の開口の深さよりも大きく、第1の方向に沿った断面視において、段差の上面と、第1の開口の上端部と第2の開口の上端部とを結ぶ直線とのなす角は60°未満である。
本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの製造方法は、第1の方向および第1の方向と交差する第2の方向に沿って複数の開口部が設けられたマスク本体を含む蒸着マスクの製造方法であって、支持基板の上に、第1の方向に第1の開口幅を有する第1の開口を含む第1の金属膜を形成し、第1の金属膜の上において、第1の方向に第1の開口幅よりも大きな第2の開口幅を有する第2の開口を含む第2の金属膜を形成すること、を含み、開口部は、第1の開口と第2の開口とが連通され、第1の金属膜によって形成される段差を含み、第2の金属膜の厚さは、第1の金属膜の厚さよりも大きく、第1の方向に沿った断面視において、段差の上面と、第1の開口の上端部と第2の開口の上端部とを結ぶ直線とのなす角は60°未満である。
本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの製造方法は、第1の方向および第1の方向と交差する第2の方向に沿って複数の開口部が設けられたマスク本体を含む蒸着マスクの製造方法であって、支持基板の上に、第1の方向に第3の開口幅を有する第3の開口を含む第2の金属膜を形成し、第2の金属膜を覆い、第3の開口の中に、第1の方向に第1の開口幅を有する第1の開口および第1の開口幅よりも大きな第2の開口幅を有する第2の開口を含む第1の金属膜を形成することを含み、開口部は、第1の開口と第2の開口とが連通され、第1の金属膜によって形成される形成される段差を含み、第2の金属膜の厚さは、第1の金属膜の厚さよりも大きく、第1の方向に沿った断面視において、段差の上面と、第1の開口の上端部と第2の開口の上端部とを結ぶ直線とのなす角は60°未満である。
本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの平面図である。 本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの断面図である。 本発明の一実施形態に係る蒸着マスクのマスク本体の蒸着パターン領域の一部を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る蒸着マスクを用いて蒸着される被蒸着基板上に設けられた画素の配置を示す模式図である。 本発明の一実施形態に係る蒸着マスクを示す模式図である。 本発明の一実施形態に係る蒸着マスクを示す模式図である。 本発明の一実施形態に係る蒸着マスクを用いて蒸着される被蒸着基板上に設けられた画素の配置を示す模式図である。 本発明の一実施形態に係る蒸着マスクを示す模式図である。
以下、本発明の各実施形態について、図面等を参照しつつ説明する。ただし、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合がある。しかし、図面に示す例は、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の構成には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
本発明において、ある一つの膜に対してエッチングや光照射を行うことで複数の膜を形成した場合、これら複数の膜は異なる機能、役割を有することがある。しかしながら、これら複数の膜は同一の工程で同一層として形成された膜に由来し、同一の層構造、同一の材料を有する。したがって、これら複数の膜は同一層に存在しているものと定義する。
本明細書および特許請求の範囲において、ある構造体の上に他の構造体が配置された態様を表現する際に、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、その構造体の直上に他の構造体が配置される場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体が配置される場合と、の両方を含むものと定義される。
<第1実施形態>
[1.蒸着マスク10の構成の概要]
図1Aおよび図1Bを参照して、本発明の一実施形態に係る蒸着マスク10の構成について説明する。
図1Aは、本発明の一実施形態に係る蒸着マスク10の平面図である。具体的には、図1Aは、蒸着時における蒸着源側から眺めた蒸着マスク10の平面図である。また、図1Bは、本発明の一実施形態に係る蒸着マスク10の断面図である。具体的には、図1Bは、図1Aに示すA-A’線に沿って切断された蒸着マスク10の断面図である。
図1Aおよび図1Bに示されるように、蒸着マスク10は、マスク本体100、マスクフレーム200、および接続部300を含む。マスク本体100は、マスクフレーム200の開口部210に設けられ、接続部300を介して、マスクフレーム200に接続されている。図1Aでは、マスクフレーム200に、x方向およびy方向にマトリクス状に設けられた12個の開口部210が示されているが、開口部210の数はこれに限定されない。また、開口部210の大きさも同じではなく、異なっていてもよい。蒸着マスク10が大きい場合には、マスクフレーム200の開口部210が大きく、数が少ないと、マスクフレーム200の強度を十分に確保することができない場合がある。この場合、マスクフレーム200に反りまたはねじれなどが生じ、蒸着マスク10の平行度を保持することが困難になる。そのため、開口部210の数または大きさは、マスクフレーム200の強度が考慮されることが好ましい。
マスク本体100は、蒸着パターン領域110を含む。蒸着パターン領域110は、被蒸着基板に形成される薄膜パターンに対応するものである。蒸着パターン領域110には、複数の開口部120が設けられている。蒸着時において、被蒸着基板は、蒸着マスク10を介して、蒸着源と反対側に配置され、蒸着源から気化された蒸着材料は、複数の開口部120を通過して被蒸着基板に堆積される。マスク本体100の厚さは、例えば、1μm以上50μm以下であり、好ましくは5μm以上25μm以下である。マスク本体100は、電鋳(または電解メッキ)で用いる材料で形成されることが好ましい。マスク本体100の材料として、例えば、ニッケルまたはニッケル合金などを用いることができる。なお、蒸着パターン領域110の開口部120の構成については後述する。
マスクフレーム200は、接続部300を介して、マスク本体100を支持することができる。マスクフレーム200の厚さは、例えば、10μm以上2000μm以下である。また、マスクフレーム200は、熱膨張係数の小さい材料で形成されることが好ましい。マスクフレーム200の材料として、例えば、鉄およびニッケルを含有するインバーまたは鉄、ニッケル、およびコバルトを含有するスーパーインバーなどを用いることができる。
接続部300は、マスク本体100をマスクフレーム200に接続すれことができる。接続部300は、マスクフレーム200の開口部210の側面およびマスク本体100の側面に設けられる。接続部300は、マスクフレーム200の開口部210の側面の全面に設けられなくてもよい。接続部300は、マスクフレーム200の開口部210の側面の少なくとも一部に設けられていればよい。一方、上述したように、マスク本体100の厚さは、マスクフレーム200の厚さに比べて小さい。そのため、マスク本体100とマスクフレーム200との接続強度を大きくするため、接続部300は、マスク本体100の側面の全面に設けられていることが好ましい。また、接続部300は、マスク本体100とマスクフレーム200との間に階段状に形成されていてもよい。接続部300の材料として、例えば、ニッケルまたはニッケル合金などを用いることができる。
[2.マスク本体100の開口部120の構成]
図2を参照して、本発明の一実施形態に係る蒸着マスク10のマスク本体100の蒸着パターン領域110に設けられた開口部120の構成について説明する。
図2は、本発明の一実施形態に係る蒸着マスク10のマスク本体100の蒸着パターン領域110の一部を示す断面図である。具体的には、図2は、図1Aに示すB-B’線に沿って切断された蒸着マスク10の断面図である。
図2に示されるように、マスク本体100は、第1の金属膜101-1および第2の金属膜101-2を含む。第2の金属膜101-2は、第1の金属膜101-1上に設けられている。第2の金属膜101-2の厚さt2は、第1の金属膜101-1の厚さt1よりも大きい。第1の金属膜101-1の厚さt1は、例えば、0.2μm以上1.0μm以下である。また、第2の金属膜101-2の厚さt2は、例えば、5.0μm以上20μm以下である。
上述したように、マスク本体100の蒸着パターン領域110には、複数の開口部120が設けられている。開口部120は、第1の開口幅w1を有する第1の開口121-1および第2の開口幅w2を有する第2の開口121-2を含む。第1の開口121-1および第2の開口121-2は、それぞれ、第1の金属膜101-1および第2の金属膜101-2に設けられた開口である。そのため、第1の開口121-1の深さは、第1の金属膜の厚さt1に相当し、第2の開口121-2の深さは、第2の金属膜の厚さt2に相当する。すなわち、第2の開口121-2の深さは、第1の開口121-1の深さよりも大きい。
第2の開口幅w2は、第1の開口幅w1よりも大きい。第1の開口幅w1は、例えば、10μm以上60μm以下である。また、第2の開口幅w2は、例えば、20μm以上100μm以下である。第1の開口121-1と第2の開口121-2とは連通し、第1の開口幅w1が第2の開口幅w2よりも小さいことにより、開口部120には、段差102が形成されている。段差102は、第1の金属膜101-1の一部である。
段差102の上面(第1の金属膜101-1の第2の金属膜101-2側の面、または第2の開口121-2によって露出されている第1の金属膜101-1の面)と、第1の金属膜101-1の上端部(第1の開口121-1の上端部)と第2の金属膜101-2の上端部(第2の開口121-2の上端部)とを結ぶ直線とのなす角θは60°未満である。開口部120におけるなす角θが60°以上である場合、斜め方向から開口部120に入射する蒸着材料が、第2の金属膜101-2の上端部によって遮られ、被蒸着基板に堆積される蒸着材料の膜厚が小さい領域(シャドー領域)が形成される。したがって、シャドー領域の形成を抑制するには、開口部120におけるなす角θは、上記範囲であることが好ましい。
また、蒸着マスク10の洗浄においては、蒸着マスク10から剥離された異物が開口部120を塞ぐ場合がある。しかしながら、蒸着マスク10では、段差102上に液溜まりが形成され、液溜まりの表面張力によって剥離された異物を段差102上に引き込むことができる。また、微細な第1の開口121-1に形成される液体膜も、液溜まりの表面張力によって段差102上に引き込まれ、結果として、第1の開口121-1に形成される膜を低減することができる。
なお、図2では、y方向に沿った断面視における開口部120内の段差102を示したが、x方向に沿った断面視において、開口部120内に段差102が設けられていてもよい。また、x方向に沿った断面視において、段差102の上面と、第1の金属膜101-1の上端部と第2の金属膜101-2の上端部とを結ぶ直線とのなす角θは60°未満であてもよい。
[3.蒸着マスク10の製造方法]
図3A~図3Nを参照して、本発明の一実施形態に係る蒸着マスク10の製造方法について説明する。
図3A~図3Nは、本発明の一実施形態に係る蒸着マスク10の製造方法を示す断面図である。
図3A~図3Fは、マスク本体100の蒸着パターン領域110を形成する電鋳工程を説明する図である。
始めに、図3Aに示されるように、支持基板500上に下地金属膜510を形成する。また、下地金属膜510上に、所定のパターンを有するレジスト膜520を形成する。
支持基板500は、蒸着マスク10の製造工程において、各膜を支持することができる。そのため、支持基板500は、剛性基板であることが好ましい。蒸着マスク10の製造工程には、支持基板500を加熱する工程が含まれる場合がある。加熱処理によって支持基板500が伸縮すると、支持基板500上に形成されるレジスト膜520の位置ズレが生じるだけでなく、応力によってレジスト膜520が剥離される場合もある。そのため、蒸着マスク10の製造工程を安定させるためにも、支持基板500は、熱膨張係数が小さい剛性基板であることがさらに好ましい。支持基板500の材料として、例えば、ステンレス(SUS304またはSUS430など)、42アロイ、インバー、スーパーインバー、またはステンレスインバーなどを用いることができる。
下地金属膜510は、電鋳の下地金属として機能することができる。下地金属膜510の材料として、例えば、ニッケルまたはニッケル合金などを用いることができる。下地金属膜510は、スパッタリングなどによって形成することができる。
なお、下地金属膜510は、最終的には分離されて除去される。そのため、下地金属膜510を分離させやすくするために、下地金属膜510上に剥離膜が設けられてもよい。この場合、剥離膜を剥離することで、下地金属膜510を容易に分離することができる。また、剥離膜自体が導電性を有していてもよい。
蒸着マスク10は、電鋳ではなく、無電解メッキを用いて製造することもできる。この場合、下地金属膜510の代わりに、下地絶縁膜を用いることができる。
レジスト膜520は、電鋳のマスクとして機能することができる。レジスト膜520は、例えば、感光性ドライフィルムレジストであるが、これに限られない。レジスト膜520が感光性ドライフィルムレジストである場合、レジスト膜520は、下地金属膜510上に、所定の膜厚を有する1つまたは複数の感光性ドライフィルムレジストが配置され、熱圧着によって形成される。感光性ドライフィルムレジストは、ポジ型またはネガ型のいずれであってもよい。なお、以下では、レジスト膜520がネガ型の感光性ドライフィルムレジストであるとして説明する。
レジスト膜520は、マスク本体100の蒸着パターン領域110の第1の開口121-1に対応するパターンを有する。レジスト膜520のパターンは、フォトリソグラフィーにより形成することができる。すなわち、感光性ドライフィルムレジストにフォトマスクを密着させ、紫外線を照射して感光性ドライフィルムレジストを露光し、未露光部分を溶解除去することにより、レジスト膜520のパターンを形成することができる。
次に、図3Bに示されるように、レジスト膜520をマスクとして、第1の金属膜101-1を形成する。第1の金属膜101-1は、電鋳により形成することができる。具体的には、下地金属膜510およびレジスト膜520を所定の条件に建浴した電鋳漕に入れ、レジスト膜520から露出された下地金属膜510上に第1の金属膜101-1を形成する。第1の金属膜101-1の材料として、例えば、ニッケルまたはニッケルおよびコバルトの合金などを用いることができる。
次に、図3Cに示されるように、レジスト膜520を剥離する。レジスト膜520は、例えば、アミン系の剥離液によって剥離することができる。これにより、第1の開口121-1が形成される。
次に、図3Dに示されるように、第1の開口121-1を覆い、下地金属膜510上に、所定のパターンを有するレジスト膜530を形成する。レジスト膜530は、マスク本体100の蒸着パターン領域110の第2の開口121-2に対応するパターンを有する。なお、レジスト膜530は、レジスト膜520と同様の構成であるため、ここでは説明を省略する。
次に、図3Eに示されるように、レジスト膜530をマスクとして、第2の金属膜101-2を形成する。第2の金属膜101-2も、第1の金属膜101-1と同様に、電鋳により形成することができる。具体的には、第1の金属膜101-1およびレジスト膜530を所定の条件に建浴した電鋳漕に入れ、レジスト膜530から露出された第1の金属膜101-1上に第2の金属膜101-2を形成する。第1の金属膜101-1の材料として、例えば、ニッケルまたはニッケルおよびコバルトの合金などを用いることができる。
なお、電鋳において、添加剤が用いられることが好ましい。第1の金属膜101-1と第2の金属膜101-2とは、同じ添加剤が用いられてもよく、異なる添加剤が用いられてもよい。また、第1の金属膜101-1と第2の金属膜とが同じ添加剤を含む場合であっても、それぞれに含まれる添加剤の濃度が異なっていてもよい。添加剤の種類または添加剤の濃度により、第1の金属膜101-1および第2の金属膜101-2の各々の応力を調整することができる。第2の金属膜101-2の厚さは、第1の金属膜101-1の厚さよりも大きいため、第2の金属膜101-2の応力は、第1の金属膜101-1の応力よりも小さいことが好ましい。応力を緩和する添加剤には、一次光沢剤、二次光沢剤、およびピット防止剤が含まれていてもよい。例えば、一次光沢剤として、サッカリンまたはナフタリン・スルフォン酸ソーダを用いることができる。また、二次光沢剤として、1-4-ブタンジオールを用いることができる。また、ピット防止剤として、界面活性剤を用いることができる。第2の金属膜101-2に含まれる添加剤の濃度を第1の金属膜101-1に含まれる添加剤の濃度よりも大きくし、第2の金属膜101-2の応力を第1の金属膜101-1の応力よりも小さくすることができる。
添加剤の濃度の一例としては、サッカリン1~2g/L、ナフタリン・スルフォン酸ソーダ5~10g/L、1-4-ブタンジオール0.1~0.2g/L、および少量の界面活性剤の組み合わせが挙げられる。
次に、図3Fに示されるように、レジスト膜530を剥離する。これにより、第2の開口121-2が形成される。また、第1の開口121-1と第2の開口121-2とが連通された開口部120が形成される。さらに、開口部120には、段差102が形成される。
なお、第2の金属膜101-2の厚さが、レジスト膜530の厚さ以上である場合、レジスト膜530を剥離する前に、第2の金属膜101-2の表面を研磨してもよい。第2の金属膜101-2の表面を研磨することにより、第2の金属膜101-2の表面を平坦化することができる。
図3G~図3Jは、マスクフレーム200の密着工程を説明する図である。
まず、図3Gに示されるように、蒸着パターン領域110を覆う保護膜540を形成する。保護膜540は、後述する工程によって発生するパーティクルが、蒸着パターン領域の開口部120に入り込み、開口部120が塞がれることを防止することができる。なお、保護膜540は、レジスト膜520またはレジスト膜530と同様の材料および方法を用いて形成することができる。
次に、図3Hに示されるように、マスク本体100上に、接着層550を介してマスクフレーム200が配置される。接着層550は、マスク本体100とマスクフレーム200とを接着するが、マスク本体100とマスクフレーム200とを完全に接着する必要はない。そのため、接着層550は、完全に硬化されなくてもよい。
接着層550は、後の工程において除去されるため、除去しやすい材料であることが好ましい。接着層550の材料として、例えば、酢酸ビニル樹脂、エチレン酢酸ビニル樹脂、エポキシ樹脂、シアノアクリレート樹脂、またはアクリル樹脂などを用いることができる。また、接着層550の材料としては、ドライフィルムレジストを用いることもできる。接着層550の材料としてドライフィルムレジストを用いる場合、ドライフィルムレジストを弱く露光しておいてもよい。ドライフィルムレジストを露光しておくことで、後の工程においてドライフィルムレジストを除去しやすくなる。
次に、図3Iに示されるように、支持基板500、下地金属膜510、マスク本体100、保護膜540、接着層550、およびマスクフレーム200を覆い、マスクフレーム200の上方にフィルム560を配置する。続いて、支持基板500とフィルム560との間の空気を排気(真空排気)し、フィルム560の下方側の圧力を下げる。フィルム560の上方側と下方側との圧力差により、フィルム560は支持基板500側に引き付けられる。フィルム560の下方側の圧力をさらに下げると、フィルム560がマスクフレーム200を押圧する。フィルム560からの押圧を受けて、マスクフレーム200は、接着層550を介して、マスク本体100と強固に接着される。この工程は、いわゆる真空圧着と呼ばれる工程である。
フィルム560の下方側の真空度は、大気圧を0kPaとしたゲージ圧において、-50kPa以下であり、好ましくは-70kPa以下であり、さらに好ましくは-90kPaである。
真空圧着後は、フィルム560を除去する。
次に、図3Jに示されるように、保護膜540を剥離する。
図3K~図3Mは、接続部300の形成する電鋳工程を説明する図である。
まず、図3Kに示されるように、蒸着パターン領域110の開口部120を覆い、下地金属膜510上に所定のパターンを有するレジスト膜570を形成する。レジスト膜570は、マスクフレーム200の周囲に間隙が存在するパターンを有する。なお、レジスト膜570は、レジスト膜520およびレジスト膜530と同様の構成であるため、ここでは説明を省略する。
次に、図3Lに示されるように、レジスト膜570をマスクとして、接続部300を形成する。接続部300は、電鋳により形成することができる。具体的には、下地金属膜510およびレジスト膜570を所定の条件に建浴した電鋳漕に入れ、レジスト膜570から露出された下地金属膜510上に接続部300を形成する。これにより、マスク本体100およびマスクフレーム200と接続された接続部300が形成される。接続部300の材料として、例えば、ニッケルまたはニッケルおよびコバルトの合金などを用いることができる。
次に、図3Mに示されるように、レジスト膜570を剥離する。
図3Nは、支持基板500の分離工程を説明する図である。
最後に、図3Nに示されるように、支持基板500、下地金属膜510および接着層550を剥離する。これにより、マスク本体100とマスクフレーム200とが接続部300によって接続された蒸着マスク10が形成される。接着層550を剥離することで、接着層550の下方の接着層550と重畳している第1の金属膜101-1および第2の金属膜101-2の一部も剥離される。なお、支持基板500、下地金属膜510、および接着層550は、一回で剥離してもよく、それぞれ別個に剥離してもよい。
以上、本発明の一実施形態に係る蒸着マスク10の蒸着パターン領域110の開口部120は、被蒸着基板側の第1の開口121-1の第1の開口幅w1よりも蒸着源側の第2の開口121-2の第2の開口幅w2が大きくなるように、段差102を含む。また、段差102の上面と、第1の開口121-1の上端部と第2の開口121-2の上端部とを結ぶ直線のなす角θは60°未満である。そのため、斜め方向から入射する蒸着材料を、開口部120の上端部が遮ることがないため、被蒸着基板上のシャドー領域の形成を抑制することができる。
また、蒸着マスク10の洗浄において、段差102上に形成される液溜まりに異物が引き込まれ、開口部120が異物によって塞がれることを抑制することができる。
したがって、蒸着マスク10を用いた蒸着では、蒸着不良を低減することができる。また、開口部120におけるなす角θが上記範囲に制御され、蒸着マスク10に堆積される蒸着材料を増やすことができるため、蒸着マスク10の洗浄回数を低減することができる。
<第2実施形態>
図4A~図4Eを参照して、本発明の一実施形態に係る蒸着マスク20の製造方法について説明する。なお、蒸着マスク20の構成が蒸着マスク10の構成と同様であるとき、蒸着マスク20の構成の説明を省略する場合がある。
図4A~図4Eは、本発明の一実施形態に係る蒸着マスク20の製造方法を示す断面図である。具体的には、図4A~図4Eは、マスク本体100Aの蒸着パターン領域110を形成する電鋳工程を説明する図である。
始めに、図4Aに示されるように、支持基板500上に下地金属膜510を形成する。また、下地金属膜510上に、所定のパターンを有するレジスト膜520Aを形成する。
次に、図4Bに示されるように、レジスト膜520Aをマスクとして、第2の金属膜101A-2を形成する。第2の金属膜101A-2は、電鋳により形成することができる。具体的には、下地金属膜510およびレジスト膜520Aを所定の条件に建浴した電鋳漕に入れ、レジスト膜520Aから露出された下地金属膜510上に第2の金属膜101A-2を形成する。
次に、図4Cに示されるように、下地金属膜510が露出されるように、レジスト膜520Aの一部を溶解させ、レジスト膜525Aを形成する。第2の金属膜101A-2とレジスト膜525Aとの間に間隙が形成され、間隙において、下地金属膜510が露出されている。
次に、図4Dに示されるように、レジスト膜525Aをマスクとして、第1の金属膜101A-1を形成する。第1の金属膜101A-1は、電鋳により形成することができる。具体的には、下地金属膜510、第2の金属膜101A-2、およびレジスト膜525Aを所定の条件に建浴した電鋳漕に入れ、レジスト膜525Aから露出された下地金属膜510および第2の金属膜101A-2上に第1の金属膜101A-1を形成する。
次に、図4Eに示されるように、レジスト膜525Aを剥離する。これにより、第1の開口121A-1および第2の開口121A-2が形成される。また、第1の開口121A-1と第2の開口121-2とが連通された開口部120Aが形成される。さらに、開口部120Aには、段差102Aが形成される。
蒸着マスク20の第1の金属膜101A-1および第2の金属膜101A-2の積層順は、上述した蒸着マスク10の第1の金属膜101-1および第2の金属膜101-2の積層順と逆である。しかしながら、蒸着マスク20においても、第1の開口121-1、第2の開口121-2、および段差102のそれぞれに対応する第1の開口121A-1、第2の開口121A-2、および段差102Aが形成される。なお、開口部120Aは、上述した開口部120と同様の構成であるため、ここでは説明を省略する。
以上、本発明の一実施形態に係る蒸着マスク20の製造方法では、被蒸着基板側の第1の開口121A-1の第1の開口幅w1よりも蒸着源側の第2の開口121A-2の第2の開口幅w2が大きくなるように、開口部120A内に段差102Aが形成される。また、段差102Aの上面と、第1の開口121A-1の上端部と第2の開口121A-2の上端部とを結ぶ直線のなす角θは60°未満である。そのため、斜め方向から入射する蒸着材料を、開口部120Aの上端部が遮ることがないため、被蒸着基板上のシャドー領域の形成を抑制することができる。
また、蒸着マスク20の洗浄において、段差102A上に形成される液溜まりに異物が引き込まれ、開口部120Aが異物によって塞がれることを抑制することができる。
したがって、蒸着マスク20を用いた蒸着では、蒸着不良を低減することができる。また、開口部120Aにおけるなす角θが上述した範囲に制御され、蒸着マスク20に堆積される蒸着材料を増やすことができるため、蒸着マスク20の洗浄回数を低減することができる。
<第3実施形態>
図5A~図5Cを参照して、本発明の一実施形態に係る蒸着マスク30について説明する。なお、蒸着マスク30の構成が蒸着マスク10または蒸着マスク20の構成と同様であるとき、蒸着マスク30の構成の説明を省略する場合がある。
図5Aは、本発明の一実施形態に係る蒸着マスク30を用いて蒸着される被蒸着基板上に設けられた画素600の配置を示す模式図である。
図5Aに示されるように、画素600は、マトリクス状に配置されている。1個の画素600は、赤色サブ画素601r、緑色サブ画素601g、および青色サブ画素601bを1個ずつ含む。赤色サブ画素601rと緑色サブ画素601gとは同じ大きさである。赤色サブ画素601rおよび緑色サブ画素601gは、y方向に沿って交互に配置されている。一方、青色サブ画素601bは、赤色サブ画素601rおよび緑色サブ画素601gよりも大きい。青色サブ画素601bは、赤色サブ画素601rおよび緑色サブ画素601gとx方向で隣接し、y方向に沿って配置されている。
図5Bおよび図5Cは、本発明の一実施形態に係る蒸着マスク30を示す模式図である。具体的には、図5Bは、赤色サブ画素601rおよび緑色サブ画素601g用の第1の蒸着マスク30-1を示し、図5Cは、青色サブ画素601b用の第2の蒸着マスク30-2を示す。
図5Bに示されるように、第1の蒸着マスク30-1には、開口部120Bが設けられている。開口部120B内には、x方向およびy方向に延在する段差102Bが設けられている。一方、図5Cに示されるように、第2の蒸着マスク30-2には、開口部120Cが設けられている。開口部120Cには、y方向に延在する段差102Cが設けられている。段差102Cは、段差102Bと異なり、x方向には延在していない。
蒸着マスク30においては、開口部120Bまたは開口部120Cによって蒸着されるサブ画素601の色と、サブ画素601に隣接するサブ画素の色とが異なる場合に、開口部120Bまたは開口部120C内において隣接する異なる色のサブ画素側に段差102Bまたは102Cが設けられている。そのため、隣接する異なる色のサブ画素601におけるシャドー領域の形成を低減することができる。すなわち、画素600内のサブ画素601に形成される薄膜の膜厚ばらつきが抑制されるため、画素600の階調のばらつきを低減することができる。
以上、本発明の一実施形態に係る蒸着マスク30も、上述した蒸着マスク10または蒸着マスク20と同様の構成を有する。そのため、斜め方向から入射する蒸着材料を、開口部120Bまたは開口部120Cの上端部が遮ることがないため、隣接する異なる色のサブ画素601におけるシャドー領域の形成を抑制することができる。
また、蒸着マスク30の洗浄において、段差102Bまたは段差102C上に形成される液溜まりに異物が引き込まれ、開口部120Bまたは開口部120Cが異物によって塞がれることを抑制することができる。
したがって、蒸着マスク30を用いた蒸着では、蒸着不良を低減することができる。また、開口部120Bまたは開口部120Cにおけるなす角θが上述した範囲に制御され、蒸着マスク30に堆積される蒸着材料を増やすことができるため、蒸着マスク30の洗浄回数を低減することができる。
<第3実施形態の変形例>
図6Aおよび図6Bを参照して、蒸着マスク30の一変形例である蒸着マスク30’について説明する。なお、蒸着マスク30’の構成が蒸着マスク30の構成と同様であるとき、蒸着マスク30’の構成の説明を省略する場合がある。
図6Aは、本発明の一実施形態に係る蒸着マスク30’を用いて蒸着される被蒸着基板上に設けられた画素610の配置を示す模式図である。
図6Aに示されるように、画素610は、マトリクス状に配置されている。1個の画素610は、赤色サブ画素611r、緑色サブ画素611g、および青色サブ画素611bを1個ずつ含む。赤色サブ画素611rと緑色サブ画素611gとは同じ大きさである。一方、青色サブ画素611bは、赤色サブ画素611rおよび緑色サブ画素611gよりも大きい。赤色サブ画素611r、緑色サブ画素611g、および青色サブ画素611bは、この順に、x方向に沿って配置されている。また、y方向に沿って、複数の赤色サブ画素611rが配置されている。複数の緑色サブ画素611gおよび青色サブ画素も同様である。
図6Bは、本発明の一実施形態に係る蒸着マスク30’を示す模式図である。具体的には、図6Bは、赤色サブ画素611rおよび緑色サブ画素611g用の第1の蒸着マスク30D-1を示す。青色サブ画素611b用の第2の蒸着マスクは、図5Cに示す第2の蒸着マスク30-2と同様であるため、ここでは説明を省略する。
図6Bに示されるように、第1の蒸着マスク30’-1には、開口部120Dが設けられている。開口部120Dには、y方向に延在する段差102Dが設けられている。なお、段差102Fは、x方向には延在していない。
蒸着マスク30’においても、開口部120Dによって蒸着されるサブ画素611の色と、サブ画素611に隣接するサブ画素の色とが異なる場合に、開口部120D内において隣接する異なる色のサブ画素側に段差102Dが設けられている。そのため、画素600と同様に、画素610の階調のばらつきを低減することができる。
以上、本発明の一実施形態に係る蒸着マスク30’も、上述した蒸着マスク10または蒸着マスク20と同様の構成を有する。そのため、斜め方向から入射する蒸着材料を、開口部120Dの上端部が遮ることがないため、隣接する異なる色のサブ画素611におけるシャドー領域の形成を抑制することができる。
また、蒸着マスク30’の洗浄において、段差102D上に形成される液溜まりに異物が引き込まれ、開口部120Dが異物によって塞がれることを抑制することができる。
したがって、蒸着マスク30’を用いた蒸着では、蒸着不良を低減することができる。また、開口部120Dにおけるなす角θが上述した範囲に制御され、蒸着マスク30’に堆積される蒸着材料を増やすことができるため、蒸着マスク30’の洗浄回数を低減することができる。
本発明の実施形態として上述した各実施形態は、相互に矛盾しない限りにおいて、適宜組み合わせて実施することができる。また、各実施形態を基にして、当業者が適宜構成要素の追加、削除、もしくは設計変更を行ったもの、または工程の追加、省略、もしくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、または当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。
10、20、30、30’:蒸着マスク、 100、100A:マスク本体、 101-1、101A-1:第1の金属膜、 101-2、101A-2:第2の金属膜、 102、102A、102B、102C、102D、102F:段差、 110:蒸着パターン領域、 120、120A、120B、120C、120D:開口部、 121-1、121A-1:第1の開口、 121-2、121A-2:第2の開口、 200:マスクフレーム、 210:開口部、 300:接続部、 500:支持基板、 510:下地金属膜、 520、520A、525A:レジスト膜、 530:レジスト膜、 540:保護膜、 550:接着層、 560:フィルム、 570:レジスト膜、 600、610:画素、 601、611:サブ画素、 601b、611b:青色サブ画素、 601g、611g:緑色サブ画素、 601r、611r:赤色サブ画素

Claims (12)

  1. 第1の方向および前記第1の方向と交差する第2の方向に沿って複数の開口部が設けられたマスク本体を含み、
    前記複数の開口部の各々は、
    前記第1の方向に第1の開口幅を有する第1の開口と、
    前記第1の開口の上において、前記第1の方向に前記第1の開口幅よりも大きい第2の開口幅を有する第2の開口と、
    前記第1の開口と前記第2の開口とが連通されることによって設けられる段差と、を含み、
    前記第2の開口の深さは、前記第1の開口の深さよりも大きく、
    前記第1の方向に沿った断面視において、前記段差の上面と、前記第1の開口の上端部と前記第2の開口の上端部とを結ぶ直線とのなす角は60°未満である、蒸着マスク。
  2. 前記第2の方向に沿った断面視において、前記段差の前記上面と、前記第1の開口の上端部と前記第2の開口の上端部とを結ぶ直線とのなす角は60°未満である、請求項1に記載の蒸着マスク。
  3. 前記第1の開口の前記深さは、0.2μm以上1.0μm以下である、請求項1または請求項2に記載の蒸着マスク。
  4. 前記第2の開口の前記深さは、5.0μm以上20μm以下である、請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の蒸着マスク。
  5. 第1の方向および前記第1の方向と交差する第2の方向に沿って複数の開口部が設けられたマスク本体を含む蒸着マスクの製造方法であって、
    支持基板の上に、前記第1の方向に第1の開口幅を有する第1の開口を含む第1の金属膜を形成し、
    前記第1の金属膜の上において、前記第1の方向に前記第1の開口幅よりも大きな第2の開口幅を有する第2の開口を含む第2の金属膜を形成すること、を含み、
    前記開口部は、前記第1の開口と前記第2の開口とが連通され、前記第1の金属膜によって形成される段差を含み、
    前記第2の金属膜の厚さは、前記第1の金属膜の厚さよりも大きく、
    前記第1の方向に沿った断面視において、前記段差の上面と、前記第1の開口の上端部と前記第2の開口の上端部とを結ぶ直線とのなす角は60°未満である、蒸着マスクの製造方法。
  6. 第1の方向および前記第1の方向と交差する第2の方向に沿って複数の開口部が設けられたマスク本体を含む蒸着マスクの製造方法であって、
    支持基板の上に、前記第1の方向に第3の開口幅を有する第3の開口を含む第2の金属膜を形成し、
    前記第2の金属膜を覆い、前記第3の開口の中に、前記第1の方向に第1の開口幅を有する第1の開口および前記第1の開口幅よりも大きな第2の開口幅を有する第2の開口を含む第1の金属膜を形成することを含み、
    前記開口部は、前記第1の開口と前記第2の開口とが連通され、前記第1の金属膜によって形成される段差を含み、
    前記第2の金属膜の厚さは、前記第1の金属膜の厚さよりも大きく、
    前記第1の方向に沿った断面視において、前記段差の上面と、前記第1の開口の上端部と前記第2の開口の上端部とを結ぶ直線とのなす角は60°未満である、蒸着マスクの製造方法。
  7. 前記第2の方向に沿った断面視において、前記段差の前記上面と、前記第1の開口の上端部と前記第2の開口の上端部とを結ぶ直線とのなす角は60°未満である、請求項5または請求項6に記載の蒸着マスクの製造方法。
  8. 前記第1の金属膜の前記厚さは、0.2μm以上1.0μm以下である、請求項5乃至請求項7のいずれか一項に記載の蒸着マスクの製造方法。
  9. 前記第2の金属膜の前記厚さは、5.0μm以上20μm以下である、請求項5乃至請求項8のいずれか一項に記載の蒸着マスクの製造方法。
  10. 前記第2の金属膜は、前記第1の金属膜よりも応力が小さい、請求項5乃至請求項9のいずれか一項に記載の蒸着マスクの製造方法。
  11. 前記第1の金属膜および前記第2の金属膜は同じ添加剤を含み、
    前記第2の金属膜の前記添加剤の濃度は、前記第1の金属膜の前記添加剤の濃度よりも大きい、請求項5乃至請求項10のいずれか一項に記載の蒸着マスクの製造方法。
  12. 前記第1の金属膜および前記第2の金属膜は、電鋳によって形成される、請求項5乃至請求項11のいずれか一項に記載の蒸着マスクの製造方法。
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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016125097A (ja) * 2014-12-27 2016-07-11 日立マクセル株式会社 蒸着マスク及びその製造方法
JP2019157262A (ja) * 2018-03-13 2019-09-19 アドバンテック グローバル リミテッドAdvantech Global Ltd 金属シャドーマスク及びその製造方法
JP2019199645A (ja) * 2018-05-17 2019-11-21 大日本印刷株式会社 蒸着マスクおよび蒸着マスクの製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR960004633B1 (ko) * 1992-02-28 1996-04-11 제일모직주식회사 자동 셀베지 프린팅 시스템
KR100729089B1 (ko) * 2005-08-26 2007-06-14 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그 제조방법
TWI682237B (zh) * 2015-02-10 2020-01-11 日商大日本印刷股份有限公司 蒸鍍遮罩
JP6722512B2 (ja) 2016-05-23 2020-07-15 マクセルホールディングス株式会社 蒸着マスクおよびその製造方法
CN109811301A (zh) * 2017-11-22 2019-05-28 麦克赛尔控股株式会社 蒸镀掩模及其制造方法
JP7406719B2 (ja) * 2019-01-29 2023-12-28 大日本印刷株式会社 蒸着マスク及びその製造方法、蒸着マスク装置及びその製造方法、中間体、蒸着方法、並びに有機el表示装置の製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016125097A (ja) * 2014-12-27 2016-07-11 日立マクセル株式会社 蒸着マスク及びその製造方法
JP2019157262A (ja) * 2018-03-13 2019-09-19 アドバンテック グローバル リミテッドAdvantech Global Ltd 金属シャドーマスク及びその製造方法
JP2019199645A (ja) * 2018-05-17 2019-11-21 大日本印刷株式会社 蒸着マスクおよび蒸着マスクの製造方法

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