TWI682237B - 蒸鍍遮罩 - Google Patents

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Abstract

提供將形成有具有複雜形狀的貫通孔的蒸鍍 遮罩利用鍍層處理而製造的方法。

蒸鍍遮罩製造方法，係具備：在具有絕 緣性的基板上形成依既定圖案設有第1開口部的第1金屬層的第1成膜程序；以及將設有連通於第1開口部的第2開口部的第2金屬層形成於第1金屬層上的第2成膜程序。第2成膜程序，係包含：在基板上及第1金屬層上，騰出既定間隙而形成抗蝕圖案的抗蝕層形成程序；以及於抗蝕圖案之間隙在第1金屬層上使第2金屬層的鍍層處理程序。抗蝕層形成程序，係實施成：第1金屬層的第1開口部由抗蝕層圖案所覆蓋，同時抗蝕圖案之間隙位於第1金屬層上。

Description

蒸鍍遮罩
本發明，係有關將形成有複數個貫通孔的蒸鍍遮罩利用鍍層處理而製造的方法。此外本發明，係有關蒸鍍遮罩。
近年來，對於在智慧型手機、平板電腦PC等的可搬運的裝置所使用的顯示裝置，要求為高精細、例如像素密度為400ppi以上。此外，於可搬運的裝置，亦往應付超全高清的需要漸高，此情況下，要求顯示裝置的像素密度為例如800ppi以上。
為了響應性的優良度、消耗電力的低度、對比度的高度，有機EL顯示裝置受到注目。在形成有機EL顯示裝置的像素的方法方面，已知如下方法：使用包含依期望的圖案而排列的貫通孔的蒸鍍遮罩，依期望的圖案形成像素。具體而言，首先，對於有機EL顯示裝置用的基板使蒸鍍遮罩密接，接著，將予以密接的蒸鍍遮罩及基板一起投入於蒸鍍裝置，進行有機材料等之蒸鍍。此情況下，要精密地製作具有高像素密度的有機EL顯示裝置， 係要求將蒸鍍遮罩的貫通孔的位置、形狀等按照設計而精密地再現、縮小蒸鍍遮罩的厚度等。
在蒸鍍遮罩的製造方法方面，係如揭露於例如專利文獻1，已知藉利用了光刻技術的蝕刻而在金屬板形成貫通孔的方法。例如，首先，在金屬板的第1面上形成第1抗蝕圖案，另外在金屬板的第2面上形成第2抗蝕圖案。接著，針對金屬板的第1面之中未由第1抗蝕圖案所覆蓋的區域作蝕刻，而在金屬板的第1面形成第1凹部。之後，針對金屬板的第2面之中未由第2抗蝕圖案所覆蓋的區域作蝕刻，而在金屬板的第2面形成第2凹部。此情況下，以第1凹部與第2凹部相通的方式進行蝕刻，使得可形成貫通金屬板的貫通孔。另外金屬板的第1面，係指成為構成與有機EL顯示裝置用的基板(以下，亦稱作有機EL基板)對向的蒸鍍遮罩的第1面的面。此外金屬板的第2面，係指成為構成位於保存蒸鍍材料的坩堝等之蒸鍍源側的蒸鍍遮罩的第2面的面。
另外於蝕刻程序，金屬板的侵蝕，係不僅進展於金屬板的法線方向，亦進展於沿著金屬板的板面的方向。亦即，於金屬板之中由抗蝕圖案所覆蓋的部分，亦至少局部地發生金屬板的侵蝕。因此，於利用了蝕刻的方法，係無法如抗蝕圖案在金屬板形成貫通孔，為此難將蒸鍍遮罩的貫通孔的形狀按照設計而精密地再現。此外，在金屬面的第1面側與第2面側方面貫通孔的尺寸不同的情況等貫通孔具有複雜形狀的情況下，係實際所製作的蒸鍍 遮罩的貫通孔的相對於設計的再現性恐進一步降低。
另外利用蝕刻而製造蒸鍍遮罩的情況下，依金屬板的法線方向上的蝕刻結束為止的時間的長短，沿著金屬板的板面的方向上的金屬板的侵蝕的程度會變化。亦即，依金屬板的厚度，貫通孔的形狀會變動。為此，將金屬板的厚度亦即蒸鍍遮罩的厚度、及貫通孔的形狀的兩者精密地再現並非容易。
在蒸鍍遮罩的製造方法方面，係除了採用上述的蝕刻的方法以外，亦如揭露於例如專利文獻2，已知利用鍍層處理而製造蒸鍍遮罩的方法。於記載於例如專利文獻2之方法，係首先，準備具有導電性的母型板。接著，在母型板之上，騰出既定間隙而形成抗蝕圖案。此抗蝕圖案，係設於應形成蒸鍍遮罩的貫通孔的位置。之後，將鍍層液供應於抗蝕圖案之間隙，而藉電解鍍層處理在母型板之上使金屬層析出。之後，使金屬層從母型板分離，使得可獲得形成有複數個貫通孔的蒸鍍遮罩。
依利用鍍層處理而製造蒸鍍遮罩的方法時，可如抗蝕圖案在金屬板形成貫通孔。亦即，可將蒸鍍遮罩的貫通孔的位置、形狀等按照設計而精密地再現。此外，藉調整繼續鍍層處理的時間，使得可與蒸鍍遮罩的貫通孔的位置、形狀等係獨立地設定蒸鍍遮罩的厚度。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本發明專利第5382259號公報
[專利文獻2]日本發明專利公開2001-234385號公報
於蒸鍍程序中要抑制產生陰影、或精密地控制附著於有機EL基板的蒸鍍材料的面積、形狀、厚度等，係需要蒸鍍遮罩的貫通孔的形狀、尺寸等依位置而變化。於例如上述的專利文獻1，係示出在蒸鍍遮罩的第1面側的貫通孔的開口尺寸比在第2面側的貫通孔的開口尺寸小之例。然而，依記載於專利文獻2之方法，係無法製作如此之形成有具有複雜形狀的貫通孔的蒸鍍遮罩。
本發明，係考量如此之課題而創作者，目的在於提供將形成有具有複雜形狀的貫通孔的蒸鍍遮罩利用鍍層處理而製造的方法。
本發明，係一種蒸鍍遮罩製造方法，製造形成有複數個貫通孔的蒸鍍遮罩，具備：在具有絕緣性的基板上形成依既定圖案設有第1開口部的第1金屬層的第1成膜程序；將設有連通於前述第1開口部的第2開口部的第2金屬層形成於前述第1金屬層上的第2成膜程序；以 及使前述第1金屬層及前述第2金屬層的組合體從前述基板分離的分離程序；前述第2成膜程序，係包含：在前述基板上及前述第1金屬層上，騰出既定間隙而形成抗蝕圖案的抗蝕層形成程序；以及於前述抗蝕層圖案的前述間隙在前述第1金屬層上使前述第2金屬層析出的鍍層處理程序；前述抗蝕層形成程序，係實施成：前述第1金屬層的前述第1開口部由前述抗蝕層圖案所覆蓋，同時前述抗蝕層圖案的前述間隙位於前述第1金屬層上。
於依本發明的蒸鍍遮罩之製造方法，亦可在前述基板上，係形成具有對應於前述第1金屬層的圖案的導電性圖案，前述第1成膜程序，係包含在前述導電性圖案上使前述第1金屬層析出的鍍層處理程序。
於依本發明的蒸鍍遮罩之製造方法，亦可前述第1成膜程序的前述鍍層處理程序，係包含使電流流於前述導電性圖案從而在前述導電性圖案上使前述第1金屬層析出的電解鍍層處理程序。
亦可於前述第1成膜程序，前述第1金屬層，係皆形成於在沿著前述基板的法線方向所見的情況下與前述導電性圖案重疊的部分及與前述導電性圖案不重疊的部分的任一方，於前述分離程序，在從前述基板及前述導電性圖案所分離的前述第1金屬層，係形成有具有對應於前述導電性圖案的形狀的凹陷部。
於依本發明的蒸鍍遮罩之製造方法，亦可前述第2成膜程序的前述鍍層處理程序，係包含使電流流於 前述第1金屬層從而在前述第1金屬層上使前述第2金屬層析出的電解鍍層處理程序。
本發明，係一種蒸鍍遮罩，形成有從第1面到達第2面的複數個貫通孔，具備依既定圖案形成前述貫通孔的金屬層，將前述貫通孔之中位於前述第1面上的部分稱作第1開口部，將前述貫通孔之中位於前述第2面上的部分稱作第2開口部的情況下，前述貫通孔，係構成為沿著前述蒸鍍遮罩的法線方向視看前述蒸鍍遮罩的情況下，前述第2開口部的輪廓包圍前述第1開口部的輪廓，於前述第1面係形成有凹陷部。
於依本發明的蒸鍍遮罩，亦可前述第1面之中未形成有前述凹陷部的部分的寬度，係0.5~5.0μm的範圍內。
於依本發明的蒸鍍遮罩，亦可前述金屬層，係具有：形成有前述第1開口部及前述凹陷部的第1金屬層；以及積層於前述第1金屬層，形成有前述第2開口部的第2金屬層。
於依本發明的蒸鍍遮罩，亦可沿著前述蒸鍍遮罩的法線方向視看前述蒸鍍遮罩的情況下，形成於前述第1金屬層的前述凹陷部，係包圍連接前述第1金屬層與前述第2金屬層的連接部的輪廓。
於依本發明的蒸鍍遮罩，亦可前述金屬層，係鍍層。
於依本發明的蒸鍍遮罩及其製造方法，亦可 前述第1金屬層之中連接於前述第2金屬層的部分的厚度，係5μm以下。
於依本發明的蒸鍍遮罩及其製造方法，亦可前述第2金屬層的厚度，係3~50μm的範圍內，較優選係3~30μm的範圍內，更優選係3~25μm的範圍內。
依本發明的蒸鍍遮罩製造方法，係具備：在具有絕緣性的基板上形成依既定圖案設有第1開口部的第1金屬層的第1成膜程序；以及將設有連通於第1開口部的第2開口部的第2金屬層形成於第1金屬層上的第2成膜程序。第2成膜程序，係包含：在基板上及第1金屬層上，騰出既定間隙而形成抗蝕圖案的抗蝕層形成程序；以及於抗蝕圖案之間隙在第1金屬層上使第2金屬層的鍍層處理程序。為此，對於蒸鍍遮罩的貫通孔，可賦予依第1金屬層的第1開口部而劃定的形狀、及依第2金屬層的第2開口部而劃定的形狀雙方。因此，可精密地形成具有複雜形狀的貫通孔。此外，利用鍍層處理而形成第2金屬層，使得可與貫通孔的形狀係獨立地，將蒸鍍遮罩的厚度任意設定。
20‧‧‧蒸鍍遮罩
20a‧‧‧第1面
20b‧‧‧第2面
20c‧‧‧最表面
20d‧‧‧凹陷面
22‧‧‧有效區域
23‧‧‧周圍區域
25‧‧‧貫通孔
30‧‧‧第1開口部
31‧‧‧壁面
32‧‧‧第1金屬層(第1鍍層)
33‧‧‧端部
34‧‧‧凹陷部
34c‧‧‧側壁
34e‧‧‧外緣
35‧‧‧第2開口部
36‧‧‧壁面
37‧‧‧第2金屬層(第2鍍層)
38‧‧‧端部
41‧‧‧連接部
50‧‧‧圖案基板
51‧‧‧基板
52‧‧‧導電性圖案
52a‧‧‧導電層
52c‧‧‧側面
53‧‧‧端部
54‧‧‧抗蝕圖案
55‧‧‧抗蝕圖案
56‧‧‧間隙
57‧‧‧側面
92‧‧‧有機EL基板
98‧‧‧蒸鍍材料
[圖1]圖1，係於本發明的實施形態，針對包含蒸鍍 遮罩的蒸鍍遮罩裝置的一例作繪示的示意平面圖。
[圖2]圖2，係供於針對利用示於圖1的蒸鍍遮罩裝置作蒸鍍的方法進行說明用的圖。
[圖3]圖3，係針對示於圖1的蒸鍍遮罩作繪示的部分平面圖。
[圖4]圖4，係沿著圖3的IV-IV線的剖面圖。
[圖5]圖5，係將示於圖4的蒸鍍遮罩的第1金屬層及第2金屬層的一部分擴大而繪示的剖面圖。
[圖6]圖6，係針對包含形成於基板上的導電性圖案的圖案基板作繪示的剖面圖。
[圖7A]圖7A，係針對在導電性圖案上使第1金屬層析出的第1鍍層處理程序作繪示的剖面圖。
[圖7B]圖7B，係針對圖7A的第1金屬層作繪示的平面圖。
[圖8A]圖8A，係針對在圖案基板上及第1金屬層上形成抗蝕圖案的抗蝕層形成程序作繪示的剖面圖。
[圖8B]圖8B，係針對圖8A的抗蝕圖案作繪示的平面圖。
[圖9]圖9，係針對在第1金屬層上使第2金屬層析出的第2鍍層處理程序作繪示的剖面圖。
[圖10]圖10，係針對除去抗蝕圖案的除去程序作繪示的圖。
[圖11A]圖11A，係針對使第1金屬層及第2金屬層的組合體從圖案基板分離的分離程序作繪示的圖。
[圖11B]圖11B，係針對將圖11A的蒸鍍遮罩從第2面側所見的情況作繪示的平面圖。
[圖12]圖12，係於本發明的實施形態的第1變形例，針對在基板上形成第1金屬層的第1成膜程序作繪示的剖面圖。
[圖13]圖13，係針對在示於圖12的第1金屬層上，使第2金屬層析出的第2鍍層處理程序作繪示的剖面圖。
[圖14]圖14，係針對本發明的實施形態的第1變形例中的蒸鍍遮罩作繪示的剖面圖。
[圖15]圖15，係於本發明的實施形態的第2變形例，針對在圖案基板上及第1金屬層上形成抗蝕圖案的抗蝕層形成程序作繪示的剖面圖。
[圖16]圖16，係於本發明的實施形態的第2變形例，針對在第1金屬層上使第2金屬層析出的第2鍍層處理程序作繪示的剖面圖。
[圖17]圖17，係針對本發明的實施形態的第2變形例中的蒸鍍遮罩作繪示的剖面圖。
[圖18]圖18，係針對包含蒸鍍遮罩的蒸鍍遮罩裝置的變形例作繪示的圖。
[圖19]圖19，係針對明示凹陷部的蒸鍍遮罩作繪示的剖面圖。
[圖20]圖20，係將示於圖19的蒸鍍遮罩放大而繪示的剖面圖。
[圖21]圖21，係針對將蒸鍍遮罩從第1面側所見的情況作繪示的平面圖。
[圖22A]圖22A，係針對調整有機EL基板的面方向上的蒸鍍遮罩的位置的位置調整程序作繪示的圖。
[圖22B]圖22B，係針對使蒸鍍遮罩密接於有機EL基板的密接程序作繪示的圖。
[圖22C]圖22C，係針對蒸鍍遮罩的凹陷部的凹陷面密接於有機EL基板之例作繪示的圖。
[圖23]圖23，係針對蒸鍍遮罩的複數個貫通孔的配置的一變形例作繪示的平面圖。
[圖24A]圖24A，係供於說明圖案基板的製造方法用的圖。
[圖24B]圖24B，係供於說明圖案基板的製造方法用的圖。
[圖24C]圖24C，係供於說明圖案基板的製造方法用的圖。
[圖24D]圖24D，係供於說明圖案基板的製造方法用的圖。
[圖25]圖25，係將圖案基板的導電性圖案的一例放大而繪示的剖面圖。
[圖26]圖26，係將在利用示於圖25的圖案基板而實施第1成膜程序的情況下所獲得的蒸鍍遮罩放大而繪示的剖面圖。
[圖27]圖27，係將圖案基板的導電性圖案的他例放 大而繪示的剖面圖。
[圖28]圖28，係將在利用示於圖27的圖案基板而實施第1成膜程序的情況下所獲得的蒸鍍遮罩放大而繪示的剖面圖。
以下，參照圖式而說明有關本發明之一實施形態。另外，於附於本件說明書的圖式，係圖示與理解的容易度的方便上，適當將縮尺及縱橫的尺寸比等從該等之實物變更擴大。
圖1~圖28，係供於說明依本發明的一實施形態及其變形例用的圖。在以下的實施形態及其變形例，係舉為了在製造有機EL顯示裝置時將有機材料依期望的圖案在基板上圖案化而使用的蒸鍍遮罩之製造方法為例作說明。其中，並未限定於如此之應用，可對於用於各種的用途的蒸鍍遮罩之製造方法，應用本發明。
另外，在本說明書中，「板」、「薄片」、「膜」之用語，係僅基於稱呼的差異，而非從彼此作區別者。例如，「板」係亦包含如可被稱作薄片或膜之構材的概念。
此外，「板面(薄片面、膜面)」，係指針對作為對象的板狀(薄片狀、膜狀)的構材整體上且大局上視看的情況下與作為對象的板狀構材(薄片狀構材、膜狀構材)的平面方向一致的面。此外，對板狀(薄片狀、膜狀)的構 材使用的「法線方向」，係指相對於該構材的板面(薄片面、膜面)的法線方向。
再者，針對指定於本說明書中使用的形狀、幾何學條件及物理特性以及該等之程度等的例如「平行」、「正交」、「相同」、「同等」等的用語、長度、角度以及物理特性的值等，係不綁定於嚴密的意思，應包含可期待同樣的功能的程度的範圍而解釋。
(蒸鍍遮罩裝置)
首先，針對包含蒸鍍遮罩的蒸鍍遮罩裝置的一例，參照圖1~圖4作說明。於此，圖1，係針對包含蒸鍍遮罩的蒸鍍遮罩裝置的一例作繪示的平面圖，圖2，係供於說明示於圖1的蒸鍍遮罩裝置的使用方法用的圖。圖3，係從第1面之側視看蒸鍍遮罩的平面圖，圖4，係沿著圖3的IV-IV線的剖面圖。
示於圖1及圖2的蒸鍍遮罩裝置10，係具備：俯視下具有大致矩形狀的形狀的複數個蒸鍍遮罩20、安裝於複數個蒸鍍遮罩20的周緣部的框15。於各蒸鍍遮罩20，係設有貫通蒸鍍遮罩20的複數個貫通孔25。此蒸鍍遮罩裝置10，係如示於圖2，作成蒸鍍遮罩20面對作為蒸鍍對象物的基板例如有機EL基板92的下表面而支撐於蒸鍍裝置90內，使用於往有機EL基板92的蒸鍍材料的蒸鍍。
在蒸鍍裝置90內，係藉來自不圖示的磁鐵的 磁力，使得蒸鍍遮罩20與有機EL基板92密接。在蒸鍍裝置90內，係在蒸鍍遮罩裝置10的下方，配置有：收容蒸鍍材料(作為一例，有機發光材料)98的坩堝94、及加熱坩堝94的加熱器96。坩堝94內的蒸鍍材料98，係藉來自加熱器96的加熱，使得氣化或昇華而附著於有機EL基板92的表面。如上所述，於蒸鍍遮罩20係形成多數個貫通孔25，蒸鍍材料98係經由此貫通孔25而附著於有機EL基板92。此結果，依對應於蒸鍍遮罩20的貫通孔25的位置的期望的圖案，蒸鍍材料98成膜於有機EL基板92的表面。於圖2，蒸鍍遮罩20的面之中在蒸鍍程序時與有機EL基板92對向之面(以下，亦稱作第1面)以符號20a表示。此外，蒸鍍遮罩20的面之中位於蒸鍍材料98的蒸鍍源(此處係坩堝94)側的面(以下，亦稱作第2面)以符號20b表示。
如上所述，在本實施形態中，係貫通孔25於各有效區域22依既定圖案配置。另外，欲進行顏色顯示的情況下，係可沿著貫通孔25的排列方向(前述的一方向)而使蒸鍍遮罩20(蒸鍍遮罩裝置10)與有機EL基板92一點一點相對移動，使紅色用的有機發光材料、綠色用的有機發光材料及藍色用的有機發光材料依序蒸鍍。或者，亦可分別準備搭載了對應於各色的蒸鍍遮罩20的蒸鍍機，將有機EL基板92依序投入各蒸鍍機。
另外，蒸鍍遮罩裝置10的框15，係安裝於矩形狀的蒸鍍遮罩20的周緣部。框15，係以蒸鍍遮罩20 不會撓曲的方式保持成將蒸鍍遮罩20拉伸的狀態。蒸鍍遮罩20與框15，係例如藉點焊而相對於彼此而固定。
另外蒸鍍處理，係有時在成為高溫環境的蒸鍍裝置90的內部實施。此情況下，蒸鍍處理的期間，保持於蒸鍍裝置90的內部的蒸鍍遮罩20、框15及有機EL基板92亦被加熱。此情況下，蒸鍍遮罩20、框15及有機EL基板92，係示出基於各個的熱脹係數的尺寸變化的舉動。此情況下，蒸鍍遮罩20、框15、有機EL基板92的熱脹係數大幅不同時，發生因該等的尺寸變化的差異而起的位置偏移，此結果，附著於有機EL基板92上的蒸鍍材料的尺寸準確度、位置準確度等會降低。為了解決如此之課題，蒸鍍遮罩20及框15的熱脹係數與有機EL基板92的熱脹係數同等的值為優選。例如，在有機EL基板92方面使用玻璃基板的情況下，在蒸鍍遮罩20及框15的主要的材料方面，可採用含鎳的鐵合金。例如，可將含34~38質量%的鎳的invar材、除30~34質量%的鎳以外進一步含鈷的Super invar材等之鐵合金、含38~54質量%的鎳的低熱膨脹Fe-Ni系鍍層合金等，用作為構成蒸鍍遮罩20的後述的第1金屬層32及第2金屬層37的材料。另外於本說明書，藉「~」如此的記號而表現的數值範圍，係包含置於「~」如此的符號的前後的數值。例如，藉「34~38質量%」如此的表現而劃定的數值範圍，係與藉「34質量%以上且38質量%以下」如此的表現而劃定的數值範圍相同。
另外蒸鍍處理時，蒸鍍遮罩20、框15及有機EL基板92的溫度未達高溫的情況下，係無須特別使蒸鍍遮罩20及框15的熱脹係數為與有機EL基板92的熱脹係數同等的值。此情況下，在構成蒸鍍遮罩20的後述的第1金屬層32及第2金屬層37的材料方面，可使用上述的含鎳的鐵合金以外的各種的材料。例如，可使用含鉻的鐵合金、鎳、鎳-鈷合金等。在含鉻的鐵合金方面，係例如，可使用稱作所謂的不銹鋼的鐵合金。
(蒸鍍遮罩)
接著，詳細說明有關蒸鍍遮罩20。如示於圖1，於本實施形態，蒸鍍遮罩20，係俯視下具有大致四角形形狀，更正確而言俯視下具有大致矩形狀的輪廓。蒸鍍遮罩20，係包含：以規則性排列而形成有貫通孔25的有效區域22、及將有效區域22包圍的周圍區域23。周圍區域23，係支撐有效區域22用的區域，並非意圖往基板所蒸鍍的蒸鍍材料所通過的區域。例如，在使用於有機EL顯示裝置用的有機發光材料的蒸鍍的蒸鍍遮罩20方面，有效區域22，係面對成為變成蒸鍍有機發光材料而形成像素的有機EL基板92的顯示區域的區域的蒸鍍遮罩20內的區域。其中，亦可據各種的目的，在周圍區域23形成貫通孔、凹部等。於示於圖1之例，各有效區域22，係俯視下具有大致四角形形狀，更正確而言俯視下具有大致矩形狀的輪廓。另外雖不圖示，各有效區域22，係可依 有機EL基板92的顯示區域的形狀，而具有各種的形狀的輪廓。例如各有效區域22，係可具有圓形的輪廓。
於所圖示之例，蒸鍍遮罩20的複數個有效區域22，係沿著與蒸鍍遮罩20的長邊方向平行的一方向騰出既定之間隔而排成一列。在所圖示之例，係一個有效區域22對應於一個有機EL顯示裝置。亦即，依示於圖1的蒸鍍遮罩裝置10(蒸鍍遮罩20)時，可進行多面蒸鍍。
如示於圖3，於所圖示之例，形成於各有效區域22的複數個貫通孔25，係於該有效區域22，沿著彼此正交的二方向分別以既定之間距而排列。關於此貫通孔25的形狀等，參照圖3及圖4而進一步詳述。
如示於圖3及圖4，蒸鍍遮罩20，係具備依既定圖案形成有複數個貫通孔25的金屬層。金屬層，係具備：依既定圖案設有第1開口部30的第1金屬層32、及設有連通於第1開口部30的第2開口部35的第2金屬層37。第2金屬層37，係配置於比第1金屬層32靠蒸鍍遮罩20的第2面20b側。於示於圖4之例，係第1金屬層32構成蒸鍍遮罩20的第1面20a，第2金屬層37構成蒸鍍遮罩20的第2面20b。另外，於本實施形態，金屬層，係如後所述，藉鍍層處理程序而製作的鍍層。例如，第1金屬層32，係藉後述之第1鍍層處理程序而製作的第1鍍層，第2金屬層37，係藉後述之第2鍍層處理程序而製作的第2鍍層。
於本實施形態，係第1開口部30與第2開口 部35彼此連通，從而構成貫通蒸鍍遮罩20的貫通孔25。此情況下，在蒸鍍遮罩20的第1面20a側的貫通孔25的開口尺寸、開口形狀等，係依第1金屬層32的第1開口部30而劃定。另一方面，在蒸鍍遮罩20的第2面20b側的貫通孔25的開口尺寸、開口形狀等，係依第2金屬層37的第2開口部35而劃定。換言之，在貫通孔25，係賦予依第1金屬層32的第1開口部30而劃定的形狀、及依第2金屬層37的第2開口部35而劃定的形狀雙方。
如示於圖3，構成貫通孔25的第1開口部30、第2開口部35等，係亦可俯視下為大致多角形狀。此處係示出第1開口部30及第2開口部35為大致四角狀之例，更具體而言為大致正方形狀之例。此外雖不圖示，第1開口部30、第2開口部35等，係亦可為大致六角形狀、大致八角形狀等其他大致多角形狀。另外「大致多角形狀」，係包含多角形的角部被圓角化的形狀的概念。此外雖不圖示，第1開口部30、第2開口部35等，係亦可為圓形。此外，只要俯視下具有第2開口部35包圍第1開口部30的輪廓，則無須第1開口部30的形狀與第2開口部35的形狀為相似形。
另外雖不圖示，構成貫通孔25的第1開口部30、第2開口部35等，係亦可俯視下具有多角形狀以外的形狀例如圓形。
於圖4，符號41，係表示連接第1金屬層32 與第2金屬層37的連接部。另外於圖4，係雖示出第1金屬層32與第2金屬層37連接之例，惟不限於此，亦可其他層介於第1金屬層32與第2金屬層37之間。例如，亦可在第1金屬層32與第2金屬層37之間，設有供於促進在第1金屬層32上的第2金屬層37的析出用的觸媒層。
圖5，係將圖4的第1金屬層32及第2金屬層37的一部分放大而繪示的圖。如示於圖5，在蒸鍍遮罩20的第2面20b的第2金屬層37的寬度M2，係比在蒸鍍遮罩20的第1面20a的第1金屬層32的寬度M1小。換言之，在第2面20b的貫通孔25(第2開口部35)的開口尺寸S2，係比在第1面20a的貫通孔25(第1開口部30)的開口尺寸S1大。以下，說明有關如此構成第1金屬層32及第2金屬層37的優點。
從蒸鍍遮罩20的第2面20b側飛來的蒸鍍材料98，係依序通過貫通孔25的第2開口部35及第1開口部30而附著於有機EL基板92。有機EL基板92之中蒸鍍材料98附著的區域，係主要依在第1面20a的貫通孔25的開口尺寸S1、開口形狀等而定。另外，如於圖4以從第2面20b側朝往第1面20a的箭頭L1表示，蒸鍍材料98，係從坩堝94朝向有機EL基板92不僅沿著蒸鍍遮罩20的法線方向N而移動，有時亦移動於相對於蒸鍍遮罩20的法線方向N大幅傾斜的方向。於此，假設在第2面20b的貫通孔25的開口尺寸S2與在第1面20a的貫 通孔25的開口尺寸S1相同時，移動於相對於蒸鍍遮罩20的法線方向N大幅傾斜的方向的蒸鍍材料98大多，係通過貫通孔25而比到達有機EL基板92前，到達貫通孔25的第2開口部35的壁面36而附著。因此，可謂要提高蒸鍍材料98的利用效率，係增加第2開口部35的開口尺寸S2為優選，亦即縮小第2金屬層37的寬度M2為優選。
於圖4，通過第2金屬層37的端部38及第1金屬層32的端部33的直線L1，與相對於蒸鍍遮罩20的法線方向N所成的最小角度，以符號θ1表示。要使斜向移動的蒸鍍材料98，不會到達第2開口部35的壁面36下盡可能到達有機EL基板92，係增加角度θ1為有利。在增加角度θ1方面，係比起第1金屬層32的寬度M1減小第2金屬層37的寬度M2為有效。此外從圖顯然得知，在增加角度θ1方面，係縮小第1金屬層32的厚度T1、第2金屬層37的厚度T2等亦為有效。此處「第1金屬層32的厚度T1」，係表示第1金屬層32之中連接於第2金屬層37的部分的厚度。另外過度縮小第2金屬層37的寬度M2、第1金屬層32的厚度T1、第2金屬層37的厚度T2時，蒸鍍遮罩20的強度會降低，為此搬送時、使用時等蒸鍍遮罩20可能破損。例如，可能由於將蒸鍍遮罩20拉伸設於框15時施加於蒸鍍遮罩20的拉伸應力，使得蒸鍍遮罩20破損。考量此等方面時，可謂第1金屬層32及第2金屬層37的尺寸設定成以下的範圍為優 選。藉此，可使上述的角度θ1為例如45°以上。
‧第1金屬層32的寬度M1：5~25μm
‧第2金屬層37的寬度M2：2~20μm
‧蒸鍍遮罩20的厚度T0：5~50μm
‧第1金屬層32的厚度T1：5μm以下
‧第2金屬層37的厚度T2：2~50μm，較優選係3~50μm，更優選係3~30μm，更優選係3~25μm
於表1，示出下例：於5吋的有機EL顯示裝置，依顯示像素數、及顯示像素數而求出的第1金屬層32及第2金屬層37的尺寸的值。另外「FHD」係表示全高清(Full High Definition)，「WQHD」係表示大四倍高清(Wide Quad High Definition)，「UHD」係表示超高清(Ultra High Definition)。
Figure 107144160-A0202-12-0020-1
接著，更詳細說明有關第1金屬層32的形狀。假設如於圖5以點線表示，於端部33第1金屬層32具有朝往第2面20b側漸大的陡立的形狀的情況下，通過貫通孔25的第2開口部35後的蒸鍍材料98大多應到達第1金屬層32的壁面31而附著。如此之為了抑制在端部33附近的往第1金屬層32的蒸鍍材料98的附著，如示 於圖5，第1金屬層32，係於端部33及其附近，具有比在第1金屬層32之中連接於第2金屬層37的部分的厚度T1小的厚度為優選。如例如示於圖5，第1金屬層32的厚度隨著從第1金屬層32之中連接於第2金屬層37的部分朝向端部33而單調地減少為優選。如此之第1金屬層32的形狀，係如後所述，可藉鍍層處理而形成第1金屬層32從而實現。
於圖5，符號θ2，係表示往第1金屬層32的壁面31的切面L2與蒸鍍遮罩20的法線方向N於端部33所成的角度。在抑制通過貫通孔25的第2開口部35後的蒸鍍材料98附著於第1金屬層32的壁面31方面，係使角度θ2增為比0°大亦為有效。優選上，角度θ2，係30°以上，較優選係45°以上。如此之角度θ2亦可藉鍍層處理而形成第1金屬層32從而實現。另外「壁面31」，係指第1金屬層32的面之中界定第1開口部30之面。上述的「壁面36」亦同樣地，指第2金屬層37的面之中界定第2開口部35之面。
(蒸鍍遮罩之製造方法)
接著，針對製造由如以上之構成所成之蒸鍍遮罩20的方法，參照圖6~圖11B作說明。
(第1成膜程序)
首先，說明有關在具有絕緣性的基板51上形成依既 定圖案設有第1開口部30的第1金屬層32的第1成膜程序。首先如示於圖6，準備具有以下的圖案基板50：具有絕緣性的基板51、及形成於基板51上的導電性圖案52。導電性圖案52，係具有對應於第1金屬層32的圖案。只要具有絕緣性及適切強度下構成基板51的材料、基板51的厚度等不受限制。例如在構成基板51的材料方面，可使用玻璃、合成樹脂等。
在構成導電性圖案52的材料方面，係酌情使用金屬材料、氧化物導電性材料等的具有導電性的材料。在金屬材料之例方面，係可舉例如鉻、銅等。優選上，係具有對於後述之抗蝕圖案54的高的密接性的材料用作為構成導電性圖案52的材料。例如將包含丙烯酸系光固化性樹脂的抗蝕膜等稱作所謂的乾膜作圖案化從而製作抗蝕圖案54的情況下，在構成導電性圖案52的材料方面，使用具有對於乾膜的高的密接性的銅為優選。
如後所述，在導電性圖案52之上，係以覆蓋導電性圖案52的方式形成第1金屬層32，此第1金屬層32係在之後的程序從導電性圖案52分離。為此，在第1金屬層32之中與導電性圖案52相接之側的面之上，係一般而言，形成對應於導電性圖案52的厚度的凹陷。考量此點時，只要導電性圖案52具有電解鍍層處理所需之導電性下，導電性圖案52的厚度係小者為優選。例如導電性圖案52的厚度，係50~500nm的範圍內。
接著，實施：在形成有導電性圖案52的基板 51上供應第1鍍層液，而在導電性圖案52上使第1金屬層32析出的第1鍍層處理程序。例如，使形成有導電性圖案52的基板51，侵於填充有第1鍍層液的鍍層槽。藉此，如示於圖7A，可獲得：在圖案基板50上，依既定圖案設有第1開口部30的第1金屬層32。圖7B，係針對形成於基板51上的第1金屬層32作繪示的平面圖。
另外鍍層處理的特性方面，如示於圖7A，第1金屬層32，係沿著基板51的法線方向所見的情況下不僅形成與導電性圖案52重疊的部分，亦可形成於不與導電性圖案52重疊的部分。此係原因在於：在析出於與導電性圖案52的端部53重疊的部分的第1金屬層32的表面進一步析出第1金屬層32。此結果，如示於圖7A，第1金屬層32的端部33，係沿著基板51的法線方向所見的情況下可位於與導電性圖案52不重疊的部分。另一方面，僅金屬的析出進展於基板51的板面方向而非厚度方向的部分，在端部33的第1金屬層32的厚度，係變比在中央部的厚度小。如例如示於圖7A，第1金屬層32的厚度隨著從第1金屬層32的中央部朝向端部33而至少局部單調地減少。此結果，上述的角度θ2亦成為比0°大之值。
於圖7A，第1金屬層32之中不與導電性圖案52重疊的部分的寬度以符號w表示。寬度w，係例如0.5~5.0μm的範圍內。導電性圖案52的尺寸，係考量此寬度w而設定。
只要可在導電性圖案52上使第1金屬層32析出，第1鍍層處理程序的具體的方法不特別限定。例如第1鍍層處理程序，係能以使電流流於導電性圖案52從而在導電性圖案52上使第1金屬層32析出的所謂的電解鍍層處理程序而實施。或者，第1鍍層處理程序，係亦可為無電解鍍層處理程序。另外第1鍍層處理程序為無電解鍍層處理程序的情況下，於導電性圖案52上係設置適當的觸媒層。實施電解鍍層處理程序的情況下，亦可在導電性圖案52上設有觸媒層。
所用的第1鍍層液的成分，係依第1金屬層32要求的特性而酌定。例如第1金屬層32由含鎳的鐵合金而構成的情況下，在第1鍍層液方面，可使用含鎳化合物的溶液、及含鐵化合物的溶液的混合溶液。例如，可使用含胺基磺酸鎳的溶液、及含胺基磺酸鐵的溶液的混合溶液。在鍍層液，係亦可含有丙二酸、糖精等之添加劑。
(第2成膜程序)
接著，實施將設有連通於第1開口部30的第2開口部35的第2金屬層37形成於第1金屬層32上的第2成膜程序。首先，實施：在圖案基板50的基板51上及第1金屬層32上，騰出既定間隙56而形成抗蝕圖案55的抗蝕層形成程序。圖8A及圖8B，係示出形成於基板51上的抗蝕圖案55的剖面圖及平面圖。如示於圖8A及圖8B，抗蝕層形成程序，係實施成：第1金屬層32的第1 開口部30由抗蝕層圖案55所覆蓋，同時抗蝕圖案55之間隙56位於第1金屬層32上。
以下，說明有關抗蝕層形成程序的一例。首先，在圖案基板50的基板51上及第1金屬層32上貼附乾膜，從而形成負型的抗蝕膜。在乾膜之例方面，係可舉例如日立化成製的RY3310等包含丙烯酸系光固化性樹脂者。接著，準備作成不使光透射於抗蝕膜之中應成為間隙56的區域的曝光遮罩，將曝光遮罩配置於抗蝕膜上。之後，藉真空密接使曝光遮罩充分密接於抗蝕膜。另外在抗蝕膜方面，亦可使用正型者。此情況下，在曝光遮罩方面，使用作成使光透射於抗蝕膜之中的欲除去的區域的曝光遮罩。
之後，將抗蝕膜隔著曝光遮罩作曝光。再者，為了於所曝光的抗蝕膜形成影像而對抗蝕膜作顯影。採取以上方式，如示於圖8A及圖8B，可形成設有位於第1金屬層32上的間隙56同時覆蓋第1金屬層32的第1開口部30的抗蝕圖案55。另外，為了使抗蝕圖案55對於基板51及第1金屬層32更強固地密接，可在顯影程序之後實施將抗蝕圖案55加熱的熱處理程序。
接著，實施：將第2鍍層液供應於抗蝕圖案55之間隙56，而在第1金屬層32上使第2金屬層37析出的第2鍍層處理程序。例如，使形成有第1金屬層32的基板51，侵於填充有第2鍍層液的鍍層槽。藉此，如示於圖9，可在第1金屬層32上形成第2金屬層37。
只要可在第1金屬層32上使第2金屬層37析出下，第2鍍層處理程序的具體的方法不特別限定。例如，第2鍍層處理程序，係能以使電流流於第1金屬層32從而在第1金屬層32上使第2金屬層37析出的所謂的電解鍍層處理程序而實施。或者，第2鍍層處理程序，係亦可為無電解鍍層處理程序。另外第2鍍層處理程序為無電解鍍層處理程序的情況下，於第1金屬層32上係設置適當的觸媒層。實施電解鍍層處理程序的情況下，亦可在第1金屬層32上設置觸媒層。
在第2鍍層液方面，係可使用與上述的第1鍍層液相同的鍍層液。或者，亦可使用與第1鍍層液係不同的鍍層液作為第2鍍層液。第1鍍層液的組成與第2鍍層液的組成為相同的情況下，構成第1金屬層32的金屬的組成、及構成第2金屬層37的金屬的組成亦成為相同。
另外於圖9，係雖示出持續第2鍍層處理程序直到抗蝕圖案55之上表面與第2金屬層37之上表面成為一致為止，惟不限於此。亦可在第2金屬層37之上表面位於比抗蝕圖案55之上表面下方的狀態下，停止第2鍍層處理程序。
(除去程序)
之後，如示於圖10，實施將抗蝕圖案55除去的除去程序。藉使用例如鹼系剝離液，使得可使抗蝕圖案55從 基板51、第1金屬層32、第2金屬層37剝離。
(分離程序)
接著，實施使第1金屬層32及第2金屬層37的組合體從圖案基板50的基板51分離的分離程序。藉此，如示於圖11A，可獲得具備依既定圖案設有第1開口部30的第1金屬層32、及設有連通於第1開口部30的第2開口部35的第2金屬層37的蒸鍍遮罩20。圖11B，係針對從第2面20b側視看蒸鍍遮罩20的情況作繪示的平面圖。
以下，詳細說明有關分離程序的一例。首先，將藉塗佈等而設有具有黏著性的物質的膜，貼附在形成於基板51上的第1金屬層32及第2金屬層37的組合體。接著，將膜拉起或捲取，從而將膜從基板51拉開，藉此，使第1金屬層32及第2金屬層37的組合體從圖案基板50的基板51分離。之後，將膜從第1金屬層32及第2金屬層37的組合體剝離。
除此之外，於分離程序，係亦可首先，在第1金屬層32及第2金屬層37的組合體與基板51之間，形成作為分離的開端的間隙，接著，對此間隙吹上空氣，藉此促進分離程序。
另外在具有黏著性的物質方面，係可使用由於照射UV等之光或加熱使得喪失黏著性的物質。此情況下，使第1金屬層32及第2金屬層37的組合體從基板51分離後，實施對膜照射光的程序、將膜加熱的程序 等。藉此，可使將膜從第1金屬層32及第2金屬層37的組合體剝離的程序容易化。例如，可將膜與第1金屬層32及第2金屬層37的組合體盡可能維持在彼此平行的狀態的狀態下，將膜剝離。藉此，可抑制將膜剝離時第1金屬層32及第2金屬層37的組合體彎曲，藉此，可抑制使蒸鍍遮罩20帶有彎曲等之變形的特徵。
依本實施形態時，如上所述，將第2鍍層液供應於抗蝕圖案55之間隙56，而在第1金屬層32上使第2金屬層37析出，從而製作蒸鍍遮罩20。為此，可對於蒸鍍遮罩20的貫通孔25，賦予依第1金屬層32的第1開口部30而劃定的形狀、及依第2金屬層37的第2開口部35而劃定的形狀雙方。因此，可精密地形成具有複雜形狀的貫通孔25。例如，可獲得可增加上述的角度θ1的貫通孔25。藉此，可提高蒸鍍材料98的利用效率。此外，利用鍍層處理而形成第2金屬層37，使得可與貫通孔25的形狀係獨立地，將蒸鍍遮罩20的厚度T0任意設定。為此，可使蒸鍍遮罩20具有充分的強度。因此，可製造高精細的有機EL顯示裝置，且可提供耐久性方面優異之蒸鍍遮罩20。
另外，可對上述之實施形態施加各種的變更。以下，依所需邊參照圖式，邊說明有關變形例。以下的說明及在以下的說明所使用的圖式中，係針對可與上述之實施形態同樣地構成的部分，使用與對於在上述的實施形態的對應的部分所使用的符號相同的符號，省略重複之 說明。此外，於上述之實施形態所獲得的作用效果於變形例顯然亦獲得的情況下，有時其說明。
(第1變形例)
於上述的本實施形態，係示出第1成膜程序包含在圖案基板50的導電性圖案52上使第1金屬層32析出的第1鍍層處理程序之例。亦即，示出藉鍍層處理而形成第1金屬層32之例。然而，不限於此，亦可藉其他方法而形成第1金屬層32。
例如，首先準備具有絕緣性的基板51，接著，遍及基板51的全區設置第1金屬層32。在將第1金屬層32形成於基板51上之方法方面，係可酌情使用濺鍍等之物理成膜法、化學成膜法等。之後，在第1金屬層32之中應形成第1開口部30的部分以外的部分之上形成抗蝕圖案，接著蝕刻第1金屬層32。如此將第1金屬層32圖案化，使得如示於圖12，可將依既定圖案設有第1開口部30的第1金屬層32形成於基板51上。此情況下，無須在基板51上形成上述的導電性圖案52。
之後，實施上述的抗蝕層形成程序及第2鍍層處理程序，使得如示於圖13，可將設有連通於第1開口部30的第2開口部35的第2金屬層37形成於第1金屬層32上。此外，藉實施上述的除去程序及分離程序，使得如示於圖14，可獲得具備依既定圖案設有第1開口部30的第1金屬層32、及設有連通於第1開口部30的 第2開口部35的第2金屬層37的蒸鍍遮罩20。
(第2變形例)
如示於圖15，設於基板51上及第1金屬層32上之抗蝕圖案55，係可具有隨著從基板51遠離而抗蝕圖案55的寬度漸寬的形狀所謂的倒錐形狀。換言之，可作成界定間隙56的抗蝕圖案55之側面57之間的間隔隨著從基板51遠離而漸窄。圖16，係針對將第2鍍層液供應於如此之抗蝕圖案55之間隙56而在第1金屬層32上使第2金屬層37析出的情況作繪示的剖面圖。另外圖17，係針對實施上述的除去程序及分離程序從而獲得的蒸鍍遮罩20作繪示的剖面圖。如示於圖17，依本變形例的蒸鍍遮罩20的第2金屬層37，係具有隨著從第1面20a側朝向第2面20b側為尖細的形狀。為此，可邊充分確保第2金屬層37的厚度、第2金屬層37的體積等，邊有效增加角度θ1。例如，可使在第1面20a的貫通孔25的開口尺寸S1、及在第2面20b的貫通孔25的開口尺寸S2，與上述的本實施形態的情況相同，同時將在第1金屬層32與第2金屬層37的連接部41的貫通孔25的尺寸S0，縮成比上述的本實施形態的情況小。
(其他變形例)
此外於上述的本實施形態，係示出在蒸鍍遮罩20的長邊方向上分配複數個有效區域22之例。此外，於蒸鍍 程序，示出複數個蒸鍍遮罩20安裝於框15之例。然而，不限於此，如示於圖18，亦可使用具有沿著寬度方向及長邊方向的兩方配置成格子狀的複數個有效區域22的蒸鍍遮罩20。
(關於蒸鍍遮罩的第1面的凹陷部)
於上述的實施形態及各變形例，係在供於實施形成第1金屬層32的第1成膜程序用的圖案基板50方面，使用設有具有既定的厚度的導電性圖案52的基板51。此外，第1金屬層32，係沿著基板51的法線方向所見的情況下不僅形成於與導電性圖案52重疊的部分，亦形成於不與導電性圖案52重疊的部分。為此，將包含第1金屬層32及前述第2金屬層37的蒸鍍遮罩20從圖案基板50的基板51及導電性圖案52分離時，在由第1金屬層32構成的蒸鍍遮罩20的第1面20a，係如示於圖19及圖20，形成具有對應於導電性圖案52的形狀的凹陷部34。圖19，係針對明示凹陷部34的蒸鍍遮罩20作繪示的剖面圖。此外，圖20，係將示於圖19的蒸鍍遮罩20放大而繪示的剖面圖。
於以下之說明，蒸鍍遮罩20的第1面20a之中，將未形成凹陷部34的部分稱作最表面20c，將形成凹陷部34的部分稱作凹陷面20d。此外，將最表面20c與凹陷部34的凹陷面20d的邊界稱作凹陷部34的外緣34e。最表面20c，係於第1成膜程序所析出的第1金屬層 32之中，析出於不與導電性圖案52重疊之部分的第1金屬層32的表面。於蒸鍍遮罩20的法線方向，最表面20c與第2面20b之間的距離，係比凹陷面20d與第2面20b之間的距離大。
凹陷部34的深度D，係依圖案基板50的導電性圖案52的厚度而定。例如，導電性圖案52的厚度為50~500nm的範圍內的情況下，凹陷部34的深度D係50~500nm的範圍內。第1金屬層32的厚度T1，係如同上述的實施形態的情況，為0.5~5.0μm的範圍內。
圖21，係針對沿著蒸鍍遮罩20的法線方向而從第1面20a側視看蒸鍍遮罩20的情況作繪示的平面圖。於圖21，在蒸鍍遮罩20的第1面20a的最表面20c及凹陷面20d，附加彼此不同的影線。此外，於圖21，係以點線表示形成於蒸鍍遮罩20的第2面20b側的第2金屬層37的端部38、及連接第1金屬層32與第2金屬層37的連接部41。第2金屬層37的壁面36平行於蒸鍍遮罩20的法線方向而變寬的情況下，於平面圖，連接部41的位置係一致於第2金屬層37的端部38的位置。
如示於圖21，最表面20c及凹陷部34的外緣34e，係沿著第1金屬層32的端部33而延伸，此外具有包圍封閉貫通孔25的輪廓。正交於貫通孔25的輪廓線的方向上的最表面20c的寬度w，係等於示於圖7A的第1金屬層32之中不與導電性圖案52重疊的部分的寬度w，為例如0.5~5.0μm的範圍內。
優選上，係如示於圖21，沿著蒸鍍遮罩20的法線方向視看蒸鍍遮罩20的情況下，凹陷部34的外緣34e包圍連接第1金屬層32與第2金屬層37的連接部41的輪廓。換言之，第2金屬層37，係積層於第1金屬層32之中形成凹陷部34的部分之上。關於如此作構成的優點係後述。蒸鍍遮罩20的面方向上的凹陷部34的外緣34e與連接部41的輪廓之間的距離d，係例如1.0~16.5μm的範圍內。
以下，說明在蒸鍍遮罩20的第1面20a形成凹陷部34的優點的一例。圖22A，係針對調整有機EL基板92的面方向上的蒸鍍遮罩20的位置的位置調整程序作繪示的圖。圖22B，係針對使蒸鍍遮罩20密接於有機EL基板92的密接程序作繪示的圖。
於位置調整程序，係為了抑制蒸鍍遮罩20接觸於有機EL基板92而傷害有機EL基板92的表面，在有機EL基板92與蒸鍍遮罩20的第1面20a之間騰出既定之間隔的狀態下使蒸鍍遮罩20沿著有機EL基板92的面方向移動，而調整蒸鍍遮罩20的位置。
此情況下，有機EL基板92與蒸鍍遮罩20的第1面20a之間之間隔越小，越可精度佳地檢測出相對於有機EL基板92的蒸鍍遮罩20的相對位置，因此可精密地調整蒸鍍遮罩20的位置。另一方面，有機EL基板92與蒸鍍遮罩20的第1面20a之間之間隔越小，因蒸鍍遮罩20的位置調整的誤差、蒸鍍遮罩20的撓曲等使得蒸鍍 遮罩20接觸於有機EL基板92的可能性變越高。
此處依本實施形態時，在蒸鍍遮罩20的第1面20a形成有凹陷部34。凹陷部34的凹陷面20d，係位於比最表面20c從有機EL基板92遠離的位置。為此，凹陷面20d接觸於有機EL基板92的可能性，係比最表面20c接觸於有機EL基板92的可能性低。因此，在蒸鍍遮罩20的第1面20a形成凹陷部34，使得即使發生蒸鍍遮罩20的位置調整的誤差、蒸鍍遮罩20的撓曲等的情況下，仍可減低接觸於有機EL基板92的蒸鍍遮罩20的面積。藉此，可抑制有機EL基板92的表面受傷害。例如，可抑制預先形成於有機EL基板92的配線、電極等受傷害。
位置調整程序後，如示於圖22B，實施使蒸鍍遮罩20密接於有機EL基板92的密接程序。例如，利用來自不圖示的磁鐵的磁力，而使蒸鍍遮罩20近往有機EL基板92，使蒸鍍遮罩20的第1面20a與有機EL基板92接觸。之後，實施使有機材料等蒸鍍於有機EL基板92的蒸鍍程序。
另外，蒸鍍程序時，在蒸鍍遮罩20的第1金屬層32的端部33與有機EL基板92之間騰出間隙時，蒸鍍材料會進入間隙，附著於有機EL基板92的蒸鍍材料的形狀會不均。因此，為了精密地控制附著於有機EL基板92的蒸鍍材料的形狀，係使蒸鍍遮罩20的第1金屬層32的端部33確實接觸於有機EL基板92為重要。間隙，係 蒸鍍遮罩20的厚度小，為此容易發生於在蒸鍍遮罩20方面出現撓曲、波動形狀等的情況等。
此處依本實施形態時，在蒸鍍遮罩20的第1面20a形成有凹陷部34，故密接程序時使蒸鍍遮罩20近往有機EL基板92時，蒸鍍遮罩20的最表面20c比凹陷面20d容易接觸於有機EL基板92。並且，蒸鍍遮罩20的第1金屬層32的端部33(第1面20a上的蒸鍍遮罩20的外緣)，係位於最表面20c。因此，可使蒸鍍遮罩20的第1金屬層32的端部33更確實接觸於有機EL基板92。
另外，第1金屬層32之中沿著蒸鍍遮罩20的法線方向所見的情況下不與第2金屬層37重疊的部分，係比第1金屬層32之中與第2金屬層37重疊的部分容易變形。此外，在蒸鍍遮罩20的第1金屬層32形成有凹陷部34的情況下，第1金屬層32的厚度，係僅變小凹陷部34的深度D的程度，此結果，第1金屬層32容易進一步變形。為此，來自磁鐵的磁力等之力作用於蒸鍍遮罩20時，如示於圖22C，第1金屬層32之中形成有凹陷部34同時不與第2金屬層37重疊的部分應會變形而凹陷部34的凹陷面20d的一部分接觸於有機EL基板92。除了蒸鍍遮罩20的最表面20c以外凹陷部34的凹陷面20d的一部分接觸於有機EL基板92，使得可使蒸鍍遮罩20更強固地密接於有機EL基板92。
優選上，係密接程序時，首先，以蒸鍍遮罩20的最表面20c接觸於有機EL基板92，之後蒸鍍遮罩 20的凹陷部34的凹陷面20d接觸於有機EL基板92的方式，使蒸鍍遮罩20接近有機EL基板92。藉此，可使蒸鍍遮罩20的最表面20c的端部33確實接觸於有機EL基板92，同時使蒸鍍遮罩20強固地密接於有機EL基板92。
此外，於示於圖19~圖22C之例，蒸鍍遮罩20，亦具備：形成有第1開口部30的第1金屬層32、及形成有第2開口部35的第2金屬層37。為此，如同上述的本實施形態的情況，可容易實現在第2面20b的開口尺寸S2比在第1面20a的開口尺寸S1大如此的貫通孔25的形狀。藉此，可抑制移動於相對於蒸鍍遮罩20的法線方向N大幅傾斜的方向的蒸鍍材料98，附著於貫通孔25的壁面。藉此，例如，可抑制陰影的發生。
另外，在蒸鍍遮罩20的第1面20a形成凹陷部34，使得減低接觸於有機EL基板92的蒸鍍遮罩20的面積如此的效果，係可不取決於蒸鍍遮罩20的層構成而實現。例如，雖不圖示，亦可將蒸鍍遮罩20僅由1個金屬層(鍍層)而構成，在金屬層之中構成蒸鍍遮罩20的第1面20a之面，形成凹陷部34。
(貫通孔的配置的變形例)
於上述的本實施形態，係示出在沿著蒸鍍遮罩20的法線方向視看蒸鍍遮罩20的情況下格子狀配置複數個貫通孔25之例。然而，並未特別限定貫通孔25的配置。如 例如示於圖23，亦可沿著蒸鍍遮罩20的法線方向視看蒸鍍遮罩20的情況下交錯狀配置複數個貫通孔25。
(凹陷部的形狀之例)
蒸鍍遮罩20的第1面20a的凹陷部34，係如上所述，對應於圖案基板50的導電性圖案52而形成。因此，凹陷部34的形狀，係基於導電性圖案52的形狀而定。以下，說明有關凹陷部34的形狀的幾例。
首先，針對圖案基板50的製造方法的一例，參照圖24A~圖24D作說明。首先，準備基板51。接著，如示於圖24A，在基板51上形成由導電性材料所成之導電層52a。導電層52a，係藉圖案化而成為導電性圖案52之層。在構成導電層52a之材料方面，係使用後述之具有對於抗蝕圖案54的高的密接性的金屬材料為優選。例如，使用銅或銅合金為優選。
接著，如示於圖24B，在導電層52a上，形成具有既定的圖案的抗蝕圖案54。例如，首先，在導電層52a上設置抗蝕膜。例如，將稱作所謂的乾膜的包含丙烯酸系光固化性樹脂的膜，貼附於導電層52a。接著，使抗蝕膜以既定圖案曝光，之後，將抗蝕膜作顯影，而形成抗蝕圖案54。
之後，如示於圖24C，將導電層52a之中未由抗蝕圖案54所覆蓋的部分，藉濕式蝕刻而除去。接著，如示於圖24D，除去抗蝕圖案54。作成如此，可獲得形成 有具有對應於第1金屬層32的圖案的導電性圖案52的圖案基板50。
圖25，係將在藉濕式蝕刻而將導電層52a圖案化的情況下所獲得的圖案基板50的導電性圖案52的一例放大而繪示的剖面圖。此外，圖26，係將在利用示於圖25的圖案基板50而實施第1成膜程序的情況下所獲得的蒸鍍遮罩20放大而繪示的剖面圖。
採用如濕式蝕刻般各向等性地進行的蝕刻的情況下，如示於圖25，有時在導電性圖案52之側面52c形成凹陷。此情況下，如示於圖26，蒸鍍遮罩20的第1金屬層32的凹陷部34之側壁34c，係朝向凹陷部34突出。此結果，第1金屬層32之中形成有凹陷部34的部分的蒸鍍遮罩20的法線方向上的變形應受到抑制。為此，可更確實抑制在針對有機EL基板92的面方向上的蒸鍍遮罩20的位置作調整的位置調整程序時蒸鍍遮罩20的第1面20a的凹陷面20d接觸於有機EL基板92。此外，可使蒸鍍遮罩20的最表面20c的端部33更確實地接觸於有機EL基板92。
圖27，係將在藉濕式蝕刻而將導電層52a圖案化的情況下所獲得的圖案基板50的導電性圖案52的他例放大而繪示的剖面圖。此外，圖28，係將在利用示於圖27的圖案基板50而實施第1成膜程序的情況下所獲得的蒸鍍遮罩20放大而繪示的剖面圖。於示於圖27的導電性圖案52，係側面52c之中接於基板51的部分位於比側 面52c之中接於抗蝕圖案54之部分靠外側(從導電性圖案52的中心遠離之側)。換言之，導電性圖案52的緩坡部分往外側變寬。示於圖27的導電性圖案52，係在對導電層52a實施濕式蝕刻的時間比示於圖25之形態的情況短的情況下獲得。例如，將對導電層52a實施濕式蝕刻的時間，設定成藉將導電層52a的厚度除以導電層52a的蝕刻率而算出的時間所謂的適量蝕刻時間，從而獲得示於圖27的導電性圖案52。
示於圖27的導電性圖案52的緩坡部分的位置，係依實施濕式蝕刻的時間而敏感變動。此外，如示於圖28，導電性圖案52的緩坡部分的位置朝外側偏移時，蒸鍍遮罩20的第1金屬層32的端部33的位置亦朝外側偏移該部分。因此，要穩定確定蒸鍍遮罩20的第1金屬層32的端部33的位置，係如示於圖25的形態，使濕式蝕刻時間比適量蝕刻時間大為優選。
另一方面，要將使成膜於圖案基板50上的由第1金屬層32及第2金屬層37所成之蒸鍍遮罩20從圖案基板50分離的分離程序容易化，係如示於圖27般導電性圖案52具有往外側變寬的緩坡部分為優選。
(實施脫模處理之例)
亦可為了將使蒸鍍遮罩20從圖案基板50分離的分離程序容易化，在實施第1成膜程序前對圖案基板50實施脫模處理。以下，說明有關脫模處理之例。
首先，實施將圖案基板50的表面的油分除去的脫脂處理。例如，利用酸性的脫脂液，而除去圖案基板50的導電性圖案52的表面的油分。
接著，實施將導電性圖案52的表面活性化的活性化處理。例如，使與於之後的鍍層處理所使用的鍍層液中所含的酸性溶液相同的酸性溶液接觸於導電性圖案52的表面。例如，鍍層液包含胺基磺酸鎳的情況下，使胺基磺酸接觸於導電性圖案52的表面。
接著，實施在導電性圖案52的表面形成有機物的膜的有機膜形成處理。例如，使含有機物的脫模劑接觸於導電性圖案52的表面。此情況下，將有機膜的厚度，有機膜的電阻，設定為薄成電解鍍層所致的第1金屬層32的析出不受有機膜所阻礙的程度。
另外，在脫脂處理、活性化處理及有機膜形成處理後，係分別實施將圖案基板50以水作洗淨的水洗處理。
依本變形例時，在實施第1成膜程序前對圖案基板50實施脫模處理，使得可將使蒸鍍遮罩20從圖案基板50分離的分離程序容易化。
另外，雖說明對於上述之實施形態的數個變形例，惟當然，亦可酌情組合複數個變形例而應用。
20‧‧‧蒸鍍遮罩
20a‧‧‧第1面
20b‧‧‧第2面
22‧‧‧有效區域
23‧‧‧周圍區域
25‧‧‧貫通孔
30‧‧‧第1開口部
31‧‧‧壁面
32‧‧‧第1金屬層(第1鍍層)
33‧‧‧端部
35‧‧‧第2開口部
36‧‧‧壁面
37‧‧‧第2金屬層(第2鍍層)
38‧‧‧端部
41‧‧‧連接部

Claims (7)

  1. 一種蒸鍍遮罩，其係形成有從第1面到達第2面的複數個貫通孔者，具備依既定圖案形成有前述貫通孔的金屬層，將前述貫通孔之中位於前述第1面上的部分稱作第1開口部，將前述貫通孔之中位於前述第2面上的部分稱作第2開口部的情況下，前述貫通孔係構成為，在沿著前述蒸鍍遮罩的法線方向視看前述蒸鍍遮罩的情況下，前述第2開口部的輪廓包圍前述第1開口部的輪廓。
  2. 如申請專利範圍第1項之蒸鍍遮罩，其中，前述第1面之中未形成有凹陷部的部分的寬度係0.5~5.0μm的範圍內。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之蒸鍍遮罩，其中，前述金屬層具有：第1金屬層，其形成有前述第1開口部及凹陷部；以及第2金屬層，其積層於前述第1金屬層，形成有前述第2開口部。
  4. 如申請專利範圍第3項之蒸鍍遮罩，其中在，沿著前述蒸鍍遮罩的法線方向視看前述蒸鍍遮罩的情況下，形成於前述第1金屬層的前述凹陷部包圍將前述第1金屬層與前述第2金屬層連接的連接部的輪廓。
  5. 如申請專利範圍第3項之蒸鍍遮罩，其中，前述第1金屬層之中連接於前述第2金屬層的部分的厚度係5μm以下。
  6. 如申請專利範圍第3項之蒸鍍遮罩，其中，前述 第2金屬層的厚度係3~25μm的範圍內。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之蒸鍍遮罩，其中，前述金屬層係鍍層。
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