DE102019007831A1

DE102019007831A1 - Metallplatte zur herstellung von dampfphasenabscheidungsmasken, verfahren zur herstellung von metallplatten, dampfphasenabscheidungsmaske, verfahren zur herstellung einer dampfphasenabscheidungsmaske, und dampfphasenabscheidungsmaskenvorrichtung aufweisend eine dampfphasenabscheidungsmaske

Info

Publication number: DE102019007831A1
Application number: DE102019007831.4A
Authority: DE
Inventors: Hiroki Oka; Sachiyo MATSUURA; Chiaki Hatsuta; Chikao Ikenaga
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 2018-11-13
Filing date: 2019-11-12
Publication date: 2020-05-14
Also published as: KR20240040693A; JP7478359B2; JP2021036076A; EP3653747A1; US20200149139A1; DE202019006014U1

Abstract

Eine Metallplatte, die zur Herstellung einer Abscheidungsmaske verwendet wird, hat eine Dicke von kleiner gleich 30 µm. Eine mittlere Querschnittsfläche der Kristallkörner an einem Querschnitt der Metallplatte beträgt 0,5 µm² bis 50 µm². Die mittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern wird durch Analysieren von Messergebnissen berechnet, die durch ein EBSD-Verfahren erhalten werden, wobei die Messergebnisse durch ein Flächenverfahren unter Bedingungen analysiert werden, bei denen ein Abschnitt mit einer abweichenden Kristallausrichtung von 5 Grad oder mehr als Kristallkorngrenze erkannt wird.

Description

HINTERGRUND
Gebiet
Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung betreffen eine Metallplatte zur Herstellung einer Abscheidungsmaske und ein Verfahren zur Herstellung einer Metallplatte. Ferner betreffen Ausführungsformen der Erfindung eine Abscheidungsmaske, ein Verfahren zur Herstellung einer Abscheidungsmaske sowie eine Abscheidungsmaskenvorrichtung mit einer Abscheidungsmaske.
Technischer Hintergrund
Eine in einer tragbaren Vorrichtung, z.B. einem Smartphone oder einem Tablet-PC verwendete Anzeigevorrichtung soll eine hohe Feinheit, beispielsweise eine Pixel- bzw. Bildpunktdichte von 500 ppi oder mehr besitzen. Ferner besteht steigender Bedarf daran, dass die tragbare Vorrichtung für UHD (Ultrahochauflösung) anwendbar ist. In diesem Fall beträgt die Pixeldichte einer Anzeigevorrichtung bevorzugt 800 ppi oder mehr.
Unter Anzeigevorrichtungen hat eine organische EL-Anzeigevorrichtung (Elektrolumineszenz-Anzeigevorrichtung) aufgrund ihres hervorragenden Ansprechverhaltens, niedriges Stromverbrauchs und hohen Kontrastes Aufmerksamkeit auf sich gezogen. Ein bekanntes Verfahren zur Bildung von Pixeln einer organischen EL-Anzeigevorrichtung ist ein Verfahren, bei dem eine Abscheidungsmaske verwendet wird, in welcher Durchgangsöffnungen gebildet und in einem gewünschten Muster angeordnet werden, und bei dem Pixel in dem gewünschten Muster gebildet werden. Konkret wird eine Abscheidungsmaske zunächst in engen Kontakt mit einem Substrat für eine organische EL-Anzeigevorrichtung gebracht, und dann werden das Substrat und die Abscheidungsmaske in engem Kontakt mit diesem in eine Abscheidungsvorrichtung verbracht, um einen Abscheideschritt zur Abscheidung eines organischen Materials auf dem Substrat durchzuführen. Dies ermöglicht es, Pixel, die das organisches Material umfassen, auf dem Substrat mit einem Muster zu bilden, das dem Muster der Durchgangsöffnungen der Abscheidungsmaske entspricht.
Ein bekanntes Verfahren zur Herstellung einer Abscheidungsmaske ist ein Verfahren, bei dem Durchgangsöffnungen in einer Metallplatte durch Ätzen unter Verwendung einer Photolitographietechnik gebildet werden. Beispielsweise wird ein(e) erste(s) Photoresistmuster bzw. -struktur zunächst auf einer ersten Oberfläche der Metallplatte durch Belichtung und Entwicklung gebildet, und ein zweites Resistmuster wird auf einer zweiten Oberfläche der Metallplatte durch Belichtung und Entwicklung gebildet. Dann wird eine Fläche der ersten Oberfläche der Metallplatte, die nicht mit dem ersten Resistmuster bedeckt ist, geätzt, um erste Aussparungen in der zweiten Oberfläche der Metallplatte zu bilden. Danach wird eine Fläche der zweiten Oberfläche der Metallplatte, die nicht mit dem zweiten Resistmuster bedeckt ist, geätzt, um zweite Aussparungen in der zweiten Oberfläche der Metallplatte zu bilden. Hierbei können durch Ätzen der Flächen bzw. Bereiche derart, dass jede erste Aussparung und jede zweite Aussparung miteinander in Verbindung stehen, Durchgangsöffnungen durch die Metallplatte hindurch gebildet werden. Eine Metallplatte zur Herstellung einer Abscheidungsmaske kann beispielsweise durch Walzen eines Grundmetalls, das aus einem Metall wie etwa einer nickelhaltigen Eisenlegierung hergestellt ist, hergestellt werden.
Zusätzlich zu den obigen Ausführungen ist ein Verfahren zur Herstellung einer Abscheidungsmaske, das mit einem Plattierungsprozess einhergeht, als Verfahren zur Herstellung einer Abscheidungsmaske bekannt. Beispielsweise wird zunächst ein elektrisch leitfähiges Grundmaterial hergestellt. Dann wird auf dem Grundmaterial mit einer vorgegebenen Lücke ein Resistmuster gebildet. Dieses Resistmuster ist an einer Position vorgesehen, an der Durchgangsöffnungen einer Abscheidungsmaske gebildet werden sollen. Danach wird Galvano- bzw. Plattierungsflüssigkeit an jede Lücke des Resistmusters zugeführt, um mittels eines elektrolytischen Plattierungsverfahrens bzw. eines Elektroabscheidungsverfahrens eine Metallschicht auf dem Grundmaterial abzuscheiden. Anschließend ist es durch Abtrennen der Metallschicht von dem Grundmaterial möglich, eine Abscheidungsmaske mit einer Vielzahl von darin ausgebildeten Durchgangsöffnungen zu erhalten.
STAND DER TECHNIK
Patentdokument

Patentdokument 1: japanisches Patent Nr. 5382259
Patentdokument 2: JP 2001-234385 A

DARSTELLUNG
Um ein Abscheidungsmaterial mit guter Genauigkeit in einem gewünschten Muster auf einem Substrat abzuscheiden, ist es bevorzugt, dass eine Abscheidungsmaske eine kleine Dicke aufweist. Hierbei nimmt, wenn eine Abscheidungsmaske eine kleine Dicke aufweist, die Festigkeit einer Metallplatte, welche die Abscheidungsmaske darstellt, ab, und es ist wahrscheinlich, dass es während des Schritts zur Herstellung einer Abscheidungsmaske oder der Verwendung der Abscheidungsmaske zu plastischer Verformung an der Metallplatte kommt.
Eine Aufgabe von Ausführungsformen der Offenbarung besteht darin, eine Metallplatte anzugeben, welche die obigen Probleme lösen kann.
Lösung des Problems
Bei einer Ausführungsform der Offenbarung handelt es sich um eine Metallplatte, die zur Herstellung einer Abscheidungsmaske verwendet wird, wobei die Metallplatte aus einem Walzstahl aus einer Eisenlegierung hergestellt ist, die zumindest Nickel enthält und eine Dicke von kleiner gleich 30 µm besitzt, wobei eine mittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern an einem Querschnitt der Metallplatte 0,5 µm² bis 50 µm² beträgt, der Querschnitt bezogen auf eine zur Walzrichtung der Metallplatte senkrechte Ebene einen Winkel von -10° bis +10° hat, und wobei die mittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern durch Analysieren von Messergebnissen errechnet wird, die durch ein EBSD-Verfahren (Elektronenrückstreubeugung) erhalten werden, wobei die Messergebnisse durch ein Flächenverfahren unter Bedingungen analysiert werden, bei denen ein Abschnitt mit einer abweichenden Kristallausrichtung von größer gleich 5 Grad als Kristallkorngrenze erkannt wird. Ein Gesamtgehalt von Nickel und Kobalt in dem Walzstahl kann 30% bis 38% Massenprozent betragen.
Bei einer Ausführungsform der Offenbarung handelt es sich um eine Metallplatte, die zur Herstellung einer Abscheidungsmaske verwendet wird, wobei die Metallplatte aus einem Plattierungsfilm bzw. einer Plattierungsfolie aus einer Eisenlegierung hergestellt wird, die zumindest Nickel enthält und eine Dicke von kleiner gleich 30 µm besitzt, wobei eine mittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern an einem Querschnitt der Metallplatte 0,5 µm² bis 50 µm² beträgt, wobei der Querschnitt bezogen auf eine zur Längsrichtung der Plattierungsfolie senkrechte Ebene einen Winkel von -10° bis +10° hat, und wobei die mittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern durch Analysieren von Messergebnissen errechnet wird, die durch ein EBSD-Verfahren erhalten werden, wobei die Messergebnisse durch ein Flächenverfahren unter Bedingungen analysiert werden, bei denen ein Abschnitt mit einer abweichenden Kristallausrichtung größer gleich 5 Grad als Kristallkorngrenze erkannt wird. Ein Gesamtgehalt von Nickel und Kobalt in der Plattierungsfolie kann 38 bis 54 Massenprozent betragen.
Die mittlere Querschnittsfläche der Kristallkörner kann größer gleich 2,0 µm² in einer Metallplatte gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung betragen.
Die Metallplatte gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung kann eine Dicke von größer gleich 13 µm besitzen.
Bei einer Ausführungsform der Erfindung handelt es sich um eine Abscheidungsmaske, mit einer Metallplatte und in der Metallplatte gebildeten Durchgangsöffnungen, wobei die Metallplatte aus einem Walzstahl aus einer Eisenlegierung hergestellt ist, die zumindest Nickel enthält und eine Dicke von kleiner gleich 30 µm besitzt, wobei eine mittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern an einem Querschnitt der Metallplatte 0,5 µm² bis 50 µm2 beträgt, wobei der Querschnitt einen Winkel von -10° bis +10° bezogen auf eine zur Walzrichtung der Metallplatte senkrechte Ebene hat, und wobei die mittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern durch Analysieren von Messergebnissen errechnet wird, die durch ein EBSD-Verfahren erhalten wurden, wobei die Messergebnisse durch ein Flächenverfahren unter Bedingungen analysiert werden, bei denen ein Abschnitt mit einer abweichenden Kristallausrichtung von größer gleich 5 Grad als Kristallkorngrenze erkannt wird. Ein Gesamtgehalt von Nickel und Kobalt in dem Walzstahl kann 30 bis 38 Massenprozent betragen.
Bei einer Ausführungsform der Erfindung handelt es sich um eine Abscheidungsmaske, mit einer Metallplatte und in der Metallplatte gebildeten Durchgangsöffnungen, wobei die Metallplatte aus einer Plattierungsfolie aus einer Eisenlegierung hergestellt ist, die zumindest Nickel enthält und eine Dicke von kleiner gleich 30 µm besitzt, wobei eine mittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern an einem Querschnitt der Metallplatte 0,5 µm² bis 50 µm² beträgt, wobei der Querschnitt einen Winkel von -10° bis +10° bezogen auf eine zur Längsrichtung der Plattierungsfolie senkrechte Ebene hat, und wobei die mittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern durch Analysieren von Messergebnissen errechnet wird, die durch ein EBSD-Verfahren erhalten wurden, wobei die Messergebnisse durch ein Flächenverfahren unter Bedingungen analysiert werden, bei denen ein Abschnitt mit einer abweichenden Kristallausrichtung von größer gleich 5 Grad als Kristallkorngrenze erkannt wird. Ein Gesamtgehalt von Nickel und Kobalt in der Plattierungsfolie kann 38 bis 54 Massenprozent betragen.
Die mittlere Querschnittsfläche der Kristallkörner kann größer gleich 2,0 µm² in einer Abscheidungsmaske gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung betragen.
Die Metallplatte kann eine Dicke von größer gleich 10 µm in der Abscheidungsmaske gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung betragen.
Bei einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung handelt es sich um eine Abscheidungsmaskenvorrichtung, welche die eingangs genannte Abscheidungsmaske und einen Rahmen aufweist, der die angeschweißte Abscheidungsmaske hält.
Eine Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung ist ein Verfahren zur Herstellung einer Abscheidungsmaske, umfassend: einen Schritt zur Herstellung der Metallplatte nach einem des vorgenannten ersten bis sechsten Aspekte; einen Schritt zum Transportieren der Metallplatte entlang einer Längsrichtung; und einen Schritt zum Bilden von Durchgangsöffnungen in der Metallplatte.
Eine Ausführungsform der Offenbarung ist ein Verfahren zur Herstellung einer Metallplatte, die zur Herstellung einer Abscheidungsmaske verwendet wird, umfassend einen Vorbereitungsschritt zum Erhalten der Metallplatte, die aus einer Eisenlegierung hergestellt ist, die Nickel enthält und eine Dicke von kleiner gleich 30 µm hat, in Form eines Walzstahls mittels Walzen, wobei eine mittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern an einem Querschnitt der Metallplatte 0,5 µm² bis 50 µm² beträgt, wobei der Querschnitt einen Winkel von - 10° bis +10° bezogen auf eine zur einer Walzrichtung des Walzstahls senkrechte Ebene hat, und wobei die mittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern durch Analysieren von Messergebnissen errechnet wird, die durch ein EBSD-Verfahren erhalten werden, wobei die Messergebnisse durch ein Flächenverfahren unter Bedingungen analysiert werden, bei denen ein Abschnitt mit einer abweichenden Kristallausrichtung von größer gleich 5 Grad als Kristallkorngrenze erkannt wird. Der Vorbereitungsschritt kann einen Walzschritt zum Walzen eines Grundmaterials und einen Glühschritt zum Glühen des durch Walzen erhaltenen Grundmetalls mittels Walzen bei 500°C bis 600°C für 30 bis 90 Sekunden während des Transports umfassen.
Bei einer Ausführungsform der Offenbarung handelt es sich um ein Verfahren zur Herstellung einer Metallplatte, die zur Herstellung einer Abscheidungsmaske verwendet wird, umfassend einen Vorbereitungsschritt zum Erhalt der Metallplatte, die aus einer Eisenlegierung hergestellt wird, die zumindest Nickel enthält und eine Dicke vom kleiner gleich 30 µm hat, in der Form einer Plattierungsfolie, mittels Plattieren, wobei eine mittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern an einem Querschnitt der Metallplatte 0,5 µm² bis 50 µm² beträgt, der Querschnitt einen Winkel von -10° bis +10° bezogen auf eine zu einer Längsrichtung der Plattierungsfolie senkrechte Ebene hat, und wobei die mittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern durch Analysieren von Messergebnissen errechnet wird, die durch ein EBSD-Verfahren erhalten werden, wobei die Messergebnisse durch ein Flächenverfahren unter Bedingungen analysiert werden, bei denen ein Abschnitt mit einer abweichenden Kristallausrichtung von größer gleich 5 Grad als Kristallkorngrenze erkannt wird. Der Vorbereitungsschritt kann umfassen: einen Schritt zum Bilden einer Plattierungsfolie auf einer Oberfläche einer Trommel, die teilweise in eine Plattierungsflüssigkeit getaucht ist, während die Trommel gedreht wird; und einen Schritt zum Erhalten der aus der Plattierungsfolie hergestellten Metallplatte in der länglichen Form durch Entfernen der Plattierungsfolie von der Trommel.
Vorteilhafte Wirkungen der Erfindung
Gemäß Ausführungsformen der Offenbarung können Festigkeit und Schweißneigung einer Metallplatte mit einer Dicke von 30 µm oder weniger verbessert werden.
Figurenliste

1 ist eine Ansicht zur Darstellung einer Abscheidungsvorrichtung, die eine Abscheidungsmaskenvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Offenbarung aufweist;
2 ist eine Schnittansicht, die eine organische EL-Anzeigevorrichtung zeigt, die unter Verwendung der in 1 dargestellten Abscheidungsmaskenvorrichtung hergestellt wurde;
3 ist eine Draufsicht, die eine Abscheidungsmaskenvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der Offenbarung zeigt;
4 ist eine teilweise Draufsicht eines Teils der Wirkfläche der in 3 gezeigten Abscheidungsmaske;
5 ist eine Schnittansicht entlang der Linie V-V aus 4;
6 ist eine Ansicht, die einen Schritt zum Erhalten einer Metallplatte mit einer gewünschten Dicke mittels Walzen eines Grundmetalls zeigt;
7 ist eine Ansicht, die einen Schritt zum Glühen der Metallplatte zeigt, die mittels Walzen erhalten wurde;
8 ist eine Ansicht, die eine Probe mit einem Prüfstück zeigt, das aus der Metallplatte entnommen wurde;
9 ist eine Ansicht, die ein Beispiel eines Schritts zum Einstellen des Neigungswinkels der Probe mit einem Prüfstücks zeigt;
10 ist eine Ansicht, die ein Beispiel von Kristallkörnern an einem Querschnitt eines Prüfstücks zeigt, das auf Grundlage von Messergebnissen des EBSD-Verfahrens analysiert wird;
11 ist eine schematische Ansicht zur allgemeinen Erläuterung eines Beispiels des Verfahrens zur Herstellung einer Abscheidungsmaske;
12 ist eine Ansicht, die einen Schritt zum Bilden eines Resistmusters an einer Metallplatte zeigt;
13 ist eine Ansicht, die einen ersten Oberflächenätzschritt zeigt;
14 ist eine Ansicht, die einen zweiten Oberflächenätzschritt zeigt;
15 ist eine Ansicht, die einen Schritt zum Entfernen eines Harzes und eines Resistmusters von der Metallplatte zeigt;
16 ist eine Ansicht, die ein Beispiel eines deformierten Abschnitts zeigt, der lokal in der Metallplatte gebildet ist;
17 ist eine Ansicht, die ein Beispiel der Querschnittsform des deformierten Abschnitts der in 16 gezeigten Metallplatte zeigt;
18 ist eine Ansicht, die ein Beispiel eines Reckschritts zum Anpassen der Position einer Abscheidungsmaske bezogen auf einen Rahmen in einem Zustand zeigt, bei dem eine Spannung an der Abscheidungsmaske angelegt wird;
19A ist eine Ansicht, die einen Schweißschritt zum Schweißen einer Abscheidungsmaske an einen Rahmen zeigt;
19B ist eine Ansicht, die einen mittels des Schweißschritts gebildeten Abschnitt zeigt;
20 ist eine Ansicht, die ein Beispiel eines unvorteilhaften geschweißten Abschnitts zeigt;
21 ist eine vergrößerte Ansicht des geschweißten Abschnitts aus 20;
22 ist eine Ansicht, die ein Beispiel eines bevorzugten geschweißten Abschnitts zeigt;
23 ist eine vergrößerte Ansicht des geschweißten Abschnitts aus 22;
24 ist eine Ansicht, die ein Beispiel eines Verfahrens zum Messen der Schweißfestigkeit eines geschweißten Abschnitts zeigt;
25 ist eine Ansicht, die Auswertungsergebnisse für Metallplatten gemäß den Beispielen 1 bis 16 zeigt;
26 ist ein Streudiagramm der Metallplattendicke und der flächenmittleren Querschnittsfläche von Kristallkörnern gemäß den Beispielen 1 bis 16;
27 ist eine Ansicht, die ein Beispiel der Verteilung der mittleren Querschnittsfläche von Kristallkörnern zeigt, die in einer Vielzahl ausgewählter Metallplatten enthalten sind;
28 ist eine Ansicht, die ein Beispiel der Verteilung der mittleren Querschnittsfläche von Kristallkörnern zeigt, die in einer Vielzahl ausgewählter Metallplatten enthalten sind;
29 ist eine Ansicht, die ein Beispiel der Verteilung der mittleren Querschnittsfläche von Kristallkörnern zeigt, die in einer Vielzahl ausgewählter Metallplatten enthalten sind;
30 ist ein Streudiagramm der Metallplattendicke und der zahlenmittleren Querschnittsfläche von Kristallkörnern gemäß den Beispielen 1 bis 16 zeigt;
31 ist eine Ansicht, die eine Korrelation zwischen der flächenmittleren Querschnittsfläche von Kristallkörnern und der zahlenmittleren Querschnittsfläche von Kristallkörnern gemäß den Beispielen 1 bis 16 zeigt.

BESCHREIBUNG VON AUSFÜHRUNGSFORMEN
In der Beschreibung und den Zeichnungen werden, falls nicht anders angegeben, die Begriffe „Platte“, „Blech“ und „Folie“ bzw. „Film“ nur auf Grundlage der Begriffe nicht voneinander abgegrenzt. Beispielsweise ist die „Platte“ ein Konzept, das ein Element umfasst, welches als „Blech“ oder „Film“ bzw. „Folie“ bezeichnet werden kann. Ferner gibt eine „Ebene (Plattenebene, Folienebene“) eine Ebene an, die einer Ebenenrichtung eines plattenartigen (bahnartigen, folienartigen) Elements als Ziel entspricht, wenn das plattenartige (blechartige, folienartige) Element allgemein als Ganzes betrachtet wird. Ferner gibt eine Normalenrichtung, die für ein plattenartiges (blechartiges, folienartiges) Element genutzt wird, eine Normalenrichtung bezüglich einer Ebene (Plattenebene, Folienebene) des Elements an. Ferner sind in der Beschreibung und in den Zeichnungen falls nicht anders angegeben Begriffe, welche Formen, geometrische Gegebenheiten und deren Ausmaße angeben, nicht auf ihre strikten Definitionen beschränkt, sondern sollten dahingehend ausgelegt werden, eine Spanne zu umfassen, die zur Ausübung einer gleichwertigen Funktion in der Lage ist.
In dieser Beschreibung und in den Zeichnungen beinhaltet, falls nicht anders angegeben, wenn eine bestimmte Struktur wie etwa ein bestimmtes Element oder ein bestimmter Bereich „oberhalb (oder unterhalb)“ oder „an der Oberseite (oder an der Unterseite“) einer anderen Struktur wie etwa einem anderen Element oder einem anderen Bereich ist, dieses/dieser nicht nur den Fall, bei dem die bestimmte Struktur in unmittelbarem Kontakt mit der anderen Struktur ist, sondern auch einen Fall, bei dem eine weitere Struktur zwischen der bestimmten Struktur und der weiteren Struktur angeordnet ist. Ferner werden dann, es sei denn, dies ist anders angegeben, der Begriff „oberer“ (oder an der Oberseite oder oberhalb) und der Begriff „unterer“ (oder an der Unterseite oder unterhalb) zur Erläuterung verwendet, sondern sie können sich gegenseitig ersetzen.
Bei dieser Beschreibung und den Zeichnungen wird dann, falls nicht anders angegeben, das gleiche oder gleichwertige Bezugszeichen dem gleichen Teil und Teilen mit gleichwertiger Funktion zugewiesen, und eine wiederholte Beschreibung davon entfällt manchmal. Es besteht die Möglichkeit, dass eine Maßstabsabmessung sich von einer tatsächlichen unterscheidet, und dass ein Teil einer Struktur in den Zeichnungen weggelassen wird, zur vereinfachten Beschreibung.
Bei dieser Beschreibung und den Zeichnungen können die Ausführungsformen der Offenbarung mit anderen Ausführungsformen und Modifizierungen kombiniert werden, solange es nicht zu Widersprüchen kommt. Die anderen Ausführungsformen können kombiniert werden und die anderen Ausführungsformen und Modifizierungen können kombiniert werden, solange es nicht zu Widersprüchen kommt. Die Modifikationen können auch kombiniert werden, solange es nicht zu Widersprüchen kommt.
Bei dieser Beschreibung und den Zeichnungen, falls anders angegeben, können dann, wenn eine Vielzahl von Formen und Schritten im Hinblick auf ein Verfahren wie etwa ein Herstellungsverfahren offenbart werden, andere Schritte, die nicht offenbart werden, zwischen den offenbarten Schritten durchgeführt werden. Die Reihenfolge der offenbarten Schritte ist beliebig, solange es nicht zu Widersprüchen kommt.
Bei dieser Beschreibung und den Zeichnungen kann, falls nicht anders angegeben, ein numerischer Bereich, der mittels einem „-“-Symbol angegeben wird, numerische Werte mit dem dazwischen gesetzten „-“-Symbol beinhalten. Beispielsweise ist ein numerischer Bereich, der durch den Ausdruck „34-38 Massen-%“ beschränkt wird, der gleiche, wie ein numerischer Bereich, der von dem Ausdruck „nicht weniger als 34 Massenprozent und nicht mehr als 38 Massenprozent“ beschränkt wird.
In einer Ausführungsform dieser Schrift werden Beispiele beschrieben, die eine Abscheidungsmaske betreffen, die zum Strukturieren eines organischen Materials auf einem Substrat in einem gewünschten Muster in einem Herstellungsprozess einer organischen EL-Anzeigevorrichtung verwendet wird, und es wird ein Herstellungsverfahren der Abscheidungsmaske beschrieben. Jedoch ist diese Ausführungsform nicht auf diese Anmeldung beschränkt und kann auf eine Abscheidungsmaske angewendet werden, die für verschiedene Zwecke verwendet wird.
Eine Ausführungsform dieser Offenbarung wird ausführlich unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben. Die nachfolgende Ausführungsform ist ein Beispiel der Ausführungsform dieser Offenbarung und diese Offenbarung soll nicht auf diese Ausführungsformen beschränkt sein.
Zunächst wird unter Bezugnahme auf 1 eine Abscheidungsvorrichtung 90 zur Durchführung eines Abscheidungsprozesses zum Abscheiden eines Abscheidungsmaterials auf einem Gegenstand erläutert. Wie in 1 dargestellt weist die Abscheidungsvorrichtung 90 in sich eine Abscheidungsquelle (z.B. einen Tiegel 94), eine Heizeinrichtung 96, und eine Abscheidungsmaskenvorrichtung 10 auf. Zudem kann die Abscheidungsvorrichtung 90 ferner Auslassmittel aufweisen, um eine Vakuum- bzw. Unterdruckgashülle im Innern der Abscheidungsvorrichtung 90 zu erzeugen. Der Tiegel 94 beherbergt ein Abscheidungsmaterial 98, zum Beispiel ein organisches leuchtendes bzw. lumineszentes Material. Die Heizeinrichtung 96 ist eingerichtet, den Tiegel 94 zu erhitzen, um das Abscheidungsmaterial 98 in der Vakuumhülle zu verdampfen. Die Abscheidungsmaskenvorrichtung 10 ist gegenüberliegend dem Tiegel 94 platziert.
Nachfolgend wird die Abscheidungsmaskenvorrichtung 10 beschrieben. Wie in 1 veranschaulicht kann die Abscheidungsmaskenvorrichtung 10 eine Abscheidungsmaske 20 und einem Rahmen 15 zum Halten der Abscheidungsmaske 20 aufweisen. Der Rahmen 15 ist eingerichtet, die Abscheidungsmaske 20 in einem gespannten Zustand in der Ebenenrichtung zu halten, um zu verhindern, dass sich die Abscheidungsmaske 20 krümmt bzw. verzieht. Wie in 1 dargestellt ist die Abscheidungsmaskenvorrichtung 10 in einer Abscheidungsvorrichtung 90 derart angeordnet, dass die Abscheidungsmaske 20 einem Substrat als Objekt zugewandt ist, auf welches das Abscheidungsmaterial 98 abgeschieden werden soll, zum Beispiel ein organischen EL-Substrat 92. In der nachfolgenden Beschreibung wird von den Oberflächen der Abscheidungsmaske 20 die Oberfläche auf der Seite des organischen EL-Substrats 92 als erste Oberfläche 20a bezeichnet, und die der ersten Oberfläche 20a gegenüberliegende Oberfläche wird als zweite Oberfläche 20b bezeichnet.
Die Abscheidungsvorrichtung 90 kann einen Magneten 93 aufweisen, der auf einer Oberfläche des organischen EL-Substrats 92 angeordnet ist, welches der Oberfläche auf der Seite der Abscheidungsmaske 20 gegenüberliegt, wie in 1 veranschaulicht. Durch Bereitstellung des Magneten 93 kann die Abscheidungsmaske 20 an den Magneten 93 durch eine magnetische Kraft angezogen werden, und die Abscheidungsmaske 20 kann in engen Kontakt mit dem organischen EL-Substrat 92 gebracht werden.
3 ist eine Draufsicht der Abscheidungsmaskenvorrichtung 10 von der Seite der ersten Oberfläche 20a der Abscheidungsmaske 20 her gesehen. Wie in 3 dargestellt kann die Abscheidungsmaskenvorrichtung 10 eine Vielzahl von Abscheidungsmasken 20 aufweisen. Jede Abscheidungsmaske 20 kann ein Paar langer Seiten 26 und ein Paar kurzer Seiten 27 aufweisen. Zum Beispiel kann jede Abscheidungsmaske 20 eine rechteckige Form besitzen. Jede Abscheidungsmaske 20 kann über ein Paar von kurzen Seiten 27 oder einen Abschnitt in der Nähe davon beispielsweise durch Schweißen an dem Rahmen 15 fixiert werden.
Jede Abscheidungsmaske 20 kann ein metallisches plattenartiges Grundmaterial aufweisen, in dem eine Vielzahl von Durchgangsöffnungen 25 ausgebildet sind, so dass diese durch die Abscheidungsmaske 20 reichen. Das Abscheidungsmaterial 98, das aus dem Tiegel 94 verdampft ist und die Abscheidungsmaskenvorrichtung 10 erreichte, gelangt durch diese Durchgangsöffnungen 25 in der Abscheidungsmaske 20, um an dem organischen EL-Substrat 92 anzuhaften. Im Ergebnis wird ein Film bzw. eine Folie aus dem Abscheidungsmaterial 98 auf der Oberfläche des organischen EL-Substrats 92 in einem gewünschten Muster gebildet, welches den Positionen der Durchgangsöffnungen 25 der Abscheidungsmaske 20 entspricht.
2 ist eine Schnittansicht, die eine organische EL-Anzeigevorrichtung 100 zeigt, die unter Verwendung der Abscheidungsvorrichtung 90 aus 1 hergestellt wurde. Die organische EL-Anzeigevorrichtung 100 weist das organische EL-Substrat 92 und strukturierte Pixel bzw. Bildpunkte auf, welche die Abscheidungsmaterialien 98 enthalten.
Wenn eine Farbanzeige mit einer Vielzahl von Farben gewünscht ist, werden die Abscheidungsvorrichtungen 90 vorbereitet, die mit Abscheidungsmasken 20 ausgerüstet sind, die den jeweiligen Farben entsprechen, und das organische EL-Substrat 92 wird in jede Abscheidungsvorrichtung 90 eingeführt. Dementsprechend können zum Beispiel ein organisches lumineszentes Material für rote Farbe, ein organisches lumineszentes Material für grüne Farbe und ein organisches lumineszentes Material für blaue Farbe nacheinander auf dem organischen EL-Substrat 92 abgeschieden werden.
In einem Fall wird hierbei der Abscheidungsprozess im Innern der Abscheidungsvorrichtung 90 in einer Hochtemperaturatmosphäre durchgeführt. In diesem Fall werden während des Abscheidungsprozesses die Abscheidungsmaske 20, der Rahmen 15 und das organische EL-Substrat 92, die im Innern der Abscheidungsvorrichtung 90 gehalten werden, ebenfalls erhitzt. Hierbei entwickeln die Abscheidungsmaske 20, der Rahmen 15 und das organische EL-Substrat 92 auf Grundlage ihrer jeweiligen Wärmeausdehnungskoeffizienten jeweils ein Verhalten der Abmessungsveränderung. Wenn die Wärmeausdehnungskoeffizienten der Abscheidungsmaske 20, des Rahmens 15 und des organischen EL-Substrats 92 deutlich voneinander abweichen, kommt es in diesem Fall zu einer Verlagerung von Positionen aufgrund der Differenz in der Abmessungsveränderung.
Um dieses Problem zu vermeiden, entsprechen die Wärmeausdehnungskoeffizienten der Abscheidungsmaske 20 und des Rahmens 15 bevorzugt dem Wärmeausdehnungskoeffizienten des organischen EL-Substrats 92. Wenn zum Beispiel ein Glassubstrat als organisches EL-Substrat 92 verwendet wird, kann eine Eisenlegierung, die Nickel enthält, als Hauptmaterial der Abscheidungsmaske 20 und des Rahmens 15 verwendet werden. Die Eisenlegierung kann ferner Kobalt sowie Nickel enthalten. Beispielsweise ist es möglich, als Material für das Grundmaterial, welches die Abscheidungsmaske 20 darstellt, eine Eisenlegierung zu verwenden, die Nickel und Kobalt mit einem Gesamtgehalt von 30 bis 54 Massenprozent enthält, bei dem der Kobaltgehalt von 0 bis 6 % Massenprozent oder weniger beträgt. Konkrete Beispiele einer Eisenlegierung, die Nickel oder Nickel und Kobalt enthält, kann ein Invar-Material sein, das 34 bis 38 Massenprozent Nickel enthält, ein Super-Invar-Material sein, das zusätzlich zu 30 bis 34 Massenprozent Nickel Kobalt enthält, oder eine Fe-Ni-basierte plattierte Legierung mit geringer Wärmeausdehnung, die 38 bis 54 Massenprozent Nickel enthält.
Wenn die Temperaturen der Abscheidungsmaske 20, des Rahmens 15 und des organischen EL-Substrats 92 während des Abscheidungsprozesses keine hohen Temperaturen erreichen, ist es nicht zwangsläufig erforderlich, die Wärmeausdehnungskoeffizienten der Abscheidungsmaske 20 und des Rahmens 15 gleich dem Wärmeausdehnungskoeffizienten des organischen EL-Substrats 92 auszulegen. In diesem Fall kann ein Material, welches nicht die oben genannte Eisenlegierung ist, als das Material verwendet werden, welches die Abscheidungsmaske 20 ausbildet. Zum Beispiel kann eine Legierung, die nicht die oben genannte nickelhaltige Eisenlegierung ist, sondern eine chromhaltige Eisenlegierung, verwendet werden. Als chromhaltige Eisenlegierung kann zum Beispiel eine Eisenlegierung verwendet werden, die als so-genannter Edelstahl bezeichnet wird. Zudem können Legierungen wie Nickel oder eine Nickel-Kobalt-Legierung, die keine Eisenlegierung sind, verwendet werden.
Als nächstes wird die Abscheidungsmaske 20 ausführlich beschrieben. Wie in 3 dargestellt kann die Abscheidungsmaske 20 ein Paar Laschenabschnitte mit einem Paar kurzer Seiten 27 der Abscheidungsmaske 20 (erster Laschenabschnitt 17a und zweiter Laschenabschnitt 17b) sowie einen Zwischenabschnitt 18 aufweisen, der zwischen dem Paar von Laschenabschnitten 17a, 17b positioniert ist.
Zunächst werden die Laschenabschnitte 17a, 17b ausführlich beschrieben. Die Laschenabschnitte 17a, 17b sind Abschnitte der Abscheidungsmaske 20, die an dem Rahmen 15 fixiert sind. In dieser Ausführungsform sind die Laschenabschnitte 17a, 17b integral mit dem Zwischenabschnitt 18 ausgebildet. Zudem können die Laschenabschnitte 17a, 17b mit einem Element gebildet sein, das sich von einem Element für den Zwischenabschnitt 18 unterscheidet. In diesem Fall sind die Laschenabschnitte 17a, 17b mit dem Zwischenabschnitt 18 beispielsweise durch Schweißen verbunden.
(Zwischenabschnitt)
Als nächstes wird der Zwischenabschnitt 18 beschrieben. Der Zwischenabschnitt 18 kann zumindest eine Wirkfläche 22, in der die Durchgangsöffnungen 25 ausgebildet sind, die von der ersten Oberfläche 20a bis zu der zweiten Oberfläche 20b reichen, sowie einen umgebenden Bereich 23, der die Wirkfläche 22 umgibt, aufweisen. Die Wirkfläche 22 der Abscheidungsmaske 20 ist eine Fläche, welche den Anzeigebereich des organischen EL-Substrats 92 bedeckt.
In dem in 3 dargestellten Beispiel weist der Zwischenabschnitt 18 eine Vielzahl von Wirkflächen 22 auf, die mit vorgegebenen Abständen entlang der langen Seiten 26 der Abscheidungsmaske 20 angeordnet sind. Eine einzelne Wirkfläche 22 entspricht einem einzelnen Anzeigebereich der organischen EL-Anzeigevorrichtung 100. Deshalb ermöglicht die in 1 gezeigte Abscheidungsmaskenvorrichtung 10 eine vielfach-facettierte Abscheidung der organischen EL-Anzeigevorrichtung 100. Eine einzelne Wirkfläche 22 kann ebenfalls einer Vielzahl von Anzeigebereichen entsprechen.
Wie in 3 dargestellt kann jede Wirkfläche 22 einen Umriss mit zum Beispiel einer in einer Draufsicht im Wesentlichen viereckigen Form, oder genauer mit einer in einer Draufsicht im Wesentlichen rechteckigen Form besitzen. Obgleich nicht dargestellt kann jede Wirkfläche 22 einen Umriss mit einer anderen Form entsprechend der Form des Anzeigebereichs der organischen EL-Vorrichtung 92 aufweisen. Beispielsweise kann jede Wirkfläche 22 eine kreisrunde Form aufweisen.
Als nächstes wird die Wirkfläche 22 ausführlich beschrieben. 4 ist eine Draufsicht, die die vergrößerte Wirkfläche 22 von der Seite der zweiten Oberfläche 20b der Abscheidungsmaske 20 gesehen zeigt. Wie in 4 dargestellt sind in dem Veranschaulichungsbeispiel eine Vielzahl der Durchgangsöffnungen 25 in jeder Wirkfläche 22 mit vorgegeben Abständen entlang zweier zueinander senkrechten Richtungen angeordnet.
5 ist eine Schnittansicht entlang der V-V-Richtung der Wirkfläche 22 aus 4. Wie in 5 dargestellt, verläuft eine Vielzahl der Durchgangsöffnungen 25 von der ersten Oberfläche 29a, die eine Seite entlang einer Normalenrichtung N der Abscheidungsmaske 20 ist, hindurch zu der zweiten Oberfläche 20b, welche die andere Seite unter der Normalenrichtung N der Abscheidungsmaske 20 ist. In dem dargestellten Beispiel werden wie unten ausführlicher beschrieben erste Ausnehmungen 30 in der ersten Oberfläche 64a der Metallplatte 64, die als die eine Seite in der Normalenrichtung N der Abscheidungsmaske 20 dient, durch einen Ätzvorgang gebildet, und zweite Ausnehmungen 35 werden in der zweiten Oberfläche 64b der Metallplatte 64, die als die andere Seite in der Normalenrichtung N der Abscheidungsmaske 20 dient, gebildet. Jede der ersten Ausnehmungen 30 ist mit jeder der zweiten Ausnehmungen 35 verbunden, so dass die zweite Ausnehmung 35 und die erste Ausnehmung 30 gebildet sind, um miteinander zu kommunizieren. Jede Durchgangsöffnung 25 ist aus der zweiten Ausnehmung 35 und der ersten Ausnehmung 30, die mit der zweiten Ausnehmung 35 verbunden ist, gebildet. Wie in den 4 und 5 dargestellt, sind eine Wandfläche 31 der ersten Ausnehmung 30 und eine Wandfläche 36 der zweiten Ausnehmung 35 über einen Umfangsverbindungsabschnitt 41 miteinander verbunden. Der Verbindungsabschnitt 41 definiert einen Durchgangsabschnitt 42, in dem eine Öffnungsfläche der Durchgangsöffnung 25 in einer Draufsicht der Abscheidungsmaske 20 am kleinsten ist.
Wie in 5 dargestellt sind die nebeneinander liegenden Durchgangsöffnungen 25 auf der Seite der ersten Oberfläche 20a der Abscheidungsmaske 20 voneinander entlang der ersten Oberfläche 64a der Metallplatte 64 beabstandet. Die nebeneinanderliegenden zwei zweiten Ausnehmungen 35 können voneinander entlang der zweiten Oberfläche 64b der Metallplatte 64 ebenfalls auf der Seite der zweiten Oberfläche 20b der Abscheidungsmaske 20 beabstandet sein. Konkret kann die zweite Oberfläche 64b der Metallplatte 64 zwischen zwei benachbarten zweiten Ausnehmungen 35 verbleiben. In der untenstehenden Beschreibung wird ein Abschnitt der Wirkfläche 22 der zweiten Oberfläche 64b der Metallplatte 64, der nicht geätzt wird und daher verbleibt, auch als oberer Abschnitt 43 bezeichnet. Die Abscheidungsmaske 20 kann eine ausreichende Festigkeit aufweisen, indem die Abscheidungsmaske 20 derart hergestellt wird, dass ein solcher oberer Abschnitt 43 verbleibt. Somit kann vermieden werden, dass die Abscheidungsmaske 20 zum Beispiel während des Transports beschädigt wird. Wenn jedoch eine Breite β des oberen Abschnitts 43 zu groß ist, besteht eine Möglichkeit, dass ein Schattenwurf in dem Abscheidungsschritt auftritt, wodurch die Nutzungseffizienz des Abscheidungsmaterials 98 verringert wird. Daher wird die Abscheidungsmaske 20 bevorzugt derart hergestellt, dass die Breite β des oberen Abschnitts 43 zu groß ist. Der Ausdruck „Schattenwurf“ bezieht sich auf ein Phänomen, bei dem eine Anhaftung eines Abscheidungsmaterials an einem Bereich, der die Durchgangsöffnungen der Abscheidungsmaske 20 an einem Abscheidungsobjekt wie zum Beispiel dem organischen EL-Substrat 92 überlappt, von der zweiten Oberfläche 20b und/oder der Wandfläche der Abscheidungsmaske 20 unterbunden wird.
Wie in 1 dargestellt, ist die Abscheidungsmaskenvorrichtung 10 in der Abscheidungsvorrichtung 90 aufgenommen. In diesem Fall, wie durch die Zwei-Strichpunktlinien in 5 dargestellt, ist die erste Oberfläche 20a der Abscheidungsmaske 20 derart verortet, dass sie dem organischen EL-Substrat 92 zugewandt ist, und die zweite Oberfläche 20b der Abscheidungsmaske 20 befindet sich auf der Seite des Tiegels 94, welcher das Abscheidungsmaterial 98 hält. Daher haftet das Abscheidungsmaterial 98 an dem organischen EL-Substrat 92 durch die zweite Ausnehmung 35 an, deren Öffnungsfläche schrittweise abnimmt. Wie durch den Pfeil in 5 dargestellt, der sich von der zweiten Oberfläche 20b hin zu der ersten Oberfläche 20a erstreckt, bewegt sich das Abscheidungsmaterial 98 nicht nur von dem Tiegel 94 hin zu dem organischen EL-Substrat 92 entlang der Normalenrichtung N des organischen EL-Substrats 92, sondern bewegt sich manchmal auch entlang einer Richtung, die in Bezug auf die Normalenrichtung N des organischen EL-Substrats 92 stark geneigt ist. Hierbei neigt, wenn die Dicke der Abscheidungsmaske 20 groß ist, das Abscheidungsmaterial 98, welches sich diagonal bewegt, dazu, an dem oberen Abschnitt 43, der Wandfläche 36 der zweiten Ausnehmung 35, oder der Wandfläche 31 der ersten Ausnehmung 30 hängen zu bleiben. Im Ergebnis nimmt der Anteil des Abscheidungsmaterials 98, das nicht durch die Durchgangsöffnungen 25 hindurch gelangen kann, zu. Um eine Nutzungseffizienz des Abscheidungsmaterials 98 zu verbessern, wird es daher als bevorzugt angesehen, dass die Dicke t der Abscheidungsmaske 20 verringert ist, so dass Höhen der Wandfläche 36 der zweiten Ausnehmung 35 und der Wandfläche 31 der ersten Ausnehmung 30 verringert sind. Konkret kann gesagt werden, dass es bevorzugt ist, dass eine Metallplatte 64, deren Dicke t so klein wie möglich ist, sofern die Festigkeit der Abscheidungsmaske 20 sichergestellt ist, als die Metallplatte 64 zum Bilden der Abscheidungsmaske 20 verwendet wird. In Anbetracht dieses Punkts beträgt die Dicke t der Abscheidungsmaske 20 in dieser Ausführungsform zum Beispiel 30 µm oder weniger, bevorzugt 25 µm oder weniger, besonders bevorzugt 20 µm oder weniger. Die Dicke t der Abscheidungsmaske 20 kann 18 µm oder weniger, oder 15 µm oder weniger betragen. Wenn hingegen die Dicke der Abscheidungsmaske 20 zu klein ist, verringert sich die Festigkeit der Abscheidungsmaske 20, was vermutlich eine Beschädigung oder Verformung bzw. Deformation der Abscheidungsmaske 20 bewirken wird. In Anbetracht dieses Punkts kann die Dicke t der Abscheidungsmaske 20 5 µm oder mehr, 7 µm oder mehr, 10 µm oder mehr, 13 µm oder mehr, oder 15 µm oder mehr betragen. Die Dicke t ist eine Dicke des umgebenden Bereichs 23, also eine Dicke eines Teils der Abscheidungsmaske 20, an dem die erste Ausnehmung 30 und die zweite Ausnehmung 30 nicht ausgebildet sind. Deshalb kann die Dicke t als Dicke der Metallplatte 64 bezeichnet werden.
Der Bereich der Dicke t der Abscheidungsmaske 20 kann basierend auf einer Kombination von einem beliebigen der Vielzahl von oben beschriebenen, oberen möglichen Grenzwerte und einem beliebigen der oben beschrieben, unteren möglichen Grenzwerte ermittelt werden. Zum Beispiel kann die Dicke t der Abscheidungsmaske 20 von 5 µm bis 30 µm, von 7 µm bis 25 µm, von 10 µm bis 20 µm, von 13 µm bis 18 µm betragen. Zudem kann der Bereich der Dicke t der Abscheidungsmaske 20 basierend auf einer Kombination von beliebigen zwei der Vielzahl der oben beschriebenen, möglichen oberen Grenzwerte bestimmt sein. Zum Beispiel kann die Dicke t der Abscheidungsmaske 20 von 25 µm bis 300 µm betragen. Zudem kann der Bereich der Dicke t der Abscheidungsmaske 20 basierend auf einer Kombination von beliebigen zwei der oben beschrieben, möglichen unteren Grenzwerte bestimmt sein. Zum Beispiel kann die Dicke t der Abscheidungsmaske 20 von 5 µm bis 7 µm betragen.
In 5 ist ein Minimalwinkel, der durch eine Linie L1 definiert ist, die durch den Verbindungsabschnitt 41 mit der kleinsten Öffnungsfläche der Durchgangsöffnung 25 und eine andere gegebene Position der Wandfläche 36 der zweiten Ausnehmung 35 verläuft, bezogen auf die Normalenrichtung N der Abscheidungsmaske 20, als ein Bezugszeichen θ1 dargestellt. Damit das sich diagonal bewegende Abscheidungsmaterial 98 dazu gebracht werden kann, das organische EL-Substrat 92 so gut wie möglich zu erreichen, ohne dazu veranlasst zu werden, die Wandfläche 36 zu erreichen, ist es bevorzugt, dass der Winkel θ1 vergrößert wird. Um den Winkel θ1 zu vergrößern, ist es wirksam, die oben genannte Breite β des oberen Abschnitts 43 zu verringern, sowie die Dicke t der Abscheidungsmaske 20 zu verringern.
In 5 stellt das Bezugszeichen α eine Breite eines Abschnitts (nachfolgend als „Rippenabschnitt“) der Wirkfläche 22 der ersten Oberfläche 64a der Metallplatte 64 dar, der nicht geätzt ist und daher verbleibt. Eine Breite α des Rippenabschnitts und eine Größe r des Durchgangsabschnitts 42 werden zweckmäßig in Abhängigkeit von einer Größe einer organischen EL-Anzeigevorrichtung und deren Anzeigepixeln bzw. Bildpunkten bestimmt. Zum Beispiel beträgt die Breite α des Rippenabschnitts von 5 µm bis 40 µm, und die Größe r des Durchgangsabschnitts 42 beträgt von 10 µm bis 60 µm.
Die Breite α des Rippenabschnitts kann 10 µm oder mehr, 15 µm oder mehr, oder 20 µm oder mehr betragen. Zudem kann die Breite α des Rippenabschnitts 35 µm oder weniger, 30 µm oder weniger, oder 25 µm oder weniger betragen. Der Bereich der Breite α des Rippenabschnitts kann basierend auf einer Kombination von einem beliebigen der Vielzahl der oben beschriebenen, möglichen oberen Grenzwerte und einem beliebigen der Vielzahl der oben beschrieben, möglichen unteren Grenzwerte bestimmt werden. Zum Beispiel kann die Breite α des Rippenabschnitts von 10 bis 35 µm, von 15 µm bis 30 µm, oder von 20 µm bis 25 µm betragen. Zudem kann der Bereich der Breite α des Rippenabschnitts basierend auf einer Kombination von beliebigen zwei der Vielzahl der oben beschriebenen, möglichen oberen Grenzwerten bestimmt sein. Zudem Beispiel kann die Breite α des Rippenabschnitts von 35 µm bis 40 µm betragen. Zudem kann der Bereich der Breite α des Rippenabschnitts basierend auf einer Kombination von beliebigen zwei der Vielzahl der oben beschriebenen, möglichen unteren Grenzwerte bestimmt sein. Zum Beispiel kann die Breite α des Rippenabschnitt von 5 µm bis 10 µm betragen.
Die Größe r des Durchgangsabschnitts 42 kann 15 µm oder mehr, 20 µm oder mehr, 25 µm oder mehr, oder 30 µm oder mehr betragen. Zudem kann die untere Grenze der Größe r des Durchgangsabschnitts 42 kleiner als die oben erwähnten 10 µm sein. Zum Beispiel kann die Größe r des Durchgangsabschnitts 42 5 µm oder mehr betragen. Zudem kann die Größe r des Durchgangsabschnitts 42 55 µm oder weniger, 50 µm oder weniger, 45 µm oder weniger, 40 µm oder weniger, oder 35 µm oder weniger betragen. Der Bereich der Größe r des Durchgangsabschnitts 42 kann basierend auf einer Kombination von einem beliebigen der Vielzahl der oben erwähnten, möglichen oberen Grenzwerte und einem beliebigen der oben erwähnten, möglichen unteren Grenzwerte bestimmt sein. Zum Beispiel kann die Größe r des Durchgangsabschnitts 42 von 15 µm bis 55 µm, von 20 µm bis 50 µm, von 25 µm bis 45 µm, von 30 µm bis 40 µm, oder von 30 µm bis 35 µm betragen. Zudem kann der Bereich der Größe r des Durchgangsabschnitts 42 basierend auf einer Kombination von beliebigen zwei der Vielzahl der oben beschriebenen, möglichen oberen Grenzwerte bestimmt sein. Zum Beispiel kann die Größe r des Durchgangsabschnitts 42 von 55 µm bis 60 µm betragen. Zudem kann der Bereich der Größe r des Durchgangsabschnitts 42 basierend auf einer Kombination von beliebigen zwei der oben beschriebenen, möglichen unteren Grenzwerte bestimmt sein. Zum Beispiel kann die Größe r des Durchgangsabschnitts 42 von 5 µm bis 10 µm betragen.
Die 4 und 5 zeigen ein Beispiel, bei dem die zweite Oberfläche 64b der Metallplatte 64 zwischen den beiden benachbarten zweiten Ausnehmungen 35 verbleibt. Die Offenbarung ist jedoch nicht hierauf beschränkt. Obgleich dies nicht dargestellt ist, kann das Ätzen derart durchgeführt werden, dass zwei benachbarte zweite Ausnehmungen 35 miteinander verbunden sind, Konkret kann es einen Teil geben, an dem keine zweite Oberfläche 64b der Metallplatte 64 zwischen zwei benachbarten zweiten Ausnehmungen 35 verbleibt.
Als nächstes wird ein Verfahren zur Herstellung einer Abscheidungsmaske 20 beschrieben.
Zunächst wird ein Herstellungsverfahren für eine Metallplatte beschrieben, die zur Herstellung einer Abscheidungsmaske verwendet wird. In dieser Ausführungsform wird ein Beispiel beschrieben, bei dem eine Metallplatte aus einem Walzstahl aus einer nickelhaltigen Eisenlegierung hergestellt wird. Der Walzstahl kann eine Dicke von 30 µm oder weniger besitzen. Zudem kann der Walzstahl 30 bis 38 Massenprozent Nickel, 0 bis 6 Massenprozent Kobalt, einen Eisenrest, sowie unvermeidbare Verunreinigungen enthalten.
Zunächst werden Eisen, Nickel und andere Ausgangsmaterialien vorbereitet. Zum Beispiel werden Ausgangsmaterialien derart vorbereitet, dass die Anteile von Eisen und Nickel in Bezug auf den Gesamtanteil von Ausgangsmaterialien etwa 64 Gewichtsprozent bzw. etwa 36 Gewichtsprozent betragen. Als nächstes, nachdem jedes Ausgangsmaterial falls zweckmäßig zerrissen bzw. abgetrennt wurde, wird jedes Ausgangsmaterial dem Schmelzschritt des Durchführens eines Schmelzens in einem Schmelzofen unterzogen. Zum Beispiel wird jedes Ausgangsmaterial unter Verwendung einer Gasentladung wie beispielsweise Bogenentladung geschmolzen, um vermischt zu werden. Somit kann ein Grundmetall für eine Metallplatte erhalten werden.
Die Schmelztemperatur beträgt zum Beispiel 1500 °C oder mehr, obgleich sie in Abhängigkeit von den Ausgangsmaterialien eingestellt wird. Der Schmelzschritt kann einen Schritt des Einbringens von Aluminium, Mangan, Silizium oder dergleichen in einen Schmelzofen zur Entsäuerung, Entwässerung oder Entstickung umfassen. Zudem kann der Schmelzschritt in einer Schutzgashülle aus Argon oder dergleichen bei einem Druck, der geringer als der atmosphärische Druck ist, erfolgen.
Nachdem das Grundmetall aus dem Schmelzofen entnommen wurde, kann ein Schleifschritt des Abschleifens der Oberfläche des Grundmetalls erfolgen. Dies ermöglicht die Entfernung einer Oxidbeschichtung, wie beispielsweise Kalk. Ein konkretes Schleifverfahren ist nicht konkret beschränkt. Es ist jedoch möglich, ein sogenanntes Schleifverfahren, bei dem die Oberfläche eines Grundmetalls durch Drehung bzw. Rotation eines Schleifrads geschliffen wird, oder ein sogenanntes Drückverfahren einzusetzen, bei dem ein Grundmetall in ein Schneidwerkzeug gedrückt wird, um die Oberfläche des Grundmetalls zu schleifen. Der Schleifschritt kann derart durchgeführt werden, dass das Grundmetall eine einheitliche Dicke aufweist.
Als nächstes wird, wie in 6 dargestellt, ein Walzschritt des Walzens eines Grundmetalls 60 durchgeführt, welches aus einer Eisenlegierung hergestellt ist, die Nickel enthält. Zum Beispiel wird das Grundmetall 60 hin zu einer Walzvorrichtung 66 transportiert, die ein Paar von Reduktionswalzen (Arbeitswalzen) 66a, 66b beinhaltet, während eine Spannung in der Richtung von Pfeil D1 aufgebracht wird. Das Grundmetall 60, das zwischen das Paar von Reduktionswalzen 66a und 66b gelangt ist, wird durch das Paar von Reduktionswalzen 66a und 66b gewalzt. Somit kann eine Metallplatte 64 mit einer vorgegebenen Dicke erhalten werden. Wie in 6 dargestellt kann ein Wicklungskörper 62 gebildet werden, indem die Metallplatte 64 um den Kern 61 gewickelt wird.
6 zeigt den Walzschritt lediglich schematisch, und eine konkrete Struktur und Ablaufweise zur Durchführung des Walzschritts sind nicht konkret beschränkt. Zum Beispiel kann der Walzschritt einen Warmwalzschritt zur Bearbeitung des Grundmetalls bei einer Temperatur von nicht weniger als einer Re-Kristallisierungstemperatur der Eisenlegierung, die das Grundmetall 60 bildet, sowie einen Kaltwalzschritt des Bearbeitens des Grundmetalls bei einer Temperatur von nicht mehr als der Re-Kristallisierungstemperatur der Eisenlegierung umfassen. Zudem ist eine Ausrichtung, entlang der das Grundmetall 60 und die Metallplatte 64 zwischen den Reduktionsrollen 66a und 66b hindurchgelangen, nicht auf eine Richtung beschränkt. Zum Beispiel können das Grundmetall 60 und die Metallplatte 64 in den 6 und 7 durch wiederholtes Hindurchführen des Grundmetalls 60 und der Metallplatte 64 zwischen dem Paar von Reduktionsrollen 66a und 66b in einer Ausrichtung von der linken Seite auf die rechte Seite in einer Plattenebene und in einer Ausrichtung von der rechten Seite auf die linke Seite in der Plattenebene schrittweise gewalzt werden.
In dem Walzschritt kann durch Einstellen der Walzreduktion die Größe von Kristallkörnern, die in der Metallplatte 64 enthalten sind, eingestellt werden. Zum Beispiel kann durch Erhöhen der Walzreduktion die Größe der Kristallkörner, die in der Metallplatte 64 enthalten sind, verkleinert werden. Bei der Verringerung der Größe der Kristallkörner ist es bevorzugt, eine Walzreduktion auf ein Maximum einzustellen. Zudem kann durch Verringerung einer Walzreduktion die Größe von Kristallkörnern, die in der Metallplatte 64 enthalten sind, vergrößert werden.
Eine Walzreduktion wird durch die folgende Formel berechnet: $Walzreduktion (%) = ((T 1 - T 2) / T 1) \times 100$
T1 stellt eine Dicke der Metallplatte 64 dar, bevor der Walzschritt durchgeführt wird, und T2 stellt eine Dicke der Metallplatte 64 dar, nachdem der Walzschritt durchgeführt wurde.
Eine Walzreduktion der Metallplatte 64 in dem Walzschritt beträgt bevorzugt 70 % oder mehr. Daher kann die mittlere Querschnittsfläche der Kristallkörner der Metallplatte 64 auf 50 µm² oder weniger eingestellt werden, wie später erläutert wird. Die Walzreduktion der Metallplatte 64 in dem Walzschritt kann 75 % oder mehr, 80 % oder mehr, oder 85 % oder mehr betragen. Zudem beträgt eine Walzreduktion der Metallplatte 64 des Walzschritts bevorzugt 95 % oder weniger. Daher kann die mittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern der Metallplatte 64 auf 50 µm oder weniger eingestellt werden, wie später erläutert werden wird. Die Walzverringerung der Metallplatte 64 in dem Walzschritt kann 90 % oder weniger oder 85 % oder weniger betragen.
Der Bereich der Walzreduktion der Metallplatte 64 in dem Walzschritt kann basierend auf einer Kombination von einem der Vielzahl von möglichen oberen Grenzwerten und einem der Vielzahl von möglichen unteren Grenzwerten bestimmt werden. Zum Beispiel kann die Walzreduktion von 70 % bis 95 %, von 75 % bis 90 %, oder von 80 % bis 85 % sein. Zudem kann der Bereich der Walzreduktion der Metallplatte 64 in dem Walzschritt basierend auf einer Kombination aus beliebigen zwei einer Vielzahl von möglichen oberen Grenzwerten bestimmt sein. Zum Beispiel kann die Walzreduktion von 90 % bis 95 % sein. Der Bereich der Walzreduktion der Metallplatte 64 in dem Walzschritt kann basierend auf einer Kombination von zwei einer Vielzahl von möglichen unteren Grenzwerten bestimmt sein. Zum Beispiel kann die Walzreduktion von 70 % bis 75 % betragen.
In dem Walzschritt kann eine Walzgeschwindigkeit, also eine Transportgeschwindigkeit der Metallplatte 64, eingestellt werden. Nimmt die Walzgeschwindigkeit zum Beispiel zu, nimmt die Menge von Walzöl, welches zwischen die Metallplatte 64 und die Reduktionswalzen 66a und 66b gezogen wird, zu. Dies ermöglicht es, die Bildung von Ölpfützen an der Oberfläche der Metallplatte 64 zu verhindern. Durch Einstellen der Transportgeschwindigkeit der Metallplatte 64 wie oben beschrieben ist es möglich, zum Beispiel die Dichte der Ölpfützen auf der Oberfläche der Metallplatte 64 zu steuern. Die Walzgeschwindigkeit kann 50 m/Minute oder mehr, 70 m/Minute oder mehr, oder 100 m/Minute oder mehr betragen. Zudem beträgt die Walzgeschwindigkeit bevorzugt 200 m/Minute oder weniger. Die Walzgeschwindigkeit kann 150 m/Minute oder weniger, 100 m/Minute oder weniger, oder 80 m/Minute oder weniger betragen.
Die Walzgeschwindigkeit kann basierend auf einer Kombination eines beliebigen einer Vielzahl von möglichen oberen Grenzwerten und eines beliebigen einer Vielzahl von möglichen unteren Grenzwerten bestimmt sein. Zum Beispiel kann die Walzgeschwindigkeit von 30 m/Minute bis 200 m/Minute, oder von 50 m/Minute bis 150 m/Minute betragen. Zudem kann der Bereich der Walzgeschwindigkeit basierend auf einer Kombination von beliebigen zwei einer Vielzahl von möglichen oberen Grenzwerten bestimmt sein. Zum Beispiel kann die Walzgeschwindigkeit von 150 m/Minute bis 200 m/Minute, oder von 100 m/Minute bis 150 m/Minute betragen. Der Bereich der Walzgeschwindigkeit kann basierend auf einer Kombination von beliebigen zwei einer Vielzahl von möglichen unteren Grenzwerten bestimmt sein. Zum Beispiel kann der Bereich der Walzgeschwindigkeit von 30 m/Minute bis 50 m/Minute, oder von 50 m/Minute bis 70 m/Minute betragen. Die Walzgeschwindigkeit ist bevorzugt von 30 m/Minute bis 200 m/Minute, besonders bevorzugt von 30 m/Minute bis 150 m/Minute, besonders bevorzugt von 30 m/Minute bis 100 m/Minute, und ganz besonders bevorzugt von 30 m/Minute bis 80 m/Minute.
Zudem kann der Durchmesser der Reduktionswalze eingestellt werden. Nimmt der Durchmesser der Reduktionswalze beispielsweise zu, nehmen an der Oberfläche der Metallplatte 64 gebildete Ölpfützen zu. Durch Einstellen des Durchmessers der Reduktionswalze wie oben beschrieben ist es möglich, beispielsweise die Dichte von Ölpfützen an der Oberfläche der Metallplatte 64 zu steuern. Der Durchmesser der Reduktionswalze beträgt bevorzugt 28 mm oder mehr. Der Durchmesser der Reduktionswalze kann 40 mm oder mehr oder 50 mm oder betragen. Zudem beträgt der Durchmesser der Reduktionswalze bevorzugt 150 mm oder weniger. Der Durchmesser der Reduktionswalze kann 120 mm oder weniger, 100 mm, oder 80 mm oder weniger betragen.
Der Bereich des Durchmessers der Reduktionswalze kann basierend auf einer Kombination von einem beliebigen einer Vielzahl von möglichen oberen Grenzwerten und einem beliebigen einer Vielzahl von möglichen unteren Grenzwerten bestimmt sein. Zum Beispiel kann der Durchmesser der Reduktionswalze von 28 mm bis 150 mm, oder von 40 mm bis 120 mm oder weniger betragen. Zudem kann der Bereich des Durchmessers der Reduktionswalze basierend auf einer Kombination von beliebigen zwei einer Vielzahl von möglichen oberen Grenzwerten bestimmt sein. Zum Beispiel kann der Durchmesser der Reduktionswalze von 120 mm bis 150 mm sein. Der Bereich des Durchmessers der Reduktionswalze kann basierend auf einer Kombination von beliebigen zwei einer Vielzahl von möglichen unteren Grenzwerten bestimmt sein. Zum Beispiel kann der Durchmesser der Reduktionswalze bevorzugt von 28 mm bis 40 mm betragen. Der Durchmesser der Reduktionswalze beträgt bevorzugt 28 mm bis 150 mm, besonders bevorzugt von 40 mm bis 120 mm, besonders bevorzugt von 50 mm bis 100 mm oder weniger, und ganz besonders bevorzugt von 50 mm bis 80 mm oder weniger.
Zudem kann in dem Walzschritt der Druck eines Walzaktuators eingestellt werden, um die Form der Metallplatte 64 einzustellen. Zusätzlich zu Reduktionswalzen (Arbeitswalzen) 66a und 66b kann die Form einer Stützwalze zweckmäßig eingestellt werden, und die Position der Stützwalze kann zweckmäßig in der Plattenbreitenrichtung eingestellt werden.
Zudem kann in dem Kaltwalzschritt ein Kühlmittel, wie zum Beispiel Steinöl oder Klauenöl zwischen das Grundmetall 60 und die Reduktionswalzen 66a und 66b zugeführt werden. Dies macht es möglich, die Temperatur des Grundmetalls zu steuern.
Zudem kann durch zweckmäßiges Wählen eines Kühlmittels die Anzahl, Fläche usw. von Ölpfützen und Walzlinien, die auf der Oberfläche der Metallplatte 64 entstehen, gesteuert werden. Zum Beispiel kann Klauenöl als Kühlmittel verwendet werden. Klauenöl zeichnet sich dadurch aus, dass seine Viskosität während des Walzens vermutlich nicht zunimmt. Deshalb kann durch den Einsatz von Klauenöl als Kühlmittel die Menge an Kühlmittel, die zwischen der Metallplatte 64 und den Reduktionswalzen 66a und 66b eingezogen wird, verringert werden. Dies ermöglicht es, die Bildung von Ölpfützen auf der Oberfläche der Metallplatte 64 zu unterbinden.
Zudem kann durch zweckmäßiges Wählen einer Oberflächenrauigkeit der Reduktionswalze die Anzahl, Fläche usw. von Ölpfützen und Walzlinien, die auf der Oberfläche der Metallplatte 64 entstehen, gesteuert werden. Zum Beispiel ist es durch Verringern des Grads der Oberflächenrauigkeit Ra der Reduktionswalze möglich, die Bildung von Walzlinien auf der Oberfläche der Metallplatte 64 zu unterbinden. Der Grad der Oberflächenrauigkeit Ra der Reduktionswalze beträgt bevorzugt 0,2 µm oder weniger. Der Grad der Oberflächenrauigkeit Ra der Reduktionswalze kann 0,15 µm oder weniger, 0,1 µm oder weniger, oder 0,05 µm oder weniger betragen. Der Grad der Oberflächenrauigkeit Rz der Reduktionswalze beträgt bevorzugt 2,0 µm oder weniger. Der Grad der Oberflächenrauigkeit Rx der Reduktionswalze kann 1,5 µm oder weniger, 1,0 µm oder weniger, oder 0,5 µm oder weniger betragen. Zudem beträgt der Grad der Oberflächenrauigkeit Rz der Reduktionswalze bevorzugt 2,0 µm oder weniger. Der Grad der Oberflächenrauigkeit Rz der Reduktionswalze kann 1,5 µm oder weniger, 1,0 µm oder weniger, oder 0,5 µm oder weniger betragen. Die Grade der Oberflächenrauigkeit Ra, Rz werden gemäß JIS B 0601: 2013 gemessen.
Zudem kann vor oder nach dem Walzschritt oder zwischen den Walzschritten ein Analyseschritt zur Analysierung der Qualität und Eigenschaften des Grundmetalls 60 oder der Metallplatte 64 durchgeführt werden. Zum Beispiel kann durch Bestrahlen des Grundmetalls 60 oder der Metallplatte 64 mit fluoreszierender Röntgenstrahlung die Zusammensetzung dieser analysiert werden. Es ist ebenfalls möglich, die Wärmeausdehnung des Grundmetalls 60 oder der Metallplatte 64 durch thermomechanische Analyse (TMA) zu messen.
(Glühschritt)
Im Anschluss kann wie in 7 dargestellt ein Glühschritt durchgeführt werden, um die Metallplatte 64 mittels einer Glühvorrichtung 67 zu glühen, um eine Restspannung, die sich durch das Walzen in der Metallplatte 64 angesammelt hat, zu beseitigen. Wie in 7 dargestellt kann der Glühschritt durchgeführt werden, während die Metallplatte 64 in der Transportrichtung (Längsrichtung) gezogen wird. Konkret kann der Glühschritt anstatt eines chargenweisen Glühprozesses als kontinuierlicher Glühprozess durchgeführt werden, während die Metallplatte transportiert wird. In diesem Fall ist es bevorzugt, die Temperatur oder Transportgeschwindigkeit so einzustellen, dass eine Verformung wie zum Beispiel ein Knickfehler der Metallplatte 64 unterbunden werden. Es ist möglich, die Metallplatte 64 zu erhalten, aus der die verbliebene Spannung bzw. Restspannung bis zu einem gewissen Grad entfernt wurde, indem der Glühschritt durchgeführt wird. Zudem zeigt 7 ein Beispiel des horizontalen Transports der Metallplatte 64 in dem Glühschritt. Jedoch ist es, ohne hierauf beschränkt zu sein, möglich, die Metallplatte 64 in dem Glühschritt in einer anderen Richtung zu transportieren, zum Beispiel einer Vertikalrichtung.
Die Bedingungen in dem Glühschritt können zweckmäßig gemäß der Dicke oder Walzreduktion der Metallplatte 64 bestimmt werden. Zum Beispiel wird der Glühschritt bei zwischen 500 und 600 °C für zwischen 30 bis 90 Sekunden durchgeführt. Die vorgenannte Anzahl von Sekunden stellt die Zeit dar, die die Metallplatte 64 benötigt, um einen Raum, der auf die vorgegebene Temperatur eingestellt ist, in der Glühvorrichtung 67 zu durchqueren. Die Temperatur in dem Glühschritt kann derart bestimmt werden, dass die Metallplatte 64 nicht erweicht wird.
Die untere Grenze der Temperatur in dem Glühschritt kann unterhalb der oben beschriebenen 500 °C liegen. Zum Beispiel kann die Temperatur in dem Glühschritt 400 °C oder mehr, oder 450 °C oder mehr betragen. Zudem kann die obere Grenze der Temperatur in dem Glühschritt höher als die oben beschriebenen 600 °C liegen. Zum Beispiel kann die Temperatur in dem Glühschritt 700 °C oder weniger, oder 650 °C oder weniger betragen. Der Bereich der Temperatur in dem Glühschritt kann basierend auf einer Kombination eines beliebigen der oben beschriebenen Vielzahl von möglichen oberen Grenzwerten und eines beliebigen der oben beschriebenen Vielzahl von unteren Grenzwerten bestimmt sein. Zum Beispiel kann die Temperatur in dem Glühschritt von 400 °C bis 700 °C, oder von 450 °C bis 650 °C betragen. Zudem kann der Bereich der Temperatur in dem Glühschritt basierend auf einer Kombination von beliebigen zwei der oben beschriebenen Vielzahl von möglichen oberen Grenzwerten bestimmt sein. Zum Beispiel kann die Temperatur in dem Glühschritt von 650 °C bis 700 °C betragen. Zudem kann der Bereich der Temperatur in dem Glühschritt basierend auf einer Kombination von beliebigen zwei der oben beschriebenen Vielzahl von möglichen unteren Grenzwerten bestimmt sein. Zum Beispiel kann die Temperatur in dem Glühschritt zwischen 400 °C und 450 °C liegen.
Ein Zeitraum für den Glühschritt kann 40 Sekunden oder mehr oder 50 Sekunden oder mehr betragen. Die untere Grenze des Zeitraums des Glühschritts kann kürzer als die oben beschriebenen 30 Sekunden sein. Zum Beispiel kann der Zeitraum für den Glühschritt 10 Sekunden oder mehr, oder 20 Sekunden oder mehr betragen. Der Zeitraum für den Glühschritt kann 80 Sekunden oder weniger, 70 Sekunden oder weniger, oder 60 Sekunden oder weniger betragen. Die obere Grenze des Zeitraums für den Glühschritt kann länger als die oben beschriebenen 90 Sekunden sein. Zum Beispiel kann der Zeitraum für den Glühschritt 100 Sekunden oder weniger betragen. Der Bereich des Zeitraums für den Glühschritt kann basierend auf einer Kombination von einem beliebigen aus der Vielzahl der oben beschriebenen, möglichen oberen Grenzwerte und einem beliebigen aus der Vielzahl der oben beschriebenen, möglichen unteren Grenzwerte bestimmt sein. Zum Beispiel kann der Zeitraum für den Glühschritt von 10 Sekunden bis 100 Sekunden, von 20 Sekunden bis 90 Sekunden, von 30 Sekunden bis 80 Sekunden, von 40 Sekunden bis 70 Sekunden, oder von 50 Sekunden bis 60 Sekunden sein. Zudem kann der Bereich des Zeitraums für den Glühschritt basierend auf einer Kombination von beliebigen zwei der Vielzahl der oben beschriebenen, möglichen oberen Grenzwerte bestimmt sein. Zum Beispiel kann der Zeitraum für den Glühschritt von 90 Sekunden bis 100 Sekunden sein. Zudem kann der Bereich des Zeitraums für den Glühschritt basierend auf einer Kombination von beliebigen zwei der Vielzahl der oben beschriebenen, möglichen unteren Grenzwerte bestimmt sein. Zum Beispiel kann der Zeitraum für den Glühschritt von 10 Sekunden bis 20 Sekunden betragen.
Der Zeitraum für den Glühschritt kann in Abhängigkeit von einer Temperatur des Glühschritts bestimmt werden. Wenn beispielsweise eine Temperatur des Glühschritts hoch ist, wachsen Kristallkörner schneller. Wenn daher der Zeitraum für den Glühschritt zu lang ist, übersteigt die mittlere Querschnittsfläche der Kristallkörner vermutlich einen unten beschrieben zweiten Grenzwert von beispielsweise 50 µm². In Anbetracht dieses Punktes kann eine obere Grenze des Zeitraums für den Glühschritt in Abhängigkeit von einer Temperatur des Glühschritts derart bestimmt sein, dass die mittlere Querschnittsfläche der Kristallkörner den zweiten Grenzwert nicht übersteigt. Beispiele von Obergrenzen des Zeitraums für den Glühschritt sind wie folgt:

• mehr als 350 °C und weniger als oder gleich 400 °C: weniger als oder gleich 12 Stunden
• mehr als 400 °C und weniger als oder gleich 450 °C: weniger als oder gleich 30 Minuten
• mehr als 450 °C und weniger als oder gleich 500 °C: weniger als oder gleich 10 Minuten
• mehr als 500 °C und weniger als oder gleich 550 °C: weniger als oder gleich 5 Minuten
• mehr als 550 °C und weniger als oder gleich 600 °C: weniger als oder gleich 3 Minuten
• mehr als 600 °C und weniger als oder gleich 650 °C: weniger als oder gleich eine Minute

Der vorgenannte Glühschritt erfolgt bevorzugt in einer nicht reduzierbaren Atmosphäre oder einer Inertgasatmosphäre. Die nicht reduzierbare Atmosphäre meint hierbei eine Atmosphäre, die frei von Reduktionsgas wie beispielsweise Wasserstoff ist. Der Ausdruck „frei von Reduktionsgas“ bedeutet, dass eine Konzentration von Reduktionsgas, wie zum Beispiel Wasserstoff weniger als 10 % beträgt. In dem Glühschritt kann die Konzentration von Reduktionsgas 8 % oder weniger, 6 % oder weniger, 4 % oder weniger, 2 % oder weniger, oder 1 % oder weniger betragen. Zudem meint die Inertgasatmosphäre eine Atmosphäre, bei der Inertgas wie Argongas, Heliumgas, oder Stickstoffgas in einer Konzentration von 90 % oder mehr vorhanden sind. In dem Glühschritt kann die Konzentration von Inertgas 92 % oder mehr, 94 % oder mehr, 96 % oder mehr, 98 % oder mehr, oder 99 % oder mehr betragen. Durch die Durchführung des Glühschritts in der nicht reduzierbaren Atmosphäre bzw. Gashülle oder Inertgashülle kann verhindert werden, dass eine Nickelverbindung wie beispielsweise Nickelhydroxid an einer Oberflächenschicht der Metallplatte 64 entsteht. Die Glühvorrichtung 67 kann einen Mechanismus zur Überwachung der Inertgaskonzentration oder einen Mechanismus zur Einstellung der Inertgaskonzentration aufweisen.
Vor dem Glühschritt kann ein Waschschritt zum Waschen der Metallplatte 64 durchgeführt werden. Dies ermöglicht es, zu verhindern, dass ein Fremdkörper an einer Oberfläche der Metallplatte 64 in dem Glühschritt anhaftet. Als Waschlösung zum Waschen kann beispielsweise eine Lösung auf Kohlenwasserstoffbasis verwendet werden.
7 zeigt das Beispiel, bei dem der Glühschritt durchgeführt wird, während die Metallplatte 64 in der Längsrichtung gezogen wird. Jedoch kann, ohne hierauf beschränkt zu sein, der Glühschritt in einem Zustand durchgeführt werden, in dem die Metallplatte 64 um den Kern 61 herumgewickelt ist. Konkret kann der Chargenglühprozess durchgeführt werden. Wenn der Glühschritt durchgeführt wird, während die Metallplatte 64 um den Kern 61 gewickelt ist, kann die Metallplatte 64 eine Wölbungsneigung entsprechend einem Wicklungsdurchmesser des Wicklungskörpers 62 aufweisen. Daher ist es in Abhängigkeit von einem Wicklungsdurchmesser des Wicklungskörpers 62 und/oder einem das Grundmetall 60 bildenden Material vorteilhaft, den Glühschritt durchzuführen, während die Metallplatte 64 in die Längsrichtung gezogen wird.
Im Anschluss kann ein Längsteilungsschritt des Längsteilens beider Enden der Metallplatte 64, die durch den Walzschritt erhalten wird, in der Breitenrichtung dieser Platte derart durchgeführt werden, dass die Breite der Metallplatte 64 in einem konkreten Bereich liegt. Der Längstrennungsschritt erfolgt, um einen Riss zu beseitigen, der an beiden Enden der Metallplatte 64 aufgrund des Walzens entstehen kann. Aufgrund des Längstrennungsschritts kann verhindert werden, dass ein Bruchphänomen der Metallplatte 64, was als sogenannter Platteneinschnitt bezeichnet wird, aus dem Riss als Ausgangspunkt entsteht.
Die Breite eines Teils, der in dem Längstrennungsschritt abgelängt werden soll, kann derart eingestellt werden, dass die Form der Metallplatte 64 nach dem Längstrennungsschritt symmetrisch in der Breitenrichtung wird. Zudem kann der Längstrennungsschritt vor dem vorgenannten Glühschritt durchgeführt werden.
Die längliche Metallplatte 64 mit einer vorgegebenen Dicke kann hergestellt werden, indem zumindest zwei der Schritte einschließlich des Walzschritts, des Längstrennungsschritts, und des Glühschritts mehrfach wiederholt werden.
Nach dem Glühschritt wird ein Kristallkorn-Untersuchungsschritt zur Untersuchung der Größe der Kristallkörner an einem Querschnitt der Metallplatte 64 durchgeführt. Konkret wird hierbei untersucht, ob die durchschnittliche Querschnittsfläche der Kristallkörner zwischen einem ersten Grenzwert und einem zweiten Grenzwert liegt. Der Hintergrund der Durchführung einer solchen Untersuchung wird nachfolgend erläutert.
Als Ergebnis umfangreicher Forschung haben die Erfinder der vorliegenden Erfindung herausgefunden, dass wenn die Dicke der Metallplatte 64 abnimmt, ein spezifischer deformierter Abschnitt vermutlich an der Metallplatte 64 oder der Abscheidungsmaske 20, die aus der Metallplatte 64 hergestellt ist, entsteht. Bei dem deformierten Abschnitt handelt es sich beispielsweise um einen örtlichen Vorsprung oder eine Vertiefung. Der deformierte Abschnitt wird zum Beispiel gebildet, wenn die Metallplatte 64 in dem Schritt zur Herstellung der Abscheidungsmaske 64 transportiert wird, oder die Abscheidungsmaske 20, die aus der Metallplatte 64 hergestellt ist, gehandhabt wird. Wenn die Dicke der Metallplatte 64 abnimmt, besteht eine Tendenz dahingehend, dass der deformierte Abschnitt gebildet wird bzw. entsteht. Zum Beispiel wird der deformierte Abschnitt wahrscheinlich gebildet, wenn die Dicke der Metallplatte 64 30 µm oder weniger, besonders wahrscheinlich gebildet, wenn die Dicke 25 µm oder weniger beträgt, und ganz besonders wahrscheinlich gebildet, wenn die Dicke 20 µm oder weniger beträgt.
Der Grund dafür, dass die Deformation vermutlich gebildet wird, wenn die Dicke der Metallplatte 64 klein ist, wird in der Abnahme der Festigkeit der Metallplatte 64 vermutet. Hingegen auch wenn die Dicke der Metallplatte 64 klein ist, wird angenommen, dass ein mögliches Verfahren zur Sicherstellung der Festigkeit der Metallplatte 64 die Größe der Kristallkörner der Metallplatte 64 verringert.
Der Indikator der Kristallkorngröße kann die Größe, Querschnittsfläche, Volumen, etc. eines Kristallkorns sein. In dieser Hinsicht haben die Erfinder als Ergebnis intensiver Forschung herausgefunden, dass als Technik zur quantitativen Bestimmung der Größe von Kristallkörnern in einer Metallplatte 64 mit einer Dicke von 30 µm oder weniger ein Verfahren zur Berechnung der mittleren Querschnittsfläche der Kristallkörner basierend auf einem Verfahren der Elektronenrückstreubeugungsmuster (nachfolgend als EBSD Verfahren bezeichnet) hinsichtlich der Genauigkeit usw. ausgezeichnet ist. Deshalb wird in dieser Ausführungsform vorgeschlagen zu untersuchen, ob die mittlere Querschnittsfläche der Kristallkörner in der Metallplatte 64 der zweite Grenzwert oder weniger ist oder nicht. Der zweite Grenzwert wird in Abhängigkeit von der Festigkeit bestimmt, die für die Metallplatte 64 benötigt wird, die beispielsweise 50 µm² ist. Der zweite Grenzwert kann 45 µm², 40 µm², 35 µm², 30 µm², 25 µm², oder 20 µm² betragen. Wenn die Dicke der Metallplatte 64 kleiner ist, kann ein kleinerer zweiter Grenzwert eingesetzt werden. Wenn zum Beispiel die Dicke der Metallplatte 64 kleiner gleich 20 µm ist, zum Beispiel kleiner als 20 µm ist, oder kleiner gleich 15 µm ist, kann der zweite Grenzwert zum Beispiel 20 µm², 15 µm², oder 10 µm² betragen. Das Messungsverfahren durch das EBSD-Verfahren wird später ausführlich beschrieben.
Unterdessen haben die Erfinder als Ergebnis umfangreicher Forschung herausgefunden, dass wenn die Größe von Kristallkörnern in der Metallplatte 64 zu klein ist, eine Schweißneigung der Metallplatte 64 abnimmt. Zum Beispiel wurde herausgefunden, dass beim Schweißen einer Abscheidungsmaske 20, die aus einer Metallplatte 64 hergestellt ist, an einem Rahmen 15 vermutlich Risse an der Oberfläche der Metallplatte 64 entstehen. Vor diesem Hintergrund wird in dieser Ausführungsform vorgeschlagen, zu untersuchen, ob die mittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern in der Metallplatte 64 der erste Grenzwert ist oder weniger. Der erste Grenzwert wird in Abhängigkeit von einer Schweißneigung bestimmt, die für die Metallplatte 64 benötigt wird, die zum Beispiel 0,5 µm² ist. Der erste Grenzwert kann 2 µm², 5 µm², 10 µm², 15 µm², oder 20 µm² betragen.
Arten der mittleren Querschnittsfläche können die unten beschriebene flächenmittlere Querschnittsfläche und die zahlenmittlere Querschnittsfläche sein. Die mittlere Querschnittsfläche, deren bevorzugter Bereich durch den oben genannten ersten Grenzwert und zweiten Grenzwert bestimmt wird, ist die flächenmittlere Querschnittsfläche. In der folgenden Beschreibung bedeutet, falls nicht anders angegeben, die „mittlere Querschnittsfläche“ die „flächenmittlere Querschnittsfläche“.
In dem Fall, bei dem die zahlenmittlere Querschnittsfläche als die zahlenmittlere Querschnittsfläche eingesetzt wird, kann bei der Metallplatte 64 mit einer Dicke von kleiner gleich 30 µm der zweite Grenzwert beispielsweise 3,2 µm², 3,0 µm², 2,5 µm², 2,0 µm², 1,8 µm², 1,6 µm², oder 1,4 µm² betragen. Wenn die Dicke der Metallplatte 64 kleiner gleich 20 µm ist, zum Beispiel weniger als 20 µm, oder kleiner gleich 15 µm, kann der zweite Grenzwert beispielsweise 1,6 µm², 1,4 µm², 1,2 µm², oder 1,0 µm² betragen. Der erste Grenzwert kann beispielsweise 0,2 µm², 0,4 µm², 0,6 µm², 0,8 µm², 1,0 µm², oder 1,2 µm² betragen.
In dem Untersuchungsschritt wird beispielsweise eine Metallplatte 64, für die die mittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern zwischen 0,5 µm² und 50 µm² beträgt, als „bestanden“ beurteilt. Ferner wird eine Metallplatte 64, für die die mittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern weniger als 0,5 µm² oder mehr 50 µm² beträgt, als „durchgefallen“ bewertet.
Der Bereich der mittleren Querschnittsfläche von Kristallkörnern in der Metallplatte 64, die in dem Untersuchungsschritt als „bestanden“ beurteilt wird, kann basierend auf einer Kombination von einem beliebigen der oben genannten Vielzahl von möglichen zweiten Grenzwerten zur Angabe der oberen Grenze und einem beliebigen der oben genannten Vielzahl von möglichen ersten Grenzwerten zur Angabe der unteren Grenze bestimmt sein. Zum Beispiel kann die mittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern in der Metallplatte 64, die als „bestanden“ beurteilt wird, also die ausgewählte Metallplatte 64, zwischen 2 µm² und 45 µm², zwischen 5 µm² und 40 µm², zwischen 10 µm² und 35 µm², zwischen 15 µm² und 30 µm², oder zwischen 20 µm² und 25 µm² liegen. Zudem kann die mittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern in der ausgewählten Metallplatte 64 basierend auf einer Kombination von beliebigen zwei der oben genannten Vielzahl von möglichen zweiten Grenzwerten zur Angabe der oberen Grenze bestimmt sein. Zum Beispiel kann die mittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern in der ausgewählten Metallplatte 64 zwischen 45 µm² und 50 µm² betragen. Zudem kann der Bereich der mittleren Querschnittsfläche von Kristallkörnern in der ausgewählten Metallplatte 64 basierend auf einer Kombination von beliebigen zwei der oben genannten Vielzahl von möglichen ersten Grenzwerten zur Angabe der unteren Grenze bestimmt sein. Zum Beispiel kann die mittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern in der ausgewählten Metallplatte 64 zwischen 0,5 µm² und 2 µm² betragen.
Das Messverfahren gemäß dem EBSD-Verfahren wird unter Bezugnahme auf die 8 bis 10 nachfolgenden beschrieben. Das EBSD-Verfahren ist ein Verfahren zur Analyse von Kristallkörnern basierend auf einem Elektronenstrahlbeugungsmuster (nachfolgend auch als „EBSD Muster“ bezeichnet), welches erhalten wird, wenn eine Probe mit einem Elektronenstrahl aus einer Richtung, die zu der Oberfläche der Probe stark geneigt ist, durch ein Rasterelektronenmikroskop (nachfolgend aus als „SEM“ bezeichnet) bestrahlt wird. Als Messvorrichtung kann zum Beispiel eine Kombination aus einem Schottky Feldemitter Rasterelektronenmikroskop und einem EBSD-Detektor verwendet werden. Als EBSD-Detektor kann beispielsweise ein OIM (Orientation Imaging Microscopy) - Detektor verwendet werden, der von TSL Solutions hergestellt wird.
Bei Messung durch das EBSD-Verfahren wird zunächst die Metallplatte 64 in einer Richtung senkrecht zu der Transportrichtung D1 (nachfolgend auch als „Walzrichtung“ bezeichnet) der Metallplatte 64 in dem Walzschritt geschnitten, wodurch ein Prüfstück 50 vorbereitet wird. Die Walzrichtung D1 ist eine Richtung der Erstreckung von linearen Walzmarkierungen, die bestätigt werden, wenn eine glänzende Oberfläche der Metallplatte 64 durch ein Metallographie-Mikroskop beobachtet wird. Als Schneidwerkzeug kann zum Beispiel eine Rasierklinge verwendet werden. Die Dicke des Prüfstücks 50 entspricht der Dicke der Metallplatte 64. Als nächstes wird das Prüfstück 50 mit einem Harz versiegelt. Als Harz wird zum Beispiel ein Epoxidharz verwendet. Die Dicke des Harzes beträgt beispielsweise 1 mm. Anschließend wird das Prüfstück zusammen mit dem Harz unter Verwendung einer Rasierklinge entlang einer Richtung senkrecht zu der Walzrichtung D1 und ebenfalls senkrecht zu der Ebenenrichtung des Prüfstücks geschnitten. Daher liegt ein Querschnitt 50c des Prüfstücks der Metallplatte 64 von dem Harz frei. Indem dies durchgeführt wird, ist es, wie in 8 dargestellt möglich, eine Probe 56 zu erhalten, die das Prüfstück 50 beinhaltet, dessen Querschnitt 50c zur Messung von dem Harz 55 freiliegt. Die Probe 56 ist derart eingerichtet, dass der Querschnitt 50c einen Winkel von -10 °C bis +10°C in Bezug auf eine Ebene orthogonal zu der Walzrichtung D1 der Metallplatte 64 besitzt.
Nachdem der Querschnitt 50c für die Messung von dem Harz 55 freiliegt, kann der Querschnitt 50c des Prüfstücks 50 mittels eines Mikrotoms getrimmt werden. Bei der Trimmung wird, um eine mechanische Spannung des Querschnitts 50c des Prüfstücks 50 zu verringern, das Prüfstück 50 durch ein Mikrotom zusammen mit dem Harz 55, welches das Prüfstück 50 versiegelt, für eine Länge von etwa 1 mm in einer Richtung senkrecht zu dem Querschnitt 50c des Prüfstücks 50 geschnitten. Als nächstes wird ein breiter Argon-Ionenstrahl in der Richtung senkrecht zu dem Querschnitt 50c des Prüfstücks 50 mittels einer Ionendünnungsvorrichtung bestrahlt. Konkret unterliegt in einem Zustand, in dem eine Abschirmplatte auf dem Prüfstück 50 platziert ist und das Prüfstück 50 leicht von der Abschirmplatte hervorstehen darf, das Prüfstück 50 einem Umformen durch Bestrahlung von beschleunigen Argonionen von der Seite der Abschirmplatte zu dem Prüfstück 50, wodurch ein zu beobachtender Querschnitt 50c erhalten wird. In diesem Fall wird ein Querschnitt 50c mit einer Ebenenrichtung parallel zu der Argonionen-Bestrahlungsrichtung erhalten. Diese Vorgänge dienen dazu, den Querschnitt 50c des Prüfstücks 50 exakt freizulegen, um eine mechanische Zerstörung der Kristallstruktur, die in dem vorherigen Vorgang auftritt, zu minimieren. Hierbei muss die „senkrechte Richtung“ nicht eine Richtung sein, die genau 90 Grad bezüglich der Ebene oder Richtung des Objekts definiert, und sie kann einen Fehler von etwa 10 Grad haben. Zum Beispiel ist die Richtung senkrecht zu der Walzrichtung D1 eine Richtung, die 80 bis 100 Grad in Bezug auf die Walzrichtung D1 definiert. Zudem ist die Richtung senkrecht zu der Oberfläche eine Richtung, die 80 bis 100 Grad in Bezug auf die Oberfläche definiert.
Als nächstes wird der Querschnitt 50c des Prüfstücks 50 der Probe 56 mit einem Elektronenstrahl E bestrahlt, der von einer Objektivlinse 57 eines Schottky-Feldemitter-Rasterelektronenmikroskops emittiert wird. Zudem wird ein EBSD Muster, das von dem Prüfstück 50 erzeugt wird, unter Verwendung eines EBSD-Detektors 58 detektiert.
In einem Beispiel sind die Bedingungen eines Rasterelektronenmikroskops, das in dem EBSD-Verfahren verwendet wird, wie folgt.

• Beobachtungsvergrößerung: 2000-fach (der Beobachtungsvergrößerungsstandard zum Zeitpunkt der Aufnahme ist Polaroid 545.)
• Beschleunigungsspannung: 15 kV
• Arbeitsabstand: 15 mm
• Neigungswinkel der Probe: 70 Grad

9 ist eine Ansicht, die ein Beispiel eines Schritts zur Einstellung des Neigungswinkels einer Probe 56, die ein Prüfstück 50 beinhaltet, zeigt. Die Probe 56, die das Prüfstück 50 beinhaltet, wird zunächst an einem Probensockel befestigt, wobei die Oberfläche (die Beobachtungsoberfläche oder Messoberfläche) der Probe 56, an der das Prüfstück 50 freiliegt, nach oben zeigt. Die Probe 56 wird in ein Rasterelektronenmikroskop eingeführt, und dann unmittelbar unter die Objektivlinse 57 bewegt. Als nächstes wird die Probe 56 um einen Winkel φ1 hin zu dem EBSD-Detektor 58 um den Schnittpunkt des Elektronenstrahls E, der von der Objektivlinse 57 emittiert wird, und die Normale N1 des EBSD-Detektors 58 gedreht. Der Winkel φ1 entspricht dem oben genannten Neigungswinkel der Probe und beträgt zum Beispiel 70 Grad. In diesem Fall beträgt ein Winkel φ2, der von dem Elektronenstrahl E, der auf die Probe 56 aus der Objektivlinse 57 fällt, in Bezug auf die Oberfläche der Probe 56 definiert wird, 20 Grad.
Als nächstes werden die Messergebnisse, die durch das EBSD-Verfahren erhalten wurden, die EBSD-Muster sind, analysiert, um die mittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern 51 zu berechnen, die an dem Querschnitt 50c des Prüfstücks 50 erscheinen. In einem Beispiel sind die Bedingungen der Kristallanalyse durch das EBSD-Verfahren wie folgt.

• Schrittgröße: 70 nm

Analysebedingungen:
Die Analyse erfolgt wie unten beschrieben unter Verwendung einer Kristallausrichtungs-Analysesoftware OIM (Version 7.3), die von TSL Solutions hergestellt wird.
Wenn die mittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern groß ist, wird die Beobachtungsvergrößerung im SEM als die erste Vergrößerung bezeichnet. Wenn zum Beispiel die mittlere Querschnittsfläche der Kristallkörner 2 µm² oder mehr beträgt, wird die Beobachtungsvergrößerung im SEM als die erste Vergrößerung vorgesehen. Die erste Vergrößerung ist zum Beispiel 2000-fach. Wenn zudem die Anzahl der Kristallkörner, die in dem zu analysierenden Messbereich erscheinen, kleiner als 1000 ist, kann eine Aufnahme, in der 1000 oder mehr Kristallkörner erscheinen, durch Erfassen einer Aufnahme an einer Vielzahl Positionen eines Querschnitts der Metallplatte 64, während der Messzielbereich verschoben wird, und durch Verbinden der erhaltenen Vielzahl von Aufnahmen erzeugt werden. Hierbei wird der Bereich von dem Mittelpunkt bis zu beiden Enden der Dickenrichtung des Prüfstücks 50 der Metallplatte 64 als der Messbereich bezeichnet, und der Bereich, wo das Harz an dem Querschnitt 50c befestigt ist, oder der Bereich, wo der säurebeständige Film vorhanden ist, ist vom Messbereich ausgenommen.
Wenn die mittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern klein ist, wird die Beobachtungsvergrößerung im SEM als die zweite Vergrößerung bezeichnet, die höher als die erste Vergrößerung ist. Wenn zum Beispiel die mittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern kleiner als 2 µm² ist, wird die Beobachtungsvergrößerung im SEM als die zweite Vergrößerung bezeichnet. Die zweite Vergrößerung ist zum Beispiel 5000-fach. Bei Bedarf kann auch in diesem Fall eine Aufnahme, in der 1000 oder mehr Kristallkörner erscheinen, erzeugt werden, indem die erhaltene Vielzahl von Aufnahmen verbunden werden.
Die Analyse erfolgt, indem Daten ausgeschlossen werden, deren Vertrauensindex (CI -Wert), der durch die Kristallausrichtungs-Analysesoftware OIM (Version 7.3) definiert wird, die von TSL Solutions hergestellt wird, niedriger als ein vorgegebener Wert ist. Zum Beispiel werden Daten mit einem CI-Wert von 0,15 oder weniger ausgeschlossen. Dies ermöglicht es, die Wirkungen des Harzes, das in der Vorbehandlung verwendet wird, welches an den vorderen und hinteren Oberflächen der Probe 56 vorhanden ist, und/oder der kristallinen oder amorphen Korngrenzen, die in dem Querschnitt der Probe 56 vorhanden sind, zu beseitigen.
Gemäß dieser Ausführungsform ist es unter Verwendung des EBSD-Verfahrens möglich, genaue Informationen bezüglich der Größe von Kristallkörnern in der Metallplatte 64 zu erhalten. Deshalb kann der Schritt zur Untersuchung der Metallplatte 64 mit hoher Genauigkeit durchgeführt werden.
27 ist eine Ansicht, die ein Beispiel einer Verteilung der mittleren Querschnittsfläche von Kristallkörnern zeigt, die in einer Vielzahl von Metallplatten 64 enthalten sind, die basierend auf der Bewertungsbedingung ausgewählt wurden, dass eine Metallplatte mit einer mittleren Querschnittsfläche der Kristallkörner von 0,5 µm² bis 50 µm² als „bestanden“ beurteilt wird. In 27 stellt die Abszisse den Wert der mittleren Querschnittsfläche von Kristallkörnern dar, der für jede Metallplatte 64 berechnet wird. Zudem stellt die Ordinate die Anzahl von Metallplatten 64 dar, bei denen die mittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern in dem an der Abszisse angegebenen Bereich liegt. Zum Beispiel beträgt unter der Vielzahl der oben gewählten Metallplatten 64 die Anzahl der Metallplatten 64 mit einer mittleren Querschnittsfläche von Kristallkörnern 20 µm² bis weniger als 30 µm² gleich 15. Wie in 27 dargestellt können in einem Fall manche der ausgewählten Metallplatten 64 eine mittlere Querschnittsfläche von weniger als 0,5 µm² oder mehr als 50 µm² aufgrund eines Messfehlers oder dergleichen aufweisen.
28 ist eine Ansicht, die ein Beispiel einer Verteilung der mittleren Querschnittsfläche von Kristallkörnern zeigt, die in einer Vielzahl von Metallplatten 64 enthalten sind, die basierend auf der Bewertungsbedingung ausgewählt wurden, dass eine Metallplatte mit einer mittleren Querschnittsfläche von Kristallkörnern von 10 µm² bis 40 µm² als „bestanden“ beurteilt wird. Die Abszisse und die Ordinate in 28 haben die gleiche Bedeutung wie in 27. In dem Beispiel aus 28 ist verglichen mit dem Beispiel aus 27 der Bereich der Metallplatten 64, die als „bestanden“ beurteilt werden und daher ausgewählt werden, schmal. In diesem Fall bedeutet das Durchführen der Auswahl in 28 das Durchführen der Auswahl in 27.
Die obige Beschreibung zeigt ein Beispiel zur Durchführung des Untersuchungsschritts der Metallplatte 64 basierend auf der mittleren Querschnittsfläche von Kristallkörnern, um den Prüfstatus der Metallplatte 64 zur Auswahl der Metallplatte 64 zu bewerten. Konkret wird ein Beispiel gezeigt, in dem der Untersuchungsschritt als Schritt zur Auswahl einer Metallplatte 64 in dem Verfahren zur Herstellung einer Metallplatte 64 fungiert. Der Untersuchungsschritt kann jedoch für einen Zweck verwendet werden, der nicht der Zweck des Auswählens der Metallplatte 64 in dem Verfahren zur Herstellung einer Metallplatte 64 ist.
Zudem werden Auswahlbedingungen in dem Auswahlschritt beliebig bestimmt. Zum Beispiel kann in dem Auswahlschritt eine Metallplatte 64 ausgewählt werden, deren mittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern in dem Bereich liegt, der basierend auf einer Kombination aus einem beliebigen der oben genannten Vielzahl von möglichen zweiten Grenzwerten zur Angabe der oberen Grenze und einem beliebigen der oben genannten Vielzahl von möglichen ersten Grenzwerten zur Angabe der unteren Grenze bestimmt ist. Zudem kann in dem Auswahlschritt eine Metallplatte 64 ausgewählt werden, deren mittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern in dem Bereich liegt, der basierend auf einer Kombination von beliebigen zwei der Vielzahl von zweiten möglichen Grenzwerten zur Angabe der oberen Grenze bestimmt ist. Ferner kann in dem Auswahlschritt eine Metallplatte 64 ausgewählt werden, deren mittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern in dem Bereich liegt, der basierend auf einer Kombination von beliebigen zwei der Vielzahl von möglichen ersten Grenzwerten zur Angabe der unteren Grenze bestimmt ist.
Es wird ein Beispiel beschrieben, in dem der Untersuchungsschritt in dem Verfahren zur Herstellung einer Metallplatte 64 für den Zweck verwendet wird, der nicht der Zweck der Auswahl einer Metallplatte 64 ist. Zum Beispiel kann die Untersuchung der Metallplatte 64 basierend auf der mittleren Querschnittsfläche von Kristallkörnern zur Optimierung von Bedingungen bei der Herstellung der Metallplatte 64 verwendet werden, beispielsweise Bedingungen in dem Walzschritt oder dem Glühschritt und so weiter. Konkret wird eine Metallplatte 64 zunächst unter verschiedenen Walzbedingungen und Glühbedingungen hergestellt, und die mittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern wird für die erhaltene Metallplatte 64 berechnet. Zudem werden Walzbedingungen und Glühbedingungen mit der mittleren Querschnittsfläche von Kristallkörnern der erhaltenen Metallplatte 64 abgeglichen. Dementsprechend können Walzbedingungen und Glühbedingungen zur Herstellung einer Metallplatte 64, deren mittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern zwischen 0,5 µm² und 50 µm² liegt, mit hoher Wahrscheinlich bestimmt werden. Wie oben beschrieben kann die Untersuchung der Metallplatte 64 basierend auf der mittleren Querschnittsfläche von Kristallkörnern zur Bestimmung von zweckmäßigen Walzbedingungen und Glühbedingungen verwendet werden. In diesem Fall ist es nicht erforderlich, den Untersuchungsschritt zur Berechnung der mittleren Querschnittsfläche von Kristallkörnern für jede Metallplatte 64 durchzuführen, die in dem tatsächlichen Herstellungsprozess erhalten wird. Zum Beispiel kann der Untersuchungsschritt an manchen der Metallplatten 64 durchgeführt werden. Alternativ ist es denkbar, dass nachdem die Herstellungsbedingungen, wie zum Beispiel Walzbedingungen und Glühbedingungen einmal festgelegt wurden, der Untersuchungsschritt zur Berechnung der mittleren Querschnittsfläche von Kristallkörnern überhaupt nicht durchgeführt wird.
29 ist eine Ansicht, die ein Beispiel der Verteilung der mittleren Querschnittsfläche von Kristallkörnern zeigt, die in einer Vielzahl von Metallplatten 64 enthalten sind, die basierend auf den Herstellungsbedingungen hergestellt werden, die durch den Einsatz einer Bewertungsbedingung bestimmt wurden, dass eine Metallplatte 64 mit einer mittleren Querschnittsfläche von Kristallkörnern von 0,5 µm² bis 50 µm² als „bestanden“ beurteilt wird. Die Abszisse und die Ordinate in 29 haben die gleiche Bedeutung wie in 27. In dem Beispiel aus 29 hat, auch wenn der Auswahlschritt nicht durchgeführt wird, die Vielzahl von hergestellten Metallplatten 64 eine mittlere Querschnittfläche von Kristallkörnern von 0,5 µm² bis 50 µm².
Zudem kann nach dem Walzschritt oder dem Glühschritt ein visueller Untersuchungsschritt des visuellen Untersuchens einer Metallplatte 64 durchgeführt werden. Der visuelle Untersuchungsschritt kann einen Schritt des visuellen Untersuchens einer Metallpatte 64 unter Verwendung einer automatisierten Untersuchungsmaschine umfassen. Zudem kann der visuelle Untersuchungsschritt einen Schritt des visuellen Untersuchens einer Metallplatte 64 durch in Augenscheinnahme umfassen.
Zudem kann nach dem Walzschritt oder dem Glühschritt ein Formuntersuchungsschritt des Untersuchens der Form einer Metallplatte 64 durchgeführt werden. Zum Beispiel kann die Position an der Oberfläche einer Metallplatte 64 in der Dickenrichtung innerhalb eines vorgegebenen Bereichs der Metallplatte 64 unter Verwendung einer dreidimensionalen Messvorrichtung gemessen werden.
Gemäß dem Verfahren zur Herstellung einer Metallplatte in dieser Ausführungsform kann eine Metallplatte 64 mit einer mittleren Querschnittsfläche vom Kristallkörnern erhalten werden, welche die oben genannten Bewertungsbedingungen erfüllt. Zum Beispiel kann eine Metallplatte 64 mit einer mittleren Querschnittsfläche von Kristallkörnern von 0,5 µm² bis 50 µm² erhalten werden.
Zudem ist in der oben genannten Ausführungsform ein Beispiel gezeigt, in dem sowohl der erste Grenzwert, der die untere Grenze der mittleren Querschnittsfläche von Kristallkörnern konkretisiert als auch der zweite Grenzwert, der die obere Grenze der mittleren Querschnittsfläche von Kristallkörnern konkretisiert, zur Beurteilung des Bewertungsstatus der Metallplatte 64 oder zur Auswahl der Metallplatte 64 in dem Untersuchungsschritt verwendet wird. Jedoch kann, ohne hierauf beschränkt zu sein, entweder der erste Grenzwert oder der zweite Grenzwert zur Bewertung des Bewertungsstatus der Metallplatte 64 oder zur Auswahl der Metallplatte 64 in dem Untersuchungsschritt verwendet werden.
Zum Beispiel kann eine Metallplatte 64 mit einer mittleren Querschnittsfläche von Kristallkörnern von größer gleich dem ersten Grenzwert als „bestanden“ beurteilt oder ausgewählt werden. Wenn eine Metallplatte 64 eine mittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern von größer gleich dem ersten Grenzwert besitzt, ist es der Metallplatte 64 möglich, eine Schweißneigung zu besitzen.
Alternativ kann eine Metallplatte 64 mit einer mittleren Querschnittsfläche von Kristallkörnern von kleiner gleich dem zweiten Grenzwert als „bestanden“ beurteilt oder ausgewählt werden. Wenn eine Metallplatte 64 eine mittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern von kleiner gleich dem zweiten Grenzwert besitzt, wird es der Metallplatte 64 ermöglicht, eine Festigkeit zu besitzen.
Zudem ist in der oben genannten Ausführungsform ein Beispiel gezeigt, in dem Walzen als ein Verfahren zur Reduzierung bzw. Verringerung der Dicke der Metallplatte 64 verwendet wird. Jedoch ist die Offenbarung nicht auf dieses Beispiel beschränkt. Zum Beispiel kann die Dicke der Metallplatte 64 durch Ätzen der Metallplatte 64 von der Seite der ersten Oberfläche 64a, der Seite der zweiten Oberfläche 64b, oder sowohl der Seite der ersten Oberfläche 64a als auch der zweiten Oberfläche 64b verringert werden. Ein solches Ätzen kann anstatt des Walzschritts oder zusätzlich zu dem Walzschritt erfolgen.
Auch wenn die Dicke einer Metallplatte 64 durch Ätzen verringert wird, ist es der Metallplatte 64 ermöglicht, eine Schweißneigung zu besitzen, wenn die geätzte Metallplatte 64 eine mittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern von größer gleich dem ersten Grenzwert aufweist. Wenn die mittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern der geätzten Metallplatte 64 nicht größer als der zweite Grenzwert ist, ist es der Metallplatte 64 zudem ermöglicht, Festigkeit zu besitzen. Hierbei variiert beispielsweise die Querschnittsfläche von Kristallkörnern in der Metallplatte 64 aufgrund des Ätzens nicht.
Als nächstes wird vorwiegend unter Bezugnahme auf die 11 bis 15 ein Verfahren zur Herstellung einer Abscheidungsmaske 20 unter Verwendung einer Metallplatte 64 mit einer mittleren Querschnittsfläche von Kristallkörnern in einem Bereich zwischen dem ersten Grenzwert und dem zweiten Grenzwert beschrieben, beispielsweise einer Metallplatte 64 mit einer mittleren Querschnittsfläche von Kristallkörnern zwischen 0,5 µm² und 50 µm². Hierbei wird ein Verfahren zur Herstellung einer Abscheidungsmaske 20 durch Ätzen der Metallplatte 64 zur Bildung von Durchgangsöffnungen 25 in der Metallplatte 64 beschrieben. 11 zeigt eine Herstellungsvorrichtung 59 zur Herstellung der Abscheidungsmaske 20 unter Verwendung einer Metallplatte 64. Ein Wicklungskörper 62 mit einem Kern 61, um den die Metallplatte 64 gewickelt wird, wird zunächst präpariert bzw. vorbereitet. Durch Drehen des Kern 61, um den Wicklungskörper 62 abzuwickeln, wird die Metallplatte 64, die sich wie ein Streifen erstreckt, wie in 11 dargestellt zugeführt.
Die zugeführte Metallplatte 64 wird von Transportrollen 72 an eine Bearbeitungsvorrichtung 70 und dann eine Trennvorrichtung 73 transportiert. Die Bearbeitungsvorrichtung 70 führt einen Bearbeitungsschritt zur Bildung von Durchgangsöffnungen 25 in der Metallplatte 64 durch Bearbeiten der Metallplatte 64 durch. In dieser Ausführungsform werden viele Durchgangsöffnungen 25 entsprechend einer Vielzahl von Abscheidungsmasken 29 in der Metallplatte 64 gebildet. Mit anderen Worten wird der Metallplatte 64 eine Vielzahl von Abscheidungsmasken 20 zugeordnet. Die Trennvorrichtung 73 führt einen Trennungsschritt zur Trennung eines Teils der Metallplatte 64, in dem eine Vielzahl von Durchgangsöffnungen 25 entsprechend einer einzelnen Abscheidungsmaske 20 gebildet wird, von der Metallplatte 64 durch. Somit kann eine plattenartige bzw. bahnartige Abscheidungsmaske 20 erhalten werden.
Der Bearbeitungsschritt wird unter Bezugnahme auf die 12 bis 15 beschrieben. Eine Resistfolie, die ein photosensitives Material enthält, wird zunächst auf einer ersten Oberfläche 64a und einer zweiten Oberfläche 64b einer Metallplatte 64 gebildet. Zum Beispiel wird eine Beschichtungslösung, die ein photosensitives Resistmaterial wie beispielsweise Casein enthält, auf die Metallplatte 64 aufgetragen, und dann wird die Beschichtungslösung getrocknet, um eine Resistfolie zu bilden. Alternativ kann eine Resistfolie gebildet werden, indem eine Trockenfolie auf der Metallplatte 64 befestigt wird. Anschließend wird die Resistfolie belichtet und entwickelt. Somit kann wie in 12 dargestellt ein erstes Resistmuster 65a auf der ersten Oberfläche 64a der Metallplatte 64 gebildet werden und ein zweites Resistmuster 65b kann auf der zweiten Oberfläche 64b der Metallplatte 64 gebildet werden.
Wie in 13 dargestellt erfolgt dann ein erster Oberflächenätzschritt zur Ätzung des Bereichs der ersten Oberfläche 64a der Metallplatte 64, der nicht mit dem ersten Resistmuster 65a bedeckt ist, unter Verwendung eines ersten Ätzmittels. Beispielsweise wird das erste Ätzmittel aus einer Düse, die an der der ersten Oberfläche 64a der transportierten Metallplatte 64 zugewandten Seite angeordnet ist, hin zu der ersten Oberfläche 64a der Metallplatte durch das erste Resistmuster 65a ausgebracht. Im Ergebnis werden, wie in 13 dargestellt, Bereiche der Metallplatte 64, die nicht mit dem ersten Resistmuster 65a bedeckt sind, durch das erste Ätzmittel abgetragen. Daher werden viele erste Ausnehmungen 30 in der ersten Oberfläche 64a der Metallplatte 64 gebildet. Das erste Ätzmittel kann als Ätzmittel verwendet werden, welches Eisenchloridlösung und Chlorwasserstoffsäure enthält.
Als nächstes wird, wie in 14 dargestellt, der zweite Oberflächenätzschritt zur Ätzung eines Bereichs der zweiten Oberfläche 64b der Metallplatte 64 durchgeführt, der nicht mit dem zweiten Resistmuster 65b bedeckt ist, um zweite Ausnehmungen 35 in der zweiten Oberfläche 64b zu bilden. Der zweite Oberflächenätzschritt wird so lange durchgeführt, bis die erste Ausnehmung 30 und die zweite Ausnehmung 35 jeweils miteinander in Verbindung stehen, so dass eine Durchgangsöffnung 25 gebildet wird. In Analogie zu dem ersten Ätzmittel handelt es sich bei dem zu verwendenden zweiten Ätzmittel um ein Ätzmittel, welches Eisenchloridlösung und Chlorwasserstoffsäure enthält. Wie in 14 gezeigt können die ersten Ausnehmungen 30 mit einem Harz 69 beschichtet werden, welches gegenüber dem zweiten Ätzmittel in dem zweiten Oberflächenätzschritt beständig ist.
Danach wird, wie in 15 dargestellt, das Harz 69 von der Metallplatte 64 entfernt. Zum Beispiel kann das Harz 69 mittels einer alkalibasierten Schälflüssigkeit entfernt werden. Wenn die alkalibasierte Schälflüssigkeit verwendet wird, werden wie in 15 dargestellt die Resistmuster 65a und 65b gleichzeitig mit der Entfernung des Harzes 69 entfernt. Jedoch können nach der Entfernung des Harzes 69 die Resistmuster 65a und 65b getrennt von dem Harz 69 mittels einer Schälflüssigkeit entfernt werden, die sich von der Schälflüssigkeit zum Abschälen bzw. Abtragen des Harzes 69 unterscheidet.
Im Anschluss werden eine Vielzahl von Abscheidungsmasken 20, die der Metallplatte 64 zugeordnet sind, eins nach dem anderen getrennt voneinander entfernt. Zum Beispiel wird ein Abschnitt der Metallplatte 64, in dem eine Vielzahl von Durchgangsöffnungen 25 entsprechend einer einzelnen Abscheidungsmaske 20 gebildet ist, von dem anderen Teil der Metallplatte 64 getrennt. Somit können Abscheidungsmasken 20 erhalten werden.
Das Verfahren zur Bildung der Durchgangsöffnungen 25 in der Metallplatte 64 ist nicht auf ein Ätzen beschränkt. Zum Beispiel können die Durchgangsöffnungen 25 in der Metallplatte 64 durch einen Laserprozess gebildet werden, der die Metallplatte 64 mit einem Laser bestrahlt. Auch in diesem Fall ist es durch Festlegen der mittleren Querschnittsfläche von Kristallkörnern auf zwischen 0,5 µm² und 50 µm² möglich, es einer Metallplatte zu ermöglichen, Festigkeit und Schweißneigung zu besitzen, auch wenn die Metallplatte eine Dicke von kleiner gleich 30 µm besitzt. Daher ist es möglich, die Bildung eines lokal deformierten Abschnitts wie beispielsweise einer Vertiefung in einer Metallplatte in dem Schritt zur Herstellung einer Abscheidungsmaske 20 oder bei der Handhabung einer Abscheidungsmaske 20 zu unterbinden.
Im Anschluss kann ein Abscheidungsmasken-Untersuchungsschritt zur Untersuchung jeder Abscheidungsmaske 20 durchgeführt werden. In dem Abscheidungsmasken-Untersuchungsschritt wird zum Beispiel untersucht, ob ein deformierter Abschnitt eines lokal gebildeten Vorsprungs, einer Vertiefung oder dergleichen an der Oberfläche der Metallplatte 64, die die Abscheidungsmaske 20 darstellt, vorhanden ist oder nicht. 16 ist eine Ansicht, die einen deformierten Abschnitt 28 zeigt, der an einer Metallplatte 64 entstehen kann. In dem in 16 dargestellten Beispiel handelt es sich bei dem deformierten Abschnitt 28 um eine Vertiefung, die lokal an der zweiten Oberfläche 64b der Metallplatte 64 gebildet ist.
17 ist eine Ansicht, die ein Beispiel der Querschnittsform des in 16 gezeigten deformierten Abschnitts 28 der Metallplatte 64 zeigt. Wie in 17 dargestellt kann der deformierte Abschnitt 28, der lokal als Vertiefung an der zweiten Oberfläche 64b gebildet ist, als ein Vorsprung erscheinen, der lokal an der ersten Oberfläche 64a gebildet ist. Die Größe K1 des deformierten Abschnitts 28 in der Ebenenrichtung der Metallplatte 64 beträgt beispielsweise 0,5 µm bis zu mehreren Nanometern. Wenn der deformierte Abschnitt 28 eine lokale Vertiefung ist, ist ferner die Tiefe K2 der Vertiefung zum Beispiel zwischen 0,5 µm und 10 µm.
In dem Abscheidungsmasken-Untersuchungsschritt wird, wie in 17 dargestellt, beispielsweise die erste Oberfläche 64a oder die zweite Oberfläche 64b einer Metallplatte 64, die eine Abscheidungsmaske 20 darstellt, mit Licht L1 bestrahlt, und es wird visuell bestätigt, ob sich ein deformierter Abschnitt 28 in der Metallplatte 64 befindet. Wenn kein deformierter Abschnitt 28 an der ersten Oberfläche 64a oder der zweiten Oberfläche 64b der Metallplatte 64 der Abscheidungsmaske 20 vorhanden ist, kann die Abscheidungsmaske 20 als „bestanden“ beurteilt werden. Wenn auch nur ein deformierter Abschnitt 28 daran vorhanden ist, kann die Abscheidungsmaske 20 als „durchgefallen“ beurteilt werden.
Wie oben beschrieben wird in dieser Ausführungsform eine Abscheidungsmaske 20 mittels einer Metallplatte 64 mit einer mittleren Querschnittsfläche von Kristallkörnern von 50 µm² oder weniger hergestellt. Auch wenn die Dicke der Metallplatte 64 30 µm oder weniger beträgt, kann deshalb die Festigkeit der Metallplatte 64 sichergestellt werden. Entsprechend ist es möglich, die Bildung eines deformierten Abschnitts 28 an einer Metallplatte 64 während des Schritts der Herstellung der Abscheidungsmaske 20 zu verhindern. Deshalb ist es möglich, den Anteil von Abscheidungsmasken 20, die als „durchgefallen“ bewertet werden, in dem Abscheidungsmasken-Untersuchungsschritt zu reduzieren.
Als nächstes wird ein Befestigungsschritt zur Befestigung einer Abscheidungsmaske 20, die wie oben beschrieben erhalten wurde, an einem Rahmen 15 beschrieben. Somit kann eine Abscheidungsmaskenvorrichtung 10 mit einer Abscheidungsmaske 20 und einem Rahmen 15 erhalten werden.
In dem Befestigungsschritt erfolgt zunächst ein Reckschritt zur Einstellung der Position einer Abscheidungsmaske 20 in Bezug auf einen Rahmen 15 in einem Zustand, bei dem Zug auf die Abscheidungsmaske 20 aufgebracht wird. In dem Reckschritt werden, wie in 18 dargestellt, zunächst Laschenabschnitte 17a und 17b einer Abscheidungsmaske 20 eingeklemmt und durch Klemmabschnitte 15a gehalten. In dem in 18 dargestellten Beispiel wird ein Laschenabschnitt 17a von zwei Klemmabschnitten 15a gehalten. Hierbei wird die Anzahl und Anordnung von Klemmabschnitten 15a beliebig festgelegt. Als nächstes werden Position und Zug einer Abscheidungsmaske 20 derart eingestellt, dass eine Differenz zwischen der Position von jeder Durchgangsöffnung 25 der Abscheidungsmaske 20 und der Position einer Elektrode auf einem organischen EL-Substrat 92 (oder einem Substrat, welches ein organisches EL-Substrat 92 nachbildet) nicht größer als ein vorgegebener Referenzwert ist, während Zug auf eine Abscheidungsmaske 20 über Ausziehabschnitte 15b aufgebracht wird, die mit Klemmabschnitten 15a verbunden sind. Der Referenzwert beträgt beispielsweise 5 µm.
In dem Schweißschritt wird, wie in 19A dargestellt, zunächst ein Laschenabschnitt 17 einer Abscheidungsmaske 20 auf einem Rahmen 15 derart platziert, dass die zweite Oberfläche 20b dem Rahmen zugewandt ist. Als nächstes wird der Laschenabschnitt 17 der Abscheidungsmaske 20 erhitzt, um den Laschenabschnitt 17 an den Rahmen 15 zu schweißen. Als Verfahren zur Erhitzung des Laschenabschnitts 17 wird zum Beispiel ein Verfahren angewendet, bei dem der Laschenabschnitt 17 mit Laserlicht L2 bestrahlt wird. Zum Beispiel kann YAG-Laserlicht, das von einem YAG-Lasersystem erzeugt wird, als Laserlicht L2 verwendet werden. Der Fleckdurchmesser S von Laserlicht L2 beträgt beispielsweise zwischen 0,1 mm und 0,3 mm.
Zum Beispiel kann als YAG-Lasersystem ein System mit einem Kristall aus YAG (Yttrium, Aluminium, Granat), der mit Nd (Neodym) dotiert ist, als Oszillationsmedium verwendet werden. In diesem Fall wird Laserlicht mit einer Wellenlänge von etwa 1064 nm als Grundschwingung bzw. Grundwelle erzeugt. Zudem wird eine zweite Harmonische mit einer Wellenlänge von etwa 532 nm erzeugt, indem die Grundwelle durch einen nichtlinearen optischen Kristall geleitet wird. Zudem wird eine dritte Harmonische mit einer Wellenlänge von etwa 355 nm erzeugt, indem die Grundwelle und die zweite Harmonische durch einen nichtlinearen optischen Kristall geleitet werden. Die dritte Harmonische von YAG-Laserlicht wird vermutlich von einer nickelhaltigen Eisenlegierung absorbiert. Deshalb ist es bevorzugt, dass Laserlicht L2, welches auf Laschenabschnitte 17 abgestrahlt wird, die dritte Harmonische des YAG-Laserlichts aufweist, wenn eine Metallplatte 64, welche Laschenabschnitte 17 dargestellt, eine nickelhaltige Eisenlegierung enthält.
Wenn der Laschenabschnitt 17 mit Laserlicht L2 bestrahlt wird, werden der Laschenabschnitt 17 der Abscheidungsmaske 20 und der Rahmen 15 teilweise geschmolzen, und daher wird ein geschweißter Abschnitt 19, der den Laschenabschnitt 17 und den Rahmen 15 überbrückt, wie in 19B gebildet.
Hierbei werden in dieser Ausführungsform Kristallkörner einer Metallplatte 64 geläutert. Konkret beträgt die mittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern in der Metallplatte 64 gleich 50 µm² oder weniger. Hierbei werden neue Kristallkörner durch Rekristallisierung in dem geschweißten Abschnitt 19 erzeugt, der durch Erhitzen geschmolzen wird und dann erstarrt. Die Größe von Kristallkörnern, die neu in dem geschweißten Abschnitt 19 erzeugt werden, ist normalerweise größer als die Größe der vorhandenen Kristallkörner. Deshalb wird angenommen, dass die Größe von Kristallkörnern in dem geschweißten Abschnitt 19 der Metallplatte 64 nach dem Schweißen größer ist als die Größe von Kristallkörnern in dem umgebenden Abschnitt des geschweißten Abschnitts 19. Wenn die Größe der Kristallkörner groß ist, entsteht wahrscheinlich ein Fehler, wie etwa ein Riss in der Metallplatte 64. 20 ist eine Querschnittsansicht, die einen geschweißten Abschnitt 19 zeigt, der gebildet wird, wenn ein Laschenabschnitt 17 einer Abscheidungsmaske 20, die aus einer Metallplatte 64 hergestellt wurde, an ein Element 16 geschweißt wurde. Als Element 16 wurde ein Invar-Material mit einer Dicke von mehr als jener des Laschenabschnitts 17 verwendet. 21 ist eine vergrößerte Ansicht des geschweißten Abschnitts 19 aus 20. In dem in den 20 und 21 gezeigten Beispiel entstehen Risse 54 in der Grenze zwischen dem geschweißten Abschnitt 19 und dessen umgebenden Bereich des Laschenabschnitts 17 und an der Oberfläche des Elements 16.
Ein Querschnittsbeobachtungsverfahren in 20 und 21 wird nachfolgend beschrieben. Ein Laschenabschnitt 17 wird zunächst an ein Element 16 geschweißt. Im Anschluss wird ein Abschnitt, der den geschweißten Abschnitt 19 beinhaltet, unter Verwendung von Metallscheren ausgeschnitten, wodurch ein zu beobachtendes Objekt präpariert wird. Als nächstes wird das zu beobachtende Objekt unter Verwendung einer Ionendünnungsvorrichtung bearbeitet, wodurch ein zu beobachtender Querschnitt erzeugt wird.
Ein Querschnittspolierer IB-09010 CP, der von JEOL Ltd. hergestellt wird, kann als Ionendünnungsvorrichtung verwendet werden. Die Bearbeitungsbedingungen sind nachfolgend beispielhaft angegeben.
Bearbeitungsbedingungen: 6 kV, 1,5 Stunden, Überstandsbreite: 100 µm
Bei einer üblichen Bearbeitung wird ein zu beobachtendes Objekt in ein Harz eingebettet und dann mit Argonionen bestrahlt. In diesem Fall jedoch wurde das zu beobachtende Objekt mit Argonionen bestrahlt, ohne in dem Harz eingebettet zu sein, weil es schwierig wäre, die Position eines Querschnitts des zu beobachtenden Objekts auf den Mittelpunkt des geschweißten Abschnitts 19 einzustellen, wenn ein zu beobachtendes Objekt in einem Harz eingebettet wäre. Wie aus dem Bereich ersichtlich wird, der von einer gepunkteten Linie umgeben ist, der mit Bezugszeichen W1 in den später beschriebenen 21 und 23 dargestellt ist, sind Spuren von Bearbeitungsmarkierungen an der Oberfläche auf der Seite des Laschenabschnitts 17 des zu beobachtenden Objekts vorhanden, die auf eine durch Argonionen bewirke Beschädigung zurückzuführen sind. Wie zudem aus dem Bereich ersichtlich wird, der von einer gepunkteten Linie umgeben wird, der mit Bezugszeichen W2 in 1 dargestellt ist, kann eine Abscheidungsschicht, in der durch die Bearbeitung entferntes Material abgeschieden ist, in dem Spalt zwischen dem Laschenabschnitt 17 und dem Element 16 gebildet sein. Die Erfinder gehen davon aus, dass diese Bearbeitungsmarkierungen und die Abscheidungsschicht keine konkrete nachteilige Wirkung auf eine Beobachtung des Kristallzustands in dem geschweißten Abschnitt 19 und dessen umgebenden Abschnitt und/oder das Vorhandensein oder Nichtvorhandensein von Rissen hat.
Als nächstes wird der Querschnitt durch ein SEM beobachtet. Zum Beispiel kann das ULTRA 55, hergestellt durch die Carl Zeiss AG, als SEM verwendet werden. Die Beobachtungsbedingungen für das SEM sind nachfolgend beispielhaft dargestellt.

• Beschleunigungsspannung: 5 kV
• Arbeitsabstand: 4,5 mm
• Detektor: Inlens
• Blende: 60 µm Hochstrom
• Beobachtungsvergrößerung: 200-fach und 1000-fach (Der Beobachtungvergrößerungsstandard zum Zeitpunkt der Aufnahme ist Polaroid 545.)

Es wird angenommen, dass Risse 54, die in den 20 und 21 dargestellt sind, aufgrund der Tatsache erzeugt wurden, dass es einen großen Unterschied zwischen der Größe von Kristallkörnern in dem geschweißten Abschnitt 19 und der Größe von Kristallkörnern in dem umgebenden Abschnitt des geschweißten Abschnitts 19 gibt. Hierbei wird in dieser Ausführungsform wie oben beschrieben eine Abscheidungsmaske 20 unter Verwendung einer Metallplatte 64 mit einer mittleren Querschnittsfläche von Kristallkörnern von 0,5 µm² oder mehr hergestellt. Daher ist es möglich, eine Zunahme der Differenz zwischen der Größe von Kristallkörnern in dem geschweißten Abschnitt 19 und der Größe von Kristallkörnern in dem umgebenden Abschnitt des geschweißten Abschnitts 19 zu unterbinden. Dementsprechend ist es möglich, die Erzeugung von Rissen an der Oberfläche der Metallplatte 64, nachdem der geschweißte Abschnitt 19 gebildet wurde, zu verhindern. 22 ist eine Querschnittsaufnahme der Metallplatte 64 und des Rahmens 15, bei dem keine Risse erzeugt wurden. Zudem ist 23 eine vergrößerte Ansicht des geschweißten Abschnitts 19 aus 22.
Die oben genannten Ausführungsform kann verschiedenartig modifiziert werden. Nachfolgend werden Modifizierungsbeispiele bei Bedarf unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben. In der nachfolgenden Beschreibung und den Zeichnungen trägt ein Teil, welches in Analogie zu der obigen Ausführungsform ausgebildet sein kann, das gleiche Bezugszeichen wie jenes des entsprechenden Teils der obigen Ausführungsform, und es wird auf eine doppelte Beschreibung verzichtet. Zudem wird, wenn die Wirkung, die durch die oben genannte Ausführungsform erzielt wird, in den Modifikationsbeispielen offensichtlich erzielt wird, möglicherweise auf eine Beschreibung dieser Tatsache verzichtet.
In der oben genannten Ausführungsform wird ein Beispiel dargestellt, bei dem der Laschenabschnitt 17 durch Bestrahlung des Laschenabschnitts 17 mit Laserlicht l2 an den Rahmen 15 geschweißt wird. Jedoch ist das Verfahren zum Erhitzen des Laschenabschnitts 17 nicht auf das Verfahren beschränkt, bei dem der Laschenabschnitt 17 mit Laserlicht L2 bestrahlt wird. Zum Beispiel kann der Laschenabschnitt 17 durch Anlegen eines elektrischen Stroms an dem Laschenabschnitt 17 und dem Rahmen 15 erhitzt werden.
In der oben genannten Ausführungsform wird ein Beispiel dargestellt, bei dem die Metallplatte 64 durch Walzen eines Grundmetalls erhalten wird. Jedoch kann, ohne hierauf beschränkt zu sein, eine Metallplatte 64 mit einer gewünschten Dicke durch einen Folienerzeugungsschritt unter Verwendung eines Plattierungsprozesses hergestellt werden. In dem Folienerzeugungsschritt wird beispielsweise während eine Trommel aus Edelstahl, die teilweise in eine Plattierungsflüssigkeit getaucht ist, gedreht wird, eine Plattierungsfolie bzw. ein Plattierungsfilm an einer Oberfläche der Trommel gebildet. Durch Abstreifen dieser Plattierungsfolie kann eine längliche Metallplatte durch ein Rolle-zu-Rolle-Verfahren hergestellt werden. Wenn eine Metallplatte aus einer nickelhaltigen Eisenlegierung hergestellt wird, kann eine Mischlösung aus einer eine Nickelverbindung-enthaltenden Lösung und einer eine Eisenverbindung-enthaltenden Lösung als Plattierungsflüssigkeit verwendet werden. Zum Beispiel kann beispielsweise eine Mischlösung aus einer Nickelsulfamatenthaltenden Lösung und einer Eisensulfamat-enthaltenden Lösung verwendet werden. Ein Zuschlagstoff wie Malonsäure oder Saccharin kann in der Plattierungsflüssigkeit enthalten sein.
Dann kann der oben genannte Glühschritt an der auf diese Weise erhaltenen Metallplatte durchgeführt werden. Zudem kann vor oder nach dem Glühschritt der oben genannte Längstrennungsschritt zur Abtrennung beider Enden der Metallplatte durchgeführt werden, um die Breite der Metallplatte auf eine gewünschte Breite einzustellen.
Wie im Falle der oben genannten Ausführungsform wird auch wenn eine Metallplatte mittels des Plattierungsprozesses hergestellt wird, eine Metallplatte 64 derart hergestellt, dass Kristallkörner eine mittlere Querschnittfläche von Kristallkörnern an einem Querschnitt der Metallplatte mit einem Winkel zwischen -10° und +10° in Bezug auf eine zu einer Längsrichtung der Metallplatte 64 (Plattierungsfolie) senkrechten Ebene zwischen 0,5 µm² und 50 µm² besitzen. Ferner werden Bedingungen der Zusammensetzung der Plattierungsflüssigkeit, der Temperatur und der Zeitdauer in einem Folienerzeugungsschritt und dergleichen eingestellt. Zudem können auch die Bedingungen des Glühschritts eingestellt werden. Durch Festlegen der mittleren Querschnittsfläche von Kristallkörnern auf zwischen 0,5 µm² und 50 µm² ist es möglich, einer Metallplatte zu ermöglichen, Festigkeit und Schweißneigung auch dann zu besitzen, wenn die Metallplatte eine Dicke von 30 µm oder weniger wie in dem Fall der oben genannten Ausführungsform besitzt. Dementsprechend ist es möglich, die Bildung eines lokal deformierten Abschnitts wie beispielsweise einer Vertiefung in einer Metallplatte in dem Schritt zur Herstellung einer Abscheidungsmaske 20 oder bei der Handhabung einer Abscheidungsmaske 20 zu unterbinden. Wenn die Abscheidungsmaske 20 an den Rahmen 15 geschweißt wird, ist es zudem möglich, die Bildung von Defekten wie Rissen in der Abscheidungsmaske 20 oder dem Rahmen 15 zu unterbinden. Hierbei ist die Längsrichtung eines Plattierungsfilms eine Richtung der Erstreckung einer länglichen Metallplatte, die durch Folienbildung bzw. Filmbildung eines Metalls auf der Oberfläche einer Trommel durch den Plattierungsprozess, während die Trommel gedreht wird, gebildet wird.
In der oben genannten Ausführungsform wird ein Beispiel dargestellt, bei dem eine Abscheidungsmaske 20 durch Ätzen oder Laserbearbeitung einer Metallplatte 64 hergestellt wird, um Durchgangsöffnungen 25 in der Metallplatte 64 zu bilden. Es ist jedoch, ohne hierauf beschränkt zu sein, möglich, eine plattierte Schicht auf einem Substrat in einem vorgegebenen Muster zu bilden, das den Durchgangsöffnungen 25 entspricht, und die plattierte Schicht von dem Substrat zu entfernen, wodurch eine Abscheidungsmaske 20 hergestellt wird. Da ein solches Verfahren zur Herstellung einer Abscheidungsmaske 20 beispielsweise in JP2016-148112A offenbart ist, wird vorliegend auf eine ausführliche Beschreibung des Verfahrens verzichtet.
Eine Abscheidungsmaske 20 wird derart hergestellt, dass auch in dem Fall der Herstellung einer Abscheidungsmaske 20 durch Plattieren die mittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern in einer Metallplatte 64 aus einer plattierten Schicht, die eine Abscheidungsmaske 20 dargestellt, zwischen 0,5 µm² und 50 µm² liegt. Zum Beispiel werden die Bedingungen der Zusammensetzung der Plattierungsflüssigkeit, der Temperatur und eine Zeitdauer in einem Plattierungsschritt und dergleichen eingestellt. Zudem können auch die Bedingungen des durchzuführenden Glühschritts nach dem Plattieren eingestellt werden. Durch Festlegen der mittleren Querschnittsfläche von Kristallkörnern auf zwischen 0,5 µm² und 50 µm² ist es in der oben genannten Ausführungsform möglich, es einer Metallplatte zu gestatten, Festigkeit und Schweißneigung zu besitzen, auch wenn die Metallplatte eine Dicke von 30 µm oder weniger besitzt. Dementsprechend ist es möglich, die Bildung eines lokalen deformierten Abschnitts wie beispielsweise einer Vertiefung in einer Metallplatte in dem Schritt zur Herstellung einer Abscheidungsmaske 20 oder bei der Handhabung einer Abscheidungsmaske 20 zu unterbinden. Zudem ist es beim Schweißen der Abscheidungsmaske 20 an dem Rahmen 15 möglich, die Bildung von Defekten wie beispielsweise Rissen in der Abscheidungsmaske 20 oder dem Rahmen 15 zu unterbinden.
BEISPIELE
Als nächstes wird die Ausführungsform der Offenbarung genauer unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben, und die Ausführungsform der Offenbarung ist nicht auf die nachfolgende Beschreibung der Beispiele beschränkt, sofern die vorliegende Erfindung nicht von dem Geist abweicht.
(Beispiel 1)
Eine Metallplatte 64 mit einer Dicke von 40 µm, welche aus einer Eisenlegierung, die 36 Massenprozent Nickel, einen Eisenrest und unvermeidbare Verunreinigungen enthält, durch Walzen hergestellt. Die Dicke der Metallplatte vor dem Walzen betrug 100 µm. Deshalb betrug die Walzreduktion bzw. Walzverringerung 60 %.
Als nächstes wurde das EBSD-Muster durch das oben genannte EBSD-Verfahren gemessen. Zudem wurde durch Analyse des EBSD-Musters die mittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern an einem Querschnitt der Metallplatte 64 berechnet. Im Ergebnis betrug die mittlere Querschnittsfläche 113,4 µm².
Bedingungen der Messung durch das EBSD-Verfahren sind wie folgt:

• Beobachtungsvergrößerung im SEM: 2000-fach oder 5000-fach (Der Beobachtungsvergrößerungsstandard zum Zeitpunkt der Aufnahme ist Polaroid 545.)
• Beschleunigungsspannung im SEM: 15 kV
• Neigungswinkel der Probe φ1: 70 Grad
• EBSD Schrittgröße (in dem Fall der SEM Beobachtungsvergrößerung von 2000-fach): 70 nm
• EBSD Schrittgröße (in dem Fall der SEM Beobachtungsvergrößerung von 5000-fach) 50 nm

Die SEM Beobachtungsvergrößerung wird ausführlich beschrieben. Wenn die mittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern groß war, wurde die Beobachtungsvergrößerung im SEM als 2000-fach festgelegt. Wenn die mittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern 2 µm² oder mehr betrug (in den Fällen der Beispiele 1 bis 8 und der Beispiele 10 bis 14, die später beschrieben werden), wurde die Beobachtungsvergrößerung im SEM als 2000-fach festgelegt.
Wenn hierbei die Beobachtungsvergrößerung im SEM 2000-fach ist (der Beobachtungsvergrößerungsstandard zum Zeitpunkt der Aufnahme ist Polaroid 545) beträgt die Größe der Aufnahme etwa 60 µm × etwa 45 µm. In diesem Fall wird ein Querschnitt einer Metallplatte 64 derart gemessen, dass die Richtung der Größe von etwa 45 µm der Dickenrichtung der Metallplatte 64 entspricht. Deshalb wird die Fläche des Querschnitts der Metallplatte 64, der in einer Aufnahme beobachtet wird (nachfolgend als „effektiver Messbereich“ bezeichnet) als „Dicke der Metallplatte 64 (13 bis 14 µm) × etwa 60 µm“ ausgedrückt.
Wenn die Anzahl von Kristallkörnern, die in dem Messbereich erscheinen, kleiner als 1000 ist, wurde ein Bild erzeugt, in dem 1000 oder mehr Kristallkörner erschienen, indem eine Aufnahme an einer Vielzahl von Positionen eines Querschnitts der Metallplatte 64 aufgenommen wurden, während der Messzielbereich um etwa 50 µm auf einmal verschoben wurde, und die Vielzahl von Aufnahmen miteinander verbunden wurden.
Wenn die mittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern klein war, wurde die Beobachtungsvergrößerung im SEM als 5000-fach bestimmt. Konkret wurde, wenn die mittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern kleiner als 2 µm² war (in den Fällen der Beispiele 1 bis 9, 15 und 16, die später beschrieben werden), wurde die Beobachtungsvergrößerung im SEM als 5000-fach festgelegt.
Wenn hierbei die Beobachtungsvergrößerung im SEM 5000-fach beträgt (der Beobachtungsvergrößerungsstandard zum Zeitpunkt der Aufnahme ist Polaroid 545), beträgt die Größe der Aufnahme 24 µm × etwa 18 µm. In diesem Fall wird ein Querschnitt einer Metallplatte 64 derart gemessen, dass die Richtung der Größe von etwa 18 µm der Dickenrichtung der Metallplatte 64 entspricht.
Wenn die mittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern weniger als 2 µm² betrug, konnten 1000 oder mehr Kristallkörner bei einer Messung (eine Aufnahme) beobachtet werden. Deshalb bestand keine Notwendigkeit, eine Vielzahl von Aufnahmen zu verbinden.
Die Kristallausrichtungsanalysesoftware OIM (Version 7.3), die von TSL Solutions hergestellt wird, wurde als Software zur EBSD-Musteranalyse verwendet.
In dem EBSD-Musteranalyseschritt wurde die Analyse durch das Flächenverfahren unter Bedingungen durchgeführt, bei denen ein Abschnitt mit einer abweichenden Kristallausrichtung von 5 Grad oder mehr als Kristallkorngrenze 52 erkannt wurde. Zudem wurde in dem Analyseschritt eine Analyse durchgeführt, während Daten mit einem CI-Wert von 0,15 oder weniger ausgeschlossen wurden, wobei der Wert durch die Kristallausrichtungsanalysesoftware OIM (Version 7.3) definiert wurde. Dies macht es möglich, die Wirkungen des Harzes, das in der Vorhandlung verwendet wurde, das an den vorderen und hinteren Oberflächen der Probe 56 vorhanden ist, und/oder der kristallinen oder amorphen Korngrenzen, die in dem Querschnitt der Probe 56 vorhanden sind, zu beseitigen. Zur Analyse durch das Flächenverfahren wird der Durchschnittswert der Querschnittsfläche von Kristallkörnern mit einem CI-Wert von mehr als 0,15 durch ein Flächenfraktionsverfahren berechnet und als die mittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern designiert. Bei dem Flächenfraktionsverfahren, wenn die Gesamtfläche des Messbereichs einschließlich Kristallen in Querschnittsflächen a, b, c und d gleich 100 beträgt, wird die mittlere Querschnittsfläche einer Flächengewichtung wie in der folgenden Formel (1) berechnet: $mittlere Querschnittsfläche = (a \times a / 100) + (b \times b / 100) + (c \times c / 100) + (d \times d / 100)$
In der folgenden Beschreibung wird die mittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern, welche durch die Analyse durch das Flächenverfahren mittels des Flächenfraktionsverfahrens berechnet wird, nachdem Daten mit einem CI-Wert von 0,15 oder weniger ausgeschlossen wurde, auch als die flächenmittlere Querschnittsfläche bezeichnet. Die oben genannte mittlere Querschnittsfläche, deren bevorzugter Bereich durch den oben genannten ersten Grenzwert und zweiten Grenzwert bestimmt wird, ist die flächenmittlere Querschnittsfläche.
Zudem wird die mittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern, die durch die Analyse mittels des Anzahlverfahrens berechnet wird, nachdem Daten mit einem CI-Wert von kleiner gleich 0,15 ausgeschlossen wurden, auch als die zahlenmittlere Querschnittsfläche bezeichnet. Analog zu dem Fall der flächenmittleren Querschnittsfläche wurde als Software zur Analyse eines EBSD-Musters eine Kristallausrichtungsanalysesoftware OIM (Version 7.3), hergestellt durch TSL Solutions, verwendet. Auch bei der Berechnung der zahlenmittleren Querschnittsfläche erfolgte eine Analyse durch das Flächenverfahren unter Bedingungen, bei denen ein Abschnitt mit einer abweichenden Kristallausrichtung von größer gleich 5 Grad als eine Kristallkorngrenze 52 erkannt wird, indem Daten mit einem CI-Wert von kleiner gleich 0,15 ausgeschlossen wurden, wobei der Wert durch die Kristallausrichtungsanalysesoftware OIM (Version 7.3) definiert ist. Der Durchschnittswert der Querschnittsfläche von Kristallkörnern mit einem CI-Wert von größer gleich 0,15 wurde durch das Anzahlverfahren berechnet und wurde als die zahlenmittlere Querschnittfläche von Kristallkörnern eingesetzt. Bei dem oben erwähnten Flächenfraktionsverfahren wird die mittlere Querschnittsfläche in Anbetracht einer Flächengewichtung berechnet. Bei dem Anzahlverfahren hingegen wird die mittlere Querschnittsfläche in Anbetracht aller Kristallkörner berechnet, die gleichgewichtet unabhängig von der Fläche analysiert werden sollen.
Als nächstes wurde eine Abscheidungsmaske 20 unter Verwendung einer Metallplatte 64 hergestellt. Danach wurde die Festigkeit der Metallplatte 64, welche die Abscheidungsmaske 20 darstellt, bewertet. Konkret wurde beobachtet, ob ein deformierter Abschnitt 28 wie beispielsweise eine Ausnehmung an der Oberfläche der erhaltenen Abscheidungsmaske 20 vorhanden oder nicht vorhanden war, indem die Abscheidungsmaske 20 mit Licht L1 wie in 17 dargestellt bestrahlt wurde. Im Ergebnis gab es keinen deformierten Abschnitt 28.
Die Bedingungen zur Beobachtung der Oberfläche der Abscheidungsmaske 20 sind wie folgt:

• Beleuchtungsstärke von Licht L1: 500 Lux bis 2000 Lux, z.B. 1000 Lux
• Lichtquelle von Licht L1: Dreiwellenlängen-Leuchtstofflampe
• Einfallwinkel von Licht L1: 15 Grad bis 45 Grad
• Abstand von der Lichtquelle zu der Oberfläche der Abscheidungsmaske: 30 cm bis 100 cm, z.B. 50 cm
• Abstand von dem Sichtpunkt zu der Oberfläche der Abscheidungsmaske: 15 cm

Als nächstes wird eine Schweißneigung der Abscheidungsmaske 20 bewertet. Konkret wurde ein Laschenabschnitt 17 einer Abscheidungsmaske 20 mit Laserlicht L2 bestrahlt, um den Laschenabschnitt 17 an den Rahmen 15 zu schweißen, und die Schweißfestigkeit zwischen dem Laschenabschnitt 17 und dem Rahmen 15 wurde gemessen. Die Bedingungen des Schweißens des Laschenabschnitts 17 an den Rahmen 15 sind wie folgt.

• Wellenlänge von Laserlicht L2: 255 nm
• Fleckdurchmesser von Laserlicht L2: 200 µm
• Ausgabe von Laserlicht L2: 0,3 W
• Bestrahlungszeit von Laserlicht L2: 0,3 ms

Die Schweißfestigkeit ist der Grad an Kraft, der aufgebracht werden muss, um den Laschenabschnitt 17 der Abscheidungsmaske 20, der über den geschweißten Abschnitt 19 an dem Rahmen 15 geschweißt ist, von dem Rahmen 15 zu lösen. 24 ist eine Ansicht, die ein Beispiel eines Verfahrens zur Messung der Schweißfestigkeit eines geschweißten Abschnitts 19 zeigt. In dem Schritt zur Messung der Schweißfestigkeit wird zunächst eine Probe 17S, die durch Schneiden eines Teils des Laschenabschnitts 17 der Abscheidungsmaske erhalten wird, an den Rahmen 15 geschweißt. Dann wird, wie in 24 dargestellt, eine Zugkraft E in Richtung entlang der Normalenrichtung des Rahmens 15 an dem Ende in der Längsrichtung der Probe 17S aufgebracht. In diesem Fall entspricht die Zugkraft E, bei der die Probe 17S bricht oder die Probe 17S von dem Rahmen 15 abgezogen wird, der Schweißfestigkeit der geschweißten Abschnitts 19. Hierbei ist die Längsrichtung der Probe 17S parallel zu der Walzrichtung D1 der Metallplatte 64. Eine Abscheidungsmaske 20 wird normalerweise aus einer Metallplatte 64 derart hergestellt, dass die Längsrichtung der Abscheidungsmaske 20 parallel zu der Walzrichtung D1 der Metallplatte 64 ist. Deshalb kann die Walzrichtung D1 basierend auf der Längsrichtung der Abscheidungsmaske 20 erkannt werden.
Zudem kann eine Abscheidungsmaske 20 aus einer Metallplatte 64 derart hergestellt werden, dass die Längsrichtung der Abscheidungsmaske 20 nicht-parallel zu der Walzrichtung D1 der Metallplatte 64 ist. In diesem Fall kann die Walzrichtung D1 basierend auf der Richtung identifiziert werden, in der sich Kristallkörner der Metallplatte 64 erstrecken. Dies ist darauf zurückzuführen, weil Kristallkörner sich parallel zu der Walzrichtung D1 der Metallplatte 64, die durch Walzen hergestellt wurde, erstrecken.
Es wurden sieben Proben 17S von einer Abscheidungsmaske 20 präpariert, und die Schweißfestigkeit wurde für jede Probe 17S gemessen. Im Ergebnis betrug der Durchschnittswert der Schweißfestigkeit 157 mN. Zudem wurden Risse in der Grenze zwischen dem geschweißten Abschnitt 19 und dessen umgebenden Abschnitt erzeugt.
(Beispiele 2 bis 16)
Metallplatten 64 gemäß den Beispielen 2 bis 16 wurden durch Veränderung der Dicke und/oder Zusammensetzung und/oder Herstellungsbedingungen der Metallplatte in Beispiel 1 präpariert. Die Dicken der Metallplatten 64 in den Beispielen sind unten beschrieben. In den Beispielen 1 bis 8 und den Beispielen 10 bis 14 wurde die Metallplatte 64 durch Walzen eines Grundmetalls aus einer Eisenlegierung hergestellt. In den Beispielen 9, 15 und 16 hingegen wurde die Metallplatte 64 durch den Folienerzeugungsschritt mittels des Plattierungsprozesses hergestellt. Bezüglich der Beispiele, in denen die Metallplatte 64 durch Walzen hergestellt wurde, werden die Dicke T1 vor dem Walzen und die Walzreduktion nachfolgend zusammen mit der Dicke T2 nach dem Walzen für jede Metallplatte beschrieben.

• Beispiel 2: T1 = 100 µm, T2 = 35 µm, Walzreduktion = 65%
• Beispiel 3: T1 = 100 µm, T2 = 30 µm, Walzreduktion = 70%
• Beispiel 4: T1 = 75 µm, T2 = 30 µm, Walzreduktion = 60%
• Beispiel 5: T1 = 100 µm, T2 = 25 µm, Walzreduktion = 75%
• Beispiel 6: T1 = 50 µm, T2 = 20 µm, Walzreduktion = 60%
• Beispiel 7: T1 = 80 µm, T2 = 20 µm, Walzreduktion = 75%
• Beispiel 8: T1 = 100 µm, T2 = 20 µm, Walzreduktion = 80%
• Beispiel 9: 20 µm
• Beispiel 10: T1 = 37.5 µm, T2 = 15 µm, Walzreduktion = 60%
• Beispiel 11: T1 = 50 µm, T2 = 15 µm, Walzreduktion = 70%
• Beispiel 12: T1 = 100 µm, T2 = 15 µm, Walzreduktion = 85%
• Beispiel 13: T1 = 300 µm, T2 = 15 µm, Walzreduktion = 95%
• Beispiel 14: T1 = 100 µm, T2 = 13 µm, Walzreduktion = 87%
• Beispiel 15 and Beispiel 16: 10 µm

Zudem wurde wie in dem Fall von Beispiel 1 die flächenmittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern und die zahlenmittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern an einem Querschnitts der Metallplatte 64 in jedem der Beispiele 2 bis 16 berechnet. 25 fasst die Ergebnisse zusammen. In der Spalte „Beurteilung“ in 25 bedeutet „OK“, dass die flächenmittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern zwischen 0,5 µm² und 50 µm² lag. Zudem bedeutet „Nicht OK“, dass die flächenmittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern geringer als 0,5 µm² oder mehr als 50 µm² betrug.
Ferner wurde wie in dem Fall von Beispiel 1 eine Abscheidungsmaske 20 unter Verwendung der Metallplatte 64 in jedem der Beispiele 2 bis 16 hergestellt. Als nächstes wurde wie in dem Fall von Beispiel 1 beobachtet, ob ein deformierter Abschnitt 28 wie beispielsweise eine Vertiefung an der Oberfläche der erhaltenen Abscheidungsmaske 20 vorhanden oder nicht vorhanden war. Ferner wurde wie in dem Fall von Beispiel 1 die Schweißfestigkeit gemessen, indem der Laschenabschnitt 17 der Abscheidungsmaske 20 an den Rahmen 15 geschweißt wurde. 25 fasst die Ergebnisse zusammen.
In den Beispielen 9, 15 und 16 betrug die flächenmittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern der Metallplatte 64 weniger als 0,5 µm². Im Ergebnis wurde herausgefunden, dass die Schweißfestigkeit weniger als 200 mN betrug. Zudem entstanden Risse in dem Grenzbereich zwischen dem geschweißten Abschnitt 19 und dessen umgebenden Abschnitt.
In Beispiel 4 und den Beispielen 6 bis 10 betrug die flächenmittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern der Metallplatte 64 mehr als 50 µm². Im Ergebnis waren deformierte Abschnitte 28 wie beispielsweise Vertiefungen an der Oberfläche der Abscheidungsmaske 20 vorhanden.
Die flächenmittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern war hingegen zwischen 0,5 µm² und 50 µm² für die Metallplatten 64 mit einer Dicke von 10 µm bis 30 µm in den Beispielen 3, 5, 7, 8 und 11 bis 14. Im Ergebnis war es möglich, eine Schweißfestigkeit von 200 mN oder mehr, insbesondere 220 mN oder mehr zu erzielen. Zudem war es möglich, die Bildung eines deformierten Abschnitts 28 wie beispielsweise einer Vertiefung der Oberfläche der Abscheidungsmaske 20 zu unterbinden. Dies bedeutet, dass es möglich war, es der Metallplatte 64 zu gestatten, sowohl Festigkeit als auch Schweißneigung zu besitzen.
Obgleich die flächenmittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern mehr als 50 µm² für die Metallplatten 64 mit einer Dicke von 35 µm oder mehr in den Beispielen 1 und 2 betrug, wurde kein deformierter Abschnitt 28 wie beispielsweise eine Vertiefung an der Oberfläche der Abscheidungsmaske 20 gefunden. Es wird angenommen, dass weil die Dicke der Abscheidungsmaske 20 groß war und daher die Abscheidungsmaske 20 eine ausreichende Festigkeit besaß, ein deformierter Abschnitt 28 wie beispielsweise eine Vertiefung bzw. Ausnehmung unabhängig von der flächenmittleren Querschnittsfläche von Kristallkörnern nicht gefunden wurde. Dementsprechend kann gesagt werden, dass der Referenzwert der flächenmittleren Querschnittsfläche von Kristallkörnern, der auf 50 µm² oder mehr in dieser Ausführungsform eingestellt ist, insbesondere dann wirksam ist, wenn die Dicke der Metallplatte 64 30 µm oder weniger oder weniger beträgt. Hierbei ist die Metallplatte 64 mit einer Dicke von 35 µm oder mehr, dargestellt in den Beispielen 1 und 2, nachteilhafter als die Metallplatte 64 mit einer Dicke von 30 µm oder weniger, da die Nutzungseffizienz des Abscheidungsmaterials 98 in der Abscheidungsmaske 20, die aus der Metallplatte 64 hergestellt ist, verringert ist.
26 ist ein Streudiagramm von Datensätzen zu den Metallplatten 64 in den jeweiligen Beispielen, in dem die Abszisse die Dicke der Metallplatte 64 darstellt und die Ordinate die flächenmittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern der Metallplatte 64 darstellt. In 26 stellt die Markierung „O“ ein Beispiel dar, bei dem die Schweißfestigkeit 200 mN oder mehr betrug und kein deformierter Abschnitt 28 entstand. Die Markierung „Δ“ stellt ein Beispiel dar, bei dem die Schweißfestigkeit weniger als 200 mN betrug. Die Markierung „□“ stellt ein Beispiel dar, in dem deformierte Abschnitte 28 gebildet wurden. Zudem ist in 26 der Bereich, der von einer gepunkteten Linie umgeben wird, ein Bereich, in dem die Metallplatte 64 eine Dicke von 30 µm oder weniger und eine flächenmittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern zwischen 0,5 µm² und 50 µm² aufwies. Wie aus 26 ersichtlich wurde es der Metallplatte 64 in dem Bereich, der von einer gepunkteten Linie umgeben wird, ermöglicht, Festigkeit und Schweißneigung zu haben.
30 ist ein Streudiagramm von Datensätzen an den Metallplatten 64 in den jeweiligen Beispielen, in dem die Abszisse die Dicke der Metallplatte 64 darstellt und die Ordinate die zahlenmittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern der Metallplatte 64 darstellt. In 30 stellt die Markierung „O“ ein Beispiel dar, in dem die Schweißfestigkeit größer gleich 200 mN betrug und kein deformierter Abschnitt 28 gebildet wurde. Die Markierung „Δ“ stellt ein Beispiel dar, bei dem die Schweißfestigkeit weniger als 200 mN betrug. Die Markierung „□“ stellt ein Beispiel dar, bei dem deformierte Abschnitte 28 entstanden sind. Zudem ist in 30 der Bereich, der von einer gepunkteten Linie umgeben wird, ein Bereich, in dem die Metallplatte 64 eine Dicke von größer gleich 30 µm und eine zahlenmittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern zwischen 0,2 µm² und 3,2 µm² besaß. Wie der 30 zu entnehmen ist, wurde es der Metallplatte 64 in dem Bereich, der von einer gepunkteten Linie umgeben wird, ermöglicht, Festigkeit und Schweißneigung zu besitzen.
In dem in 31 dargestellten Schaubild stellen die Abszisse und die Ordinate die flächenmittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern und die zahlenmittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern der Metallplatten gemäß Beispielen 1 bis 16 dar. Wie der 31 zu entnehmen ist, korreliert die flächenmittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern in den Metallplatten gemäß den Beispielen 1 bis 16 mit der zahlenmittleren Querschnittsfläche.
Bezugszeichenliste

10: Abscheidungsmaskenvorrichtung
15: Rahmen
19: geschweißter Abschnitt
20: Abscheidungsmaske
22: Wirkfläche
23: Umgebungsbereich
25: Durchgangsöffnung
30: erste Vertiefung
31: Wandfläche
35: zweite Vertiefung
36: Wandfläche
41: Verbindungsabschnitt
41a: Chipabschnitt
43: oberer Abschnitt
50: Prüfstück
51: Kristallkorn
52: Kristallkorngrenze
54: Riss
55: Harz
56: Probe
57: Objektivlinse
58: EBSD-Detektor
59: Herstellungsvorrichtung
64: Metallplatte
65a: erstes Resistmuster
65b: zweites Resistmuster
70: Bearbeitungsvorrichtung
72: Förderrolle
90: Abscheidungsvorrichtung
92: organisches EL-Substrat
98: Abscheidungsmaterial

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
Zitierte Patentliteratur

JP 5382259 [0005]
JP 2001234385 A [0005]
JP 2016148112 A [0148]

Claims

Metallplatte, die zur Herstellung einer Abscheidungsmaske verwendet wird, wobei die Metallplatte aus einem Walzstahl aus einer Eisenlegierung hergestellt ist, die zumindest Nickel enthält und eine Dicke von kleiner gleich 30 µm besitzt, wobei eine mittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern an einem Querschnitt der Metallplatte 0,5 µm² bis 50 µm² beträgt, der Querschnitt bezogen auf eine zur Walzrichtung der Metallplatte senkrechte Ebene einen Winkel von -10° bis +10° hat, und wobei die mittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern durch Analysieren von Messergebnissen errechnet wird, die durch ein EBSD-Verfahren erhalten werden, wobei die Messergebnisse durch ein Flächenverfahren unter Bedingungen analysiert werden, bei denen ein Abschnitt mit einer abweichenden Kristallausrichtung von größer gleich 5 Grad als Kristallkorngrenze erkannt wird.
Metallplatte nach Anspruch 1, wobei ein Gesamtgehalt von Nickel und Kobalt in dem Walzstahl 30 bis 38 Massenprozent beträgt.
Metallplatte, die zur Herstellung einer Abscheidungsmaske verwendet wird, wobei die Metallplatte aus einer Plattierungsfolie aus einer Eisenlegierung hergestellt ist, die zumindest Nickel enthält und eine Dicke von kleiner gleich 30 µm besitzt, wobei eine mittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern an einem Querschnitt der Metallplatte 0,5 µm² bis 50 µm² beträgt, wobei der Querschnitt bezogen auf eine zur Längsrichtung der Plattierungsfolie senkrechte Ebene einen Winkel von -10° bis +10° hat, und wobei die mittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern durch Analysieren von Messergebnissen errechnet wird, die durch ein EBSD-Verfahren erhalten werden, wobei die Messergebnisse durch ein Flächenverfahren unter Bedingungen analysiert werden, bei denen ein Abschnitt mit einer abweichenden Kristallausrichtung von 5 Grad oder mehr als Kristallkorngrenze erkannt wird.
Metallplatte nach Anspruch 3, wobei ein Gesamtgehalt von Nickel und Kobalt in der Plattierungsfolie 38 bis 54 Massenprozent beträgt.
Metallplatte nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die mittlere Querschnittsfläche der Kristallkörner größer gleich 2,0 µm² ist.
Metallplatte nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die Metallplatte eine Dicke von größer gleich 13 µm hat.
Abscheidungsmaske, mit: einer Metallplatte, und in der Metallplatte gebildeten Durchgangsöffnungen, wobei die Metallplatte aus einem Walzstahl aus einer Eisenlegierung hergestellt ist, die zumindest Nickel enthält und eine Dicke von kleiner gleich 30 µm besitzt, wobei eine mittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern an einem Querschnitt der Metallplatte 0,5 µm² bis 50 µm² beträgt, wobei der Querschnitt einen Winkel von -10° bis +10° bezogen auf eine zu einer Walzrichtung der Metallplatte senkrechte Ebene hat, und wobei die mittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern durch Analysieren von Messergebnissen errechnet wird, die durch ein EBSD-Verfahren erhalten werden, wobei die Messergebnisse durch ein Flächenverfahren unter Bedingungen analysiert werden, bei denen ein Abschnitt mit einer abweichenden Kristallausrichtung von größer gleich 5 Grad als Kristallkorngrenze erkannt wird.
Abscheidungsmaske nach Anspruch 7, wobei ein Gesamtgehalt von Nickel und Kobalt in dem Walzstahl 30 bis 38 Massenprozent beträgt.
Abscheidungsmaske, mit einer Metallplatte, und in der Metallplatte gebildeten Durchgangsöffnungen, wobei die Metallplatte aus einer Plattierungsfolie aus einer Eisenlegierung hergestellt ist, die zumindest Nickel enthält und eine Dicke von kleiner gleich 30µm besitzt, wobei eine mittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern an einem Querschnitt der Metallplatte 0,5 µm² bis 50 µm² beträgt, wobei der Querschnitt einen Winkel von -10° bis +10° bezogen auf eine zur Längsrichtung der Plattierungsfolie senkrechte Ebene hat, und wobei die mittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern durch Analysieren von Messergebnissen errechnet wird, die durch ein EBSD-Verfahren erhalten werden, wobei die Messergebnisse durch ein Flächenverfahren unter Bedingungen analysiert werden, bei denen ein Abschnitt mit einer abweichenden Kristallausrichtung von 5 Grad oder mehr als Kristallkorngrenze erkannt wird.
Abscheidungsmaske nach Anspruch 9, wobei ein Gesamtgehalt von Nickel und Kobalt in der Plattierungsfolie 38 bis 54 Massenprozent beträgt.
Abscheidungsmaske nach einem der Ansprüche 7 bis 10, wobei die mittlere Querschnittsfläche der Kristallkörner größer gleich 2,0 µm² ist.
Abscheidungsmaske nach einem der Ansprüche 7 bis 11, wobei die Metallplatte eine Dicke von größer gleich 13 µm hat.
Abscheidungsmaskenvorrichtung, aufweisend die Abscheidungsmaske nach einem der Ansprüche 7 bis 12, und einen Rahmen, der die daran angeschweißte Abscheidungsmaske hält.
Verfahren zur Herstellung einer Abscheidungsmaske, umfassend: einen Schritt zur Herstellung der Metallplatte nach einem der Ansprüche 1 bis 6; einen Schritt zum Transportieren der Metallplatte entlang einer Längsrichtung; und einen Schritt zum Bilden von Durchgangsöffnungen in der Metallplatte.
Verfahren zur Herstellung einer Metallplatte, die zur Herstellung einer Abscheidungsmaske verwendet wird, umfassend: einen Vorbereitungsschritt zum Erhalten der Metallplatte, die aus einer Eisenlegierung hergestellt wird, die zumindest Nickel enthält und eine Dicke von kleiner gleich 30 µm hat, in Form eines Walzstahls mittels Walzen, wobei eine mittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern an einem Querschnitt der Metallplatte 0,5 µm² bis 50 µm² beträgt, wobei der Querschnitt einen Winkel von - 10° bis +10° bezogen auf eine zur einer Walzrichtung des Walzstahls senkrechte Ebene hat, und wobei die mittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern durch Analysieren von Messergebnissen errechnet wird, die durch ein EBSD-Verfahren erhalten werden, wobei die Messergebnisse durch ein Flächenverfahren unter Bedingungen analysiert werden, bei denen ein Abschnitt mit einer abweichenden Kristallausrichtung von größer gleich 5 Grad als Kristallkorngrenze erkannt wird.
Verfahren zur Herstellung einer Metallplatte nach Anspruch 15, wobei der Vorbereitungsschritt einen Glühschritt des Glühens der mittels Walzen erhaltenen Metallplatte bei 500 °C bis 600°C für 30 bis 90 Sekunden während des Transports umfasst.
Verfahren zur Herstellung einer Metallplatte, die zur Herstellung einer Abscheidungsmaske verwendet wird, umfassend einen Vorbereitungsschritt zum Erhalt der Metallplatte, die aus einer Eisenlegierung hergestellt wird, die zumindest Nickel enthält und eine Dicke vom kleiner gleich 30 µm hat, in der Form einer Plattierungsfolie mittels Plattierung, wobei eine mittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern an einem Querschnitt der Metallplatte 0,5 µm² bis 50 µm² beträgt, wobei der Querschnitt einen Winkel von -10° bis +10° bezogen auf eine zu einer Längsrichtung der Plattierungsfolie senkrechte Ebene hat, und wobei die mittlere Querschnittsfläche von Kristallkörnern durch Analysieren von Messergebnissen errechnet wird, die durch ein EBSD-Verfahren erhalten werden, wobei die Messergebnisse durch ein Flächenverfahren unter Bedingungen analysiert werden, bei denen ein Abschnitt mit einer abweichenden Kristallausrichtung von 5 Grad oder mehr als Kristallkorngrenze erkannt wird.
Verfahren zur Herstellung einer Metallplatte nach Anspruch 17, wobei der Vorbereitungsschritt umfasst: einen Schritt zum Bilden einer Plattierungsfolie auf einer Oberfläche einer Trommel, die teilweise in eine Plattierungsflüssigkeit getaucht ist, während die Trommel gedreht wird; und einen Schritt zum Erhalten der aus der Plattierungsfolie hergestellten Metallplatte in der länglichen Form durch Entfernen der Plattierungsfolie von der Trommel.