WO2019098167A1 - 蒸着マスクを製造するための金属板及び金属板の製造方法並びに蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法及び蒸着マスクを備える蒸着マスク装置 - Google Patents

蒸着マスクを製造するための金属板及び金属板の製造方法並びに蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法及び蒸着マスクを備える蒸着マスク装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2019098167A1
WO2019098167A1 PCT/JP2018/041918 JP2018041918W WO2019098167A1 WO 2019098167 A1 WO2019098167 A1 WO 2019098167A1 JP 2018041918 W JP2018041918 W JP 2018041918W WO 2019098167 A1 WO2019098167 A1 WO 2019098167A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
metal plate
deposition mask
less
vapor deposition
crystal grains
Prior art date
Application number
PCT/JP2018/041918
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
知加雄 池永
千秋 初田
宏樹 岡
幸代 松浦
英介 岡本
昌人 牛草
Original Assignee
大日本印刷株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=66496400&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=WO2019098167(A1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 大日本印刷株式会社 filed Critical 大日本印刷株式会社
Priority to EP18879989.4A priority Critical patent/EP3712296A4/en
Priority to KR1020237036866A priority patent/KR20230154477A/ko
Priority to KR1020207016170A priority patent/KR102596249B1/ko
Priority to JP2019554213A priority patent/JP7167936B2/ja
Priority to JP2019090946A priority patent/JP6792829B2/ja
Publication of WO2019098167A1 publication Critical patent/WO2019098167A1/ja
Priority to US16/580,401 priority patent/US20200017951A1/en
Priority to DE202019006014.6U priority patent/DE202019006014U1/de
Priority to EP19208503.3A priority patent/EP3653747A1/en
Priority to US16/680,942 priority patent/US20200149139A1/en
Priority to DE102019007831.4A priority patent/DE102019007831A1/de
Priority to CN201911106045.6A priority patent/CN111455312B/zh
Priority to TW108141150A priority patent/TWI832926B/zh
Priority to KR1020190145054A priority patent/KR102650066B1/ko
Priority to JP2020180588A priority patent/JP7478359B2/ja
Priority to US17/168,496 priority patent/US20210157232A1/en
Priority to JP2022169266A priority patent/JP7478364B2/ja
Priority to KR1020240037054A priority patent/KR20240040693A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0035—Multiple processes, e.g. applying a further resist layer on an already in a previously step, processed pattern or textured surface
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
    • G01N23/20008—Constructional details of analysers, e.g. characterised by X-ray source, detector or optical system; Accessories therefor; Preparing specimens therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B21—MECHANICAL METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
    • B21B—ROLLING OF METAL
    • B21B1/00—Metal-rolling methods or mills for making semi-finished products of solid or profiled cross-section; Sequence of operations in milling trains; Layout of rolling-mill plant, e.g. grouping of stands; Succession of passes or of sectional pass alternations
    • B21B1/22—Metal-rolling methods or mills for making semi-finished products of solid or profiled cross-section; Sequence of operations in milling trains; Layout of rolling-mill plant, e.g. grouping of stands; Succession of passes or of sectional pass alternations for rolling plates, strips, bands or sheets of indefinite length
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C21—METALLURGY OF IRON
    • C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
    • C21D1/00—General methods or devices for heat treatment, e.g. annealing, hardening, quenching or tempering
    • C21D1/26—Methods of annealing
    • C21D1/30—Stress-relieving
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C21—METALLURGY OF IRON
    • C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
    • C21D1/00—General methods or devices for heat treatment, e.g. annealing, hardening, quenching or tempering
    • C21D1/74—Methods of treatment in inert gas, controlled atmosphere, vacuum or pulverulent material
    • C21D1/76—Adjusting the composition of the atmosphere
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C21—METALLURGY OF IRON
    • C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
    • C21D6/00—Heat treatment of ferrous alloys
    • C21D6/001—Heat treatment of ferrous alloys containing Ni
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C21—METALLURGY OF IRON
    • C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
    • C21D6/00—Heat treatment of ferrous alloys
    • C21D6/007—Heat treatment of ferrous alloys containing Co
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C21—METALLURGY OF IRON
    • C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
    • C21D8/00—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment
    • C21D8/02—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of plates or strips
    • C21D8/0221—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of plates or strips characterised by the working steps
    • C21D8/0236—Cold rolling
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C21—METALLURGY OF IRON
    • C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
    • C21D8/00—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment
    • C21D8/02—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of plates or strips
    • C21D8/0247—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of plates or strips characterised by the heat treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C21—METALLURGY OF IRON
    • C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
    • C21D8/00—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment
    • C21D8/02—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of plates or strips
    • C21D8/0278—Modifying the physical properties by deformation combined with, or followed by, heat treatment during manufacturing of plates or strips involving a particular surface treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C21—METALLURGY OF IRON
    • C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
    • C21D9/00—Heat treatment, e.g. annealing, hardening, quenching or tempering, adapted for particular articles; Furnaces therefor
    • C21D9/46—Heat treatment, e.g. annealing, hardening, quenching or tempering, adapted for particular articles; Furnaces therefor for sheet metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C38/00—Ferrous alloys, e.g. steel alloys
    • C22C38/08—Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing nickel
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
    • C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/02—Local etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10—Etching compositions
    • C23F1/14—Aqueous compositions
    • C23F1/16—Acidic compositions
    • C23F1/28—Acidic compositions for etching iron group metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D1/00—Electroforming
    • C25D1/04—Wires; Strips; Foils
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
    • C25D3/562—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys containing more than 50% by weight of iron or nickel or cobalt
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N1/00—Sampling; Preparing specimens for investigation
    • G01N1/28—Preparing specimens for investigation including physical details of (bio-)chemical methods covered elsewhere, e.g. G01N33/50, C12Q
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
    • G01N23/20058—Measuring diffraction of electrons, e.g. low energy electron diffraction [LEED] method or reflection high energy electron diffraction [RHEED] method
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/20—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials
    • G01N23/203—Measuring back scattering
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0015—Production of aperture devices, microporous systems or stamps
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/002—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor using materials containing microcapsules; Preparing or processing such materials, e.g. by pressure; Devices or apparatus specially designed therefor
    • G03F7/0022—Devices or apparatus
    • G03F7/0027—Devices or apparatus characterised by pressure means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2008—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the reflectors, diffusers, light or heat filtering means or anti-reflective means used
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2022—Multi-step exposure, e.g. hybrid; backside exposure; blanket exposure, e.g. for image reversal; edge exposure, e.g. for edge bead removal; corrective exposure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/3002—Details
    • H01J37/3005—Observing the objects or the point of impact on the object
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C21—METALLURGY OF IRON
    • C21D—MODIFYING THE PHYSICAL STRUCTURE OF FERROUS METALS; GENERAL DEVICES FOR HEAT TREATMENT OF FERROUS OR NON-FERROUS METALS OR ALLOYS; MAKING METAL MALLEABLE, e.g. BY DECARBURISATION OR TEMPERING
    • C21D2261/00—Machining or cutting being involved
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C38/00—Ferrous alloys, e.g. steel alloys
    • C22C38/10—Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing cobalt
    • C22C38/105—Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing cobalt containing Co and Ni
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/05—Investigating materials by wave or particle radiation by diffraction, scatter or reflection
    • G01N2223/053—Investigating materials by wave or particle radiation by diffraction, scatter or reflection back scatter
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/05—Investigating materials by wave or particle radiation by diffraction, scatter or reflection
    • G01N2223/056—Investigating materials by wave or particle radiation by diffraction, scatter or reflection diffraction
    • G01N2223/0565—Investigating materials by wave or particle radiation by diffraction, scatter or reflection diffraction diffraction of electrons, e.g. LEED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Definitions

  • Embodiments of the present disclosure relate to a metal plate for manufacturing a deposition mask and a method of manufacturing the metal plate.
  • an embodiment of the present disclosure relates to a deposition mask, a method of manufacturing the deposition mask, and a deposition mask apparatus including the deposition mask.
  • a pixel density of 500 ppi or more is required for a display device used in a portable device such as a smartphone or a tablet PC.
  • a portable device such as a smartphone or a tablet PC.
  • UHD ultra high definition
  • the pixel density of the display device is, for example, 800 ppi or more.
  • organic EL display devices have attracted attention because of their high responsiveness, low power consumption, and high contrast.
  • a method of forming the pixels of the organic EL display device there is known a method of forming the pixels with a desired pattern using a vapor deposition mask in which through holes arranged in a desired pattern are formed. Specifically, first, a deposition mask is brought into close contact with a substrate for an organic EL display device, and then the deposition mask and the substrate brought into close contact are both loaded into a deposition apparatus, and an organic material is deposited onto the substrate I do.
  • pixels including an organic material can be formed on the substrate in a pattern corresponding to the pattern of the through holes of the deposition mask.
  • the method of forming a through-hole in a metal plate by the etching using a photolithographic technique is known. For example, first, a first resist pattern is formed on the first surface of the metal plate by exposure and development, and a second resist pattern is formed on the second surface of the metal plate by exposure and development. Next, the area
  • region which is not covered by the 2nd resist pattern among the 2nd surfaces of a metal plate is etched, and a 2nd recessed part is formed in the 2nd surface of a metal plate.
  • the through-hole which penetrates a metal plate can be formed by etching so that a 1st recessed part and a 2nd recessed part may connect.
  • the metal plate for producing a vapor deposition mask is produced, for example, by rolling a base material made of a metal such as an iron alloy containing nickel.
  • a method of manufacturing a deposition mask a method of manufacturing a deposition mask using a plating process is known. For example, first, a conductive substrate is prepared. Next, a resist pattern is formed on the base material with a predetermined gap. The resist pattern is provided at a position where the through hole of the deposition mask is to be formed. Thereafter, a plating solution is supplied to the gaps between the resist patterns, and a metal layer is deposited on the substrate by electrolytic plating. Thereafter, the metal layer is separated from the substrate to obtain a deposition mask in which a plurality of through holes are formed.
  • Patent No. 5382259 gazette Unexamined-Japanese-Patent No. 2001-234385
  • the deposition mask preferably has a small thickness in order to deposit the deposition material on the substrate in a desired pattern with high accuracy.
  • the thickness of the vapor deposition mask is small, the strength of the metal plate constituting the vapor deposition mask is reduced, and plastic deformation is likely to occur in the metal plate during the manufacturing process of the vapor deposition mask or the use of the vapor deposition mask.
  • An embodiment of the present disclosure aims to provide a metal plate that can effectively solve such a problem.
  • One embodiment of the present disclosure is a metal plate used to manufacture a deposition mask, wherein the metal plate is made of a rolled material of an iron alloy containing at least nickel, and has a thickness of 30 ⁇ m or less.
  • the crystal grains appearing in the cross section forming an angle of -10 ° or more and + 10 ° or less with respect to the plane orthogonal to the rolling direction of the metal plate are measured by EBSD method and calculated by analyzing the measurement result
  • the average cross-sectional area of the crystal grains is 0.5 ⁇ m 2 or more and 50 ⁇ m 2 or less, and the average cross-sectional area is a portion obtained by the EBSD method, the difference in crystal orientation is 5 degrees or more Is a metal plate that is calculated by analysis by the area method under the condition that the grain boundary is recognized as a grain boundary.
  • the total content of nickel and cobalt in the rolled material may be 30% by mass or more and 38% by mass or less.
  • One embodiment of the present disclosure is a metal plate used to manufacture a deposition mask, wherein the metal plate is made of a plated film of an iron alloy containing at least nickel, and has a thickness of 30 ⁇ m or less.
  • the crystal grains appearing in the cross section forming an angle of -10 ° or more and + 10 ° or less with respect to the plane orthogonal to the longitudinal direction of the plating film are measured by EBSD method and calculated by analyzing the measurement result
  • the average cross-sectional area of the crystal grains is 0.5 ⁇ m 2 or more and 50 ⁇ m 2 or less, and the average cross-sectional area is a portion obtained by the EBSD method, the difference in crystal orientation is 5 degrees or more Is a metal plate that is calculated by analysis by the area method under the condition that the grain boundary is recognized as a grain boundary.
  • the total content of nickel and cobalt in the plating film may be 38% by mass or more and 54% by mass or less.
  • the average cross-sectional area of the crystal grains may be 2.0 ⁇ m 2 or more.
  • the metal plate according to an embodiment of the present disclosure may have a thickness of 13 ⁇ m or more.
  • One embodiment of the present disclosure is a vapor deposition mask comprising: a metal plate; and a through hole formed in the metal plate, wherein the metal plate is made of a rolled material of an iron alloy containing at least nickel, and is 30 ⁇ m.
  • the metal plate is made of a rolled material of an iron alloy containing at least nickel, and is 30 ⁇ m.
  • a crystal grain appearing in a cross section forming an angle of -10 ° or more and + 10 ° or less with respect to a plane orthogonal to the rolling direction of the metal plate is measured by EBSD method.
  • the average cross-sectional area of the crystal grains calculated by analyzing the measurement results is 0.5 ⁇ m 2 or more and 50 ⁇ m 2 or less, and the average cross-sectional area is the crystal orientation obtained by the EBSD method.
  • the evaporation mask is calculated by analyzing by the area method under the condition that a portion having a difference of 5 degrees or more is recognized as a grain boundary.
  • the total content of nickel and cobalt in the rolled material may be 30% by mass or more and 38% by mass or less.
  • One embodiment of the present disclosure is a vapor deposition mask, comprising: a metal plate; and a through hole formed in the metal plate, wherein the metal plate is made of a plated film of an iron alloy containing at least nickel, and 30 ⁇ m
  • the grains having the following thickness and appearing in a cross section forming an angle of -10 ° or more and + 10 ° or less with respect to a plane orthogonal to the longitudinal direction of the plating film among the cross sections of the metal plate are measured by EBSD method,
  • the average cross-sectional area of the crystal grains calculated by analyzing the measurement results is 0.5 ⁇ m 2 or more and 50 ⁇ m 2 or less, and the average cross-sectional area is the crystal orientation obtained by the EBSD method.
  • the evaporation mask is calculated by analyzing by the area method under the condition that a portion having a difference of 5 degrees or more is recognized as a grain boundary.
  • the total content of nickel and cobalt in the plating film may be 38% by mass or more and 54% by mass or less.
  • the average cross-sectional area of the crystal grains may be 2.0 ⁇ m 2 or more.
  • the metal plate may have a thickness of 10 ⁇ m or more.
  • One embodiment of the present disclosure is a deposition mask apparatus including the deposition mask described above and a frame to which the deposition mask is welded.
  • One embodiment of the present disclosure includes a process of preparing the above-described metal plate, a process of transporting the metal plate along the longitudinal direction, and a process of forming a through hole in the metal plate. It is a manufacturing method of a mask.
  • One embodiment of the present disclosure is a method of manufacturing a metal plate used to manufacture a deposition mask, wherein the metal plate made of an iron alloy containing nickel and having a thickness of 30 ⁇ m or less is rolled by a rolling method. And measuring the crystal grains appearing in a cross section forming an angle of -10 ° or more and + 10 ° or less with respect to a plane orthogonal to the rolling direction of the rolled material among the cross sections of the metal plate by EBSD method; The average cross-sectional area of the crystal grains calculated by analyzing the measurement results is 0.5 ⁇ m 2 or more and 50 ⁇ m 2 or less, and the average cross-sectional area is the crystal orientation obtained by the EBSD method.
  • the manufacturing process includes a rolling process of rolling a base material, and an annealing process of annealing the rolled base material in a range of 500 ° C. to 600 ° C. for 30 seconds to 90 seconds while conveying the base material. It is also good.
  • One embodiment of the present disclosure is a method for producing a metal plate used for producing a vapor deposition mask, which comprises plating an iron alloy containing at least nickel and having a thickness of 30 ⁇ m or less.
  • the EBSD method measures a crystal grain appearing in a cross section forming an angle of -10 ° or more and + 10 ° or less with respect to a plane orthogonal to the longitudinal direction of the plating film among the cross sections of the metal plate, including a preparation step to obtain as a plating film.
  • the average cross-sectional area of the crystal grains is 0.5 ⁇ m 2 or more and 50 ⁇ m 2 or less, which is calculated by analyzing the measurement results.
  • the average cross-sectional area is calculated by analyzing the measurement results obtained by the EBSD method by the area method under the condition that a portion with a difference of crystal orientation of 5 degrees or more is recognized as a grain boundary. It is a manufacturing method.
  • the preparation step includes the steps of forming a plating film on the surface of the drum while rotating the drum partially immersed in the plating solution, and peeling the plating film from the drum to form the elongated plating Obtaining the metal plate made of a film.
  • the strength and weldability of a metal plate having a thickness of 30 ⁇ m or less are improved.
  • FIG. 1 shows a deposition apparatus with a deposition mask apparatus according to an embodiment of the present disclosure. It is sectional drawing which shows the organic electroluminescence display manufactured using the vapor deposition mask apparatus shown in FIG. 1 is a plan view of a deposition mask apparatus according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 4 is a partial plan view showing an effective area of the deposition mask shown in FIG. 3;
  • FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line VV of FIG. 4; It is a figure which shows the process of rolling a base material and obtaining the metal plate which has desired thickness. It is a figure which shows the process of annealing the metal plate obtained by rolling. It is a figure which shows the sample containing the test piece extracted from the metal plate.
  • FIG. 1 to FIG. 22 are diagrams for describing an embodiment of the present disclosure.
  • a method of manufacturing a deposition mask used to pattern an organic material on a substrate in a desired pattern when manufacturing an organic EL display device will be described as an example.
  • the embodiments of the present disclosure can be applied to deposition masks used for various applications.
  • plate is not distinguished from one another based only on the difference in designation.
  • sheet is a concept including a member that may be called a sheet or a film.
  • plate surface refers to a plate-shaped member (sheet-shaped member (sheet-shaped member) when the target plate-shaped (sheet-shaped, film-shaped) member is viewed globally and generally. It refers to the surface that coincides with the planar direction of the member (film-like member). Moreover, the normal direction used with respect to a plate-like (sheet-like, film-like) member refers to the normal direction to the plate face (sheet face, film face) of the member.
  • the vapor deposition apparatus 90 may include a vapor deposition source (for example, a crucible 94), a heater 96, and a vapor deposition mask apparatus 10 therein. Further, the vapor deposition apparatus 90 may further include an exhaust unit for making the inside of the vapor deposition apparatus 90 a vacuum atmosphere.
  • a vapor deposition source for example, a crucible 94
  • the heater 96 heats the crucible 94 to evaporate the deposition material 98 under a vacuum atmosphere.
  • the deposition mask device 10 is disposed to face the crucible 94.
  • the deposition mask apparatus 10 may include a deposition mask 20 and a frame 15 for supporting the deposition mask 20.
  • the frame 15 supports the deposition mask 20 in a state of being pulled in the surface direction so that the deposition mask 20 is not bent.
  • the deposition mask apparatus 10 is disposed in the deposition apparatus 90 so that the deposition mask 20 faces a substrate, for example, an organic EL substrate 92, which is an object to which the deposition material 98 is to be attached.
  • the face on the organic EL substrate 92 side is referred to as the first face 20a
  • the face opposite to the first face 20a is referred to as the second face 20b.
  • the vapor deposition apparatus 90 may be provided with the magnet 93 arrange
  • the magnet 93 By providing the magnet 93, the vapor deposition mask 20 can be attracted to the magnet 93 side by magnetic force, and the vapor deposition mask 20 can be closely attached to the organic EL substrate 92.
  • FIG. 3 is a plan view showing the deposition mask device 10 as viewed from the first surface 20 a side of the deposition mask 20.
  • the deposition mask apparatus 10 may include a plurality of deposition masks 20.
  • Each vapor deposition mask 20 may include a pair of long sides 26 and a pair of short sides 27.
  • each vapor deposition mask 20 may have a rectangular shape.
  • Each vapor deposition mask 20 may be fixed to the frame 15 by welding, for example, at or near the pair of short sides 27.
  • the vapor deposition mask 20 may include a metal plate-shaped substrate on which a plurality of through holes 25 penetrating the vapor deposition mask 20 are formed.
  • the vapor deposition material 98 that has evaporated from the crucible 94 and reached the vapor deposition mask device 10 adheres to the organic EL substrate 92 through the through holes 25 of the vapor deposition mask 20.
  • the deposition material 98 can be deposited on the surface of the organic EL substrate 92 in a desired pattern corresponding to the position of the through hole 25 of the deposition mask 20.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing an organic EL display device 100 manufactured using the vapor deposition apparatus 90 of FIG.
  • the organic EL display device 100 includes an organic EL substrate 92 and pixels including a vapor deposition material 98 provided in a pattern.
  • the vapor deposition apparatus 90 on which the vapor deposition mask 20 corresponding to each color is mounted is prepared, and the organic EL substrate 92 is sequentially put into each vapor deposition apparatus 90.
  • the organic light emitting material for red, the organic light emitting material for green, and the organic light emitting material for blue can be sequentially deposited on the organic EL substrate 92.
  • vapor deposition processing may be implemented inside the vapor deposition apparatus 90 used as a high temperature atmosphere.
  • the deposition mask 20, the frame 15, and the organic EL substrate 92 held inside the deposition apparatus 90 are also heated during the deposition process.
  • substrate 92 will show the behavior of the dimensional change based on each thermal expansion coefficient.
  • frame 15 is a value equivalent to the thermal expansion coefficient of the organic electroluminescent board
  • an iron alloy containing nickel can be used as a main material of the deposition mask 20 and the frame 15.
  • the iron alloy may further contain cobalt in addition to nickel.
  • the total content of nickel and cobalt is 30% by mass or more and 54% by mass or less, and the content of cobalt is 0% by mass or more and 6% by mass or less
  • An iron alloy that is Specific examples of the iron alloy containing nickel or nickel and cobalt include an invar material containing 34 mass% or more and 38 mass% or less of nickel, 30 mass% or more and 34 mass% or less of nickel, and further containing cobalt Examples include Invar materials, low thermal expansion Fe-Ni based plating alloys containing 38% by mass or more and 54% by mass or less of nickel.
  • the thermal expansion coefficients of the deposition mask 20 and the frame 15 are the same as the thermal expansion coefficient of the organic EL substrate 92.
  • a material other than the above-described iron alloy may be used as the material of the deposition mask 20.
  • iron alloys other than iron alloys containing nickel described above, such as iron alloys containing chromium may be used.
  • an iron alloy containing chromium for example, an iron alloy called a so-called stainless steel can be used.
  • alloys other than iron alloys such as nickel and nickel-cobalt alloys may be used.
  • the vapor deposition mask 20 includes a pair of ear parts (a first ear part 17 a and a second ear part 17 b) including a pair of short sides 27 of the vapor deposition mask 20 and a pair of ear parts 17 a and 17 b. And an intermediate portion 18 located therebetween.
  • the ear portions 17 a and 17 b are portions of the deposition mask 20 fixed to the frame 15.
  • the ear portions 17 a and 17 b are integrally formed with the intermediate portion 18.
  • the ear portions 17a and 17b may be configured by members different from the intermediate portion 18. In this case, the ear portions 17a and 17b are joined to the intermediate portion 18 by welding, for example.
  • the intermediate portion 18 may include at least one effective area 22 and a surrounding area 23 surrounding the effective area 22 in which the through holes 25 are formed from the first surface 20a to the second surface 20b.
  • the effective area 22 is an area of the vapor deposition mask 20 facing the display area of the organic EL substrate 92.
  • the intermediate portion 18 includes a plurality of effective regions 22 arranged at predetermined intervals along the long side 26 of the deposition mask 20.
  • One effective area 22 corresponds to the display area of one organic EL display device 100.
  • the vapor deposition mask device 10 shown in FIG. 1 multifaceted vapor deposition of the organic EL display device 100 is possible.
  • one effective area 22 corresponds to a plurality of display areas.
  • the effective area 22 may have, for example, a substantially rectangular shape in a plan view, and more specifically, a substantially rectangular outline in a plan view.
  • each effective area 22 can have contours of various shapes according to the shape of the display area of the organic EL substrate 92.
  • each effective area 22 may have a circular contour.
  • FIG. 4 is an enlarged plan view of the effective area 22 from the second surface 20 b side of the vapor deposition mask 20. As shown in FIG. 4, in the illustrated example, the plurality of through holes 25 formed in each effective area 22 are arranged at predetermined pitches along two directions orthogonal to each other in the effective area 22. There is.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of the effective region 22 of FIG. 4 along the VV direction.
  • the plurality of through holes 25 is on the other side along the normal direction N of the deposition mask 20. It penetrates to the 2nd surface 20b which becomes.
  • the first concave portion 30 is formed by etching in the first surface 64 a of the metal plate 64 on one side in the normal direction N of the deposition mask 20 as described in detail later.
  • a second recess 35 is formed in the second surface 64 b of the metal plate 64 on the other side in the normal direction N.
  • the first recess 30 is connected to the second recess 35 so that the second recess 35 and the first recess 30 communicate with each other.
  • the through hole 25 is formed of a second recess 35 and a first recess 30 connected to the second recess 35.
  • the wall surface 31 of the first recess 30 and the wall surface 36 of the second recess 35 are connected via the circumferential connection portion 41.
  • the connection portion 41 defines a through portion 42 in which the opening area of the through hole 25 is minimized in a plan view of the vapor deposition mask 20.
  • the vapor deposition mask 20 As shown in FIG. 5, on the first surface 20 a side of the vapor deposition mask 20, two adjacent through holes 25 are separated from each other along the first surface 64 a of the metal plate 64. Also on the second surface 20 b side of the vapor deposition mask 20, two adjacent second concave portions 35 may be separated from each other along the second surface 64 b of the metal plate 64. That is, the second surface 64 b of the metal plate 64 may remain between two adjacent second recesses 35.
  • the portion of the effective area 22 of the second surface 64b of the metal plate 64 that is left without being etched is also referred to as the top portion 43.
  • the deposition mask 20 can suppress that the vapor deposition mask 20 is damaged during conveyance etc., for example. If the width ⁇ of the top portion 43 is too large, a shadow may be generated in the vapor deposition process, which may reduce the utilization efficiency of the vapor deposition material 98. Therefore, it is preferable that the deposition mask 20 be manufactured so that the width ⁇ of the top portion 43 does not become excessively large.
  • the shadow is a phenomenon that adhesion of the deposition material to a region of the deposition object such as the organic EL substrate 92 overlapping the through hole of the deposition mask 20 is inhibited by the second surface 20 b or the wall surface of the deposition mask 20. It is.
  • the first surface 20a of the vapor deposition mask 20 faces the organic EL substrate 92, as shown by a two-dot chain line in FIG.
  • the second surface 20 b of the vapor deposition mask 20 is located on the side of the crucible 94 holding the vapor deposition material 98. Therefore, the vapor deposition material 98 passes through the second recess 35 whose opening area is gradually reduced and adheres to the organic EL substrate 92.
  • the vapor deposition material 98 moves along the normal direction N of the organic EL substrate 92 from the crucible 94 toward the organic EL substrate 92 as indicated by an arrow from the second surface 20 b to the first surface 20 a in FIG. 5. Not only that, it may move in a direction greatly inclined with respect to the normal direction N of the organic EL substrate 92.
  • the vapor deposition material 98 moving obliquely is easily caught on the top portion 43, the wall surface 36 of the second concave portion 35 and the wall surface 31 of the first concave portion 30.
  • the proportion of vapor deposition material 98 that can not pass through 25 increases.
  • the thickness t of the vapor deposition mask 20 can be reduced, thereby reducing the heights of the wall surface 36 of the second recess 35 and the wall surface 31 of the first recess 30. It is considered preferable. That is, it can be said that it is preferable to use, as the metal plate 64 for forming the deposition mask 20, the metal plate 64 having a thickness t as small as possible within the range where the strength of the deposition mask 20 can be secured. Taking this point into consideration, in the present embodiment, the thickness t of the vapor deposition mask 20 is, for example, 30 ⁇ m or less, preferably 25 ⁇ m or less, and more preferably 20 ⁇ m or less.
  • the thickness t of the vapor deposition mask 20 may be 18 ⁇ m or less, or 15 ⁇ m or less.
  • the thickness t of the vapor deposition mask 20 may be 5 ⁇ m or more, 7 ⁇ m or more, 10 ⁇ m or more, 13 ⁇ m or more, or 15 ⁇ m or more. May be
  • the thickness t is the thickness of the peripheral region 23, that is, the thickness of the portion of the vapor deposition mask 20 where the first recess 30 and the second recess 35 are not formed. Therefore, the thickness t can also be said to be the thickness of the metal plate 64.
  • the range of the thickness t of the vapor deposition mask 20 may be determined by a combination of any one of the plurality of upper limit candidate values described above and any one of the plurality of lower limit candidate values described above.
  • the thickness t of the vapor deposition mask 20 may be 5 ⁇ m to 30 ⁇ m, may be 7 ⁇ m to 25 ⁇ m, may be 10 ⁇ m to 20 ⁇ m, and may be 13 ⁇ m to 18 ⁇ m.
  • the range of the thickness t of the vapor deposition mask 20 may be determined by any two combination of the plurality of upper limit candidate values described above.
  • the thickness t of the vapor deposition mask 20 may be 25 ⁇ m or more and 300 ⁇ m or less.
  • the range of the thickness t of the vapor deposition mask 20 may be determined by any two of the plurality of lower limit candidate values described above.
  • the thickness t of the vapor deposition mask 20 may be 5 ⁇ m or more and 7 ⁇ m or less.
  • a straight line L1 passing through the connection portion 41 which is the portion having the minimum opening area of the through hole 25 and any other position of the wall surface 36 of the second recess 35 is the normal direction of the vapor deposition mask 20.
  • the minimum angle with respect to N is represented by the symbol ⁇ 1.
  • a symbol ⁇ indicates the width of a portion (hereinafter, also referred to as a rib portion) remaining without being etched in the effective region 22 of the first surface 64 a of the metal plate 64.
  • the width ⁇ of the rib portion and the dimension r of the penetrating portion 42 are appropriately determined according to the dimension of the organic EL display device and the number of display pixels.
  • the width ⁇ of the rib portion is 5 ⁇ m or more and 40 ⁇ m or less
  • the dimension r of the through portion 42 is 10 ⁇ m or more and 60 ⁇ m or less.
  • the width ⁇ of the rib portion may be 10 ⁇ m or more, 15 ⁇ m or more, or 20 ⁇ m or more.
  • the width ⁇ of the rib portion may be 35 ⁇ m or less, 30 ⁇ m or less, or 25 ⁇ m or less.
  • the range of the width ⁇ of the rib portion may be determined by any one of the plurality of upper limit candidate values described above and any one of the plurality of lower limit candidate values described above.
  • the width ⁇ of the rib portion may be 10 ⁇ m to 35 ⁇ m, may be 15 ⁇ m to 30 ⁇ m, and may be 20 ⁇ m to 25 ⁇ m.
  • the range of the width ⁇ of the rib portion may be determined by a combination of any two of the plurality of upper limit candidate values described above.
  • the width ⁇ of the rib portion may be 35 ⁇ m or more and 40 ⁇ m or less.
  • the range of the width ⁇ of the rib portion may be determined by a combination of any two of the plurality of lower limit candidate values described above.
  • the width ⁇ of the rib portion may be 5 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less.
  • the dimension r of the penetrating portion 42 may be 15 ⁇ m or more, 20 ⁇ m or more, 25 ⁇ m or more, or 30 ⁇ m or more. Further, the lower limit of the dimension r of the through portion 42 may be smaller than 10 ⁇ m described above. For example, the dimension r of the through portion 42 may be 5 ⁇ m or more. In addition, the dimension r of the through portion 42 may be 55 ⁇ m or less, 50 ⁇ m or less, 45 ⁇ m or less, 40 ⁇ m or less, or 35 ⁇ m or less. The range of the dimension r of the penetrating portion 42 may be determined by any one of the plurality of upper limit candidate values described above and any one of the plurality of lower limit candidate values described above.
  • the dimension r of the penetrating portion 42 may be 15 ⁇ m to 55 ⁇ m, may be 20 ⁇ m to 50 ⁇ m, may be 25 ⁇ m to 45 ⁇ m, or may be 30 ⁇ m to 40 ⁇ m. 30 micrometers or more and 35 micrometers or less may be sufficient.
  • the range of the dimension r of the penetrating portion 42 may be determined by any two combination of the plurality of upper limit candidate values described above.
  • the dimension r of the through portion 42 may be 55 ⁇ m or more and 60 ⁇ m or less.
  • the range of the dimension r of the penetrating portion 42 may be determined by any two of the plurality of lower limit candidate values described above.
  • the dimension r of the through portion 42 may be 5 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less.
  • the etching may be performed such that two adjacent second recesses 35 are connected. That is, a place where the second surface 64 b of the metal plate 64 does not remain may exist between two adjacent second recesses 35.
  • the metal plate used to manufacture a deposition mask.
  • the metal plate is made of a rolled material of an iron alloy containing nickel.
  • the rolled material may have a thickness of 30 ⁇ m or less.
  • the rolled material may also contain 30% by mass or more and 38% by mass or less of nickel, 0% by mass or more and 6% by mass or less of cobalt, the balance of iron, and unavoidable impurities.
  • each raw material is prepared such that the ratio of iron to the total raw material and the ratio of nickel are about 64% by weight and about 36% by weight, respectively.
  • each raw material is pulverized if necessary, and then a melting step of melting each raw material in a melting furnace is performed.
  • the raw materials are melted and mixed using a gas discharge such as an arc discharge.
  • the temperature at the time of melting is set according to the raw material, and is, for example, 1500 ° C. or more.
  • the melting step may include a step of charging aluminum, manganese, silicon or the like into a melting furnace for deoxidation, dehydration, denitrification and the like.
  • the melting step may be performed under an atmosphere of an inert gas such as argon gas at a low pressure state lower than atmospheric pressure.
  • a grinding process may be performed to remove the surface of the base material. This allows the removal of oxide coatings such as scale.
  • the specific grinding method is not particularly limited, the so-called grinding method of rotating the grinding wheel to cut the surface of the base material, or the so-called pushing method of pushing the base material into a cutting tool to cut the surface of the base material Etc. can be adopted.
  • the grinding process may be performed to make the thickness of the base material uniform.
  • a rolling process is performed to roll the base material 60 made of an iron alloy containing nickel.
  • the sheet is conveyed toward the rolling device 66 including the pair of rolling rolls (work rolls) 66a and 66b while applying tensile tension in the direction indicated by the arrow D1.
  • the base material 60 reached between the pair of rolling rolls 66a and 66b is rolled by the pair of rolling rolls 66a and 66b.
  • the thickness of the base material 60 is reduced and the base material 60 is stretched along the transport direction.
  • the metal plate 64 having a predetermined thickness can be obtained.
  • the wound body 62 may be formed by winding the metal plate 64 around the core 61.
  • FIG. 6 merely shows the outline of the rolling process, and the specific configuration and procedure for carrying out the rolling process are not particularly limited.
  • a hot rolling process of processing the base material at a temperature higher than the temperature changing the crystal arrangement of the iron alloy constituting the base material 60 or a base material at a temperature lower than the temperature changing the crystal arrangement May include a cold rolling step of processing
  • the direction in which the base material 60 and the metal plate 64 are passed between the pair of rolling rolls 66a and 66b is not limited to one direction.
  • the base material 60 and the metal plate 64 are repeatedly passed between the pair of rolling rolls 66a and 66b in the direction from left to right in the drawing and from right to left in the drawing.
  • the base material 60 and the metal plate 64 may be rolled gradually.
  • the size of the crystal grains contained in the metal plate 64 can be adjusted by adjusting the reduction ratio.
  • the size of crystal grains contained in the metal plate 64 can be reduced by increasing the rolling reduction.
  • the size of the crystal grains contained in the metal plate 64 can be increased.
  • the rolling reduction is calculated by the following equation.
  • Rolling reduction (%) ((T1-T2) / T1) ⁇ 100
  • T1 is the thickness of the metal plate 64 before being subjected to the rolling process
  • T2 is the thickness of the metal plate 64 after being subjected to the rolling process.
  • the rolling reduction of the metal plate 64 in the rolling process is preferably 70% or more. Thereby, as described later, the average cross-sectional area of the crystal grains of the metal plate 64 can be 50 ⁇ m 2 or less.
  • the rolling reduction of the metal plate 64 in the rolling process may be 75% or more, 80% or more, or 85% or more.
  • the rolling reduction of the metal plate 64 in the rolling process is preferably 95% or less. Thereby, as described later, the average cross-sectional area of the crystal grains of the metal plate 64 can be 50 ⁇ m 2 or less.
  • the rolling reduction of the metal plate 64 in the rolling process may be 90% or less, or 85% or less.
  • the range of the rolling reduction of the metal plate 64 in the rolling process may be determined by any one of the plurality of upper limit candidate values and any one of the plurality of lower limit candidate values.
  • the rolling reduction may be 70% or more and 95% or less, may be 75% or more and 90% or less, and may be 80% or more and 85% or less.
  • the range of the rolling reduction of the metal plate 64 in the rolling process may be determined by any two of the plurality of upper limit candidate values.
  • the rolling reduction may be 90% or more and 95% or less.
  • the range of the rolling reduction of the metal plate 64 in the rolling process may be determined by any two of the plurality of lower limit candidate values.
  • the rolling reduction may be 70% or more and 75% or less.
  • the rolling speed that is, the transport speed of the metal plate 64 may be adjusted. For example, increasing the rolling speed increases the amount of rolling oil that is entrained between the metal plate 64 and the rolling rolls 66a, 66b. Thus, the formation of oil pits on the surface of the metal plate 64 can be suppressed. Thus, by adjusting the transport speed of the metal plate 64, it is possible to control the density and the like of the oil pits on the surface of the metal plate 64.
  • the rolling speed may be 50 m / min or more, 70 m / min or more, or 100 m / min or more.
  • the rolling speed is preferably 200 m / min or less.
  • the rolling speed may be 150 m / min or less, 100 m / min or less, or 80 m / min or less.
  • the rolling speed may be determined by a combination of any one of a plurality of upper limit candidate values and any one of a plurality of lower limit candidate values.
  • the rolling speed may be 30 m / min or more and 200 m / min or less, and may be 50 m / min or more and 150 m / min or less.
  • the range of the rolling speed may be defined by any two combination of a plurality of upper limit candidate values.
  • the rolling speed may be 150 m / min or more and 200 m / min or less, and may be 100 m / min or more and 150 m / min or less.
  • the range of the rolling speed may be defined by any two combination of a plurality of lower limit candidate values.
  • the range of the rolling speed may be 30 m / min or more and 50 m / min or less, and may be 50 m / min or more and 70 m / min or less.
  • the rolling speed is preferably 30 m / min to 200 m / min, more preferably 30 m / min to 150 m / min, and more preferably 30 m / min to 100 m / min, more preferably 30 m / min. Min to 80 m / min.
  • the diameter of the rolling roll may be adjusted. For example, when the diameter of the rolling roll is increased, oil pits formed on the surface of the metal plate 64 are increased. Thus, the density of oil pits on the surface of the metal plate 64 can be controlled by adjusting the diameter of the rolling rolls.
  • the diameter of the rolling rolls is preferably 28 mm or more.
  • the diameter of the rolling roll may be 40 mm or more, and may be 50 mm or more.
  • the diameter of the rolling roll is preferably 150 mm or less.
  • the diameter of the rolling roll may be 120 mm or less, 100 mm, or 80 mm or less.
  • the range of the diameter of the rolling roll may be defined by any one of a plurality of upper limit candidate values and a combination of any one of a plurality of lower limit candidate values.
  • the diameter of the rolling roll may be 28 mm or more and 150 mm or less, or 40 mm or more and 120 mm or less.
  • the range of the diameter of the rolling roll may be defined by any two of the plurality of upper limit candidate values.
  • the diameter of the rolling roll may be 120 mm or more and 150 mm or less.
  • the range of the diameter of the rolling roll may be defined by any two of the plurality of lower limit candidate values.
  • the diameter of the rolling roll may be 28 mm or more and 40 mm or less.
  • the diameter of the rolling roll is preferably 28 mm or more and 150 mm or less, more preferably 40 mm or more and 120 mm or less, more preferably 50 mm or more and 100 mm or less, and more preferably 50 mm or more and 80 mm or less.
  • the pressure of the rolling actuator may be adjusted.
  • the shape of the backup roll may be appropriately adjusted in addition to the rolling rolls (work rolls) 66a and 66b, and the position of the backup roll may be appropriately adjusted in the sheet width direction.
  • a coolant such as kerosene or neat oil may be supplied between the base material 60 and the rolling rolls 66a and 66b. Thereby, the temperature of the base material can be controlled.
  • the coolant by appropriately selecting the coolant, it is possible to adjust the number of oil pits and rolling streaks formed on the surface of the metal plate 64, the area, and the like.
  • neat oil can be used as the coolant. Neat oil has a characteristic that an increase in viscosity during rolling hardly occurs. Therefore, by using neat oil as the coolant, it is possible to reduce the amount of coolant which is caught between the metal plate 64 and the rolling rolls 66a and 66b. Thus, the formation of oil pits on the surface of the metal plate 64 can be suppressed.
  • the number of oil pits and rolling streaks formed on the surface of the metal plate 64 can be adjusted. For example, by reducing the surface roughness Ra of the rolling rolls, formation of rolling streaks on the surface of the metal plate 64 can be suppressed.
  • the surface roughness Ra of the rolling roll is preferably 0.2 ⁇ m or less.
  • the surface roughness Ra of the rolling roll may be 0.15 ⁇ m or less, 0.1 ⁇ m or less, or 0.05 ⁇ m or less.
  • the surface roughness Rz of the rolling roll is preferably 2.0 ⁇ m or less.
  • the surface roughness Rx of the rolling roll may be 1.5 ⁇ m or less, 1.0 ⁇ m or less, or 0.5 ⁇ m or less.
  • the surface roughness Rz of the rolling roll is preferably 2.0 ⁇ m or less.
  • the surface roughness Rz of the rolling roll may be 1.5 ⁇ m or less, may be 1.0 ⁇ m or less, and may be 0.5 ⁇ m or less.
  • Surface roughness Ra and Rz are measured based on JIS B 0601: 2013.
  • the analysis process which analyzes the quality and the characteristic of the base material 60 or the metal plate 64 before and after a rolling process, or between a rolling process.
  • the composition may be analyzed by irradiating the base material 60 or the metal plate 64 with fluorescent X-rays.
  • the amount of thermal expansion of the base material 60 or the metal plate 64 may be measured by thermomechanical analysis (TMA).
  • an annealing step of annealing the metal plate 64 using an annealing device 67 may be performed as shown in FIG.
  • the annealing step may be performed while pulling the metal plate 64 in the transport direction (longitudinal direction), as shown in FIG. That is, the annealing step may be performed as continuous annealing while being transported, not so-called batch annealing. In this case, it is preferable to set the temperature and the transport speed so as to suppress the occurrence of deformation such as buckling in the metal plate 64. By performing the annealing step, it is possible to obtain the metal plate 64 from which the residual strain has been removed to some extent.
  • the metal plate 64 at the time of an annealing process is shown in FIG. 7, it is not restricted to this, the metal plate 64 at the time of an annealing process, such as a perpendicular direction, is shown. It may be transported in other directions.
  • the conditions of the annealing step are appropriately set according to the thickness, rolling reduction, etc. of the metal plate 64.
  • the annealing step is performed within a range of 500 ° C. to 600 ° C. for 30 seconds to 90 seconds. .
  • the above-mentioned number of seconds represents the time required for the metal plate 64 to pass through the space adjusted to a predetermined temperature in the annealing device 67.
  • the temperature of the annealing step may be set so as not to cause the softening of the metal plate 64.
  • the lower limit of the temperature of the annealing step may be lower than 500 ° C. described above.
  • the temperature of the annealing step may be 400 ° C. or higher, and may be 450 ° C. or higher.
  • the upper limit of the temperature of the annealing step may be higher than the above-described 600 ° C.
  • the temperature of the annealing step may be 700 ° C. or less, or 650 ° C. or less.
  • the range of the temperature of the annealing step may be determined by any one of the plurality of upper limit candidate values described above and any one of the plurality of lower limit candidate values described above.
  • the temperature of the annealing step may be 400 ° C.
  • the range of the temperature of the annealing step may be determined by any two of the plurality of upper limit candidate values described above.
  • the temperature of the annealing step may be 650 ° C. or more and 700 ° C. or less.
  • the range of the temperature of the annealing step may be determined by a combination of any two of the plurality of lower limit candidate values described above.
  • the temperature of the annealing step may be 400 ° C. or more and 450 ° C. or less.
  • the time of the annealing step may be 40 seconds or more or 50 seconds or more. Further, the lower limit of the time of the annealing step may be shorter than the above-mentioned 30 seconds. For example, the time of the annealing step may be 10 seconds or more, or 20 seconds or more. In addition, the time of the annealing step may be 80 seconds or less, 70 seconds or less, or 60 seconds or less. In addition, the upper limit of the annealing process time may be longer than the above-described 90 seconds. For example, the annealing process time may be 100 seconds or less.
  • the range of time of the annealing step may be determined by any one of the plurality of upper limit candidate values described above and any one of the plurality of lower limit candidate values described above.
  • the time of the annealing step may be 10 seconds to 100 seconds, may be 20 seconds to 90 seconds, may be 30 seconds to 80 seconds, and is 40 seconds to 70 seconds. It may be 50 seconds or more and 60 seconds or less.
  • the time range of the annealing step may be defined by any two combination of the plurality of upper limit candidate values described above.
  • the time of the annealing process may be 90 seconds or more and 100 seconds or less.
  • the time range of the annealing step may be defined by any two of the plurality of lower limit candidate values described above.
  • the time of the annealing step may be 10 seconds or more and 20 seconds or less.
  • the annealing step described above is performed in a non-reducing atmosphere or an inert gas atmosphere.
  • the non-reducing atmosphere is an atmosphere containing no reducing gas such as hydrogen.
  • Does not contain reducing gas means that the concentration of reducing gas such as hydrogen is 10% or less.
  • the concentration of the reducing gas may be 8% or less, 6% or less, 4% or less, or 2% or less, or 1% or less It may be
  • the inert gas atmosphere is an atmosphere in which the concentration of inert gas such as argon gas, helium gas, nitrogen gas, etc. is 90% or more.
  • the concentration of the inert gas may be 92% or more, 94% or more, 96% or more, 98% or more, or 99% or more. It may be By performing the annealing step in a non-reducing atmosphere or an inert gas atmosphere, it is possible to suppress the formation of a nickel compound such as nickel hydroxide in the surface layer of the metal plate 64.
  • the annealing apparatus 67 may have a mechanism for monitoring the concentration of the inert gas or a mechanism for adjusting the concentration of the inert gas.
  • a cleaning step of cleaning the metal plate 64 may be performed before the annealing step. Thereby, the adhesion of foreign matter to the surface of the metal plate 64 can be suppressed in the annealing step.
  • a cleaning solution for cleaning for example, a hydrocarbon-based solution can be used.
  • the annealing process is performed by winding the metal plate 64 around the core 61 It may be carried out in the That is, batch annealing may be performed.
  • the metal plate 64 may have a wrinkle of warpage corresponding to the winding diameter of the wound body 62. Therefore, depending on the winding diameter of the winding body 62 and the material constituting the base material 60, it is advantageous to carry out the annealing step while pulling the metal plate 64 in the longitudinal direction.
  • a slitting process may be performed to cut off both ends in the width direction of the metal plate 64 obtained by the rolling process so that the width of the metal plate 64 is within the predetermined range.
  • This slitting process is performed to remove cracks that may occur at both ends of the metal plate 64 due to rolling. By carrying out such a slitting process, it is possible to prevent the phenomenon that the metal plate 64 is broken, so-called plate breakage, from being generated from a crack as a starting point.
  • the width of the portion to be cut off in the slit process may be adjusted so that the shape of the metal plate 64 after the slit process is symmetrical in the width direction. Also, the slitting process may be performed before the above-mentioned annealing process.
  • a grain inspection step is performed to inspect the size of the crystal grains appearing in the cross section of the metal plate 64. Specifically, it is checked whether the average cross-sectional area of crystal grains is equal to or more than a first threshold and equal to or less than a second threshold.
  • the inventors of the present invention conducted intensive studies and found that when the thickness of the metal plate 64 is reduced, a specific deformation portion is easily formed on the metal plate 64 and the vapor deposition mask 20 manufactured from the metal plate 64.
  • the deformed portion is, for example, a local protrusion or a dent.
  • the deformed portion occurs, for example, when transporting the metal plate 64 in the manufacturing process of the deposition mask 20 or when handling the deposition mask 20 manufactured from the metal plate 64.
  • the deformed portion is more likely to occur as the thickness of the metal plate 64 decreases. For example, it easily occurs when the thickness of the metal plate 64 is 30 ⁇ m or less, is more likely to occur when the thickness is 25 ⁇ m or less, and is further likely to occur when the thickness is 20 ⁇ m or less.
  • a possible cause of deformation that is likely to occur when the thickness of the metal plate 64 is small is a decrease in the strength of the metal plate 64.
  • As a method of securing the strength of the metal plate 64 even when the thickness of the metal plate 64 is small it is conceivable to reduce the size of the crystal grains of the metal plate 64.
  • EBSD electron beam backscattering diffraction method
  • the second threshold is determined according to the strength required for the metal plate 64, and is, for example, 50 ⁇ m 2 .
  • the second threshold may be 45 ⁇ m 2 , 40 ⁇ m 2 , 35 ⁇ m 2 , 30 ⁇ m 2 or 25 ⁇ m 2 . Details of the measurement method by the EBSD method will be described later.
  • the inventors of the present invention conducted intensive studies and found that when the size of the crystal grains of the metal plate 64 becomes too small, the weldability of the metal plate 64 is reduced. For example, when welding the vapor deposition mask 20 manufactured from the metal plate 64 to the flame
  • the first threshold value is determined according to the weldability required for the metal plate 64, and is, for example, 0.5 ⁇ m 2 .
  • the first threshold may be 2 ⁇ m 2 , 5 ⁇ m 2 , 10 ⁇ m 2 , 15 ⁇ m 2 or 20 ⁇ m 2 .
  • a metal plate 64 having an average cross-sectional area of crystal grains of 0.5 ⁇ m 2 or more and 50 ⁇ m 2 or less is determined to be acceptable. Further, a metal plate 64 having an average cross-sectional area of crystal grains of less than 0.5 ⁇ m 2 or more than 50 ⁇ m 2 is determined as a rejection.
  • the range of the average cross-sectional area of the crystal grains of the metal plate 64 determined to be acceptable in the inspection step is any one of the plurality of second threshold candidates mentioned above defining the upper limit, and the plurality described above defining the lower limit It may be defined by a combination of any one of the lower limit first threshold candidates.
  • the average cross-sectional area of the crystal grains of the metal plate 64 the metal plate 64 i.e.
  • the range of the average cross-sectional area of the crystal grains of the sorted metal plate 64 may be determined by a combination of any two of the above-described plurality of second threshold candidates defining the upper limit.
  • the average cross-sectional area of the crystal grains of the selected metal plate 64 may be 45 ⁇ m 2 or more and 50 ⁇ m 2 or less.
  • the range of the average cross-sectional area of the crystal grains of the sorted metal plate 64 may be determined by a combination of any two of the above-described plurality of first threshold candidates defining the lower limit.
  • the average cross-sectional area of the crystal grains of the selected metal plate 64 may be 0.5 ⁇ m 2 or more and 2 ⁇ m 2 or less.
  • the measurement method according to the EBSD method will be described below with reference to FIGS. 8 to 10.
  • the EBSD method is a diffraction pattern of an electron beam (hereinafter referred to as an electron beam) obtained when the sample is irradiated with the electron beam from a direction greatly inclined to the surface of the sample using a scanning electron microscope (hereinafter also referred to as SEM). It is a method of analyzing crystal grains based on EBSD pattern).
  • a measuring device for example, a combination of a Schottky field emission scanning electron microscope and an EBSD detector can be used.
  • As the EBSD detector for example, an OIM (Orientation Imaging Microscopy) detector manufactured by TSL Solutions, Inc. can be used.
  • the test plate 50 is prepared by cutting the metal plate 64 in a direction perpendicular to the transport direction D1 of the metal plate 64 in the rolling process (hereinafter also referred to as the rolling direction).
  • the rolling direction D1 is a direction in which linear rolling marks confirmed when the shiny surface of the metal plate 64 is observed with a metallographic microscope.
  • a cutting tool for example, a razor for trimming can be used.
  • the thickness of the test piece 50 is equal to the thickness of the metal plate 64.
  • the test piece 50 is sealed with a resin.
  • a resin for example, an epoxy resin is used as the resin.
  • the thickness of the resin is, for example, 1 mm.
  • the test piece is cut along with the resin along a direction perpendicular to the rolling direction D1 and also perpendicular to the surface direction of the test piece.
  • the cross section 50c of the test piece of the metal plate 64 is exposed from the resin.
  • the sample 56 is configured such that the cross section 50c forms an angle of ⁇ 10 ° or more and + 10 ° or less with respect to a plane orthogonal to the rolling direction D1 of the metal plate 64.
  • the cross section 50c of the test piece 50 may be trimmed using a microtome.
  • a microtome for example, in order to reduce the mechanical distortion of the cross section 50c of the test piece 50, a microtome of about 1 mm in the direction perpendicular to the cross section 50c of the test piece 50 together with the resin 55 for sealing the test piece 50.
  • Advance at Subsequently, a broad argon ion beam is irradiated in a direction perpendicular to the cross section 50 c of the test piece 50 using an ion milling apparatus.
  • the shielding plate is placed on the test piece 50, and in a state where the test piece 50 is slightly protruded from the shielding plate, accelerated argon ions are applied to the test piece 50 from the shielding plate side.
  • the test piece 50 is processed to generate a cross section 50c to be observed.
  • a cross section 50c having a plane direction parallel to the irradiation direction of argon ions is obtained.
  • These operations are operations for precisely exposing the cross section 50c of the test piece 50 so as to minimize the breakage of the mechanical crystal structure occurring in the previous step.
  • the “perpendicular direction” may not be a direction forming exactly 90 degrees with respect to the plane or direction of the object, and may include an error of about 10 degrees.
  • a direction perpendicular to the rolling direction D1 is a direction forming 80 degrees or more and 100 degrees or less with respect to the rolling direction D1.
  • the direction perpendicular to the surface is a direction forming 80 degrees or more and 100 degrees or less with respect to the surface.
  • the electron beam E is irradiated to the cross section 50c of the test piece 50 of the sample 56 from the objective lens 57 of the Schottky field emission scanning electron microscope. Also, the EBSD pattern generated from the test piece 50 is detected using the EBSD detector 58.
  • FIG. 9 is a view showing an example of the process of adjusting the inclination angle of the sample 56 including the test piece 50.
  • the sample 56 including the test piece 50 is fixed to the sample base with the surface (the observation surface or the measurement surface) of the sample 56 on which the test piece 50 is exposed facing upwards, and the sample 56 is a scanning electron microscope And move to the position immediately below the objective lens 57.
  • the sample 56 is rotated by an angle ⁇ 1 toward the EBSD detector 58 about the intersection of the electron beam E emitted from the objective lens 57 and the normal N1 of the EBSD detector 58.
  • the angle ⁇ 1 corresponds to the above-mentioned sample inclination angle, and is, for example, 70 degrees.
  • the angle ⁇ 2 formed by the electron beam E incident on the sample 56 from the objective lens 57 with respect to the surface of the sample 56 is 20 degrees.
  • the measurement result obtained by the EBSD method that is, the EBSD pattern is analyzed to calculate the average cross-sectional area of the crystal grains 51 appearing in the cross section 50 c of the test piece 50.
  • An example of conditions for crystal analysis by EBSD method is as follows. ⁇ Step size: 70 nm Analysis condition: Perform the following analysis using crystal orientation analysis software OIM (Ver 7.3) manufactured by TSL Solutions, Inc.
  • the observation magnification in the SEM is taken as the first magnification.
  • the observation magnification in the SEM is taken as the first magnification.
  • the first magnification is, for example, 2000 times.
  • the measurement area is from the center to both ends in the thickness direction of the test piece 50 of the metal plate 64, and the part to which the resin adheres to the cross section 50c and the part where the acid resistant film is present are excluded from the measurement area.
  • the observation magnification in the SEM is set to a second magnification higher than the first magnification.
  • the observation magnification in the SEM is taken as the second magnification.
  • the second magnification is, for example, 5000 times. Also in this case, if necessary, the obtained images may be connected to generate an image in which 1000 or more crystal grains appear.
  • the inspection process of the metal plate 64 can be performed with high accuracy.
  • FIG. 27 shows the average cross-sectional areas of the crystal grains of the plurality of metal plates 64 sorted based on the determination condition that determines that the metal plate having an average cross-sectional area of crystal grains of 0.5 ⁇ m 2 or more and 50 ⁇ m 2 or less is acceptable. It is a figure which shows an example of distribution.
  • the horizontal axis represents the value of the average cross-sectional area of crystal grains calculated for each metal plate 64.
  • the vertical axis indicates the number of metal plates 64 having the average cross-sectional area of crystal grains in the range indicated by the horizontal axis.
  • the number of the metal plate 64 having an average cross-sectional area of 20 [mu] m 2 or more 30 ⁇ m below 2 crystal grains is 15.
  • a portion of the selected metal plate 64 may also have an average cross-sectional area of the crystal grains of more than 0.5 [mu] m 2 or less than 50 [mu] m 2.
  • Figure 28 is a crystal grains having an average cross-sectional area of the plurality of metal plates 64 to a metal plate which is sorted based on the determination condition to be acceptable is 10 [mu] m 2 or more 40 [mu] m 2 or less, the distribution of the average cross-sectional area of the crystal grains It is a figure which shows an example.
  • the meanings of the horizontal and vertical axes shown in FIG. 28 are the same as in the case of FIG. In the example of FIG. 28, compared with the example of FIG. 27, the range of the metal plate 64 determined and judged to be pass is narrow. In this case, when the sorting shown in FIG. 28 is performed, the sorting shown in FIG. 27 is also performed.
  • an inspection step of inspecting the metal plate 64 based on the average cross-sectional area of crystal grains is shown to determine whether the metal plate 64 is acceptable or not, that is, to sort the metal plate 64.
  • the inspection step may be used for purposes other than sorting of the metal plate 64 in the method of manufacturing the metal plate 64.
  • the sorting conditions in the sorting step are arbitrary.
  • the sorting step is defined by a combination of any one of the plurality of second threshold candidates for defining the upper limit and any one of the plurality of first threshold candidates for defining the lower limit.
  • the metal plate 64 having an average cross-sectional area of crystal grains belonging to the above range may be sorted.
  • the sorting step may sort the metal plate 64 having an average cross-sectional area of crystal grains belonging to a range defined by any two of the plurality of candidates of the second threshold described above defining the upper limit.
  • the sorting step may sort the metal plate 64 having an average cross-sectional area of crystal grains belonging to a range defined by any two combinations of the above-mentioned plurality of first threshold candidates defining the lower limit. .
  • inspection process is used for the purpose other than the sorting of the metal plate 64 in the method of manufacturing the metal plate 64
  • inspection of the metal plate 64 based on the average cross-sectional area of the crystal grains may be utilized to optimize the conditions for manufacturing the metal plate 64, such as the conditions of the rolling process and the conditions of the annealing process.
  • the metal plate 64 is manufactured under various rolling conditions and annealing conditions, and the average cross-sectional area of the crystal grains of the obtained metal plate 64 is calculated.
  • the rolling conditions and the annealing conditions are compared with the average cross-sectional area of the crystal grains of the metal plate 64 obtained.
  • the metal plate 64 having an average cross-sectional area of crystal grains of 0.5 ⁇ m 2 or more and 50 ⁇ m 2 or less with high probability.
  • inspection of the metal plate 64 based on the average cross-sectional area of the grain may be utilized to find appropriate rolling and annealing conditions.
  • the inspection step of calculating the average cross-sectional area of the crystal grains may be performed only on some of the metal plates 64.
  • the inspection step of calculating the average cross-sectional area of the crystal grains may not be performed at all.
  • FIG. 29 shows a plurality of metal plates manufactured based on the manufacturing conditions found using the determination condition that the metal plate 64 having an average cross-sectional area of crystal grains of 0.5 ⁇ m 2 or more and 50 ⁇ m 2 or less passes. It is a figure which shows an example of distribution of the average cross-sectional area of 64 crystal grains.
  • the meanings of the horizontal and vertical axes shown in FIG. 29 are the same as in the case of FIG. In the example of FIG. 29, even when the sorting step is not performed, the plurality of manufactured metal plates 64 have an average cross-sectional area of crystal grains of 0.5 ⁇ m 2 or more and 50 ⁇ m 2 or less.
  • an appearance inspection process of inspecting the appearance of the metal plate 64 may be performed.
  • the appearance inspection step may include the step of inspecting the appearance of the metal plate 64 using an automatic inspection machine. Further, the appearance inspection step may include a step of inspecting the appearance of the metal plate 64 visually.
  • a shape inspection process may be performed to inspect the shape of the metal plate 64.
  • the position of the surface of the metal plate 64 in the thickness direction may be measured within a predetermined region of the metal plate 64 using a three-dimensional measuring device.
  • a metal plate 64 having an average cross-sectional area of crystal grains satisfying the above-described determination conditions it is possible to obtain a metal plate 64 having an average cross-sectional area of crystal grains satisfying the above-described determination conditions.
  • a metal plate 64 having an average cross-sectional area of crystal grains of 0.5 ⁇ m 2 or more and 50 ⁇ m 2 or less can be obtained.
  • the first threshold defining the lower limit of the average cross sectional area of the crystal grains and the upper limit of the average cross sectional area of the crystal grains in determination of acceptance or rejection of the metal plate 64 in the inspection step and sorting of the metal plate 64.
  • An example is shown in which both of the defining second thresholds are used.
  • the present invention is not limited to this, and only one of the first threshold and the second threshold may be used in the determination of acceptance or rejection of the metal plate 64 in the inspection step or the sorting of the metal plate 64.
  • the metal plate 64 having an average cross-sectional area of crystal grains equal to or more than the first threshold may be determined as pass or selected.
  • the metal plate 64 When the average cross-sectional area of the crystal grains of the metal plate 64 is equal to or more than the first threshold value, the metal plate 64 can have weldability. Alternatively, the metal plate 64 having an average cross-sectional area of crystal grains equal to or less than the second threshold may be determined as pass or selected. When the average cross-sectional area of the crystal grains of the metal plate 64 is equal to or less than the second threshold, the metal plate 64 can have strength.
  • the thickness of the metal plate 64 is reduced by etching the metal plate 64 from the side of the first surface 64a, from the side of the second surface 64b, or from both the side of the first surface 64a and the side of the second surface 64b. May be Such etching may be performed instead of the rolling process, and may be performed in addition to the rolling process.
  • the metal plate 64 Even when the thickness of the metal plate 64 is reduced by etching, the metal plate 64 has weldability because the average cross-sectional area of the crystal grains of the metal plate 64 after etching is equal to or greater than the first threshold. it can. In addition, when the average cross-sectional area of the crystal grains of the metal plate 64 after etching is equal to or less than the second threshold value, the metal plate 64 can have strength. The cross-sectional area of the crystal grains of the metal plate 64 does not change due to the etching.
  • FIG. 11 is a view showing a manufacturing apparatus 59 for manufacturing the vapor deposition mask 20 using the metal plate 64.
  • a roll 62 in which the metal plate 64 is wound around the core 61 is prepared.
  • a metal plate 64 extending in a strip shape is supplied.
  • the supplied metal plate 64 is sequentially conveyed to the processing device 70 and the separating device 73 by the conveyance roller 72.
  • the processing device 70 performs a processing step of processing the metal plate 64 to form the through holes 25 in the metal plate 64.
  • a large number of through holes 25 corresponding to the plurality of vapor deposition masks 20 are formed in the metal plate 64.
  • the plurality of vapor deposition masks 20 are allocated to the metal plate 64.
  • the separation device 73 carries out a separation step of separating a portion of the metal plate 64 in which the plurality of through holes 25 corresponding to one deposition mask 20 is formed from the metal plate 64.
  • a sheet-like vapor deposition mask 20 can be obtained.
  • a resist film containing a photosensitive resist material is formed on the first surface 64 a and the second surface 64 b of the metal plate 64.
  • a coating solution containing a photosensitive resist material such as casein is applied to the metal plate 64, and then the coating solution is dried to form a resist film.
  • the resist film may be formed by attaching a dry film to the metal plate 64. Subsequently, the resist film is exposed and developed.
  • the first resist pattern 65a can be formed on the first surface 64a of the metal plate 64
  • the second resist pattern 65b can be formed on the second surface 64b of the metal plate 64.
  • a first surface etching step of etching a region not covered by the first resist pattern 65 a in the first surface 64 a of the metal plate 64 is performed using a first etching solution.
  • the first etching liquid is jetted toward the first surface 64 a of the metal plate 64 through the first resist pattern 65 a from a nozzle disposed on the side facing the first surface 64 a of the metal plate 64 being transported.
  • the erosion by the first etching solution proceeds in a region of the metal plate 64 which is not covered by the first resist pattern 65 a.
  • a large number of first recesses 30 are formed in the first surface 64 a of the metal plate 64.
  • the first etching solution for example, one containing a ferric chloride solution and hydrochloric acid is used.
  • the second surface 64b of the metal plate 64 which is not covered with the second resist pattern 65b is etched to form a second recess 35 in the second surface 64b.
  • the second surface etching process is performed until the first recess 30 and the second recess 35 communicate with each other to form the through hole 25.
  • a 2nd etching liquid the thing containing a ferric chloride solution and hydrochloric acid is used similarly to the above-mentioned 1st etching liquid, for example.
  • the first recess 30 may be covered with a resin 69 having resistance to the second etching solution.
  • the resin 69 is removed from the metal plate 64.
  • the resin 69 can be removed, for example, by using an alkaline stripping solution.
  • an alkaline stripping solution is used, the resist patterns 65a and 65b are also removed simultaneously with the resin 69, as shown in FIG. Note that after removing the resin 69, the resist patterns 65a and 65b may be removed separately from the resin 69 using a stripping solution different from the stripping solution for stripping the resin 69.
  • the plurality of vapor deposition masks 20 allocated to the metal plate 64 are taken out one by one.
  • the portion of the metal plate 64 in which the plurality of through holes 25 corresponding to the vapor deposition mask 20 for one sheet is formed is separated from the other portion of the metal plate 64. Thereby, the vapor deposition mask 20 can be obtained.
  • a deposition mask inspection step of inspecting the deposition mask 20 may be performed.
  • the vapor deposition mask inspection step for example, it is inspected whether or not there is a deformed portion such as a local protrusion or a dent on the surface of the metal plate 64 constituting the vapor deposition mask 20.
  • FIG. 16 is a view showing an example of the deformation portion 28 that can be formed on the metal plate 64. As shown in FIG. In the example shown in FIG. 16, the deformation portion 28 is a local depression formed on the second surface 64 b of the metal plate 64.
  • FIG. 17 is a view showing an example of the cross-sectional shape of the deformed portion 28 of the metal plate 64 of FIG.
  • the deformed portion 28 formed as a local recess on the second surface 64 b may appear as a local protrusion on the first surface 64 a side.
  • the dimension K1 of the deformation portion 28 in the surface direction of the metal plate 64 is, for example, 0.5 ⁇ m to several mm.
  • the depth K2 of the depression is, for example, 0.5 ⁇ m to 10 ⁇ m.
  • the first surface 64 a or the second surface 64 b of the metal plate 64 constituting the deposition mask 20 is irradiated with the light L 1 to deform the metal plate 64 into the deformed portion 28.
  • the vapor deposition mask 20 is passed, and if there is even one deformed portion 28, the vapor deposition mask 20 is rejected It may be
  • the deposition mask 20 is manufactured using the metal plate 64 having an average cross-sectional area of crystal grains of 50 ⁇ m 2 or less. Therefore, even when the thickness of the metal plate 64 is 30 ⁇ m or less, the strength of the metal plate 64 can be secured. Therefore, formation of the deformed portion 28 on the metal plate 64 during the manufacturing process of the vapor deposition mask 20 can be suppressed. For this reason, the ratio of the vapor deposition mask 20 determined to be a rejection in a vapor deposition mask test process can be made low.
  • the tension step was performed to adjust the position of the deposition mask 20 with respect to the frame 15 in a state in which the deposition mask 20 was under tension.
  • the stretching step first, as shown in FIG. 18, the ear portions 17a and 17b of the vapor deposition mask 20 are sandwiched and held by the clamp portion 15a. In the example shown in FIG. 18, one ear 17a is gripped by two clamps 15a. The number and arrangement of the clamps 15a are arbitrary.
  • the positions of all the through holes 25 of the vapor deposition mask 20 and the organic EL substrate 92 (or the organic EL substrate 92 were simulated.
  • the position and tension of the vapor deposition mask 20 are adjusted so that the difference with the position of the electrode on the substrate) becomes equal to or less than a predetermined reference value.
  • the reference value is, for example, 5 ⁇ m.
  • the ears 17 of the vapor deposition mask 20 are disposed on the frame 15 so that the second surface 20 b faces the frame 15. Subsequently, the ears 17 of the vapor deposition mask 20 are heated to weld the ears 17 to the frame 15.
  • a method of heating the ear 17 for example, a method of irradiating the ear 17 with the laser light L2 can be employed.
  • the laser light L2 for example, YAG laser light generated by a YAG laser device can be used.
  • the spot diameter S of the laser beam L2 is, for example, 0.1 mm or more and 0.3 mm or less.
  • the YAG laser device for example, one provided with a crystal obtained by adding Nd (neodymium) to YAG (yttrium aluminum garnet) as a medium for oscillation can be used.
  • a laser beam with a wavelength of about 1064 nm is generated as a fundamental wave.
  • a second harmonic with a wavelength of about 532 nm is generated.
  • a third harmonic having a wavelength of about 355 nm is generated.
  • the third harmonic of YAG laser light is easily absorbed by an iron alloy containing nickel. Therefore, when the metal plate 64 constituting the ear portion 17 has an iron alloy containing nickel, it is preferable that the laser beam L2 irradiated to the ear portion 17 contains the third harmonic of the YAG laser beam.
  • the crystal grains of the metal plate 64 are miniaturized. Specifically, the average cross-sectional area of the crystal grains of the metal plate 64 is 50 ⁇ m 2 or less.
  • the welded portion 19 which is heated and melted and then solidified, new crystal grains are generated by recrystallization.
  • the size of the grain newly generated in the weld 19 is generally larger than the size of the grain originally present. For this reason, in the metal plate 64 after welding, it is considered that the size of the crystal grain of the weld portion 19 is larger than the size of the crystal grain of the peripheral portion of the weld portion 19. If the difference in size of the crystal grains is large, defects such as cracks are likely to be formed in the metal plate 64.
  • FIG. 20 is a cross-sectional photograph showing a welded portion 19 formed when the ear portion 17 of the vapor deposition mask 20 manufactured from the metal plate 64 is welded to the member 16.
  • Invar material having a thickness larger than that of the ear portion 17 was used.
  • FIG. 21 is an enlarged view of the welding portion 19 of FIG. In the example shown in FIG. 20 and FIG. 21, a crack 54 is formed in the boundary between the welding portion 19 and the surrounding portion of the ear portion 17 and the surface of the member 16.
  • the cross-sectional observation method in FIG. 20 and FIG. 21 is as follows. First, the ear 17 is welded to the member 16. Thereafter, a portion including the weld portion 19 is cut out using a metal crucible to produce an observation object. Subsequently, the object to be observed is processed using an ion milling apparatus to generate a cross section of the object to be observed.
  • cross section polisher IB-09010 CP manufactured by JEOL Ltd.
  • An example of processing conditions is as follows. Processing conditions: 6kV, 1.5 hours, protrusion width 100 ⁇ m
  • the object to be observed is embedded in resin and then irradiated with argon ions.
  • the observation object is embedded in resin, it is difficult to adjust the position of the cross section of the observation object to the central portion of the welding portion 19, so the observation object is enveloped in resin. Irradiation with argon ions was performed without filling. Therefore, as shown in the area surrounded by the dotted line W1 in FIG. 21 and FIG. 23 described later, it is caused by the damage received from the argon ion on the surface on the ear 17 side of the observation object There are streaks of processed marks. In addition, as shown in a region surrounded by a dotted line denoted by reference numeral W2 in FIG.
  • a deposited layer in which the material removed by processing is deposited is formed in the gap between the ear 17 and the member 16 There is something to be done.
  • the inventor of the present application believes that these processed marks and deposited layer do not particularly adversely affect the observation of the crystalline state in the weld portion 19 and its surrounding portion and the confirmation of the presence or absence of a crack.
  • the cross section is observed using an SEM.
  • SEM for example, ULTRA 55 manufactured by Carl Zeiss can be used.
  • An example of observation conditions in SEM is as follows. ⁇ Acceleration voltage: 5kV Working distance: 4.5 mm ⁇ Detector: Inlens ⁇ Aperture: 60 ⁇ m High Current -Observation magnification: 200 times and 1000 times (The observation magnification standard at the time of photography is taken as Polaroid 545)
  • the crack 54 shown in FIGS. 20 and 21 is considered to be caused due to a large difference between the size of the crystal grain of the weld 19 and the size of the crystal grain in the peripheral portion of the weld 19.
  • the deposition mask 20 is manufactured using the metal plate 64 having an average cross-sectional area of crystal grains of 0.5 ⁇ m 2 or more. For this reason, it is possible to suppress an increase in the difference between the size of the crystal grain of the weld portion 19 and the size of the crystal grain of the peripheral portion of the weld portion 19. Therefore, it can suppress that a crack is formed in the surface of metal plate 64 after welding part 19 was formed.
  • FIG. 22 is a cross-sectional photograph of the metal plate 64 and the frame 15 in which the crack was not formed.
  • FIG. 23 is a figure which expands and shows the welding part 19 of FIG.
  • the method of heating the ear 17 is not limited to the method of irradiating the laser light L2.
  • the ear portion 17 may be heated by supplying a current to the ear portion 17 and the frame 15.
  • the metal plate 64 is an example obtained by rolling the base material.
  • the present invention is not limited to this, and a metal plate 64 having a desired thickness may be produced by a foil production process using a plating process.
  • a foil production process for example, while rotating a drum made of stainless steel or the like partially immersed in a plating solution, a plating film is formed on the surface of the drum, and the plating film is peeled off.
  • a strip-like metal plate can be produced by roll-to-roll.
  • a mixed solution of a solution containing a nickel compound and a solution containing an iron compound can be used as the plating solution.
  • a mixed solution of a solution containing nickel sulfamate and a solution containing iron sulfamate can be used.
  • the plating solution may contain additives such as malonic acid and saccharin.
  • the above-described annealing step may then be performed on the metal plate obtained in this manner. Also, before or after the annealing step, the above-mentioned slitting step may be performed to cut off both ends of the metal plate in order to adjust the width of the metal plate to a desired width.
  • the metal plate 64 is manufactured so that the average cross-sectional area of the crystal grains appearing in the cross-section forming the angle of 0.5 mm 2 or more and 50 ⁇ m 2 or less.
  • the conditions such as the composition of the plating solution and the temperature and time in the foil forming process are adjusted. Also, the conditions of the annealing step may be adjusted.
  • the longitudinal direction of the plating film is a direction in which a long metal plate formed by depositing a metal on the surface of the drum by plating while rotating the drum.
  • the deposition mask 20 is manufactured by etching the metal plate 64 to form the through holes 25 in the metal plate 64.
  • the present invention is not limited to this, and the deposition mask 20 may be manufactured by forming a plating layer on the substrate with a predetermined pattern corresponding to the through holes 25 and peeling the plating layer from the substrate.
  • the method of manufacturing such a vapor deposition mask 20 is disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2016-148112, so a detailed description is omitted here.
  • the vapor deposition mask 20 is made so that the average cross-sectional area of the crystal grain of the metal plate 64 which consists of a plating layer which constitutes the vapor deposition mask 20 is 0.5 ⁇ m 2 or more and 50 ⁇ m 2 or less.
  • Manufacture For example, conditions such as the composition of the plating solution and the temperature and time in the plating process are adjusted. In addition, the conditions of the annealing process performed after the plating process may be adjusted.
  • the average cross-sectional area of crystal grains By setting the average cross-sectional area of crystal grains to 0.5 ⁇ m 2 or more and 50 ⁇ m 2 or less, as in the case of the above-described embodiment, even when the thickness of the metal plate is 30 ⁇ m or less, the strength of the metal plate And weldability. By this, it is possible to suppress the formation of a locally deformed portion such as a recess in the metal plate when manufacturing the deposition mask 20 or handling the deposition mask 20. Moreover, when welding the vapor deposition mask 20 to the flame
  • a metal plate 64 having a thickness of 40 ⁇ m and made of an iron alloy containing 36% by mass of nickel, the balance of iron and unavoidable impurities was produced by a rolling method.
  • the thickness of the metal plate before rolling was 100 ⁇ m. Therefore, the rolling reduction is 60%.
  • EBSD patterns were measured using the EBSD method described above. Further, the EBSD pattern was analyzed to calculate the average cross-sectional area of the crystal grains appearing in the cross section of the metal plate 64. As a result, the average cross-sectional area was 113.4 ⁇ m 2 .
  • the conditions of measurement by EBSD method are as follows. -Magnification of observation with SEM: 2000 times or 5000 times (the observation magnification standard at the time of photography is taken as Polaroid 545) ⁇ Accelerating voltage in SEM: 15kV ⁇ Working distance in SEM: 15 mm Sample inclination angle ⁇ 1: 70 ° EBSD step size (in the case of 2000 ⁇ magnification in SEM): 70 nm ⁇ Step size of EBSD (when observation magnification in SEM is 5000 times): 50 nm
  • the observation magnification in the SEM will be described in detail.
  • the observation magnification in the SEM was set to 2000 times. Specifically, when the average cross-sectional area of crystal grains is 2 ⁇ m 2 or more (in the case of Examples 1 to 8 and Examples 10 to 14 described later), the observation magnification in the SEM is 2000 ⁇ .
  • the observation magnification in SEM is 2000 times (the observation magnification standard at the time of photography is taken as Polaroid 545), the size of the image is about 60 ⁇ m ⁇ about 45 ⁇ m.
  • the cross section of the metal plate 64 is measured so that the direction of the dimension of about 45 ⁇ m coincides with the thickness direction of the metal plate 64. Therefore, the area of the cross section of the metal plate 64 appearing in one image (hereinafter, referred to as a measurement effective area) is “the thickness of the metal plate 64 (13 to 40 ⁇ m) ⁇ about 60 ⁇ m”.
  • the number of crystal grains appearing in the measurement effective area is less than 1000, images are acquired at a plurality of positions of the cross section of the metal plate 64 while shifting the measurement target area by about 50 ⁇ m, and the obtained plurality of images are connected As a result, an image in which 1000 or more crystal grains appear is generated.
  • the observation magnification in the SEM was set to 5000 times. Specifically, when the average cross-sectional area of crystal grains is less than 2 ⁇ m 2 (in the case of ninth, fifteenth, and sixteenth examples described later), the observation magnification in the SEM is set to 5000. In addition, when the observation magnification in SEM is 5000 times (the observation magnification standard at the time of photographing is taken as Polaroid 545), the size of the image is about 24 ⁇ m ⁇ about 18 ⁇ m. In this case, the cross section of the metal plate 64 is measured so that the direction of the dimension of about 18 ⁇ m coincides with the thickness direction of the metal plate 64. When the average cross-sectional area of the crystal grains is less than 2 ⁇ m 2 , 1000 or more crystal grains can be observed in one measurement (one image), and thus it is not necessary to connect a plurality of images.
  • crystal orientation analysis software OIM (Ver 7.3) manufactured by TSL Solutions Inc. was used.
  • the analysis by the area method was performed under the condition that a portion having a difference in crystal orientation of 5 degrees or more was recognized as the grain boundary 52.
  • analysis was performed excluding data whose CI value is 0.15 or less, which is defined by the crystal orientation analysis software OIM (Ver 7.3). This makes it possible to eliminate the effects of the resin used for pretreatment, the grain boundaries present in the cross section of the sample 56, and the amorphous that are present on the front and back of the sample 56.
  • the average value of the cross-sectional areas of crystal grains whose CI value exceeds 0.15 is calculated by the Area Function method, and is used as the average cross-sectional area of crystal grains.
  • the deposition mask 20 was manufactured using the metal plate 64. Thereafter, the strength of the metal plate 64 constituting the deposition mask 20 was evaluated. Specifically, as shown in FIG. 17, the light deposition mask 20 was irradiated with the light L1 and observed as shown in FIG. 17 whether or not the deformed portion 28 such as a recess was present on the surface of the obtained deposition mask 20. As a result, the deformation unit 28 did not exist.
  • the observation conditions of the surface of the vapor deposition mask 20 are as follows. -Brightness of light L1: 500 lux to 2000 lux, eg 1000 lux Source of light L1: Three-wavelength fluorescent lamp Angle of incidence of light L1: 15 degrees to 45 degrees Distance from light source to surface of vapor deposition mask: 30 cm to 100 cm, for example 50 cm ⁇ The distance from the viewpoint to the surface of the deposition mask: 15 cm
  • the weldability of the deposition mask 20 was evaluated. Specifically, laser light L2 was irradiated to the ear portion 17 of the vapor deposition mask 20 to weld the ear portion 17 to the frame 15, and the welding strength between the ear portion 17 and the frame 15 was measured.
  • the conditions for welding the ear portion 17 to the frame 15 are as follows. ⁇ Wavelength of laser light L2: 355 nm ⁇ Spot diameter of laser beam L2: 200 ⁇ m ⁇ Output of laser beam L2: 0.3kW -Irradiation time of laser light L2: 0.3 ms
  • the welding strength is the amount of force required to peel the ear portion 17 of the vapor deposition mask 20 welded to the frame 15 by the welding portion 19 from the frame 15.
  • FIG. 24 shows an example of a method of measuring the welding strength of the welding portion 19.
  • the step of measuring the welding strength first, the sample 17S obtained by cutting out a part of the ear portion 17 of the vapor deposition mask 20 is welded to the frame 15.
  • a tensile force E in the direction along the normal direction of the frame 15 is applied to the end in the longitudinal direction of the sample 17S.
  • the tensile strength E at which the sample 17S breaks or the sample 17S peels off from the frame 15 is the welding strength of the welded portion 19.
  • the longitudinal direction of the sample 17S is parallel to the rolling direction D1 of the metal plate 64.
  • the deposition mask 20 is generally manufactured from the metal plate 64 such that the longitudinal direction is parallel to the rolling direction D 1 of the metal plate 64. Therefore, the rolling direction D1 can be recognized based on the longitudinal direction of the vapor deposition mask 20.
  • the vapor deposition mask 20 may be manufactured from the metal plate 64 such that the longitudinal direction of the vapor deposition mask 20 is not parallel to the rolling direction D1 of the metal plate 64.
  • the rolling direction D1 may be determined based on the direction in which the crystal grains of the metal plate 64 extend. This is because, in the metal plate 64 manufactured by rolling, the crystal grains extend in parallel to the rolling direction D1.
  • the metal plate 64 according to the second to sixteenth examples was manufactured by changing at least one of the thickness, the composition, and the manufacturing conditions of the metal plate from the case of the first example described above.
  • the thickness of the metal plate 64 in each example is as follows.
  • the metal plate 64 was manufactured by rolling a base material of iron alloy.
  • the metal plate 64 was manufactured by a foil forming process utilizing a plating process.
  • T2 of the metal plate after rolling is combined with thickness T2 of the metal plate after rolling, and thickness T1 and rolling reduction of the metal plate before rolling are shown below.
  • the average cross-sectional area of crystal grains appearing in the cross section of the metal plate 64 according to the second to sixteenth examples was calculated.
  • the results are summarized in FIG.
  • “OK” means that the average cross-sectional area of the crystal grains is 0.5 ⁇ m 2 or more and 50 ⁇ m 2 or less.
  • “NG” means that the average cross-sectional area of the crystal grains is less than 0.5 ⁇ m 2 or more than 50 ⁇ m 2 .
  • the vapor deposition mask 20 was manufactured using the metal plates 64 according to the second to sixteenth examples. Subsequently, in the same manner as in the first example, it was observed whether or not a deformed portion 28 such as a recess was present on the surface of the obtained deposition mask 20. Further, in the same manner as in the first example, the ear portion 17 of the vapor deposition mask 20 was welded to the frame 15, and the welding strength was measured. The results are summarized in FIG.
  • the average cross-sectional area of the crystal grains of the metal plate 64 was less than 0.5 ⁇ m 2 .
  • the welding strength was less than 200 mN.
  • the crack was formed in the boundary of the welding part 19 and the surrounding part.
  • the average cross-sectional area of the crystal grains of the metal plate 64 was more than 50 ⁇ m 2 .
  • a deformed portion 28 such as a recess was present on the surface of the vapor deposition mask 20.
  • the average cross-sectional area of crystal grains is It was 0.5 ⁇ m 2 or more and 50 ⁇ m 2 or less.
  • the welding strength could be 200 mN or more, more specifically 220 mN or more.
  • the deformed portion 28 such as a recess is formed on the surface of the vapor deposition mask 20.
  • the criterion of making the average cross-sectional area of crystal grains 50 ⁇ m 2 or more in the present embodiment is particularly effective when the thickness of the metal plate 64 is 30 ⁇ m or less.
  • the metal plate 64 having a thickness of 35 ⁇ m or more as shown in the first example and the second example has a thickness of 30 ⁇ m in that the utilization efficiency of the deposition material 98 in the deposition mask 20 manufactured from the metal plate 64 is low. It is disadvantageous compared to the following metal plate 64.
  • FIG. 26 is a scatter diagram in which data of the metal plate 64 according to each example is plotted with the horizontal axis as the thickness of the metal plate 64 and the vertical axis as the average cross-sectional area of crystal grains of the metal plate 64.
  • the marker of “o” shows an example in which the welding strength is 200 mN or more and the deformed portion 28 is not formed.
  • the marker of “ ⁇ ” indicates an example in which the welding strength is less than 200 mN.
  • the marker “ ⁇ ” indicates an example in which the deformation portion 28 is formed. Further, in FIG.
  • a region surrounded by a dotted line is a region in which the thickness of the metal plate 64 is 30 ⁇ m or less and the average cross-sectional area of crystal grains is 0.5 ⁇ m 2 or more and 50 ⁇ m 2 or less. As apparent from FIG. 26, in the region surrounded by the dotted line, the metal plate 64 can have strength and weldability.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Child & Adolescent Psychology (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Metal Rolling (AREA)

Abstract

蒸着マスクを製造するために用いられる金属板は、３０μｍ以下の厚みを有する。金属板の断面に現れる結晶粒をＥＢＳＤ法で測定し、測定結果を解析することにより算出される、結晶粒の平均断面積は、０．５μｍ２以上且つ５０μｍ２以下である。平均断面積は、ＥＢＳＤ法によって得られた測定結果を、結晶方位の差が５度以上の部分を結晶粒界と認定する条件下でエリア法により解析することによって算出される。

Description

蒸着マスクを製造するための金属板及び金属板の製造方法並びに蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法及び蒸着マスクを備える蒸着マスク装置
　本開示の実施形態は、蒸着マスクを製造するための金属板及び金属板の製造方法に関する。また、本開示の実施形態は、蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法及び蒸着マスクを備える蒸着マスク装置に関する。
　近年、スマートフォンやタブレットＰＣ等の持ち運び可能なデバイスで用いられる表示装置に対して、高精細であること、例えば画素密度が５００ｐｐｉ以上であることが求められている。また、持ち運び可能なデバイスにおいても、ウルトラハイディフィニション（ＵＨＤ）に対応することへの需要が高まっており、この場合、表示装置の画素密度が例えば８００ｐｐｉ以上であることが好ましい。
　表示装置の中でも、応答性の良さ、消費電力の低さやコントラストの高さのため、有機ＥＬ表示装置が注目されている。有機ＥＬ表示装置の画素を形成する方法として、所望のパターンで配列された貫通孔が形成された蒸着マスクを用い、所望のパターンで画素を形成する方法が知られている。具体的には、はじめに、有機ＥＬ表示装置用の基板に対して蒸着マスクを密着させ、次に、密着させた蒸着マスクおよび基板を共に蒸着装置に投入し、有機材料を基板に蒸着させる蒸着工程を行う。これによって、蒸着マスクの貫通孔のパターンに対応したパターンで、基板上に、有機材料を含む画素を形成することができる。
　蒸着マスクの製造方法としては、フォトリソグラフィー技術を用いたエッチングによって金属板に貫通孔を形成する方法が知られている。例えば、はじめに、金属板の第１面上に露光・現像処理によって第１レジストパターンを形成し、また金属板の第２面上に露光・現像処理によって第２レジストパターンを形成する。次に、金属板の第１面のうち第１レジストパターンによって覆われていない領域をエッチングして、金属板の第１面に第１凹部を形成する。その後、金属板の第２面のうち第２レジストパターンによって覆われていない領域をエッチングして、金属板の第２面に第２凹部を形成する。この際、第１凹部と第２凹部とが通じ合うようにエッチングを行うことにより、金属板を貫通する貫通孔を形成することができる。蒸着マスクを作製するための金属板は、例えば、ニッケルを含む鉄合金などの金属からなる母材を圧延することによって作製される。
　その他にも、蒸着マスクの製造方法として、めっき処理を利用して蒸着マスクを製造する方法が知られている。例えばはじめに、導電性を有する基材を準備する。次に、基材の上に、所定の隙間を空けてレジストパターンを形成する。このレジストパターンは、蒸着マスクの貫通孔が形成されるべき位置に設けられている。その後、レジストパターンの隙間にめっき液を供給して、電解めっき処理によって基材の上に金属層を析出させる。その後、金属層を基材から分離させることにより、複数の貫通孔が形成された蒸着マスクを得ることができる。
特許第５３８２２５９号公報 特開２００１－２３４３８５号公報
　蒸着材料を所望のパターンで精度良く基板に蒸着させるためには、蒸着マスクの厚みが小さいことが好ましい。一方、蒸着マスクの厚みが小さいと、蒸着マスクを構成する金属板の強度が低下し、蒸着マスクの製造工程や蒸着マスクの使用の際に金属板に塑性変形が生じやすくなってしまう。
　本開示の実施形態は、このような課題を効果的に解決し得る金属板を提供することを目的とする。
　本開示の一実施形態は、蒸着マスクを製造するために用いられる金属板であって、前記金属板は、少なくともニッケルを含む鉄合金の圧延材からなり、且つ３０μｍ以下の厚みを有し、前記金属板の断面のうち前記金属板の圧延方向に直交する平面に対して－１０°以上＋１０°以下の角度を成す断面に現れる結晶粒をＥＢＳＤ法で測定し、測定結果を解析することにより算出される、前記結晶粒の平均断面積が、０．５μｍ２以上且つ５０μｍ２以下であり、前記平均断面積は、ＥＢＳＤ法によって得られた測定結果を、結晶方位の差が５度以上の部分を結晶粒界と認定する条件下でエリア法により解析することによって算出される、金属板である。前記圧延材におけるニッケル及びコバルトの含有量が合計で３０質量％以上且つ３８質量％以下であってもよい。
　本開示の一実施形態は、蒸着マスクを製造するために用いられる金属板であって、前記金属板は、少なくともニッケルを含む鉄合金のめっき膜からなり、且つ３０μｍ以下の厚みを有し、前記金属板の断面のうち前記めっき膜の長手方向に直交する平面に対して－１０°以上＋１０°以下の角度を成す断面に現れる結晶粒をＥＢＳＤ法で測定し、測定結果を解析することにより算出される、前記結晶粒の平均断面積が、０．５μｍ２以上且つ５０μｍ２以下であり、前記平均断面積は、ＥＢＳＤ法によって得られた測定結果を、結晶方位の差が５度以上の部分を結晶粒界と認定する条件下でエリア法により解析することによって算出される、金属板である。前記めっき膜におけるニッケル及びコバルトの含有量が合計で３８質量％以上且つ５４質量％以下であってもよい。
　本開示の一実施形態による金属板において、前記結晶粒の平均断面積が、２．０μｍ２以上であってもよい。
　本開示の一実施形態による金属板は、１３μｍ以上の厚みを有していてもよい。
　本開示の一実施形態は、蒸着マスクであって、金属板と、金属板に形成された貫通孔と、を備え、前記金属板は、少なくともニッケルを含む鉄合金の圧延材からなり、且つ３０μｍ以下の厚みを有し、前記金属板の断面のうち前記金属板の圧延方向に直交する平面に対して－１０°以上＋１０°以下の角度を成す断面に現れる結晶粒をＥＢＳＤ法で測定し、測定結果を解析することにより算出される、前記結晶粒の平均断面積が、０．５μｍ２以上且つ５０μｍ２以下であり、前記平均断面積は、ＥＢＳＤ法によって得られた測定結果を、結晶方位の差が５度以上の部分を結晶粒界と認定する条件下でエリア法により解析することによって算出される、蒸着マスクである。前記圧延材におけるニッケル及びコバルトの含有量が合計で３０質量％以上且つ３８質量％以下であってもよい。
　本開示の一実施形態は、蒸着マスクであって、金属板と、金属板に形成された貫通孔と、を備え、前記金属板は、少なくともニッケルを含む鉄合金のめっき膜からなり、且つ３０μｍ以下の厚みを有し、前記金属板の断面のうち前記めっき膜の長手方向に直交する平面に対して－１０°以上＋１０°以下の角度を成す断面に現れる結晶粒をＥＢＳＤ法で測定し、測定結果を解析することにより算出される、前記結晶粒の平均断面積が、０．５μｍ２以上且つ５０μｍ２以下であり、前記平均断面積は、ＥＢＳＤ法によって得られた測定結果を、結晶方位の差が５度以上の部分を結晶粒界と認定する条件下でエリア法により解析することによって算出される、蒸着マスクである。前記めっき膜におけるニッケル及びコバルトの含有量が合計で３８質量％以上且つ５４質量％以下であってもよい。
　本開示の一実施形態による蒸着マスクにおいて、前記結晶粒の平均断面積が、２．０μｍ２以上であってもよい。
　本開示の一実施形態による蒸着マスクにおいて、前記金属板は、１０μｍ以上の厚みを有していてもよい。
　本開示の一実施形態は、上記記載の蒸着マスクと、前記蒸着マスクが溶接されたフレームと、を備える、蒸着マスク装置である。
　本開示の一実施形態は、上記記載の金属板を準備する工程と、前記金属板を長手方向に沿って搬送する工程と、前記金属板に貫通孔を形成する加工工程と、を備える、蒸着マスクの製造方法である。
　本開示の一実施形態は、蒸着マスクを製造するために用いられる金属板の製造方法であって、ニッケルを含む鉄合金からなり、且つ３０μｍ以下の厚みを有する前記金属板を、圧延法によって圧延材として得る作製工程を備え、前記金属板の断面のうち圧延材の圧延方向に直交する平面に対して－１０°以上＋１０°以下の角度を成す断面に現れる結晶粒をＥＢＳＤ法で測定し、測定結果を解析することにより算出される、前記結晶粒の平均断面積が、０．５μｍ２以上且つ５０μｍ２以下であり、前記平均断面積は、ＥＢＳＤ法によって得られた測定結果を、結晶方位の差が５度以上の部分を結晶粒界と認定する条件下でエリア法により解析することによって算出される、金属板の製造方法である。前記作製工程は、母材を圧延する圧延工程と、圧延された前記母材を搬送しながら５００℃～６００℃の範囲内で３０秒～９０秒にわたってアニールするアニール工程と、を有していてもよい。
　本開示の一実施形態は、蒸着マスクを製造するために用いられる金属板の製造方法であって、少なくともニッケルを含む鉄合金からなり、且つ３０μｍ以下の厚みを有する前記金属板を、めっき法によってめっき膜として得る作製工程を備え、前記金属板の断面のうちめっき膜の長手方向に直交する平面に対して－１０°以上＋１０°以下の角度を成す断面に現れる結晶粒をＥＢＳＤ法で測定し、測定結果を解析することにより算出される、前記結晶粒の平均断面積が、０．５μｍ２以上且つ５０μｍ２以下であり、
　前記平均断面積は、ＥＢＳＤ法によって得られた測定結果を、結晶方位の差が５度以上の部分を結晶粒界と認定する条件下でエリア法により解析することによって算出される、金属板の製造方法である。前記作製工程は、めっき液の中に部分的に浸漬されたドラムを回転させながら、ドラムの表面にめっき膜を形成する工程と、前記めっき膜を前記ドラムから剥がすことによって長尺状の前記めっき膜からなる前記金属板を得る工程と、を有していてもよい。
　本開示の実施形態によれば、３０μｍ以下の厚みを有する金属板の強度及び溶接性が良好になる。
本開示の一実施形態による蒸着マスク装置を備えた蒸着装置を示す図である。 図１に示す蒸着マスク装置を用いて製造した有機ＥＬ表示装置を示す断面図である。 本開示の一実施形態による蒸着マスク装置を示す平面図である。 図３に示された蒸着マスクの有効領域を示す部分平面図である。 図４のV－V線に沿った断面図である。 母材を圧延して所望の厚みを有する金属板を得る工程を示す図である。 圧延によって得られた金属板をアニールする工程を示す図である。 金属板から抽出した試験片を含む試料を示す図である。 試験片を含む試料の傾斜角度を調整する工程の一例を示す図である。 ＥＢＳＤ法の測定結果に基づいて解析された、試験片の断面に現れる結晶粒の一例を示す図である。 蒸着マスクの製造方法の一例を全体的に説明するための模式図である。 金属板上にレジストパターンを形成する工程を示す図である。 第１面エッチング工程を示す図である。 第２面エッチング工程を示す図である。 金属板から樹脂及びレジストパターンを除去する工程を示す図である。 金属板に局所的に生じる変形部の一例を示す図である。 図１６の金属板の変形部の断面形状の一例を示す図である。 蒸着マスクに張力を加えた状態でフレームに対する蒸着マスクの位置を調整する架張工程の一例を示す図である。 蒸着マスクをフレームに溶接する溶接工程を示す図である。 溶接工程によって形成された溶接部を示す図である。 好ましくない溶接部の一例を示す図である。 図２０の溶接部を拡大して示す図である。 好ましい溶接部の一例を示す図である。 図２２の溶接部を拡大して示す図である。 溶接部の溶接強度を測定する方法の一例を示す図である。 例１～例１６に係る金属板の評価結果を示す図である。 例１～例１６に係る金属板の厚み及び結晶粒の平均断面積を示す散布図である。 選別された複数の金属板が有する結晶粒の平均断面積の分布の一例を示す図である。 選別された複数の金属板が有する結晶粒の平均断面積の分布の一例を示す図である。 選別された複数の金属板が有する結晶粒の平均断面積の分布の一例を示す図である。
　以下、図面を参照して本開示の一実施の形態について説明する。なお、本件明細書に添付する図面においては、図示と理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺および縦横の寸法比等を、実物のそれらから変更し誇張してある。
　なお、本開示の実施形態は、矛盾の生じない範囲で、その他の実施形態や変形例と組み合わせられ得る。また、その他の実施形態同士や、その他の実施形態と変形例も、矛盾の生じない範囲で組み合わせられ得る。また、変形例同士も、矛盾の生じない範囲で組み合わせられ得る。
　また、本開示の実施形態において、製造方法などの方法に関して複数の工程を開示する場合に、開示されている工程の間に、開示されていないその他の工程が実施されてもよい。また、開示されている工程の順序は、矛盾の生じない範囲で任意である。
　図１～図２２は、本開示の一実施の形態を説明するための図である。以下の実施の形態およびその変形例では、有機ＥＬ表示装置を製造する際に有機材料を所望のパターンで基板上にパターニングするために用いられる蒸着マスクの製造方法を例にあげて説明する。ただし、このような適用に限定されることなく、種々の用途に用いられる蒸着マスクに対し、本開示の実施の形態を適用することができる。
　なお、本明細書において、「板」、「シート」、「フィルム」の用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。例えば、「板」はシートやフィルムと呼ばれ得るような部材も含む概念である。
　また、「板面（シート面、フィルム面）」とは、対象となる板状（シート状、フィルム状）の部材を全体的かつ大局的に見た場合において対象となる板状部材（シート状部材、フィルム状部材）の平面方向と一致する面のことを指す。また、板状（シート状、フィルム状）の部材に対して用いる法線方向とは、当該部材の板面（シート面、フィルム面）に対する法線方向のことを指す。
　さらに、本明細書において用いる、形状や幾何学的条件および物理的特性並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」、「直交」、「同一」、「同等」等の用語や長さや角度並びに物理的特性の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。
　まず、対象物に蒸着材料を蒸着させる蒸着処理を実施する蒸着装置９０について、図１を参照して説明する。図１に示すように、蒸着装置９０は、その内部に、蒸着源（例えばるつぼ９４）、ヒータ９６、及び蒸着マスク装置１０を備えていてもよい。また、蒸着装置９０は、蒸着装置９０の内部を真空雰囲気にするための排気手段を更に備えていてもよい。るつぼ９４は、有機発光材料などの蒸着材料９８を収容する。ヒータ９６は、るつぼ９４を加熱して、真空雰囲気の下で蒸着材料９８を蒸発させる。蒸着マスク装置１０は、るつぼ９４と対向するよう配置されている。
　以下、蒸着マスク装置１０について説明する。図１に示すように、蒸着マスク装置１０は、蒸着マスク２０と、蒸着マスク２０を支持するフレーム１５と、を備えていてもよい。フレーム１５は、蒸着マスク２０が撓んでしまうことがないように、蒸着マスク２０をその面方向に引っ張った状態で支持する。蒸着マスク装置１０は、図１に示すように、蒸着マスク２０が、蒸着材料９８を付着させる対象物である基板、例えば有機ＥＬ基板９２に対面するよう、蒸着装置９０内に配置される。以下の説明において、蒸着マスク２０の面のうち、有機ＥＬ基板９２側の面を第１面２０ａと称し、第１面２０ａの反対側に位置する面を第２面２０ｂと称する。
　蒸着装置９０は、図１に示すように、有機ＥＬ基板９２の、蒸着マスク２０と反対の側の面に配置された磁石９３を備えていてもよい。磁石９３を設けることにより、磁力によって蒸着マスク２０を磁石９３側に引き寄せて、蒸着マスク２０を有機ＥＬ基板９２に密着させることができる。
　図３は、蒸着マスク装置１０を蒸着マスク２０の第１面２０ａ側から見た場合を示す平面図である。図３に示すように、蒸着マスク装置１０は、複数の蒸着マスク２０を備えていてもよい。各蒸着マスク２０は、一対の長辺２６及び一対の短辺２７を含んでいてもよい。例えば、各蒸着マスク２０は、矩形状の形状を有していてもよい。各蒸着マスク２０は、一対の短辺２７又はその近傍の部分において、例えば溶接によってフレーム１５に固定されていてもよい。
　蒸着マスク２０は、蒸着マスク２０を貫通する複数の貫通孔２５が形成された、金属製の板状の基材を含んでいてもよい。るつぼ９４から蒸発して蒸着マスク装置１０に到達した蒸着材料９８は、蒸着マスク２０の貫通孔２５を通って有機ＥＬ基板９２に付着する。これによって、蒸着マスク２０の貫通孔２５の位置に対応した所望のパターンで、蒸着材料９８を有機ＥＬ基板９２の表面に成膜することができる。
　図２は、図１の蒸着装置９０を用いて製造した有機ＥＬ表示装置１００を示す断面図である。有機ＥＬ表示装置１００は、有機ＥＬ基板９２と、パターン状に設けられた蒸着材料９８を含む画素と、を備える。
　なお、複数の色によるカラー表示を行いたい場合には、各色に対応する蒸着マスク２０が搭載された蒸着装置９０をそれぞれ準備し、有機ＥＬ基板９２を各蒸着装置９０に順に投入する。これによって、例えば、赤色用の有機発光材料、緑色用の有機発光材料および青色用の有機発光材料を順に有機ＥＬ基板９２に蒸着させることができる。
　ところで、蒸着処理は、高温雰囲気となる蒸着装置９０の内部で実施される場合がある。この場合、蒸着処理の間、蒸着装置９０の内部に保持される蒸着マスク２０、フレーム１５および有機ＥＬ基板９２も加熱される。この際、蒸着マスク２０、フレーム１５および有機ＥＬ基板９２は、各々の熱膨張係数に基づいた寸法変化の挙動を示すことになる。この場合、蒸着マスク２０やフレーム１５と有機ＥＬ基板９２の熱膨張係数が大きく異なっていると、それらの寸法変化の差異に起因した位置ずれが生じ、この結果、有機ＥＬ基板９２上に付着する蒸着材料の寸法精度や位置精度が低下してしまう。
　このような課題を解決するため、蒸着マスク２０およびフレーム１５の熱膨張係数が、有機ＥＬ基板９２の熱膨張係数と同等の値であることが好ましい。例えば、有機ＥＬ基板９２としてガラス基板が用いられる場合、蒸着マスク２０およびフレーム１５の主要な材料として、ニッケルを含む鉄合金を用いることができる。鉄合金は、ニッケルに加えてコバルトを更に含んでいてもよい。例えば、蒸着マスク２０を構成する基材の材料として、ニッケル及びコバルトの含有量が合計で３０質量％以上且つ５４質量％以下であり、且つコバルトの含有量が０質量％以上且つ６質量％以下である鉄合金を用いることができる。ニッケル若しくはニッケル及びコバルトを含む鉄合金の具体例としては、３４質量％以上且つ３８質量％以下のニッケルを含むインバー材、３０質量％以上且つ３４質量％以下のニッケルに加えてさらにコバルトを含むスーパーインバー材、３８質量％以上且つ５４質量％以下のニッケルを含む低熱膨張Ｆｅ－Ｎｉ系めっき合金などを挙げることができる。
　なお蒸着処理の際に、蒸着マスク２０、フレーム１５および有機ＥＬ基板９２の温度が高温には達しない場合は、蒸着マスク２０およびフレーム１５の熱膨張係数を、有機ＥＬ基板９２の熱膨張係数と同等の値にする必要は特にない。この場合、蒸着マスク２０を構成する材料として、上述の鉄合金以外の材料を用いてもよい。例えば、クロムを含む鉄合金など、上述のニッケルを含む鉄合金以外の鉄合金を用いてもよい。クロムを含む鉄合金としては、例えば、いわゆるステンレスと称される鉄合金を用いることができる。また、ニッケルやニッケル－コバルト合金など、鉄合金以外の合金を用いてもよい。
　次に、蒸着マスク２０について詳細に説明する。図３に示すように、蒸着マスク２０は、蒸着マスク２０の一対の短辺２７を含む一対の耳部（第１耳部１７ａ及び第２耳部１７ｂ）と、一対の耳部１７ａ，１７ｂの間に位置する中間部１８と、を備えていてもよい。
　まず、耳部１７ａ，１７ｂについて詳細に説明する。耳部１７ａ，１７ｂは、蒸着マスク２０のうちフレーム１５に固定される部分である。本実施の形態において、耳部１７ａ，１７ｂは、中間部１８と一体的に構成されている。なお、耳部１７ａ，１７ｂは、中間部１８とは別の部材によって構成されていてもよい。この場合、耳部１７ａ，１７ｂは、例えば溶接によって中間部１８に接合される。
　（中間部）
　次に、中間部１８について説明する。中間部１８は、第１面２０ａから第２面２０ｂに至る貫通孔２５が形成された、少なくとも１つの有効領域２２と、有効領域２２を取り囲む周囲領域２３と、を含んでいてもよい。有効領域２２は、蒸着マスク２０のうち、有機ＥＬ基板９２の表示領域に対面する領域である。
　図３に示す例において、中間部１８は、蒸着マスク２０の長辺２６に沿って所定の間隔を空けて配列された複数の有効領域２２を含む。一つの有効領域２２は、一つの有機ＥＬ表示装置１００の表示領域に対応する。このため、図１に示す蒸着マスク装置１０によれば、有機ＥＬ表示装置１００の多面付蒸着が可能である。なお、一つの有効領域２２が複数の表示領域に対応する場合もある。
　図３に示すように、有効領域２２は、例えば、平面視において略四角形形状、さらに正確には平面視において略矩形状の輪郭を有していてもよい。なお図示はしないが、各有効領域２２は、有機ＥＬ基板９２の表示領域の形状に応じて、様々な形状の輪郭を有することができる。例えば各有効領域２２は、円形状の輪郭を有していてもよい。
　以下、有効領域２２について詳細に説明する。図４は、蒸着マスク２０の第２面２０ｂ側から有効領域２２を拡大して示す平面図である。図４に示すように、図示された例において、各有効領域２２に形成された複数の貫通孔２５は、当該有効領域２２において、互いに直交する二方向に沿ってそれぞれ所定のピッチで配列されている。
　図５は、図４の有効領域２２のV－V方向に沿った断面図である。図５に示すように、複数の貫通孔２５は、蒸着マスク２０の法線方向Ｎに沿った一方の側となる第１面２０ａから、蒸着マスク２０の法線方向Ｎに沿った他方の側となる第２面２０ｂへ貫通している。図示された例では、後に詳述するように、蒸着マスク２０の法線方向Ｎにおける一方の側となる金属板６４の第１面６４ａに第１凹部３０がエッチングによって形成され、蒸着マスク２０の法線方向Ｎにおける他方の側となる金属板６４の第２面６４ｂに第２凹部３５が形成される。第１凹部３０は、第２凹部３５に接続され、これによって第２凹部３５と第１凹部３０とが互いに通じ合うように形成される。貫通孔２５は、第２凹部３５と、第２凹部３５に接続された第１凹部３０とによって構成されている。図４及び図５に示すように、第１凹部３０の壁面３１と、第２凹部３５の壁面３６とは、周状の接続部４１を介して接続されている。接続部４１は、蒸着マスク２０の平面視において貫通孔２５の開口面積が最小になる貫通部４２を画成する。
　図５に示すように、蒸着マスク２０の第１面２０ａ側において、隣り合う二つの貫通孔２５は、金属板６４の第１面６４ａに沿って互いから離間している。蒸着マスク２０の第２面２０ｂ側においても、隣り合う二つの第２凹部３５が、金属板６４の第２面６４ｂに沿って互いから離間していてもよい。すなわち、隣り合う二つの第２凹部３５の間に金属板６４の第２面６４ｂが残存していてもよい。以下の説明において、金属板６４の第２面６４ｂの有効領域２２のうちエッチングされずに残っている部分のことを、トップ部４３とも称する。このようなトップ部４３が残るように蒸着マスク２０を作製することにより、蒸着マスク２０に十分な強度を持たせることができる。このことにより、例えば搬送中などに蒸着マスク２０が破損してしまうことを抑制することができる。なおトップ部４３の幅βが大きすぎると、蒸着工程においてシャドーが発生し、これによって蒸着材料９８の利用効率が低下することがある。従って、トップ部４３の幅βが過剰に大きくならないように蒸着マスク２０が作製されることが好ましい。シャドーとは、有機ＥＬ基板９２などの蒸着対象物のうち蒸着マスク２０の貫通孔と重なっている領域への蒸着材料の付着が、蒸着マスク２０の第２面２０ｂや壁面によって阻害される現象のことである。
　図１に示すようにして蒸着マスク装置１０が蒸着装置９０に収容された場合、図５に二点鎖線で示すように、蒸着マスク２０の第１面２０ａが、有機ＥＬ基板９２に対面し、蒸着マスク２０の第２面２０ｂが、蒸着材料９８を保持したるつぼ９４側に位置する。したがって、蒸着材料９８は、次第に開口面積が小さくなっていく第２凹部３５を通過して有機ＥＬ基板９２に付着する。図５において第２面２０ｂ側から第１面２０ａへ向かう矢印で示すように、蒸着材料９８は、るつぼ９４から有機ＥＬ基板９２に向けて有機ＥＬ基板９２の法線方向Ｎに沿って移動するだけでなく、有機ＥＬ基板９２の法線方向Ｎに対して大きく傾斜した方向に移動することもある。このとき、蒸着マスク２０の厚みが大きいと、斜めに移動する蒸着材料９８が、トップ部４３、第２凹部３５の壁面３６や第１凹部３０の壁面３１に引っ掛かり易くなり、この結果、貫通孔２５を通過できない蒸着材料９８の比率が多くなる。従って、蒸着材料９８の利用効率を高めるためには、蒸着マスク２０の厚みｔを小さくし、これによって、第２凹部３５の壁面３６や第１凹部３０の壁面３１の高さを小さくすることが好ましいと考えられる。すなわち、蒸着マスク２０を構成するための金属板６４として、蒸着マスク２０の強度を確保できる範囲内で可能な限り厚みｔの小さな金属板６４を用いることが好ましいと言える。この点を考慮し、本実施の形態において、蒸着マスク２０の厚みｔは、例えば３０μｍ以下、好ましくは２５μｍ以下、更に好ましくは２０μｍ以下になっている。蒸着マスク２０の厚みｔは、１８μｍ以下であってもよく、１５μｍ以下であってもよい。一方、蒸着マスク２０の厚みが小さくなり過ぎると、蒸着マスク２０の強度が低下し、蒸着マスク２０に損傷や変形が生じやすくなる。この点を考慮し、蒸着マスク２０の厚みｔは、５μｍ以上であってもよく、７μｍ以上であってもよく、１０μｍ以上であってもよく、１３μｍ以上であってもよく、１５μｍ以上であってもよい。なお厚みｔは、周囲領域２３の厚み、すなわち蒸着マスク２０のうち第１凹部３０および第２凹部３５が形成されていない部分の厚みである。従って厚みｔは、金属板６４の厚みであると言うこともできる。
　蒸着マスク２０の厚みｔの範囲は、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の１つと、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の１つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、蒸着マスク２０の厚みｔは、５μｍ以上３０μｍ以下であってもよく、７μｍ以上２５μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上２０μｍ以下であってもよく、１３μｍ以上１８μｍ以下であってもよい。また、蒸着マスク２０の厚みｔの範囲は、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、蒸着マスク２０の厚みｔは、２５μｍ以上３００μｍ以下であってもよい。また、蒸着マスク２０の厚みｔの範囲は、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、蒸着マスク２０の厚みｔは、５μｍ以上７μｍ以下であってもよい。
　図５において、貫通孔２５の最小開口面積を持つ部分となる接続部４１と、第２凹部３５の壁面３６の他の任意の位置と、を通過する直線Ｌ１が、蒸着マスク２０の法線方向Ｎに対してなす最小角度が、符号θ１で表されている。斜めに移動する蒸着材料９８を、壁面３６に到達させることなく可能な限り有機ＥＬ基板９２に到達させるためには、角度θ１を大きくすることが有利となる。角度θ１を大きくする上では、蒸着マスク２０の厚みｔを小さくすることの他にも、上述のトップ部４３の幅βを小さくすることも有効である。
　図５において、符号αは、金属板６４の第１面６４ａの有効領域２２のうちエッチングされずに残っている部分（以下、リブ部とも称する）の幅を表している。リブ部の幅αおよび貫通部４２の寸法ｒは、有機ＥＬ表示装置の寸法および表示画素数に応じて適宜定められる。例えば、リブ部の幅αは５μｍ以上且つ４０μｍ以下であり、貫通部４２の寸法ｒは１０μｍ以上且つ６０μｍ以下である。
　リブ部の幅αは、１０μｍ以上であってもよく、１５μｍ以上であってもよく、２０μｍ以上であってもよい。また、リブ部の幅αは、３５μｍ以下であってもよく、３０μｍ以下であってもよく、２５μｍ以下であってもよい。リブ部の幅αの範囲は、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の１つと、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の１つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、リブ部の幅αは、１０μｍ以上３５μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上３０μｍ以下であってもよく、２０μｍ以上２５μｍ以下であってもよい。また、リブ部の幅αの範囲は、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、リブ部の幅αは、３５μｍ以上４０μｍ以下であってもよい。また、リブ部の幅αの範囲は、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、リブ部の幅αは、５μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。
　貫通部４２の寸法ｒは、１５μｍ以上であってもよく、２０μｍ以上であってもよく、２５μｍ以上であってもよく、３０μｍ以上であってもよい。また、貫通部４２の寸法ｒの下限は、上述の１０μｍよりも小さくてもよい。例えば、貫通部４２の寸法ｒは、５μｍ以上であってもよい。また、貫通部４２の寸法ｒは、５５μｍ以下であってもよく、５０μｍ以下であってもよく、４５μｍ以下であってもよく、４０μｍ以下であってもよく、３５μｍ以下であってもよい。貫通部４２の寸法ｒの範囲は、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の１つと、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の１つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、貫通部４２の寸法ｒは、１５μｍ以上５５μｍ以下であってもよく、２０μｍ以上５０μｍ以下であってもよく、２５μｍ以上４５μｍ以下であってもよく、３０μｍ以上４０μｍ以下であってもよく、３０μｍ以上３５μｍ以下であってもよい。また、貫通部４２の寸法ｒの範囲は、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、貫通部４２の寸法ｒは、５５μｍ以上６０μｍ以下であってもよい。また、貫通部４２の寸法ｒの範囲は、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、貫通部４２の寸法ｒは、５μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。
　なお、図４及び図５においては、隣り合う二つの第２凹部３５の間に金属板６４の第２面６４ｂが残存している例を示したが、これに限られることはない。図示はしないが、隣り合う二つの第２凹部３５が接続されるようにエッチングが実施されてもよい。すなわち、隣り合う二つの第２凹部３５の間に、金属板６４の第２面６４ｂが残存していない場所が存在していてもよい。
　次に、蒸着マスク２０を製造する方法について説明する。
　はじめに、蒸着マスクを製造するために用いられる金属板の製造方法について説明する。本実施の形態においては、金属板が、ニッケルを含む鉄合金の圧延材からなる例について説明する。圧延材は、３０μｍ以下の厚みを有していてもよい。また、圧延材は、３０質量％以上且つ３８質量％以下のニッケルと、０質量％以上６質量％以下のコバルトと、残部の鉄と、不可避の不純物と、を含んでいてもよい。
　まず、鉄及びニッケル並びにその他の原材料を準備する。例えば、原材料全体に対する鉄の比率及びニッケルの比率がそれぞれ約６４重量％及び約３６重量％となるよう、各原材料を準備する。続いて、各原材料を必要に応じて粉砕した後、各原材料を溶解炉にて溶解する溶解工程を実施する。例えば、アーク放電などの気体放電を利用して各原材料を溶解して混合する。これによって、金属板のための母材を得ることができる。
　溶解時の温度は、原材料に応じて設定するが、例えば１５００℃以上である。溶解工程は、脱酸、脱水、脱窒素などのためにアルミニウム、マンガン、シリコンなどを溶解炉に投入する工程を含んでいてもよい。また、溶解工程は、大気圧よりも低い低圧状態で、アルゴンガスなどの不活性ガスの雰囲気下で実施してもよい。
　母材を溶解炉から取り出した後、母材の表面を削り取る研削工程を実施してもよい。これによって、スケールなどの酸化物の被膜を除去することができる。具体的な研削方法は特には限られないが、砥石車を回転させて母材の表面を削る、いわゆるグラインディング法や、母材を切削具に押し込んで母材の表面を削る、いわゆる押し込み法などを採用することができる。研削工程は、母材の厚みが均一になるように実施されてもよい。
　続いて、図６に示すように、ニッケルを含む鉄合金から構成された母材６０を圧延する圧延工程を実施する。例えば、一対の圧延ロール（ワークロール）６６ａ，６６ｂを含む圧延装置６６に向けて、矢印Ｄ１で示す方向に引張張力を加えながら搬送する。一対の圧延ロール６６ａ，６６ｂの間に到達した母材６０は、一対の圧延ロール６６ａ，６６ｂによって圧延され、この結果、母材６０は、その厚みが低減されるとともに、搬送方向に沿って伸ばされる。これによって、所定の厚みを有する金属板６４を得ることができる。図６に示すように、金属板６４をコア６１に巻き取ることによって巻き体６２を形成してもよい。
　なお図６は、圧延工程の概略を示すものに過ぎず、圧延工程を実施するための具体的な構成や手順が特に限られることはない。例えば圧延工程は、母材６０を構成する鉄合金の結晶配列を変化させる温度以上の温度で母材を加工する熱間圧延工程や、鉄合金の結晶配列を変化させる温度以下の温度で母材を加工する冷間圧延工程を含んでいてもよい。また、一対の圧延ロール６６ａ，６６ｂの間に母材６０や金属板６４を通過させる際の向きが一方向に限られることはない。例えば、図６及び図７において、紙面左側から右側への向き、および紙面右側から左側への向きで繰り返し母材６０や金属板６４を一対の圧延ロール６６ａ，６６ｂの間に通過させることにより、母材６０や金属板６４を徐々に圧延してもよい。
　圧延工程においては、圧下率を調整することにより、金属板６４に含まれる結晶粒の寸法を調整することができる。例えば、圧下率を高くすることにより、金属板６４に含まれる結晶粒の寸法を小さくすることができる。結晶粒の寸法を小さくする上では、圧下率を最大値に設定することが好ましい。また、圧下率を低くすることにより、金属板６４に含まれる結晶粒の寸法を大きくすることができる。
　圧下率は、下記の式により算出される。
　圧下率（％）＝（（Ｔ１－Ｔ２）／Ｔ１）×１００
　Ｔ１は、圧延工程が施される前の金属板６４の厚みであり、Ｔ２は、圧延工程が施された後の金属板６４の厚みである。
　圧延工程における金属板６４の圧下率は、好ましくは７０％以上である。これにより、後述するように、金属板６４の結晶粒の平均断面積を５０μｍ２以下にすることができる。圧延工程における金属板６４の圧下率は、７５％以上であってもよく、８０％以上であってもよく、８５％以上であってもよい。また、圧延工程における金属板６４の圧下率は、好ましくは９５％以下である。これにより、後述するように、金属板６４の結晶粒の平均断面積を５０μｍ２以下にすることができる。圧延工程における金属板６４の圧下率は、９０％以下であってもよく、８５％以下であってもよい。
　圧延工程における金属板６４の圧下率の範囲は、複数の上限の候補値のうちの任意の１つと、複数の下限の候補値のうちの任意の１つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、圧下率は、７０％以上９５％以下であってもよく、７５％以上９０％以下であってもよく、８０％以上８５％以下であってもよい。また、圧延工程における金属板６４の圧下率の範囲は、複数の上限の候補値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、圧下率は、９０％以上９５％以下であってもよい。また、圧延工程における金属板６４の圧下率の範囲は、複数の下限の候補値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、圧下率は、７０％以上７５％以下であってもよい。
　圧延工程においては、圧延速度、すなわち金属板６４の搬送速度を調整してもよい。例えば、圧延速度を増加させると、金属板６４と圧延ロール６６ａ，６６ｂとの間に巻き込まれる圧延オイルの量が増加する。これにより、金属板６４の表面にオイルピットが形成されることを抑制することができる。このように、金属板６４の搬送速度を調整することにより、金属板６４の表面のオイルピットの密度などを制御することができる。圧延速度は、５０ｍ／分以上であってもよく、７０ｍ／分以上であってもよく、１００ｍ／分以上であってもよい。また、圧延速度は、好ましくは２００ｍ／分以下である。圧延速度は、１５０ｍ／分以下であってもよく、１００ｍ／分以下であってもよく、８０ｍ／分以下であってもよい。
　圧延速度は、複数の上限の候補値のうちの任意の１つと、複数の下限の候補値のうちの任意の１つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、圧延速度は、３０ｍ／分以上２００ｍ／分以下であってもよく、５０ｍ／分以上１５０ｍ／分以下であってもよい。また、圧延速度の範囲は、複数の上限の候補値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、圧延速度は、１５０ｍ／分以上２００ｍ／分以下であってもよく、１００ｍ／分以上１５０ｍ／分以下であってもよい。また、圧延速度の範囲は、複数の下限の候補値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、圧延速度の範囲は、３０ｍ／分以上５０ｍ／分以下であってもよく、５０ｍ／分以上７０ｍ／分以下であってもよい。圧延速度は、好ましくは３０ｍ／分以上２００ｍ／分以下であり、より好ましくは３０ｍ／分以上１５０ｍ／分以下であり、より好ましくは３０ｍ／分以上１００ｍ／分以下であり、より好ましくは３０ｍ／分以上８０ｍ／分以下である。
　また、圧延ロールの直径を調整してもよい。例えば、圧延ロールの直径を増加させると、金属板６４の表面に形成されるオイルピットが増加する。このように、圧延ロールの直径を調整することにより、金属板６４の表面のオイルピットの密度などを制御することができる。圧延ロールの直径は、好ましくは２８ｍｍ以上である。圧延ロールの直径は、４０ｍｍ以上であってもよく、５０ｍｍ以上であってもよい。また、圧延ロールの直径は、好ましくは１５０ｍｍ以下である。圧延ロールの直径は、１２０ｍｍ以下であってもよく、１００ｍｍであってもよく、８０ｍｍ以下であってもよい。
　圧延ロールの直径の範囲は、複数の上限の候補値のうちの任意の１つと、複数の下限の候補値のうちの任意の１つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、圧延ロールの直径は、２８ｍｍ以上１５０ｍｍ以下であってもよく、４０ｍｍ以上１２０ｍｍ以下であってもよい。また、圧延ロールの直径の範囲は、複数の上限の候補値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、圧延ロールの直径は、１２０ｍｍ以上１５０ｍｍ以下であってもよい。また、圧延ロールの直径の範囲は、複数の下限の候補値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、圧延ロールの直径は、２８ｍｍ以上４０ｍｍ以下であってもよい。圧延ロールの直径は、好ましくは２８ｍｍ以上１５０ｍｍ以下であり、より好ましくは４０ｍｍ以上１２０ｍｍ以下であり、より好ましくは５０ｍｍ以上１００ｍｍ以下であり、より好ましくは５０ｍｍ以上８０ｍｍ以下である。
　また、圧延工程においては、金属板６４の形状を調整するために圧延アクチュエータの圧力を調整してもよい。また、圧延ロール（ワークロール）６６ａ，６６ｂに加えてバックアップロールの形状を適宜調整してもよく、バックアップロールの位置を板幅方向に適宜調整してもよい。
　また、冷間圧延工程においては、母材６０と圧延ロール６６ａ，６６ｂとの間に灯油やニート油などのクーラントを供給してもよい。これにより、母材の温度を制御することができる。
　また、クーラントを適切に選択することによって、金属板６４の表面に形成されるオイルピットや圧延筋の数、面積などを調整することができる。例えば、クーラントとしてニート油を用いることができる。ニート油は、圧延時の粘度の上昇が生じにくいという特性を有する。このため、クーラントとしてニート油を用いることにより、金属板６４と圧延ロール６６ａ，６６ｂとの間に巻き込まれるクーラントの量を低減することができる。これにより、金属板６４の表面にオイルピットが形成されることを抑制することができる。
　また、圧延ロールの表面粗さを適切に選択することによっても、金属板６４の表面に形成されるオイルピットや圧延筋の数、面積などを調整することができる。例えば、圧延ロールの表面粗度Ｒａを小さくすることにより、金属板６４の表面に圧延筋が形成されることを抑制することができる。圧延ロールの表面粗度Ｒａは、好ましくは０．２μｍ以下である。圧延ロールの表面粗度Ｒａは、０．１５μｍ以下であってもよく、０．１μｍ以下であってもよく、０．０５μｍ以下であってもよい。圧延ロールの表面粗度Ｒｚは、好ましくは２．０μｍ以下である。圧延ロールの表面粗度Ｒｘは、１．５μｍ以下であってもよく、１．０μｍ以下であってもよく、０．５μｍ以下であってもよい。また、圧延ロールの表面粗度Ｒｚは、好ましくは２．０μｍ以下である。圧延ロールの表面粗度Ｒｚは、１．５μｍ以下であってもよく、１．０μｍ以下であってもよく、０．５μｍ以下であってもよい。表面粗度Ｒａ、Ｒｚは、ＪＩＳ　Ｂ　０６０１：２０１３に基づいて測定される。
　また、圧延工程の前後、又は圧延工程の間に母材６０又は金属板６４の品質や特性を分析する分析工程を実施してもよい。例えば、蛍光Ｘ線を母材６０又は金属板６４に照射して組成を分析してもよい。また、熱機械分析（TMA:Thermomechanical Analysis）によって母材６０又は金属板６４の熱膨張量を測定してもよい。
　（アニール工程）
　その後、圧延によって金属板６４内に蓄積された残留応力を取り除くため、図７に示すように、アニール装置６７を用いて金属板６４をアニールするアニール工程を実施してもよい。アニール工程は、図７に示すように、金属板６４を搬送方向（長手方向）に引っ張りながら実施されてもよい。すなわち、アニール工程は、いわゆるバッチ式の焼鈍ではなく、搬送しながらの連続焼鈍として実施されてもよい。この場合、金属板６４に座屈折れなどの変形が生じることを抑制するように温度や搬送速度を設定することが好ましい。アニール工程を実施することにより、残留歪がある程度除去された金属板６４を得ることができる。なお、図７においては、アニール工程の際に金属板６４を水平方向に搬送する例を示しているが、これに限られることはなく、アニール工程の際に金属板６４を、垂直方向などのその他の方向に搬送してもよい。
　アニール工程の条件は、金属板６４の厚みや圧下率などに応じて適切に設定されるが、例えば、５００℃以上６００℃以下の範囲内で３０秒以上９０秒以下にわたってアニール工程が実施される。なお上記の秒数は、アニール装置６７中で所定の温度に調整された空間を金属板６４が通過することに要する時間を表している。アニール工程の温度は、金属板６４の軟化が生じないように設定されてもよい。
　アニール工程の温度の下限は、上述の５００℃よりも低くてもよい。例えば、アニール工程の温度は、４００℃以上であってもよく、４５０℃以上であってもよい。また、アニール工程の温度の上限は、上述の６００℃よりも高くてもよい。例えば、アニール工程の温度は、７００℃以下であってもよく、６５０℃以下であってもよい。また、アニール工程の温度の範囲は、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の１つと、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の１つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、アニール工程の温度は、４００℃以上７００℃以下であってもよく、４５０℃以上６５０℃以下であってもよい。また、アニール工程の温度の範囲は、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、アニール工程の温度は、６５０℃以上７００℃以下であってもよい。また、アニール工程の温度の範囲は、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、アニール工程の温度は、４００℃以上４５０℃以下であってもよい。
　アニール工程の時間は、４０秒以上であってもよく、５０秒以上であってもよい。また、アニール工程の時間の下限は、上述の３０秒よりも短くてもよい。例えば、アニール工程の時間は、１０秒以上であってもよく、２０秒以上であってもよい。また、アニール工程の時間は、８０秒以下であってもよく、７０秒以下であってもよく、６０秒以下であってもよい。また、アニール工程の時間の上限は、上述の９０秒よりも長くてもよい。例えば、アニール工程の時間は、１００秒以下であってもよい。また、アニール工程の時間の範囲は、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の１つと、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の１つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、アニール工程の時間は、１０秒以上１００秒以下であってもよく、２０秒以上９０秒以下であってもよく、３０秒以上８０秒以下であってもよく、４０秒以上７０秒以下であってもよく、５０秒以上６０秒以下であってもよい。また、アニール工程の時間の範囲は、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、アニール工程の時間は、９０秒以上１００秒以下であってもよい。また、アニール工程の時間の範囲は、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、アニール工程の時間は、１０秒以上２０秒以下であってもよい。
　好ましくは上述のアニール工程は、非還元雰囲気や不活性ガス雰囲気で実施される。ここで非還元雰囲気とは、水素などの還元性ガスを含まない雰囲気のことである。「還元性ガスを含まない」とは、水素などの還元性ガスの濃度が１０％以下であることを意味している。アニール工程において、還元性ガスの濃度は、８％以下であってもよく、６％以下であってもよく、４％以下であってもよく、２％以下であってもよく、１％以下であってもよい。また不活性ガス雰囲気とは、アルゴンガス、ヘリウムガス、窒素ガスなどの不活性ガスの濃度が９０％以上である雰囲気のことである。アニール工程において、不活性ガスの濃度は、９２％以上であってもよく、９４％以上であってもよく、９６％以上であってもよく、９８％以上であってもよく、９９％以上であってもよい。非還元雰囲気や不活性ガス雰囲気でアニール工程を実施することにより、ニッケル水酸化物などのニッケル化合物が金属板６４の表面層に生成されることを抑制することができる。アニール装置６７は、不活性ガスの濃度をモニタする機構や、不活性ガスの濃度を調整する機構を有していてもよい。
　アニール工程の前に、金属板６４を洗浄する洗浄工程を実施してもよい。これにより、アニール工程の際に金属板６４の表面に異物が付着することを抑制することができる。洗浄のための洗浄液としては、例えば、炭化水素系の液を用いることができる。
　また図７においては、アニール工程が、金属板６４を長手方向に引っ張りながら実施される例を示したが、これに限られることはなく、アニール工程を、金属板６４がコア６１に巻き取られた状態で実施してもよい。すなわちバッチ式の焼鈍が実施されてもよい。なお、金属板６４がコア６１に巻き取られた状態でアニール工程を実施する場合、金属板６４に、巻き体６２の巻き取り径に応じた反りの癖がついてしまうことがある。従って、巻き体６２の巻き径や母材６０を構成する材料によっては、金属板６４を長手方向に引っ張りながらアニール工程を実施することが有利である。
　その後、金属板６４の幅が所定の範囲内になるよう、圧延工程によって得られた金属板６４の幅方向における両端をそれぞれ所定の範囲にわたって切り落とすスリット工程を実施してもよい。このスリット工程は、圧延に起因して金属板６４の両端に生じ得るクラックを除去するために実施される。このようなスリット工程を実施することにより、金属板６４が破断してしまう現象、いわゆる板切れが、クラックを起点として生じてしまうことを防ぐことができる。
　スリット工程において切り落とされる部分の幅は、スリット工程後の金属板６４の形状が、幅方向において左右対称になるように調整されてもよい。また、スリット工程を、上述のアニール工程の前に実施してもよい。
　なお、上述の圧延工程、アニール工程及びスリット工程のうちの少なくとも２つの工程を複数回繰り返すことによって、所定の厚みの長尺状の金属板６４を作製してもよい。
　アニール工程の後、金属板６４の断面に現れる結晶粒の寸法を検査する結晶粒検査工程を実施する。具体的には、結晶粒の平均断面積が第１閾値以上且つ第２閾値以下であるか否かを検査する。以下、このような検査を実施することの背景について説明する。
　本件発明者らが鋭意研究を行ったところ、金属板６４の厚みが小さくなると、金属板６４や金属板６４から製造された蒸着マスク２０に特定の変形部が形成され易くなることを見出した。変形部は、例えば、局所的な突起や凹みなどである。変形部は、例えば、蒸着マスク２０の製造工程において金属板６４を搬送する際や、金属板６４から製造された蒸着マスク２０を取り扱う際に生じる。変形部は、金属板６４の厚みが小さくなるほど生じやすくなる。例えば、金属板６４の厚みが３０μｍ以下の場合に生じやすく、２５μｍ以下の場合に更に生じやすく、２０μｍ以下の場合に更に生じやすい。
　金属板６４の厚みが小さい場合に変形が生じやすくなる原因としては、金属板６４の強度の低下が考えられる。一方、金属板６４の厚みが小さい場合にも金属板６４の強度を確保する方法としては、金属板６４の結晶粒の寸法を小さくすることが考えられる。
　結晶粒の寸法の指標としては、結晶粒の粒径、結晶粒の断面積、結晶粒の体積などが考えられる。ここで、本件発明者らが鋭意研究を行ったところ、３０μｍ以下の厚みを有する金属板６４の結晶粒の寸法を定量的に把握する手法として、電子線後方散乱回折法（以下、ＥＢＳＤ（Electron Backscatter Diffraction Patterns）法とも称する）に基づいて結晶粒の平均断面積を算出する方法が、精度などの点で優れていることを見出した。従って、本実施の形態においては、金属板６４の結晶粒の平均断面積が第２閾値以下であるか否かを検査することを提案する。第２閾値は、金属板６４に求められる強度に応じて決定されるが、例えば５０μｍ２である。第２閾値は、４５μｍ２であってもよく、４０μｍ２であってもよく、３５μｍ２であってもよく、３０μｍ２であってもよく、２５μｍ２であってもよい。ＥＢＳＤ法による測定方法の詳細については後述する。
　一方、本件発明者らが鋭意研究を行ったところ、金属板６４の結晶粒の寸法が小さくなり過ぎると、金属板６４の溶接性が低下することを見出した。例えば、金属板６４から製造された蒸着マスク２０をフレーム１５に溶接する際に、金属板６４の表面にクラックが生じやすくなることを見出した。この点を考慮し、本実施の形態においては、金属板６４の結晶粒の平均断面積が第１閾値以上であるか否かを検査することを提案する。第１閾値は、金属板６４に求められる溶接性に応じて決定されるが、例えば０．５μｍ２である。第１閾値は、２μｍ２であってもよく、５μｍ２であってもよく、１０μｍ２であってもよく、１５μｍ２であってもよく、２０μｍ２であってもよい。
　検査工程においては、例えば、結晶粒の平均断面積が０．５μｍ２以上且つ５０μｍ２以下である金属板６４を、合格と判定する。また、結晶粒の平均断面積が０．５μｍ２未満である、又は５０μｍ２を超える金属板６４を、不合格と判定する。
　検査工程において合格と判定される金属板６４の結晶粒の平均断面積の範囲は、上限を規定する上述の複数の第２閾値の候補のうちの任意の１つと、下限を規定する上述の複数の下限の第１閾値の候補のうちの任意の１つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、合格と判定される金属板６４、すなわち選別された金属板６４の結晶粒の平均断面積は、２μｍ２以上４５μｍ２以下であってもよく、５μｍ２以上４０μｍ２以下であってもよく、１０μｍ２以上３５μｍ２以下であってもよく、１５μｍ２以上３０μｍ２以下であってもよく、２０μｍ２以上２５μｍ２以下であってもよい。また、選別された金属板６４の結晶粒の平均断面積の範囲は、上限を規定する上述の複数の第２閾値の候補のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、選別された金属板６４の結晶粒の平均断面積は、４５μｍ２以上５０μｍ２以下であってもよい。また、選別された金属板６４の結晶粒の平均断面積の範囲は、下限を規定する上述の複数の第１閾値の候補のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、選別された金属板６４の結晶粒の平均断面積は、０．５μｍ２以上２μｍ２以下であってもよい。
　以下、ＥＢＳＤ法による測定方法について、図８乃至図１０を参照して説明する。ＥＢＳＤ法とは、走査型電子顕微鏡（以下、ＳＥＭとも称する）などを用いて試料の表面に対して大きく傾斜した方向から試料に電子線を照射した場合に得られる電子線の回折パターン（以下、ＥＢＳＤパターンとも称する）に基づいて、結晶粒を解析する方法である。測定装置としては、例えば、ショットキー電界放出走査型電子顕微鏡と、ＥＢＳＤ検出器とを組み合わせたものを用いることができる。ＥＢＳＤ検出器としては、例えば、株式会社ＴＳＬソリューションズ製のＯＩＭ（Orientation Imaging Microscopy）検出器を用いることができる。
　ＥＢＳＤ法による測定においては、まず、金属板６４を、圧延工程の際の金属板６４の搬送方向Ｄ１（以下、圧延方向とも称する）とは垂直な方向に切断して試験片５０を準備する。圧延方向Ｄ１は、金属板６４の光沢面を金属顕微鏡で観察した場合に確認される線状の圧延痕が延びる方向である。切断具としては、例えばトリミング用のカミソリを用いることができる。試験片５０の厚みは、金属板６４の厚みに等しい。続いて、試験片５０を樹脂で封止する。樹脂としては、例えばエポキシ樹脂を用いる。樹脂の厚みは、例えば１ｍｍである。続いて、トリミング用のカミソリを用い、圧延方向Ｄ１とは垂直な方向であって、試験片の面方向にも垂直な方向に沿って、試験片を樹脂とともに切断する。これによって、金属板６４の試験片の断面５０ｃを樹脂から露出させる。これにより、図８に示すように、測定用の断面５０ｃが樹脂５５から露出された試験片５０を含む試料５６を得ることができる。試料５６は、金属板６４の圧延方向Ｄ１に直交する平面に対して断面５０ｃが－１０°以上＋１０°以下の角度を成すよう構成される。
　測定用の断面５０ｃを樹脂５５から露出させた後、ミクロトームを用いて、試験片５０の断面５０ｃをトリミングしてもよい。このトリミングにおいては、例えば、試験片５０の断面５０ｃの機械的歪みを低減させるため、試験片５０を封止する樹脂５５とともに、試験片５０の断面５０ｃに対して垂直な方向に１ｍｍ程度、ミクロトームで切り進める。続いて、イオンミリング装置を用いて、試験片５０の断面５０ｃに対して垂直な方向にブロードアルゴンイオンビームを照射する。具体的には、試験片５０の上に遮蔽板を載置し、遮蔽板から試験片５０をわずかに突出させた状態で、加速されたアルゴンイオンを遮蔽板側から試験片５０に照射して試験片５０を加工し、観察対象の断面５０ｃを生成する。この場合、アルゴンイオンの照射方向と平行な面方向を有する断面５０ｃが得られる。これらの作業は、前工程で発生している機械的な結晶構造への破壊が最小限になるよう、精密に試験片５０の断面５０ｃを露出させるための作業である。なお、「垂直な方向」は、対象の面や方向に対して厳密に９０度を成す方向でなくてもよく、１０度程度の誤差を含んでいてもよい。例えば、圧延方向Ｄ１に垂直な方向とは、圧延方向Ｄ１に対して８０度以上１００度以下を成す方向である。また、表面に垂直な方向とは、表面に対して８０度以上１００度以下を成す方向である。
　続いて、ショットキー電界放出走査型電子顕微鏡の対物レンズ５７から試料５６の試験片５０の断面５０ｃに電子線Ｅを照射する。また、試験片５０から生じるＥＢＳＤパターンを、ＥＢＳＤ検出器５８を用いて検出する。
　ＥＢＳＤ法に用いる走査型電子顕微鏡の条件の一例は、以下の通りである。
・観察倍率：２０００倍（撮影時の観察倍率基準は、Polaroid545とする）
・加速電圧：１５ｋＶ
・ワーキングディスタンス：１５ｍｍ
・試料傾斜角度：７０度
　図９は、試験片５０を含む試料５６の傾斜角度を調整する工程の一例を示す図である。まず、試験片５０を含む試料５６を、試料５６の面のうち試験片５０が露出している面（観察面または測定面）を上に向けて試料台に固定し試料５６を走査型電子顕微鏡に挿入し、対物レンズ５７の直下まで移動させる。続いて、対物レンズ５７から照射される電子線ＥとＥＢＳＤ検出器５８の法線Ｎ１の交点を中心として、ＥＢＳＤ検出器５８に向けて試料５６を角度φ１だけ回転させる。角度φ１が、上述の試料傾斜角度に相当し、例えば７０度である。この場合、対物レンズ５７から試料５６に入射する電子線Ｅが試料５６の面に対して成す角度φ２は、２０度になる。
　続いて、ＥＢＳＤ法によって得られた測定結果を、すなわちＥＢＳＤパターンを解析して、試験片５０の断面５０ｃに現れる結晶粒５１の平均断面積を算出する。ＥＢＳＤ法による結晶解析の条件の一例は、以下の通りである。
・ステップサイズ：７０ｎｍ
解析条件：
　株式会社ＴＳＬソリューションズ製の結晶方位解析ソフト　ＯＩＭ（Ｖｅｒ７．３）を使用して、以下の解析を実施する。
　結晶粒の平均断面積が大きい場合は、ＳＥＭでの観察倍率を第１倍率とする。例えば、結晶粒の平均断面積が２μｍ２以上の場合は、ＳＥＭでの観察倍率を第１倍率とする。第１倍率は、例えば２０００倍である。また、解析の対象になる測定領域に現れる結晶粒の数が１０００個未満である場合、測定対象領域をずらしながら金属板６４の断面の複数の位置で画像を取得し、得られた複数の画像を連結することにより、１０００個以上の結晶粒が現れる画像を生成してもよい。このとき、金属板６４の試験片５０の厚み方向の中心から両端までを測定領域とし、断面５０ｃに樹脂が付着している部分や、耐酸性皮膜が存在している部分は、測定領域から除外する。
　結晶粒の平均断面積が小さい場合は、ＳＥＭでの観察倍率を、第１倍率よりも高い第２倍率とする。例えば、結晶粒の平均断面積が２μｍ２未満の場合は、ＳＥＭでの観察倍率を第２倍率とする。第２倍率は、例えば５０００倍である。この場合も、必要であれば、得られた複数の画像を連結することにより、１０００個以上の結晶粒が現れる画像を生成してもよい。
　株式会社ＴＳＬソリューションズ製の結晶方位解析ソフト　ＯＩＭ（Ｖｅｒ７．３）にて定義される信頼性指数（Confidence Index：ＣＩ値）が所定値以下のデータは排除して、解析を実施する。例えば、ＣＩ値が０．１５以下のデータを排除する。これにより、試料５６の表裏に存在する、前処理に使用した樹脂や、試料５６の断面に存在している粒界や、アモルファスの影響を排除することができる。
　本実施の形態によれば、ＥＢＳＤ法を採用することにより、金属板６４の結晶粒の寸法に関する情報を精度良く得ることができる。このため、金属板６４の検査工程を高い精度で実施することができる。
　図２７は、結晶粒の平均断面積が０．５μｍ２以上５０μｍ２以下である金属板を合格と判定する判定条件に基づいて選別された複数の金属板６４の、結晶粒の平均断面積の分布の一例を示す図である。図２７において、横軸は、各金属板６４において算出された結晶粒の平均断面積の値を表す。また、縦軸は、横軸に示された範囲の結晶粒の平均断面積を有する金属板６４の個数を示す。例えば、選別された複数の金属板６４のうち、２０μｍ２以上３０μｍ２未満の結晶粒の平均断面積を有する金属板６４の個数は１５である。なお、図２７に示すように、測定誤差などに起因して、選別された金属板６４の一部が、０．５μｍ２未満又は５０μｍ２を超える結晶粒の平均断面積を有する場合もある。
　図２８は、結晶粒の平均断面積が１０μｍ２以上４０μｍ２以下である金属板を合格と判定する判定条件に基づいて選別された複数の金属板６４の、結晶粒の平均断面積の分布の一例を示す図である。図２８に示す横軸及び縦軸の意味は、図２７の場合と同一である。図２８の例では、図２７の例に比べて、合格と判定されて選別される金属板６４の範囲が狭い。この場合、図２８に示す選別を実施すると、図２７に示す選別を実施することにもなる。
　上述の説明においては、結晶粒の平均断面積に基づいて金属板６４を検査する検査工程を、金属板６４の合否を判定するために、すなわち金属板６４の選別のために実施する例を示した。すなわち、検査工程が、金属板６４の製造方法において金属板６４を選別する選別工程として機能する例を示した。しかしながら、検査工程は、金属板６４の製造方法における金属板６４の選別以外の目的で用いられてもよい。
　なお、選別工程における選別条件は任意である。例えば、選別工程は、上限を規定する上述の複数の第２閾値の候補のうちの任意の１つと、下限を規定する上述の複数の第１閾値の候補のうちの任意の１つの組み合わせによって定められる範囲に属する結晶粒の平均断面積を有する金属板６４を選別してもよい。また、選別工程は、上限を規定する上述の複数の第２閾値の候補のうちの任意の２つの組み合わせによって定められる範囲に属する結晶粒の平均断面積を有する金属板６４を選別してもよい。また、選別工程は、下限を規定する上述の複数の第１閾値の候補のうちの任意の２つの組み合わせによって定められる範囲に属する結晶粒の平均断面積を有する金属板６４を選別してもよい。
　検査工程を金属板６４の製造方法における金属板６４の選別以外の目的で用いる例について説明する。例えば、結晶粒の平均断面積に基づく金属板６４の検査は、圧延工程の条件やアニール工程の条件などの、金属板６４を製造するための条件を最適化するために利用されてもよい。具体的には、まず、様々な圧延条件やアニール条件で金属板６４を製造し、得られた金属板６４の結晶粒の平均断面積を算出する。また、圧延条件及びアニール条件と、得られた金属板６４の結晶粒の平均断面積とを照らし合わせる。これによって、結晶粒の平均断面積が０．５μｍ２以上且つ５０μｍ２以下である金属板６４を高い確率で製造するための圧延条件及びアニール条件などを見出すことができる。このように、結晶粒の平均断面積に基づく金属板６４の検査は、適切な圧延条件及びアニール条件を見出すために利用されてもよい。この場合、実際の製造工程において得られた金属板６４の全てに対して、結晶粒の平均断面積を算出する検査工程を実施する必要はない。例えば、一部の金属板６４に対してのみ検査工程を実施してもよい。若しくは、圧延条件及びアニール条件などの製造条件がいったん設定された後は、結晶粒の平均断面積を算出する検査工程が全く実施されなくてもよい。
　図２９は、結晶粒の平均断面積が０．５μｍ２以上５０μｍ２以下である金属板６４を合格とする判定条件を利用して見出された製造条件に基づいて製造された複数の金属板６４の、結晶粒の平均断面積の分布の一例を示す図である。図２９に示す横軸及び縦軸の意味は、図２７の場合と同一である。図２９の例においては、選別工程を実施しない場合であっても、製造された複数の金属板６４が０．５μｍ２以上５０μｍ２以下の結晶粒の平均断面積を有している。
　また、圧延工程の後、若しくはアニール工程の後、金属板６４の外観を検査する外観検査工程を実施してもよい。外観検査工程は、自動検査機を用いて金属板６４の外観を検査する工程を含んでいてもよい。また、外観検査工程は、目視で金属板６４の外観を検査する工程を含んでいてもよい。
　また、圧延工程の後、若しくはアニール工程の後、金属板６４の形状を検査する形状検査工程を実施してもよい。例えば、３次元測定器を用いて、厚み方向における金属板６４の表面の位置を金属板６４の所定の領域内で測定してもよい。
　本実施の形態による金属板の製造方法によれば、上述の判定条件を満たす結晶粒の平均断面積を有する金属板６４を得ることができる。例えば、結晶粒の平均断面積が０．５μｍ２以上５０μｍ２以下である金属板６４を得ることができる。
　なお、上述の形態においては、検査工程における金属板６４の合否判定や金属板６４の選別において、結晶粒の平均断面積の下限を規定する第１閾値、及び結晶粒の平均断面積の上限を規定する第２閾値の両方が用いられる例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、検査工程における金属板６４の合否判定や金属板６４の選別において、第１閾値又は第２閾値のいずれか一方のみが用いられてもよい。
　例えば、結晶粒の平均断面積が第１閾値以上である金属板６４を、合格と判定したり選別したりしてもよい。金属板６４の結晶粒の平均断面積が第１閾値以上であることにより、金属板６４に溶接性を持たせることができる。
　若しくは、結晶粒の平均断面積が第２閾値以下である金属板６４を、合格と判定したり選別したりしてもよい。金属板６４の結晶粒の平均断面積が第２閾値以下であることにより、金属板６４に強度を持たせることができる。
　また、上述の形態においては、金属板６４の厚みを低減させる方法として圧延が採用される例を示したが、これには限られない。例えば、金属板６４を、第１面６４ａ側から、第２面６４ｂ側から、又は、第１面６４ａ側及び第２面６４ｂ側の両方からエッチングすることによって、金属板６４の厚みを低減してもよい。このようなエッチングは、圧延工程に替えて実施されてもよく、圧延工程に加えて実施されてもよい。
　エッチングによって金属板６４の厚みを低減する場合であっても、エッチング後の金属板６４の結晶粒の平均断面積が第１閾値以上であることにより、金属板６４に溶接性を持たせることができる。また、エッチング後の金属板６４の結晶粒の平均断面積が第２閾値以下であることにより、金属板６４に強度を持たせることができる。なお、金属板６４の結晶粒の断面積などは、エッチングによっては変化しない。
　次に、結晶粒の平均断面積が第１閾値以上第２閾値以下である金属板６４を用いて、例えば結晶粒の平均断面積が０．５μｍ２以上且つ５０μｍ２以下である金属板６４を用いて蒸着マスク２０を製造する方法について、主に図１１～図１５を参照して説明する。図１１は、金属板６４を用いて蒸着マスク２０を製造する製造装置５９を示す図である。まず、金属板６４をコア６１に巻き取った巻き体６２を準備する。そして、このコア６１を回転させて巻き体６２を巻き出すことにより、図１１に示すように、帯状に延びる金属板６４を供給する。
　供給された金属板６４は、搬送ローラー７２によって、加工装置７０、分離装置７３へ順に搬送される。加工装置７０は、金属板６４を加工して金属板６４に貫通孔２５を形成する加工工程を実施する。なお本実施の形態においては、複数枚の蒸着マスク２０に対応する多数の貫通孔２５を金属板６４に形成する。言い換えると、金属板６４に複数枚の蒸着マスク２０を割り付ける。分離装置７３は、金属板６４のうち１枚分の蒸着マスク２０に対応する複数の貫通孔２５が形成された部分を金属板６４から分離する分離工程を実施する。このようにして、枚葉状の蒸着マスク２０を得ることができる。
　図１２乃至図１５を参照して、加工工程について説明する。まず、金属板６４の第１面６４ａ上および第２面６４ｂ上に感光性レジスト材料を含むレジスト膜を形成する。例えば、カゼインなどの感光性レジスト材料を含む塗布液を金属板６４に塗布し、その後、塗布液を乾燥させることにより、レジスト膜を形成する。若しくは、金属板６４にドライフィルムを貼り付けることにより、レジスト膜を形成してもよい。続いて、レジスト膜を露光及び現像する。これにより、図１２に示すように、金属板６４の第１面６４ａ上に第１レジストパターン６５ａを形成し、金属板６４の第２面６４ｂ上に第２レジストパターン６５ｂを形成することができる。
　次に、図１３に示すように、金属板６４の第１面６４ａのうち第１レジストパターン６５ａによって覆われていない領域を、第１エッチング液を用いてエッチングする第１面エッチング工程を実施する。例えば、第１エッチング液を、搬送される金属板６４の第１面６４ａに対面する側に配置されたノズルから、第１レジストパターン６５ａ越しに金属板６４の第１面６４ａに向けて噴射する。この結果、図１３に示すように、金属板６４のうちの第１レジストパターン６５ａによって覆われていない領域で、第１エッチング液による浸食が進む。これによって、金属板６４の第１面６４ａに多数の第１凹部３０が形成される。第１エッチング液としては、例えば塩化第２鉄溶液及び塩酸を含むものを用いる。
　次に、図１４に示すように、金属板６４の第２面６４ｂのうち第２レジストパターン６５ｂによって覆われていない領域をエッチングし、第２面６４ｂに第２凹部３５を形成する第２面エッチング工程を実施する。第２面エッチング工程は、第１凹部３０と第２凹部３５とが互いに通じ合い、これによって貫通孔２５が形成されるようになるまで実施される。第２エッチング液としては、上述の第１エッチング液と同様に、例えば塩化第２鉄溶液及び塩酸を含むものを用いる。なお、第２面エッチング工程の際、図１４に示すように、第２エッチング液に対する耐性を有した樹脂６９によって第１凹部３０が被覆されていてもよい。
　その後、図１５に示すように、金属板６４から樹脂６９を除去する。樹脂６９は、例えばアルカリ系剥離液を用いることによって、除去することができる。アルカリ系剥離液が用いられる場合、図１５に示すように、樹脂６９と同時にレジストパターン６５ａ，６５ｂも除去される。なお、樹脂６９を除去した後、樹脂６９を剥離させるための剥離液とは異なる剥離液を用いて、樹脂６９とは別途にレジストパターン６５ａ，６５ｂを除去してもよい。
　その後、金属板６４に割り付けられた複数の蒸着マスク２０を１つ１つ取り出す。例えば、金属板６４のうち１枚分の蒸着マスク２０に対応する複数の貫通孔２５が形成された部分を金属板６４のその他の部分から分離する。これにより、蒸着マスク２０を得ることができる。
　続いて、蒸着マスク２０を検査する蒸着マスク検査工程を実施してもよい。蒸着マスク検査工程においては、例えば、蒸着マスク２０を構成する金属板６４の表面に局所的な突起や凹みなどの変形部が存在するか否かを検査する。図１６は、金属板６４に形成され得る変形部２８の一例を示す図である。図１６に示す例において、変形部２８は、金属板６４の第２面６４ｂに形成された局所的な凹みである。
　図１７は、図１６の金属板６４の変形部２８の断面形状の一例を示す図である。図１７に示すように、第２面６４ｂに局所的な凹みとして形成された変形部２８は、第１面６４ａ側においては局所的な凸部として現れていてもよい。金属板６４の面方向における変形部２８の寸法Ｋ１は、例えば０．５μｍ～数ｍｍである。また、変形部２８が局所的な凹みである場合、凹みの深さＫ２は、例えば０．５μｍ～１０μｍである。
　蒸着マスク検査工程においては、例えば、図１７に示すように、蒸着マスク２０を構成する金属板６４の第１面６４ａ又は第２面６４ｂに光Ｌ１を照射して、金属板６４に変形部２８が存在するか否かを目視で確認する。蒸着マスク２０の金属板６４の第１面６４ａ又は第２面６４ｂに変形部２８が存在しない場合、蒸着マスク２０を合格とし、１つでも変形部２８が存在する場合、蒸着マスク２０を不合格としてもよい。
　本実施の形態においては、上述のように、結晶粒の平均断面積が５０μｍ２以下である金属板６４を用いて蒸着マスク２０を製造する。このため、金属板６４の厚みが３０μｍ以下である場合であっても、金属板６４の強度を確保することができる。従って、蒸着マスク２０の製造工程の間に金属板６４に変形部２８が形成されることを抑制することができる。このため、蒸着マスク検査工程において不合格と判定される蒸着マスク２０の比率を低くすることができる。
　次に、上述のようにして得られた蒸着マスク２０をフレーム１５に固定する固定工程を実施した。これによって、蒸着マスク２０及びフレーム１５を備える蒸着マスク装置１０を得ることができる。
　固定工程においては、まず、蒸着マスク２０に張力を加えた状態でフレーム１５に対する蒸着マスク２０の位置を調整する架張工程を実施した。架張工程においては、まず、図１８に示すように、蒸着マスク２０の耳部１７ａ，１７ｂを、クランプ部１５ａにより挟み込んで把持する。図１８に示す例においては、１つの耳部１７ａが２つのクランプ部１５ａによって把持されている。なお、クランプ部１５ａの数や配置は任意である。続いて、クランプ部１５ａに連結された引張部１５ｂを介して蒸着マスク２０に張力を加えながら、蒸着マスク２０の全ての貫通孔２５の位置と有機ＥＬ基板９２（若しくは有機ＥＬ基板９２を模擬した基板）上の電極の位置との差が所定の基準値以下になるよう、蒸着マスク２０の位置や張力を調整する。基準値は、例えば５μｍである。
　溶接工程においては、まず、図１９Ａに示すように、蒸着マスク２０の耳部１７を、第２面２０ｂがフレーム１５に面するようにフレーム１５上に配置する。続いて、蒸着マスク２０の耳部１７を加熱して耳部１７をフレーム１５に溶接する。耳部１７を加熱する方法としては、例えば、耳部１７にレーザー光Ｌ２を照射する方法を採用することができる。レーザー光Ｌ２としては、例えば、ＹＡＧレーザー装置によって生成されるＹＡＧレーザー光を用いることができる。レーザー光Ｌ２のスポット径Ｓは、例えば０．１ｍｍ以上且つ０．３ｍｍ以下である。
　ＹＡＧレーザー装置としては、例えば、ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）にＮｄ（ネオジム）を添加した結晶を発振用媒質として備えたものを用いることができる。この場合、基本波として、波長が約１０６４ｎｍのレーザー光が生成される。また、基本波を非線形光学結晶に通すことによって、波長が約５３２ｎｍの第２高調波が生成される。また、基本波および第２高調波を非線形光学結晶に通すことによって、波長が約３５５ｎｍの第３高調波が生成される。ＹＡＧレーザー光の第３高調波は、ニッケルを含む鉄合金に吸収され易い。従って耳部１７を構成する金属板６４がニッケルを含む鉄合金を有する場合、耳部１７に照射されるレーザー光Ｌ２がＹＡＧレーザー光の第３高調波を含むことが好ましい。
　耳部１７にレーザー光Ｌ２を照射すると、蒸着マスク２０の耳部１７の一部及びフレーム１５の一部が溶融して、図１９Ｂに示すように、耳部１７及びフレーム１５に跨る溶接部１９が形成される。
　ところで、本実施の形態においては、上述のように、金属板６４の結晶粒が微細化されている。具体的には、金属板６４の結晶粒の平均断面積が５０μｍ２以下になっている。一方、加熱されて溶融した後に固化する溶接部１９においては、再結晶化によって新たな結晶粒が生成される。溶接部１９に新たに生成される結晶粒の寸法は、元々存在していた結晶粒の寸法よりも一般に大きい。このため、溶接後の金属板６４においては、溶接部１９の結晶粒の寸法が、溶接部１９の周囲部分の結晶粒の寸法よりも大きくなることが考えられる。結晶粒の寸法の差が大きいと、クラックなどの欠陥が金属板６４に形成され易くなってしまう。図２０は、金属板６４から作製された蒸着マスク２０の耳部１７を部材１６に溶接した場合に形成された溶接部１９を示す断面写真である。部材１６としては、耳部１７よりも大きな厚みを有するインバー材を用いた。図２１は、図２０の溶接部１９を拡大して示す図である。図２０及び図２１に示す例においては、耳部１７のうち溶接部１９とその周囲部分との間の境界や、部材１６の表面にクラック５４が形成されている。
　図２０及び図２１における断面観察方法は以下のとおりである。まず、耳部１７を部材１６に溶接する。その後、溶接部１９を含む部分を、金属鋏を用いて切り出して、観察対象物を作製する。続いて、イオンミリング装置を用いて観察対象物を加工して、観察対象の断面を生成する。
　イオンミリング装置としては、日本電子株式会社製のクロスセクションポリッシャ　ＩＢ－０９０１０ＣＰを用いることができる。加工条件の一例は以下の通りである。
加工条件：６ｋＶ、１．５時間、突出幅１００μｍ
　なお、通常の加工においては、観察対象物を樹脂で包埋した後にアルゴンイオンの照射を行う。しかしながら、本件においては、観察対象物を樹脂で包埋した場合には、観察対象の断面の位置を溶接部１９の中央部に調整することが困難であったので、観察対象物を樹脂で包埋することなくアルゴンイオンの照射を行った。このため、図２１及び後述する図２３において符号Ｗ１が付された点線で囲った領域に現れているように、観察対象物の耳部１７側の表面に、アルゴンイオンから受けたダメージに起因する筋状の加工痕が存在している。また、図２１において符号Ｗ２が付された点線で囲った領域に現れているように、耳部１７と部材１６との間の隙間には、加工によって除去された材料が堆積した堆積層が形成されることがある。なお、本願発明者は、これらの加工痕及び堆積層は、溶接部１９及びその周囲部分における結晶状態の観察やクラックの有無の確認には特に悪影響を及ぼさないと考えている。
　続いて、ＳＥＭを用いて断面を観察する。ＳＥＭとしては、例えば、カールツァイス社製のＵＬＴＲＡ５５を用いることができる。ＳＥＭでの観察条件の一例は以下の通りである。
・加速電圧：５ｋＶ
・ワーキングディスタンス：４．５ｍｍ
・検出器：Inlens
・Aperture：６０μm High Current
・観察倍率：２００倍及び１０００倍（撮影時の観察倍率基準は、Polaroid545とする）
　図２０及び図２１に示すクラック５４は、溶接部１９の結晶粒の寸法と、溶接部１９の周囲部分の結晶粒の寸法との差が大きいことに起因して生じていると考えられる。ここで本実施の形態においては、上述のように、結晶粒の平均断面積が０．５μｍ２以上である金属板６４を用いて蒸着マスク２０を製造する。このため、溶接部１９の結晶粒の寸法と、溶接部１９の周囲部分の結晶粒の寸法との間の差が大きくなることを抑制することができる。従って、溶接部１９が形成された後の金属板６４の表面にクラックが形成されることを抑制することができる。図２２は、クラックが形成されなかった金属板６４及びフレーム１５の断面写真である。また、図２３は、図２２の溶接部１９を拡大して示す図である。
　なお、上述した実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、必要に応じて図面を参照しながら、変形例について説明する。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、上述した実施の形態と同様に構成され得る部分について、上述の実施の形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いることとし、重複する説明を省略する。また、上述した実施の形態において得られる作用効果が変形例においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。
　上述の本実施の形態においては、耳部１７にレーザー光Ｌ２を照射することによって耳部１７をフレーム１５に溶接する例を示した。しかしながら、耳部１７を加熱する方法が、レーザー光Ｌ２を照射する方法に限られることはない。例えば耳部１７及びフレーム１５に電流を流すことにより、耳部１７を加熱してもよい。
　上述の本実施の形態においては、金属板６４が、母材を圧延することによって得られる例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、めっき処理を利用した製箔工程によって、所望の厚さを有する金属板６４を作製してもよい。製箔工程においては、例えば、めっき液の中に部分的に浸漬されたステンレス製などのドラムを回転させながら、ドラムの表面にめっき膜を形成し、このめっき膜を剥がしていくことにより、長尺状の金属板をロールトゥーロールで作製することができる。ニッケルを含む鉄合金からなる金属板を作製する場合、めっき液としては、ニッケル化合物を含む溶液と、鉄化合物を含む溶液との混合溶液を用いることができる。例えば、スルファミン酸ニッケルを含む溶液と、スルファミン酸鉄を含む溶液との混合溶液を用いることができる。めっき液には、マロン酸やサッカリンなどの添加剤が含まれていてもよい。
　このようにして得られた金属板に対して、次に、上述のアニール工程を実施してもよい。また、アニール工程の前又は後に、金属板の幅を所望の幅に調整するために金属板の両端を切り落とす上述のスリット工程を実施してもよい。
　めっき処理を利用して金属板を作製した場合も、上述の本実施の形態の場合と同様に、金属板６４（めっき膜）の長手方向に直交する平面に対して－１０°以上＋１０°以下の角度を成す断面に現れる結晶粒の平均断面積が０．５μｍ２以上且つ５０μｍ２以下となるように金属板６４を製造する。例えば、めっき液の組成や、製箔工程における温度や時間などの条件を調整する。また、アニール工程の条件を調整してもよい。結晶粒の平均断面積を０．５μｍ２以上且つ５０μｍ２以下とすることにより、上述の実施の形態の場合と同様に、金属板の厚みが３０μｍ以下の場合であっても、金属板に強度及び溶接性を持たせることができる。これによって、蒸着マスク２０の製造工程や蒸着マスク２０の取り扱いの際に金属板に凹みなどの局所的な変形部が形成されることを抑制することができる。また、蒸着マスク２０をフレーム１５に溶接する際に蒸着マスク２０又はフレーム１５にクラックなどの欠陥が形成されることを抑制することができる。なお、めっき膜の長手方向とは、ドラムを回転させながらドラムの表面に金属をめっき処理によって成膜することにより形成される長尺状の金属板が延びる方向である。
　上述の本実施の形態においては、蒸着マスク２０が、金属板６４をエッチングして金属板６４に貫通孔２５を形成することによって製造される例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、貫通孔２５に対応する所定のパターンで基板上にめっき層を形成し、めっき層を基板から剥離することにより、蒸着マスク２０を製造してもよい。このような蒸着マスク２０の製造方法については、例えば特開２０１６－１４８１１２号公報に開示されているので、ここでは詳細な説明を省略する。
　めっき法によって蒸着マスク２０を製造する場合も、蒸着マスク２０を構成するめっき層からなる金属板６４の結晶粒の平均断面積が０．５μｍ２以上且つ５０μｍ２以下となるように蒸着マスク２０を製造する。例えば、めっき液の組成や、めっき工程における温度や時間などの条件を調整する。また、めっき工程後に実施するアニール工程の条件を調整してもよい。結晶粒の平均断面積を０．５μｍ２以上且つ５０μｍ２以下とすることにより、上述の実施の形態の場合と同様に、金属板の厚みが３０μｍ以下の場合であっても、金属板に強度及び溶接性を持たせることができる。これによって、蒸着マスク２０の製造工程や蒸着マスク２０の取り扱いの際に金属板に凹みなどの局所的な変形部が形成されることを抑制することができる。また、蒸着マスク２０をフレーム１５に溶接する際に蒸着マスク２０又はフレーム１５にクラックなどの欠陥が形成されることを抑制することができる。
　次に、本開示の実施の形態を実施例により更に具体的に説明するが、本開示の実施の形態はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。
　（第１例）
　はじめに、３６質量％のニッケルと、残部の鉄および不可避の不純物と、を含む鉄合金から構成された、４０μｍの厚みを有する金属板６４を、圧延法により作製した。圧延前の金属板の厚みは１００μｍであった。従って、圧下率は６０％である。
　続いて、上述のＥＢＳＤ法を用いて、ＥＢＳＤパターンを測定した。また、ＥＢＳＤパターンを解析して、金属板６４の断面に現れる結晶粒の平均断面積を算出した。結果、平均断面積は１１３．４μｍ２であった。
　ＥＢＳＤ法による測定の条件は下記の通りである。
・ＳＥＭでの観察倍率：２０００倍又は５０００倍（撮影時の観察倍率基準は、Polaroid545とする）
・ＳＥＭでの加速電圧：１５ｋＶ
・ＳＥＭでのワーキングディスタンス：１５ｍｍ
・試料傾斜角度φ１：７０度
・ＥＢＳＤのステップサイズ（ＳＥＭでの観察倍率が２０００倍の場合）：７０ｎｍ
・ＥＢＳＤのステップサイズ（ＳＥＭでの観察倍率が５０００倍の場合）：５０ｎｍ
　ＳＥＭでの観察倍率について詳細に説明する。結晶粒の平均断面積が大きい場合は、ＳＥＭでの観察倍率を２０００倍とした。具体的には、結晶粒の平均断面積が２μｍ２以上の場合（後述する第１例～第８例及び第１０例～第１４例の場合）は、ＳＥＭでの観察倍率を２０００倍とした。
　なお、ＳＥＭでの観察倍率が２０００倍である場合（撮影時の観察倍率基準は、Polaroid545とする）、画像のサイズは、約６０μｍ×約４５μｍである。この場合、約４５μｍの寸法の方向が金属板６４の厚み方向に一致するよう、金属板６４の断面を測定する。このため、１枚の画像に現れる金属板６４の断面の面積（以下、測定有効面積と称する）は、「金属板６４の厚さ（１３～４０μｍ）×約６０μｍ」になる。
　測定有効面積に現れる結晶粒の数が１０００個未満である場合、測定対象領域を約５０μｍずつずらしながら金属板６４の断面の複数の位置で画像を取得し、得られた複数の画像を連結することにより、１０００個以上の結晶粒が現れる画像を生成した。
　結晶粒の平均断面積が小さい場合は、ＳＥＭでの観察倍率を５０００倍とした。具体的には、結晶粒の平均断面積が２μｍ２未満の場合（後述する第９例、第１５例、第１６例の場合）は、ＳＥＭでの観察倍率を５０００倍とした。
　なお、ＳＥＭでの観察倍率が５０００倍である場合（撮影時の観察倍率基準は、Polaroid545とする）、画像のサイズは、約２４μｍ×約１８μｍである。この場合、約１８μｍの寸法の方向が金属板６４の厚み方向に一致するよう、金属板６４の断面を測定する。
　結晶粒の平均断面積が２μｍ２未満の場合、１回の測定（１枚の画像）で１０００個以上の結晶粒を観察することができたので、複数の画像を連結する必要がなかった。
　ＥＢＳＤパターンを解析するソフトとしては、株式会社ＴＳＬソリューションズ製の結晶方位解析ソフト　ＯＩＭ（Ｖｅｒ７．３）を用いた。
　ＥＢＳＤパターンの解析工程においては、結晶方位の差が５度以上の部分を結晶粒界５２と認定する条件下でエリア法による解析を行った。また、解析工程においては、結晶方位解析ソフト　ＯＩＭ（Ｖｅｒ７．３）にて定義されるＣＩ値が０．１５以下のデータを排除して解析を実施した。これにより、試料５６の表裏に存在する、前処理に使用した樹脂や、試料５６の断面に存在している粒界や、アモルファスの影響を排除することができる。エリア法による解析においては、ＣＩ値が０．１５を超える結晶粒の断面積の平均値をArea Function法で算出し、結晶粒の平均断面積とする。Area Function法では、a, b, c, dという断面積の結晶を含む測定対象領域の面積の合計が１００である場合、以下の式（１）のように面積による重みづけを考慮して、平均断面積が算出される。
　平均断面積＝(a×a/100)+(b×b/100)+(c×c/100)+(d×d/100)・・・（１）
　続いて、金属板６４を用いて蒸着マスク２０を製造した。その後、蒸着マスク２０を構成する金属板６４の強度を評価した。具体的には、得られた蒸着マスク２０の表面に凹みなどの変形部２８が存在しているか否かを、図１７に示すように蒸着マスク２０に光Ｌ１を照射して観察した。結果、変形部２８は存在していなかった。
　蒸着マスク２０の表面の観察条件は下記のとおりである。
・光Ｌ１の輝度：５００ｌｕｘ～２０００ｌｕｘ、例えば１０００ｌｕｘ
・光Ｌ１の光源：三波長蛍光灯
・光Ｌ１の入射角度：１５度～４５度
・光源から蒸着マスクの表面までの距離：３０ｃｍ～１００ｃｍ、例えば５０ｃｍ
・視点から蒸着マスクの表面までの距離：１５ｃｍ
　続いて、蒸着マスク２０の溶接性を評価した。具体的には、蒸着マスク２０の耳部１７にレーザー光Ｌ２を照射して耳部１７をフレーム１５に溶接し、耳部１７とフレーム１５との間の溶接強度を測定した。耳部１７をフレーム１５に溶接する際の条件は下記のとおりである。
・レーザー光Ｌ２の波長：３５５ｎｍ
・レーザー光Ｌ２のスポット径：２００μｍ
・レーザー光Ｌ２の出力：０．３ｋＷ
・レーザー光Ｌ２の照射時間：０．３ｍｓ
　溶接強度とは、溶接部１９によってフレーム１５に溶接された蒸着マスク２０の耳部１７をフレーム１５から剥がすために要する力の大きさである。図２４に、溶接部１９の溶接強度を測定する方法の一例を示す。溶接強度の測定工程においては、まず、蒸着マスク２０の耳部１７の一部を切り出すことによって得られたサンプル１７Ｓを、フレーム１５に溶接する。次に、図２４に示すように、サンプル１７Ｓの長手方向における端部に、フレーム１５の法線方向に沿う方向における引っ張り力Ｅを加える。この場合、サンプル１７Ｓが破断する、又はサンプル１７Ｓがフレーム１５から剥がれるときの引っ張り力Ｅが、溶接部１９の溶接強度である。なお、サンプル１７Ｓの長手方向は、金属板６４の圧延方向Ｄ１に平行である。蒸着マスク２０は一般に、その長手方向が金属板６４の圧延方向Ｄ１に平行になるよう、金属板６４から製造される。従って、圧延方向Ｄ１は、蒸着マスク２０の長手方向に基づいて認識され得る。
　なお、蒸着マスク２０の長手方向が金属板６４の圧延方向Ｄ１とは非平行であるよう、金属板６４から蒸着マスク２０を製造してもよい。この場合、金属板６４の結晶粒が延びる方向に基づいて圧延方向Ｄ１を認定してもよい。なぜなら、圧延によって製造された金属板６４において、結晶粒は、圧延方向Ｄ１に平行に延びているからである。
　１つの蒸着マスク２０から７つのサンプル１７Ｓを作製し、各サンプル１７Ｓについて溶接強度を測定した。結果、溶接強度の平均値は１５７ｍＮであった。また、溶接部１９と周囲部分との境界にクラックが形成されていた。
　（第２例～第１６例）
　金属板の厚み、組成又は製造条件のうちの少なくとも１つを、上述の第１例の場合から変更して、第２例～第１６例に係る金属板６４を作製した。各例の金属板６４の厚みは下記のとおりである。なお、第１例～第８例及び第１０例～第１４例においては、鉄合金の母材を圧延することにより金属板６４を作製した。一方、第９例、第１５例及び第１６例においては、めっき処理を利用した製箔工程によって金属板６４を作製した。圧延によって金属板６４を作製した例については、圧延後の金属板の厚みＴ２と併せて、圧延前の金属板の厚みＴ１及び圧下率を下記に示す。
・第２例：Ｔ１＝１００μｍ、Ｔ２＝３５μｍ、圧下率＝６５％
・第３例：Ｔ１＝１００μｍ、Ｔ２＝３０μｍ、圧下率＝７０％
・第４例：Ｔ１＝７５μｍ、Ｔ２＝３０μｍ、圧下率＝６０％
・第５例：Ｔ１＝１００μｍ、Ｔ２＝２５μｍ、圧下率＝７５％
・第６例：Ｔ１＝５０μｍ、Ｔ２＝２０μｍ、圧下率＝６０％
・第７例：Ｔ１＝８０μｍ、Ｔ２＝２０μｍ、圧下率＝７５％
・第８例：Ｔ１＝１００μｍ、Ｔ２＝２０μｍ、圧下率＝８０％
・第９例：２０μｍ
・第１０例：Ｔ１＝３７．５μｍ、Ｔ２＝１５μｍ、圧下率＝６０％
・第１１例：Ｔ１＝５０μｍ、Ｔ２＝１５μｍ、圧下率＝７０％
・第１２例：Ｔ１＝１００μｍ、Ｔ２＝１５μｍ、圧下率＝８５％
・第１３例：Ｔ１＝３００μｍ、Ｔ２＝１５μｍ、圧下率＝９５％
・第１４例：Ｔ１＝１００μｍ、Ｔ２＝１３μｍ、圧下率＝８７％
・第１５例～第１６例：１０μｍ
　また、第１例の場合と同様にして、第２例～第１６例に係る金属板６４の断面に現れる結晶粒の平均断面積を算出した。結果を図２５にまとめて示す。図２５の「判定」の欄において、「ＯＫ」は、結晶粒の平均断面積が０．５μｍ２以上且つ５０μｍ２以下であったことを意味する。また、「ＮＧ」は結晶粒の平均断面積が０．５μｍ２未満である、又は５０μｍ２を超えていたことを意味する。
　また、第１例の場合と同様にして、第２例～第１６例に係る金属板６４を用いて蒸着マスク２０を作製した。続いて、第１例の場合と同様にして、得られた蒸着マスク２０の表面に凹みなどの変形部２８が存在しているか否かを観察した。また、第１例の場合と同様にして、蒸着マスク２０の耳部１７をフレーム１５に溶接して、溶接強度を測定した。結果をまとめて図２５に示す。
　第９例、第１５例及び第１６例においては、金属板６４の結晶粒の平均断面積が０．５μｍ２未満であった。この結果、溶接強度が２００ｍＮ未満になっていた。また、溶接部１９と周囲部分との境界にクラックが形成されていた。
　第４例、第６例及び第１０例においては、金属板６４の結晶粒の平均断面積が５０μｍ２を超えていた。この結果、蒸着マスク２０の表面に凹みなどの変形部２８が存在していた。
　これに対して、第３例、第５例、第７例、第８例、第１１例～第１４例に係る、厚みが１０μｍ～３０μｍの金属板６４においては、結晶粒の平均断面積が０．５μｍ２以上且つ５０μｍ２以下であった。この結果、溶接強度を２００ｍＮ以上に、より具体的には２２０ｍＮ以上にすることができた。また、蒸着マスク２０の表面に凹みなどの変形部２８が形成されることを抑制することができた。すなわち、金属板６４における強度及び溶接性を両立させることができた。
　なお、第１例及び第２例に係る、厚みが３５μｍ以上の金属板６４においては、結晶粒の平均断面積が５０μｍ２を超えていたが、蒸着マスク２０の表面に凹みなどの変形部２８は形成されなかった。蒸着マスク２０の厚みが大きく、このため蒸着マスク２０が十分に高い強度を有していたため、結晶粒の平均断面積に依らず凹みなどの変形部２８が形成されなかったと考えられる。従って、本実施の形態における、結晶粒の平均断面積を５０μｍ２以上にするという基準は、金属板６４の厚みが３０μｍ以下の場合に特に有効であると言える。なお、第１例、第２例に示すような、厚みが３５μｍ以上の金属板６４は、金属板６４から作製された蒸着マスク２０における蒸着材料９８の利用効率が低くなる点で、厚みが３０μｍ以下の金属板６４に比べて不利である。
　図２６は、横軸を金属板６４の厚みとし、縦軸を金属板６４の結晶粒の平均断面積として、各例に係る金属板６４のデータをプロットした散布図である。図２６において、「○」のマーカーは、溶接強度が２００ｍＮ以上であり、且つ変形部２８が形成されなかった例を示す。「△」のマーカーは、溶接強度が２００ｍＮ未満であった例を示す。「□」のマーカーは、変形部２８が形成された例を示す。また、図２６において、点線で囲んだ領域は、金属板６４の厚みが３０μｍ以下であり、且つ結晶粒の平均断面積が０．５μｍ２以上且つ５０μｍ２以下である領域である。図２６から明らかなように、点線で囲んだ領域においては、金属板６４に強度及び溶接性を持たせることができた。
１０　蒸着マスク装置
１５　フレーム
１９　溶接部
２０　蒸着マスク
２２　有効領域
２３　周囲領域
２５　貫通孔
２８　変形部
３０　第１凹部
３１　壁面
３５　第２凹部
３６　壁面
４１　接続部
４１ａ　欠け部
４３　トップ部
５０　試験片
５０ｃ　断面
５１　結晶粒
５２　結晶粒界
５４　クラック
５５　樹脂
５６　試料
５７　対物レンズ
５８　ＥＢＳＤ検出器
５９　製造装置
６４　金属板
６５ａ　第１レジストパターン
６５ｂ　第２レジストパターン
７０　加工装置
７２　搬送ローラー
７３　分離装置
９０　蒸着装置
９２　有機ＥＬ基板
９８　蒸着材料

Claims (18)

  1. 　蒸着マスクを製造するために用いられる金属板であって、
    　前記金属板は、少なくともニッケルを含む鉄合金の圧延材からなり、且つ３０μｍ以下の厚みを有し、
    　前記金属板の断面のうち前記金属板の圧延方向に直交する平面に対して－１０°以上＋１０°以下の角度を成す断面に現れる結晶粒をＥＢＳＤ法で測定し、測定結果を解析することにより算出される、前記結晶粒の平均断面積が、０．５μｍ２以上且つ５０μｍ２以下であり、
    　前記平均断面積は、ＥＢＳＤ法によって得られた測定結果を、結晶方位の差が５度以上の部分を結晶粒界と認定する条件下でエリア法により解析することによって算出される、金属板。
  2. 　前記圧延材におけるニッケル及びコバルトの含有量が合計で３０質量％以上且つ３８質量％以下である、請求項１に記載の金属板。
  3. 　蒸着マスクを製造するために用いられる金属板であって、
    　前記金属板は、少なくともニッケルを含む鉄合金のめっき膜からなり、且つ３０μｍ以下の厚みを有し、
    　前記金属板の断面のうち前記めっき膜の長手方向に直交する平面に対して－１０°以上＋１０°以下の角度を成す断面に現れる結晶粒をＥＢＳＤ法で測定し、測定結果を解析することにより算出される、前記結晶粒の平均断面積が、０．５μｍ２以上且つ５０μｍ２以下であり、
    　前記平均断面積は、ＥＢＳＤ法によって得られた測定結果を、結晶方位の差が５度以上の部分を結晶粒界と認定する条件下でエリア法により解析することによって算出される、金属板。
  4. 　前記めっき膜におけるニッケル及びコバルトの含有量が合計で３８質量％以上且つ５４質量％以下である、請求項３に記載の金属板。
  5. 　前記結晶粒の平均断面積が、２．０μｍ２以上である、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の金属板。
  6. 　前記金属板は、１３μｍ以上の厚みを有する、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の金属板。
  7. 　蒸着マスクであって、
    　金属板と、
    　金属板に形成された貫通孔と、を備え、
    　前記金属板は、少なくともニッケルを含む鉄合金の圧延材からなり、且つ３０μｍ以下の厚みを有し、
    　前記金属板の断面のうち前記金属板の圧延方向に直交する平面に対して－１０°以上＋１０°以下の角度を成す断面に現れる結晶粒をＥＢＳＤ法で測定し、測定結果を解析することにより算出される、前記結晶粒の平均断面積が、０．５μｍ２以上且つ５０μｍ２以下であり、
    　前記平均断面積は、ＥＢＳＤ法によって得られた測定結果を、結晶方位の差が５度以上の部分を結晶粒界と認定する条件下でエリア法により解析することによって算出される、蒸着マスク。
  8. 　前記圧延材におけるニッケル及びコバルトの含有量が合計で３０質量％以上且つ３８質量％以下である、請求項７に記載の蒸着マスク。
  9. 　蒸着マスクであって、
    　金属板と、
    　金属板に形成された貫通孔と、を備え、
    　前記金属板は、少なくともニッケルを含む鉄合金のめっき膜からなり、且つ３０μｍ以下の厚みを有し、
    　前記金属板の断面のうち前記めっき膜の長手方向に直交する平面に対して－１０°以上＋１０°以下の角度を成す断面に現れる結晶粒をＥＢＳＤ法で測定し、測定結果を解析することにより算出される、前記結晶粒の平均断面積が、０．５μｍ２以上且つ５０μｍ２以下であり、
    　前記平均断面積は、ＥＢＳＤ法によって得られた測定結果を、結晶方位の差が５度以上の部分を結晶粒界と認定する条件下でエリア法により解析することによって算出される、蒸着マスク。
  10. 　前記めっき膜におけるニッケル及びコバルトの含有量が合計で３８質量％以上且つ５４質量％以下である、請求項９に記載の蒸着マスク。
  11. 　前記結晶粒の平均断面積が、２．０μｍ２以上である、請求項７乃至１０のいずれか一項に記載の蒸着マスク。
  12. 　前記金属板は、１３μｍ以上の厚みを有する、請求項７乃至１１のいずれか一項に記載の蒸着マスク。
  13. 　請求項７乃至１２のいずれか一項に記載の蒸着マスクと、
    　前記蒸着マスクが溶接されたフレームと、を備える、蒸着マスク装置。
  14. 　請求項１乃至６のいずれか一項に記載の金属板を準備する工程と、
    　前記金属板を長手方向に沿って搬送する工程と、
    　前記金属板に貫通孔を形成する加工工程と、を備える、蒸着マスクの製造方法。
  15. 　蒸着マスクを製造するために用いられる金属板の製造方法であって、
    　少なくともニッケルを含む鉄合金からなり、且つ３０μｍ以下の厚みを有する前記金属板を、圧延法によって圧延材として得る作製工程を備え、
    　前記金属板の断面のうち圧延材の圧延方向に直交する平面に対して－１０°以上＋１０°以下の角度を成す断面に現れる結晶粒をＥＢＳＤ法で測定し、測定結果を解析することにより算出される、前記結晶粒の平均断面積が、０．５μｍ２以上且つ５０μｍ２以下であり、
    　前記平均断面積は、ＥＢＳＤ法によって得られた測定結果を、結晶方位の差が５度以上の部分を結晶粒界と認定する条件下でエリア法により解析することによって算出される、金属板の製造方法。
  16. 　前記作製工程は、圧延法によって得られた前記金属板を搬送しながら５００℃～６００℃の範囲内で３０秒～９０秒にわたってアニールするアニール工程と、を有する、請求項１５に記載の金属板の製造方法。
  17. 　蒸着マスクを製造するために用いられる金属板の製造方法であって、
    　少なくともニッケルを含む鉄合金からなり、且つ３０μｍ以下の厚みを有する前記金属板を、めっき法によってめっき膜として得る作製工程を備え、
    　前記金属板の断面のうちめっき膜の長手方向に直交する平面に対して－１０°以上＋１０°以下の角度を成す断面に現れる結晶粒をＥＢＳＤ法で測定し、測定結果を解析することにより算出される、前記結晶粒の平均断面積が、０．５μｍ２以上且つ５０μｍ２以下であり、
    　前記平均断面積は、ＥＢＳＤ法によって得られた測定結果を、結晶方位の差が５度以上の部分を結晶粒界と認定する条件下でエリア法により解析することによって算出される、金属板の製造方法。
  18. 　前記作製工程は、めっき液の中に部分的に浸漬されたドラムを回転させながら、ドラムの表面にめっき膜を形成する工程と、前記めっき膜を前記ドラムから剥がすことによって長尺状の前記めっき膜からなる前記金属板を得る工程と、を有する、請求項１７に記載の金属板の製造方法。
PCT/JP2018/041918 2017-11-14 2018-11-13 蒸着マスクを製造するための金属板及び金属板の製造方法並びに蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法及び蒸着マスクを備える蒸着マスク装置 WO2019098167A1 (ja)

Priority Applications (17)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP18879989.4A EP3712296A4 (en) 2017-11-14 2018-11-13 METAL PLATE FOR THE MANUFACTURE OF VAPOR SEPARATING MASKS, METAL PLATE MANUFACTURING METHODS, STEAM SEPARATING MASK, MANUFACTURING METHODS FOR VAPOR SEPARATING MASK AND STEAM SEPARATING MASK DEVICE WITH STEAM SHIELDING DEVICE
KR1020237036866A KR20230154477A (ko) 2017-11-14 2018-11-13 증착 마스크를 제조하기 위한 금속판 및 금속판의 제조 방법, 그리고 증착 마스크, 증착 마스크의 제조 방법 및 증착 마스크를 구비하는 증착 마스크 장치
KR1020207016170A KR102596249B1 (ko) 2017-11-14 2018-11-13 증착 마스크를 제조하기 위한 금속판 및 금속판의 제조 방법, 그리고 증착 마스크, 증착 마스크의 제조 방법 및 증착 마스크를 구비하는 증착 마스크 장치
JP2019554213A JP7167936B2 (ja) 2017-11-14 2018-11-13 蒸着マスクを製造するための金属板及び金属板の製造方法並びに蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法及び蒸着マスクを備える蒸着マスク装置
JP2019090946A JP6792829B2 (ja) 2017-11-14 2019-05-13 蒸着マスクを製造するための金属板及び金属板の製造方法並びに蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法及び蒸着マスクを備える蒸着マスク装置
US16/580,401 US20200017951A1 (en) 2017-11-14 2019-09-24 Metal plate for producing vapor deposition masks, production method for metal plates, vapor deposition mask, production method for vapor deposition mask, and vapor deposition mask device comprising vapor deposition mask
DE102019007831.4A DE102019007831A1 (de) 2018-11-13 2019-11-12 Metallplatte zur herstellung von dampfphasenabscheidungsmasken, verfahren zur herstellung von metallplatten, dampfphasenabscheidungsmaske, verfahren zur herstellung einer dampfphasenabscheidungsmaske, und dampfphasenabscheidungsmaskenvorrichtung aufweisend eine dampfphasenabscheidungsmaske
US16/680,942 US20200149139A1 (en) 2018-11-13 2019-11-12 Metal plate for producing vapor deposition masks, production method for metal plates, vapor deposition mask, production method for vapor deposition mask, and vapor deposition mask device comprising vapor deposition mask
EP19208503.3A EP3653747A1 (en) 2018-11-13 2019-11-12 Metal plate for producing vapor deposition masks, production method for metal plates, vapor deposition mask, production method for vapor deposition mask, and vapor deposition mask device comprising vapor deposition mask
DE202019006014.6U DE202019006014U1 (de) 2018-11-13 2019-11-12 Metallplatte zur Herstellung von Dampfphasenabscheidungsmasken
CN201911106045.6A CN111455312B (zh) 2017-11-14 2019-11-13 金属板的制造方法、蒸镀掩模及制造方法、蒸镀掩模装置
TW108141150A TWI832926B (zh) 2017-11-14 2019-11-13 用以製造蒸鍍罩之金屬板及金屬板之製造方法及蒸鍍罩、蒸鍍罩之製造方法及具備蒸鍍罩之蒸鍍罩裝置
KR1020190145054A KR102650066B1 (ko) 2017-11-14 2019-11-13 증착 마스크를 제조하기 위한 금속판 및 금속판의 제조 방법, 그리고 증착 마스크, 증착 마스크의 제조 방법 및 증착 마스크를 구비하는 증착 마스크 장치
JP2020180588A JP7478359B2 (ja) 2018-11-13 2020-10-28 蒸着マスクを製造するための金属板及び金属板の製造方法並びに蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法及び蒸着マスクを備える蒸着マスク装置
US17/168,496 US20210157232A1 (en) 2017-11-14 2021-02-05 Metal plate for producing vapor deposition masks, production method for metal plates, vapor deposition mask, production method for vapor deposition mask, and vapor deposition mask device comprising vapor deposition mask
JP2022169266A JP7478364B2 (ja) 2017-11-14 2022-10-21 蒸着マスクを製造するための金属板の評価方法
KR1020240037054A KR20240040693A (ko) 2018-11-13 2024-03-18 증착 마스크를 제조하기 위한 금속판 및 금속판의 제조 방법, 그리고 증착 마스크, 증착 마스크의 제조 방법 및 증착 마스크를 구비하는 증착 마스크 장치

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017219369 2017-11-14
JP2017-219369 2017-11-14
JP2017-249744 2017-12-26
JP2017249744 2017-12-26
JP2018002932 2018-01-11
JP2018-002932 2018-01-11

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US16/580,401 Continuation US20200017951A1 (en) 2017-11-14 2019-09-24 Metal plate for producing vapor deposition masks, production method for metal plates, vapor deposition mask, production method for vapor deposition mask, and vapor deposition mask device comprising vapor deposition mask

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2019098167A1 true WO2019098167A1 (ja) 2019-05-23

Family

ID=66496400

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2018/041919 WO2019098168A1 (ja) 2017-11-14 2018-11-13 蒸着マスクを製造するための金属板、金属板の検査方法、金属板の製造方法、蒸着マスク、蒸着マスク装置及び蒸着マスクの製造方法
PCT/JP2018/041918 WO2019098167A1 (ja) 2017-11-14 2018-11-13 蒸着マスクを製造するための金属板及び金属板の製造方法並びに蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法及び蒸着マスクを備える蒸着マスク装置
PCT/JP2018/041915 WO2019098165A1 (ja) 2017-11-14 2018-11-13 蒸着マスクを製造するための金属板及び金属板の製造方法並びに蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2018/041919 WO2019098168A1 (ja) 2017-11-14 2018-11-13 蒸着マスクを製造するための金属板、金属板の検査方法、金属板の製造方法、蒸着マスク、蒸着マスク装置及び蒸着マスクの製造方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2018/041915 WO2019098165A1 (ja) 2017-11-14 2018-11-13 蒸着マスクを製造するための金属板及び金属板の製造方法並びに蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法

Country Status (8)

Country Link
US (5) US11237481B2 (ja)
EP (3) EP3712295A4 (ja)
JP (13) JPWO2019098168A1 (ja)
KR (6) KR102596249B1 (ja)
CN (7) CN109778113B (ja)
DE (2) DE202018006884U1 (ja)
TW (5) TWI776990B (ja)
WO (3) WO2019098168A1 (ja)

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108977762B (zh) * 2017-06-05 2019-12-27 京东方科技集团股份有限公司 掩膜板、套装掩膜板和蒸镀系统
JPWO2019098168A1 (ja) * 2017-11-14 2019-11-14 大日本印刷株式会社 蒸着マスクを製造するための金属板、金属板の検査方法、金属板の製造方法、蒸着マスク、蒸着マスク装置及び蒸着マスクの製造方法
EP3653747A1 (en) * 2018-11-13 2020-05-20 Dainippon Printing Co., Ltd. Metal plate for producing vapor deposition masks, production method for metal plates, vapor deposition mask, production method for vapor deposition mask, and vapor deposition mask device comprising vapor deposition mask
KR102109037B1 (ko) * 2018-11-13 2020-05-11 (주)애니캐스팅 다중배열전극을 이용한 유기 증착 마스크 제조 방법
CN113169288B (zh) * 2018-11-19 2024-02-20 Lg伊诺特有限公司 合金板和包括合金板的沉积掩模
KR20200096877A (ko) 2019-02-06 2020-08-14 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 증착 마스크 장치, 마스크 지지 기구 및 증착 마스크 장치의 제조 방법
JP6870795B1 (ja) * 2019-10-04 2021-05-12 凸版印刷株式会社 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法、および、表示装置の製造方法
KR20210042026A (ko) * 2019-10-08 2021-04-16 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 증착 마스크를 제조하기 위한 금속판, 금속판의 제조 방법, 증착 마스크 및 증착 마스크의 제조 방법
JP2021175824A (ja) * 2020-03-13 2021-11-04 大日本印刷株式会社 有機デバイスの製造装置の蒸着室の評価方法、評価方法で用いられる標準マスク装置及び標準基板、標準マスク装置の製造方法、評価方法で評価された蒸着室を備える有機デバイスの製造装置、評価方法で評価された蒸着室において形成された蒸着層を備える有機デバイス、並びに有機デバイスの製造装置の蒸着室のメンテナンス方法
US11613802B2 (en) * 2020-04-17 2023-03-28 Rockwell Collins, Inc. Additively manufactured shadow masks for material deposition control
KR102485407B1 (ko) * 2020-10-23 2023-01-06 주식회사 오럼머티리얼 마스크의 제조 방법
CN113410151B (zh) * 2021-06-01 2022-10-14 云谷（固安）科技有限公司 一种确定掩膜版的位置偏移量的方法、装置及设备
CN113373406A (zh) * 2021-06-17 2021-09-10 浙江众凌科技有限公司 一种精密金属遮罩及其蚀刻激光复合制作方法
WO2023033001A1 (ja) * 2021-08-31 2023-03-09 凸版印刷株式会社 蒸着マスク基材、蒸着マスク基材の検査方法、蒸着マスクの製造方法、および、表示装置の製造方法
TWI828015B (zh) * 2021-12-01 2024-01-01 達運精密工業股份有限公司 精密金屬遮罩的製造方法
CN115558928A (zh) * 2022-08-31 2023-01-03 浙江众凌科技有限公司 一种基于表面平坦度的蒸镀基材蚀刻装置及蚀刻方法
KR20240044840A (ko) * 2022-09-29 2024-04-05 엘지이노텍 주식회사 금속판 및 이를 포함하는 증착용 마스크
WO2024102693A2 (en) 2022-11-07 2024-05-16 Xencor, Inc. Il-18-fc fusion proteins

Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6316525A (ja) * 1986-07-08 1988-01-23 Toshiba Corp シヤドウマスクの製造方法
JPH05144384A (ja) * 1991-09-25 1993-06-11 Toshiba Corp シヤドウマスク用素材
JP2001234385A (ja) 2000-02-24 2001-08-31 Tohoku Pioneer Corp メタルマスク及びその製造方法
JP2004185890A (ja) * 2002-12-02 2004-07-02 Hitachi Metals Ltd メタルマスク
JP2004183023A (ja) * 2002-12-02 2004-07-02 Hitachi Metals Ltd メタルマスク
JP5382259B1 (ja) 2013-01-10 2014-01-08 大日本印刷株式会社 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いて蒸着マスクを製造する方法
JP2015098650A (ja) * 2015-02-05 2015-05-28 Jx日鉱日石金属株式会社 メタルマスク材料及びメタルマスク
WO2015174269A1 (ja) * 2014-05-13 2015-11-19 大日本印刷株式会社 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いてマスクを製造する方法
JP2016148112A (ja) 2015-02-10 2016-08-18 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法および蒸着マスク
JP2017066530A (ja) * 2015-02-10 2017-04-06 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスクを作製するために用いられる金属板およびその製造方法
JP2017088914A (ja) * 2015-11-04 2017-05-25 Ｊｘ金属株式会社 メタルマスク材料及びメタルマスク
JP2017101302A (ja) * 2015-12-03 2017-06-08 大日本印刷株式会社 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法
JP2017125253A (ja) * 2016-01-12 2017-07-20 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． マスク組立体、その製造方法、及びそれを含んだ表示装置の製造装置
JP2017141500A (ja) * 2016-02-12 2017-08-17 大日本印刷株式会社 蒸着マスクおよび蒸着マスクの製造方法
JP2018040055A (ja) * 2016-09-08 2018-03-15 ポスコＰｏｓｃｏ 鉄‐ニッケル合金箔及びその製造方法

Family Cites Families (56)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5612503Y2 (ja) 1976-12-08 1981-03-23
JPS57104141A (en) * 1980-12-22 1982-06-29 Dainippon Printing Co Ltd Photomask and photomask substrate
JPS5968146A (ja) * 1982-10-08 1984-04-18 Toshiba Corp フラツトマスクの表裏判別方法
JPS6139344A (ja) * 1984-07-31 1986-02-25 Toshiba Corp シャドウマスク
US5130203A (en) * 1988-07-28 1992-07-14 Nippon Leakless Industry Co., Ltd. Metal gasket and method of producing the same
JPH08220778A (ja) 1995-02-17 1996-08-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd エッチング方法及び装置
JPH08269742A (ja) * 1995-03-30 1996-10-15 Nikko Kinzoku Kk 精密エッチング加工用冷間圧延金属材料及びその製造方法
JPH11219986A (ja) * 1998-02-03 1999-08-10 Hitachi Cable Ltd Ｔａｂ用テープキャリアの製造方法
DE60040004D1 (de) * 1999-06-10 2008-10-02 Nippon Yakin Kogyo Co Ltd Material auf fe-ni-basis für lochmaske
JP2001131707A (ja) 1999-10-29 2001-05-15 Dainippon Printing Co Ltd カラーブラウン管用シャドウマスク
EP1134300A3 (en) 2000-03-17 2002-05-22 Hitachi Metals, Ltd. Fe-Ni alloy
US6524723B2 (en) 2000-04-28 2003-02-25 Fukuda Metal Foil & Powder Co., Ltd. Copper foil for printed circuit boards and its surface treatment method
JP3370316B2 (ja) * 2000-04-28 2003-01-27 福田金属箔粉工業株式会社 プリント配線板用銅箔及びその表面処理方法
JP3545684B2 (ja) * 2000-07-17 2004-07-21 日鉱金属加工株式会社 エッチング穿孔性に優れたＦｅ−Ｎｉ系合金シャドウマスク用素材
JP2002035804A (ja) * 2000-07-31 2002-02-05 Hitachi Metals Ltd 高強度シャドウマスク用あるいはアパーチャグリル用薄板の製造方法
JP2002194573A (ja) * 2000-12-27 2002-07-10 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 銅および銅合金の表面処理剤
JP2004061121A (ja) 2002-07-24 2004-02-26 Nippon Light Metal Co Ltd 表面分析用標準試料及びその製造方法
JP4170179B2 (ja) * 2003-01-09 2008-10-22 株式会社 日立ディスプレイズ 有機ｅｌパネルの製造方法および有機ｅｌパネル
JP2006010576A (ja) * 2004-06-28 2006-01-12 Chugoku Electric Power Co Inc:The 物体表面における測定対象凹部或いは凸部の幅測定方法および体積測定方法
US20060068132A1 (en) * 2004-09-30 2006-03-30 Asahi Glass Company, Limited Ink jet recording sheet for plate-making mask film, and process for producing flexographic printing plate
EP1826022B1 (en) * 2006-02-28 2008-11-26 Agfa Graphics N.V. A method for making a lithographic printing plate support
JP4983399B2 (ja) * 2007-05-25 2012-07-25 シンフォニアテクノロジー株式会社 マスクアライメント装置
JP2009054512A (ja) * 2007-08-29 2009-03-12 Seiko Epson Corp マスク
JP2010106358A (ja) * 2008-09-30 2010-05-13 Canon Inc 成膜用マスク及びそれを用いた成膜方法
JP5294072B2 (ja) * 2009-03-18 2013-09-18 日立金属株式会社 エッチング加工用素材の製造方法及びエッチング加工用素材
JP2010247500A (ja) * 2009-04-20 2010-11-04 Sonocom Co Ltd マスク及びマスクの製造方法
US9337497B2 (en) * 2011-02-15 2016-05-10 Plansee Se Layer structure and use thereof to form a ceramic layer structure between an interconnect and a cathode of a high-temperature fuel cell
EP2723914B1 (en) * 2011-06-22 2018-09-26 Aixtron SE Method and apparatus for vapor deposition
CN102692184B (zh) * 2012-02-29 2014-07-23 首钢总公司 一种同时测量腐蚀坑体积、面积、深度的方法
JP6432722B2 (ja) * 2013-07-30 2018-12-05 俊 保坂 半導体センサー・デバイスおよびその製造方法
JP5455099B1 (ja) * 2013-09-13 2014-03-26 大日本印刷株式会社 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いてマスクを製造する方法
JP2015129334A (ja) * 2014-01-08 2015-07-16 大日本印刷株式会社 積層マスクの製造方法、積層マスクおよび保護フィルム付き積層マスク
JP2015140464A (ja) * 2014-01-29 2015-08-03 大日本印刷株式会社 蒸着マスク装置及び熱バリア材
JP5626491B1 (ja) 2014-03-06 2014-11-19 大日本印刷株式会社 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いて蒸着マスクを製造する方法
JP5991564B2 (ja) * 2014-05-28 2016-09-14 日立金属株式会社 熱間工具材料および熱間工具の製造方法
JP6341039B2 (ja) 2014-09-29 2018-06-13 大日本印刷株式会社 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いて蒸着マスクを製造する方法
JP6459040B2 (ja) 2014-12-10 2019-01-30 大日本印刷株式会社 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いて蒸着マスクを製造する方法
JP6515520B2 (ja) * 2014-12-15 2019-05-22 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスクを作製するために用いられる金属板および蒸着マスク
JP6372755B2 (ja) * 2014-12-24 2018-08-15 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスクを作製するために用いられる金属板および蒸着マスク
JP6628082B2 (ja) * 2015-01-20 2020-01-08 日立金属株式会社 Ｆｅ−Ｎｉ系合金薄板の製造方法
JP6666656B2 (ja) * 2015-04-02 2020-03-18 東洋鋼鈑株式会社 Ｒｆマグネトロンスパッタリング装置
CN111526674A (zh) * 2015-06-05 2020-08-11 Jx日矿日石金属株式会社 压延铜箔、覆铜层叠板、以及柔性印刷基板和电子设备
DE112016003224T5 (de) * 2015-07-17 2018-04-19 Toppan Printing Co., Ltd. Metallmaskensubstrat für dampfabscheidung, metallmaske für dampfabscheidung, herstellungsverfahren für metallmaskensubstrat für dampfabscheidung und herstellungsverfahren für metallmaske für dampfabscheidung
CN109440062B (zh) * 2015-07-17 2021-02-05 凸版印刷株式会社 金属掩模基材、金属掩模基材的管理方法、金属掩模以及金属掩模的制造方法
KR101968033B1 (ko) * 2015-07-17 2019-04-10 도판 인사츠 가부시키가이샤 메탈 마스크용 기재의 제조 방법, 증착용 메탈 마스크의 제조 방법, 메탈 마스크용 기재, 및, 증착용 메탈 마스크
CN105004786B (zh) * 2015-08-17 2017-10-31 苏州热工研究院有限公司 一种基于涡流检测的换热管管壁凹陷程度评估方法
JP6598007B2 (ja) 2015-09-30 2019-10-30 日立金属株式会社 Ｆｅ−Ｎｉ系合金薄板の製造方法
JP6177299B2 (ja) * 2015-11-04 2017-08-09 Ｊｘ金属株式会社 メタルマスク材料及びメタルマスク
JP6460131B2 (ja) * 2016-02-16 2019-01-30 Ｊｆｅスチール株式会社 溶融亜鉛めっき鋼板の表面性状評価方法、溶融亜鉛めっき鋼板の表面性状評価装置、及び溶融亜鉛めっき鋼板の製造方法
JP6670469B2 (ja) * 2016-03-16 2020-03-25 大日本印刷株式会社 蒸着マスクおよび蒸着マスク中間体
EP3231588A1 (de) * 2016-04-12 2017-10-18 Evonik Röhm GmbH Sprühgetrocknetes weichphasenemulsionspolymerisat für das auffüllen der zwickel in perlpolymerisatschichten im binder jetting verfahren
KR102164912B1 (ko) 2016-08-31 2020-10-13 히다찌긴조꾸가부시끼가이사 메탈 마스크용 소재 및 그 제조 방법
KR102200854B1 (ko) 2016-08-31 2021-01-11 히다찌긴조꾸가부시끼가이사 메탈 마스크용 소재 및 그 제조 방법
CN110785502A (zh) 2017-06-20 2020-02-11 日立金属株式会社 金属掩模用薄板的制造方法及金属掩模用薄板
JPWO2019098168A1 (ja) * 2017-11-14 2019-11-14 大日本印刷株式会社 蒸着マスクを製造するための金属板、金属板の検査方法、金属板の製造方法、蒸着マスク、蒸着マスク装置及び蒸着マスクの製造方法
KR20200058819A (ko) * 2018-11-20 2020-05-28 엘지이노텍 주식회사 합금 금속판 및 이를 포함하는 증착용 마스크

Patent Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6316525A (ja) * 1986-07-08 1988-01-23 Toshiba Corp シヤドウマスクの製造方法
JPH05144384A (ja) * 1991-09-25 1993-06-11 Toshiba Corp シヤドウマスク用素材
JP2001234385A (ja) 2000-02-24 2001-08-31 Tohoku Pioneer Corp メタルマスク及びその製造方法
JP2004185890A (ja) * 2002-12-02 2004-07-02 Hitachi Metals Ltd メタルマスク
JP2004183023A (ja) * 2002-12-02 2004-07-02 Hitachi Metals Ltd メタルマスク
JP5382259B1 (ja) 2013-01-10 2014-01-08 大日本印刷株式会社 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いて蒸着マスクを製造する方法
JP2014148743A (ja) * 2013-01-10 2014-08-21 Dainippon Printing Co Ltd 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いて蒸着マスクを製造する方法
WO2015174269A1 (ja) * 2014-05-13 2015-11-19 大日本印刷株式会社 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いてマスクを製造する方法
JP2015098650A (ja) * 2015-02-05 2015-05-28 Jx日鉱日石金属株式会社 メタルマスク材料及びメタルマスク
JP2016148112A (ja) 2015-02-10 2016-08-18 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法および蒸着マスク
JP2017066530A (ja) * 2015-02-10 2017-04-06 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスクを作製するために用いられる金属板およびその製造方法
JP2017088914A (ja) * 2015-11-04 2017-05-25 Ｊｘ金属株式会社 メタルマスク材料及びメタルマスク
JP2017101302A (ja) * 2015-12-03 2017-06-08 大日本印刷株式会社 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法
JP2017125253A (ja) * 2016-01-12 2017-07-20 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． マスク組立体、その製造方法、及びそれを含んだ表示装置の製造装置
JP2017141500A (ja) * 2016-02-12 2017-08-17 大日本印刷株式会社 蒸着マスクおよび蒸着マスクの製造方法
JP2018040055A (ja) * 2016-09-08 2018-03-15 ポスコＰｏｓｃｏ 鉄‐ニッケル合金箔及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2019098168A1 (ja) 2019-05-23
CN109778113A (zh) 2019-05-21
JP2021193211A (ja) 2021-12-23
CN113061843B (zh) 2023-07-11
TWI827235B (zh) 2023-12-21
CN113061843A (zh) 2021-07-02
JP7334833B2 (ja) 2023-08-29
JP7125683B2 (ja) 2022-08-25
US20200017950A1 (en) 2020-01-16
US20210157232A1 (en) 2021-05-27
JP7167936B2 (ja) 2022-11-09
CN117187746A (zh) 2023-12-08
JP6787503B2 (ja) 2020-11-18
US11237481B2 (en) 2022-02-01
JP6792829B2 (ja) 2020-12-02
KR20230150402A (ko) 2023-10-30
CN109778113B (zh) 2021-02-12
KR20200055679A (ko) 2020-05-21
JP2019214788A (ja) 2019-12-19
JP2020079441A (ja) 2020-05-28
KR102596249B1 (ko) 2023-11-01
CN113774323B (zh) 2023-12-12
TW201923121A (zh) 2019-06-16
EP3712294A4 (en) 2022-02-16
JP2024010051A (ja) 2024-01-23
CN109778114B (zh) 2021-10-15
JP6814420B2 (ja) 2021-01-20
TWI776990B (zh) 2022-09-11
CN109778114A (zh) 2019-05-21
CN111455312A (zh) 2020-07-28
US20200019056A1 (en) 2020-01-16
EP3712294A1 (en) 2020-09-23
JP2021059783A (ja) 2021-04-15
JP6896801B2 (ja) 2021-06-30
EP3712295A4 (en) 2021-12-15
JP7116929B2 (ja) 2022-08-12
DE202018006883U1 (de) 2024-02-19
EP3712295A1 (en) 2020-09-23
JP2023171717A (ja) 2023-12-05
KR20200087185A (ko) 2020-07-20
KR102591494B1 (ko) 2023-10-20
TW201923115A (zh) 2019-06-16
KR20200087184A (ko) 2020-07-20
KR20230154477A (ko) 2023-11-08
EP3712296A4 (en) 2021-08-11
JP2022174040A (ja) 2022-11-22
WO2019098165A1 (ja) 2019-05-23
TWI757562B (zh) 2022-03-11
KR20200086691A (ko) 2020-07-17
JPWO2019098167A1 (ja) 2020-12-17
CN111455312B (zh) 2022-12-20
EP3712296A1 (en) 2020-09-23
CN113774323A (zh) 2021-12-10
CN109778115A (zh) 2019-05-21
DE202018006884U1 (de) 2024-01-24
TW202026439A (zh) 2020-07-16
TWI765121B (zh) 2022-05-21
US20200017951A1 (en) 2020-01-16
TW202305155A (zh) 2023-02-01
KR102650066B1 (ko) 2024-03-22
US20220121115A1 (en) 2022-04-21
JP7478364B2 (ja) 2024-05-07
JP2023012491A (ja) 2023-01-25
JP2021038461A (ja) 2021-03-11
JPWO2019098168A1 (ja) 2019-11-14
TW201932621A (zh) 2019-08-16
US11733607B2 (en) 2023-08-22
JPWO2019098165A1 (ja) 2020-11-26
JP2020190033A (ja) 2020-11-26
TWI832926B (zh) 2024-02-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2019098167A1 (ja) 蒸着マスクを製造するための金属板及び金属板の製造方法並びに蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法及び蒸着マスクを備える蒸着マスク装置
KR20240040693A (ko) 증착 마스크를 제조하기 위한 금속판 및 금속판의 제조 방법, 그리고 증착 마스크, 증착 마스크의 제조 방법 및 증착 마스크를 구비하는 증착 마스크 장치

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 18879989

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2019554213

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20207016170

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2018879989

Country of ref document: EP

Effective date: 20200615