CN113410151B - 一种确定掩膜版的位置偏移量的方法、装置及设备 - Google Patents

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Abstract

本申请实施例提供了一种确定掩膜版的位置偏移量的方法、装置及设备，方法包括：获取目标参数和所述掩膜版相对于参考位置的位置偏移量的取值范围，所述目标参数为表征基板上蒸镀的有机发光材料层的位置偏差的程度的参数；根据预先建立的所述位置偏移量与所述目标参数之间的关系以及所述位置偏移量的取值范围，确定所述目标参数达到最值时对应的目标位置偏移量。相比于现有技术，本申请实施例不会出现人为失误导致计算的掩膜版的位置偏移量不准确的问题，耗时短，而且能够保证求解出的目标位置偏移量是目标参数达到最值时的最优解，最大限度地保证蒸镀的有机发光材料层的位置偏差达到预期。

Description

一种确定掩膜版的位置偏移量的方法、装置及设备
技术领域
本申请属于显示技术领域，尤其涉及一种确定掩膜版的位置偏移量的方法、装置及设备。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示面板是通过有机发光材料在电场驱动下发光的显示器件，OLED显示面板具有更轻薄、宽视角和高对比度的优点，因此受到人们的广泛关注。
在OLED显示面板的制备过程中，最核心的工艺为蒸镀，即将有机发光材料加热后真空蒸镀沉积在衬底基板上。在蒸镀工艺中，需要保证掩膜版的开口与基板上的阳极图案准确套合，因此，掩膜版的开口精度和蒸镀的有机发光材料层的位置精度是影响蒸镀效果的关键因素。为了提高掩膜版的开口与基板的阳极套合精度，往往需要新张网的掩膜版第一次在基板蒸镀后，根据第一次蒸镀的数据确定出掩膜版的位置偏移量，然后根据确定出的位置偏移量移动掩膜版，从而保证掩膜版的开口能够更准确的与基板的阳极套合。
然而，经本申请的发明人发现，现有技术中通常需要人工计算掩膜版的位置偏移量，存在耗时长以及计算出的掩膜版的位置偏移量不准确的问题，进而会导致蒸镀工艺的良率较低。
发明内容
本申请实施例提供一种确定掩膜版的位置偏移量的方法、装置及设备，能够解决现有技术中在计算掩膜版的偏移量时存在的耗时长以及计算出的掩膜版的偏移量不准确的问题，提高蒸镀工艺的良率。
第一方面，本申请实施例提供一种确定掩膜版的位置偏移量的方法，掩膜版为在基板上形成OLED像素阵列的有机发光材料层采用的掩膜版，方法包括：
获取目标参数和掩膜版相对于参考位置的位置偏移量的取值范围，目标参数为表征基板上蒸镀的有机发光材料层的位置偏差的程度的参数；
根据预先建立的位置偏移量与目标参数之间的关系以及位置偏移量的取值范围，确定目标参数达到最值时对应的目标位置偏移量。
在一些实施例中，所述预先建立的所述位置偏移量与所述目标参数之间的关系为根据目标应用程序中的规划求解模型建立的位置偏移量与所述目标参数之间的关系；
所述根据预先建立的所述位置偏移量与所述目标参数之间的关系以及所述位置偏移量的取值范围，确定所述目标参数达到最值时对应的目标位置偏移量，具体包括：
根据所述目标应用程序中的规划求解模型和所述位置偏移量的取值范围，求解所述目标参数达到最值时对应的目标位置偏移量。
相比现有技术，本申请的一些实施例中，通过具有规划求解功能的目标应用程序自动求解出目标参数达到最值时对应的目标位置偏移量，具有耗时短，而且能够保证求解出的目标位置偏移量是目标参数达到最值时的最优解，最大限度地保证蒸镀的有机发光材料层的位置偏差达到预期的优点。
在一些实施例中，所述掩膜版用于同时对多个基板进行蒸镀；
当所述目标参数为所述多个基板中的第一基板的数量时，所述最值为最大值；所述第一基板为所蒸镀的有机发光材料层的位置偏差处于第一预设范围的基板，所述位置偏差表征基板上蒸镀的有机发光材料层的第一位置与所述有机发光材料层的预设蒸镀位置之间的偏差；
当所述目标参数为所述多个基板中第二基板的数量时，所述最值为最小值；所述第二基板为所蒸镀的有机发光材料层的位置偏差未处于第一预设范围的基板。
本申请的一些实施例中，以第一基板的数量或第二基板的数量，即蒸镀的基板的良率作为目标参数，求解出良率最高时的目标位置偏移量，后续根据目标位置偏移量调整掩膜版，能够保证蒸镀的基板的良率达到最高。
在一些实施例中，所述掩膜版包括多个掩膜单元，每个掩膜单元对应M个基板，M为正整数；
当所述目标参数为所述多个掩膜单元中第一掩膜单元的数量时，所述最值为最大值；所述第一掩膜单元为对应的所述M个基板中每个基板所蒸镀的有机发光材料层的位置偏差均处于第一预设范围的掩膜单元，所述位置偏差表征基板上蒸镀的有机发光材料层的第一位置与所述有机发光材料层的预设蒸镀位置之间的偏差；
当所述目标参数为所述多个掩膜单元中第二掩膜单元的数量时，所述最值为最小值；所述第二掩膜单元为对应的所述M个基板中至少一个基板所蒸镀的有机发光材料层的位置偏差未处于所述第一预设范围的掩膜单元。
本申请的一些实施例中，以第一掩膜单元的数量或第二掩膜单元的数量，即需要修补的掩膜单元的条数作为目标参数，求解出需要修补的掩膜单元的条数最小时的目标位置偏移量，后续根据目标位置偏移量调整掩膜版，能够降低需要修补的掩膜单元的条数，减小生产成本。
在一些实施例中，目标基板包括所述第一基板或所述第二基板；
当所述目标参数为所述目标基板的数量时，在所述获取目标参数和所述掩膜版相对于参考位置的位置偏移量的取值范围之前，所述方法还包括：
建立所述位置偏移量与所述多个基板的所述位置偏差之间的第一关系；
基于所述第一预设范围和所述多个基板的所述位置偏差，建立所述多个基板的第一判断结果与所述目标基板的数量之间的第二关系，所述第一判断结果表征所述基板是否为所述目标基板；
基于所述第一关系和所述第二关系，得到所述位置偏移量与所述目标基板的数量之间的关系。
在一些实施例中，目标掩膜单元包括所述第一掩膜单元或所述第二掩膜单元；
当所述目标参数为所述目标掩膜单元的数量时，在所述获取目标参数和所述掩膜版相对于参考位置的位置偏移量的取值范围之前，所述方法还包括：
建立所述位置偏移量与每个所述掩膜单元对应的M个基板的所述位置偏差之间的第三关系；
基于所述第一预设范围、每个所述掩膜单元对应的M个基板的所述位置偏差，建立每个所述掩膜单元的第二判断结果与所述目标掩膜单元的数量之间的第四关系，所述第二判断结果表征所述掩膜单元是否为所述目标掩膜单元；
基于所述第三关系和所述第四关系，得到所述位置偏移量与所述目标掩膜单元的数量之间的关系。
在一些实施例中，在所述根据预先建立的所述位置偏移量与所述目标参数之间的关系以及所述位置偏移量的取值范围，确定所述目标参数达到最值时对应的目标位置偏移量之后，方法还包括：
控制所述掩膜版移动所述目标位置偏移量；
以移动后的所述掩膜版为形成OLED像素阵列的掩膜版，在所述基板上蒸镀有机发光材料层。
在一些实施例中，在所述基板上蒸镀有机发光材料层之后，方法还包括：
在所述目标参数为目标基板的数量、且所述掩膜版中存在第二掩膜单元的情况下，将所述目标参数由所述目标基板的数量调整至目标掩膜单元的数量；所述目标掩膜单元包括第一掩膜单元或第二掩膜单元，所述第一掩膜单元为掩膜单元对应的M个基板中每个基板所蒸镀的有机发光材料层的位置偏差均处于第一预设范围的掩膜单元，所述第二掩膜单元为掩膜单元对应的所述M个基板中至少一个基板所蒸镀的有机发光材料层的位置偏差未处于所述第一预设范围的掩膜单元；
根据预先建立的所述位置偏移量与所述目标掩膜单元的数量之间的关系以及所述偏移量的取值范围，确定所述目标掩膜单元的数量达到最值时对应的第一位置偏移量；
控制所述掩膜版移动所述第一位置偏移量；
对移动后的所述掩膜版进行修补。
本申请的一些实施例中，先以蒸镀的基板的良率作为目标参数，求解出良率最高时的目标位置偏移量，以目标位置偏移量调整掩膜版，使得蒸镀的基板的良率达到最高；后续再以需要修补的掩膜单元的条数作为目标参数，求解出需要修补的掩膜单元的条数最小时的第一位置偏移量，以第一位置偏移量调整掩膜版进行修补，能够降低需要修补的掩膜单元的条数，减小生产成本。
第二方面，本申请实施例提供了一种确定掩膜版的位置偏移量的装置，掩膜版为在基板上形成OLED像素阵列的有机发光材料层采用的掩膜版，装置包括：
获取模块，用于获取目标参数和掩膜版相对于参考位置的位置偏移量的取值范围，目标参数为表征基板上蒸镀的有机发光材料层的位置偏差的程度的参数；
确定模块，用于根据预先建立的位置偏移量与目标参数之间的关系以及位置偏移量的取值范围，确定目标参数达到最值时对应的目标位置偏移量。
第三方面，本申请实施例提供了一种电子设备，电子设备包括：处理器、存储器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现如第一方面提供的确定掩膜版的位置偏移量的方法的步骤。
本申请实施例的确定掩膜版的位置偏移量的方法、装置及设备，首先获取目标参数和掩膜版相对于参考位置的位置偏移量的取值范围，目标参数为表征基板上蒸镀的有机发光材料层的位置偏差的程度的参数；然后根据预先建立的位置偏移量与目标参数之间的关系以及位置偏移量的取值范围，自动计算出目标参数达到最值时对应的目标位置偏移量。相比于现有技术，由于本申请实施例无需人工计算，因而不会出现人为失误导致计算的掩膜版的偏移量不准确的问题，耗时也较短，而且能够保证求解出的目标位置偏移量是目标参数达到最值时的最优解，最大限度地保证蒸镀的有机发光材料层的位置偏差达到预期。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对本申请实施例中所需要使用的附图作简单的介绍，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请一实施例提供的确定掩膜版的位置偏移量的方法的流程示意图；
图2是本申请另一实施例提供的确定掩膜版的位置偏移量的方法的流程示意图；
图3是本申请又一实施例提供的确定掩膜版的位置偏移量的方法的流程示意图；
图4是本申请又一实施例提供的确定掩膜版的位置偏移量的方法的流程示意图；
图5是本申请又一实施例提供的确定掩膜版的位置偏移量的方法的流程示意图；
图6是本申请实施例提供的确定掩膜版的位置偏移量的装置的结构示意图；
图7是本申请实施例提供的电子设备的结构示意图。
具体实施方式
下面将详细描述本申请的各个方面的特征和示例性实施例，为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及具体实施例，对本申请进行进一步详细描述。应理解，此处所描述的具体实施例仅意在解释本申请，而不是限定本申请。对于本领域技术人员来说，本申请可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本申请的示例来提供对本申请更好的理解。
需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括……”限定的要素，并不排除在包括要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
在阐述本申请实施例所提供的技术方案之前，为了便于对本申请实施例理解，本申请首先对现有技术中存在的问题进行具体说明：
如前所述，发明人在长期研究中发现，在OLED显示面板的制备过程中，需要将有机发光材料加热后真空蒸镀沉积在衬底基板上。在蒸镀工艺中，掩膜版上开口的像素位置精度(Pixel Positional Accuracy，PPA)和基板上蒸镀的有机发光材料层的位置精度(简称蒸镀PPA)是影响蒸镀效果的两个关键因素。由于蒸镀所用的掩膜版通常为精度金属掩模板(Fine Metal Mask，FMM)，故掩膜版上开口的像素位置精度又可以被称作FMM PPA。而蒸镀PPA可以理解为是基板上蒸镀的有机发光材料层的位置偏差，具体表征基板上蒸镀的有机发光材料层的第一位置(实际位置)与有机发光材料层的预设蒸镀位置之间的偏差。
在蒸镀工艺中，为了提高掩膜版的开口与基板的阳极图案的套合精度，通常需要确定出掩膜版的位置偏移量(Mask offset)，然后根据确定出的位置偏移量移动掩膜版，从而保证掩膜版的开口能够更准确的与基板的阳极套合。
然而，经本申请的发明人发现，现有技术中通常由人工计算掩膜版的位置偏移量，例如由人工根据掩膜版的历史蒸镀数据和经验给定一位置偏移量，然后确定该给定的位置偏移量对应的蒸镀PPA，如果蒸镀PPA没有达到预期规格则重新进行位置偏移量调整，直到调整后的蒸镀PPA满足预期规格。这种方式至少存在以下技术问题：1)一般需要反复调整位置偏移量，耗时较长；2)虽然调整后的蒸镀PPA可以满足预期规格，但是此时的位置偏移量未必达到最优，影响蒸镀PPA，进而影响良率；3)容易出现人为计算失误，导致计算的掩膜版的偏移量不准确。
为了解决现有技术问题，本申请实施例提供了一种确定掩膜版的位置偏移量的方法、装置、设备及计算机可读存储介质。
本申请实施例的技术构思在于：首先设定目标参数和位置偏移量的取值范围，目标参数为表征蒸镀PPA的程度的参数；然后根据预先建立的位置偏移量与目标参数之间的关系以及位置偏移量的取值范围，自动计算出目标参数达到最值时对应的目标位置偏移量。
因此，由于本申请实施例可以自动计算出目标参数达到最值时对应的目标位置偏移量，无需人工计算，因而不会出现人为失误导致计算的掩膜版的位置偏移量不准确的问题，耗时也较短，而且能够保证求解出的目标位置偏移量是目标参数达到最值时的最优解，最大限度地保证蒸镀的有机发光材料层的位置偏差达到预期。
下面首先对本申请实施例所提供的确定掩膜版的位置偏移量的方法进行介绍。
图1为本申请一实施例提供的确定掩膜版的位置偏移量的方法的流程示意图。如图1所示，该方法可以包括以下步骤：
S101、获取目标参数和掩膜版相对于参考位置的位置偏移量的取值范围。
在本申请实施例中，目标参数为表征基板上蒸镀的有机发光材料层的位置偏差的程度的参数，即反映蒸镀PPA的程度的参数。在一些实施例中，掩膜版可以用于同时对多个基板进行蒸镀，相应地，目标参数可以包括多个基板中的第一基板的数量，第一基板为所蒸镀的有机发光材料层的位置偏差处于第一预设范围的基板，位置偏差表征基板上蒸镀的有机发光材料层的实际位置与有机发光材料层的预设蒸镀位置之间的偏差。第一基板可以理解为良品(合格品)，多个基板中第一基板的数量可以理解为多个基板中良品的数量。第一基板的数量即反映蒸镀的基板的良率，第一基板的数量越多，说明良率越高；反之，第一基板的数量越少，说明良率越低。
需要说明的是，第一预设范围的取值范围可以根据实际情况灵活调整，本申请实施例对于第一预设范围的取值范围不作限定。
在一些实施例中，目标参数可以包括多个基板中的第二基板的数量，第二基板为所蒸镀的有机发光材料层的位置偏差未处于第一预设范围的基板。第二基板可以理解为不良品(不合格品)，多个基板中第二基板的数量可以理解为多个基板中不良品的数量。第二基板的数量也可反映蒸镀的基板的良率，第二基板的数量越多，说明良率越低；反之，第二基板的数量越少，说明良率越高。
在一些实施例中，掩膜版可以包括多个掩膜单元，每个掩膜单元对应M个基板，M为正整数。容易理解的是，一个掩膜单元可以是一个掩膜条(FMM Sheet)，掩膜版可以由N个掩膜条组成，一个掩膜条可以用于同时对M个基板进行蒸镀，则掩膜版可以同时对N*M个基板进行蒸镀，N为正整数。在一个示例中，例如掩膜版包括19个掩膜单元，一个掩膜单元可以用于同时对5个基板进行蒸镀，则掩膜版可以同时对19*5＝95个基板进行蒸镀。相应地，目标参数可以包括多个掩膜单元中第一掩膜单元的数量，第一掩膜单元为对应的M个基板中每个基板所蒸镀的有机发光材料层的位置偏差均处于第一预设范围的掩膜单元。当然，目标参数也可以包括多个掩膜单元中第二掩膜单元的数量，第二掩膜单元为对应的M个基板中至少一个基板所蒸镀的有机发光材料层的位置偏差未处于第一预设范围的掩膜单元。
容易理解的是，对于每个掩膜单元而言，当该掩膜单元对应的M个基板中有任意一个或任意多个基板所蒸镀的有机发光材料层的位置偏差未处于第一预设范围时，则说明该掩膜单元对应的M个基板中有不良品，需要对该掩膜单元进行修补(Rework)。示例性地，在对该掩膜单元进行修补时，首先可以将该掩膜单元去除，然后更换符合要求的新的掩膜单元，也可以在原有掩膜单元的基础上做适应性调整，具体可根据实际情况进行设置。
在本申请实施例中，M个基板中每个基板所蒸镀的有机发光材料层的位置偏差均处于第一预设范围(M个基板均为良品)的掩膜单元为第一掩膜单元，可称作良品掩膜单元。M个基板中至少一个基板所蒸镀的有机发光材料层的位置偏差未处于第一预设范围(M个基板中至少一个基板为不良品)的掩膜单元为第二掩膜单元，可称作不良品掩膜单元。
容易理解的是，多个掩膜单元中良品掩膜单元的数量越多，则需要修补的掩膜单元的数量越少，Rework花费的成本越低；多个掩膜单元中良品掩膜单元的数量越少，则需要修补的掩膜单元的数量越多，Rework花费的成本越高。
需要说明的是，目标参数可以是上述实施例中多个基板中的第一基板的数量、多个基板中的第二基板的数量、多个掩膜单元中第一掩膜单元的数量和多个掩膜单元中第二掩膜单元的数量中的任意一个，具体可根据实际情况灵活调整，本申请不限于此。例如，当以良率为目标时，目标参数可以为多个基板中的第一基板的数量和多个基板中的第二基板的数量中的一个；当以需要修补的掩膜单元的数量最小为目标时，目标参数可以为多个掩膜单元中第一掩膜单元的数量和多个掩膜单元中第二掩膜单元的数量中的一个。
在本申请实施例中，掩膜版的位置偏移量可以理解为掩膜版相对于参考位置的位置偏移量，参考位置可以是掩膜版的当前位置。在一些实施例中，掩膜版的位置偏移量可以包括：掩膜版相对于参考位置的第一方向的位移量、掩膜版相对于参考位置的第二方向的位移量和掩膜版相对于参考位置的旋转角度，第一方向与第二方向相互垂直。第一方向例如为直角坐标系中的X轴的方向，第二方向例如为直角坐标系中的Y轴的方向。
以上为对本申请实施例中的目标参数的说明。在S101中，除了获取/设定目标参数之外，还需获取/设定掩膜版相对于参考位置的位置偏移量的取值范围。需要说明的是，掩膜版相对于参考位置的位置偏移量的取值范围可以根据实际情况灵活调整和设定，本申请实施例对此不作限定。
S102、根据预先建立的位置偏移量与目标参数之间的关系以及位置偏移量的取值范围，确定目标参数达到最值时对应的目标位置偏移量。
在本申请实施例中，位置偏移量与目标参数之间的关系可以预先建立。建立位置偏移量与目标参数之间的关系的主要目的在于：可以使得目标参数随位置偏移量的改变而变化，以便于后续确定出目标参数达到最值时对应的目标位置偏移量。
如图2所示，以目标参数为目标基板的数量为例，其中目标基板可以包括第一基板或第二基板，如前所述，第一基板即为所蒸镀的有机发光材料层的位置偏差处于第一预设范围的基板，即良品；第二基板为所蒸镀的有机发光材料层的位置偏差未处于第一预设范围的基板，即不良品。在S101之前，本申请实施例提供的确定掩膜版的位置偏移量的方法还可以包括步骤S1001至S1003，用于建立位置偏移量与目标基板的数量之间的关系。
S1001、建立位置偏移量与多个基板的位置偏差之间的第一关系。
例如设定位置偏移量为(X，Y，θ)，其中，X表示掩膜版相对于参考位置的第一方向的位移量，Y表示掩膜版相对于参考位置的第二方向的位移量，θ表示掩膜版相对于参考位置的旋转角度。在S1001中，求取位置偏移量为(X，Y，θ)时的每个基板的位置偏差，得到位置偏移量与多个基板的位置偏差之间的第一关系。
在一些实施例中，对于多个基板中的第i个基板，例如设定第i个基板的当前坐标为(X1，Y1)，第i个基板的当前位置偏差为(PPAX1，PPAY1)，第i个基板在掩膜版移动位置偏移量(X，Y，θ)后的位置偏差为(PPAX2，PPAY2)，i为正整数。
第i个基板的位置偏差与位置偏移量的关系如下：
PPAX2＝PPAX1+X2 (1)
PPAY2＝PPAY1+Y2 (2)
X2＝(Y1/sin(arctan(Y1/X1)))*cos((arctan(Y1/X1)+θ)-X1)*1000+X (3)
Y2＝(Y1/sin(arctan(Y1/X1)))*sin((arctan(Y1/X1)+θ)-Y1)*1000+Y (4)
其中，X2表示第i个基板在掩膜版移动位置偏移量(X，Y，θ)后的横坐标，Y2表示第i个基板在掩膜版移动位置偏移量(X，Y，θ)后的纵坐标。
需要说明的是，第i个基板的当前坐标(X1，Y1)和当前位置偏差为(PPAX1，PPAY1)均为已知量。其中，坐标(X1，Y1)和(X2，Y2)可以为第i个基板在相对坐标系中的坐标，相对坐标系可以包括掩膜版所在的空间坐标系，又称掩膜版坐标系。
S1002、基于第一预设范围和多个基板的位置偏差，建立多个基板的第一判断结果与目标基板的数量之间的第二关系，第一判断结果表征基板是否为目标基板。
在S1002中，根据第一预设范围和步骤S1001得到的每个基板的位置偏差，建立每个基板的第一判断结果与目标基板的数量之间的第二关系。例如，当目标基板为第一基板时，统计位置偏差在第一预设范围之内的基板的数量，即第一基板的数量，从而得到每个基板的第一判断结果与第一基板的数量之间的第二关系。再例如，当目标基板为第二基板时，统计位置偏差在第一预设范围之外的基板的数量，即第二基板的数量，从而得到每个基板的第一判断结果与第二基板的数量之间的第二关系。
S1003、基于第一关系和第二关系，得到位置偏移量与目标基板的数量之间的关系。即，得到掩膜版的位置偏移量(X，Y，θ)与目标基板的数量之间的关系。由于目标基板的数量反应的是良率，即得到掩膜版的位置偏移量(X，Y，θ)与良率之间的关系。
在得到掩膜版的位置偏移量与目标基板的数量之间的关系之后，便可以根据掩膜版的位置偏移量与目标基板的数量之间的关系以及位置偏移量的取值范围，求解出位置偏移量在该取值范围内目标基板的数量取得的最值、以及目标基板的数量取得最值时对应的目标位置偏移量。
例如，当目标参数为多个基板中的第一基板的数量时，最值为最大值。即，根据位置偏移量与第一基板的数量之间的关系以及位置偏移量的取值范围，求解出第一基板的数量取最大值时对应的目标位置偏移量。此时，第一基板的数量取最大值，良率最大，目标位置偏移量即为良率最大时的最优的位置偏移量。
或者，当目标参数为多个基板中的第二基板的数量时，最值为最小值。即，根据位置偏移量与第二基板的数量之间的关系以及位置偏移量的取值范围，求解出第二基板的数量取最小值时对应的目标位置偏移量。此时，第二基板的数量取最小值，良率最大，目标位置偏移量即为良率最大时的最优的位置偏移量。
如图3所示，以目标参数为目标掩膜单元的数量为例，其中目标掩膜单元包括第一掩膜单元或第二掩膜单元，在S101获取目标参数和掩膜版相对于参考位置的位置偏移量的取值范围之前，本申请实施例提供的确定掩膜版的位置偏移量的方法还可以包括步骤S1001’至S1003’。
S1001’、建立位置偏移量与每个掩膜单元对应的M个基板的位置偏差之间的第三关系。如上述表达式(1)～(4)，可以得到第i个基板的位置偏差与位置偏移量的关系。那么，再基于掩膜单元与基板之间的对应关系，可以得到位置偏移量与每个掩膜单元对应的M个基板的位置偏差之间的第三关系。
S1002’、基于第一预设范围、每个掩膜单元对应的M个基板的位置偏差，建立每个掩膜单元的第二判断结果与目标掩膜单元的数量之间的第四关系，第二判断结果表征掩膜单元是否为目标掩膜单元。
在S1002’中，根据第一预设范围和S1001’得到的每个掩膜单元对应的M个基板的位置偏差，建立每个掩膜单元的第二判断结果与目标掩膜单元的数量之间的第四关系。例如，当目标掩膜单元为第一掩膜单元时，统计对应的M个基板的位置偏差均在第一预设范围之内的掩膜单元的数量，即第一掩膜单元的数量，从而得到每个掩膜单元的第二判断结果与第一掩膜单元的数量之间的第四关系。再例如，当目标掩膜单元为第二掩膜单元时，统计对应的M个基板中至少一个基板的位置偏差未在第一预设范围之内的掩膜单元的数量，即第二掩膜单元的数量，从而得到每个掩膜单元的第二判断结果与第二掩膜单元的数量之间的第四关系。
S1003’、基于第三关系和第四关系，得到位置偏移量与目标掩膜单元的数量之间的关系。即，得到的位置偏移量(X，Y，θ)与目标掩膜单元的数量之间的关系。由于目标掩膜单元的数量反应的是需要Rework的掩膜单元的数量，即得到位置偏移量(X，Y，θ)与需要Rework的掩膜单元的数量之间的关系。
在得到位置偏移量与目标掩膜单元的数量之间的关系之后，便可以根据位置偏移量与目标掩膜单元的数量之间的关系以及位置偏移量的取值范围，求解出位置偏移量在该取值范围内目标掩膜单元的数量取得的最值、以及目标掩膜单元的数量取得最值时对应的目标位置偏移量。
例如，当目标参数为多个掩膜单元中第一掩膜单元的数量时，最值为最大值。即，根据位置偏移量与第一掩膜单元的数量之间的关系以及位置偏移量的取值范围，求解出第一掩膜单元的数量取最大值时对应的目标位置偏移量。此时，第一掩膜单元的数量取最大值，需要Rework的掩膜单元的数量最小，Rework花费的成本最低，目标位置偏移量即为Rework花费的成本最低时的最优的位置偏移量。
或者，当目标参数为多个掩膜单元中第二掩膜单元的数量时，最值为最小值。即，根据位置偏移量与第二掩膜单元的数量之间的关系以及位置偏移量的取值范围，求解出第二掩膜单元的数量取最小值时对应的目标位置偏移量。此时，第二掩膜单元的数量取最小值，需要Rework的掩膜单元的数量最小，Rework花费的成本最低，目标位置偏移量即为Rework花费的成本最低时的最优的位置偏移量。
如图4所示，在S102之后，本申请实施例提供的确定掩膜版的位置偏移量的方法还可以包括步骤S103和S104。
S103、控制掩膜版移动目标位置偏移量。
S104、以移动后的掩膜版为形成OLED像素阵列的掩膜版，在基板上蒸镀有机发光材料层。即，利用移动后的掩膜版在基板上蒸镀有机发光材料层。
在一些实施例中，在蒸镀有机发光材料层的阶段，可以以良率为目标，例如目标参数可以为多个基板中的第一基板的数量，最值可以为最大值，或者目标参数可以为多个基板中的第二基板的数量，最值可以为最小值，从而提高生产的良率。
在蒸镀有机发光材料层的阶段之后的修补阶段，如果需要对掩膜版进行修补，则可以再以Rework的掩膜单元的数量最小为目标，以便减少需要Rework的掩膜单元的数量。这里，需要说明的是，以Rework的掩膜单元的数量最小为目标不限于修补阶段，也可以在蒸镀有机发光材料层的阶段直接设定以Rework的掩膜单元的数量最小为目标。换言之，可以直接以Rework的掩膜单元的数量最小为目标进行蒸镀，这样，可以减少掩膜版的移动次数，缩短OLED像素阵列的生产时长。
具体地，如图5所示，在S104之后，本申请实施例提供的确定掩膜版的位置偏移量的方法还可以包括步骤S105、S106、S107和S108。
S105、在目标参数为目标基板的数量、且掩膜版中存在第二掩膜单元的情况下，将目标参数由目标基板的数量调整至目标掩膜单元的数量。即，将目标参数调整为多个掩膜单元中第一掩膜单元的数量或多个掩膜单元中第二掩膜单元的数量。
S106、根据预先确定的位置偏移量与目标掩膜单元的数量之间的关系以及位置偏移量的取值范围，确定目标掩膜单元的数量达到最值时对应的第一位置偏移量。
第一位置偏移量可以包括第一掩膜单元的数量取最大值时对应的位置偏移量或者第二掩膜单元的数量取最小值时对应的位置偏移量。在确定出目标掩膜单元的数量达到最值时对应的第一位置偏移量之后，执行步骤S107和S108。
S107、控制掩膜版移动第一位置偏移量。
S108、对移动后的掩膜版进行修补。具体地，虽然通过执行S105至S107，已将掩膜版中第二掩膜单元的数量降低到最小，但是移动后的掩膜版中仍然可能存在第二掩膜单元。因此，在S108中，若移动后的掩膜版中仍然存在第二掩膜单元，则可以对移动后的掩膜版中的第二掩膜单元进行修补。需要说明的是，若移动后的掩膜版中不存在第二掩膜单元，则可以不执行S108，即无需对掩膜版进行修补。
在本申请的一些实施例中，先以蒸镀的基板的良率作为目标参数，求解出良率最高时的目标位置偏移量，以目标位置偏移量调整掩膜版，使得蒸镀的基板的良率达到最高；后续再以需要修补的掩膜单元的条数作为目标参数，求解出需要修补的掩膜单元的条数最小时的第一位置偏移量，以第一位置偏移量调整掩膜版进行修补，能够降低需要修补的掩膜单元的条数，减小生产成本。
在一些具体应用实施例中，可以通过具有规划求解功能的目标应用程序求解出目标参数达到最值时对应的目标位置偏移量。规划求解，即将对直接或间接与目标单元格中公式相关联的一组单元格中的数值进行调整，最终在目标单元格公式中求得期望的结果。目标应用程序例如可以包括EXCEL应用程序。具体地，可以根据目标应用程序中的规划求解模型，建立位置偏移量与目标参数之间的关系。也就是说，预先建立的位置偏移量与目标参数之间的关系为根据目标应用程序中的规划求解模型建立的位置偏移量与目标参数之间的关系。
具体过程如下：首先，在目标应用程序中建立表征位置偏移量与目标参数之间的关系的规划求解模型；接下来，设定目标参数和掩膜版相对于参考位置的位置偏移量的取值范围，设定目标参数即设置目标及选择最大值或最小值，设定位置偏移量的取值范围即设定约束条件；再接下来，根据在目标应用程序中的规划求解模型和位置偏移量的取值范围，求解目标参数达到最值时对应的目标位置偏移量。需要说明的是，具体过程的各个步骤请参见上文，为了描述简洁，在此不再赘述。
基于上述实施例提供的确定掩膜版的位置偏移量的方法，相应地，本申请还提供了确定掩膜版的位置偏移量的装置的具体实现方式。请参见以下实施例。
参见图6，本申请实施例提供的确定掩膜版的位置偏移量的装置600包括以下模块：
获取模块601，用于获取目标参数和掩膜版相对于参考位置的位置偏移量的取值范围，目标参数为表征基板上蒸镀的有机发光材料层的位置偏差的程度的参数；
确定模块602，用于根据预先建立的位置偏移量与目标参数之间的关系以及位置偏移量的取值范围，确定目标参数达到最值时对应的目标位置偏移量。
本申请实施例的确定掩膜版的位置偏移量的装置中，获取模块601用于获取目标参数和掩膜版相对于参考位置的位置偏移量的取值范围，目标参数为表征基板上蒸镀的有机发光材料层的位置偏差的程度的参数；确定模块602用于根据预先建立的位置偏移量与目标参数之间的关系以及位置偏移量的取值范围，自动计算出目标参数达到最值时对应的目标位置偏移量。相比于现有技术，由于本申请实施例无需人工计算，因而不会出现人为失误导致计算的掩膜版的偏移量不准确的问题，耗时也较短，而且能够保证求解出的目标位置偏移量是目标参数达到最值时的最优解，最大限度地保证蒸镀的有机发光材料层的位置偏差达到预期。
在一些实施例中，预先建立的位置偏移量与目标参数之间的关系为根据目标应用程序中的规划求解模型建立的位置偏移量与目标参数之间的关系。确定模块602具体用于根据在目标应用程序中的规划求解模型和位置偏移量的取值范围，求解目标参数达到最值时对应的目标位置偏移量。
在一些实施例中，掩膜版用于同时对多个基板进行蒸镀。当目标参数为多个基板中的第一基板的数量时，最值为最大值；第一基板为所蒸镀的有机发光材料层的位置偏差处于第一预设范围的基板，位置偏差表征基板上蒸镀的有机发光材料层的第一位置与有机发光材料层的预设蒸镀位置之间的偏差。
当目标参数为多个基板中第二基板的数量时，最值为最小值；第二基板为所蒸镀的有机发光材料层的位置偏差未处于第一预设范围的基板。
在一些实施例中，掩膜版包括多个掩膜单元，每个掩膜单元对应M个基板，M为正整数。当目标参数为多个掩膜单元中第一掩膜单元的数量时，最值为最大值；第一掩膜单元为对应的M个基板中每个基板所蒸镀的有机发光材料层的位置偏差均处于第一预设范围的掩膜单元，位置偏差表征基板上蒸镀的有机发光材料层的第一位置与有机发光材料层的预设蒸镀位置之间的偏差；当目标参数为多个掩膜单元中第二掩膜单元的数量时，最值为最小值；第二掩膜单元为对应的M个基板中至少一个基板所蒸镀的有机发光材料层的位置精度未处于第一预设范围的掩膜单元。
在一些实施例中，目标基板包括第一基板或第二基板。本申请实施例提供的确定掩膜版的位置偏移量的装置600还可以包括建立模块，建立模块用于：建立位置偏移量与多个基板的位置偏差之间的第一关系；基于第一预设范围和多个基板的位置偏差，建立多个基板的第一判断结果与目标基板的数量之间的第二关系，第一判断结果表征基板是否为目标基板；基于第一关系和第二关系，得到位置偏移量与目标基板的数量之间的关系。
在一些实施例中，目标掩膜单元包括第一掩膜单元或第二掩膜单元。建立模块用于：建立位置偏移量与每个掩膜单元对应的M个基板的位置偏差之间的第三关系；基于第一预设范围、每个掩膜单元对应的M个基板的位置偏差，建立每个掩膜单元的第二判断结果与目标掩膜单元的数量之间的第四关系，第二判断结果表征掩膜单元是否为目标掩膜单元；基于第三关系和第四关系，得到位置偏移量与目标掩膜单元的数量之间的关系。
在一些实施例中，本申请实施例提供的确定掩膜版的位置偏移量的装置600还可以包括控制模块和蒸镀模块，控制模块用于控制掩膜版移动目标位置偏移量；蒸镀模块用于以移动后的掩膜版为形成OLED像素阵列的掩膜版，在基板上蒸镀有机发光材料层。
在一些实施例中，本申请实施例提供的确定掩膜版的位置偏移量的装置600还可以包括调整模块，调整模块用于在目标参数为目标基板的数量、且掩膜版中存在第二掩膜单元的情况下，将目标参数由目标基板的数量调整至目标掩膜单元的数量；目标掩膜单元包括第一掩膜单元或第二掩膜单元，第一掩膜单元为掩膜单元对应的M个基板中每个基板所蒸镀的有机发光材料层的位置偏差均处于第一预设范围的掩膜单元，第二掩膜单元为掩膜单元对应的M个基板中至少一个基板所蒸镀的有机发光材料层的位置偏差未处于第一预设范围的掩膜单元；根据预先确定的位置偏移量与目标掩膜单元的数量之间的关系以及位置偏移量的取值范围，确定目标掩膜单元的数量达到最值时对应的第一位置偏移量；控制掩膜版移动第一位置偏移量；对移动后的掩膜版进行修补。
图6所示装置中的各个模块/单元具有实现图1中各个步骤的功能，并能达到其相应的技术效果，为简洁描述，在此不再赘述。
基于上述实施例提供的确定掩膜版的位置偏移量的方法，相应地，本申请还提供了电子设备的具体实现方式。请参见以下实施例。
图7示出了本申请实施例提供的电子设备的硬件结构示意图。
电子设备可以包括处理器701以及存储有计算机程序指令的存储器702。
具体地，上述处理器701可以包括中央处理器(Central Processing Unit，CPU)，或者特定集成电路(Application Specific Integrated Circuit，ASIC)，或者可以被配置成实施本申请实施例的一个或多个集成电路。
存储器702可以包括用于数据或指令的大容量存储器。举例来说而非限制，存储器702可包括硬盘驱动器(Hard Disk Drive，HDD)、软盘驱动器、闪存、光盘、磁光盘、磁带或通用串行总线(Universal Serial Bus，USB)驱动器或者两个或更多个以上这些的组合。在一个实例中，存储器702可以包括可移除或不可移除(或固定)的介质，或者存储器702是非易失性固态存储器。存储器702可在综合网关容灾设备的内部或外部。
在一个实例中，存储器702可以是只读存储器(Read Only Memory，ROM)。在一个实例中，该ROM可以是掩模编程的ROM、可编程ROM(PROM)、可擦除PROM(EPROM)、电可擦除PROM(EEPROM)、电可改写ROM(EAROM)或闪存或者两个或更多个以上这些的组合。
存储器702可以包括只读存储器(ROM)，随机存取存储器(RAM)，磁盘存储介质设备，光存储介质设备，闪存设备，电气、光学或其他物理/有形的存储器存储设备。因此，通常，存储器包括一个或多个编码有包括计算机可执行指令的软件的有形(非暂态)计算机可读存储介质(例如，存储器设备)，并且当该软件被执行(例如，由一个或多个处理器)时，其可操作来执行参考根据本申请的一方面的方法所描述的操作。
处理器701通过读取并执行存储器702中存储的计算机程序指令，以实现图1所示实施例中的方法/步骤S101至S102，并达到图1所示实例执行其方法/步骤达到的相应技术效果，为简洁描述在此不再赘述。
在一个示例中，电子设备还可包括通信接口703和总线710。其中，如图7所示，处理器701、存储器702、通信接口703通过总线710连接并完成相互间的通信。
通信接口703，主要用于实现本申请实施例中各模块、装置、单元和/或设备之间的通信。
总线710包括硬件、软件或两者，将电子设备的部件彼此耦接在一起。举例来说而非限制，总线可包括加速图形端口(Accelerated Graphics Port，AGP)或其他图形总线、增强工业标准架构(Extended Industry Standard Architecture，EISA)总线、前端总线(Front Side Bus，FSB)、超传输(Hyper Transport，HT)互连、工业标准架构(IndustryStandard Architecture，ISA)总线、无限带宽互连、低引脚数(LPC)总线、存储器总线、微信道架构(MCA)总线、外围组件互连(PCI)总线、PCI-Express(PCI-X)总线、串行高级技术附件(SATA)总线、视频电子标准协会局部(VLB)总线或其他合适的总线或者两个或更多个以上这些的组合。在合适的情况下，总线710可包括一个或多个总线。尽管本申请实施例描述和示出了特定的总线，但本申请考虑任何合适的总线或互连。
另外，结合上述实施例中的确定掩膜版的位置偏移量的方法，本申请实施例可提供一种计算机可读存储介质来实现。该计算机可读存储介质上存储有计算机程序指令；该计算机程序指令被处理器执行时实现上述实施例中的任意一种确定掩膜版的位置偏移量的方法。计算机可读存储介质的示例包括非暂态计算机可读存储介质，如电子电路、半导体存储器设备、ROM、随机存取存储器、闪存、可擦除ROM(EROM)、软盘、CD-ROM、光盘、硬盘。
需要明确的是，本申请并不局限于上文所描述并在图中示出的特定配置和处理。为了简明起见，这里省略了对已知方法的详细描述。在上述实施例中，描述和示出了若干具体的步骤作为示例。但是，本申请的方法过程并不限于所描述和示出的具体步骤，本领域的技术人员可以在领会本申请的精神后，作出各种改变、修改和添加，或者改变步骤之间的顺序。
以上的结构框图中所示的功能块可以实现为硬件、软件、固件或者它们的组合。当以硬件方式实现时，其可以例如是电子电路、专用集成电路(Application SpecificIntegrated Circuit，ASIC)、适当的固件、插件、功能卡等等。当以软件方式实现时，本申请的元素是被用于执行所需任务的程序或者代码段。程序或者代码段可以存储在机器可读介质中，或者通过载波中携带的数据信号在传输介质或者通信链路上传送。“机器可读介质”可以包括能够存储或传输信息的任何介质。机器可读介质的例子包括电子电路、半导体存储器设备、ROM、闪存、可擦除ROM(EROM)、软盘、CD-ROM、光盘、硬盘、光纤介质、射频(RadioFrequency，RF)链路，等等。代码段可以经由诸如因特网、内联网等的计算机网络被下载。
还需要说明的是，本申请中提及的示例性实施例，基于一系列的步骤或者装置描述一些方法或系统。但是，本申请不局限于上述步骤的顺序，也就是说，可以按照实施例中提及的顺序执行步骤，也可以不同于实施例中的顺序，或者若干步骤同时执行。
上面参考根据本申请的实施例的方法、装置(系统)和计算机程序产品的流程图和/或框图描述了本申请的各方面。应当理解，流程图和/或框图中的每个方框以及流程图和/或框图中各方框的组合可以由计算机程序指令实现。这些计算机程序指令可被提供给通用计算机、专用计算机、或其它可编程数据处理装置的处理器，以产生一种机器，使得经由计算机或其它可编程数据处理装置的处理器执行的这些指令使能对流程图和/或框图的一个或多个方框中指定的功能/动作的实现。这种处理器可以是但不限于是通用处理器、专用处理器、特殊应用处理器或者现场可编程逻辑电路。还可理解，框图和/或流程图中的每个方框以及框图和/或流程图中的方框的组合，也可以由执行指定的功能或动作的专用硬件来实现，或可由专用硬件和计算机指令的组合来实现。
以上，仅为本申请的具体实施方式，所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为了描述的方便和简洁，上述描述的系统、模块和单元的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。应理解，本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到各种等效的修改或替换，这些修改或替换都应涵盖在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种确定掩膜版的位置偏移量的方法，其特征在于，所述掩膜版用于在基板上形成OLED像素阵列的有机发光材料层，所述方法包括：
获取目标参数和所述掩膜版相对于参考位置的位置偏移量的取值范围，所述目标参数为表征基板上蒸镀的有机发光材料层的位置偏差的程度的参数；
根据预先建立的所述位置偏移量与所述目标参数之间的关系以及所述位置偏移量的取值范围，确定所述目标参数达到最值时对应的目标位置偏移量；
所述位置偏移量与所述目标参数之间的关系为根据所述位置偏移量与多个基板的位置偏差之间的第一关系确定，其中，任意第i个基板的位置偏差与所述位置偏移量之间的关系包括：
根据所述第i个基板的当前坐标和所述位置偏移量，计算所述第i个基板在掩膜版移动所述位置偏移量后的坐标，i为正整数；
根据所述第i个基板在掩膜版移动所述位置偏移量后的坐标和所述第i个基板的当前位置偏差，计算所述第i个基板在掩膜版移动所述位置偏移量后的位置偏差。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预先建立的所述位置偏移量与所述目标参数之间的关系为根据目标应用程序中的规划求解模型建立的位置偏移量与所述目标参数之间的关系；
所述根据预先建立的所述位置偏移量与所述目标参数之间的关系以及所述位置偏移量的取值范围，确定所述目标参数达到最值时对应的目标位置偏移量，具体包括：
根据所述目标应用程序中的规划求解模型和所述位置偏移量的取值范围，求解所述目标参数达到最值时对应的目标位置偏移量。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜版用于同时对多个基板进行蒸镀；
当所述目标参数为所述多个基板中的第一基板的数量时，所述最值为最大值；所述第一基板为所蒸镀的有机发光材料层的位置偏差处于第一预设范围的基板，所述位置偏差表征基板上蒸镀的有机发光材料层的第一位置与所述有机发光材料层的预设蒸镀位置之间的偏差；
当所述目标参数为所述多个基板中第二基板的数量时，所述最值为最小值；所述第二基板为所蒸镀的有机发光材料层的位置偏差未处于第一预设范围的基板。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜版包括多个掩膜单元，每个掩膜单元对应M个基板，M为正整数；
当所述目标参数为所述多个掩膜单元中第一掩膜单元的数量时，所述最值为最大值；所述第一掩膜单元为对应的所述M个基板中每个基板所蒸镀的有机发光材料层的位置偏差均处于第一预设范围的掩膜单元，所述位置偏差表征基板上蒸镀的有机发光材料层的第一位置与所述有机发光材料层的预设蒸镀位置之间的偏差；
当所述目标参数为所述多个掩膜单元中第二掩膜单元的数量时，所述最值为最小值；所述第二掩膜单元为对应的所述M个基板中至少一个基板所蒸镀的有机发光材料层的位置偏差未处于所述第一预设范围的掩膜单元。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，目标基板包括所述第一基板或所述第二基板；
当所述目标参数为所述目标基板的数量时，在所述获取目标参数和所述掩膜版相对于参考位置的位置偏移量的取值范围之前，所述方法还包括：
建立所述位置偏移量与所述多个基板的所述位置偏差之间的第一关系；
基于所述第一预设范围和所述多个基板的所述位置偏差，建立所述多个基板的第一判断结果与所述目标基板的数量之间的第二关系，所述第一判断结果表征所述基板是否为所述目标基板；
基于所述第一关系和所述第二关系，得到所述位置偏移量与所述目标基板的数量之间的关系。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，目标掩膜单元包括所述第一掩膜单元或所述第二掩膜单元；
当所述目标参数为所述目标掩膜单元的数量时，在所述获取目标参数和所述掩膜版相对于参考位置的位置偏移量的取值范围之前，所述方法还包括：
建立所述位置偏移量与每个所述掩膜单元对应的M个基板的所述位置偏差之间的第三关系；
基于所述第一预设范围、每个所述掩膜单元对应的M个基板的所述位置偏差，建立每个所述掩膜单元的第二判断结果与所述目标掩膜单元的数量之间的第四关系，所述第二判断结果表征所述掩膜单元是否为所述目标掩膜单元；
基于所述第三关系和所述第四关系，得到所述位置偏移量与所述目标掩膜单元的数量之间的关系。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述根据预先建立的所述位置偏移量与所述目标参数之间的关系以及所述位置偏移量的取值范围，确定所述目标参数达到最值时对应的目标位置偏移量之后，还包括：
控制所述掩膜版移动所述目标位置偏移量；
以移动后的所述掩膜版为形成OLED像素阵列的掩膜版，在所述基板上蒸镀有机发光材料层。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，在所述基板上蒸镀有机发光材料层之后，还包括：
在所述目标参数为目标基板的数量、且所述掩膜版中存在第二掩膜单元的情况下，将所述目标参数由所述目标基板的数量调整至目标掩膜单元的数量；所述目标掩膜单元包括第一掩膜单元或所述第二掩膜单元，所述第一掩膜单元为掩膜单元对应的M个基板中每个基板所蒸镀的有机发光材料层的位置偏差均处于第一预设范围的掩膜单元，所述第二掩膜单元为掩膜单元对应的所述M个基板中至少一个基板所蒸镀的有机发光材料层的位置偏差未处于所述第一预设范围的掩膜单元；所述目标基板包括第一基板或第二基板，所述第一基板为所蒸镀的有机发光材料层的位置偏差处于第一预设范围的基板，所述位置偏差表征基板上蒸镀的有机发光材料层的第一位置与所述有机发光材料层的预设蒸镀位置之间的偏差，所述第二基板为所蒸镀的有机发光材料层的位置偏差未处于所述第一预设范围的基板；
根据预先建立的所述位置偏移量与所述目标掩膜单元的数量之间的关系以及所述位置偏移量的取值范围，确定所述目标掩膜单元的数量达到最值时对应的第一位置偏移量；
控制所述掩膜版移动所述第一位置偏移量；
对移动后的所述掩膜版进行修补。
9.一种确定掩膜版的位置偏移量的装置，其特征在于，所述掩膜版用于在基板上形成OLED像素阵列的有机发光材料层，所述装置包括：
获取模块，用于获取目标参数和所述掩膜版相对于参考位置的位置偏移量的取值范围，所述目标参数为表征基板上蒸镀的有机发光材料层的位置偏差的程度的参数；
确定模块，用于根据预先建立的所述位置偏移量与所述目标参数之间的关系以及所述位置偏移量的取值范围，确定所述目标参数达到最值时对应的目标位置偏移量；
所述位置偏移量与所述目标参数之间的关系为根据所述位置偏移量与多个基板的位置偏差之间的第一关系确定，其中，任意第i个基板的位置偏差与所述位置偏移量之间的关系包括：
根据所述第i个基板的当前坐标和所述位置偏移量，计算所述第i个基板在掩膜版移动所述位置偏移量后的坐标，i为正整数；
根据所述第i个基板在掩膜版移动所述位置偏移量后的坐标和所述第i个基板的当前位置偏差，计算所述第i个基板在掩膜版移动所述位置偏移量后的位置偏差。
10.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备包括：处理器、存储器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述计算机程序被所述处理器执行时实现如权利要求1至8中任一项所述的确定掩膜版的位置偏移量的方法的步骤。
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