CN109504938B - 一种掩膜单元及其制作方法、掩膜版 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种掩膜单元及其制作方法、掩膜版。其中，掩膜单元的制作方法包括：获取张网拉伸模拟位移数据；根据张网拉伸模拟位移数据计算掩膜单元的掩膜开口的偏移量；根据掩膜开口的偏移量以及预设掩膜开口位置在掩膜单元本体上形成掩膜开口，以使在张网拉伸后所述掩膜单元的掩膜开口位于预设掩膜开口位置。本发明提供了一种掩膜单元及其制作方法、掩膜版，以解决掩膜单元上子像素位置开口的位置在张网过程中会发生偏移的问题。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种掩膜单元及其制作方法、掩膜版。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示面板是通过有机发光材料在电场驱动下发光的显示器件，与液晶显示面板相比，有机发光显示面板更轻薄，具有更好的视角和对比度等，因此受到了人们的广泛关注。
在OLED显示面板的制备过程中，有机材料是被加热后真空蒸镀沉积在衬底基板上的，在有机材料的蒸镀过程中，需要使用掩膜版来界定蒸镀区域。示例性的，通过掩膜版可限定出红色子像素蒸镀区域、绿色子像素蒸镀区域以及蓝色子像素蒸镀区域等，对应各个蒸镀区域的掩膜版开口尺寸为微米量级，所以，蒸镀使用的掩膜版为精密掩膜版(finemetal mask，FMM)。因为目前蒸镀使用的FMM的尺寸较大，无法一体加工成型，一般将FMM采用条状掩膜单元(FMM sheet)工艺制备，并将条状掩膜单元通过张网工艺单独焊接在掩膜版框架上，多条条状掩膜单元拼接成为需要尺寸的FMM，所以，条状掩膜单元上子像素位置开口决定了蒸镀后子像素的位置，条状掩膜单元上子像素位置开口的位置精度尤为重要。
但是，在条状掩膜单元的张网工艺中，由于受到沿张网拉伸方向上拉力的影响，条状掩膜单元上子像素位置开口的位置会发生偏移，且无法通过张网及后续工艺进行补正，从而直接影响到蒸镀后的像素的位置精度，从而引起彩斑、色偏等显示异常问题。
发明内容
本发明实施例提供了一种掩膜单元及其制作方法、掩膜版，以解决条状掩膜单元上子像素位置开口的位置在张网过程中会发生偏移的问题。
第一方面，本发明实施例提供了一种掩膜单元的制作方法，包括：
获取张网拉伸模拟位移数据；
根据张网拉伸模拟位移数据计算掩膜单元的掩膜开口的偏移量；
根据掩膜开口的偏移量以及预设掩膜开口位置在掩膜单元本体上形成掩膜开口，以使在张网拉伸后所述掩膜单元的掩膜开口位于预设掩膜开口位置。
可选的，所述获取张网拉伸模拟位移数据，包括：形成掩模开口位于预设掩模开口位置的标准掩膜单元；将所述标准掩膜单元进行张网拉伸，获取所述张网拉伸模拟位移数据。
可选的，将所述标准掩膜单元进行张网拉伸，获取所述张网拉伸模拟位移数据，包括：将所述标准掩膜单元进行张网拉伸，并获取所述标准掩膜单元的张网拉伸模拟位移图像；根据所述张网拉伸模拟位移图像获取所述张网拉伸模拟位移数据。
可选的，根据张网拉伸模拟位移数据计算掩膜单元的掩膜开口的偏移量，包括：在所述标准掩膜单元上选取多个掩膜开口测试点；根据所述标准掩膜单元的张网拉伸模拟位移数据，获取所述多个掩模开口测试点的偏移量；根据所述多个掩膜开口测试点的偏移量获取所有掩膜开口的偏移量。
可选的，根据所述多个掩膜开口测试点的偏移量获取所有掩膜开口的偏移量，包括：根据所述多个掩膜开口测试点的偏移量，形成预设掩膜开口位置-偏移量的关系曲线图；根据所述预设掩膜开口位置-偏移量的关系曲线图，获取各掩膜开口的偏移量。
可选的，根据掩膜开口的偏移量以及预设掩膜开口位置在掩膜单元本体上形成掩膜开口，以使在张网拉伸后所述掩膜单元的掩膜开口位于预设掩膜开口位置，包括：根据所述掩膜开口的偏移量获取与所述偏移量大小相同、方向相反的反向补偿量；将所述预设掩膜开口位置偏移所述反向补偿量的位置作为掩膜单元的掩膜开口位置，以使张网拉伸后所述掩膜单元的掩膜开口位于预设掩膜开口位置。
第二方面，本发明实施例还提供了一种掩膜单元，包括：掩膜单元本体；
所述掩膜单元本体包括至少一个掩膜开口；所述掩膜开口根据下述掩膜单元的制作方法形成：
获取张网拉伸模拟位移数据；
根据张网拉伸模拟位移数据计算掩膜单元的掩膜开口的偏移量；
根据掩膜开口的偏移量以及预设掩膜开口位置在掩膜单元本体上形成掩膜开口，以使在张网拉伸后所述掩膜单元的掩膜开口位于预设掩膜开口位置。
可选的，在沿张网拉伸方向上，包括多个显示面板蒸镀区，每个所述显示面板蒸镀区包括垂直于张网拉伸方向上的多列子像素位置开口；每个所述显示面板蒸镀区的各列子像素位置开口中，每列子像素位置开口中相邻两个子像素位置开口之间的间距，在沿张网拉伸方向上，由中间区域至边缘区域逐渐减小。
第三方面，本发明实施例还提供了一种掩膜版，包括多个本发明任意实施例提供的掩膜单元，多个所述掩膜单元沿垂直于张网拉伸方向依次焊接在掩膜版框架上。
本发明中，通过对掩膜单元进行张网拉伸实验，获取张网拉伸模拟位移数据，并根据张网拉伸模拟位移数据计算掩膜单元张网拉伸后的掩膜开口的偏移量，根据掩膜开口的偏移量和预设掩膜开口位置在掩膜单元本体上形成掩膜开口，使得掩膜单元经过张网拉伸后，掩膜开口位于预设掩膜开口位置。本发明实施例在掩膜单元的制作过程中，对掩膜开口在张网拉伸过程中出现的偏移量进行预补偿，保证在张网拉伸后，掩膜开口的较高位置精度，进而保证通过掩膜单元蒸镀的像素的较高位置精度，避免因为像素精度降低引起的彩斑、色偏等显示异常问题。
附图说明
图1是现有技术中的一种掩膜单元的结构示意图；
图2是现有技术中的一种张网工艺的结构示意图；
图3是本发明实施例提供的一种掩膜单元的制作方法的流程示意图；
图4是本发明实施例提供的一种标准掩膜单元的张网拉伸模拟位移图像示意图；
图5是本发明实施例提供的另一种掩膜单元的制作方法的流程示意图；
图6是本发明实施例提供的一种预设掩膜开口位置-偏移量的关系曲线图；
图7是本发明实施例提供的一种掩膜单元的结构示意图；
图8是图7中显示面板蒸镀区的结构示意图；
图9是图8中显示面板蒸镀区经过张网拉伸工艺后的结构示意图；
图10是本发明实施例提供的一种掩膜版的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
现有技术中，参考图1和图2，图1是现有技术中的一种掩膜单元的结构示意图，图2是现有技术中的一种张网工艺的结构示意图，参考图1，掩膜单元1上设置有多个掩膜开口111，用于蒸镀形成各个子像素，将多个图1所示的条形的掩膜单元1通过张网工艺焊接在掩膜版框架2上，示例性的，在相互垂直的X方向和Y方向构成的平面内，条形的掩膜单元1沿X方向进行拉伸，并焊接在掩膜版框架2上。但是掩膜单元1在进行张网时，由于受到沿X方向上两侧拉力的作用，掩膜单元1上的各掩膜开口111会发生偏移，如图1和图2所示，掩膜开口111在Y方向上产生偏移，掩膜开口111位置产生内缩，使得掩膜开口111的位置精度降低，从而通过掩膜开口111形成的子像素的位置精度下降，影响像素显示。
为解决掩膜单元1在张网工艺后，掩膜开口的偏移量较大的问题，本发明实施例提供了一种掩膜单元的制作方法，参考图3，图3是本发明实施例提供的一种掩膜单元的制作方法的流程示意图，包括：
S301、获取张网拉伸模拟位移数据。
具体的，获取张网拉伸模拟位移数据，可以包括：形成掩模开口位于预设掩模开口位置的标准掩膜单元；将标准掩膜单元进行张网拉伸，获取张网拉伸模拟位移数据。
参考图1，图1中示出的掩膜单元1即为标准掩膜单元，标准掩膜单元上的掩模开口111位于预设掩模开口位置。预设掩模开口位置即为与需要蒸镀的子像素的位置一致的掩模开口位置。例如，参考图1，若需要蒸镀的子像素的形状排布为矩阵排列，则各掩模开口111呈与需要蒸镀的子像素大小、位置一致的矩阵排列。通过对该标准掩膜单元进行张网拉伸，能够获取标准掩膜单元内各掩模开口11的张网拉伸模拟位移数据。即，本实施例通过将标准掩膜单元进行张网拉伸实验，获得掩模开口111在张网拉伸前后位置的变化量。
具体的，将标准掩膜单元进行张网拉伸，获取张网拉伸模拟位移数据，可以包括：将标准掩膜单元进行张网拉伸，并获取标准掩膜单元的张网拉伸模拟位移图像；根据张网拉伸模拟位移图像获取张网拉伸模拟位移数据。
继续参考图1，将图1所示的标准掩膜单元进行张网拉伸后，获取标准掩膜单元的张网拉伸模拟位移图像，示例性的，参考图4，图4是本发明实施例提供的一种标准掩膜单元的张网拉伸模拟位移图像示意图。张网拉伸模拟位移图像中，不同颜色代表张网拉伸前后标准掩膜单元各位置的形变大小不一，如图4所示，标准掩膜单元的边缘区域B颜色较深，表示标准掩膜单元的边缘区域B形变较大，因为仅在X方向上对标准掩膜单元进行张网拉伸，即对标准掩膜单元在一维方向上进行张网拉伸，使得与X方向垂直的Y方向出现收缩，如图4所示，标准掩膜单元的边缘区域B收缩严重。
根据图4所示的张网拉伸模拟位移图像中各掩膜开口111处的颜色变化，可获取各掩膜开口111的张网拉伸模拟位移数据，所述位移数据指的是标准掩膜单元在进行张网拉伸后，各掩模开口111偏离预设掩模开口位置的距离。示例性的，在张网拉伸模拟位移图像中，若标准掩膜单元的边缘区域B中的一个掩模开口111处的颜色为A，而颜色A代表该掩模开口111的位移量为5微米，则该掩模开口11的张网拉伸模拟位移数据为5微米。
S302、根据张网拉伸模拟位移数据计算掩膜单元的掩膜开口的偏移量。
各掩模开口111的张网拉伸模拟位移数据，指的是标准掩膜单元在进行张网拉伸后，各掩模开口111偏离预设掩模开口位置的位移量，即掩膜开口111的偏移量。则对于非标准的掩模单元1，经过张网拉伸工艺后，其各位置的掩膜开口111的偏移量同标准掩模单元类似，所以本实施例通过对标准掩膜单元的张网拉伸模拟位移数据的测量，计算获取掩膜单元1的各位置的掩膜开口111的偏移量。
本实施例中，各掩模开口111在Y方向上进行收缩，则各掩模开口111的偏移量可记录各掩模开口111在Y方向上的收缩量。当然，在沿X方向上，各掩膜开口111也存在一定的偏移量，可根据标准掩膜单元的张网拉伸模拟位移数据获取各掩膜开口111在X方向上的偏移量。
S303、根据掩膜开口的偏移量以及预设掩膜开口位置在掩膜单元本体上形成掩膜开口，以使在张网拉伸后掩膜单元的掩膜开口位于预设掩膜开口位置。
在实际生成需要的掩膜单元1时，需要参考标准掩膜单元掩膜开口在张网拉伸后的偏移量，以及预设掩膜开口位置，设定生成的掩膜开口111的位置，使得张网拉伸后掩膜单元1的掩膜开口111位于预设掩膜开口位置。例如，在上述X方向和Y方向上，标准掩膜单元中某个掩膜开口111经过张网拉伸后，偏移量为D(-5,4)，若预设开口位置为P(m,n)，则为了使制作的掩膜单元1的掩膜开口111的位置经过张网拉伸后仍然处于预设开口位置P，则在制作掩膜单元1时，将该掩膜开口111的坐标设置为P’(m+5，n-4)。则该掩膜开口111经过一个偏移量D(-5,4)的偏移后，恰好落在预设开口位置P处。
本发明实施例提供的掩膜单元的制作方法，通过对掩膜单元进行张网拉伸实验，获取张网拉伸模拟位移数据，并根据张网拉伸模拟位移数据计算掩膜单元张网拉伸后的掩膜开口的偏移量，根据掩膜开口的偏移量和预设掩膜开口位置在掩膜单元本体上形成掩膜开口，使得掩膜单元经过张网拉伸后，掩膜开口位于预设掩膜开口位置。本发明实施例在掩膜单元的制作过程中，对掩膜开口在张网拉伸过程中出现的偏移量进行预补偿，保证在张网拉伸后，掩膜开口的较高位置精度，进而保证通过掩膜单元蒸镀的像素的较高位置精度，避免因为像素精度降低引起的彩斑、色偏等显示异常问题。
以上是本发明的核心思想，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
可选的，根据张网拉伸模拟位移数据计算掩膜单元的掩膜开口的偏移量，可以包括：在标准掩膜单元上选取多个掩膜开口测试点；根据标准掩膜单元的张网拉伸模拟位移数据，获取多个掩模开口测试点的偏移量；根据多个掩膜开口测试点的偏移量获取掩膜开口的偏移量。
因为无法直接将标准掩膜单元上所有位置的张网拉伸模拟位移数据根据张网拉伸模拟位移图像进行获取，则需要选取多个掩膜开口111作为测试点，获取多个掩膜开口测试点的偏移量。可选的，可以将掩膜单元1上所有的掩膜开口111作为测试点获取每个掩膜开口111的偏移量。或者，为了加快测试进程，也可以选取多个具有代表性的掩膜开口111作为掩膜开口测试点，获取掩膜开口测试点的偏移量，再根据掩膜开口测试点的偏移量，推测或者计算标准掩膜单元上所有掩膜开口的偏移量。
可选的，根据掩膜开口的偏移量以及预设掩膜开口位置在掩膜单元本体上形成掩膜开口，以使在张网拉伸后掩膜单元的掩膜开口位于预设掩膜开口位置，可以包括：根据掩膜开口的偏移量获取与偏移量大小相同、方向相反的反向补偿量；将预设掩膜开口位置偏移反向补偿量的位置作为掩膜单元的掩膜开口位置，以使张网拉伸后掩膜单元的掩膜开口位于预设掩膜开口位置。
参考上述实例，若标准掩膜单元中某个掩膜开口111经过张网拉伸后，偏移量为D(-5，4)，若预设开口位置为P(m，n)，则设置该掩膜开口111的反向补偿量为D’(5，-4)，则将预设开口位置P偏移反向补偿量D’之后的位置P’作为制作掩膜单元1时的掩膜开口111的掩膜开口位置，即掩膜开口位置设置为P’(m+5，n-4)，则张网拉伸后掩膜开口111位于预设掩膜开口位置。本实施例中，在将掩膜单元进行张网拉伸之前，在制作掩膜单元的过程中，预先对掩膜开口位置在预设掩膜开口位置的基础上，增加反向补偿量，使得掩膜单元在进行张网拉伸后，掩膜开口位置恰处于预设掩膜开口位置，增高掩膜开口的位置精度。
图5是本发明实施例提供的另一种掩膜单元的制作方法的流程示意图，如图5所示，该掩膜单元的制作方法具体包括：
S501、形成掩模开口位于预设掩模开口位置的标准掩膜单元。
S502、将标准掩膜单元进行张网拉伸，获取张网拉伸模拟位移数据。
参考图1至图4，通过一个标准掩膜单元进行张网拉伸试验，并获取标准掩膜单元的张网拉伸模拟位移图像，并根据张网拉伸模拟位移图像获取张网拉伸模拟位移数据。
S503、在标准掩膜单元上选取多个掩膜开口测试点。
S504、根据标准掩膜单元的张网拉伸模拟位移数据，获取多个掩模开口测试点的偏移量。
在计算标准掩膜单元的掩膜开口111的偏移量时，选取多个掩膜开口111作为测试点，并通过标准掩膜单元的张网拉伸模拟位移数据，获取选取的各个掩膜开口测试点的位移量，即为多个掩膜开口测试点的偏移量。示例性的，参考图1和图2，每个掩膜单元1包括多个显示面板蒸镀区11，每个显示面板蒸镀区11分别对应一个显示面板的显示区域的蒸镀，显示面板蒸镀区11内包含多个掩膜开口111，可将每个显示面板蒸镀区11均分成N部分，选取每部分中心位置的掩膜开口111作为掩膜开口测试点，或者每部分边缘位置的掩膜开口111作为掩膜开口测试点。示例性的，N可以为9或者25等。
S505、根据多个掩膜开口测试点的偏移量获取所有掩膜开口的偏移量。
可选的，根据多个掩膜开口测试点的偏移量获取所有掩膜开口的偏移量，可以包括：根据多个掩膜开口测试点的偏移量，形成预设掩膜开口位置-偏移量的关系曲线图；根据预设掩膜开口位置-偏移量的关系曲线图，获取各掩膜开口的偏移量。
参考图6，图6是本发明实施例提供的一种预设掩膜开口位置-偏移量的关系曲线图。获取多个掩膜开口测试点的预设掩膜开口位置和掩膜开口的偏移量的对应关系，并在预设掩膜开口位置P-偏移量D的坐标系中找到多个掩膜开口测试点的坐标位置C，进行标注，最后将所有的掩膜开口测试点的坐标位置C顺次连接，得到图6所示的预设掩膜开口位置P-偏移量D曲线图，根据该曲线图，可对应找出任意一个坐标位置C’(p,d)，获取任意一个掩膜开口111的预设掩膜开口位置和偏移量的对应关系，从而根据一掩膜开口111的预设掩膜开口位置，获取该掩膜开口111的偏移量。
S506、根据掩膜开口的偏移量获取与偏移量大小相同、方向相反的反向补偿量。
获取掩膜开口111的预设掩膜开口位置和偏移量的对应关系后，可根据偏移量获取反向补偿量。反向补偿量距离预设掩膜开口位置的距离与偏移量大小相等，方向相反，从而反向补偿量能够对偏移量起到预补偿的作用。
S507、将预设掩膜开口位置偏移反向补偿量的位置作为掩膜单元的掩膜开口位置，以使张网拉伸后掩膜单元的掩膜开口位于预设掩膜开口位置。
本实施例中，在将掩膜单元进行张网拉伸之前，在制作掩膜单元的过程中，预先对掩膜开口位置在预设掩膜开口位置的基础上，增加反向补偿量，使得掩膜单元在进行张网拉伸后，掩膜开口位置恰处于预设掩膜开口位置，增高掩膜开口的位置精度。另外，获取预设掩膜开口位置和偏移量关系时，通过绘制预设掩膜开口位置-偏移量关系图，简化掩膜单元的掩膜开口位置的设置过程，加快掩膜单元的制作。
基于同一构思，本发明实施例还提供一种掩膜单元。图7是本发明实施例提供的一种掩膜单元的结构示意图，如图7所示，本实施例的掩膜单元包括：掩膜单元本体12；
掩膜单元本体12包括至少一个掩膜开口111；掩膜开口111根据下述掩膜单元的制作方法形成：
获取张网拉伸模拟位移数据；
根据张网拉伸模拟位移数据计算掩膜单元1的掩膜开口111的偏移量；
根据掩膜开口111的偏移量以及预设掩膜开口位置在掩膜单元本体12上形成掩膜开口111，以使在张网拉伸后掩膜单元1的掩膜开口111位于预设掩膜开口位置。
本实施例提供的掩膜单元，通过对掩膜单元进行张网拉伸实验，获取张网拉伸模拟位移数据，并根据张网拉伸模拟位移数据计算掩膜单元张网拉伸后的掩膜开口的偏移量，根据掩膜开口的偏移量和预设掩膜开口位置在掩膜单元本体上形成掩膜开口，使得掩膜单元经过张网拉伸后，掩膜开口位于预设掩膜开口位置。本发明实施例在掩膜单元的制作过程中，对掩膜开口在张网拉伸过程中出现的偏移量进行预补偿，保证在张网拉伸后，掩膜开口的较高位置精度，进而保证通过掩膜单元蒸镀的像素的较高位置精度，避免因为像素精度降低引起的彩斑、色偏等显示异常问题。
在上述实施例的基础上，继续参考图7，在沿张网拉伸方向X上，包括多个显示面板蒸镀区11，参考图8，图8是图7中显示面板蒸镀区的结构示意图，每个显示面板蒸镀区11包括垂直于张网拉伸方向X上的多列子像素位置开口；每个显示面板蒸镀区11的各列子像素位置开口中，每列子像素位置开口中相邻两个子像素位置开口之间的间距，在沿张网拉伸方向X上，由中间区域至边缘区域逐渐减小。
如图7和图8所示，显示面板蒸镀区11内可包含多个子像素位置开口，具体的，每个显示面板蒸镀区11沿垂直于X方向上的Y方向，设置多列子像素位置开口，子像素位置开口为用于蒸镀各子像素的掩膜开口111。
每列子像素位置开口包括多个子像素位置开口，并且相邻两个子像素位置开口间距L相同的。在每个显示面板蒸镀区11内，在沿张网拉伸方向X上，从中间区域至边缘区域，每列相邻两个子像素位置开口间距L逐渐减小，从而在掩膜单元1经过张网拉伸后，显示面板蒸镀区11内各子像素位置开口位于预设掩膜开口位置，如图9所示，图9是图8中显示面板蒸镀区经过张网拉伸工艺后的结构示意图，在沿张网拉伸方向X上，每列相邻两个子像素位置开口间距L均相同，各子像素位置开口形成矩阵排布，从而通过该掩膜单元，可蒸镀形成矩阵排布的子像素阵列。
本发明实施例还提供一种掩膜版，参考图10，图10是本发明实施例提供的一种掩膜版的结构示意图，包括本发明任意实施例提供的掩膜单元1，多个掩膜单元1沿垂直于张网拉伸方向X依次焊接在掩膜版框架2上。
如图10所示，掩膜单元1经过张网拉伸工艺后，各掩膜开口111回到预设掩膜开口位置，本实施例提供的掩膜版对掩膜单元1在张网拉伸过程中出现的偏移量进行预补偿，保证掩膜单元1在张网拉伸后，掩膜开口111的较高位置精度，进而保证通过掩膜单元蒸镀的像素的较高位置精度。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (7)
1.一种掩膜单元的制作方法，其特征在于，包括：
获取张网拉伸模拟位移数据；
根据张网拉伸模拟位移数据计算掩膜单元的掩膜开口的偏移量；
根据掩膜开口的偏移量以及预设掩膜开口位置在掩膜单元本体上形成掩膜开口，以使在张网拉伸后所述掩膜单元的掩膜开口位于预设掩膜开口位置；
其中，所述获取张网拉伸模拟位移数据，包括：形成掩模开口位于预设掩模开口位置的标准掩膜单元；将所述标准掩膜单元进行张网拉伸，获取所述张网拉伸模拟位移数据；
根据掩膜开口的偏移量以及预设掩膜开口位置在掩膜单元本体上形成掩膜开口，以使在张网拉伸后所述掩膜单元的掩膜开口位于预设掩膜开口位置，包括：
根据所述掩膜开口的偏移量获取与所述偏移量大小相同、方向相反的反向补偿量；
将所述预设掩膜开口位置偏移所述反向补偿量的位置作为掩膜单元的掩膜开口位置，以使张网拉伸后所述掩膜单元的掩膜开口位于预设掩膜开口位置。
2.根据权利要求1所述的掩膜单元的制作方法，其特征在于，将所述标准掩膜单元进行张网拉伸，获取所述张网拉伸模拟位移数据，包括：
将所述标准掩膜单元进行张网拉伸，并获取所述标准掩膜单元的张网拉伸模拟位移图像；
根据所述张网拉伸模拟位移图像获取所述张网拉伸模拟位移数据。
3.根据权利要求1所述的掩膜单元的制作方法，其特征在于，根据张网拉伸模拟位移数据计算掩膜单元的掩膜开口的偏移量，包括：
在所述标准掩膜单元上选取多个掩膜开口测试点；
根据所述标准掩膜单元的张网拉伸模拟位移数据，获取所述多个掩模开口测试点的偏移量；
根据所述多个掩膜开口测试点的偏移量获取所有掩膜开口的偏移量。
4.根据权利要求3所述的掩膜单元的制作方法，其特征在于，根据所述多个掩膜开口测试点的偏移量获取所有掩膜开口的偏移量，包括：
根据所述多个掩膜开口测试点的偏移量，形成预设掩膜开口位置-偏移量的关系曲线图；
根据所述预设掩膜开口位置-偏移量的关系曲线图，获取各掩膜开口的偏移量。
5.一种掩膜单元，其特征在于，包括：掩膜单元本体；
所述掩膜单元本体包括至少一个掩膜开口；所述掩膜开口根据下述掩膜单元的制作方法形成：
获取张网拉伸模拟位移数据；
根据张网拉伸模拟位移数据计算掩膜单元的掩膜开口的偏移量；
根据掩膜开口的偏移量以及预设掩膜开口位置在掩膜单元本体上形成掩膜开口，以使在张网拉伸后所述掩膜单元的掩膜开口位于预设掩膜开口位置；
其中，所述获取张网拉伸模拟位移数据，包括：形成掩模开口位于预设掩模开口位置的标准掩膜单元；将所述标准掩膜单元进行张网拉伸，获取所述张网拉伸模拟位移数据；
根据掩膜开口的偏移量以及预设掩膜开口位置在掩膜单元本体上形成掩膜开口，以使在张网拉伸后所述掩膜单元的掩膜开口位于预设掩膜开口位置，包括：
根据所述掩膜开口的偏移量获取与所述偏移量大小相同、方向相反的反向补偿量；
将所述预设掩膜开口位置偏移所述反向补偿量的位置作为掩膜单元的掩膜开口位置，以使张网拉伸后所述掩膜单元的掩膜开口位于预设掩膜开口位置。
6.根据权利要求5所述的掩膜单元，其特征在于：
在沿张网拉伸方向上，包括多个显示面板蒸镀区，每个所述显示面板蒸镀区包括垂直于张网拉伸方向上的多列子像素位置开口；
每个所述显示面板蒸镀区的各列子像素位置开口中，每列子像素位置开口中相邻两个子像素位置开口之间的间距，在沿张网拉伸方向上，由中间区域至边缘区域逐渐减小。
7.一种掩膜版，其特征在于，包括多个权利要求5-6任一所述的掩膜单元；多个所述掩膜单元沿垂直于张网拉伸方向依次焊接在掩膜版框架上。
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