CN110188502B - 掩膜版的设计方法、制作方法和设计系统 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种掩膜版的设计方法、制作方法和设计系统，该设计方法包括：对蒸镀过程进行模拟仿真，蒸镀过程采用待补偿的掩膜版蒸镀膜层，掩膜版包括框架和固定在框架上的掩膜版本体，掩膜版本体包括交叉设置的多条掩膜条，交叉设置的多条掩膜条限定出多个开口；蒸镀过程结束后，提取每一掩膜条在第一方向和第二方向上的位置偏差数据，第一方向和第二方向为掩膜版的长度方向和宽度方向；根据位置偏差数据，对掩膜版进行位置偏移补偿，得到补偿后的掩膜版的设计数据。本发明可以对蒸镀过程中因热和力耦合导致掩膜版产生的不均匀形变进行预补偿，降低掩膜版上的开口的位置与基板上的相应的位置之间的偏差，改善实际蒸镀膜层边界与设计值的差异。

Description

掩膜版的设计方法、制作方法和设计系统

技术领域

本发明涉及掩膜版设计技术领域，尤其涉及一种掩膜版的设计方法、制作方法和设计系统。

背景技术

在有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示面板的制作过程中，需采用公共膜层掩膜版(Open Metal Mask)将公共膜层(如电子传输层、空穴注入层等)以蒸镀的方式沉积在与基板相对应的位置。

一套公共膜层掩膜版由框架(Frame)和掩膜版主体(Open Mask)组成，掩膜版主体包括交叉设置的多条掩膜条(Rib)，交叉设置的掩膜条限定出多个开口。在实际蒸镀过程中，待蒸镀材料特别是金属材料被加热到约400～1000℃，再透过掩膜版上的开口在基板上凝结，中间释放出的能量使掩膜版温度升高并产生热变形。此外，掩膜版在蒸镀腔室中还会因重力下垂而产生变形。请参考图1和图2，蒸镀前，掩膜版10上的开口11的位置与基板20上的相应的位置(AA区21)一一对应，蒸镀后，掩膜版10上的开口11的位置与基板20上的相应的位置(AA区21)出现偏差，导致实际蒸镀膜层边界22与设计边界23差异明显。并且，同一掩膜版上不同位置的开口11形成的偏差不同，无法通过掩膜版和基板对位进行更正。最终导致产品蒸镀膜层工艺偏差较大，甚至可能导致产品不良并且不利于窄边框设计。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种掩膜版的设计方法、制作方法和设计系统，用于解决因在蒸镀过程中受热和力的作用，掩膜版上的开口的位置与基板上的相应的位置出现偏差，且同一掩膜版不同位置的开口的偏差不同，导致实际蒸镀膜层边界与设计值差异明显的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种掩膜版的设计方法，包括：

对蒸镀过程进行模拟仿真，所述蒸镀过程采用待补偿的掩膜版蒸镀膜层，所述掩膜版包括框架和固定在所述框架上的掩膜版本体，所述掩膜版本体包括交叉设置的多条掩膜条，交叉设置的多条掩膜条限定出多个开口；

所述蒸镀过程结束后，提取每一所述掩膜条在第一方向和第二方向上的位置偏差数据，所述第一方向和第二方向为所述掩膜版的长度方向和宽度方向；

根据所述位置偏差数据，对所述掩膜版进行位置偏移补偿，得到补偿后的掩膜版的设计数据。

可选的，所述根据所述位置偏差数据，对所述掩膜版进行位置偏移补偿包括：

对每一所述掩膜条在所述第一方向和第二方向上的位置偏差数据进行拟合，得到每一所述掩膜条在所述第一方向和第二方向的拟合变形曲线；

根据所述拟合变形曲线，对所述掩膜版进行位置偏移补偿。

可选的，所述根据所述拟合变形曲线，对所述掩膜版进行位置偏移补偿包括：

根据所述拟合变形曲线，对所述掩膜版的每一所述掩膜条进行位置偏移补偿。

可选的，所述根据所述拟合变形曲线，对所述掩膜版进行位置偏移补偿包括：

根据所述拟合变形曲线，确定每一所述开口在所述第一方向和第二方向上的位置偏差；

根据所述每一所述开口在第一方向和第二方向上的位置偏差，对所述多个开口进行分区；

对处于同一分区的每一所述开口采用相同的位置偏差补偿方法确定位置偏差补偿值。

可选的，所述掩膜版的设计方法还包括：

根据所述拟合变形曲线，确定每一所述开口的变形偏差数据；

根据所述变形偏差数据，确定每一所述开口的变形偏差补偿值。

可选的，所述根据所述变形偏差数据，确定每一所述开口的变形偏差补偿值包括：

根据每一所述开口在第一方向和第二方向上的位置偏差和变形偏差数据，对所述开口进行分区；

对处于同一分区的每一所述开口，采用相同的位置偏差补偿方法确定位置偏差补偿值，采用相同的变形补偿方法确定变形偏差补偿值。

本发明还提供一种掩膜版的制作方法，包括：

获取上述掩膜版的设计方法得到的补偿后的掩膜版的设计数据；

根据所述设计数据，制作掩膜版。

本发明还提供一种掩膜版的设计系统，包括：

模拟仿真模块，用于对蒸镀过程进行模拟仿真，所述蒸镀过程采用待补偿的掩膜版蒸镀膜层，所述掩膜版包括框架和固定在所述框架上的掩膜版本体，所述掩膜版本体包括交叉设置的多条掩膜条，交叉设置的多条掩膜条限定出多个开口；

提取模块，用于所述蒸镀过程结束后，提取每一所述掩膜条在第一方向和第二方向上的位置偏差数据，所述第一方向和第二方向为所述掩膜版的长度方向和宽度方向；

补偿模块，用于根据所述位置偏差数据，对所述掩膜版进行位置偏移补偿，得到补偿后的掩膜版的设计数据。

本发明还提供一种掩膜版的设计系统，包括处理器、存储器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述计算机程序被所述处理器执行时实现上述掩膜版的设计方法的步骤。

本发明还提供一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述掩膜版的设计方法的步骤。

本发明的上述技术方案的有益效果如下：

在掩膜版的设计阶段，通过对掩膜版在蒸镀过程中受到的热和力的作用进行模拟仿真，获得掩膜版上的每一掩膜条的位置偏差数据，根据该位置偏差数据，对掩膜版进行位置偏移补偿，从而可以在掩膜版的制作阶段，对蒸镀过程中因热和力耦合导致掩膜版产生的不均匀形变进行预补偿，降低掩膜版上的开口的位置与基板上的相应的位置之间的偏差，改善实际蒸镀膜层边界与设计值的差异，提高产品良率，并且可以有效减小产品边框设计边界(Margin)，有助于窄边框设计。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对本发明实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为蒸镀前后掩膜版上的开口位置与基板上的相应的位置的示意图；

图2为基板上的蒸镀膜层边界与设计边界的比较示意图；

图3为本发明实施例的掩膜版的设计方法的流程示意图；

图4为本发明实施例的一掩膜版的结构示意图；

图5为本发明实施例中对蒸镀过程进行模拟仿真后得到的玻璃基板在第一方向上的热变形云图；

图6为本发明实施例中对蒸镀过程进行模拟仿真后得到的玻璃基板在第二方向上的热变形云图；

图7为发明实施例中对蒸镀过程进行模拟仿真后得到的掩膜版在第一方向上的热变形云图；

图8为发明实施例中对蒸镀过程进行模拟仿真后得到的掩膜版在第二方向上的热变形云图；

图9为本发明实施例中的掩膜版边缘的一条掩膜条在第一方向上的热变形云图；

图10为本发明实施例中的掩膜版边缘的一条掩膜条在第二方向上的热变形云图；

图11为本发明实施例的掩膜版上的一掩膜条在第一方向上的变形曲线；

图12为本发明实施例的掩膜版上的一掩膜条在第二方向上的变形曲线，

图13为本发明实施例的掩膜版的一开口的一长边的热变形云图；

图14为本发明实施例的掩膜版上的一开口的一短边的热变形云图；

图15为本发明实施例的掩膜版上的一开口在第一方向上的变形曲线；

图16为本发明实施例的掩膜版上的一开口在第二方向上的变形曲线，

图17为本发明实施例的掩膜版的分区划分示意图；

图18为本发明实施例的掩膜版的制作方法示意图；

图19为本发明实施例的掩膜版的设计系统的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例的附图，对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请参考图3和图4，图3为本发明实施例的掩膜版的设计方法的流程示意图，图4为本发明实施例的一掩膜版的结构示意图，该设计方法包括：

步骤31：对蒸镀过程进行模拟仿真，所述蒸镀过程采用待补偿的掩膜版蒸镀膜层，如图4所示，所述掩膜版包括框架101和固定在所述框架101上的掩膜版本体，所述掩膜版本体包括交叉设置的多条掩膜条102，交叉设置的多条掩膜条102限定出多个开口103；

本发明实施例中，采用计算机软件对蒸镀过程进行模拟仿真，计算机软件需要对蒸镀腔室、掩膜版、基板、蒸镀材料、蒸镀条件等进行建模，完全仿真真实的蒸镀过程。

本发明实施例中的掩膜版为公共膜层掩膜版(Open Metal Mask)，用于形成公共膜层，公共膜层可以为OLED显示基板的电子传输层、电子注入层、空穴传输层或空穴注入层等。

步骤32：所述蒸镀过程结束后，提取每一所述掩膜条在第一方向和第二方向上的位置偏差数据，所述第一方向和第二方向为所述掩膜版的长度方向和宽度方向；

请参考图2，第一方向是指掩膜版的长度方向(图中水平方向，也可称为X方向)，第二方向是指掩膜版的宽度方向(图中竖直方向，也可称为Y方向)。

在蒸镀过程中，待蒸镀材料(金属材料或有机材料)被加热到约400～1000℃，再透过掩膜版上的开口103在基板上凝结，中间释放出的能量使掩膜版和基板的温度升高导致热变形，此外，掩膜版和基板在蒸镀腔室中还会因重力下垂导致变形。

本发明实施例中，基板可以为玻璃基板。

请参考图5和图6，图5和图6分别为对蒸镀过程进行模拟仿真后得到的玻璃基板在第一方向和第二方向上的热变形云图，其中，第一方向为玻璃基板的长度方向(长边方向，也可称为X方向)，第二方向为玻璃基板的宽度方向(短边方向，也可称为Y方向)，由于玻璃基板在冷却板(冷却板)、掩膜版贴合，特别是四周夹具(clamp)压紧力的作用下，经仿真发现，玻璃基板的变形较小，可以忽略不计，因而本发明实施例中，并不考虑玻璃基板的变形。

请参考图7和图8，图7和图8分别为对蒸镀过程进行模拟仿真后得到的掩膜版在第一方向和第二方向上的热变形云图，图7和图8仅示出了掩膜版的一部分。从图7和图8中可以看出，由掩膜版的中心往外，热变形加剧，其中，掩膜条自身的热线性较小，但是框架的体积较大，热膨胀比较明显，会带动掩膜条在第一方向和第二方向上产生偏移。

本发明实施例中，可以在蒸镀过程结束后，提取每一掩膜条的位置偏差数据，请参考图9和图10，图9为本发明实施例中的掩膜版边缘的一条掩膜条(图9中的1～2之间的掩膜条)在第一方向上的热变形云图，图10为本发明实施例中的掩膜版边缘的一条掩膜条在第二方向上的热变形云图。

本发明实施例中，可以从热变形云图中提出掩膜条的位置偏差数据(即形变数据)。

步骤33：根据所述位置偏差数据，对所述掩膜版进行位置偏移补偿，得到补偿后的掩膜版的设计数据。

举例来说，假设得到掩膜条上某一点在第一方向上的位置偏差数据为+3μm，则得到的设计数据时，该点在第一方向上的坐标需要减去3μm。

本发明实施例中，在掩膜版的设计阶段，通过对掩膜版在蒸镀过程中受到的热和力的作用进行模拟仿真，获得掩膜版上的每一掩膜条的位置偏差数据，根据该位置偏差数据，对掩膜版进行位置偏移补偿，从而可以在掩膜版的制作阶段，对蒸镀过程中因热和力耦合导致掩膜版产生的不均匀形变进行预补偿，降低掩膜版上的开口的位置与基板上的相应的位置之间的偏差，改善实际蒸镀膜层边界与设计值的差异，提高产品良率，并且可以有效减小产品边框设计边界(Margin)，有助于窄边框设计。

本发明的实施例中，所述根据所述位置偏差数据，对所述掩膜版进行位置偏移补偿包括：

步骤331：对每一所述掩膜条在所述第一方向和第二方向上的位置偏差数据进行拟合，得到每一所述掩膜条在所述第一方向和第二方向的拟合变形曲线；

步骤332：根据所述拟合变形曲线，对所述掩膜版进行位置偏移补偿。

本发明实施例中，可以从掩膜条的热变形云图中，提取出掩膜条的位置偏差数据(即掩膜条上的一些指定位置的位置偏差)，根据掩膜条的改写指定位置的原始坐标以及位置偏差，可以得到掩膜条的变形曲线。

请参考图11和图12，图11为本发明实施例的掩膜版上的一掩膜条在第一方向上的变形曲线，图12为本发明实施例的掩膜版上的一掩膜条在第二方向上的变形曲线，图11和图12中，横坐标为掩膜条上指定点的在第一方向或第二方向上的原始坐标，纵坐标为指定点的位置偏差。横坐标单位是mm，纵坐标单位是μm。

从图11和图12中可以看出，掩膜条的变形曲线并非平滑的曲线，如果按照这种曲线进行位置偏移补偿，则非常耗时，因而，本发明实施例中，可以对该些变形曲线进行拟合，例如进行线性拟合，或者进行多项式和其他非线性拟合，得到拟合后的拟合变形曲线，根据拟合变形曲线，对所述掩膜版进行位置偏移补偿，降低补偿的工足量，提高补偿效率。

举例来说，对掩膜版上的一掩膜条提取第一方向和第二方向的热变形云图，根据该热变形云图得到该掩膜条在第一方向和第二方向的变形曲线，对变形曲线进行拟合，分别得到第一方向和第二方向的拟合变形曲线f(x1)和f(x2)，假设f(x1)＝0.03145x，f(x2)＝1.823e-5*x2+4。再依次完成其余掩膜条的拟合变形曲线的获取。例如，第三条掩膜条在第一方向的方拟合变形曲线为y＝-0.03145*x，在第二方向的拟合变形曲线为y＝-1.823e-5*x2+4。

本发明实施例中，可以根据上述拟合变形曲线，对所述掩膜版的每一所述掩膜条进行位置偏移补偿。该种补偿方式较为精确。

上述实施例中，基于每一掩膜条进行位置偏移补偿，在本发明的其他一些实施例中，也可以基于每一开口进行位置偏移补偿，但是如果对每一开口均根据拟合变形曲线进行精确的位置偏移补偿，则计算量较大，因而，本发明实施例中，可以首先对开口进行分区，将相邻且形变属于相同类型的开口划分到同一分区，对处于同一分区内的开口采用相同的位置偏差补偿方法进行位置偏移补偿，从而减小补偿的工作量，提高补偿效率。

即，所述根据所述拟合变形曲线，对所述掩膜版进行位置偏移补偿包括：

步骤3321：根据所述拟合变形曲线，确定每一所述开口在所述第一方向和第二方向上的位置偏差；

本发明实施例中，可以将开口边界上指定点的原始坐标代入开口对应的掩膜条(一个开口对应四个掩膜条)的拟合变形曲线，得到开口各边界在第一方向和第二方向上的位置偏差。本发明实施例中，可以以掩膜版的中心点作为坐标系的坐标原点(当然也可以采用掩膜版上的其他点作为坐标原点)，得到开口边界上指定点的坐标。

得到开口各边界的在第一方向和第二方向上的位置偏差之后，可以对第一方向和第二方向上的位置偏差进行分析处理，确定整个开口在所述第一方向和第二方向上的位置偏差。

当然，在本发明的其他一些实施例中，也可以不根据掩膜条的拟合变形曲线，确定每一所述开口在所述第一方向和第二方向上的位置偏差，而是直接提取每一开口对应的掩膜条的热变形云图，如图13和图14所示，图13为本发明实施例的掩膜版上的一开口的一长边(掩膜条，图中1～2所示)的热变形云图，图14为本发明实施例的掩膜版上的一开口的一短边(掩膜条，图中1～2所示)的热变形云图，根据该热变形云图得到开口在所述第一方向和第二方向上的拟合变形曲线，请参考图15和图16，根据开口在所述第一方向和第二方向上的拟合变形曲线，确定每一所述开口在所述第一方向和第二方向上的位置偏差。图15和图16中，横坐标为开口边界上的指定点的坐标，纵坐标为指定点的位置偏差，横坐标单位是mm，纵坐标单位是μm。

步骤3322：根据所述每一所述开口在第一方向和第二方向上的位置偏差，对所述多个开口进行分区；

请参考图17，图17为本发明实施例的掩膜版的分区划分示意图，图17仅示出了一个掩膜版的部分区域，从图17中可以看出，该部分掩膜版被划分为4个分区，A1、A2、A3和A4。

步骤3323：对处于同一分区的每一所述开口采用相同的位置偏差补偿方法确定位置偏差补偿值。

本发明实施例中，可选的，所述分区包括以下至少之一：

所述分区包括以下至少之一：

第一分区，所述第一分区中的所述开口在第一方向和第二方向上的位置偏差小于或等于第一阈值，所述第一分区中的所述开口在第一方向和第二方向的偏移补偿值为零；

任以图17为例，假设图17中的A1区域为第一分区，A1区域中的开口在第一方向和第二方向上的位置偏差均在5μm以内，变形较小，因此，该区域的开口可以不进行补偿，即开口在第一方向和第二方向的偏移补偿值为零，从而简化补偿过程，提高补偿效率。

第二分区，所述第二分区中的所述开口在第一方向和第二方向上的位置偏差大于第一阈值，且各所述开口之间在第一方向和第二方向上的位置偏差之差小于第二阈值，所述第二分区中的所述开口在第一方向的偏移补偿值为各所述开口在第一方向的偏移量的均值，在第二方向的偏移补偿值为各所述开口在第二方向的偏移量的均值；

任以图17为例，假设图17中的A2区域为第二分区，A2区域中的开口在第一方向和第二方向上的位置偏差大于5μm，且各开口之间在第一方向和第二方向上的位置偏差之差小于2μm，该种分区的补偿方法可以是将A2区域中的各开口在第一方向的偏移量的均值作为第一方向的偏移量补偿值，将A2区域中的各开口在第二方向的偏移量的均值作为第二方向的偏移量补偿值，进行均匀补偿。

第三分区，所述第三分区中的所述开口在第一方向的位置偏差相等，在第二方向的形变为线性形变，所述第一分区中的所述开口在第一方向的偏移补偿值相同，在第二方向上采用所述拟合变形曲线确定位置偏差补偿值；

任以图17为例，假设图17中的A3区域为第三分区，A3区域中的开口在第一方向上的位置偏差相等，在第二方向的形变为线性形变，此时，在第一方向可以将A3区域中的开口补偿相同的偏移补偿值，在第二方向上，按照拟合变形曲线确定位置偏差补偿值。

第四分区，所述第四分区中的所述开口在第一方向和第二方向的形变均为线性形变，所述第一分区中的所述开口在第一方向和第二方向上均采用所述拟合变形曲线确定位置偏差补偿值。

任以图17为例，假设图17中的A4区域为第四分区，A4区域中的开口在第一方向和第二方向的形变均为线性形变，此时，在第一方向和第二方向上，均按照拟合变形曲线确定位置偏差补偿值。

上述实施例中，是对掩膜条或开口的位置偏差进行补偿，在蒸镀过程中，开口除了出现位置偏差之外，还可能会发生变形偏差(因掩膜条材料本身的拉伸造成的)，本发明实施例中，还可以对开口的变形偏差进行补偿，即所述掩膜版的设计方法还可以包括：

步骤15：根据所述拟合变形曲线，确定每一所述开口的变形偏差数据；

步骤16：根据所述变形偏差数据，确定每一所述开口的变形偏差补偿值。

在本发明的一些实施例中，可以基于每一开口进行变形偏差补偿，但是如果对每一开口进行精确的变形偏差补偿，则计算量较大，补偿效率较低，因而，本发明实施例中，同上述位置偏差补偿过程，可以首先对开口进行分区，将变形偏差在同一范围内的开口采用相同的方法进行变形偏差补偿，从而降低计算量，提高补偿效率。

即所述根据所述变形偏差数据，确定每一所述开口的变形偏差补偿值包括：

步骤161a：根据每一所述开口在第一方向和第二方向上的变形偏差数据，对所述开口进行分区；

步骤162a：对处于同一分区的每一所述开口，采用相同的变形补偿方法确定变形偏差补偿值。

另外，在本发明的其他一些实施例中，也可以基于开口在第一方向和第二方向上的位置偏差和变形偏差，对所述开口进行分区，即所述根据所述变形偏差数据，确定每一所述开口的变形偏差补偿值包括：

步骤161b：根据每一所述开口在第一方向和第二方向上的位置偏差和变形偏差数据，对所述开口进行分区；

步骤162a：对处于同一分区的每一所述开口，采用相同的位置偏差补偿方法确定位置偏差补偿值，采用相同的变形补偿方法确定变形偏差补偿值。

举例来说，在掩膜版的某一个区域内，所有开口的变形偏差在3μm以内，位置偏差在5μm以内，因此这些开口可以使用同一个变形偏差补偿值和位置偏差补偿值，这样可以大大减小设计的工作量，同时，对补偿效果基本没有影响。

在具体实现时，可以对所有开口进行编号，并根据变形偏差和位置偏差划分分区1,2,3,4…，例如：将变形偏差在±3um，位置偏差在±5um以内的所有相邻开口设置在一个分区，从而得到分区①，②，③，④…；取每个分区内所有开口的变形偏差和位置偏差平均值或中值(Dx1，Dy1，Ox1，Oy1),(Dx2，Dy2，Ox2，Oy2),(Dx3，Dy3，Ox3，Oy3),(Dx4，Dy4，Ox4，Oy4)；其中，Dx为开口在第一方向的位置偏差，Dy为开口在第二方向的位置偏差，Ox为开口在第一方向的变形偏差，Oy为开口在第二方向的变形偏差；作为该区域所有开口的变形偏差和位置偏差补偿量。

请参考图18，本发明实施例还提供一种掩膜版的制作方法，包括：

步骤181：获取采用上述掩膜版的设计方法得到的补偿后的掩膜版的设计数据；

步骤182：根据所述设计数据，制作掩膜版。

请参考图19，本发明实施例还一种掩膜版的设计系统，包括：

模拟仿真模块191，用于对蒸镀过程进行模拟仿真，所述蒸镀过程采用待补偿的掩膜版蒸镀膜层，所述掩膜版包括框架和固定在所述框架上的掩膜版本体，所述掩膜版本体包括交叉设置的多条掩膜条，交叉设置的多条掩膜条限定出多个开口；

提取模块192，用于所述蒸镀过程结束后，提取每一所述掩膜条在第一方向和第二方向上的位置偏差数据，所述第一方向和第二方向为所述掩膜版的长度方向和宽度方向；

补偿模块193，用于根据所述位置偏差数据，对所述掩膜版进行位置偏移补偿，得到补偿后的掩膜版的设计数据。

可选的，所述补偿模块193用于对每一所述掩膜条在所述第一方向和第二方向上的位置偏差数据进行拟合，得到每一所述掩膜条在所述第一方向和第二方向的拟合变形曲线；根据所述拟合变形曲线，对所述掩膜版进行位置偏移补偿。

可选的，所述补偿模块193用于根据所述拟合变形曲线，对所述掩膜版的每一所述掩膜条进行位置偏移补偿。

可选的，所述补偿模块193用于根据所述拟合变形曲线，确定每一所述开口在所述第一方向和第二方向上的位置偏差；根据所述每一所述开口在第一方向和第二方向上的位置偏差，对所述多个开口进行分区；对处于同一分区的每一所述开口采用相同的位置偏差补偿方法确定位置偏差补偿值。

可选的，所述系统还包括：

第一确定模块，用于根据所述拟合变形曲线，确定每一所述开口的变形偏差数据；

第二确定模块，用于根据所述变形偏差数据，确定每一所述开口的变形偏差补偿值。

可选的，所述第二确定模块用于根据每一所述开口在第一方向和第二方向上的位置偏差和变形偏差数据，对所述开口进行分区；对处于同一分区的每一所述开口，采用相同的位置偏差补偿方法确定位置偏差补偿值，采用相同的变形补偿方法确定变形偏差补偿值。

本发明实施例还一种掩膜版的设计系统，包括处理器、存储器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述计算机程序被所述处理器执行时实现上述掩膜版的设计方法的步骤。

本发明实施例还一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述掩膜版的设计方法的步骤。

除非另作定义，本发明中使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也相应地改变。

以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (8)

1.一种掩膜版的设计方法，其特征在于，包括：

对蒸镀过程进行模拟仿真，所述蒸镀过程采用待补偿的掩膜版蒸镀膜层，所述掩膜版包括框架和固定在所述框架上的掩膜版本体，所述掩膜版本体包括交叉设置的多条掩膜条，交叉设置的多条掩膜条限定出多个开口；

所述蒸镀过程结束后，提取每一所述掩膜条在第一方向和第二方向上的位置偏差数据，所述第一方向和第二方向为所述掩膜版的长度方向和宽度方向；

根据所述位置偏差数据，对所述掩膜版进行位置偏移补偿，得到补偿后的掩膜版的设计数据；

所述根据所述位置偏差数据，对所述掩膜版进行位置偏移补偿包括：

对每一所述掩膜条在所述第一方向和第二方向上的位置偏差数据进行拟合，得到每一所述掩膜条在所述第一方向和第二方向的拟合变形曲线；

根据所述拟合变形曲线，对所述掩膜版进行位置偏移补偿；

所述根据所述拟合变形曲线，对所述掩膜版进行位置偏移补偿包括：

根据所述拟合变形曲线，确定每一所述开口在所述第一方向和第二方向上的位置偏差；

根据所述每一所述开口在第一方向和第二方向上的位置偏差，对所述多个开口进行分区；

对处于同一分区的每一所述开口采用相同的位置偏差补偿方法确定位置偏差补偿值。

2.如权利要求1所述的掩膜版的设计方法，其特征在于，所述根据所述拟合变形曲线，对所述掩膜版进行位置偏移补偿包括：

根据所述拟合变形曲线，对所述掩膜版的每一所述掩膜条进行位置偏移补偿。

3.如权利要求1所述的掩膜版的设计方法，其特征在于，还包括：

根据所述拟合变形曲线，确定每一所述开口的变形偏差数据；

根据所述变形偏差数据，确定每一所述开口的变形偏差补偿值。

4.如权利要求3所述的掩膜版的设计方法，其特征在于，所述根据所述变形偏差数据，确定每一所述开口的变形偏差补偿值包括：

根据每一所述开口在第一方向和第二方向上的位置偏差和变形偏差数据，对所述开口进行分区；

对处于同一分区的每一所述开口，采用相同的位置偏差补偿方法确定位置偏差补偿值，采用相同的变形补偿方法确定变形偏差补偿值。

5.一种掩膜版的制作方法，其特征在于，包括：

获取如权利要求1-4任一项所述的掩膜版的设计方法得到的补偿后的掩膜版的设计数据；

根据所述设计数据，制作掩膜版。

6.一种掩膜版的设计系统，用于执行如权利要求1-4任一项所述的掩膜板的设计方法，其特征在于，包括：

模拟仿真模块，用于对蒸镀过程进行模拟仿真，所述蒸镀过程采用待补偿的掩膜版蒸镀膜层，所述掩膜版包括框架和固定在所述框架上的掩膜版本体，所述掩膜版本体包括交叉设置的多条掩膜条，交叉设置的多条掩膜条限定出多个开口；

提取模块，用于所述蒸镀过程结束后，提取每一所述掩膜条在第一方向和第二方向上的位置偏差数据，所述第一方向和第二方向为所述掩膜版的长度方向和宽度方向；

补偿模块，用于根据所述位置偏差数据，对所述掩膜版进行位置偏移补偿，得到补偿后的掩膜版的设计数据。

7.一种掩膜版的设计系统，其特征在于，包括处理器、存储器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述计算机程序被所述处理器执行时实现如权利要求1至4中任一项所述的掩膜版的设计方法的步骤。

8.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至4中任一项所述的掩膜版的设计方法的步骤。

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