JP2021193211A - 蒸着マスクを製造するための金属板並びに蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】蒸着マスクの製造に適した金属板、蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法を提供する。【解決手段】金属板は、金属板の表面に位置する複数の窪み６４ｃを有する。金属板は、１２０００μｍ３／ｍｍ２以下の窪み補正容積密度（Ｖ２（０．２μｍ））を有する。金属板は、６０００μｍ３／ｍｍ２以下の窪み補正容積（Ｖ２（０．３μｍ））を有する。窪み補正容積密度（Ｖ２（０．２μｍ））は、窪み補正容積密度（Ｖ２（０．３μｍ））の２．１６倍以上８．６３倍以下である。【選択図】図１８

Description

本開示の実施形態は、蒸着マスクを製造するための金属板に関する。また、本開示の実施形態は、蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法に関する。

近年、スマートフォンやタブレットＰＣ等の持ち運び可能なデバイスで用いられる表示装置に対して、高精細であること、例えば画素密度が５００ｐｐｉ以上であることが求められている。また、持ち運び可能なデバイスにおいても、ウルトラハイディフィニション（ＵＨＤ）に対応することへの需要が高まっており、この場合、表示装置の画素密度が例えば８００ｐｐｉ以上であることが好ましい。

表示装置の中でも、応答性の良さ、消費電力の低さやコントラストの高さのため、有機ＥＬ表示装置が注目されている。有機ＥＬ表示装置の画素を形成する方法として、所望のパターンで配列された貫通孔が形成された蒸着マスクを用い、所望のパターンで画素を形成する方法が知られている。具体的には、はじめに、有機ＥＬ表示装置用の基板に対して蒸着マスクを密着させ、次に、密着させた蒸着マスクおよび基板を共に蒸着装置に投入し、有機材料を基板に蒸着させる蒸着工程を行う。これによって、蒸着マスクの貫通孔のパターンに対応したパターンで、基板上に、有機材料を含む画素を形成することができる。

蒸着マスクの製造方法としては、フォトリソグラフィー技術を用いたエッチングによって金属板に貫通孔を形成する方法が知られている。例えば、はじめに、金属板の第１面上に露光・現像処理によって第１レジストパターンを形成し、また金属板の第２面上に露光・現像処理によって第２レジストパターンを形成する。次に、金属板の第１面のうち第１レジストパターンによって覆われていない領域をエッチングして、金属板の第１面に第１凹部を形成する。その後、金属板の第２面のうち第２レジストパターンによって覆われていない領域をエッチングして、金属板の第２面に第２凹部を形成する。この際、第１凹部と第２凹部とが通じ合うようにエッチングを行うことにより、金属板を貫通する貫通孔を形成することができる。蒸着マスクを作製するための金属板は、例えば、ニッケルを含む鉄合金からなる母材を圧延することによって作製される。

特許第５３８２２５９号公報

本開示の実施形態は、蒸着マスクの製造に適した金属板を提供すること、及び、蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法を提供することを目的とする。

本開示の一実施形態は、蒸着マスクを製造するための金属板であって、
前記金属板は、前記金属板の表面に位置する複数の窪みを有し、
前記表面は、０．１ｍｍ^２以上の面積を有する検査領域を含み、前記複数の窪みの一部が、前記検査領域に位置し、
前記金属板は、１２０００μｍ^３／ｍｍ^２以下の窪み補正容積密度（Ｖ２（０．２μｍ））を有し、前記窪み補正容積密度（Ｖ２（０．２μｍ））は、窪み補正容積を前記検査領域の面積で割ることによって算出され、
前記窪み補正容積は、前記検査領域に位置する前記複数の前記窪みの前記一部の、前記金属板の厚み方向において前記表面から０．２μｍ以上離れた部分の容積の総和であり、
前記容積は、前記複数の前記窪みの前記一部の深さをレーザー顕微鏡によって測定した結果に基づいて算出され、
前記金属板は、６０００μｍ^３／ｍｍ^２以下の窪み補正容積（Ｖ２（０．３μｍ））を有し、
前記窪み補正容積（Ｖ２（０．３μｍ））は、前記検査領域に位置する前記複数の前記窪みの前記一部の、前記金属板の厚み方向において前記表面から０．３μｍ以上離れた部分の容積の総和を、前記検査領域の面積で割ることによって算出され、
前記窪み補正容積密度（Ｖ２（０．２μｍ））は、窪み補正容積密度（Ｖ２（０．３μｍ））の２．１６倍以上８．６３倍以下である、金属板である。

本開示の一実施形態による金属板において、前記検査領域の面積は１．５ｍｍ^２以下であってもよい。

本開示の一実施形態による金属板において、前記窪み補正容積密度（Ｖ２（０．２μｍ））が９９６μｍ^３／ｍｍ^２以上であってもよい。

本開示の一実施形態による金属板は、ニッケルを含む鉄合金からなっていてもよい。

本開示の一実施形態は、蒸着マスクを製造する方法であって、
上記記載の金属板を準備する工程と、
前記金属板をエッチングして前記金属板に貫通孔を形成する加工工程と、を備える、蒸着マスクの製造方法である。

本開示の一実施形態は、蒸着マスクであって、
表面に位置する複数の窪みを有する金属板と、
前記金属板に形成された貫通孔と、を備え、
前記表面は、０．１ｍｍ^２以上の面積を有する検査領域を含み、前記複数の窪みの一部が、前記検査領域に位置し、
前記金属板は、１２０００μｍ^３／ｍｍ^２以下の窪み補正容積密度（Ｖ２（０．２μｍ））を有し、前記窪み補正容積密度（Ｖ２（０．２μｍ））は、窪み補正容積を前記検査領域の面積で割ることによって算出され、
前記窪み補正容積は、前記検査領域に位置する前記複数の前記窪みの前記一部の、前記金属板の厚み方向において前記表面から０．２μｍ以上離れた部分の容積の総和であり、
前記容積は、前記複数の前記窪みの前記一部の深さをレーザー顕微鏡によって測定した結果に基づいて算出され、
前記金属板は、６０００μｍ^３／ｍｍ^２以下の窪み補正容積（Ｖ２（０．３μｍ））を有し、
前記窪み補正容積（Ｖ２（０．３μｍ））は、前記検査領域に位置する前記複数の前記窪みの前記一部の、前記金属板の厚み方向において前記表面から０．３μｍ以上離れた部分の容積の総和を、前記検査領域の面積で割ることによって算出され、
前記窪み補正容積密度（Ｖ２（０．２μｍ））は、窪み補正容積密度（Ｖ２（０．３μｍ））の２．１６倍以上８．６３倍以下である、蒸着マスクである。

本開示の一実施形態による蒸着マスクにおいて、前記検査領域の面積は１．５ｍｍ^２以下であってもよい。

本開示の一実施形態による蒸着マスクにおいて、前記窪み補正容積密度（Ｖ２（０．２μｍ））が９９６μｍ^３／ｍｍ^２以上であってもよい。

本開示の一実施形態による蒸着マスクにおいて、前記金属板は、ニッケルを含む鉄合金からなっていてもよい。

本開示の一実施形態によれば、蒸着マスクの製造に適した金属板を効率的に得ることができる。本開示の一実施形態によれば、蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法を提供できる。

本開示の一実施形態による蒸着マスク装置を備えた蒸着装置を示す図である。 図１に示す蒸着マスク装置を用いて製造した有機ＥＬ表示装置（有機ＥＬ表示装置中間体）を示す断面図である。 本開示の一実施形態による蒸着マスク装置を示す平面図である。 図３に示された蒸着マスクの有効領域を示す部分平面図である。 図４のV−V線に沿った断面図である。 図４のVI−VI線に沿った断面図である。 図４のVII−VII線に沿った断面図である。 蒸着マスクの有効領域の一変形例を示す部分平面図である。 図８のIX−IX線に沿った断面図である。 貫通孔およびその近傍の領域を拡大して示す断面図である。 母材を圧延して、所望の厚みを有する金属板を得る工程を示す図である。 圧延によって得られた金属板をアニールする工程を示す図である。 圧延によって得られた金属板の表面に複数の窪みが存在する様子を示す図である。 金属板の断面の一例を示す図である。 図１４に示す金属板を第１面側からエッチングして第２凹部を形成する工程を示す断面図である。 第１凹部に連通する第２凹部を金属板の第２面側に形成する工程を示す断面図である。 金属板の窪みに起因して貫通孔の開口寸法の精度が低下する様子を説明するための図である。 金属板の検査工程を説明するための平面図である。 金属板の検査工程を説明するための断面図である。 蒸着マスクの製造方法の一例を全体的に説明するための模式図である。 金属板上にレジスト膜を形成する工程を示す図である。 レジスト膜に露光マスクを密着させる工程を示す図である。 レジスト膜を現像する工程を示す図である。 第１面エッチング工程を示す図である。 第１凹部を樹脂によって被覆する工程を示す図である。 第２面エッチング工程を示す図である。 図２６に続く第２面エッチング工程を示す図である。 金属板から樹脂及びレジストパターンを除去する工程を示す図である。 第１検査例によって各サンプルの表面の窪みの状態を検査した結果を示す表である。 各金属板に形成した凹部及びリブ部のパターンの一例を示す平面図である。 図３０に示す金属板の断面図である。 各金属板に形成した凹部及びリブ部のパターンのその他の例を示す平面図である。 第１検査例によって得られた指標と、各サンプルに形成されたリブ部の寸法精度との相関を示す散布図である。 第２検査例〜第５検査例によって金属板の各サンプルの表面の窪みの状態を検査した結果を示す表である。 第２検査例によって得られた指標と、各サンプルに形成されたリブ部の寸法精度との相関を示す散布図である。 第３検査例によって得られた指標と、各サンプルに形成されたリブ部の寸法精度との相関を示す散布図である。 第４検査例によって得られた指標と、各サンプルに形成されたリブ部の寸法精度との相関を示す散布図である。 第５検査例によって得られた指標と、各サンプルに形成されたリブ部の寸法精度との相関を示す散布図である。 選別された複数の金属板の窪み補正容積密度の分布の一例を示す図である。 選別された複数の金属板の窪み補正容積密度の分布の一例を示す図である。 製造された複数の金属板の窪み補正容積密度の分布の一例を示す図である。

以下、図面を参照して本開示の一実施の形態について説明する。なお、本件明細書に添付する図面においては、図示と理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺および縦横の寸法比等を、実物のそれらから変更し誇張してある。

なお、本開示の実施形態は、矛盾の生じない範囲で、その他の実施形態や変形例と組み合わせられ得る。また、その他の実施形態同士や、その他の実施形態と変形例も、矛盾の生じない範囲で組み合わせられ得る。また、変形例同士も、矛盾の生じない範囲で組み合わせられ得る。

また、本開示の実施形態において、製造方法などの方法に関して複数の工程を開示する場合に、開示されている工程の間に、開示されていないその他の工程が実施されてもよい。また、開示されている工程の順序は、矛盾の生じない範囲で任意である。

また、本開示の実施形態が解決しようとする課題について説明する。

圧延後の金属板の表面には、オイルピットなどの窪みが形成されていることがある。金属板の表面の窪みの状態は、金属板に形成される貫通孔の寸法精度や位置精度に影響を及ぼす。例えば、金属板の表面の窪みの深さが大きくなると、金属板に形成される貫通孔の寸法が設計値よりも大きくなる。従って、金属板の表面の窪みの状態を検査する技術は重要である。

金属板の表面の窪みなどの起伏を検査する技術として、表面の算術平均粗さＲａや最大高さＲｙを算出するという技術が知られている。算術平均粗さＲａとは、厚み方向における金属板の表面の、金属板の厚み方向における位置（以下、高さ位置とも称する）を、所定の直線上の複数の点において測定し、その平均を算出することによって得られる値である。また、最大高さＲｙとは、金属板の表面の高さ位置を、所定の直線上の複数の点において測定した場合の、測定結果の最大値と最小値の差である。

本件発明者らが鋭意研究を行ったところ、算術平均粗さＲａなどの、従来技術における表面起伏の指標と、金属板に形成される貫通孔の寸法精度との間の相関が、必ずしも高くないことを見出した。このため、仮に算術平均粗さＲａに基づいて金属板の良否を判定する場合、誤判定を防ぐために合否判定の閾値を必要以上に厳しくする必要がある。この結果、金属板の歩留まりが低下してしまう。

本開示の実施形態は、このような課題を効果的に解決し得る金属板及び金属板の製造方法並びに蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法を提供することを目的とする。

図１〜図２８は、本開示の一実施の形態を説明するための図である。以下の実施の形態およびその変形例では、有機ＥＬ表示装置を製造する際に有機材料を所望のパターンで基板上にパターニングするために用いられる蒸着マスクの製造方法を例にあげて説明する。ただし、このような適用に限定されることなく、種々の用途に用いられる蒸着マスクに対し、本開示の実施形態を適用することができる。

なお、本明細書において、「板」、「シート」、「フィルム」の用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。例えば、「板」はシートやフィルムと呼ばれ得るような部材も含む概念である。

また、「板面（シート面、フィルム面）」とは、対象となる板状（シート状、フィルム状）の部材を全体的かつ大局的に見た場合において対象となる板状部材（シート状部材、フィルム状部材）の平面方向と一致する面のことを指す。また、板状（シート状、フィルム状）の部材に対して用いる法線方向とは、当該部材の板面（シート面、フィルム面）に対する法線方向のことを指す。

さらに、本明細書において用いる、形状や幾何学的条件および物理的特性並びにそれらの程度を特定する、例えば、「平行」、「直交」、「同一」、「同等」等の用語や長さや角度並びに物理的特性の値等については、厳密な意味に縛られることなく、同様の機能を期待し得る程度の範囲を含めて解釈することとする。

まず、対象物に蒸着材料を蒸着させる蒸着処理を実施する蒸着装置９０について、図１を参照して説明する。図１に示すように、蒸着装置９０は、その内部に、蒸着源（例えばるつぼ９４）、ヒータ９６、及び蒸着マスク装置１０を備えていてもよい。また、蒸着装置９０は、蒸着装置９０の内部を真空雰囲気にするための排気手段を更に備えていてもよい。るつぼ９４は、有機発光材料などの蒸着材料９８を収容する。ヒータ９６は、るつぼ９４を加熱して、真空雰囲気の下で蒸着材料９８を蒸発させる。蒸着マスク装置１０は、るつぼ９４と対向するよう配置されている。

以下、蒸着マスク装置１０について説明する。図１に示すように、蒸着マスク装置１０は、蒸着マスク２０と、蒸着マスク２０を支持するフレーム１５と、を備えていてもよい。フレーム１５は、蒸着マスク２０が撓んでしまうことがないように、蒸着マスク２０をその面方向に引っ張った状態で支持する。蒸着マスク装置１０は、図１に示すように、蒸着マスク２０が、蒸着材料９８を付着させる対象物である基板、例えば有機ＥＬ基板９２に対面するよう、蒸着装置９０内に配置される。以下の説明において、蒸着マスク２０の面のうち、有機ＥＬ基板９２側の面を第１面２０ａと称し、第１面２０ａの反対側に位置する面を第２面２０ｂと称する。

蒸着マスク装置１０は、図１に示すように、有機ＥＬ基板９２の、蒸着マスク２０と反対の側の面に配置された磁石９３を備えていてもよい。磁石９３を設けることにより、磁力によって蒸着マスク２０を磁石９３側に引き寄せて、蒸着マスク２０を有機ＥＬ基板９２に密着させることができる。

図３は、蒸着マスク装置１０を蒸着マスク２０の第１面２０ａ側から見た場合を示す平面図である。図３に示すように、蒸着マスク装置１０は、複数の蒸着マスク２０を備えていてもよい。各蒸着マスク２０は、一対の長辺２６及び一対の短辺２７を含んでいてもよい。例えば、各蒸着マスク２０は、矩形状の形状を有していてもよい。各蒸着マスク２０は、一対の短辺２７又はその近傍の部分において、例えばスポット溶接によってフレーム１５に固定されていてもよい。

蒸着マスク２０は、蒸着マスク２０を貫通する複数の貫通孔２５が形成された、金属製の板状の基材を含んでいてもよい。るつぼ９４から蒸発して蒸着マスク装置１０に到達した蒸着材料９８は、蒸着マスク２０の貫通孔２５を通って有機ＥＬ基板９２に付着する。これによって、蒸着マスク２０の貫通孔２５の位置に対応した所望のパターンで、蒸着材料９８を有機ＥＬ基板９２の表面に成膜することができる。

図２は、図１の蒸着装置９０を用いて製造した有機ＥＬ表示装置１００を示す断面図である。有機ＥＬ表示装置１００は、有機ＥＬ基板９２と、パターン状に設けられた蒸着材料９８を含む画素と、を少なくとも備える。なお、図示はしないが、有機ＥＬ表示装置１００は、蒸着材料９８を含む画素に電気的に接続された電極を更に備えている。電極は、例えば、蒸着工程によって有機ＥＬ基板９２に蒸着材料９８を付着させる前に、有機ＥＬ基板９２に予め設けられている。また、有機ＥＬ表示装置１００は、蒸着材料９８を含む画素の周囲の空間を外部から封止する封止部材など、その他の構成要素を更に備えていてもよい。従って、図２の有機ＥＬ表示装置１００は、有機ＥＬ表示装置を製造する中間段階で生成される有機ＥＬ表示装置中間体であるとも言える。

なお、複数の色によるカラー表示を行いたい場合には、各色に対応する蒸着マスク２０が搭載された蒸着装置９０をそれぞれ準備し、有機ＥＬ基板９２を各蒸着装置９０に順に投入する。これによって、例えば、赤色用の有機発光材料、緑色用の有機発光材料および青色用の有機発光材料を順に有機ＥＬ基板９２に蒸着させることができる。

ところで、蒸着処理は、高温雰囲気となる蒸着装置９０の内部で実施される場合がある。この場合、蒸着処理の間、蒸着装置９０の内部に保持される蒸着マスク２０、フレーム１５および有機ＥＬ基板９２も加熱される。この際、蒸着マスク２０、フレーム１５および有機ＥＬ基板９２は、各々の熱膨張係数に基づいた寸法変化の挙動を示すことになる。この場合、蒸着マスク２０やフレーム１５と有機ＥＬ基板９２の熱膨張係数が大きく異なっていると、それらの寸法変化の差異に起因した位置ずれが生じ、この結果、有機ＥＬ基板９２上に付着する蒸着材料の寸法精度や位置精度が低下してしまう。

このような課題を解決するため、蒸着マスク２０およびフレーム１５の熱膨張係数が、有機ＥＬ基板９２の熱膨張係数と同等の値であることが好ましい。例えば、有機ＥＬ基板９２としてガラス基板が用いられる場合、蒸着マスク２０およびフレーム１５の主要な材料として、ニッケルを含む鉄合金を用いることができる。例えば、蒸着マスク２０を構成する基材の材料として、３０質量％以上且つ５４質量％以下のニッケルを含む鉄合金を用いることができる。ニッケルを含む鉄合金の具体例としては、３４質量％以上且つ３８質量％以下のニッケルを含むインバー材、３０質量％以上且つ３４質量％以下のニッケルに加えてさらにコバルトを含むスーパーインバー材、３８質量％以上且つ５４質量％以下のニッケルを含む低熱膨張Ｆｅ−Ｎｉ系めっき合金などを挙げることができる。

なお蒸着処理の際に、蒸着マスク２０、フレーム１５および有機ＥＬ基板９２の温度が高温には達しない場合は、蒸着マスク２０およびフレーム１５の熱膨張係数を、有機ＥＬ基板９２の熱膨張係数と同等の値にする必要は特にない。この場合、蒸着マスク２０を構成する材料として、上述の鉄合金以外の材料を用いてもよい。例えば、クロムを含む鉄合金など、上述のニッケルを含む鉄合金以外の鉄合金を用いてもよい。クロムを含む鉄合金としては、例えば、いわゆるステンレスと称される鉄合金を用いることができる。また、ニッケルやニッケル−コバルト合金など、鉄合金以外の合金を用いてもよい。

次に、蒸着マスク２０について詳細に説明する。図３に示すように、蒸着マスク２０は、蒸着マスク２０の一対の短辺２７を含む一対の耳部（第１耳部１７ａ及び第２耳部１７ｂ）と、一対の耳部１７ａ，１７ｂの間に位置する中間部１８と、を備えていてもよい。

まず、耳部１７ａ，１７ｂについて詳細に説明する。耳部１７ａ，１７ｂは、蒸着マスク２０のうちフレーム１５に固定される部分である。本実施の形態において、耳部１７ａ，１７ｂは、中間部１８と一体的に構成されている。なお、耳部１７ａ，１７ｂは、中間部１８とは別の部材によって構成されていてもよい。この場合、耳部１７ａ，１７ｂは、例えば溶接によって中間部１８に接合される。

次に、中間部１８について説明する。中間部１８は、第１面２０ａから第２面２０ｂに至る貫通孔２５が形成された、少なくとも１つの有効領域２２と、有効領域２２を取り囲む周囲領域２３と、を含んでいてもよい。有効領域２２は、蒸着マスク２０のうち、有機ＥＬ基板９２の表示領域に対面する領域である。

図３に示す例において、中間部１８は、蒸着マスク２０の長辺２６に沿って所定の間隔を空けて配列された複数の有効領域２２を含む。一つの有効領域２２は、一つの有機ＥＬ表示装置１００の表示領域に対応する。このため、図１に示す蒸着マスク装置１０によれば、有機ＥＬ表示装置１００の多面付蒸着が可能である。なお、一つの有効領域２２が複数の表示領域に対応する場合もある。

図３に示すように、有効領域２２は、例えば、平面視において略四角形形状、さらに正確には平面視において略矩形状の輪郭を有していてもよい。なお図示はしないが、各有効領域２２は、有機ＥＬ基板９２の表示領域の形状に応じて、様々な形状の輪郭を有することができる。例えば各有効領域２２は、円形状の輪郭を有していてもよい。また、各有効領域２２は、スマートフォンなどの表示装置の外形と同一の輪郭を有していてもよい。

以下、有効領域２２について詳細に説明する。図４は、蒸着マスク２０の第２面２０ｂ側から有効領域２２を拡大して示す平面図である。図４に示すように、図示された例において、各有効領域２２に形成された複数の貫通孔２５は、当該有効領域２２において、互いに直交する二方向に沿ってそれぞれ所定のピッチで配列されていてもよい。貫通孔２５の一例について、図５〜図７を主に参照して更に詳述する。図５〜図７はそれぞれ、図４の有効領域２２のV−V方向〜VII−VII方向に沿った断面図である。

図５〜図７に示すように、複数の貫通孔２５は、蒸着マスク２０の法線方向Ｎに沿った一方の側となる第１面２０ａから、蒸着マスク２０の法線方向Ｎに沿った他方の側となる第２面２０ｂへ貫通している。図示された例では、後に詳述するように、蒸着マスク２０の法線方向Ｎにおける一方の側となる金属板２１の第１面２１ａに第１凹部３０がエッチングによって形成され、蒸着マスク２０の法線方向Ｎにおける他方の側となる金属板２１の第２面２１ｂに第２凹部３５が形成される。第１凹部３０は、第２凹部３５に接続され、これによって第２凹部３５と第１凹部３０とが互いに通じ合うように形成される。貫通孔２５は、第２凹部３５と、第２凹部３５に接続された第１凹部３０とによって構成されている。

図５〜図７に示すように、蒸着マスク２０の第２面２０ｂの側から第１面２０ａの側へ向けて、蒸着マスク２０の法線方向Ｎに沿った各位置における蒸着マスク２０の板面に沿った断面での各第２凹部３５の開口面積は、しだいに小さくなっていく。同様に、蒸着マスク２０の法線方向Ｎに沿った各位置における蒸着マスク２０の板面に沿った断面での各第１凹部３０の開口面積は、蒸着マスク２０の第１面２０ａの側から第２面２０ｂの側へ向けて、しだいに小さくなっていく。

図５〜図７に示すように、第１凹部３０の壁面３１と、第２凹部３５の壁面３６とは、周状の接続部４１を介して接続されている。接続部４１は、蒸着マスク２０の法線方向Ｎに対して傾斜した第１凹部３０の壁面３１と、蒸着マスク２０の法線方向Ｎに対して傾斜した第２凹部３５の壁面３６とが合流する張り出し部の稜線によって、画成されている。そして、接続部４１は、蒸着マスク２０の平面視において貫通孔２５の開口面積が最小になる貫通部４２を画成する。

図５〜図７に示すように、蒸着マスク２０の法線方向Ｎに沿った他方の側の面、すなわち、蒸着マスク２０の第１面２０ａ上において、隣り合う二つの貫通孔２５は、蒸着マスク２０の板面に沿って互いから離間している。すなわち、後述する製造方法のように、蒸着マスク２０の第１面２０ａに対応するようになる金属板２１の第１面２１ａ側から当該金属板２１をエッチングして第１凹部３０を作製する場合、隣り合う二つの第１凹部３０の間に金属板２１の第１面２１ａが残存するようになる。

同様に、図５〜図７に示すように、蒸着マスク２０の法線方向Ｎに沿った一方の側、すなわち、蒸着マスク２０の第２面２０ｂの側においても、隣り合う二つの第２凹部３５が、蒸着マスク２０の板面に沿って互いから離間している。すなわち、隣り合う二つの第２凹部３５の間に金属板２１の第２面２１ｂが残存している。以下の説明において、金属板２１の第２面２１ｂの有効領域２２のうちエッチングされずに残っている部分のことを、トップ部４３とも称する。このようなトップ部４３が残るように蒸着マスク２０を作製することにより、蒸着マスク２０に十分な強度を持たせることができる。このことにより、例えば搬送中などに蒸着マスク２０が破損してしまうことを抑制することができる。なおトップ部４３の幅βが大きすぎると、蒸着工程においてシャドーが発生し、これによって蒸着材料９８の利用効率が低下することがある。従って、トップ部４３の幅βが過剰に大きくならないように蒸着マスク２０が作製されることが好ましい。例えば、トップ部４３の幅βが２μｍ以下であることが好ましい。なおトップ部４３の幅βは一般に、蒸着マスク２０を切断する方向に応じて変化する。例えば、図５〜図７に示すトップ部４３の幅βは互いに異なることがある。この場合、いずれの方向で蒸着マスク２０を切断した場合にもトップ部４３の幅βが２μｍ以下になるよう、蒸着マスク２０が構成されていてもよい。シャドーとは、有機ＥＬ基板９２などの蒸着対象物のうち蒸着マスク２０の貫通孔と重なっている領域への蒸着材料の付着が、蒸着マスク２０の第２面２０ｂや壁面によって阻害される現象のことである。

図１に示すようにして蒸着マスク装置１０が蒸着装置９０に収容された場合、図５に二点鎖線で示すように、蒸着マスク２０の第１面２０ａが、有機ＥＬ基板９２に対面し、蒸着マスク２０の第２面２０ｂが、蒸着材料９８を保持したるつぼ９４側に位置する。したがって、蒸着材料９８は、次第に開口面積が小さくなっていく第２凹部３５を通過して有機ＥＬ基板９２に付着する。図５において第２面２０ｂ側から第１面２０ａへ向かう矢印で示すように、蒸着材料９８は、るつぼ９４から有機ＥＬ基板９２に向けて有機ＥＬ基板９２の法線方向Ｎに沿って移動するだけでなく、有機ＥＬ基板９２の法線方向Ｎに対して大きく傾斜した方向に移動することもある。このとき、蒸着マスク２０の厚みが大きいと、斜めに移動する蒸着材料９８が、トップ部４３、第２凹部３５の壁面３６や第１凹部３０の壁面３１に引っ掛かり易くなり、この結果、貫通孔２５を通過できない蒸着材料９８の比率が多くなる。従って、蒸着材料９８の利用効率を高めるためには、蒸着マスク２０の厚みｔを小さくし、これによって、第２凹部３５の壁面３６や第１凹部３０の壁面３１の高さを小さくすることが好ましいと考えられる。すなわち、蒸着マスク２０を構成するための金属板２１として、蒸着マスク２０の強度を確保できる範囲内で可能な限り厚みｔの小さな金属板２１を用いることが好ましいと言える。この点を考慮し、本実施の形態において、蒸着マスク２０の厚みｔは、例えば３０μｍ以下、好ましくは２５μｍ以下、更に好ましくは２０μｍ以下になっている。蒸着マスク２０の厚みｔは、１８μｍ以下であってもよく、１５μｍ以下であってもよい。一方、蒸着マスク２０の厚みが小さくなり過ぎると、蒸着マスク２０の強度が低下し、蒸着マスク２０に損傷や変形が生じやすくなる。この点を考慮し、蒸着マスク２０の厚みｔは、５μｍ以上であってもよく、７μｍ以上であってもよく、１０μｍ以上であってもよく、１３μｍ以上であってもよく、１５μｍ以上であってもよい。なお厚みｔは、周囲領域２３の厚み、すなわち蒸着マスク２０のうち第１凹部３０および第２凹部３５が形成されていない部分の厚みである。従って厚みｔは、金属板２１の厚みであると言うこともできる。

蒸着マスク２０の厚みｔの範囲は、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の１つと、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の１つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、蒸着マスク２０の厚みｔは、５μｍ以上３０μｍ以下であってもよく、７μｍ以上２５μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上２０μｍ以下であってもよく、１３μｍ以上１８μｍ以下であってもよい。また、蒸着マスク２０の厚みｔの範囲は、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、蒸着マスク２０の厚みｔは、２５μｍ以上３００μｍ以下であってもよい。また、蒸着マスク２０の厚みｔの範囲は、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、蒸着マスク２０の厚みｔは、５μｍ以上７μｍ以下であってもよい。

図５において、貫通孔２５の最小開口面積を持つ部分となる接続部４１と、第２凹部３５の壁面３６の他の任意の位置と、を通過する直線Ｌ１が、蒸着マスク２０の法線方向Ｎに対してなす最小角度が、符号θ１で表されている。斜めに移動する蒸着材料９８を、壁面３６に到達させることなく可能な限り有機ＥＬ基板９２に到達させるためには、角度θ１を大きくすることが有利となる。角度θ１を大きくする上では、蒸着マスク２０の厚みｔを小さくすることの他にも、上述のトップ部４３の幅βを小さくすることも有効である。

図７において、符号αは、金属板２１の第１面２１ａの有効領域２２のうちエッチングされずに残っている部分（以下、リブ部とも称する）の幅を表している。リブ部の幅αおよび貫通部４２の寸法ｒ_２は、有機ＥＬ表示装置の寸法および表示画素数に応じて適宜定められる。例えば、リブ部の幅αは５μｍ以上且つ４０μｍ以下であり、貫通部４２の寸法ｒ_２は１０μｍ以上且つ６０μｍ以下である。

リブ部の幅αは、１０μｍ以上であってもよく、１５μｍ以上であってもよく、２０μｍ以上であってもよい。また、リブ部の幅αは、３５μｍ以下であってもよく、３０μｍ以下であってもよく、２５μｍ以下であってもよい。リブ部の幅αの範囲は、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の１つと、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の１つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、リブ部の幅αは、１０μｍ以上３５μｍ以下であってもよく、１５μｍ以上３０μｍ以下であってもよく、２０μｍ以上２５μｍ以下であってもよい。また、リブ部の幅αの範囲は、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、リブ部の幅αは、３５μｍ以上４０μｍ以下であってもよい。また、リブ部の幅αの範囲は、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、リブ部の幅αは、５μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。

貫通部４２の寸法ｒ_２は、１５μｍ以上であってもよく、２０μｍ以上であってもよく、２５μｍ以上であってもよく、３０μｍ以上であってもよい。また、貫通部４２の寸法ｒ_２の下限は、上述の１０μｍよりも小さくてもよい。例えば、貫通部４２の寸法ｒは、５μｍ以上であってもよい。また、貫通部４２の寸法ｒ_２は、５５μｍ以下であってもよく、５０μｍ以下であってもよく、４５μｍ以下であってもよく、４０μｍ以下であってもよく、３５μｍ以下であってもよい。貫通部４２の寸法ｒ_２の範囲は、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の１つと、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の１つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、貫通部４２の寸法ｒ_２は、１５μｍ以上５５μｍ以下であってもよく、２０μｍ以上５０μｍ以下であってもよく、２５μｍ以上４５μｍ以下であってもよく、３０μｍ以上４０μｍ以下であってもよく、３０μｍ以上３５μｍ以下であってもよい。また、貫通部４２の寸法ｒ_２の範囲は、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、貫通部４２の寸法ｒ_２は、５５μｍ以上６０μｍ以下であってもよい。また、貫通部４２の寸法ｒ_２の範囲は、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、貫通部４２の寸法ｒ_２は、５μｍ以上１０μｍ以下であってもよい。

なお、図４乃至図７においては、隣り合う二つの第２凹部３５の間に金属板２１の第２面２１ｂが残存している例を示したが、これに限られることはない。図８に示すように、場所によっては、隣り合う二つの第２凹部３５が接続されるようにエッチングが実施されてもよい。すなわち、隣り合う二つの第２凹部３５の間に、金属板２１の第２面２１ｂが残存していない場所が存在していてもよい。また、図示はしないが、第２面２１ｂの全域にわたって隣り合う二つの第２凹部３５が接続されるようにエッチングが実施されてもよい。図９は、図８の有効領域２２のIX−IX方向に沿った断面図である。

限定はされないが、本実施の形態による蒸着マスク２０は、４５０ｐｐｉ以上の画素密度の有機ＥＬ表示装置を作製する場合に特に有効なものである。以下、図１０を参照して、そのような高い画素密度の有機ＥＬ表示装置を作製するために求められる蒸着マスク２０の寸法の一例について説明する。図１０は、図５に示す蒸着マスク２０の貫通孔２５およびその近傍の領域を拡大して示す断面図である。

図１０においては、貫通孔２５の形状に関連するパラメータとして、蒸着マスク２０の第１面２０ａから接続部４１までの、蒸着マスク２０の法線方向Ｎに沿った方向における距離、すなわち第１凹部３０の壁面３１の高さが符号ｒ_１で表されている。さらに、第１凹部３０が第２凹部３５に接続する部分における第１凹部３０の寸法、すなわち貫通部４２の寸法が符号ｒ_２で表されている。また図１０において、接続部４１と、金属板２１の第１面２１ａ上における第１凹部３０の先端縁と、を結ぶ直線Ｌ２が、金属板２１の法線方向Ｎに対して成す角度が、符号θ２で表されている。

４５０ｐｐｉ以上の画素密度の有機ＥＬ表示装置を作製する場合、貫通部４２の寸法ｒ_２は、好ましくは１０μｍ以上且つ６０μｍ以下に設定される。これによって、高い画素密度の有機ＥＬ表示装置を作製することができる蒸着マスク２０を提供することができる。好ましくは、第１凹部３０の壁面３１の高さｒ_１は、６μｍ以下に設定される。

次に、図１０に示す上述の角度θ２について説明する。角度θ２は、金属板２１の法線方向Ｎに対して傾斜するとともに接続部４１近傍で貫通部４２を通過するように飛来した蒸着材料９８のうち、有機ＥＬ基板９２に到達することができる蒸着材料９８の傾斜角度の最大値に相当する。なぜなら、接続部４１を通って角度θ２よりも大きな傾斜角度で飛来した蒸着材料９８は、有機ＥＬ基板９２に到達するよりも前に第１凹部３０の壁面３１に付着するからである。従って、角度θ２を小さくすることにより、大きな傾斜角度で飛来して貫通部４２を通過した蒸着材料９８が有機ＥＬ基板９２に付着することを抑制することができ、これによって、有機ＥＬ基板９２のうち貫通部４２に重なる部分よりも外側の部分に蒸着材料９８が付着してしまうことを抑制することができる。すなわち、角度θ２を小さくすることは、有機ＥＬ基板９２に付着する蒸着材料９８の面積や厚みのばらつきの抑制を導く。このような観点から、例えば貫通孔２５は、角度θ２が４５度以下になるように形成される。なお図１０においては、第１面２１ａにおける第１凹部３０の寸法、すなわち、第１面２１ａにおける貫通孔２５の開口寸法が、接続部４１における第１凹部３０の寸法ｒ２よりも大きくなっている例を示した。すなわち、角度θ２の値が正の値である例を示した。しかしながら、図示はしないが、接続部４１における第１凹部３０の寸法ｒ２が、第１面２１ａにおける第１凹部３０の寸法よりも大きくなっていてもよい。すなわち、角度θ２の値は負の値であってもよい。

次に、蒸着マスク２０を製造する方法について説明する。

はじめに、蒸着マスクを製造するために用いられる金属板の製造方法について説明する。本実施の形態においては、金属板が、ニッケルを含む鉄合金の圧延材からなる例について説明する。圧延材は、３０μｍ以下の厚みを有していてもよい。また、圧延材は、３０質量％以上且つ３８質量％以下のニッケルと、０質量％以上６質量％以下のコバルトと、残部の鉄と、不可避の不純物と、を含んでいてもよい。

まず、鉄及びニッケル並びにその他の原材料を準備する。例えば、原材料全体に対する鉄の比率及びニッケルの比率がそれぞれ約６４重量％及び約３６重量％となるよう、各原材料を準備する。続いて、各原材料を必要に応じて粉砕した後、各原材料を溶解炉にて溶解する溶解工程を実施する。例えば、アーク放電などの気体放電を利用して各原材料を溶解して混合する。これによって、金属板のための母材を得ることができる。

溶解時の温度は、原材料に応じて設定するが、例えば１５００℃以上である。溶解工程は、脱酸、脱水、脱窒素などのためにアルミニウム、マンガン、シリコンなどを溶解炉に投入する工程を含んでいてもよい。また、溶解工程は、大気圧よりも低い低圧状態で、アルゴンガスなどの不活性ガスの雰囲気下で実施してもよい。

母材を溶解炉から取り出した後、母材の表面を削り取る研削工程を実施してもよい。これによって、スケールなどの酸化物の被膜を除去することができる。具体的な研削方法は特には限られないが、砥石車を回転させて母材の表面を削る、いわゆるグラインディング法や、母材を切削具に押し込んで母材の表面を削る、いわゆる押し込み法などを採用することができる。研削工程は、母材の厚みが均一になるように実施されてもよい。

続いて、図１１に示すように、ニッケルを含む鉄合金から構成された母材６０を圧延する圧延工程を実施する。例えば、一対の圧延ロール６６ａ，６６ｂ（ワークロール）を含む圧延装置６６に向けて、矢印Ｄ１で示す方向に引張張力を加えながら搬送する。一対の圧延ロール６６ａ，６６ｂの間に到達した母材６０は、一対の圧延ロール６６ａ，６６ｂによって圧延され、この結果、母材６０は、その厚みが低減されるとともに、搬送方向に沿って伸ばされる。これによって、厚みＴ０の金属板６４を得ることができる。図１１に示すように、金属板６４をコア６１に巻き取ることによって巻き体６２を形成してもよい。

なお図１１は、圧延工程の概略を示すものに過ぎず、圧延工程を実施するための具体的な構成や手順が特に限られることはない。例えば圧延工程は、母材６０を構成する鉄合金の結晶配列を変化させる温度以上の温度で母材を加工する熱間圧延工程や、鉄合金の結晶配列を変化させる温度以下の温度で母材を加工する冷間圧延工程を含んでいてもよい。また、一対の圧延ロール６６ａ，６６ｂの間に母材６０や金属板６４を通過させる際の向きが一方向に限られることはない。例えば、図１１及び図１２において、紙面左側から右側への向き、および紙面右側から左側への向きで繰り返し母材６０や金属板６４を一対の圧延ロール６６ａ，６６ｂの間に通過させることにより、母材６０や金属板６４を徐々に圧延してもよい。

圧延工程においては、母材６０に接触する圧延ロール６６ａ，６６ｂの直径を調整することにより、金属板６４の表面粗さを調整することができる。例えば、圧延ロール６６ａ，６６ｂの直径を小さくすることにより、金属板６４の表面に存在する後述する窪みの容積を小さくすることができる。これにより、例えば、後述する窪み補正容積密度を１５０００μｍ^３／ｍｍ^２以下にすることができる。

圧延ロールの直径は、好ましくは２８ｍｍ以上である。圧延ロールの直径は、４０ｍｍ以上であってもよく、５０ｍｍ以上であってもよい。また、圧延ロールの直径は、好ましくは１５０ｍｍ以下である。圧延ロールの直径は、１２０ｍｍ以下であってもよく、１００ｍｍであってもよく、８０ｍｍ以下であってもよい。
圧延ロールの直径の範囲は、複数の上限の候補値のうちの任意の１つと、複数の下限の候補値のうちの任意の１つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、圧延ロールの直径は、２８ｍｍ以上１５０ｍｍ以下であってもよく、４０ｍｍ以上１２０ｍｍ以下であってもよい。また、圧延ロールの直径の範囲は、複数の上限の候補値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、圧延ロールの直径は、１２０ｍｍ以上１５０ｍｍ以下であってもよい。また、圧延ロールの直径の範囲は、複数の下限の候補値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、圧延ロールの直径は、２８ｍｍ以上４０ｍｍ以下であってもよい。圧延ロールの直径は、好ましくは２８ｍｍ以上１５０ｍｍ以下であり、より好ましくは４０ｍｍ以上１２０ｍｍ以下であり、より好ましくは５０ｍｍ以上１００ｍｍ以下であり、より好ましくは５０ｍｍ以上８０ｍｍ以下である。

また、圧延工程においては、金属板６４の形状を調整するために圧延アクチュエータの圧力を調整してもよい。また、圧延ロール（ワークロール）６６ａ，６６ｂに加えてバックアップロールの形状を適宜調整してもよく、バックアップロールの位置を板幅方向に適宜調整してもよい。

また、圧延工程においては、圧延速度、すなわち母材の搬送速度を調整してもよい。なお、窪み補正容積密度をより小さくするという観点においては、圧延速度を遅くすることが好ましい。圧延速度を遅くすることにより、母材６０と圧延ロール６６ａ，６６ｂとの間に巻き込まれる圧延オイルなどのクーラントの量を減少させることができる。これにより、金属板６４の表面に形成されるオイルピットの数、面積などを減少させることができる。

圧延速度は、好ましくは３０ｍ／分以上である。圧延速度は、５０ｍ／分以上であってもよく、７０ｍ／分以上であってもよく、１００ｍ／分以上であってもよい。また、圧延速度は、好ましくは２００ｍ／分以下である。圧延速度は、１５０ｍ／分以下であってもよく、１００ｍ／分以下であってもよく、８０ｍ／分以下であってもよい。
圧延速度は、複数の上限の候補値のうちの任意の１つと、複数の下限の候補値のうちの任意の１つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、圧延速度は、３０ｍ／分以上２００ｍ／分以下であってもよく、５０ｍ／分以上１５０ｍ／分以下であってもよい。また、圧延速度の範囲は、複数の上限の候補値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、圧延速度は、１５０ｍ／分以上２００ｍ／分以下であってもよく、１００ｍ／分以上１５０ｍ／分以下であってもよい。また、圧延速度の範囲は、複数の下限の候補値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、圧延速度の範囲は、３０ｍ／分以上５０ｍ／分以下であってもよく、５０ｍ／分以上７０ｍ／分以下であってもよい。圧延速度は、好ましくは３０ｍ／分以上２００ｍ／分以下であり、より好ましくは３０ｍ／分以上１５０ｍ／分以下であり、より好ましくは３０ｍ／分以上１００ｍ／分以下であり、より好ましくは３０ｍ／分以上８０ｍ／分以下である。

また、冷間圧延工程においては、母材６０と圧延ロール６６ａ，６６ｂとの間に灯油やニート油などのクーラントを供給してもよい。これにより、母材の温度を制御することができる。なお、窪み補正容積密度をより小さくするという観点においては、クーラントの供給量を少なくすることが好ましい。

また、クーラントを適切に選択することによっても、金属板６４の表面に形成されるオイルピットや圧延筋の数、面積などを調整することができる。例えば、クーラントとしてニート油を用いることができる。ニート油は、圧延時の粘度の上昇が生じにくいという特性を有する。このため、クーラントとしてニート油を用いることにより、母材６０と圧延ロール６６ａ，６６ｂとの間に巻き込まれるクーラントの量を低減することができる。これにより、金属板６４の表面にオイルピットが形成されることを抑制することができる。

また、圧延ロールの表面粗さを適切に選択することによっても、金属板６４の表面に形成されるオイルピットや圧延筋の数、面積などを調整することができる。例えば、圧延ロールの表面粗度Ｒａを小さくすることにより、金属板６４の表面に圧延筋が形成されることを抑制することができる。圧延ロールの表面粗度Ｒａは、好ましくは０．２μｍ以下である。圧延ロールの表面粗度Ｒａは、０．１５μｍ以下であってもよく、０．１μｍ以下であってもよく、０．０５μｍ以下であってもよい。圧延ロールの表面粗度Ｒｚは、好ましくは２．０μｍ以下である。圧延ロールの表面粗度Ｒｚは、１．５μｍ以下であってもよく、１．０μｍ以下であってもよく、０．５μｍ以下であってもよい。表面粗度Ｒａ、Ｒｚは、ＪＩＳ Ｂ ０６０１：２０１３に基づいて測定される。

また、圧延工程の前後、又は圧延工程の間に母材６０又は金属板６４の品質や特性を分析する分析工程を実施してもよい。例えば、蛍光Ｘ線を母材６０又は金属板６４に照射して組成を分析してもよい。また、熱機械分析（TMA:Thermomechanical Analysis）によって母材６０又は金属板６４の熱膨張量を測定してもよい。

その後、圧延によって金属板６４内に蓄積された残留応力を取り除くため、図１２に示すように、アニール装置６７を用いて金属板６４をアニールするアニール工程を実施してもよい。アニール工程は、図１２に示すように、金属板６４を搬送方向（長手方向）に引っ張りながら実施されてもよい。すなわち、アニール工程は、いわゆるバッチ式の焼鈍ではなく、搬送しながらの連続焼鈍として実施されてもよい。この場合、金属板６４に座屈折れなどの変形が生じることを抑制するように温度や搬送速度を設定することが好ましい。アニール工程を実施することにより、残留歪がある程度除去された金属板６４を得ることができる。なお、図１２においては、アニール工程の際に金属板６４を水平方向に搬送する例を示しているが、これに限られることはなく、アニール工程の際に金属板６４を、垂直方向などのその他の方向に搬送してもよい。

アニール工程の条件は、金属板６４の厚みや圧下率などに応じて適切に設定されるが、例えば、５００℃以上６００℃以下の範囲内で３０秒以上〜９０秒以下にわたってアニール工程が実施される。なお上記の秒数は、アニール装置６７中で所定の温度に調整された空間を金属板６４が通過することに要する時間を表している。アニール工程の温度は、金属板６４の軟化が生じないように設定されてもよい。

アニール工程の温度の下限は、上述の５００℃よりも低くてもよい。例えば、アニール工程の温度は、４００℃以上であってもよく、４５０℃以上であってもよい。また、アニール工程の温度の上限は、上述の６００℃よりも高くてもよい。例えば、アニール工程の温度は、７００℃以下であってもよく、６５０℃以下であってもよい。また、アニール工程の温度の範囲は、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の１つと、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の１つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、アニール工程の温度は、４００℃以上７００℃以下であってもよく、４５０℃以上６５０℃以下であってもよい。また、アニール工程の温度の範囲は、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、アニール工程の温度は、６５０℃以上７００℃以下であってもよい。また、アニール工程の温度の範囲は、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、アニール工程の温度は、４００℃以上４５０℃以下であってもよい。

アニール工程の時間は、４０秒以上であってもよく、５０秒以上であってもよい。また、アニール工程の時間の下限は、上述の３０秒よりも短くてもよい。例えば、アニール工程の時間は、１０秒以上であってもよく、２０秒以上であってもよい。また、アニール工程の時間は、８０秒以下であってもよく、７０秒以下であってもよく、６０秒以下であってもよい。また、アニール工程の時間の上限は、上述の９０秒よりも長くてもよい。例えば、アニール工程の時間は、１００秒以下であってもよい。また、アニール工程の時間の範囲は、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の１つと、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の１つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、アニール工程の時間は、１０秒以上１００秒以下であってもよく、２０秒以上９０秒以下であってもよく、３０秒以上８０秒以下であってもよく、４０秒以上７０秒以下であってもよく、５０秒以上６０秒以下であってもよい。また、アニール工程の時間の範囲は、上述の複数の上限の候補値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、アニール工程の時間は、９０秒以上１００秒以下であってもよい。また、アニール工程の時間の範囲は、上述の複数の下限の候補値のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、アニール工程の時間は、１０秒以上２０秒以下であってもよい。

好ましくは上述のアニール工程は、非還元雰囲気や不活性ガス雰囲気で実施される。ここで非還元雰囲気とは、水素などの還元性ガスを含まない雰囲気のことである。「還元性ガスを含まない」とは、水素などの還元性ガスの濃度が１０％以下であることを意味している。アニール工程において、還元性ガスの濃度は、８％以下であってもよく、６％以下であってもよく、４％以下であってもよく、２％以下であってもよく、１％以下であってもよい。また不活性ガス雰囲気とは、アルゴンガス、ヘリウムガス、窒素ガスなどの不活性ガスの濃度が９０％以上である雰囲気のことである。アニール工程において、不活性ガスの濃度は、９２％以上であってもよく、９４％以上であってもよく、９６％以上であってもよく、９８％以上であってもよく、９９％以上であってもよい。非還元雰囲気や不活性ガス雰囲気でアニール工程を実施することにより、ニッケル水酸化物などのニッケル化合物が金属板６４の表面層に生成されることを抑制することができる。アニール装置６７は、不活性ガスの濃度をモニタする機構や、不活性ガスの濃度を調整する機構を有していてもよい。

アニール工程の前に、金属板６４を洗浄する洗浄工程を実施してもよい。これにより、アニール工程の際に金属板６４の表面に異物が付着することを抑制することができる。洗浄のための洗浄液としては、例えば、炭化水素系の液を用いることができる。

また図１２においては、アニール工程が、金属板６４を長手方向に引っ張りながら実施される例を示したが、これに限られることはなく、アニール工程を、金属板６４がコア６１に巻き取られた状態で実施してもよい。すなわちバッチ式の焼鈍が実施されてもよい。なお、金属板６４がコア６１に巻き取られた状態でアニール工程を実施する場合、金属板６４に、巻き体６２の巻き取り径に応じた反りの癖がついてしまうことがある。従って、巻き体６２の巻き径や母材６０を構成する材料によっては、金属板６４を長手方向に引っ張りながらアニール工程を実施することが有利である。

その後、金属板６４の幅が所定の範囲内になるよう、圧延工程によって得られた金属板６４の幅方向における両端をそれぞれ所定の範囲にわたって切り落とすスリット工程を実施してもよい。このスリット工程は、圧延に起因して金属板６４の両端に生じ得るクラックを除去するために実施される。このようなスリット工程を実施することにより、金属板６４が破断してしまう現象、いわゆる板切れが、クラックを起点として生じてしまうことを防ぐことができる。

スリット工程において切り落とされる部分の幅は、スリット工程後の金属板６４の形状が、幅方向において左右対称になるように調整されてもよい。また、スリット工程を、上述のアニール工程の前に実施してもよい。

なお、上述の圧延工程、アニール工程及びスリット工程のうちの少なくとも２つの工程を複数回繰り返すことによって、所定の厚みの長尺状の金属板６４を作製してもよい。

また、圧延工程の後、若しくはアニール工程の後、金属板６４の外観を検査する外観検査工程を実施してもよい。外観検査工程は、自動検査機を用いて金属板６４の外観を検査する工程を含んでいてもよい。また、外観検査工程は、目視で金属板６４の外観を検査する工程を含んでいてもよい。

また、圧延工程の後、若しくはアニール工程の後、金属板６４の形状を検査する形状検査工程を実施してもよい。例えば、３次元測定器を用いて、厚み方向における金属板６４の表面の位置を金属板６４の所定の領域内で測定してもよい。

ところで、本件発明者らが鋭意研究を行ったところ、圧延後の金属板６４の表面に、多くの窪みが存在することを見出した。図１３は、圧延によって得られた金属板６４の表面に、例えば第１面６４ａに、複数の窪み６４ｃが存在する様子を示す図である。窪み６４ｃは、例えばオイルピット６４ｅや圧延筋６４ｆである。オイルピット６４ｅとは、母材６０と圧延ロール６６ａ，６６ｂとの間に存在する油に起因して金属板６４の表面に形成される凹部である。本実施の形態において、窪み６４ｃとは、金属板６４の表面に存在するオイルピット６４ｅなどの凹部のうち、０．２μｍ以上の深さを有する凹部を意味する。金属板６４の表面に存在する窪み６４ｃの密度は、例えば３個／ｍｍ^２以上且つ５００個／ｍｍ^２以下である。なお、０．２μｍという数値は、後述する補正距離ｄＣの好ましい値である。また、金属板６４の面方向における窪み６４ｃの寸法は、例えば１μｍ以上且つ６０μｍ以下である。

金属板６４の表面の窪み６４ｃなどの起伏を検査する技術として、表面の算術平均粗さＲａや最大高さＲｙを算出するという技術が知られている。算術平均粗さＲａ及び最大高さＲｙのいずれにおいても、厚み方向における金属板６４の表面の位置を、図１３に示す直線Ｒ１や直線Ｒ２などの所定の直線上の複数の点において測定する。一方、図１３に示すように、窪み６４ｃの密度が場所によってばらつくことがある。この結果、図１３に示すように、直線Ｒ２上に位置する窪み６４ｃの密度が、直線Ｒ１上に位置する窪み６４ｃの密度よりも著しく低くなり得る。このように、算術平均粗さＲａや最大高さＲｙなどの技術においては、検査結果のばらつきが比較的大きくなり得る。

また、算術平均粗さＲａや最大高さＲｙなどの技術においては、窪み６４ｃの形状や容積に関する情報を十分に得ることができないと考えられる。算術平均粗さＲａや最大高さＲｙのこのような課題について、図１４を参照して説明する。図１４は、金属板６４の断面の一例を示す図である。

図１４には、３種類の窪みが示されている。左側に位置する窪み６４ｃ＿１と、中央に位置する窪み６４ｃ＿２とは、同一の開口径Ａを有する。窪み６４ｃ＿１の壁面は、金属板に向かって凸となる形状を有する。一方、窪み６４ｃ＿２の壁面は、窪み６４ｃ＿１とは反対に、外方に向かって凸となる形状を有する。右側に位置する２つの窪み６４ｃ＿３は、開口径Ａ／２を有する。すなわち、２つの窪み６４ｃ＿３の開口径の和が、窪み６４ｃ＿１の開口径、及び窪み６４ｃ＿２の開口径と同一である。３種類の窪み６４ｃ＿１，６４ｃ＿２，６４ｃ＿３の深さはいずれもＢである。
３種類の窪み６４ｃ＿１，６４ｃ＿２，６４ｃ＿３に起因する表面粗さを測定器で測定する場合、算術平均粗さＲａは、以下の式で表される。
Ｒａ＝∫Ａ×Ｂ／２ｄｘ
このため、３種類の窪み６４ｃ＿１，６４ｃ＿２，６４ｃ＿３が算術平均粗さＲａの測定値に及ぼす影響は同一である。
一方、図１５乃至図１７に示すように、金属板６４をエッチングすることによって形成される貫通孔２５、第１凹部３０、第２凹部３５、トップ部４３、リブ部などの寸法は、窪み６４ｃの深さの影響だけでなく、窪み６４ｃの容積の影響も受ける。後述するように、本実施の形態においては、表面粗さを窪みの容積に基づいて評価する。この場合、３種類の窪み６４ｃ＿１，６４ｃ＿２，６４ｃ＿３が後述する窪み補正容積密度に与える影響度は異なる。具体的には、窪み６４ｃ＿１が窪み補正容積密度に与える影響度が最大になる。また、１つの窪み６４ｃ＿２が窪み補正容積密度に与える影響度は、２つの窪み６４ｃ＿３が窪み補正容積密度に与える影響度よりも小さくなる。

図１５は、図１４に示す金属板６４を、第１レジストパターン６５ａをマスクとして第１面６４ａ側からエッチングして第１凹部３０を形成する工程を示す断面図である。左側の窪み６４ｃ＿１の容積は、右側の窪み６４ｃ＿２の容積よりも大きい。このため、左側の窪み６４ｃ＿１が存在していた場所においては、右側の窪み６４ｃ＿２が存在していた場所よりも早くエッチングが金属板６４の厚み方向及び面方向に進行する。このため、左側の窪み６４ｃ＿１が存在していた場所に形成される第１凹部３０＿１の寸法は、右側の窪み６４ｃ＿２が存在していた場所に形成される第１凹部３０＿２の寸法よりも大きくなる。

図１６は、図１５に示す金属板６４を、第２レジストパターン６５ｂをマスクとして第２面６４ｂ側からエッチングして、第１凹部３０＿１，３０＿２に連通する第２凹部３５を金属板６４の第２面６４ｂ側に形成する工程を示す断面図である。左側の第１凹部３０＿１の寸法が右側の第１凹部３０＿２の寸法よりも大きいので、左側の第１凹部３０＿１と第２凹部３５とが接続される接続部４１の輪郭の寸法も、右側の第１凹部３０＿２と第２凹部３５とが接続される接続部４１の輪郭の寸法よりも大きくなる。

図１７は、金属板６４の窪み６４ｃに起因して、第１面２０ａ側における貫通孔２５の開口寸法の精度が低下する様子を説明するための図である。容積の大きな窪み６４ｃが存在していた部分においては、エッチング工程の開始時点で、エッチング液が窪み６４ｃの内部に浸入することができる。このため、容積の大きな窪み６４ｃが存在していた部分においては、その他の部分に比べて早くエッチングが金属板６４の厚み方向及び面方向に進行することができる。従って、例えば、容積の大きな窪み６４ｃが、金属板６４のうち第１レジストパターン６５ａの開口部の端部近傍や第２レジストパターン６５ｂの開口部の端部近傍に存在していた場合、窪み６４ｃが存在していた部分において、金属板６４の面方向における貫通孔２５の寸法が大きくなり得る。この結果、図１７において符号３０＿１で示すように、大きな容積の窪み６４ｃが存在していた場所においては、貫通孔２５を構成する第１凹部３０の、第１面２０ａ上における寸法ｒ_３のばらつきが生じ得る。また、第１凹部３０と第２凹部３５とが接続される接続部４１によって構成される貫通部４２の寸法ｒ_２のばらつきも生じ得る。この結果、有機ＥＬ基板９２上に付着する蒸着材料の寸法精度や位置精度が低下してしまうと考えられる。なお、このような開口寸法のばらつきは、第２面２０ｂ側の第２凹部３５にも生じ得る。

上述のように、金属板６４に貫通孔２５を精密に形成できるか否かは、金属板６４の表面に形成されている窪み６４ｃの深さだけでなく、窪み６４ｃの容積にも大きく依存する。一方、従来の算術平均粗さＲａなどに基づく技術は、窪み６４ｃの容積に関する情報を適切に取得することができない。このため、算術平均粗さＲａを用いて金属板６４の検査を行う場合、蒸着マスク２０の製造に不適切な金属板６４が検査に合格することを防ぐためには、合否判定の閾値を必要以上に厳しくする必要がある。この結果、金属板６４の歩留まりが低下してしまうと考えられる。

このような課題を解決するため、本実施の形態においては、金属板６４の検査を、窪み６４ｃの容積を考慮して行うことを提案する。これにより、窪み６４ｃに起因して生じる、蒸着マスク２０の貫通孔２５の寸法精度の低下の程度を、より正確に予測することができる。このため、合否判定の閾値を必要以上に厳しくすることなく、金属板６４の検査を行うことができ、金属板６４の歩留まりを高めることができる。以下、窪み６４ｃの容積を考慮した検査工程の一例について、図１８及び図１９を参照して説明する。

図１８は、金属板６４の第１面６４ａの一部を拡大して示す平面図である。第１面６４ａには複数の窪み６４ｃが形成されている。図１９において、符号Ｄ１は、圧延工程の際の金属板６４の搬送方向（以下、第１方向とも称する）を表す。また、符号Ｄ２は、第１方向Ｄ１に直交する方向（以下、第２方向とも称する）を表す。

検査工程においては、図１８に示す第１面６４ａの検査領域７１１に位置する複数の窪み６４ｃの容積に基づいて金属板６４の良否を判定する。検査領域７１１の面積Ｕ１は、例えば０．１ｍｍ^２以上且つ１．５ｍｍ^２以下である。検査領域７１１の面積Ｕ１を０．１ｍｍ^２以上にすることにより、検査領域７１１の位置に基づいて検査結果がばらつくことを抑制することができる。また、検査領域７１１の面積Ｕ１を１．５ｍｍ^２以下にすることにより、検査に要する時間が過大になることを抑制することができる。

検査工程は、算出工程Ｓ１及び判定工程Ｓ２を有する。算出工程Ｓ１においては、窪み補正容積密度を算出する。窪み補正容積密度は、後述する実施例において支持されるように、蒸着マスク２０の構成要素の寸法精度に対する高い相関を有する指標である。判定工程においては、窪み補正容積密度が所定の閾値以下である場合に金属板６４を良と判定する。

まず、算出工程Ｓ１について説明する。算出工程Ｓ１は、測定工程Ｓ１１及び処理工程Ｓ１２を含む。測定工程Ｓ１１においては、まず、図１８に示すように、複数の単位領域７１２の各々において撮影を行い、得られた画像から窪み６４ｃの深さを測定する。単位領域７１２は、例えば図１８に示すように、長さＷ１の辺及び長さＷ２の辺を有する矩形状の領域である。単位領域７１２は、１回の撮影で取得可能な画像の範囲に相当する。図１８に示す例において、長さＷ１の辺は第１方向Ｄ１に平行であり、長さＷ２の辺は第２方向Ｄ２に平行である。例えば、Ｗ１は２７０μｍであり、Ｗ２は２０２μｍである。なお、長さＷ１の辺が第１方向Ｄ１に平行とは、長さＷ１の辺と第１方向Ｄ１とが成す角度が、−１０°〜＋１０°の範囲内であることを意味する。同様に、長さＷ２の辺が第２方向Ｄ２に平行とは、長さＷ２の辺と第２方向Ｄ２とが成す角度が、−１０°〜＋１０°の範囲内であることを意味する。

図１８に示すように、複数回の撮影は、第１方向Ｄ１において隣り合う２つの単位領域７１２が部分的に重なり合い、且つ、第２方向Ｄ２において隣り合う２つの単位領域７１２も部分的に重なり合うよう実施される。これによって得られた複数の画像を、画像連結ソフトなどを用いて連結することにより、１つの単位領域７１２よりも広い領域の画像を得ることができる。その後、連結することによって得られた画像から、例えば図１８において符号７１１で示される領域を、検査領域として抽出する。例えば、図１８に示す９つの単位領域７１２のうち中心に位置する１つの単位領域７１２を囲うとともに、周囲に位置する８つの単位領域７１２のそれぞれを部分的に含むように、検査領域７１１を定める。第１方向Ｄ１における検査領域７１１の長さは例えば７００μｍであり、第２方向Ｄ２における検査領域７１１の長さは例えば５００μｍである。

図１８において、符号７１３は、検査装置の分解能に相当するピクセルを示す。１つのピクセル７１３は、例えば、検査装置が金属板６４に照射するレーザーの１つのスポットに相当する。第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２におけるピクセル７１３の長さＷ３及び長さＷ４は、好ましくは０．１μｍ以上且つ０．４μｍ以下である。また、ピクセル７１３の面積Ｕ２は、好ましくは０．０１μｍ^２以上且つ０．２μｍ^２以下である。単位領域７１２の面積が、２７０μｍ×２０２μｍであり、単位領域７１２の第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２における解像度が１０２４×７６８である場合、第１方向Ｄ１及び第２方向Ｄ２におけるピクセル７１３の長さＷ３及び長さＷ４は、いずれも０．２６３μｍになる。また、ピクセル７１３の面積Ｕ２は０．０６９μｍ^２になる。

図１９は、窪み６４ｃが形成された金属板６４を第１方向Ｄ１に平行に切断した場合を示す断面図である。図１９において、符号ｄ（ｋ）は、第１方向Ｄ１の座標ｘ（ｋ）に位置するピクセル７１３における、第１面６４ａから窪み６４ｃの底面までの距離を表す。ｋは整数であり、ｋがとり得る範囲は、画像の解像度によって定まる。

なお、金属板６４の第１面６４ａには、図１９に示すような明確な窪み６４ｃ以外にも、微細な凹凸や起伏が存在し得る。このため、第１面６４ａを基準として窪み６４ｃの深さを測定する場合、窪み６４ｃの周囲の第１面６４ａの状態に起因して、窪み６４ｃの深さの測定結果にばらつきが生じ得る。このような課題を考慮し、測定工程Ｓ１１及び処理工程Ｓ１２においては、金属板６４の厚み方向における第１面６４ａの位置として、仮想的な平面である基準面ＲＰの位置を採用してもよい。以下、基準面ＲＰについて説明する。

第１面６４ａの基準面ＲＰは、例えば、最小二乗法によって推定される平面である。具体的には、まず、金属板６４の第１面６４ａの表面の厚み方向における検査領域７１１の位置を、後述するレーザー顕微鏡を用いて測定する。続いて、所定の平面を基準面ＲＰとして仮に設定し、第１面６４ａの表面の位置から基準面ＲＰまでの距離の２乗を、各ピクセル７１３において算出する。この場合、距離の２乗の総和が最小になる平面を、基準面ＲＰとして採用することができる。

測定工程Ｓ１１においては、図１９に示すように、検査領域７１１の各ピクセル７１３において、窪み６４ｃの深さｄ（ｋ）を測定する。深さの測定値は、金属板６４の第１面６４ａの表面の厚み方向における位置の測定値から、最小二乗法によって推定された基準面ＲＰまでの距離の値である。

測定工程Ｓ１１において用いる検査装置としては、例えば、レーザー顕微鏡を用いることができる。レーザー顕微鏡を用いた測定においては、まず、金属板６４の第１面６４ａの検査領域７１１にレーザー光を照射する。続いて、検査領域７１１によって反射されたレーザー光を、検査領域７１１の二次元反射像として、ＣＣＤやＣＭＯＳのイメージセンサなどを用いて撮影する。また、共焦点顕微鏡の原理に基づいて二次元反射像を解析して、検査領域７１１の各ピクセル７１３の、金属板６４の第１面６４ａの表面の厚み方向における位置を測定する。レーザー顕微鏡としては、例えば、キーエンス社製のレーザー顕微鏡 ＶＫ−Ｘ２００シリーズを用いることができる。

処理工程Ｓ１２においては、検査領域７１１内の各ピクセル７１３において測定した窪み６４ｃの深さに基づいて、検査領域７１１内の窪み６４ｃの容積に関する情報を算出する。

本実施の形態においては、まず、図１９に示すように、金属板６４の厚み方向において基準面ＲＰから所定の補正距離ｄＣだけ第２面６４ｂ側に位置する補正面ＣＰを設定する。続いて、検査領域７１１に位置する窪み６４ｃのうち金属板６４の厚み方向において補正距離ｄＣよりも第２面６４ｂ側に位置する部分の容積の総和を算出する。例えば、検査領域７１１に位置する窪み６４ｃのうち補正距離ｄＣよりも大きな深さを有する部分について、深さｄ（ｋ）から補正距離ｄＣを差し引いた値ｄ（ｋ）−ｄＣを算出する。続いて、値ｄ（ｋ）−ｄＣにピクセル７１３の面積Ｕ２を乗算する。これによって、各ピクセル７１３において、窪み６４ｃのうち補正面ＣＰよりも第２面６４ｂ側に位置する部分の容積Ｖ（ｋ）（＝｛（ｄ（ｋ）−ｄＣ）×Ｕ２｝を算出する。続いて、各容積Ｖ（ｋ）を検査領域７１１の全域にわたって積算する。これによって、検査領域７１１に位置する窪み６４ｃのうち補正面ＣＰよりも第２面６４ｂ側に位置する部分の容積の総和（以下、窪み補正容積とも称する）Ｖ１を算出することができる。

続いて、窪み補正容積Ｖ１を、検査領域７１１の面積Ｕ１によって割る。これによって、単位面積当たりの窪み補正容積（以下、窪み補正容積密度とも称する）Ｖ２を算出することができる。

上述の補正距離ｄＣは、好ましくは０．１μｍ以上且つ０．５μｍ以下であり、例えば０．２μｍである。補正距離ｄＣを適切に設定して窪み補正容積密度Ｖ２を算出することにより、後述する実施例によって支持されるように、窪み補正容積密度Ｖ２と、蒸着マスク２０の構成要素の寸法精度との間の相関を高めることができる。なお、以下の説明において、補正距離ｄＣをｚμｍに設定した場合に得られた窪み補正容積Ｖ１及び窪み補正容積密度Ｖ２を、それぞれ窪み補正容積Ｖ１（ｚμｍ）及び窪み補正容積密度Ｖ２（ｚμｍ）と記すことがある。例えば、補正距離ｄＣが０．２μｍの場合、窪み補正容積Ｖ１（０．２μｍ）及び窪み補正容積密度Ｖ２（０．２μｍ）という表記を採用することがある。

続いて、窪み補正容積密度Ｖ２が所定の閾値ＴＨ１以下である場合に金属板６４を良と判定する判定工程Ｓ２を実施する。これにより、貫通孔２５などの蒸着マスク２０の構成要素を精度良く形成することができる金属板６４を選別することができる。

閾値ＴＨ１は、蒸着マスク２０の構成要素に求められる寸法精度や、補正距離ｄＣの設定などに基づいて適切に定められる。例えば、上述の第１凹部３０のｒ_３や貫通部４２の寸法ｒ_２などの、蒸着マスク２０の貫通孔２５の開口寸法の誤差が±１．０μｍ以下であることが求められ、且つ補正距離ｄＣが０．２μｍである場合、閾値ＴＨ１を１５０００μｍ^３／ｍｍ^２に定めることができる。閾値ＴＨ１は、１２０００μｍ^３／ｍｍ^２であってもよく、１００００μｍ^３／ｍｍ^２であってもよく、９０００μｍ^３／ｍｍ^２であってもよく、６０００μｍ^３／ｍｍ^２であってもよく、５０００μｍ^３／ｍｍ^２であってもよく、３０００μｍ^３／ｍｍ^２であってもよく、１０００μｍ^３／ｍｍ^２であってもよい。

判定工程Ｓ２は、窪み補正容積密度Ｖ２が閾値ＴＨ２以上且つ閾値ＴＨ１以下である場合に、金属板６４を良と判定してもよい。すなわち、判定工程Ｓ２は、窪み補正容積密度Ｖ２の上限を規定する閾値ＴＨ１に加えて、窪み補正容積密度Ｖ２の下限を規定する閾値ＴＨ２を用いてもよい。金属板６４が閾値ＴＨ２以上の窪み補正容積密度Ｖ２を有することにより、金属板６４の表面に対するレジスト膜の密着性を高めることができる。上限の閾値ＴＨ１のことを第１閾値と称し、下限の閾値ＴＨ２のことを第２閾値と称してもよい。閾値ＴＨ２は、１０μｍ^３／ｍｍ^２であってもよく、１００μｍ^３／ｍｍ^２であってもよく、５００μｍ^３／ｍｍ^２であってもよく、１０００μｍ^３／ｍｍ^２であってもよく、３０００μｍ^３／ｍｍ^２であってもよく、４０００μｍ^３／ｍｍ^２であってもよく、５０００μｍ^３／ｍｍ^２であってもよい。

判定工程Ｓ２において良として判定される金属板６４が有する窪み補正容積密度Ｖ２の範囲は、上述の複数の上限の閾値ＴＨ１の候補のうちの任意の１つと、上述の複数の下限の閾値ＴＨ２の候補のうちの任意の１つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、良として判定される金属板６４、すなわち選別された金属板６４が有する窪み補正容積密度Ｖ２は、１０μｍ^３／ｍｍ^２以上１５０００μｍ^３／ｍｍ^２以下であってもよく、１００μｍ^３／ｍｍ^２以上１２０００μｍ^３／ｍｍ^２以下であってもよく、５００μｍ^３／ｍｍ^２以上１００００μｍ^３／ｍｍ^２以下であってもよく、１０００μｍ^３／ｍｍ^２以上９０００μｍ^３／ｍｍ^２以下であってもよく、３０００μｍ^３／ｍｍ^２以上６０００μｍ^３／ｍｍ^２以下であってもよく、４０００μｍ^３／ｍｍ^２以上６０００μｍ^３／ｍｍ^２以下であってもよい。また、選別された金属板６４が有する窪み補正容積密度Ｖ２の範囲は、上述の複数の上限の閾値ＴＨ１の候補のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、選別された金属板６４が有する窪み補正容積密度Ｖ２は、１２０００μｍ^３／ｍｍ^２以上１５０００μｍ^３／ｍｍ^２以下であってもよい。また、選別された金属板６４が有する窪み補正容積密度Ｖ２の範囲は、上述の複数の下限の閾値ＴＨ２の候補のうちの任意の２つの組み合わせによって定められてもよい。例えば、選別された金属板６４が有する窪み補正容積密度Ｖ２は、１０μｍ^３／ｍｍ^２以上１００μｍ^３／ｍｍ^２以下であってもよい。

図３９は、窪み補正容積密度Ｖ２が閾値ＴＨ１以下である金属板を良品として判定する判定条件に基づいて選別された複数の金属板６４の、窪み補正容積密度Ｖ２の分布の一例を示す図である。図３９において、横軸は、各金属板６４において算出された窪み補正容積密度Ｖ２の値を表す。また、縦軸は、横軸に示された範囲の窪み補正容積密度Ｖ２を有する金属板６４の個数を示す。例えば、選別された複数の金属板６４のうち、６０００μｍ^３／ｍｍ^２以上９０００μｍ^３／ｍｍ^２未満の窪み補正容積密度Ｖ２を有する金属板６４の個数は１７である。

図３９の例において、閾値ＴＨ１は１５０００μｍ^３／ｍｍ^２である。この場合、良品として判定された金属板６４の大半は、例えば９５％以上は、１５０００μｍ^３／ｍｍ^２以下の窪み補正容積密度Ｖ２を有する。なお、図３９に示すように、測定誤差などに起因して、選別された金属板６４の一部が、１５０００μｍ^３／ｍｍ^２を超える窪み補正容積密度Ｖ２を有する場合もある。

図４０は、窪み補正容積密度Ｖ２が閾値ＴＨ２以上閾値ＴＨ１以下である金属板を良品として判定する判定条件に基づいて選別された複数の金属板６４の、窪み補正容積密度Ｖ２の分布の一例を示す図である。図４０に示す横軸及び縦軸の意味は、図３９の場合と同一である。図４０の例において、閾値ＴＨ２は３０００μｍ^３／ｍｍ^２であり、閾値ＴＨ１は１５０００μｍ^３／ｍｍ^２である。このように、図４０の例では、図３９の例に比べて、良品として選別される金属板６４の範囲が狭い。この場合、図４０に示す選別を実施すると、図３９に示す選別を実施することにもなる。

上述の説明においては、窪み補正容積密度Ｖ２に基づいて金属板６４を検査する検査工程を、金属板６４の良否を判定するために、すなわち金属板６４の選別を行うために利用する例を示した。すなわち、検査工程が、金属板６４の製造方法において金属板６４を選別する選別工程として機能する例を示した。しかしながら、検査工程は、金属板６４の製造方法における金属板６４の選別以外の目的で用いられてもよい。

なお、選別工程における選別条件は任意である。例えば、選別工程は、上述の複数の上限の閾値ＴＨ１の候補のうちの任意の１つと、上述の複数の下限の閾値ＴＨ２の候補のうちの任意の１つの組み合わせによって定められる範囲に属する窪み補正容積密度Ｖ２を有する金属板６４を選別してもよい。また、選別工程は、上述の複数の上限の閾値ＴＨ１の候補のうちの任意の２つの組み合わせによって定められる範囲に属する窪み補正容積密度Ｖ２を有する金属板６４を選別してもよい。また、選別工程は、上述の複数の下限の閾値ＴＨ２の候補のうちの任意の２つの組み合わせによって定められる範囲に属する窪み補正容積密度Ｖ２を有する金属板６４を選別してもよい。

検査工程を金属板６４の製造方法における金属板６４の選別以外の目的で用いる例について説明する。例えば、検査工程は、圧延率や油の使用量などの、金属板６４を製造するための条件を最適化するために利用されてもよい。具体的には、様々な圧延率や油の使用量で金属板６４を製造し、得られた各金属板６４の窪み補正容積密度Ｖ２を算出し、窪み補正容積密度Ｖ２を低くすることができる適切な製造条件を設定する、という作業のために、検査工程が利用されてもよい。この場合、金属板６４の製造工程において、全ての金属板６４に対して検査工程に基づく選別を実施する必要はない。例えば、一部の金属板６４に対してのみ検査工程を実施してもよい。若しくは、製造条件がいったん設定された後は、検査工程が全く実施されなくてもよい。

図４１は、窪み補正容積密度Ｖ２が閾値ＴＨ１以下である金属板を良品として判定する判定条件を利用して見出された製造条件に基づいて製造された複数の金属板６４の、窪み補正容積密度Ｖ２の分布の一例を示す図である。図４１に示す横軸及び縦軸の意味は、図３９の場合と同一である。図４１の例において、閾値ＴＨ１は１５０００μｍ^３／ｍｍ^２である。図４１の例においては、選別工程を実施しない場合であっても、製造された複数の金属板６４が１５０００μｍ^３／ｍｍ^２以下の窪み補正容積密度Ｖ２を有している。

本実施の形態による金属板の製造方法によれば、上述の判定条件を満たす窪み補正容積密度Ｖ２を有する金属板６４を得ることができる。例えば、１５０００μｍ^３／ｍｍ^２以下の窪み補正容積密度Ｖ２を有する金属板６４を得ることができる。これにより、窪み６４ｃに起因して蒸着マスク２０の貫通孔２５の寸法精度が低下してしまうことを抑制することができる。このことにより、貫通孔２５を通って有機ＥＬ基板９２に付着する蒸着材料の寸法精度及び位置精度を高めることができる。

次に、上述の検査工程を合格した金属板６４を用いて蒸着マスク２０を製造する方法について、主に図２０〜図２８を参照して説明する。図２０は、金属板６４を用いて蒸着マスク２０を製造する製造装置７０を示す図である。まず、金属板６４をコア６１に巻き取った巻き体６２を準備する。そして、このコア６１を回転させて巻き体６２を巻き出すことにより、図２０に示すように、帯状に延びる金属板６４を供給する。

供給された金属板６４は、搬送ローラー７５によって、加工装置７２、分離装置７３へ順に搬送される。加工装置７２は、検査工程を合格した金属板６４を加工して金属板６４に貫通孔２５を形成する加工工程を実施する。なお本実施の形態においては、複数枚の蒸着マスク２０に対応する多数の貫通孔２５を金属板６４に形成する。言い換えると、金属板６４に複数枚の蒸着マスク２０を割り付ける。分離装置７３は、金属板６４のうち１枚分の蒸着マスク２０に対応する複数の貫通孔２５が形成された部分を金属板６４から分離する分離工程を実施する。このようにして、枚葉状の蒸着マスク２０を得ることができる。

図２０乃至図２８を参照して、加工工程について説明する。加工工程は、フォトリソグラフィー技術を用いたエッチングを長尺状の金属板６４に施して、金属板６４に第１面６４ａの側から第１凹部３０を形成する工程と、フォトリソグラフィー技術を用いたエッチングを金属板６４に施して、金属板６４に第２面６４ｂの側から第２凹部３５を形成する工程と、を含んでいる。そして、金属板６４に形成された第１凹部３０と第２凹部３５とが互いに通じ合うことによって、金属板６４に貫通孔２５が作製される。以下に説明する例では、第１凹部３０の形成工程を、第２凹部３５の形成工程の前に実施し、且つ、第１凹部３０の形成工程と第２凹部３５の形成工程の間に、作製された第１凹部３０を封止する工程を実施する。以下、各工程の詳細を説明する。

まず、図２１に示すように、金属板６４の第１面６４ａ上および第２面６４ｂ上にネガ型の感光性レジスト材料を含むレジスト膜６５ｃ、６５ｄを形成する。例えば、金属板６４の第１面６４ａ上および第２面６４ｂ上に、カゼインなどの感光性レジスト材料を含む塗布液を塗布し、その後、塗布液を乾燥させることにより、レジスト膜６５ｃ、６５ｄを形成する。若しくは、金属板６４の第１面６４ａ上および第２面６４ｂ上にドライフィルムを貼り付けることにより、レジスト膜６５ｃ、６５ｄを形成してもよい。ドライフィルムは、例えばアクリル系光硬化性樹脂を含む。

次に、レジスト膜６５ｃ、６５ｄのうちの除去したい領域に光を透過させないようにした露光マスク６８ａ、６８ｂを準備し、露光マスク６８ａ、６８ｂをそれぞれ、図２２に示すようにレジスト膜６５ｃ、６５ｄ上に配置する。この際、第１面６４ａ側の露光マスク６８ａと第２面６４ｂ側の露光マスク６８ｂとの間の相対的な位置関係を調整するアライメント工程を実施してもよい。露光マスク６８ａ、６８ｂとしては、例えば、レジスト膜６５ｃ、６５ｄのうちの除去したい領域に光を透過させないようにしたガラス乾板を用いる。その後、真空密着によって露光マスク６８ａ、６８ｂをレジスト膜６５ｃ、６５ｄに十分に密着させる。
なお感光性レジスト材料として、ポジ型のものが用いられてもよい。この場合、露光マスクとして、レジスト膜のうちの除去したい領域に光を透過させるようにした露光マスクを用いる。

その後、レジスト膜６５ｃ、６５ｄを露光マスク６８ａ、６８ｂ越しに露光する（露光工程）。さらに、露光されたレジスト膜６５ｃ、６５ｄに像を形成するためにレジスト膜６５ｃ、６５ｄを現像する（現像工程）。以上のようにして、図２３に示すように、金属板６４の第１面６４ａ上に第１レジストパターン６５ａを形成し、金属板６４の第２面６４ｂ上に第２レジストパターン６５ｂを形成することができる。なお現像工程は、レジスト膜６５ｃ、６５ｄの硬度を高めるための、または金属板６４に対してレジスト膜６５ｃ、６５ｄをより強固に密着させるためのレジスト熱処理工程を含んでいてもよい。レジスト熱処理工程は、例えば室温以上且つ４００℃以下で実施され得る。

次に、図２４に示すように、金属板６４の第１面６４ａのうち第１レジストパターン６５ａによって覆われていない領域を、第１エッチング液を用いてエッチングする第１面エッチング工程を実施する。例えば、第１エッチング液を、搬送される金属板６４の第１面６４ａに対面する側に配置されたノズルから、第１レジストパターン６５ａ越しに金属板６４の第１面６４ａに向けて噴射する。この結果、図２４に示すように、金属板６４のうちの第１レジストパターン６５ａによって覆われていない領域で、第１エッチング液による浸食が進む。これによって、金属板６４の第１面６４ａに多数の第１凹部３０が形成される。第１エッチング液としては、例えば塩化第２鉄溶液及び塩酸を含むものを用いる。

その後、図２５に示すように、後の第２面エッチング工程において用いられる第２エッチング液に対する耐性を有した樹脂６９によって、第１凹部３０を被覆する。すなわち、第２エッチング液に対する耐性を有した樹脂６９によって、第１凹部３０を封止する。図２５に示す例においては、樹脂６９の膜を、形成された第１凹部３０だけでなく、第１面６４ａ（第１レジストパターン６５ａ）も覆うように形成する。

次に、図２６に示すように、金属板６４の第２面６４ｂのうち第２レジストパターン６５ｂによって覆われていない領域をエッチングし、第２面６４ｂに第２凹部３５を形成する第２面エッチング工程を実施する。第２面エッチング工程は、第１凹部３０と第２凹部３５とが互いに通じ合い、これによって貫通孔２５が形成されるようになるまで実施される。第２エッチング液としては、上述の第１エッチング液と同様に、例えば塩化第２鉄溶液及び塩酸を含むものを用いる。

なお第２エッチング液による浸食は、金属板６４のうちの第２エッチング液に触れている部分において行われていく。従って、浸食は、金属板６４の法線方向Ｎ（厚み方向）のみに進むのではなく、金属板６４の板面に沿った方向にも進んでいく。ここで好ましくは、第２面エッチング工程は、第２レジストパターン６５ｂの隣り合う二つの孔６７ｂに対面する位置にそれぞれ形成された二つの第２凹部３５が、二つの孔６７ｂの間に位置するブリッジ部６７ａの裏側において合流するよりも前に終了される。これによって、図２７に示すように、金属板６４の第２面６４ｂに上述のトップ部４３を残すことができる。

その後、図２８に示すように、金属板６４から樹脂６９を除去する。樹脂６９は、例えばアルカリ系剥離液を用いることによって、除去することができる。アルカリ系剥離液が用いられる場合、図２８に示すように、樹脂６９と同時にレジストパターン６５ａ，６５ｂも除去される。なお、樹脂６９を除去した後、樹脂６９を剥離させるための剥離液とは異なる剥離液を用いて、樹脂６９とは別途にレジストパターン６５ａ，６５ｂを除去してもよい。

その後、金属板６４のうち１枚分の蒸着マスク２０に対応する複数の貫通孔２５が形成された部分を金属板６４から分離することにより、蒸着マスク２０を得ることができる。

次に、蒸着マスク２０とフレーム１５とを組み合わせて蒸着マスク装置１０を製造する方法について説明する。まず、フレーム１５を準備する。続いて、溶接などによって蒸着マスク２０の第２面２０ｂをフレーム１５に固定する。例えば、まず、フレーム１５と蒸着マスク２０とを重ねた状態で、第１面２０ａ側からカメラなどを用いて蒸着マスク２０を撮影する。この際、蒸着マスク２０には張力が付与されていてもよい。続いて、撮影によって得られた画像に基づいて、フレーム１５に対する蒸着マスク２０の位置を検出する。例えば、長手方向Ｄ１における蒸着マスク２０の輪郭の位置を検出する。続いて、フレーム１５に対する蒸着マスク２０の位置が所定の位置になるよう、蒸着マスク２０の位置を調整する。

次に、蒸着マスク２０を用いて有機ＥＬ基板９２などの基板上に蒸着材料９８を蒸着させる蒸着方法について説明する。まず、蒸着マスク２０が有機ＥＬ基板９２に対向するよう蒸着マスク装置１０を配置する。また、磁石９３を用いて蒸着マスク２０を有機ＥＬ基板９２に密着させる。この状態で、蒸着材料９８を蒸発させて蒸着マスク２０を介して有機ＥＬ基板９２へ飛来させることにより、蒸着マスク２０の貫通孔２５に対応したパターンで蒸着材料９８を有機ＥＬ基板９２に付着させることができる。

本実施の形態による蒸着マスク２０の製造方法においては、金属板６４の表面に形成された窪み６４ｃの容積の総和に基づいて実施された検査工程を合格した金属板６４を用いて蒸着マスク２０を製造する。このため、窪み６４ｃに起因して蒸着マスク２０の貫通孔２５の寸法精度が低下してしまうことを抑制することができる。このことにより、貫通孔２５を通って有機ＥＬ基板９２に付着する蒸着材料の寸法精度及び位置精度を高めることができる。

なお、上述した実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、必要に応じて図面を参照しながら、変形例について説明する。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、上述した実施の形態と同様に構成され得る部分について、上述の実施の形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いることとし、重複する説明を省略する。また、上述した実施の形態において得られる作用効果が変形例においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。

上述の実施の形態においては、検査工程において、金属板６４の表面のうち第１凹部３０が形成される第１面６４ａを検査対象とする例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、検査工程において、金属板６４の表面のうち第２凹部３５が形成される第２面６４ｂを検査対象としてもよい。また、金属板６４の第１面６４ａ及び第２面６４ｂの両方を検査対象としてもよい。

上述の実施の形態においては、上述の加工工程や分離工程などの蒸着マスク２０の製造方法を実施する設備とは別の設備で、金属板６４の検査工程を実施する例を示した。言い換えると、金属板６４の検査工程が、金属板６４の製造方法の一工程である例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、蒸着マスク２０の製造方法を実施する設備において、金属板６４の検査工程を実施してもよい。言い換えると、金属板６４の検査工程が、蒸着マスク２０の製造方法の一工程であってもよい。

また、上述の本実施の形態においては、貫通孔２５が形成される前の金属板６４の表面における窪み補正容積密度が１５０００μｍ^３／ｍｍ^２以下である例を示した。貫通孔２５が形成された後の金属板６４において、すなわち蒸着マスク２０の金属板２１においても同様に、表面における窪み補正容積密度が１５０００μｍ^３／ｍｍ^２以下であってもよい。上述のように、エッチング工程の間、金属板６４のうち貫通孔２５が形成されない部分は、レジストパターンによって覆われている。このため、蒸着マスク２０の金属板２１のうち耳部１７ａ，１７ｂや周囲領域２３に位置する部分には、貫通孔２５が形成される前の金属板６４と同等の窪み６４ｃが存在し得る。従って、蒸着マスク２０の金属板２１の表面のうち耳部１７ａ，１７ｂや周囲領域２３の一部を検査領域として設定し、窪み６４ｃの容積を考慮した上述の検査工程を実施することにより、蒸着マスク２０の金属板２１の表面における窪み補正容積密度を算出することができる。

本開示のその他の態様を説明する。

本開示の一実施形態は、蒸着マスクを製造するための金属板の製造方法であって、前記金属板は、前記金属板の表面に位置する複数の窪みを有し、前記製造方法は、前記表面の一部に位置する複数の前記窪みの容積の総和に基づいて前記金属板の良否を判定する検査工程を備える、金属板の製造方法である。

本開示の一実施形態による金属板の製造方法において、前記検査工程は、複数の前記窪みのうち前記金属板の厚み方向において前記表面から補正距離以上離れた部分の容積の総和を前記表面の前記一部の面積で割ることによって窪み補正容積密度を算出する算出工程と、前記窪み補正容積密度が第１閾値以下である場合に前記金属板を良と判定する判定工程と、を有していてもよい。この場合、前記判定工程は、前記窪み補正容積密度が第２閾値以上第１閾値以下である場合に前記金属板を良と判定してもよい。

本開示の一実施形態による金属板の製造方法において、前記検査工程は、複数の前記窪みのうち前記金属板の厚み方向において前記表面から補正距離以上離れた部分の容積の総和を前記表面の前記一部の面積で割ることによって窪み補正容積密度を算出する算出工程と、前記窪み補正容積密度が第１閾値以下である前記金属板を選別する選別工程と、を備えていてもよい。この場合、前記選別工程は、前記窪み補正容積密度が第２閾値以上第１閾値以下である前記金属板を選別してもよい。

本開示の一実施形態による金属板の製造方法において、前記補正距離が０．２μｍであってもよい。

本開示の一実施形態による金属板の製造方法において、前記第１閾値が１５０００μｍ^３／ｍｍ^２であってもよい。また、前記第２閾値が１０μｍ^３／ｍｍ^２であってもよい。

本開示の一実施形態による金属板の製造方法において、前記算出工程は、前記表面の前記一部の各位置において前記窪みの深さを測定する測定工程を含んでいてもよい。

本開示の一実施形態による金属板の製造方法において、前記測定工程は、前記窪みの深さをレーザー顕微鏡によって測定してもよい。

本開示の一実施形態による金属板の製造方法において、前記表面の前記一部の面積は、０．１ｍｍ^２以上であってもよい。

本開示の一実施形態は、蒸着マスクを製造するための金属板であって、前記金属板は、前記金属板の表面に位置する複数の窪みを有し、前記表面の一部に位置する複数の前記窪みのうち前記金属板の厚み方向において前記表面から０．２μｍ以上離れた部分の容積の総和を窪み補正容積と称する場合、前記窪み補正容積を前記表面の前記一部の面積で割ることによって算出される窪み補正容積密度が、１５０００μｍ^３／ｍｍ^２以下であり、前記窪み補正容積は、前記表面の前記一部の各位置において前記窪みの深さをレーザー顕微鏡によって測定した結果に基づいて算出され、前記表面の前記一部の面積は、０．１ｍｍ^２以上である、金属板である。

本開示の一実施形態による金属板において、前記窪み補正容積密度が１０μｍ^３／ｍｍ^２以上であってもよい。

本開示の一実施形態による金属板において、前記金属板は、ニッケルを含む鉄合金からなっていてもよい。

本開示の一実施形態は、複数の貫通孔が形成された蒸着マスクを製造する方法であって、上記記載の金属板の製造方法によって製造された金属板、又は、上記記載の金属板を準備する工程と、前記金属板をエッチングして前記金属板に前記貫通孔を形成する加工工程と、を備える、蒸着マスクの製造方法である。

本開示の一実施形態は、蒸着マスクであって、表面に位置する複数の窪みを有する金属板と、前記金属板に形成された複数の貫通孔と、を備え、前記表面の一部に位置する複数の前記窪みのうち前記金属板の厚み方向において前記表面から０．２μｍ以上離れた部分の容積の総和を窪み補正容積と称する場合、前記窪み補正容積を前記表面の前記一部の面積で割ることによって算出される窪み補正容積密度が、１５０００μｍ^３／ｍｍ^２以下であり、前記窪み補正容積は、前記表面の前記一部の各位置において前記窪みの深さをレーザー顕微鏡によって測定した結果に基づいて算出され、前記表面の前記一部の面積は、０．１ｍｍ^２以上である、蒸着マスクである。

本開示の一実施形態による蒸着マスクにおいて、前記窪み補正容積密度が１０μｍ^３／ｍｍ^２以上であってもよい。

次に、本開示の実施形態を実施例により更に具体的に説明するが、本開示の実施形態はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。

（第１検査例）
はじめに、３６質量％のニッケルと、残部の鉄および不可避の不純物と、を含む鉄合金から構成された母材を準備した。次に、母材に対して上述の圧延工程、スリット工程およびアニール工程を実施することにより、１５μｍの厚みを有する長尺金属板が巻き取られた２種類の巻き体（以下、第１サンプル及び第２サンプルとも称する）を製造した。同様にして、２０μｍの厚みを有する長尺金属板が巻き取られた７種類の巻き体（以下、第３サンプル〜第１０サンプルとも称する）を製造した。

続いて、各サンプルの表面の起伏状態を検査する上述の検査工程を実施した。まず、各サンプルの幅方向の中央部においてサンプルを切り出して、一辺が５ｃｍの正方形状の試験片を作製した。続いて、レーザー顕微鏡を用いて、試験片の検査領域７１１の各ピクセル７１３における表面の位置を測定する測定工程を実施した。レーザー顕微鏡としては、キーエンス社製のレーザー顕微鏡 ＶＫ−Ｘ２００シリーズを用いた。

試験片の表面の位置を測定した時の、レーザー顕微鏡の設定は下記の通りであった。
・レーザー光 ：青色（波長４０８ｎｍ）
・対物レンズ ：５０倍
・光学ズーム ：１．０倍
・測定モード ：表面形状
・測定サイズ ：標準（１０２４×７６８）
・測定品質 ：高速
・ＲＰＤ ：あり
・試験片固定方法 ：ＫＯＫＵＹＯ マグネットシート に乗せる
ＲＰＤは、Real Peak Detectionの略である。「ＲＰＤ あり」は、レーザー光の反射光のピークを検出することによって試験片の表面の位置を測定するという手法を採用したことを意味する。

検査領域７１１の面積について説明する。第１サンプル〜第４サンプル及び第７サンプル〜第１０サンプルに関しては、上述の「標準（１０２４×７６８）」という設定の下で測定した９か所の領域（画像）を連結して、検査領域７１１とした。この場合、検査領域７１１の面積Ｕ１は０．３５ｍｍ^２であった。また、第５サンプル及び第６サンプルに関しては、上述の「標準（１０２４×７６８）」という設定の下で測定した４か所の領域（画像）を連結して、検査領域７１１とした。この場合、検査領域７１１の面積Ｕ１は０．１７５ｍｍ^２であった。

続いて、測定結果に基づいて、試験片の表面における窪み補正容積Ｖ１及び窪み補正容積密度Ｖ２を算出する処理工程を実施した。まず、レーザー顕微鏡が有する［基準面設定］という機能を利用して、最小二乗法に基づいて上述の基準面ＲＰを算出した。この際、領域は指定せず全体を対象とした。レーザー顕微鏡のその他の設定は下記のとおりである。
［面形状補正］ あり 補正方法：うねり除去、補正の強さ：５
［平滑化］ サイズ：３×３、種類：単純平均
［高さカットレベル］ 中

続いて、サンプルから得た試験片の表面の位置の測定結果及び基準面ＲＰの算出結果に基づいて、各試験片の窪み補正容積Ｖ１及び窪み補正容積密度Ｖ２を算出した。この際、基準面ＲＰと補正面ＣＰとの間の補正距離ｄＣは０．２μｍに設定した。窪み補正容積密度Ｖ２の算出結果を図２９に示す。

次に、上述の各サンプルから切り出した枚葉状の金属板２１をエッチングして各金属板２１に凹部及びリブ部のパターンを形成した場合の、パターンの寸法精度を評価した。図３０は、各金属板２１に形成した凹部８１及びリブ部８２のパターンの一例を示す平面図である。また、図３１は、図３０に示す金属板２１の断面図である。図３０及び図３１に示す例においては、第１方向Ｄ１に沿って延びるリブ部８２が金属板２１に残るように、金属板２１をエッチングして凹部８１を形成した。リブ部８２が延びる方向（ここでは圧延方向Ｄ１）に直交する方向（ここでは幅方向Ｄ２）における、凹部８１の寸法Ｚ１及びリブ部８２の寸法Ｚ２の設計値は、それぞれ３０μｍとした。

続いて、各金属板２１に形成されたリブ部８２の幅を、レーザー顕微鏡を用いて測定した。具体的には、リブ部８２が延びる方向（ここでは第１方向Ｄ１）に沿って２μｍの間隔で、合計２５箇所でリブ部８２の幅を測定した。また、２５箇所でのリブ部８２の幅の測定結果の標準偏差を３倍した値（以下、３σ（Ｄ１）とも記す）を算出した。各サンプルから切り出した金属板２１における３σ（Ｄ１）の値を、上述の図２９に併せて示す。

レーザー顕微鏡としては、測定部及び制御部を備えるキーエンス社製のレーザー顕微鏡を用いた。測定部の型番は、ＶＫ−Ｘ１６０であり、制御部の型番は、ＶＫ−Ｘ１５０である。

リブ部８２の幅を測定した時の、レーザー顕微鏡の設定は下記の通りであった。
・明るさ ：７１４０
・測定モード ：表面形状
・測定サイズ ：高精細（２０４８×１５３６）
・測定品質 ：高精度
・APERTURE SHUTTER ：開
・LASER SUTTER ：開
・対物レンズ ：１００倍
・光学ズーム ：１．０倍
・測定 ：反射測定
・幅測定繰り返し精度 ：３σ＝０．０３μｍ

次に、上述の各サンプルから切り出した枚葉状の金属板２１を、図３０に示す例とは異なるパターンでエッチングして、各金属板２１に凹部８１及びリブ部８２のパターンを形成した。具体的には、図３２に示すように、第２方向Ｄ２に沿って延びるリブ部８２が金属板２１に残るように、金属板２１をエッチングして凹部８１を形成した。続いて、各金属板２１に形成されたリブ部８２の幅を、レーザー顕微鏡を用いて測定した。具体的には、リブ部８２が延びる方向（ここでは第２方向Ｄ２）に沿って２μｍの間隔で、合計２５箇所でリブ部８２の幅を測定した。また、２５箇所でのリブ部８２の幅の測定結果の標準偏差を３倍した値（以下、３σ（Ｄ２）とも記す）を算出した。各サンプルから切り出した金属板２１における３σ（Ｄ２）の値を、上述の図２９に併せて示す。

また、各サンプルから切り出した金属板２１について、上述の３σ（Ｄ１）及び３σ（Ｄ２）の平均値３σ（ａｖｅ）を算出した。各サンプルから切り出した金属板２１における３σ（ａｖｅ）の値を、上述の図２９に併せて示す。

続いて、各サンプルに関して算出された、窪み補正容積密度Ｖ２（０．２μｍ）とリブ部８２の幅の３σ（ａｖｅ）との間の相関係数Ｒ^２を求めた。結果、相関係数Ｒ^２は０．８０８１であった。図３３は、窪み補正容積密度Ｖ２（０．２μｍ）とリブ部８２の幅の３σ（ａｖｅ）との相関を示す散布図である。

（第２検査例〜第５検査例）
基準面ＲＰと補正面ＣＰとの間の補正距離ｄＣを変更したこと以外は、上述の第１検査例の場合と同様にして、上述の第１サンプル〜第１０サンプルの表面の起伏状態を、窪み補正容積密度Ｖ２に基づいて検査した。具体的には、第２検査例においては、補正距離ｄＣを０．１μｍに設定して窪み補正容積密度Ｖ２（０．１μｍ）を算出した。また、第３検査例においては、補正距離ｄＣを０．３μｍに設定して窪み補正容積密度Ｖ２（０．３μｍ）を算出した。また、第４検査例においては、補正距離ｄＣを０．４μｍに設定して窪み補正容積密度Ｖ２（０．４μｍ）を算出した。また、第５検査例においては、補正距離ｄＣを０．５μｍに設定して窪み補正容積密度Ｖ２（０．５μｍ）を算出した。各サンプルにおける窪み補正容積密度Ｖ２（０．１μｍ），Ｖ２（０．３μｍ），Ｖ２（０．４μｍ），Ｖ２（０．５μｍ）の算出結果を、上述の窪み補正容積密度Ｖ２（０．２μｍ）と併せて図３４に示す。

続いて、各サンプルに関して算出された、窪み補正容積密度Ｖ２（０．１μｍ）とリブ部８２の幅の３σ（ａｖｅ）との間の相関係数Ｒ^２を求めた。結果、相関係数Ｒ^２は０．０１３６であった。図３５は、窪み補正容積密度Ｖ２（０．１μｍ）とリブ部８２の幅の３σ（ａｖｅ）との相関を示す散布図である。

また、各サンプルに関して算出された、窪み補正容積密度Ｖ２（０．３μｍ）とリブ部８２の幅の３σ（ａｖｅ）との間の相関係数Ｒ^２を求めた。結果、相関係数Ｒ^２は０．６６５３であった。図３６は、窪み補正容積密度Ｖ２（０．３μｍ）とリブ部８２の幅の３σ（ａｖｅ）との相関を示す散布図である。

また、各サンプルに関して算出された、窪み補正容積密度Ｖ２（０．４μｍ）とリブ部８２の幅の３σ（ａｖｅ）との間の相関係数Ｒ^２を求めた。結果、相関係数Ｒ^２は０．４８１１であった。図３７は、窪み補正容積密度Ｖ２（０．４μｍ）とリブ部８２の幅の３σ（ａｖｅ）との相関を示す散布図である。

また、各サンプルに関して算出された、窪み補正容積密度Ｖ２（０．５μｍ）とリブ部８２の幅の３σ（ａｖｅ）との間の相関係数Ｒ^２を求めた。結果、相関係数Ｒ^２は０．３７９１であった。図３８は、窪み補正容積密度Ｖ２（０．５μｍ）とリブ部８２の幅の３σ（ａｖｅ）との相関を示す散布図である。

第１検査例によれば、窪みの容積に基づいて金属板の表面の起伏状態を検査することにより、エッチングによって形成されるリブ部８２の寸法精度に対する高い相関を有する指標を得ることができた。

また、上述の第１検査例と第２検査例〜第５検査例との比較から分かるように、第１検査例によれば、基準面ＲＰと補正面ＣＰとの間の補正距離ｄＣを０．２μｍに設定することにより、エッチングによって形成されるリブ部８２の寸法精度に対する高い相関を有する指標を得ることができた。

補正距離ｄＣを０．１μｍに設定した第２検査例においては、補正距離ｄＣが小さすぎるため、リブ部８２の寸法精度に大きな影響を及ぼす特異的な窪みだけでなく、リブ部８２の寸法精度にほとんど影響を及ぼさない窪みも検出され、この結果、相関係数が低くなったと考えられる。補正距離ｄＣを０．３μｍ以上に設定した第３検査例〜第５検査例においては、補正距離ｄＣが大きすぎるため、窪みの密度が小さい比較的に平滑な金属板を評価する場合に、窪みの密度や寸法の差が窪み補正容積密度Ｖ２に適切に反映されず、この結果、相関係数が低くなったと考えられる。

１０ 蒸着マスク装置
１５ フレーム
２０ 蒸着マスク
２１ 金属板
２２ 有効領域
２３ 周囲領域
２５ 貫通孔
３０ 第１凹部
３１ 壁面
３５ 第２凹部
３６ 壁面
４１ 接続部
４１ａ 欠け部
４３ トップ部
５０ 中間製品
６４ 長尺金属板
６４ｃ 窪み
６５ａ 第１レジストパターン
６５ｂ 第２レジストパターン
６５ｃ 第１レジスト膜
６５ｄ 第２レジスト膜
７１１ 検査領域
７１２ 単位領域
７１３ ピクセル
７２ 加工装置
７３ 分離装置
８０ サンプル
８１ 凹部
８２ リブ部
９０ 蒸着装置
９２ 有機ＥＬ基板
９８ 蒸着材料

Claims (9)

1. 蒸着マスクを製造するための金属板であって、
   前記金属板は、前記金属板の表面に位置する複数の窪みを有し、
   前記表面は、０．１ｍｍ^２以上の面積を有する検査領域を含み、前記複数の窪みの一部が、前記検査領域に位置し、
   前記金属板は、１２０００μｍ^３／ｍｍ^２以下の窪み補正容積密度（Ｖ２（０．２μｍ））を有し、前記窪み補正容積密度（Ｖ２（０．２μｍ））は、窪み補正容積を前記検査領域の面積で割ることによって算出され、
   前記窪み補正容積は、前記検査領域に位置する前記複数の前記窪みの前記一部の、前記金属板の厚み方向において前記表面から０．２μｍ以上離れた部分の容積の総和であり、
   前記容積は、前記複数の前記窪みの前記一部の深さをレーザー顕微鏡によって測定した結果に基づいて算出され、
   前記金属板は、６０００μｍ^３／ｍｍ^２以下の窪み補正容積（Ｖ２（０．３μｍ））を有し、
   前記窪み補正容積（Ｖ２（０．３μｍ））は、前記検査領域に位置する前記複数の前記窪みの前記一部の、前記金属板の厚み方向において前記表面から０．３μｍ以上離れた部分の容積の総和を、前記検査領域の面積で割ることによって算出され、
   前記窪み補正容積密度（Ｖ２（０．２μｍ））は、窪み補正容積密度（Ｖ２（０．３μｍ））の２．１６倍以上８．６３倍以下である、金属板。
2. 前記検査領域の面積は１．５ｍｍ^２以下である、請求項１に記載の金属板。
3. 前記窪み補正容積密度（Ｖ２（０．２μｍ））が９９６μｍ^３／ｍｍ^２以上である、請求項１又は２に記載の金属板。
4. 前記金属板は、ニッケルを含む鉄合金からなる、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の金属板。
5. 蒸着マスクを製造する方法であって、
   請求項１乃至４のいずれか一項に記載の金属板を準備する工程と、
   前記金属板をエッチングして前記金属板に貫通孔を形成する加工工程と、を備える、蒸着マスクの製造方法。
6. 蒸着マスクであって、
   表面に位置する複数の窪みを有する金属板と、
   前記金属板に形成された貫通孔と、を備え、
   前記表面は、０．１ｍｍ^２以上の面積を有する検査領域を含み、前記複数の窪みの一部が、前記検査領域に位置し、
   前記金属板は、１２０００μｍ^３／ｍｍ^２以下の窪み補正容積密度（Ｖ２（０．２μｍ））を有し、前記窪み補正容積密度（Ｖ２（０．２μｍ））は、窪み補正容積を前記検査領域の面積で割ることによって算出され、
   前記窪み補正容積は、前記検査領域に位置する前記複数の前記窪みの前記一部の、前記金属板の厚み方向において前記表面から０．２μｍ以上離れた部分の容積の総和であり、
   前記容積は、前記複数の前記窪みの前記一部の深さをレーザー顕微鏡によって測定した結果に基づいて算出され、
   前記金属板は、６０００μｍ^３／ｍｍ^２以下の窪み補正容積（Ｖ２（０．３μｍ））を有し、
   前記窪み補正容積（Ｖ２（０．３μｍ））は、前記検査領域に位置する前記複数の前記窪みの前記一部の、前記金属板の厚み方向において前記表面から０．３μｍ以上離れた部分の容積の総和を、前記検査領域の面積で割ることによって算出され、
   前記窪み補正容積密度（Ｖ２（０．２μｍ））は、窪み補正容積密度（Ｖ２（０．３μｍ））の２．１６倍以上８．６３倍以下である、蒸着マスク。
7. 前記検査領域の面積は１．５ｍｍ^２以下である、請求項６に記載の蒸着マスク。
8. 前記窪み補正容積密度（Ｖ２（０．２μｍ））が９９６μｍ^３／ｍｍ^２以上である、請求項６又は７に記載の蒸着マスク。
9. 前記金属板は、ニッケルを含む鉄合金からなる、請求項６乃至８のいずれか一項に記載の蒸着マスク。

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