CN113061843A - 制造蒸镀掩模的金属板及其制造方法、蒸镀掩模及其制造方法和具备其的蒸镀掩模装置 - Google Patents

制造蒸镀掩模的金属板及其制造方法、蒸镀掩模及其制造方法和具备其的蒸镀掩模装置 Download PDF

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Abstract

本发明涉及制造蒸镀掩模的金属板及其制造方法、蒸镀掩模及其制造方法和具备其的蒸镀掩模装置。为了制造蒸镀掩模而使用的金属板具有30μm以下的厚度。通过利用EBSD法测定出现在金属板的截面中的晶粒并对测定结果进行分析而算出的晶粒的平均截面积为0.5μm2以上且50μm2以下。平均截面积通过在将晶体取向之差为5度以上的部分认定为晶界的条件下利用面积法对由EBSD法得到的测定结果进行分析而算出。

Description

制造蒸镀掩模的金属板及其制造方法、蒸镀掩模及其制造方 法和具备其的蒸镀掩模装置
本申请是分案申请，其原申请的中国国家申请号为201811344229.1，申请日为2018年11月13日，发明名称为“制造蒸镀掩模的金属板及其制造方法、蒸镀掩模及其制造方法和具备其的蒸镀掩模装置”。
技术领域
本发明的实施方式涉及用于制造蒸镀掩模的金属板和金属板的制造方法。另外，本发明的实施方式涉及蒸镀掩模、蒸镀掩模的制造方法和具备蒸镀掩模的蒸镀掩模装置。
背景技术
近年来，对于在智能手机、平板PC等便携式装置中使用的显示装置，要求高精细，例如要求像素密度为500ppi以上。另外，对于便携式装置，应对超高分辨率(UHD)的需求也提高，该情况下，显示装置的像素密度例如优选为800ppi以上。
显示装置之中，有机EL显示装置由于响应性好、耗电低、对比度高而受到关注。作为形成有机EL显示装置的像素的方法，已知有下述方法：使用形成有以所期望的图案排列的贯通孔的蒸镀掩模，以所期望的图案形成像素。具体而言，首先使蒸镀掩模与有机EL显示装置用的基板密合，接着将密合的蒸镀掩模和基板一起投入到蒸镀装置中，进行在基板上蒸镀有机材料的蒸镀工序。由此，能够以与蒸镀掩模的贯通孔的图案对应的图案在基板上形成包含有机材料的像素。
作为蒸镀掩模的制造方法，已知有通过使用光刻技术的蚀刻在金属板形成贯通孔的方法。例如，首先通过曝光、显影处理在金属板的第1面上形成第1抗蚀剂图案，并且通过曝光、显影处理在金属板的第2面上形成第2抗蚀剂图案。接着，对金属板的第1面中未被第1抗蚀剂图案覆盖的区域进行蚀刻，在金属板的第1面上形成第1凹部。然后，对金属板的第2面中未被第2抗蚀剂图案覆盖的区域进行蚀刻，在金属板的第2面上形成第2凹部。此时，按照第1凹部与第2凹部相通的方式进行蚀刻，由此能够形成贯通金属板的贯通孔。用于制作蒸镀掩模的金属板例如通过对由包含镍的铁合金等金属构成的母材进行轧制而制作。
此外，作为蒸镀掩模的制造方法，还已知利用镀覆处理来制造蒸镀掩模的方法。例如，首先准备具有导电性的基材。接着在基材上空出规定的间隙形成抗蚀剂图案。该抗蚀剂图案设置在蒸镀掩模的贯通孔应该形成的位置。然后，向抗蚀剂图案的间隙供给镀液，通过电解镀覆处理使金属层析出到基材上。然后，将金属层从基材分离，由此能够得到形成有多个贯通孔的蒸镀掩模。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利第5382259号公报
专利文献2：日本特开2001-234385号公报
发明内容
发明所要解决的课题
为了以所期望的图案精度良好地使蒸镀材料蒸镀到基板上，优选蒸镀掩模的厚度小。另一方面，蒸镀掩模的厚度小时，构成蒸镀掩模的金属板的强度降低，在蒸镀掩模的制造工序或蒸镀掩模的使用时金属板容易产生塑性变形。
本发明的实施方式的目的在于提供能够有效地解决这样的课题的金属板。
用于解决课题的手段
本发明的一个实施方式为一种金属板，其是为了制造蒸镀掩模而使用的金属板，上述金属板由至少包含镍的铁合金的轧制材料构成，并且具有30μm以下的厚度，利用EBSD法测定上述金属板的截面中相对于与上述金属板的轧制方向正交的平面成-10°以上+10°以下的角度的截面中出现的晶粒，并对测定结果进行分析，由此算出的上述晶粒的平均截面积为0.5μm2以上且50μm2以下，上述平均截面积通过在将晶体取向之差为5度以上的部分认定为晶界的条件下利用面积法对由EBSD法得到的测定结果进行分析而算出。上述轧制材料中的镍和钴的含量可以总计为30质量％以上且38质量％以下。
本发明的一个实施方式为一种金属板，其是为了制造蒸镀掩模而使用的金属板，上述金属板由至少包含镍的铁合金的镀膜构成，并且具有30μm以下的厚度，利用EBSD法测定上述金属板的截面中相对于与上述镀膜的长度方向正交的平面成-10°以上+10°以下的角度的截面中出现的晶粒，并对测定结果进行分析，由此算出的上述晶粒的平均截面积为0.5μm2以上且50μm2以下，上述平均截面积通过在将晶体取向之差为5度以上的部分认定为晶界的条件下利用面积法对由EBSD法得到的测定结果进行分析而算出。上述镀膜中的镍和钴的含量可以总计为38质量％以上且54质量％以下。
在本发明的一个实施方式的金属板中，上述晶粒的平均截面积可以为2.0μm2以上。
本发明的一个实施方式的金属板可以具有13μm以上的厚度。
本发明的一个实施方式为一种蒸镀掩模，其具备金属板和形成在金属板的贯通孔，上述金属板由至少包含镍的铁合金的轧制材料构成，并且具有30μm以下的厚度，利用EBSD法测定上述金属板的截面中相对于与上述金属板的轧制方向正交的平面成-10°以上+10°以下的角度的截面中出现的晶粒，并对测定结果进行分析，由此算出的上述晶粒的平均截面积为0.5μm2以上且50μm2以下，上述平均截面积通过在将晶体取向之差为5度以上的部分认定为晶界的条件下利用面积法对由EBSD法得到的测定结果进行分析而算出。上述轧制材料中的镍和钴的含量可以总计为30质量％以上且38质量％以下。
本发明的一个实施方式为一种蒸镀掩模，其具备金属板和形成在金属板的贯通孔，上述金属板由至少包含镍的铁合金的镀膜构成，并且具有30μm以下的厚度，利用EBSD法测定上述金属板的截面中相对于与上述镀膜的长度方向正交的平面成-10°以上+10°以下的角度的截面中出现的晶粒，并对测定结果进行分析，由此算出的上述晶粒的平均截面积为0.5μm2以上且50μm2以下，上述平均截面积通过在将晶体取向之差为5度以上的部分认定为晶界的条件下利用面积法对由EBSD法得到的测定结果进行分析而算出。上述镀膜中的镍和钴的含量可以总计为38质量％以上且54质量％以下。
在本发明的一个实施方式的蒸镀掩模中，上述晶粒的平均截面积可以为2.0μm2以上。
在本发明的一个实施方式的蒸镀掩模中，上述金属板可以具有10μm以上的厚度。
本发明的一个实施方式为一种蒸镀掩模装置，其具备上述记载的蒸镀掩模和焊接有上述蒸镀掩模的框架。
本发明的一个实施方式为一种蒸镀掩模的制造方法，其具备：准备上述记载的金属板的工序、将上述金属板沿着长度方向输送的工序、和在上述金属板形成贯通孔的加工工序。
本发明的一个实施方式为一种金属板的制造方法，其是为了制造蒸镀掩模而使用的金属板的制造方法，上述制造方法具备通过轧制法作为轧制材料得到上述金属板的制作工序，上述金属板由包含镍的铁合金构成，并且具有30μm以下的厚度，利用EBSD法测定上述金属板的截面中相对于与轧制材料的轧制方向正交的平面成-10°以上+10°以下的角度的截面中出现的晶粒，并对测定结果进行分析，由此算出的上述晶粒的平均截面积为0.5μm2以上且50μm2以下，上述平均截面积通过在将晶体取向之差为5度以上的部分认定为晶界的条件下利用面积法对由EBSD法得到的测定结果进行分析而算出。上述制作工序可以具有：轧制工序，对母材进行轧制；退火工序，在对轧制后的上述母材进行输送的同时，在500℃～600℃的范围内用时30秒～90秒进行退火。
本发明的一个实施方式一种金属板的制造方法，其是为了制造蒸镀掩模而使用的金属板的制造方法，上述制造方法具备利用镀覆法作为镀膜得到上述金属板的制作工序，上述金属板由至少包含镍的铁合金构成，并且具有30μm以下的厚度，利用EBSD法测定上述金属板的截面中相对于与镀膜的长度方向正交的平面成-10°以上+10°以下的角度的截面中出现的晶粒，并对测定结果进行分析，由此算出的上述晶粒的平均截面积为0.5μm2以上且50μm2以下，
上述平均截面积通过在将晶体取向之差为5度以上的部分认定为晶界的条件下利用面积法对由EBSD法得到的测定结果进行分析而算出。上述制作工序可以具有：一边使部分浸渍在镀液中的滚筒旋转，一边在滚筒的表面形成镀膜的工序；和通过将上述镀膜从上述滚筒上剥离而得到长条状的由上述镀膜构成的上述金属板的工序。
发明的效果
根据本发明的实施方式，具有30μm以下的厚度的金属板的强度和焊接性良好。
附图说明
图1是示出具备本发明的一个实施方式的蒸镀掩模装置的蒸镀装置的图。
图2是示出使用图1所示的蒸镀掩模装置制造的有机EL显示装置的截面图。
图3是示出本发明的一个实施方式的蒸镀掩模装置的俯视图。
图4是示出图3所示的蒸镀掩模的有效区域的局部俯视图。
图5是沿图4的V-V线的截面图。
图6是示出对母材进行轧制而得到具有所期望的厚度的金属板的工序的图。
图7是示出对通过轧制得到的金属板进行退火的工序的图。
图8是示出包含从金属板提取的试验片的试样的图。
图9是示出对包含试验片的试样的倾斜角度进行调节的工序的一例的图。
图10是示出基于EBSD法的测定结果进行分析的试验片的截面中出现的晶粒的一例的图。
图11是用于整体地说明蒸镀掩模的制造方法的一例的示意图。
图12是示出在金属板上形成抗蚀剂图案的工序的图。
图13是示出第1面蚀刻工序的图。
图14是示出第2面蚀刻工序的图。
图15是示出从金属板上除去树脂和抗蚀剂图案的工序的图。
图16是示出在金属板局部产生的变形部的一例的图。
图17是示出图16的金属板的变形部的截面形状的一例的图。
图18是示出在对蒸镀掩模施加张力的状态下调节蒸镀掩模相对于框架的位置的张紧工序的一例的图。
图19A是示出将蒸镀掩模焊接在框架上的焊接工序的图。
图19B是示出通过焊接工序形成的焊接部的图。
图20是示出不优选的焊接部的一例的图。
图21是将图20的焊接部放大显示的图。
图22是示出优选的焊接部的一例的图。
图23是将图22的焊接部放大显示的图。
图24是示出对焊接部的焊接强度进行测定的方法的一例的图。
图25是示出例1～例16的金属板的评价结果的图。
图26是示出例1～例16的金属板的厚度和晶粒的平均截面积的散点图。
图27是示出筛选出的多个金属板所具有的晶粒的平均截面积的分布的一例的图。
图28是示出筛选出的多个金属板所具有的晶粒的平均截面积的分布的一例的图。
图29是示出筛选出的多个金属板所具有的晶粒的平均截面积的分布的一例的图。
符号说明
10 蒸镀掩模装置
15 框架
19 焊接部
20 蒸镀掩模
22 有效区域
23 周围区域
25 贯通孔
28 变形部
30 第1凹部
31 壁面
35 第2凹部
36 壁面
41 连接部
41a 缺失部
43 顶部
50 试验片
50c 截面
51 晶粒
52 晶界
54 裂纹
55 树脂
56 试样
57 物镜
58 EBSD检测器
59 制造装置
64 金属板
65a 第1抗蚀剂图案
65b 第2抗蚀剂图案
70 加工装置
72 输送辊
73 分离装置
90 蒸镀装置
92 有机EL基板
98 蒸镀材料
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的一个实施方式进行说明。需要说明的是，在本说明书所附的附图中，为了便于图示和易于理解，将比例尺和纵横的尺寸比等由实物的尺寸适当进行了变更、夸大。
需要说明的是，本发明的实施方式可以在不产生矛盾的范围内与其他实施方式或变形例组合。另外，其他实施方式彼此或其他实施方式与变形例也可以在不产生矛盾的范围内进行组合。另外，变形例彼此也可以在不产生矛盾的范围内进行组合。
另外，本发明的实施方式中，在关于制造方法等方法公开了多个工序的情况下，可以在所公开的工序之间实施未公开的其他工序。另外，所公开的工序的顺序在不产生矛盾的范围内是任意的。
图1～图22是用于说明本发明的一个实施方式的图。在以下的实施方式及其变形例中，举出在制造有机EL显示装置时为了将有机材料以所期望的图案在基板上图案化而使用的蒸镀掩模的制造方法为例进行说明。但是，并不限于这样的应用，可以对各种用途中使用的蒸镀掩模应用本发明的实施方式。
需要说明的是，本说明书中，术语“板”、“片”、“膜”并不是仅基于称呼的差异来相互区分的。例如，“板”是也包括可称为片或膜的部件的概念。
另外，“板面(片面、膜面)”是指在整体上且大局上观察作为对象的板状(片状、膜状)的部件的情况下与作为对象的板状部件(片状部件、膜状部件)的平面方向一致的面。另外，对于板状(片状、膜状)的部件所使用的法线方向是指相对于该部件的板面(片材面、膜面)的法线方向。
此外，关于本说明书中使用的用于指定形状或几何学的条件和物理的特性以及它们的程度的、例如“平行”、“正交”、“相同”、“同等”等术语和长度、角度以及物理特性的值等，不限于严格的含义，包括可期待同样功能的程度的范围来进行解释。
首先，参照图1对于在对象物上实施蒸镀材料的蒸镀的蒸镀处理的蒸镀装置90进行说明。如图1所示，蒸镀装置90可以在其内部具备蒸镀源(例如坩埚94)、加热器96和蒸镀掩模装置10。另外，蒸镀装置90可以进一步具备用于使蒸镀装置90的内部形成真空气氛的排气单元。坩埚94容纳有机发光材料等蒸镀材料98。加热器96对坩埚94进行加热，在真空气氛下使蒸镀材料98蒸发。蒸镀掩模装置10按照与坩埚94对置的方式配置。
以下，对蒸镀掩模装置10进行说明。如图1所示，蒸镀掩模装置10可以具备蒸镀掩模20和支撑蒸镀掩模20的框架15。框架15将蒸镀掩模20以沿其面方向拉伸的状态进行支撑，以使蒸镀掩模20不会挠曲。如图1所示，蒸镀掩模装置10按照蒸镀掩模20与作为蒸镀材料98的附着对象物的基板、例如有机EL基板92面对的方式配置在蒸镀装置90内。在以下的说明中，将蒸镀掩模20的面中有机EL基板92侧的面称为第1面20a，将位于第1面20a的相反侧的面称为第2面20b。
如图1所示，蒸镀装置90可以具备配置在有机EL基板92的与蒸镀掩模20相反一侧的面上的磁铁93。通过设置磁铁93，利用磁力将蒸镀掩模20向磁铁93侧吸引，能够使蒸镀掩模20与有机EL基板92密合。
图3是示出从蒸镀掩模20的第1面20a侧观察蒸镀掩模装置10的情况的俯视图。如图3所示，蒸镀掩模装置10可以具备多个蒸镀掩模20。各蒸镀掩模20可以包含一对长边26和一对短边27。例如，各蒸镀掩模20可以具有矩形的形状。各蒸镀掩模20可以在一对短边27或其附近的部分通过例如焊接固定于框架15上。
蒸镀掩模20可以包含形成有贯通蒸镀掩模20的多个贯通孔25的金属制的板状基材。从坩埚94蒸发并到达蒸镀掩模装置10的蒸镀材料98通过蒸镀掩模20的贯通孔25附着到有机EL基板92上。由此，能够以与蒸镀掩模20的贯通孔25的位置对应的所期望的图案将蒸镀材料98成膜于有机EL基板92的表面。
图2是示出使用图1的蒸镀装置90制造的有机EL显示装置100的截面图。有机EL显示装置100具备有机EL基板92和包含以图案状设置的蒸镀材料98的像素。
需要说明的是，在想要利用多种颜色进行彩色显示的情况下，分别准备搭载有与各颜色对应的蒸镀掩模20的蒸镀装置90，将有机EL基板92依次投入各蒸镀装置90中。由此，例如，能够在有机EL基板92上依次蒸镀红色用的有机发光材料、绿色用的有机发光材料和蓝色用的有机发光材料。
另外，蒸镀处理有时在成为高温气氛的蒸镀装置90的内部实施。该情况下，在蒸镀处理的期间，保持于蒸镀装置90的内部的蒸镀掩模20、框架15和有机EL基板92也被加热。此时，蒸镀掩模20、框架15和有机EL基板92显示出基于各自的热膨胀系数的尺寸变化行为。该情况下，若蒸镀掩模20或框架15与有机EL基板92的热膨胀系数有大幅差异，则会产生由它们的尺寸变化的差异引起的位置偏移，其结果，附着在有机EL基板92上的蒸镀材料的尺寸精度、位置精度降低。
为了解决这样的课题，优选蒸镀掩模20和框架15的热膨胀系数为与有机EL基板92的热膨胀系数同等的值。例如，在使用玻璃基板作为有机EL基板92的情况下，作为蒸镀掩模20和框架15的主要材料，可以使用包含镍的铁合金。铁合金除了包含镍以外可以进一步包含钴。例如，作为构成蒸镀掩模20的基材的材料，可以使用镍和钴的含量总计为30质量％以上且54质量％以下、并且钴的含量为0质量％以上且6质量％以下的铁合金。作为包含镍或镍和钴的铁合金的具体例，可以举出包含34质量％以上且38质量％以下的镍的因瓦合金材料、除了包含30质量％以上且34质量％以下的镍以外还进一步包含钴的超因瓦合金材料、包含38质量％以上且54质量％以下的镍的低热膨胀Fe-Ni系镀覆合金等。
需要说明的是，在蒸镀处理时蒸镀掩模20、框架15和有机EL基板92的温度未达到高温的情况下，没有特别地使蒸镀掩模20和框架15的热膨胀系数与有机EL基板92的热膨胀系数为同等的值的必要。该情况下，作为构成蒸镀掩模20的材料，可以使用上述铁合金以外的材料。例如，可以使用包含铬的铁合金等上述包含镍的铁合金以外的铁合金。作为包含铬的铁合金，例如可以使用称为所谓不锈钢的铁合金。另外，也可以使用镍或镍-钴合金等铁合金以外的合金。
接着，对蒸镀掩模20进行详细说明。如图3所示，蒸镀掩模20可以具备包含蒸镀掩模20的一对短边27的一对边缘部(第1边缘部17a和第2边缘部17b)、以及位于一对边缘部17a、17b之间的中间部18。
首先，对边缘部17a、17b进行详细说明。边缘部17a、17b是蒸镀掩模20中固定于框架15的部分。在本实施方式中，边缘部17a、17b与中间部18一体地构成。需要说明的是，边缘部17a、17b也可以由与中间部18分开的部件构成。该情况下，边缘部17a、17b例如通过焊接与中间部18接合。
(中间部)
接着，对中间部18进行说明。中间部18可以包含形成有从第1面20a至第2面20b的贯通孔25的至少1个有效区域22、以及包围有效区域22的周围区域23。有效区域22是蒸镀掩模20中与有机EL基板92的显示区域面对的区域。
在图3所示的例中，中间部18包含沿着蒸镀掩模20的长边26空出规定间隔而排列的多个有效区域22。一个有效区域22对应于一个有机EL显示装置100的显示区域。因此，根据图1所示的蒸镀掩模装置10，能够进行有机EL显示装置100的逐段重复蒸镀(多面付蒸着)。需要说明的是，也有一个有效区域22对应于多个显示区域的情况。
如图3所示，有效区域22可以具有例如在俯视时为近似四边形形状、更准确地说在俯视时为近似矩形的轮廓。需要说明的是，虽未进行图示，但各有效区域22可以根据有机EL基板92的显示区域的形状具有各种形状的轮廓。例如各有效区域22可以具有圆形的轮廓。
以下，对有效区域22进行详细说明。图4是从蒸镀掩模20的第2面20b侧将有效区域22放大显示的俯视图。如图4所示，在图示的例中，形成在各有效区域22的多个贯通孔25在该有效区域22中沿着相互正交的两个方向分别以规定的间距排列。
图5是图4的有效区域22的沿V-V方向的截面图。如图5所示，多个贯通孔25从作为沿着蒸镀掩模20的法线方向N的一侧的第1面20a贯通至作为沿着蒸镀掩模20的法线方向N的另一侧的第2面20b。在图示的例中，如下文中详细所述，在作为蒸镀掩模20的法线方向N上的一侧的金属板64的第1面64a上通过蚀刻形成第1凹部30，在作为蒸镀掩模20的法线方向N上的另一侧的金属板64的第2面64b上形成第2凹部35。第1凹部30与第2凹部35连接，由此以第2凹部35与第1凹部30相互连通的方式形成。贯通孔25由第2凹部35和与第2凹部35连接的第1凹部30构成。如图4和图5所示，第1凹部30的壁面31与第2凹部35的壁面36藉由周状的连接部41而连接。连接部41在蒸镀掩模20的俯视时绘成贯通孔25的开口面积最小的贯通部42。
如图5所示，在蒸镀掩模20的第1面20a侧，相邻的两个贯通孔25沿着金属板64的第1面64a相互隔开。在蒸镀掩模20的第2面20b侧，相邻的两个第2凹部35也可以沿着金属板64的第2面64b相互隔开。即，在相邻的两个第2凹部35之间可以残留有金属板64的第2面64b。在以下的说明中，将金属板64的第2面64b的有效区域22中未被蚀刻而残留的部分也称为顶部43。通过以残留这种顶部43的方式制作蒸镀掩模20，能够使蒸镀掩模20具有充分的强度。由此，例如在输送中等能够抑制蒸镀掩模20破损。需要说明的是，顶部43的宽度β过大时，有时在蒸镀工序中会产生阴影，由此使蒸镀材料98的利用效率降低。因此，优选按照顶部43的宽度β不会过大的方式制作蒸镀掩模20。所谓阴影是蒸镀材料向有机EL基板92等蒸镀对象物中与蒸镀掩模20的贯通孔重叠的区域的附着因蒸镀掩模20的第2面20b或壁面而受到阻碍的现象。
在如图1所示蒸镀掩模装置10容纳于蒸镀装置90中的情况下，如图5中双点划线所示，蒸镀掩模20的第1面20a与有机EL基板92面对，蒸镀掩模20的第2面20b位于保持有蒸镀材料98的坩埚94侧。因此，蒸镀材料98通过开口面积逐渐减小的第2凹部35而附着于有机EL基板92上。如图5中从第2面20b侧朝向第1面20a的箭头所示，蒸镀材料98从坩埚94向有机EL基板92不仅沿有机EL基板92的法线方向N移动，而且也有时沿相对于有机EL基板92的法线方向N大幅倾斜的方向移动。此时，若蒸镀掩模20的厚度大，则斜向移动的蒸镀材料98容易卡在顶部43、第2凹部35的壁面36或第1凹部30的壁面31上，其结果，无法通过贯通孔25的蒸镀材料98的比例增多。因此，为了提高蒸镀材料98的利用效率，认为优选使蒸镀掩模20的厚度t小，由此使第2凹部35的壁面36、第1凹部30的壁面31的高度小。即，可以说，作为用于构成蒸镀掩模20的金属板64，优选使用在能够确保蒸镀掩模20的强度的范围内厚度t尽可能小的金属板64。考虑这一点，在本实施方式中，蒸镀掩模20的厚度t例如为30μm以下、优选为25μm以下、进一步优选为20μm以下。蒸镀掩模20的厚度t也可以为18μm以下，也可以为15μm以下。另一方面，蒸镀掩模20的厚度过于减小时，蒸镀掩模20的强度降低，蒸镀掩模20容易产生损伤、变形。考虑这一点，蒸镀掩模20的厚度t可以为5μm以上，也可以为7μm以上，也可以为10μm以上，也可以为13μm以上，也可以为15μm以上。需要说明的是，厚度t是周围区域23的厚度、即蒸镀掩模20中未形成第1凹部30和第2凹部35的部分的厚度。因此，厚度t也可以说是金属板64的厚度。
蒸镀掩模20的厚度t的范围可以通过上述多个上限的候补值中的任意1个与上述多个下限的候补值中的任意1个的组合来规定。例如，蒸镀掩模20的厚度t可以为5μm以上30μm以下，也可以为7μm以上25μm以下，也可以为10μm以上20μm以下，也可以为13μm以上18μm以下。另外，蒸镀掩模20的厚度t的范围可以通过上述多个上限的候补值中的任意2个的组合来规定。例如，蒸镀掩模20的厚度t可以为25μm以上300μm以下。另外，蒸镀掩模20的厚度t的范围可以通过上述多个下限的候补值中的任意2个的组合来规定。例如，蒸镀掩模20的厚度t可以为5μm以上7μm以下。
图5中，通过贯通孔25的作为具有最小开口面积的部分的连接部41和第2凹部35的壁面36的其他任意位置的直线L1相对于蒸镀掩模20的法线方向N所成的最小角度由符号θ1表示。为了使斜向移动的蒸镀材料98不到达壁面36而尽可能地到达有机EL基板92，增大角度θ1是有利的。在增大角度θ1的方面，除了减小蒸镀掩模20的厚度t以外，减小上述顶部43的宽度β也是有效的。
图5中，符号α表示金属板64的第1面64a的有效区域22中未被蚀刻而残留的部分(以下也称为肋部)的宽度。肋部的宽度α和贯通部42的尺寸r根据有机EL显示装置的尺寸和显示像素数而适当确定。例如，肋部的宽度α为5μm以上且40μm以下，贯通部42的尺寸r为10μm以上且60μm以下。
肋部的宽度α可以为10μm以上，也可以为15μm以上，也可以为20μm以上。另外，肋部的宽度α可以为35μm以下，也可以为30μm以下，也可以为25μm以下。肋部的宽度α的范围可以通过上述多个上限的候补值中的任意1个与上述多个下限的候补值中的任意1个的组合来规定。例如，肋部的宽度α可以为10μm以上35μm以下，也可以为15μm以上30μm以下，也可以为20μm以上25μm以下。另外，肋部的宽度α的范围可以通过上述多个上限的候补值中的任意2个的组合来规定。例如，肋部的宽度α可以为35μm以上40μm以下。另外，肋部的宽度α的范围可以通过上述多个下限的候补值中的任意2个的组合来规定。例如，肋部的宽度α可以为5μm以上10μm以下。
贯通部42的尺寸r可以为15μm以上，也可以为20μm以上，也可以为25μm以上，也可以为30μm以上。另外，贯通部42的尺寸r的下限也可以小于上述的10μm。例如，贯通部42的尺寸r可以为5μm以上。另外，贯通部42的尺寸r可以为55μm以下，也可以为50μm以下，也可以为45μm以下，也可以为40μm以下，也可以为35μm以下。贯通部42的尺寸r的范围可以通过上述多个上限的候补值中的任意1个与上述多个下限的候补值中的任意1个的组合来规定。例如，贯通部42的尺寸r可以为15μm以上55μm以下，也可以为20μm以上50μm以下，也可以为25μm以上45μm以下，也可以为30μm以上40μm以下，也可以为30μm以上35μm以下。另外，贯通部42的尺寸r的范围可以通过上述多个上限的候补值中的任意2个的组合来规定。例如，贯通部42的尺寸r可以为55μm以上60μm以下。另外，贯通部42的尺寸r的范围可以通过上述多个下限的候补值中的任意2个的组合来规定。例如，贯通部42的尺寸r可以为5μm以上10μm以下。
需要说明的是，图4和图5中，示出了在相邻的两个第2凹部35之间残留有金属板64的第2面64b的例子，但不限于此。虽未图示，但也可以按照相邻的两个第2凹部35连接的方式实施蚀刻。即，可以存在在相邻的两个第2凹部35之间未残留金属板64的第2面64b的部位。
接着，对制造蒸镀掩模20的方法进行说明。
首先，对为了制造蒸镀掩模而使用的金属板的制造方法进行说明。本实施方式中，对金属板由包含镍的铁合金的轧制材料构成的例子进行说明。轧制材料可以具有30μm以下的厚度。另外，轧制材料可以包含30质量％以上且38质量％以下的镍、0质量％以上6质量％以下的钴、余量的铁和不可避免的杂质。
首先，准备铁和镍以及其他原材料。例如，按照相对于原材料整体铁的比例和镍的比例分别为约64重量％和约36重量％的方式准备各原材料。接着，根据需要将各原材料粉碎后，实施将各原材料在熔炼炉中熔解的熔解工序。例如，利用电弧放电等气体放电将各原材料熔解、混合。由此，能够得到用于金属板的母材。
熔解时的温度根据原材料进行设定，例如为1500℃以上。熔解工序可以包括为了进行脱氧、脱水、脱氮等而将铝、锰、硅等投入到熔炼炉中的工序。另外，熔解工序可以在比大气压低的低压状态下在氩气等不活性气体的气氛下实施。
将母材从熔炼炉中取出后，可以实施将母材的表面削除的磨削工序。由此，能够除去氧化皮等氧化物的覆膜。具体的磨削方法没有特别限定，可以采用使砂轮旋转来削除母材的表面的所谓磨削法、将母材压入至切削工具来削除母材的表面的所谓压入法等。磨削工序可以按照母材的厚度变得均匀的方式实施。
接着，如图6所示，实施将由包含镍的铁合金构成的母材60进行轧制的轧制工序。例如，向着包含一对轧制辊(工作辊)66a、66b的轧制装置66，沿箭头D1所示的方向一边施加拉伸张力一边输送母材60。到达一对轧制辊66a、66b之间的母材60被一对轧制辊66a、66b进行轧制，其结果，母材60在其厚度降低的同时沿输送方向被拉伸。由此，能够得到具有规定厚度的金属板64。如图6所示，可以通过将金属板64卷取至芯材61上而形成卷绕体62。
需要说明的是，图6只不过示出轧制工序的概要，用于实施轧制工序的具体构成和步骤没有特别限定。例如轧制工序可以包括：在使构成母材60的铁合金的晶体排列发生变化的温度以上的温度下对母材进行加工的热轧工序；在使铁合金的晶体排列发生变化的温度以下的温度下对母材进行加工的冷轧工序。另外，使母材60或金属板64在一对轧制辊66a、66b之间通过时的方向不限定于一个方向。例如，在图6和图7中，可以通过以从纸面左侧朝向右侧的方向和从纸面右侧朝向左侧的方向使母材60或金属板64反复在一对轧制辊66a、66b之间通过而缓慢地对母材60或金属板64进行轧制。
在轧制工序中，可以通过调节轧制率来调节金属板64中含有的晶粒的尺寸。例如，通过提高轧制率，能够减小金属板64中含有的晶粒的尺寸。从减小晶粒尺寸的方面出发，优选将轧制率设定为最大值。另外，通过降低轧制率，能够增大金属板64中含有的晶粒的尺寸。
轧制率通过下式算出。
轧制率(％)＝((T1-T2)/T1)×100
T1为轧制工序实施前的金属板64的厚度，T2为轧制工序实施后的金属板64的厚度。
轧制工序中的金属板64的轧制率优选为70％以上。由此，如后所述，能够使金属板64的晶粒的平均截面积为50μm2以下。轧制工序中的金属板64的轧制率可以为75％以上，也可以为80％以上，也可以为85％以上。另外，轧制工序中的金属板64的轧制率优选为95％以下。由此，如后所述，能够使金属板64的晶粒的平均截面积为50μm2以下。轧制工序中的金属板64的轧制率可以为90％以下，也可以为85％以下。
轧制工序中的金属板64的轧制率的范围可以通过多个上限的候补值中的任意1个与多个下限的候补值中的任意1个的组合来规定。例如，轧制率可以为70％以上95％以下，也可以为75％以上90％以下，也可以为80％以上85％以下。另外，轧制工序中的金属板64的轧制率的范围可以通过多个上限的候补值中的任意2个的组合来规定。例如，轧制率可以为90％以上95％以下。另外，轧制工序中的金属板64的轧制率的范围可以通过多个下限的候补值中的任意2个的组合来规定。例如，轧制率可以为70％以上75％以下。
轧制工序中，可以对轧制速度、即金属板64的输送速度进行调节。例如，增大轧制速度时，卷入到金属板64与轧制辊66a、66b之间的轧制油的量增加。由此，能够抑制在金属板64的表面形成油坑。这样，通过调节金属板64的输送速度，能够控制金属板64的表面的油坑的密度等。轧制速度可以为50m/分钟以上，也可以为70m/分钟以上，也可以为100m/分钟以上。另外，轧制速度优选为200m/分钟以下。轧制速度可以为150m/分钟以下，也可以为100m/分钟以下，也可以为80m/分钟以下。
轧制速度可以通过多个上限的候补值中的任意1个与多个下限的候补值中的任意1个的组合来规定。例如，轧制速度可以为30m/分钟以上200m/分钟以下，也可以为50m/分钟以上150m/分钟以下。另外，轧制速度的范围可以通过多个上限的候补值中的任意2个的组合来规定。例如，轧制速度可以为150m/分钟以上200m/分钟以下，也可以为100m/分钟以上150m/分钟以下。另外，轧制速度的范围可以通过多个下限的候补值中的任意2个的组合来规定。例如，轧制速度的范围可以为30m/分钟以上50m/分钟以下，也可以为50m/分钟以上70m/分钟以下。轧制速度优选为30m/分钟以上200m/分钟以下，更优选为30m/分钟以上150m/分钟以下，更优选为30m/分钟以上100m/分钟以下，更优选为30m/分钟以上80m/分钟以下。
另外，可以对轧制辊的直径进行调节。例如，增大轧制辊的直径时，形成在金属板64的表面的油坑增加。这样，通过调节轧制辊的直径，能够控制金属板64的表面的油坑的密度等。轧制辊的直径优选为28mm以上。轧制辊的直径可以为40mm以上，也可以为50mm以上。另外，轧制辊的直径优选为150mm以下。轧制辊的直径可以为120mm以下，也可以为100mm，也可以为80mm以下。
轧制辊的直径的范围可以通过多个上限的候补值中的任意1个与多个下限的候补值中的任意1个的组合来规定。例如，轧制辊的直径可以为28mm以上150mm以下，也可以为40mm以上120mm以下。另外，轧制辊的直径的范围可以通过多个上限的候补值中的任意2个的组合来规定。例如，轧制辊的直径可以为120mm以上150mm以下。另外，轧制辊的直径的范围可以通过多个下限的候补值中的任意2个的组合来规定。例如，轧制辊的直径可以为28mm以上40mm以下。轧制辊的直径优选为28mm以上150mm以下，更优选为40mm以上120mm以下，更优选为50mm以上100mm以下，更优选为50mm以上80mm以下。
另外，轧制工序中，为了调节金属板64的形状，可以对轧制调节器的压力进行调节。另外，除了轧制辊(工作辊)66a、66b以外，还可以适当调节支持辊的形状，也可以在板宽方向上适当调节支持辊的位置。
另外，冷轧工序中，可以在母材60与轧制辊66a、66b之间供给煤油、净油等冷却剂。由此，能够控制母材的温度。
另外，通过适当选择冷却剂，能够调节形成在金属板64的表面的油坑或轧制条纹的数量、面积等。例如，可以使用净油作为冷却剂。净油具有轧制时粘度不易升高的特性。因此，通过使用净油作为冷却剂，能够降低卷入到金属板64与轧制辊66a、66b之间的冷却剂的量。由此，能够抑制在金属板64的表面形成油坑。
另外，通过适当选择轧制辊的表面粗糙度，也能够调节形成在金属板64的表面的油坑或轧制条纹的数量、面积等。例如，通过减小轧制辊的表面粗糙度Ra，能够抑制在金属板64的表面形成轧制条纹。轧制辊的表面粗糙度Ra优选为0.2μm以下。轧制辊的表面粗糙度Ra可以为0.15μm以下，也可以为0.1μm以下，也可以为0.05μm以下。轧制辊的表面粗糙度Rz优选为2.0μm以下。轧制辊的表面粗糙度Rx可以为1.5μm以下，也可以为1.0μm以下，也可以为0.5μm以下。另外，轧制辊的表面粗糙度Rz优选为2.0μm以下。轧制辊的表面粗糙度Rz可以为1.5μm以下，也可以为1.0μm以下，也可以为0.5μm以下。表面粗糙度Ra、Rz基于JIS B0601：2013进行测定。
另外，在轧制工序的前后或轧制工序之间，可以实施对母材60或金属板64的品质、特性进行分析的分析工序。例如，可以对母材60或金属板64照射荧光X射线来对分析组成。另外，可以通过热机械分析(TMA：Thermomechanical Analysis)测定母材60或金属板64的热膨胀量。
(退火工序)
然后，为了除去因轧制而蓄积在金属板64内的残余应力，如图7所示，可以实施使用退火装置67对金属板64进行退火的退火工序。如图7所示，退火工序可以在将金属板64沿输送方向(长度方向)拉伸的同时来实施。即，退火工序可以以并非所谓的间歇式退火、而是在输送同时进行的连续退火来实施。该情况下，为了抑制金属板64产生压曲弯折等变形，优选对温度、输送速度进行设定。通过实施退火工序，能够得到一定程度除去了残余应变的金属板64。需要说明的是，图7中，示出了退火工序时将金属板64沿水平方向输送的例子，但不限于此，退火工序时也可以将金属板64沿垂直方向等其他方向进行输送。
退火工序的条件根据金属板64的厚度、轧制率等进行适当设定，例如，在500℃以上600℃以下的范围内用时30秒以上90秒以下实施退火工序。需要说明的是，上述的秒数表示在退火装置67中金属板64通过调节至规定温度的空间所需要的时间。退火工序的温度可以按照金属板64不发生软化的方式进行设定。
退火工序的温度的下限可以低于上述的500℃。例如，退火工序的温度可以为400℃以上，也可以为450℃以上。另外，退火工序的温度的上限可以高于上述的600℃。例如，退火工序的温度可以为700℃以下，也可以为650℃以下。另外，退火工序的温度的范围可以通过上述多个上限的候补值中的任意1个与上述多个下限的候补值中的任意1个的组合来规定。例如，退火工序的温度可以为400℃以上700℃以下，也可以为450℃以上650℃以下。另外，退火工序的温度的范围可以通过上述多个上限的候补值中的任意2个的组合来规定。例如，退火工序的温度可以为650℃以上700℃以下。另外，退火工序的温度的范围可以通过上述多个下限的候补值中的任意2个的组合来规定。例如，退火工序的温度可以为400℃以上450℃以下。
退火工序的时间可以为40秒以上，也可以为50秒以上。另外，退火工序的时间的下限可以短于上述的30秒。例如，退火工序的时间可以为10秒以上，也可以为20秒以上。另外，退火工序的时间可以为80秒以下，也可以为70秒以下，也可以为60秒以下。另外，退火工序的时间的上限可以长于上述的90秒。例如，退火工序的时间可以为100秒以下。另外，退火工序的时间的范围可以通过上述多个上限的候补值中的任意1个与上述多个下限的候补值中的任意1个的组合来规定。例如，退火工序的时间可以为10秒以上100秒以下，也可以为20秒以上90秒以下，也可以为30秒以上80秒以下，也可以为40秒以上70秒以下，也可以为50秒以上60秒以下。另外，退火工序的时间的范围可以通过上述多个上限的候补值中的任意2个的组合来规定。例如，退火工序的时间可以为90秒以上100秒以下。另外，退火工序的时间的范围可以通过上述多个下限的候补值中的任意2个的组合来规定。例如，退火工序的时间可以为10秒以上20秒以下。
优选上述退火工序在非还原气氛或不活性气体气氛中实施。此处，非还原气氛是指不含氢气等还原性气体的气氛。“不含还原性气体”是指氢气等还原性气体的浓度为10％以下。退火工序中，还原性气体的浓度可以为8％以下，也可以为6％以下，也可以为4％以下，也可以为2％以下，也可以为1％以下。另外，不活性气体气氛是指氩气、氦气、氮气等不活性气体的浓度为90％以上的气氛。退火工序中，不活性气体的浓度可以为92％以上，也可以为94％以上，也可以为96％以上，也可以为98％以上，也可以为99％以上。通过在非还原气氛或不活性气体气氛中实施退火工序，能够抑制在金属板64的表面层生成镍氢氧化物等镍化合物。退火装置67可以具有监控不活性气体的浓度的单元或调节不活性气体的浓度的单元。
在退火工序之前，可以实施对金属板64进行清洗的清洗工序。由此，能够在退火工序时抑制异物附着于金属板64的表面。作为用于清洗的清洗液，例如使用烃系的液体。
另外，图7中，示出了在将金属板64沿长度方向拉伸的同时实施退火工序的例子，但不限于此，也可以在金属板64卷取于芯材61上的状态下实施退火工序。即，也可以实施间歇式退火。需要说明的是，在金属板64卷取于芯材61上的状态下实施退火工序的情况下，有时金属板64上会产生与卷绕体62的卷取直径对应的翘曲这样的不良情况。因此，根据卷绕体62的卷绕直径和构成母材60的材料的不同，在将金属板64沿长度方向拉伸的同时实施退火工序是有利的。
然后，为了使金属板64的宽度为规定范围内，可以实施分切工序，该分切工序中，将通过轧制工序得到的金属板64的宽度方向的两端分别以规定的范围切去。该分切工序是为了除去因轧制可能在金属板64的两端产生的裂纹而实施的。通过实施这样的分切工序，能够防止以裂纹为起点而产生金属板64断裂的现象(所谓的板裂)。
分切工序中被切去的部分的宽度可以按照分切工序后的金属板64的形状在宽度方向上左右对称的方式进行调节。另外，也可以在上述退火工序之前实施分切工序。
需要说明的是，可以通过多次重复进行上述轧制工序、退火工序和分切工序中的至少2个工序来制作规定厚度的长条状的金属板64。
退火工序之后，实施对金属板64的截面中出现的晶粒的尺寸进行检查的晶粒检查工序。具体而言，对晶粒的平均截面积是否为第1阈值以上且第2阈值以下进行检查。以下，对实施这样的检查的背景进行说明。
本发明人反复进行了深入研究，结果发现，当金属板64的厚度减小时，金属板64或由金属板64制造的蒸镀掩模20容易形成特定的变形部。变形部例如为局部的突起或凹陷等。变形部例如是在蒸镀掩模20的制造工序中输送金属板64时、或处理由金属板64制造的蒸镀掩模20时产生的。金属板64的厚度越小，越容易产生变形部。例如，在金属板64的厚度为30μm以下的情况下容易产生，在25μm以下的情况下更容易产生，在20μm以下的情况下更容易产生。
作为金属板64的厚度小的情况下容易产生变形的原因，考虑是金属板64的强度的降低。另一方面，作为在金属板64的厚度小的情况下也确保金属板64的强度的方法，考虑可减小金属板64的晶粒的尺寸。
作为晶粒的尺寸的指标，认为有晶粒的粒径、晶粒的截面积、晶粒的体积等。此处，本案发明人反复进行了深入研究，结果发现，作为定量地掌握具有30μm以下的厚度的金属板64的晶粒尺寸的方法，基于电子背散射衍射法(以下也称为EBSD(Electron BackscatterDiffraction Patterns)法)计算晶粒的平均截面积的方法在精度等方面优良。因此，本实施方式中，提出对金属板64的晶粒的平均截面积是否为第2阈值以下进行检查。第2阈值根据金属板64要求的强度来确定，例如为50μm2。第2阈值可以为45μm2，也可以为40μm2，也可以为35μm2，也可以为30μm2，也可以为25μm2。关于利用EBSD法的测定方法的详细情况下文中记述。
另一方面，本案发明人反复进行了深入研究，结果发现，金属板64的晶粒的尺寸过于减小时，金属板64的焊接性降低。例如发现了，在将由金属板64制造的蒸镀掩模20焊接于框架15上时，容易在金属板64的表面产生裂纹。考虑这一点，本实施方式中，提出对金属板64的晶粒的平均截面积是否为第1阈值以上进行检查。第1阈值根据金属板64要求的焊接性来确定，例如为0.5μm2。第1阈值可以为2μm2，也可以为5μm2，也可以为10μm2，也可以为15μm2，也可以为20μm2。
检查工序中，例如，将晶粒的平均截面积为0.5μm2以上且50μm2以下的金属板64判定为合格。另外，将晶粒的平均截面积小于0.5μm2或超过50μm2的金属板64判定为不合格。
检查工序中判定为合格的金属板64的晶粒的平均截面积的范围可以通过用于规定上限的上述多个第2阈值的候选中的任意1个与用于规定下限的上述多个下限的第1阈值的候选中的任意1个的组合来规定。例如，判定为合格的金属板64、即筛选出的金属板64的晶粒的平均截面积可以为2μm2以上45μm2以下，也可以为5μm2以上40μm2以下，也可以为10μm2以上35μm2以下，也可以为15μm2以上30μm2以下，也可以为20μm2以上25μm2以下。另外，筛选出的金属板64的晶粒的平均截面积的范围可以通过用于规定上限的上述多个第2阈值的候选中的任意2个的组合来规定。例如，筛选出的金属板64的晶粒的平均截面积可以为45μm2以上50μm2以下。另外，筛选出的金属板64的晶粒的平均截面积的范围可以通过用于规定下限的上述多个第1阈值的候选中的任意2个的组合来规定。例如，筛选出的金属板64的晶粒的平均截面积可以为0.5μm2以上2μm2以下。
以下，参照图8至图10对利用EBSD法的测定方法进行说明。EBSD法是使用扫描电子显微镜(以下也称为SEM)等从相对于试样的表面大幅倾斜的方向对试样照射电子射线，基于该情况下得到的电子射线的衍射图样(以下也称为EBSD图样)对晶粒进行分析的方法。作为测定装置，例如可以使用将肖特基场发射扫描电子显微镜和EBSD检测器组合而成的装置。作为EBSD检测器，例如可以使用株式会社TSL Solutions制造的OIM(取向成像显微技术，Orientation Imaging Microscopy)检测器。
在利用EBSD法的测定中，首先，将金属板64沿与轧制工序时的金属板64的输送方向D1(以下也称为轧制方向)垂直的方向切断，准备试验片50。轧制方向D1是利用金属显微镜观察金属板64的光泽面时确认到的线状的轧制痕延伸的方向。作为切断工具，例如可以使用修整用的切割刀。试验片50的厚度与金属板64的厚度相等。接着，用树脂将试验片50密封。作为树脂，例如使用环氧树脂。树脂的厚度例如为1mm。接着，使用修整用的切割刀，沿着垂直于轧制方向D1且垂直于试验片的面方向的方向将试验片与树脂一起切断。由此，使金属板64的试验片的截面50c从树脂露出。由此，如图8所示，能够得到包含测定用的截面50c从树脂55露出的试验片50的试样56。试样56按照截面50c相对于与金属板64的轧制方向D1正交的平面成-10°以上+10°以下的角度的方式构成。
使测定用的截面50c从树脂55露出后，可以使用切片机对试验片50的截面50c进行修整。该修整中，例如，为了降低试验片50的截面50c的机械应变，利用切片机沿相对于试验片50的截面50c垂直的方向将试验片50与密封的树脂55一起切进约1mm。接着，使用离子铣削装置，沿相对于试验片50的截面50c垂直的方向照射宽幅氩离子束。具体而言，在试验片50上载置屏蔽板，在使试验片50从屏蔽板稍突出的状态下，从屏蔽板侧对试验片50照射加速的氩离子，对试验片50进行加工，生成作为观察对象的截面50c。该情况下，得到具有与氩离子的照射方向平行的面方向的截面50c。这些作业是用于精密地使试验片50的截面50c露出、以使对在前一工序中产生的机械晶体结构的破坏达到最低限度的作业。需要说明的是，“垂直的方向”也可以不是相对于作为对象的面或方向严格地成90度的方向，可以包含10度左右的误差。例如，与轧制方向D1垂直的方向是指相对于轧制方向D1成80度以上100度以下的方向。另外，与表面垂直的方向是指相对于表面成80度以上100度以下的方向。
接着，从肖特基场发射扫描电子显微镜的物镜57对试样56的试验片50的截面50c照射电子射线E。另外，使用EBSD检测器58检测从试验片50产生的EBSD图样。
EBSD法中使用的扫描电子显微镜的条件的一例如下所述。
·观察倍率：2000倍(拍摄时的观察倍率基准设定为Polaroid545)
·加速电压：15kV
·工作距离：15mm
·试样倾斜角度：70度
图9是示出对包含试验片50的试样56的倾斜角度进行调节的工序的一例的图。首先，使试样56的面中露出了试验片50的面(观察面或测定面)向上地将包含试验片50的试样56固定于试样台上，将试样56插入到扫描电子显微镜中，移动至物镜57的正下方。接着，将从物镜57照射的电子射线E与EBSD检测器58的法线N1的交点作为中心，使试样56向EBSD检测器58恰好旋转角度
Figure BDA0002988018110000211
角度
Figure BDA0002988018110000212
相当于上述的试样倾斜角度，例如为70度。该情况下，从物镜57入射到试样56中的电子射线E相对于试样56的面所成的角度
Figure BDA0002988018110000221
为20度。
接着，对由EBSD法得到的测定结果、即EBSD图样进行分析，计算出试验片50的截面50c中出现的晶粒51的平均截面积。利用EBSD法的晶体分析的条件的一例如下所述。
·步长：70nm
分析条件：
使用株式会社TSL Solutions制造的晶体取向分析软件OIM(Ver7.3)，实施以下的分析。
在晶粒的平均截面积大的情况下，将基于SEM的观察倍率设定为第1倍率。例如，在晶粒的平均截面积为2μm2以上的情况下，将基于SEM的观察倍率设定为第1倍率。第1倍率例如为2000倍。另外，在作为分析对象的测定区域中出现的晶粒的数量小于1000个的情况下，可以一边挪动测定对象区域一边在金属板64的截面的多个位置取得图像，将所得到的多个图像连结，由此生成出现1000个以上晶粒的图像。此时，将从金属板64的试验片50的厚度方向的中心至两端作为测定区域，将截面50c上附着有树脂的部分或存在有耐酸性覆膜的部分排除在测定区域之外。
在晶粒的平均截面积小的情况下，将基于SEM的观察倍率设定为比第1倍率高的第2倍率。例如，在晶粒的平均截面积小于2μm2的情况下，将基于SEM的观察倍率设定为第2倍率。第2倍率例如为5000倍。该情况下，也可以在必要时通过将所得到的多个图像连结而生成出现1000个以上晶粒的图像。
排除由株式会社TSL Solutions制造的晶体取向分析软件OIM(Ver7.3)定义的置信度因子(Confidence Index：CI值)为规定值以下的数据，实施分析。例如，排除CI值为0.15以下的数据。由此，能够排除存在于试样56的表面和背面的预处理中使用的树脂、存在于试样56的截面的晶界或非晶体的影响。
根据本实施方式，通过采用EBSD法，能够以良好的精度得到关于金属板64的晶粒的尺寸的信息。因此，能够以高精度实施金属板64的检查工序。
图27是示出基于将晶粒的平均截面积为0.5μm2以上50μm2以下的金属板判定为合格的判定条件筛选出的多个金属板64的晶粒的平均截面积的分布的一例的图。图27中，横轴表示各金属板64中算出的晶粒的平均截面积的值。另外，纵轴表示具有横轴所示范围的晶粒的平均截面积的金属板64的个数。例如，筛选出的多个金属板64的中具有20μm2以上且小于30μm2的晶粒的平均截面积的金属板64的个数为15。需要说明的是，如图27所示，由于测定误差等，也存在筛选出的金属板64的一部分具有小于0.5μm2或超过50μm2的晶粒的平均截面积的情况。
图28是示出基于将晶粒的平均截面积为10μm2以上40μm2以下的金属板判定为合格的判定条件筛选出的多个金属板64的晶粒的平均截面积的分布的一例的图。图28中示出的横轴和纵轴的含义与图27的情况相同。在图28的例中，与图27的例相比，判定为合格而筛选出的金属板64的范围窄。该情况下，当实施图28所示的筛选时，也会实施图27所示的筛选。
上述说明中，示出了为了判定金属板64是否合格、即为了进行金属板64的筛选而实施基于晶粒的平均截面积对金属板64进行检查的检查工序的例子。即，示出了检查工序作为金属板64的制造方法中对金属板64进行筛选的筛选工序起作用的例子。但是，检查工序也可以用于金属板64的制造方法中的金属板64的筛选以外的目的。
需要说明的是，筛选工序中的筛选条件是任意的。例如，筛选工序可以对具有属于下述范围的晶粒的平均截面积的金属板64进行筛选，该范围是通过用于规定上限的上述多个第2阈值的候选中的任意1个与用于规定下限的上述多个第1阈值的候选中的任意1个的组合来规定的。另外，筛选工序可以对具有属于下述范围的晶粒的平均截面积的金属板64进行筛选，该范围是通过用于规定上限的上述多个第2阈值的候选中的任意2个的组合来规定的。另外，筛选工序可以对具有属于下述范围的晶粒的平均截面积的金属板64进行筛选，该范围是通过用于规定下限的上述多个第1阈值的候选中的任意2个的组合来规定的。
对于将检查工序用于金属板64的制造方法中的金属板64的筛选以外的目的的例子进行说明。例如，基于晶粒的平均截面积的金属板64的检查也可以为了优化轧制工序的条件或退火工序的条件等用于制造金属板64的条件而使用。具体而言，首先，在各种轧制条件或退火条件下制造金属板64，算出所得到的金属板64的晶粒的平均截面积。另外，将轧制条件和退火条件与所得到的金属板64的晶粒的平均截面积进行对照。由此，能够找出用于以高概率制造晶粒的平均截面积为0.5μm2以上且50μm2以下的金属板64的轧制条件和退火条件等。这样，基于晶粒的平均截面积的金属板64的检查也可以用于找出适当的轧制条件和退火条件。该情况下，无需对实际的制造工序中得到的全部金属板64实施算出晶粒的平均截面积的检查工序。例如，可以仅对一部分金属板64实施检查工序。或者，一旦设定了轧制条件和退火条件等制造条件，之后也可以完全不实施算出晶粒的平均截面积的检查工序。
图29是示出多个金属板64的晶粒的平均截面积的分布的一例的图，该多个金属板64是基于利用将晶粒的平均截面积为0.5μm2以上50μm2以下的金属板64作为合格的判定条件而找出的制造条件制造的。图29中示出的横轴和纵轴的含义与图27的情况相同。在图29的例中，即使在不实施筛选工序的情况下，所制造的多个金属板64也具有0.5μm2以上50μm2以下的晶粒的平均截面积。
另外，可以在轧制工序之后或退火工序之后实施对金属板64的外观进行检查的外观检查工序。外观检查工序可以包括使用自动检查机对金属板64的外观进行检查的工序。另外，外观检查工序可以包括通过目视对金属板64的外观进行检查的工序。
另外，可以在轧制工序之后或退火工序之后实施对金属板64的形状进行检查的形状检查工序。例如，可以使用三维测定器，在金属板64的规定区域内测定金属板64的表面在厚度方向上的位置。
根据本实施方式的金属板的制造方法，能够得到具有满足上述判定条件的晶粒的平均截面积的金属板64。例如，能够得到晶粒的平均截面积为0.5μm2以上50μm2以下的金属板64。
需要说明的是，上述方式中，示出了在检查工序中的金属板64的合格与否判定或金属板64的筛选中使用用于规定晶粒的平均截面积的下限的第1阈值和用于规定晶粒的平均截面积的上限的第2阈值这两者的例子。但是，不限于此，在检查工序中的金属板64的合格与否判定或金属板64的筛选中，也可以仅使用第1阈值或第2阈值中的任意一者。
例如，可以将晶粒的平均截面积为第1阈值以上的金属板64判定为合格来进行筛选。通过使金属板64的晶粒的平均截面积为第1阈值以上，能够使金属板64具有焊接性。
或者，也可以将晶粒的平均截面积为第2阈值以下的金属板64判定为合格来进行筛选。通过使金属板64的晶粒的平均截面积为第2阈值以下，能够使金属板64具有强度。
另外，上述方式中，示出了采用轧制作为降低金属板64的厚度的方法的例子，但不限于此。例如，也可以通过从第1面64a侧、第2面64b侧、或者第1面64a侧和第2面64b侧这两侧对金属板64进行蚀刻来降低金属板64的厚度。这样的蚀刻可以替代轧制工序来实施，也可以在轧制工序的基础上实施。
即使在通过蚀刻来降低金属板64的厚度的情况下，通过使蚀刻后的金属板64的晶粒的平均截面积为第1阈值以上，也能够使金属板64具有焊接性。另外，通过使蚀刻后的金属板64的晶粒的平均截面积为第2阈值以下，能够使金属板64具有强度。需要说明的是，金属板64的晶粒的截面积等不因蚀刻而发生变化。
接着，主要参照图11～图15对使用晶粒的平均截面积为第1阈值以上第2阈值以下的金属板64、例如使用晶粒的平均截面积为0.5μm2以上且50μm2以下的金属板64制造蒸镀掩模20的方法进行说明。图11是示出使用金属板64制造蒸镀掩模20的制造装置59的图。首先，准备将金属板64卷取在芯材61上而成的卷绕体62。然后，使该芯材61旋转而使卷绕体62开卷，由此，如图11所示，供给带状延伸的金属板64。
被供给的金属板64由输送辊72依次向加工装置70、分离装置73输送。加工装置70实施对金属板64进行加工而在金属板64中形成贯通孔25的加工工序。需要说明的是，本实施方式中，在金属板64中形成与多张蒸镀掩模20对应的多个贯通孔25。换言之，在金属板64上分配出多张蒸镀掩模20。分离装置73实施分离工序，该工序中，从金属板64中分离出金属板64中与1张蒸镀掩模20对应的形成有多个贯通孔25的部分。这样，能够得到薄页状的蒸镀掩模20。
参照图12至图15对加工工序进行说明。首先，在金属板64的第1面64a上和第2面64b上形成包含感光性抗蚀剂材料的抗蚀剂膜。例如，将包含酪蛋白等感光性抗蚀剂材料的涂布液涂布至金属板64上，然后，使涂布液干燥，由此形成抗蚀剂膜。或者，也可以通过在金属板64上粘贴干膜而形成抗蚀剂膜。接着，对抗蚀剂膜进行曝光和显影。由此，如图12所示，能够在金属板64的第1面64a上形成第1抗蚀剂图案65a，在金属板64的第2面64b上形成第2抗蚀剂图案65b。
接着，如图13所示，实施第1面蚀刻工序，该工序中，使用第1蚀刻液对金属板64的第1面64a中未被第1抗蚀剂图案65a覆盖的区域进行蚀刻。例如，从配置在与被输送的金属板64的第1面64a面对的一侧的喷嘴隔着第1抗蚀剂图案65a向金属板64的第1面64a喷射第1蚀刻液。其结果，如图13所示，利用第1蚀刻液在金属板64中未被第1抗蚀剂图案65a覆盖的区域进行侵蚀。由此，在金属板64的第1面64a上形成多个第1凹部30。作为第1蚀刻液，例如使用包含氯化铁溶液和盐酸的蚀刻液。
接着，如图14所示，实施第2面蚀刻工序，该工序中，对金属板64的第2面64b中未被第2抗蚀剂图案65b覆盖的区域进行蚀刻，在第2面64b上形成第2凹部35。第2面蚀刻工序实施至第1凹部30与第2凹部35相互连通、从而形成贯通孔25为止。作为第2蚀刻液，与上述第1蚀刻液同样，例如使用包含氯化铁溶液和盐酸的蚀刻液。需要说明的是，在第2面蚀刻工序时，如图14所示，可以利用对第2蚀刻液具有耐性的树脂69将第1凹部30被覆。
然后，如图15所示，从金属板64上除去树脂69。树脂69例如可以通过使用碱系剥离液来除去。在使用碱系剥离液的情况下，如图15所示，抗蚀剂图案65a、65b也与树脂69同时被除去。需要说明的是，也可以在除去树脂69后，使用与用于使树脂69剥离的剥离液不同的剥离液，在树脂69之外另行将抗蚀剂图案65a、65b除去。
然后，将金属板64中分配出的多个蒸镀掩模20逐个取出。例如，将金属板64中与1张蒸镀掩模20对应的形成有多个贯通孔25的部分同金属板64的其他部分分离。由此，能够得到蒸镀掩模20。
接着，可以实施对蒸镀掩模20进行检查的蒸镀掩模检查工序。蒸镀掩模检查工序中，例如，对构成蒸镀掩模20的金属板64的表面上是否存在局部的突起、凹陷等变形部进行检查。图16是示出可能形成在金属板64上的变形部28的一例的图。图16所示的例中，变形部28为形成在金属板64的第2面64b上的局部的凹陷。
图17是示出图16的金属板64的变形部28的截面形状的一例的图。如图17所示，作为局部的凹陷形成在第2面64b上的变形部28在第1面64a侧可以表现为局部的凸部。金属板64的面方向上的变形部28的尺寸K1例如为0.5μm～几mm。另外，在变形部28为局部的凹陷的情况下，凹陷的深度K2例如为0.5μm～10μm。
蒸镀掩模检查工序中，例如，如图17所示，对构成蒸镀掩模20的金属板64的第1面64a或第2面64b照射光L1，通过目视确认金属板64上是否存在变形部28。在蒸镀掩模20的金属板64的第1面64a或第2面64b上不存在变形部28的情况下，将蒸镀掩模20作为合格，在哪怕存在1个变形部28的情况下，将蒸镀掩模20作为不合格。
本实施方式中，如上所述，使用晶粒的平均截面积为50μm2以下的金属板64制造蒸镀掩模20。因此，即使在金属板64的厚度为30μm以下的情况下，也能够确保金属板64的强度。因此，能够抑制在蒸镀掩模20的制造工序之间在金属板64上形成变形部28。因此，能够降低在蒸镀掩模检查工序中判定为不合格的蒸镀掩模20的比例。
接着，实施将如上得到的蒸镀掩模20固定于框架15的固定工序。由此，能够得到具备蒸镀掩模20和框架15的蒸镀掩模装置10。
固定工序中，首先，实施张紧工序，该工序中，在对蒸镀掩模20施加张力的状态下调节蒸镀掩模20相对于框架15的位置。张紧工序中，首先，如图18所示，利用夹持部15a将蒸镀掩模20的边缘部17a、17b夹入来把持。图18所示的例中，1个边缘部17a由2个夹持部15a把持。需要说明的是，夹持部15a的数量和配置是任意的。接着，在藉由与夹持部15a连结的拉伸部15b对蒸镀掩模20施加张力的同时，对蒸镀掩模20的位置和张力进行调节，以使蒸镀掩模20的全部贯通孔25的位置与有机EL基板92(或模拟有机EL基板92的基板)上的电极的位置之差为规定的基准值以下。基准值例如为5μm。
焊接工序中，首先，如图19A所示，按照第2面20b面向框架15的方式将蒸镀掩模20的边缘部17配置在框架15上。接着，对蒸镀掩模20的边缘部17进行加热，将边缘部17焊接在框架15上。作为对边缘部17进行加热的方法，例如可以采用对边缘部17照射激光L2的方法。作为激光L2，例如可以使用由YAG激光装置生成的YAG激光。激光L2的光斑直径S例如为0.1mm以上且0.3mm以下。
作为YAG激光装置，例如可以使用具备在YAG(钇铝石榴石)中添加有Nd(钕)的晶体作为振荡用介质的激光装置。该情况下，作为基本波，生成波长为约1064nm的激光。另外，通过使基本波从非线性光学晶体中通过，生成波长为约532nm的第2高频波。另外，通过使基本波和第2高频波从非线性光学晶体中通过，生成波长为约355nm的第3高频波。YAG激光的第3高频波容易被包含镍的铁合金吸收。因此，在构成边缘部17的金属板64具有包含镍的铁合金的情况下，对边缘部17照射的激光L2优选包含YAG激光的第3高频波。
对边缘部17照射激光L2时，蒸镀掩模20的边缘部17的一部分和框架15的一部分熔融，如图19B所示，形成横跨边缘部17和框架15的焊接部19。
另外，本实施方式中，如上所述，金属板64的晶粒微细化。具体而言，金属板64的晶粒的平均截面积为50μm2以下。另一方面，在加热熔融后固化的焊接部19，通过再结晶化而生成新的晶粒。在焊接部19新生成的晶粒的尺寸通常大于原来存在的晶粒的尺寸。因此，在焊接后的金属板64中，认为焊接部19的晶粒的尺寸比焊接部19的周围部分的晶粒的尺寸增大。晶粒的尺寸之差大时，容易在金属板64中形成裂纹等缺陷。图20是示出将由金属板64制作的蒸镀掩模20的边缘部17焊接在部件16上的情况下形成的焊接部19的截面照片。作为部件16，使用具有比边缘部17大的厚度的因瓦合金材料。图21是将图20的焊接部19放大显示的图。图20和图21所示的例中，在边缘部17中焊接部19与其周围部分之间的边界和部件16的表面形成了裂纹54。
图20和图21中的截面观察方法如下所述。首先，将边缘部17焊接到部件16上。然后，使用金属剪将包含焊接部19的部分切出，制作观察对象物。接着，使用离子铣削装置对观察对象物进行加工，生成观察对象的截面。
作为离子铣削装置，可以使用日本电子株式会社制造的Cross Section PolisherIB-09010CP。加工条件的一例如下所述。
加工条件：6kV、1.5小时、突出宽度100μm
需要说明的是，在通常的加工中，将观察对象物用树脂包埋后进行氩离子的照射。但是，在本发明中，在用树脂将观察对象物包埋的情况下，难以将观察对象的截面的位置调节至焊接部19的中央部，因此在不用树脂将观察对象物包埋的情况下进行氩离子的照射。因此，如图21和后述的图23中标注了符号W1的由虚线包围的区域中所现出的那样，在观察对象物的边缘部17侧的表面，存在由于因氩离子而受到损伤所致的条状的加工痕。另外，如图21中标注了符号W2的由虚线包围的区域中所现出的那样，在边缘部17与部件16之间的间隙，有时会形成经加工被除去的材料沉积而成的沉积层。需要说明的是，本申请发明人认为，这些加工痕和沉积层不会给焊接部19及其周围部分的晶体状态的观察和裂纹有无的确认带来特别的不良影响。
接着，使用SEM对截面进行观察。作为SEM，例如可以使用卡尔蔡司公司制造的ULTRA55。基于SEM的观察条件的一例如下所述。
·加速电压：5kV
·工作距离：4.5mm
·检测器：Inlens
·孔径：60μm高电流(High Current)
·观察倍率：200倍和1000倍(拍摄时的观察倍率基准设定为Polaroid545)
认为图20和图21中所示的裂纹54是由于焊接部19的晶粒的尺寸与焊接部19的周围部分的晶粒的尺寸之差大而产生的。此处，本实施方式中，如上所述，使用晶粒的平均截面积为0.5μm2以上的金属板64来制造蒸镀掩模20。因此，能够抑制焊接部19的晶粒的尺寸与焊接部19的周围部分的晶粒的尺寸之间的差增大。因此，能够抑制在焊接部19形成后的金属板64的表面形成裂纹。图22是未形成裂纹的金属板64和框架15的截面照片。另外，图23是将图22的焊接部19放大显示的图。
需要说明的是，可以对上述实施方式加以各种变更。以下，根据需要参照附图对变形例进行说明。在以下的说明和以下的说明中使用的附图中，对于可与上述实施方式同样构成的部分，使用与对上述实施方式中的对应部分使用的符号相同的符号，并省略重复的说明。另外，在变形例中也可显而易见地得到上述实施方式中得到的作用效果的情况下，也有时省略其说明。
上述本实施方式中，示出了通过对边缘部17照射激光L2而将边缘部17焊接到框架15上的例子。但是，对边缘部17进行加热的方法不限于照射激光L2的方法。例如也可以通过在边缘部17和框架15中通入电流来对边缘部17进行加热。
上述本实施方式中，示出了通过对母材进行轧制而得到金属板64的例子。但是，不限于此，也可以通过利用镀覆处理的制箔工序来制作具有所期望的厚度的金属板64。制箔工序中，例如，可以一边使部分浸渍于镀液中的不锈钢制等的滚筒旋转，一边在滚筒的表面形成镀膜，将该镀膜剥去，由此以卷对卷的方式制作长条状的金属板。在制作由包含镍的铁合金构成的金属板的情况下，作为镀液，可以使用包含镍化合物的溶液与包含铁化合物的溶液的混合溶液。例如可以使用包含氨基磺酸镍的溶液与包含氨基磺酸铁的溶液的混合溶液。镀液中可以包含有丙二酸、糖精等添加剂。
对于如此得到的金属板，可以接着实施上述退火工序。另外，在退火工序之前或之后，可以实施为了将金属板的宽度调节至所期望的宽度而将金属板的两端切去的上述分切工序。
在利用镀覆处理制作金属板的情况下，也与上述本实施方式的情况下同样地，按照相对于与金属板64(镀膜)的长度方向正交的平面成-10°以上+10°以下的角度的截面中出现的晶粒的平均截面积为0.5μm2以上且50μm2以下的方式制造金属板64。例如，对镀液的组成、制箔工序中的温度或时间等条件进行调节。另外，也可以调节退火工序的条件。通过使晶粒的平均截面积为0.5μm2以上且50μm2以下，与上述实施方式的情况下同样地，即使在金属板的厚度为30μm以下的情况下，也能够使金属板具有强度和焊接性。由此，能够在蒸镀掩模20的制造工序或蒸镀掩模20的处理时抑制金属板上形成凹陷等局部的变形部。另外，能够在将蒸镀掩模20焊接到框架15上时抑制在蒸镀掩模20或框架15上形成裂纹等缺陷。需要说明的是，镀膜的长度方向是指通过一边使滚筒旋转一边利用镀覆处理在滚筒的表面将金属成膜而形成的长条状的金属板所延伸的方向。
上述本实施方式中，示出了通过对金属板64进行蚀刻、在金属板64中形成贯通孔25而制造蒸镀掩模20的例子。但是，不限于此，也可以通过按照与贯通孔25对应的规定图案在基板上形成镀层，将镀层从基板上剥离来制造蒸镀掩模20。关于这样的蒸镀掩模20的制造方法，例如公开在日本特开2016-148112号公报中，因此此处省略详细的说明。
在利用镀覆法制造蒸镀掩模20的情况下，也按照构成蒸镀掩模20的由镀层构成的金属板64的晶粒的平均截面积为0.5μm2以上且50μm2以下的方式制造蒸镀掩模20。例如，对镀液的组成、镀覆工序中的温度或时间等条件进行调节。另外，也可以调节在镀覆工序后实施的退火工序的条件。通过使晶粒的平均截面积为0.5μm2以上且50μm2以下，与上述实施方式的情况下同样地，即使在金属板的厚度为30μm以下的情况下，也能够使金属板具有强度和焊接性。由此，能够在蒸镀掩模20的制造工序或蒸镀掩模20的处理时抑制在金属板上形成凹陷等局部的变形部。另外，能够在将蒸镀掩模20焊接到框架15上时抑制在蒸镀掩模20或框架15上形成裂纹等缺陷。
[实施例]
接着，利用实施例更具体地说明本发明的实施方式，但本发明的实施方式只要不超出其宗旨，则不限于以下实施例的记载。
(第1例)
首先，通过轧制法制作出由包含36质量％的镍、余量的铁和不可避免的杂质的铁合金构成的、具有40μm的厚度的金属板64。轧制前的金属板的厚度为100μm。因此，轧制率为60％。
接着，使用上述EBSD法对EBSD图样进行测定。另外，对EBSD图样进行分析，算出金属板64的截面中出现的晶粒的平均截面积。结果，平均截面积为113.4μm2。
利用EBSD法的测定的条件如下所述。
·基于SEM的观察倍率：2000倍或5000倍(拍摄时的观察倍率基准设定为Polaroid545)
·基于SEM的加速电压：15kV
·基于SEM的工作距离：15mm
·试样倾斜角度
Figure BDA0002988018110000311
70度
·EBSD的步长(基于SEM的观察倍率为2000倍的情况下)：70nm
·EBSD的步长(基于SEM的观察倍率为5000倍的情况下)：50nm
对基于SEM的观察倍率进行详细说明。在晶粒的平均截面积大的情况下，将基于SEM的观察倍率设定为2000倍。具体而言，在晶粒的平均截面积为2μm2以上的情况下(后述的第1例～第8例和第10例～第14例的情况下)，将基于SEM的观察倍率设定为2000倍。
需要说明的是，在基于SEM的观察倍率为2000倍的情况下(拍摄时的观察倍率基准设定为Polaroid545)，图像的尺寸为约60μm×约45μm。该情况下，按照尺寸为约45μm的方向与金属板64的厚度方向一致的方式对金属板64的截面进行测定。因此，1张图像中出现的金属板64的截面的面积(以下称为测定有效面积)为“金属板64的厚度(13～40μm)×约60μm”。
在测定有效面积中出现的晶粒的数量小于1000个的情况下，一边以每次约50μm挪动测定对象区域一边在金属板64的截面的多个位置取得图像，将所得到的多个图像连结，由此生成了出现1000个以上晶粒的图像。
在晶粒的平均截面积小的情况下，将基于SEM的观察倍率设定为5000倍。具体而言，在晶粒的平均截面积小于2μm2的情况下(后述的第9例、第15例、第16例的情况下)，将基于SEM的观察倍率设定为5000倍。
需要说明的是，在基于SEM的观察倍率为5000倍的情况下(拍摄时的观察倍率基准设定为Polaroid545)，图像的尺寸为约24μm×约18μm。该情况下，按照尺寸为约18μm的方向与金属板64的厚度方向一致的方式对金属板64的截面进行测定。
在晶粒的平均截面积小于2μm2的情况下，在1次测定(1张图像)中能够对1000个以上的晶粒进行观察，因此无需将多个图像连结。
作为对EBSD图样进行分析的软件，使用株式会社TSL Solutions制造的晶体取向分析软件OIM(Ver7.3)。
EBSD图样的分析工序中，在将晶体取向之差为5度以上的部分认定为晶界52的条件下利用面积法进行分析。另外，分析工序中，排除由晶体取向分析软件OIM(Ver7.3)定义的CI值为0.15以下的数据来实施分析。由此，能够排除存在于试样56的表面和背面的预处理中使用的树脂、存在于试样56的截面的晶界或非晶体的影响。利用面积法的分析中，利用面积函数法算出CI值超过0.15的晶粒的截面积的平均值，作为晶粒的平均截面积。面积函数法中，在包含截面积为a、b、c、d的晶体的测定对象区域的面积总计为100的情况下，如下述式(1)那样考虑面积的加权来算出平均截面积。
平均截面积＝(a×a/100)+(b×b/100)+(c×c/100)+(d×d/100)…(1)
接着，使用金属板64制造蒸镀掩模20。然后，对构成蒸镀掩模20的金属板64的强度进行评价。具体而言，如图17所示，对蒸镀掩模20照射光L1并观察在所得到的蒸镀掩模20的表面是否存在凹陷等变形部28。结果，不存在变形部28。
蒸镀掩模20的表面的观察条件如下所述。
·光L1的亮度：500lux～2000lux、例如1000lux
·光L1的光源：三波长荧光灯
·光L1的入射角度：15度～45度
·从光源到蒸镀掩模的表面的距离：30cm～100cm、例如50cm
·从视点到蒸镀掩模的表面的距离：15cm
接着，对蒸镀掩模20的焊接性进行评价。具体而言，对蒸镀掩模20的边缘部17照射激光L2而将边缘部17焊接到框架15上，测定边缘部17与框架15之间的焊接强度。将边缘部17焊接到框架15上时的条件如下所述。
·激光L2的波长：355nm
·激光L2的光斑直径：200μm
·激光L2的输出功率：0.3kW
·激光L2的照射时间：0.3ms
焊接强度是指将通过焊接部19焊接到框架15上的蒸镀掩模20的边缘部17从框架15剥离所需要的力的大小。图24示出测定焊接部19的焊接强度的方法的一例。焊接强度的测定工序中，首先，将通过切下蒸镀掩模20的边缘部17的一部分而得到的样品17S焊接到框架15上。接着，如图24所示，对样品17S的长度方向的端部施加沿框架15的法线方向的方向上的拉伸力E。该情况下，样品17S断裂时或样品17S从框架15上剥离时的拉伸力E为焊接部19的焊接强度。需要说明的是，样品17S的长度方向与金属板64的轧制方向D1平行。蒸镀掩模20通常按照其长度方向与金属板64的轧制方向D1平行的方式由金属板64制造。因此，轧制方向D1可基于蒸镀掩模20的长度方向来识别。
需要说明的是，也可以按照蒸镀掩模20的长度方向与金属板64的轧制方向D1不平行的方式由金属板64制造蒸镀掩模20。该情况下，可以基于金属板64的晶粒延伸的方向来认定轧制方向D1。其原因在于，在通过轧制制造而成的金属板64中，晶粒与轧制方向D1平行地延伸。
由1个蒸镀掩模20制作7个样品17S，对各样品17S测定焊接强度。结果，焊接强度的平均值为157mN。另外，在焊接部19与周围部分的边界形成了裂纹。
(第2例～第16例)
与上述第1例的情况相比，变更金属板的厚度、组成或制造条件中的至少1项，制作出第2例～第16例的金属板64。各例的金属板64的厚度如下所述。需要说明的是，第1例～第8例和第10例～第14例中，通过对铁合金的母材进行轧制来制作金属板64。另一方面，第9例、第15例和第16例中，通过利用镀覆处理的制箔工序来制作金属板64。对于通过轧制来制作金属板64的例子，将轧制前的金属板的厚度T1和轧制率与轧制后的金属板的厚度T2一并示于以下。
·第2例：T1＝100μm、T2＝35μm、轧制率＝65％
·第3例：T1＝100μm、T2＝30μm、轧制率＝70％
·第4例：T1＝75μm、T2＝30μm、轧制率＝60％
·第5例：T1＝100μm、T2＝25μm、轧制率＝75％
·第6例：T1＝50μm、T2＝20μm、轧制率＝60％
·第7例：T1＝80μm、T2＝20μm、轧制率＝75％
·第8例：T1＝100μm、T2＝20μm、轧制率＝80％
·第9例：20μm
·第10例：T1＝37.5μm、T2＝15μm、轧制率＝60％
·第11例：T1＝50μm、T2＝15μm、轧制率＝70％
·第12例：T1＝100μm、T2＝15μm、轧制率＝85％
·第13例：T1＝300μm、T2＝15μm、轧制率＝95％
·第14例：T1＝100μm、T2＝13μm、轧制率＝87％
·第15例～第16例：10μm
另外，与第1例的情况下同样地算出第2例～第16例的金属板64的截面中出现的晶粒的平均截面积。将结果归纳示于图25。图25的“判定”栏中，“OK”表示晶粒的平均截面积为0.5μm2以上且50μm2以下。另外，“NG”表示晶粒的平均截面积小于0.5μm2、或者超过50μm2。
另外，与第1例的情况下同样地，使用第2例～第16例的金属板64制作蒸镀掩模20。接着，与第1例的情况下同样地，观察在所得到的蒸镀掩模20的表面是否存在凹陷等变形部28。另外，与第1例的情况下同样地，将蒸镀掩模20的边缘部17焊接到框架15上，测定焊接强度。将结果归纳示于图25。
第9例、第15例和第16例中，金属板64的晶粒的平均截面积小于0.5μm2。其结果，焊接强度小于200mN。另外，在焊接部19与周围部分的边界形成了裂纹。
第4例、第6例和第10例中，金属板64的晶粒的平均截面积超过50μm2。其结果，在蒸镀掩模20的表面存在凹陷等变形部28。
与此相对，第3例、第5例、第7例、第8例、第11例～第14例的厚度为10μm～30μm的金属板64中，晶粒的平均截面积为0.5μm2以上且50μm2以下。其结果，能够使焊接强度为200mN以上、更具体而言为220mN以上。另外，能够抑制在蒸镀掩模20的表面形成凹陷等变形部28。即，能够兼顾金属板64中的强度和焊接性。
需要说明的是，第1例和第2例的厚度为35μm以上的金属板64中，晶粒的平均截面积超过50μm2，但在蒸镀掩模20的表面未形成凹陷等变形部28。认为这是因为，蒸镀掩模20的厚度大，因此蒸镀掩模20具有充分高的强度，因此与晶粒的平均截面积无关而未形成凹陷等变形部28。因此可以说，本实施方式中的使晶粒的平均截面积为50μm2以上的基准在金属板64的厚度为30μm以下的情况下特别有效。需要说明的是，如第1例、第2例所示那样的厚度为35μm以上的金属板64中，由金属板64制作的蒸镀掩模20中的蒸镀材料98的利用效率降低，在这一方面与厚度为30μm以下的金属板64相比是不利的。
图26是使横轴为金属板64的厚度、使纵轴为金属板64的晶粒的平均截面积，对各例的金属板64的数据进行绘图而成的散点图。图26中，标记“○”表示焊接强度为200mN以上且未形成变形部28的例子。标记“△”表示焊接强度小于200mN的例子。标记“□”表示形成了变形部28的例子。另外，图26中，由虚线包围的区域是金属板64的厚度为30μm以下、并且晶粒的平均截面积为0.5μm2以上且50μm2以下的区域。由图26可知，由虚线包围的区域中，能够使金属板64具有强度和焊接性。

Claims (20)

1.一种金属板，其是为了制造蒸镀掩模而使用的金属板，其中，
所述金属板由至少包含镍的铁合金的轧制材料构成，并且具有7μm以上30μm以下的厚度，
利用EBSD法测定所述金属板的截面中相对于与所述金属板的轧制方向正交的平面成-10°以上+10°以下的角度的截面中出现的晶粒，并对测定结果进行分析，由此算出的所述晶粒的平均截面积为0.5μm2以上且50μm2以下，
所述平均截面积通过在将晶体取向之差为5度以上的部分认定为晶界的条件下利用面积法对由EBSD法得到的测定结果进行分析而算出。
2.如权利要求1所述的金属板，其中，所述轧制材料中的镍和钴的含量总计为30质量％以上且38质量％以下。
3.一种金属板，其是为了制造蒸镀掩模而使用的金属板，其中，
所述金属板由至少包含镍的铁合金的镀膜构成，并且具有5μm以上30μm以下的厚度，
利用EBSD法测定所述金属板的截面中相对于与所述镀膜的长度方向正交的平面成-10°以上+10°以下的角度的截面中出现的晶粒，并对测定结果进行分析，由此算出的所述晶粒的平均截面积为0.5μm2以上且50μm2以下，
所述平均截面积通过在将晶体取向之差为5度以上的部分认定为晶界的条件下利用面积法对由EBSD法得到的测定结果进行分析而算出。
4.如权利要求3所述的金属板，其中，所述镀膜中的镍和钴的含量总计为38质量％以上且54质量％以下。
5.如权利要求1至4中任一项所述的金属板，其中，所述晶粒的平均截面积为2.0μm2以上。
6.如权利要求1至4中任一项所述的金属板，其中，所述金属板具有10μm以上的厚度。
7.一种蒸镀掩模，
其具备金属板和形成在金属板的贯通孔，
所述金属板由至少包含镍的铁合金的轧制材料构成，并且具有7μm以上30μm以下的厚度，
利用EBSD法测定所述金属板的截面中相对于与所述金属板的轧制方向正交的平面成-10°以上+10°以下的角度的截面中出现的晶粒，并对测定结果进行分析，由此算出的所述晶粒的平均截面积为0.5μm2以上且50μm2以下，
所述平均截面积通过在将晶体取向之差为5度以上的部分认定为晶界的条件下利用面积法对由EBSD法得到的测定结果进行分析而算出。
8.如权利要求7所述的蒸镀掩模，其中，所述轧制材料中的镍和钴的含量总计为30质量％以上且38质量％以下。
9.一种蒸镀掩模，
其具备金属板和形成在金属板的贯通孔，
所述金属板由至少包含镍的铁合金的镀膜构成，并且具有5μm以上30μm以下的厚度，
利用EBSD法测定所述金属板的截面中相对于与所述镀膜的长度方向正交的平面成-10°以上+10°以下的角度的截面中出现的晶粒，并对测定结果进行分析，由此算出的所述晶粒的平均截面积为0.5μm2以上且50μm2以下，
所述平均截面积通过在将晶体取向之差为5度以上的部分认定为晶界的条件下利用面积法对由EBSD法得到的测定结果进行分析而算出。
10.如权利要求9所述的蒸镀掩模，其中，所述镀膜中的镍和钴的含量总计为38质量％以上且54质量％以下。
11.如权利要求7至10中任一项所述的蒸镀掩模，其中，所述晶粒的平均截面积为2.0μm2以上。
12.如权利要求7至10中任一项所述的蒸镀掩模，其中，所述金属板具有10μm以上的厚度。
13.一种蒸镀掩模装置，其具备权利要求7至12中任一项所述的蒸镀掩模和焊接有所述蒸镀掩模的框架。
14.一种蒸镀掩模的制造方法，其具备：
准备权利要求1至6中任一项所述的金属板的工序、
将所述金属板沿着长度方向输送的工序、和
在所述金属板形成贯通孔的加工工序。
15.一种金属板的制造方法，其是为了制造蒸镀掩模而使用的金属板的制造方法，其中，
所述制造方法具备通过轧制法作为轧制材料来得到所述金属板的制作工序，所述金属板由至少包含镍的铁合金构成，并且具有7μm以上30μm以下的厚度，
利用EBSD法测定所述金属板的截面中相对于与轧制材料的轧制方向正交的平面成-10°以上+10°以下的角度的截面中出现的晶粒，并对测定结果进行分析，由此算出的所述晶粒的平均截面积为0.5μm2以上且50μm2以下，
所述平均截面积通过在将晶体取向之差为5度以上的部分认定为晶界的条件下利用面积法对由EBSD法得到的测定结果进行分析而算出。
16.如权利要求15所述的金属板的制造方法，其中，所述制作工序具有退火工序，所述退火工序中，在对通过轧制法得到的所述金属板进行输送的同时，在500℃～600℃的范围内用时30秒～90秒进行退火。
17.一种金属板的制造方法，其是为了制造蒸镀掩模而使用的金属板的制造方法，其中，
所述制造方法具备利用镀覆法作为镀膜来得到所述金属板的制作工序，所述金属板由至少包含镍的铁合金构成，并且具有5μm以上30μm以下的厚度，
利用EBSD法测定所述金属板的截面中相对于与镀膜的长度方向正交的平面成-10°以上+10°以下的角度的截面中出现的晶粒，并对测定结果进行分析，由此算出的所述晶粒的平均截面积为0.5μm2以上且50μm2以下，
所述平均截面积通过在将晶体取向之差为5度以上的部分认定为晶界的条件下利用面积法对由EBSD法得到的测定结果进行分析而算出。
18.如权利要求17所述的金属板的制造方法，其中，所述制作工序具有：
一边使部分浸渍在镀液中的滚筒旋转，一边在滚筒的表面形成镀膜的工序；和
通过将所述镀膜从所述滚筒上剥离而得到长条状的由所述镀膜构成的所述金属板的工序。
19.一种有机EL显示装置的制造方法，其中，所述制造方法具备下述工序：
通过权利要求7至10中任一项所述的蒸镀掩模的贯通孔的蒸镀材料附着到有机EL基板的表面。
20.一种对蒸镀掩模20的焊接性进行评价的方法，其中对蒸镀掩模20的边缘部17照射激光L2而将边缘部17焊接到框架15上，测定边缘部17与框架15之间的焊接强度，将边缘部17焊接到框架15上时的条件如下所述：
激光L2的波长：355nm
激光L2的光斑直径：200μm
激光L2的输出功率：0.3kW
激光L2的照射时间：0.3ms
焊接强度是指将通过焊接部19焊接到框架15上的蒸镀掩模20的边缘部17从框架15剥离所需要的力的大小，焊接强度的测定工序中，首先，将通过切下蒸镀掩模20的边缘部17的一部分而得到的样品17S焊接到框架15上，接着，对样品17S的长度方向的端部施加沿框架15的法线方向的方向上的拉伸力E，该情况下，样品17S断裂时或样品17S从框架15上剥离时的拉伸力E为焊接部19的焊接强度。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115558928A (zh) * 2022-08-31 2023-01-03 浙江众凌科技有限公司 一种基于表面平坦度的蒸镀基材蚀刻装置及蚀刻方法

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108977762B (zh) * 2017-06-05 2019-12-27 京东方科技集团股份有限公司 掩膜板、套装掩膜板和蒸镀系统
TWI765121B (zh) * 2017-11-14 2022-05-21 日商大日本印刷股份有限公司 用以製造蒸鍍罩之金屬板、金屬板之檢查方法、金屬板之製造方法、蒸鍍罩、蒸鍍罩裝置及蒸鍍罩之製造方法
KR102109037B1 (ko) * 2018-11-13 2020-05-11 (주)애니캐스팅 다중배열전극을 이용한 유기 증착 마스크 제조 방법
DE102019007831A1 (de) * 2018-11-13 2020-05-14 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Metallplatte zur herstellung von dampfphasenabscheidungsmasken, verfahren zur herstellung von metallplatten, dampfphasenabscheidungsmaske, verfahren zur herstellung einer dampfphasenabscheidungsmaske, und dampfphasenabscheidungsmaskenvorrichtung aufweisend eine dampfphasenabscheidungsmaske
WO2020105910A1 (ko) * 2018-11-19 2020-05-28 엘지이노텍 주식회사 합금 금속판 및 이를 포함하는 증착용 마스크
KR20200096877A (ko) * 2019-02-06 2020-08-14 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 증착 마스크 장치, 마스크 지지 기구 및 증착 마스크 장치의 제조 방법
CN109778116B (zh) * 2019-03-28 2021-03-02 京东方科技集团股份有限公司 一种掩膜版及其制作方法、掩膜版组件
KR20230048564A (ko) * 2019-10-04 2023-04-11 도판 인사츠 가부시키가이샤 증착 마스크, 증착 마스크의 제조 방법, 및, 표시 장치의 제조 방법
KR20210042026A (ko) * 2019-10-08 2021-04-16 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 증착 마스크를 제조하기 위한 금속판, 금속판의 제조 방법, 증착 마스크 및 증착 마스크의 제조 방법
JP2021175824A (ja) * 2020-03-13 2021-11-04 大日本印刷株式会社 有機デバイスの製造装置の蒸着室の評価方法、評価方法で用いられる標準マスク装置及び標準基板、標準マスク装置の製造方法、評価方法で評価された蒸着室を備える有機デバイスの製造装置、評価方法で評価された蒸着室において形成された蒸着層を備える有機デバイス、並びに有機デバイスの製造装置の蒸着室のメンテナンス方法
US11613802B2 (en) * 2020-04-17 2023-03-28 Rockwell Collins, Inc. Additively manufactured shadow masks for material deposition control
KR102485407B1 (ko) * 2020-10-23 2023-01-06 주식회사 오럼머티리얼 마스크의 제조 방법
CN113410151B (zh) * 2021-06-01 2022-10-14 云谷（固安）科技有限公司 一种确定掩膜版的位置偏移量的方法、装置及设备
CN113373406A (zh) * 2021-06-17 2021-09-10 浙江众凌科技有限公司 一种精密金属遮罩及其蚀刻激光复合制作方法
JP7327693B2 (ja) 2021-08-31 2023-08-16 凸版印刷株式会社 蒸着マスク基材、蒸着マスク基材の検査方法、蒸着マスクの製造方法、および、表示装置の製造方法
TWI828015B (zh) * 2021-12-01 2024-01-01 達運精密工業股份有限公司 精密金屬遮罩的製造方法
KR20240044840A (ko) * 2022-09-29 2024-04-05 엘지이노텍 주식회사 금속판 및 이를 포함하는 증착용 마스크

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015098650A (ja) * 2015-02-05 2015-05-28 Jx日鉱日石金属株式会社 メタルマスク材料及びメタルマスク
CN106460149A (zh) * 2014-05-13 2017-02-22 大日本印刷株式会社 金属板、金属板的制造方法、以及利用金属板制造掩模的方法
JP2017141500A (ja) * 2016-02-12 2017-08-17 大日本印刷株式会社 蒸着マスクおよび蒸着マスクの製造方法

Family Cites Families (68)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5612503Y2 (zh) 1976-12-08 1981-03-23
JPS57104141A (en) * 1980-12-22 1982-06-29 Dainippon Printing Co Ltd Photomask and photomask substrate
JPS5968146A (ja) * 1982-10-08 1984-04-18 Toshiba Corp フラツトマスクの表裏判別方法
JPS6139344A (ja) * 1984-07-31 1986-02-25 Toshiba Corp シャドウマスク
JPH0687398B2 (ja) * 1986-07-08 1994-11-02 株式会社東芝 シヤドウマスクの製造方法
US5130203A (en) * 1988-07-28 1992-07-14 Nippon Leakless Industry Co., Ltd. Metal gasket and method of producing the same
JPH05144384A (ja) * 1991-09-25 1993-06-11 Toshiba Corp シヤドウマスク用素材
JPH08220778A (ja) 1995-02-17 1996-08-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd エッチング方法及び装置
JPH08269742A (ja) * 1995-03-30 1996-10-15 Nikko Kinzoku Kk 精密エッチング加工用冷間圧延金属材料及びその製造方法
JPH11219986A (ja) * 1998-02-03 1999-08-10 Hitachi Cable Ltd Ｔａｂ用テープキャリアの製造方法
KR100509579B1 (ko) * 1999-06-10 2005-08-22 니폰야긴고오교오가부시기가이샤 Ｆｅ-Ｎｉ계 섀도우마스크용 재료
JP2001131707A (ja) 1999-10-29 2001-05-15 Dainippon Printing Co Ltd カラーブラウン管用シャドウマスク
JP2001234385A (ja) 2000-02-24 2001-08-31 Tohoku Pioneer Corp メタルマスク及びその製造方法
EP1134300A3 (en) 2000-03-17 2002-05-22 Hitachi Metals, Ltd. Fe-Ni alloy
JP3370316B2 (ja) * 2000-04-28 2003-01-27 福田金属箔粉工業株式会社 プリント配線板用銅箔及びその表面処理方法
US6524723B2 (en) 2000-04-28 2003-02-25 Fukuda Metal Foil & Powder Co., Ltd. Copper foil for printed circuit boards and its surface treatment method
JP3545684B2 (ja) * 2000-07-17 2004-07-21 日鉱金属加工株式会社 エッチング穿孔性に優れたＦｅ−Ｎｉ系合金シャドウマスク用素材
JP2002035804A (ja) * 2000-07-31 2002-02-05 Hitachi Metals Ltd 高強度シャドウマスク用あるいはアパーチャグリル用薄板の製造方法
JP2002194573A (ja) * 2000-12-27 2002-07-10 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 銅および銅合金の表面処理剤
JP2004061121A (ja) 2002-07-24 2004-02-26 Nippon Light Metal Co Ltd 表面分析用標準試料及びその製造方法
JP2004185890A (ja) * 2002-12-02 2004-07-02 Hitachi Metals Ltd メタルマスク
JP3975439B2 (ja) * 2002-12-02 2007-09-12 日立金属株式会社 メタルマスク
JP4170179B2 (ja) * 2003-01-09 2008-10-22 株式会社 日立ディスプレイズ 有機ｅｌパネルの製造方法および有機ｅｌパネル
JP2006010576A (ja) * 2004-06-28 2006-01-12 Chugoku Electric Power Co Inc:The 物体表面における測定対象凹部或いは凸部の幅測定方法および体積測定方法
US20060068132A1 (en) * 2004-09-30 2006-03-30 Asahi Glass Company, Limited Ink jet recording sheet for plate-making mask film, and process for producing flexographic printing plate
EP1826022B1 (en) * 2006-02-28 2008-11-26 Agfa Graphics N.V. A method for making a lithographic printing plate support
JP4983399B2 (ja) * 2007-05-25 2012-07-25 シンフォニアテクノロジー株式会社 マスクアライメント装置
JP2009054512A (ja) * 2007-08-29 2009-03-12 Seiko Epson Corp マスク
JP2010106358A (ja) * 2008-09-30 2010-05-13 Canon Inc 成膜用マスク及びそれを用いた成膜方法
JP5294072B2 (ja) * 2009-03-18 2013-09-18 日立金属株式会社 エッチング加工用素材の製造方法及びエッチング加工用素材
JP2010247500A (ja) * 2009-04-20 2010-11-04 Sonocom Co Ltd マスク及びマスクの製造方法
CA2827391C (en) * 2011-02-15 2018-11-27 Plansee Se Layer structure and use thereof to form a ceramic layer structure between an interconnect and a cathode of a high-temperature fuel cell
JP5877245B2 (ja) * 2011-06-22 2016-03-02 アイクストロン、エスイー 気相蒸着方法及び気相蒸着装置
CN102692184B (zh) * 2012-02-29 2014-07-23 首钢总公司 一种同时测量腐蚀坑体积、面积、深度的方法
JP5382259B1 (ja) 2013-01-10 2014-01-08 大日本印刷株式会社 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いて蒸着マスクを製造する方法
JP6432722B2 (ja) * 2013-07-30 2018-12-05 俊 保坂 半導体センサー・デバイスおよびその製造方法
JP5455099B1 (ja) * 2013-09-13 2014-03-26 大日本印刷株式会社 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いてマスクを製造する方法
JP2015129334A (ja) * 2014-01-08 2015-07-16 大日本印刷株式会社 積層マスクの製造方法、積層マスクおよび保護フィルム付き積層マスク
JP2015140464A (ja) * 2014-01-29 2015-08-03 大日本印刷株式会社 蒸着マスク装置及び熱バリア材
JP5626491B1 (ja) 2014-03-06 2014-11-19 大日本印刷株式会社 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いて蒸着マスクを製造する方法
KR101862962B1 (ko) * 2014-05-28 2018-05-30 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤 열간 공구 재료 및 열간 공구의 제조 방법
JP6341039B2 (ja) 2014-09-29 2018-06-13 大日本印刷株式会社 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いて蒸着マスクを製造する方法
JP6459040B2 (ja) 2014-12-10 2019-01-30 大日本印刷株式会社 金属板、金属板の製造方法、および金属板を用いて蒸着マスクを製造する方法
JP6515520B2 (ja) * 2014-12-15 2019-05-22 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスクを作製するために用いられる金属板および蒸着マスク
JP6372755B2 (ja) * 2014-12-24 2018-08-15 大日本印刷株式会社 蒸着マスクの製造方法、蒸着マスクを作製するために用いられる金属板および蒸着マスク
JP6628082B2 (ja) * 2015-01-20 2020-01-08 日立金属株式会社 Ｆｅ−Ｎｉ系合金薄板の製造方法
TWI696708B (zh) * 2015-02-10 2020-06-21 日商大日本印刷股份有限公司 有機ｅｌ顯示裝置用蒸鍍遮罩之製造方法、欲製作有機ｅｌ顯示裝置用蒸鍍遮罩所使用之金屬板及其製造方法
CN110551973B (zh) 2015-02-10 2022-06-14 大日本印刷株式会社 蒸镀掩模
JP6666656B2 (ja) * 2015-04-02 2020-03-18 東洋鋼鈑株式会社 Ｒｆマグネトロンスパッタリング装置
CN111526674A (zh) * 2015-06-05 2020-08-11 Jx日矿日石金属株式会社 压延铜箔、覆铜层叠板、以及柔性印刷基板和电子设备
WO2017013904A1 (ja) * 2015-07-17 2017-01-26 凸版印刷株式会社 メタルマスク基材、メタルマスク基材の管理方法、メタルマスク、および、メタルマスクの製造方法
CN113403574A (zh) * 2015-07-17 2021-09-17 凸版印刷株式会社 金属掩模用基材及其制造方法、蒸镀用金属掩模及其制造方法
KR102341452B1 (ko) * 2015-07-17 2021-12-21 도판 인사츠 가부시키가이샤 증착용 메탈 마스크 기재, 증착용 메탈 마스크, 증착용 메탈 마스크 기재의 제조 방법, 및, 증착용 메탈 마스크의 제조 방법
CN105004786B (zh) * 2015-08-17 2017-10-31 苏州热工研究院有限公司 一种基于涡流检测的换热管管壁凹陷程度评估方法
JP6598007B2 (ja) 2015-09-30 2019-10-30 日立金属株式会社 Ｆｅ−Ｎｉ系合金薄板の製造方法
JP6177299B2 (ja) * 2015-11-04 2017-08-09 Ｊｘ金属株式会社 メタルマスク材料及びメタルマスク
JP6177298B2 (ja) * 2015-11-04 2017-08-09 Ｊｘ金属株式会社 メタルマスク材料及びメタルマスク
JP6624504B2 (ja) * 2015-12-03 2019-12-25 大日本印刷株式会社 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法
KR102586048B1 (ko) * 2016-01-12 2023-10-10 삼성디스플레이 주식회사 마스크 조립체, 이의 제조방법 및 이를 포함한 표시 장치의 제조장치
JP6460131B2 (ja) * 2016-02-16 2019-01-30 Ｊｆｅスチール株式会社 溶融亜鉛めっき鋼板の表面性状評価方法、溶融亜鉛めっき鋼板の表面性状評価装置、及び溶融亜鉛めっき鋼板の製造方法
JP6670469B2 (ja) * 2016-03-16 2020-03-25 大日本印刷株式会社 蒸着マスクおよび蒸着マスク中間体
EP3231588A1 (de) * 2016-04-12 2017-10-18 Evonik Röhm GmbH Sprühgetrocknetes weichphasenemulsionspolymerisat für das auffüllen der zwickel in perlpolymerisatschichten im binder jetting verfahren
CN109641248B (zh) 2016-08-31 2021-04-06 日立金属株式会社 金属掩模用原材料及其制造方法
EP3508604B1 (en) 2016-08-31 2020-12-09 Hitachi Metals, Ltd. Metal mask material and production method therefor
KR101819367B1 (ko) * 2016-09-08 2018-01-17 주식회사 포스코 철-니켈 합금 박 및 이의 제조방법
JP7156279B2 (ja) 2017-06-20 2022-10-19 日立金属株式会社 メタルマスク用薄板の製造方法及びメタルマスク用薄板
TWI765121B (zh) * 2017-11-14 2022-05-21 日商大日本印刷股份有限公司 用以製造蒸鍍罩之金屬板、金屬板之檢查方法、金屬板之製造方法、蒸鍍罩、蒸鍍罩裝置及蒸鍍罩之製造方法
KR20200058819A (ko) * 2018-11-20 2020-05-28 엘지이노텍 주식회사 합금 금속판 및 이를 포함하는 증착용 마스크

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106460149A (zh) * 2014-05-13 2017-02-22 大日本印刷株式会社 金属板、金属板的制造方法、以及利用金属板制造掩模的方法
JP2015098650A (ja) * 2015-02-05 2015-05-28 Jx日鉱日石金属株式会社 メタルマスク材料及びメタルマスク
JP2017141500A (ja) * 2016-02-12 2017-08-17 大日本印刷株式会社 蒸着マスクおよび蒸着マスクの製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115558928A (zh) * 2022-08-31 2023-01-03 浙江众凌科技有限公司 一种基于表面平坦度的蒸镀基材蚀刻装置及蚀刻方法

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Publication number Publication date
KR20230154477A (ko) 2023-11-08
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