JP5877245B2 - 気相蒸着方法及び気相蒸着装置 - Google Patents
気相蒸着方法及び気相蒸着装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5877245B2 JP5877245B2 JP2014516206A JP2014516206A JP5877245B2 JP 5877245 B2 JP5877245 B2 JP 5877245B2 JP 2014516206 A JP2014516206 A JP 2014516206A JP 2014516206 A JP2014516206 A JP 2014516206A JP 5877245 B2 JP5877245 B2 JP 5877245B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- open cell
- vapor deposition
- foam structure
- vapor
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title claims description 132
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 34
- 239000006260 foam Substances 0.000 claims description 272
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 145
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 142
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 95
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 92
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 92
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 79
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 72
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 70
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 63
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 62
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 57
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 42
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 29
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 24
- 230000000153 supplemental effect Effects 0.000 claims description 23
- 229910021397 glassy carbon Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 10
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 claims description 8
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims description 7
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 7
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 6
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 5
- 239000012071 phase Substances 0.000 claims description 5
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 4
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 4
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 2
- 239000011343 solid material Substances 0.000 claims 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 49
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 33
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 29
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 25
- 230000006870 function Effects 0.000 description 23
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 19
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 19
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 19
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 18
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 16
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 13
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 13
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 10
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 10
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 10
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 9
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 8
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 5
- 230000004044 response Effects 0.000 description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- -1 DBQA Chemical compound 0.000 description 3
- 229920001247 Reticulated foam Polymers 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 3
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 3
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 3
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 3
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000005315 distribution function Methods 0.000 description 2
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000011214 refractory ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- 239000002470 thermal conductor Substances 0.000 description 2
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 2
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 2
- IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(dicyanomethylidene)-2,3,5,6-tetrafluorocyclohexa-2,5-dien-1-ylidene]propanedinitrile Chemical compound FC1=C(F)C(=C(C#N)C#N)C(F)=C(F)C1=C(C#N)C#N IXHWGNYCZPISET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 4- -2-tert-butyl-6- -4h-pyran Chemical compound O1C(C(C)(C)C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 0.000 description 1
- SCZWJXTUYYSKGF-UHFFFAOYSA-N 5,12-dimethylquinolino[2,3-b]acridine-7,14-dione Chemical compound CN1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3N(C)C1=C2 SCZWJXTUYYSKGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101150088517 TCTA gene Proteins 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- UBAZGMLMVVQSCD-UHFFFAOYSA-N carbon dioxide;molecular oxygen Chemical compound O=O.O=C=O UBAZGMLMVVQSCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003203 everyday effect Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000006261 foam material Substances 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 231100001261 hazardous Toxicity 0.000 description 1
- 230000036541 health Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- CECAIMUJVYQLKA-UHFFFAOYSA-N iridium 1-phenylisoquinoline Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12.C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12.C1=CC=CC=C1C1=NC=CC2=CC=CC=C12 CECAIMUJVYQLKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YERGTYJYQCLVDM-UHFFFAOYSA-N iridium(3+);2-(4-methylphenyl)pyridine Chemical compound [Ir+3].C1=CC(C)=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC(C)=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC(C)=CC=C1C1=CC=CC=N1 YERGTYJYQCLVDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 210000003041 ligament Anatomy 0.000 description 1
- 239000012705 liquid precursor Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000013642 negative control Substances 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013641 positive control Substances 0.000 description 1
- 238000009700 powder processing Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N rhenium atom Chemical compound [Re] WUAPFZMCVAUBPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 238000007873 sieving Methods 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid Substances OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/12—Organic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/228—Gas flow assisted PVD deposition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/246—Replenishment of source material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/26—Vacuum evaporation by resistance or inductive heating of the source
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
Description
本発明の第5の態様では、伝導性三次元オープンセル網状構造体は、好適にはガラス質炭素発泡体である。高融点金属材料又はセラミック材料のコーティングが、先ず、伝導性三次元オープンセル網状構造体上に蒸着されてもよく、選択された気相蒸着材料の固体コーティングは、高融点金属材料又はセラミック材料のコーティングの上に存在してもよい。選択された気相蒸着材料の固体コーティングは、約1nmから約2μmまでの範囲の厚さを有し、実質的に不純物を含まない。選択された気相蒸着材料は、OLED材料等の有機材料又は有機金属材料である。
網状カーボン発泡構造体の製造方法は、特許文献14に開示されている。特許文献14は、ガラス質炭素発泡体がしばしば、化学気相蒸着プロセスにより他の材料でコーティングされることを記載している。基本的なガラス質炭素発泡体において、1に比べて大きく異なるアスペクト比をもつセルが大半を占めている場合、それから得られるコーティングされた発泡構造体は、異方性をもつ可能性がある。化学気相蒸着は、SiC又はBN等のセラミック及びW又はTa等の金属により炭素発泡構造体をコーティングするために用いられる。
ペレットを形成するための、精確な粉末計量又は液体の使用若しくは粉末の前処理の必要性を排除する、改良された蒸発プロセスが開発されてきた。この改良された蒸発プロセスは、有機材料の熱暴露を低減する一方、高速応答制御システムの必要性を排除する。その設計は、材料の蒸発すなわち昇華を支配する基本因子である温度、表面積、分圧及び全圧を一般的すなわちマクロな意味で典型的に制御するのみである、観察によって導かれる。るつぼの壁とるつぼが収容する有機粉末の間の限定された接触、有機粉末全体に存在し得る大きな熱勾配、粉末粒子サイズのばらつき、及び、粉末の加熱される質量中での局所的分圧勾配及び全圧勾配の全てが、蒸発制御の不正確さに関与するとともに、所与の蒸着速度を得るために必要な理論値を超えるるつぼ温度を必要とすることに関与する。以下の原理は、局所的蒸発条件が平均的蒸発条件といかに大きく異なる可能性があるかを理解するために有用である。
これに替えて、蒸発装置14は、精製される材料を蒸発させるために、るつぼ20の変わりに本開示の装置を利用すると有益である。蒸気は、凝縮物収集管22を通過するように流される。凝縮物収集管22は、添付グラフ(図1A参照)に示される温度勾配を有する。これにより、凝縮物収集管22の温度は、蒸発装置14に隣接する端部において高く、反対側の端部において低くなっている。凝縮物収集管22の2つの端部の間に、1又は複数のオープンセル発泡構造体10が設置されている。オープンセル発泡構造体10の温度が所望する凝縮温度Tcに制御されかつ維持されることにより、所望する分子構造を持つ蒸気がオープンセル発泡構造体10上に好適に凝縮することができる。オープンセル発泡構造体10は、図1のように、凝縮物収集管22の軸に対して垂直に位置する面をもつように配置される。あるいは、オープンセル発泡構造体10は、多面体形状又は管体形状を有しかつ凝縮物収集管22内に同心的に配置されてもよい。オープンセル発泡構造体10は、凝縮物収集管22の壁に対してほぼ沿うように形成された平板の形態をとることもできる。真空チャンバ16は、圧力センサ24及び圧力コントローラ26と組み合わされた真空ポンプ21により所望する圧力に維持される。
図2は、オープンセル発泡構造体10における、相互接続された柱状物又は索状物28から構成されるオープンセル多面体構造の拡大図である。ガラス状炭素から作製されるこのような発泡構造体は、ERG Aerospaceから市販されており入手可能である。これらの発泡材料は、化学気相蒸着により金属及びセラミックをコーティングされてもよい。
図3は、発泡構造体の索状物28をさらに大きく拡大した断面である。発泡構造体は、ほぼ三角形であり、この図では凝縮材料のコーティング30である非常に厚いコーティングで取り囲まれている。
ガス分配マニホールド110、ヒーター130と任意のガスヒーター106、入口ダクト108、配線112及び113並びに接点114及び116と、オープンセル発泡構造体10及び132とを組み合わせたものを、本明細書では、気相蒸着ヘッド140と称する場合がある。
オープンセル発泡構造体602に供給する電力を制御する基本ループにおける持続的な正又は負の制御信号に基づいて、蒸気ソース604及び606の平均補充蒸気フラックスを調整するために、制御システムが直列的制御ループを含むことが有利な場合もある。
11 昇華精製装置
12 精製される材料
14 蒸発装置
16 真空チャンバ
18 ヒーター
20 るつぼ
21 真空ポンプ
22 凝縮物収集管
24 圧力センサ
26 圧力コントローラ
28 柱状物又は索状物
30 凝縮材料のコーティング
32 気相蒸着装置
34 入口管
36 マスフローコントローラ
38 ガスヒーター
40 入口ダクト
42 ガス分配マニホールドすなわちプレナム
44、45 配線
46、48 接点
50 真空チャンバ
52 基板ホルダ
54 基板
56 真空ポンプ
58 圧力センサ
60 圧力コントローラ
62 ヒーター
64、66 電極
68、70 電気リード配線
72、74 補完部材
76、78 接点
80 絶縁部材
84 クランプ構造材
86 サーモカップル
100 気相蒸着装置
102 入口管
104 マスフローコントローラ
106 ガスヒーター
108 入口ダクト
110 ガス分配マニホールドすなわちプレナム
112、113 配線
114、116 接点
118 真空チャンバ
120 基板ホルダ
122 基板
124 真空ポンプ
126 圧力センサ
128 圧力コントローラ
130 ヒーター
131、133 補完部材
132 第2のオープンセル発泡構造体すなわち加熱素子
134、136 接点
135、137 電極
138、139 配線
140 気相蒸着ヘッド
142、144 電極
146、148 補完部材
150 絶縁部材
152 クランプ構造材
154 ヒーター
300 蒸着ソース供給ヘッド
302 ロータ
304 ステータ
306 フレーム
308 供給管
309 接点
310 ダクト
312 ダクト
314 基板
316 基板ホルダ
320 多角柱
322 基板ホルダ
324 標的基板
400 蒸着ソース供給ヘッド
402 ロータ
404、406 ステータ部分
408 フレーム
410 供給管
412、414 ダクト
416 基板
418 基板ホルダ
420、422 ダクト
500 気相蒸着ヘッド
502 供給管
504 ダクト
506 ステータ部分
508 ダクト
510 ロータ
512 基板
514 基板ホルダ
516 供給管
518 ダクト
520 ステータ部分
522 ダクト
524 基板
600 気相蒸着装置
602 オープンセル発泡構造体
604、606 蒸気生成ソース
608、610 キャリアガス入口
612、614 ガスフローコントローラ
616 蒸気混合器
618 希釈キャリアガス入口
620 ガスフローコントローラ
622 ガス温度コントローラ
624 送管
626 ガス入口管
628 ガス分配マニホールドすなわちプレナム
630 オープンセル発泡構造体
631 ヒーター
632、633 配線
634、635 接点
636 基板ホルダ
637 基板
638 真空チャンバ
639 真空ポンプ
640 圧力センサ
642 圧力コントローラ
644、646 接点
648、650 配線
652 気相蒸着ヘッド
654 標的基板
656 基板ホルダ
658、660 蒸着チャンバ
662 真空ポンプ
664 圧力センサ
666 圧力コントローラ
668、670 電極
672、674 補完部材
676 絶縁部材
678 クランプ構造材
680 サーモカップル
682 センサ
684 変動する流入量
686 流出量
700 インライン蒸着システム
702 気相蒸着ヘッド
704 基板
705 コーティングされた基板
706 コンベアシステム
708 基板供給マガジン
710 基板受容マガジン
712 真空チャンバ
714 圧力センサ
716 圧力コントローラ
718 真空ポンプ
800 ロールトゥロール蒸着システム
802 気相蒸着ヘッド
804 基板
805 コーティングされた基板
806 コンベアシステム
808 基板供給ロール
810 基板受容ロール
812 真空チャンバ
814 圧力センサ
816 圧力コントローラ
818 真空ポンプ
Claims (15)
- (a)三次元オープンセル網状構造体上に予め気相蒸着されていた、選択された固体材料の固体コーティングを、前記三次元オープンセル網状構造体に加熱のための電気エネルギーを与えてその温度を制御することにより蒸発させて蒸着ガスを生成し、
(b)前記三次元オープンセル網状構造体にキャリアガスを通過させて前記蒸着ガスの制御可能な分圧を生じさせつつ前記固体コーティングを蒸発させることにより、前記キャリアガスと前記蒸着ガスの混合物を生成し、
(c)温度制御された基板に対して前記混合物を安定な流量にて供給し、
(d)前記蒸着ガスを前記温度制御された基板の表面上で凝縮させ、かつ、
(e)前記キャリアガスを排気する、
気相蒸着方法。 - 前記選択された固体材料の前記固体コーティングが有機材料又は有機金属材料であり、1nmから2μmまでの範囲の厚さを有する、請求項1に記載の方法。
- 前記三次元オープンセル網状構造体が電気伝導性のガラス質炭素発泡体であり、前記蒸発させるステップが、前記三次元オープンセル網状構造体に電圧を印加することにより行われる、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記三次元オープンセル網状構造体上の固体コーティングが消耗した後、又は、前記三次元オープンセル網状構造体上の固体コーティングが蒸発させられ前記基板の表面上に蒸着させられつつ、前記三次元オープンセル網状構造体上に前記選択された固体材料を気相蒸着により補充する、請求項1〜3のいずれかに記載の方法。
- さらに、
(a)補充蒸着蒸気を前記三次元オープンセル網状構造体に供給し、
(b)前記固体コーティングを補充するべく前記補充蒸着蒸気を前記三次元オープンセル網状構造体上に凝縮させる、請求項1〜3のいずれかに記載の方法。 - (a)選択された気相蒸着材料の固体コーティングをその上に気相蒸着されておりかつ電極の間に挟まれた第1の電気伝導性の三次元オープンセル網状構造体と、
(b)蒸着ガスを生成するべく前記第1の三次元オープンセル網状構造体の固体コーティングを加熱する手段と、
(c)キャリアガスが前記第1の三次元オープンセル網状構造体を通過して前記蒸着ガスの制御可能な分圧を生じつつ前記固体コーティングが蒸発させられ、蒸発した固体コーティングである前記蒸着ガスと前記キャリアガスが混合物を形成するように、前記キャリアガスが供給される第1の送管と、
(d)蒸着チャンバ内の温度制御された基板に対して安定な流量にて前記混合物を供給するために、前記混合物が通過する第2の送管とを備えた、
気相蒸着装置。 - 前記第1の三次元オープンセル網状構造体に電流を供給するための電源をさらに備えた、請求項6に記載の気相蒸着装置。
- 前記固体コーティングが固体有機材料若しくは固体有機金属材料であるか、又は、前記固体コーティングが金属材料若しくはセラミック材料である、請求項6又は7に記載の気相蒸着装置。
- ガス分配マニホールド内にて第2の三次元オープンセル網状構造体を前記第1の三次元オープンセル網状構造体の上方にさらに設けた、請求項6〜8のいずれかに記載の気相蒸着装置。
- 前記第1及び第2の三次元オープンセル網状構造体がガラス質炭素発泡体である、請求項9に記載の気相蒸着装置。
- 前記キャリアガスが前記第1及び第2の三次元オープンセル網状構造体を通過する不活性ガスであり、前記第1及び第2の三次元オープンセル網状構造体が複数の索状物を有し、前記索状物は前記キャリアガスと該索状物の周囲に生成された蒸発した固体コーティングとの混合を促進する曲がりくねった流路を形成し、かつ、前記ガスの流れ及び温度が、蒸着標的に向かう蒸発した固体コーティングの生成及び移送の速度を制御することに寄与する、請求項9又は10に記載の気相蒸着装置。
- 加熱されたガス分配マニホールドをさらに備え、前記第1及び第2の三次元オープンセル網状構造体が前記加熱されたガス分配マニホールド内に設けられる、請求項9〜11のいずれかに記載の気相蒸着装置。
- 前記第1の三次元オープンセル網状構造体上に高融点金属の均一なコーティングをさらに有し、選択された気相蒸着材料の前記固体コーティングが前記高融点金属の均一なコーティングの上に存在し、前記高融点金属がタングステン、タンタル又はモリブデンであるか、又は、前記第1の三次元オープンセル網状構造体上にセラミックの均一なコーティングをさらに有し、選択された気相蒸着材料の前記コーティングが前記セラミックの均一なコーティングの上に存在する、請求項6〜12のいずれかに記載の気相蒸着装置。
- 前記第1の三次元オープンセル網状構造体の温度を計測して前記第1の三次元オープンセル網状構造体に供給する電流を制御するべくフィードバックする温度センサと、前記温度制御された基板上への材料蒸着速度を計測して前記第1の三次元オープンセル網状構造体に供給する電流を制御するべくフィードバックする気相蒸着速度センサの、いずれか又は双方をさらに備えた、請求項6〜13のいずれかに記載の気相蒸着装置。
- (a)前記第1の三次元オープンセル網状構造体が設けられるガス分配マニホールドと、
(b)補充蒸着ガスを前記ガス分配マニホールドに供給するための少なくとも1つの蒸気生成ソースと、をさらに備え、前記補充蒸着ガスが凝縮して前記第1の三次元オープンセル網状構造体上に新たな蒸着材料の固体コーティングを形成する、請求項6〜14のいずれかに記載の気相蒸着装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/EP2011/060469 WO2012175126A1 (en) | 2011-06-22 | 2011-06-22 | Method and apparatus for vapor deposition |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014522909A JP2014522909A (ja) | 2014-09-08 |
JP5877245B2 true JP5877245B2 (ja) | 2016-03-02 |
Family
ID=44628723
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014516206A Active JP5877245B2 (ja) | 2011-06-22 | 2011-06-22 | 気相蒸着方法及び気相蒸着装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP2723914B1 (ja) |
JP (1) | JP5877245B2 (ja) |
KR (1) | KR101711502B1 (ja) |
CN (1) | CN103930588B (ja) |
TW (1) | TWI560305B (ja) |
WO (1) | WO2012175126A1 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102014109196A1 (de) | 2014-07-01 | 2016-01-07 | Aixtron Se | Vorrichtung zum Erzeugen eines Dampfes aus einem festen oder flüssigen Ausgangsstoff für eine CVD- oder PVD-Einrichtung |
DE102014109195A1 (de) | 2014-07-01 | 2016-01-07 | Aixtron Se | Vorrichtung und Verfahren zum Erzeugen eines Dampfes aus mehreren flüssigen oder festen Ausgangsstoffen für eine CVD- oder PVD-Einrichtung |
DE102014109194A1 (de) | 2014-07-01 | 2016-01-07 | Aixtron Se | Vorrichtung und Verfahren zum Erzeugen eines Dampfes für eine CVD- oder PVD-Einrichtung |
DE102014117492A1 (de) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | Aixtron Se | Vorrichtung zum Abscheiden einer Schicht auf einem Substrat |
DE102016100625A1 (de) | 2016-01-15 | 2017-07-20 | Aixtron Se | Vorrichtung zum Bereitstellen eines Prozessgases in einer Beschichtungseinrichtung |
US10100410B2 (en) | 2016-08-05 | 2018-10-16 | Industrial Technology Research Institute | Film thickness monitoring system and method using the same |
KR20180081952A (ko) * | 2017-01-09 | 2018-07-18 | 롬엔드하스전자재료코리아유한회사 | 상 변화 물질을 이용한 유기 전계 발광 소자 제조용 장치 및 유기 전계 발광 소자를 제조하는 방법 |
DE102017112668A1 (de) * | 2017-06-08 | 2018-12-13 | Aixtron Se | Verfahren zum Abscheiden von OLEDs |
CN107699864B (zh) * | 2017-09-14 | 2019-08-20 | 中山大学 | Mocvd设备进气装置和反应腔的结构及该设备的薄膜生长方法 |
DE102017126126A1 (de) | 2017-11-08 | 2019-05-09 | Aixtron Se | Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen eines Dampfes durch die Verwendung von in einem Regelmodus gewonnenen Steuerdaten |
KR20230154477A (ko) * | 2017-11-14 | 2023-11-08 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 증착 마스크를 제조하기 위한 금속판 및 금속판의 제조 방법, 그리고 증착 마스크, 증착 마스크의 제조 방법 및 증착 마스크를 구비하는 증착 마스크 장치 |
CN112007829B (zh) * | 2019-05-31 | 2022-02-22 | 奥特风系统有限公司 | 鱼尾形进料结构以及发泡层涂覆装置 |
DE102020123764A1 (de) | 2020-09-11 | 2022-03-17 | Apeva Se | Verfahren zum Erzeugen eines zeitlich konstanten Dampfflusses sowie Verfahren zum Einstellen eines Arbeitspunktes einer Vorrichtung zum Erzeugen eines Dampfes |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4885211A (en) | 1987-02-11 | 1989-12-05 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with improved cathode |
US4769292A (en) | 1987-03-02 | 1988-09-06 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone |
US5059292A (en) | 1989-02-28 | 1991-10-22 | Collins George J | Single-chamber apparatus for in-situ generation of dangerous polyatomic gases and radicals from a source material contained within a porous foamed structure |
US5104695A (en) * | 1989-09-08 | 1992-04-14 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for vapor deposition of material onto a substrate |
US5204314A (en) | 1990-07-06 | 1993-04-20 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method for delivering an involatile reagent in vapor form to a CVD reactor |
JPH0483871A (ja) * | 1990-07-27 | 1992-03-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 有機薄膜の作製方法及びその作製装置 |
US6103149A (en) | 1996-07-12 | 2000-08-15 | Ultramet | Method for producing controlled aspect ratio reticulated carbon foam and the resultant foam |
US5820678A (en) | 1997-05-30 | 1998-10-13 | The Regents Of The University Of California | Solid source MOCVD system |
JP3738869B2 (ja) * | 1997-06-05 | 2006-01-25 | 松下電器産業株式会社 | 蒸着方法および蒸着装置 |
US6037241A (en) | 1998-02-19 | 2000-03-14 | First Solar, Llc | Apparatus and method for depositing a semiconductor material |
DE10048759A1 (de) * | 2000-09-29 | 2002-04-11 | Aixtron Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden insbesondere organischer Schichten im Wege der OVPD |
JP4054561B2 (ja) * | 2000-10-26 | 2008-02-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 成膜方法 |
US20030026601A1 (en) * | 2001-07-31 | 2003-02-06 | The Arizona Board Of Regents On Behalf Of The University Of Arizona | Vapor deposition and in-situ purification of organic molecules |
JP2004022401A (ja) * | 2002-06-18 | 2004-01-22 | Sony Corp | 有機膜形成装置および有機膜形成方法 |
JP2004043853A (ja) * | 2002-07-10 | 2004-02-12 | Sony Corp | 薄膜形成装置および薄膜形成方法 |
US20050079278A1 (en) | 2003-10-14 | 2005-04-14 | Burrows Paul E. | Method and apparatus for coating an organic thin film on a substrate from a fluid source with continuous feed capability |
JP4476019B2 (ja) * | 2004-05-20 | 2010-06-09 | 東北パイオニア株式会社 | 成膜源、真空成膜装置、有機el素子の製造方法 |
US7288286B2 (en) | 2004-09-21 | 2007-10-30 | Eastman Kodak Company | Delivering organic powder to a vaporization zone |
US8128753B2 (en) | 2004-11-19 | 2012-03-06 | Massachusetts Institute Of Technology | Method and apparatus for depositing LED organic film |
DE102005013875A1 (de) * | 2005-03-24 | 2006-11-02 | Creaphys Gmbh | Heizeinrichtung, Beschichtungsanlage und Verfahren zur Verdampfung oder Sublimation von Beschichtungsmaterialien |
JP4815447B2 (ja) | 2006-05-19 | 2011-11-16 | 株式会社アルバック | 有機蒸着材料用蒸着装置、有機薄膜の製造方法 |
KR101167547B1 (ko) | 2007-03-26 | 2012-07-20 | 가부시키가이샤 알박 | 증착원, 증착 장치, 성막 방법 |
EP2155496A4 (en) * | 2007-06-14 | 2010-08-11 | Massachusetts Inst Technology | METHOD AND APPARATUS FOR THERMAL JET PRINTING |
US8027574B2 (en) * | 2007-08-06 | 2011-09-27 | Global Oled Technology Llc | Vaporization of thermally sensitive materials |
-
2011
- 2011-06-22 EP EP11733819.4A patent/EP2723914B1/en active Active
- 2011-06-22 JP JP2014516206A patent/JP5877245B2/ja active Active
- 2011-06-22 KR KR1020147001803A patent/KR101711502B1/ko active IP Right Grant
- 2011-06-22 CN CN201180072856.4A patent/CN103930588B/zh active Active
- 2011-06-22 WO PCT/EP2011/060469 patent/WO2012175126A1/en unknown
-
2012
- 2012-06-18 TW TW101121732A patent/TWI560305B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2012175126A1 (en) | 2012-12-27 |
TWI560305B (en) | 2016-12-01 |
EP2723914B1 (en) | 2018-09-26 |
CN103930588B (zh) | 2016-08-17 |
KR20140041794A (ko) | 2014-04-04 |
TW201311924A (zh) | 2013-03-16 |
EP2723914A1 (en) | 2014-04-30 |
JP2014522909A (ja) | 2014-09-08 |
CN103930588A (zh) | 2014-07-16 |
KR101711502B1 (ko) | 2017-03-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5848822B2 (ja) | 気相蒸着システム及び供給ヘッド | |
JP5877245B2 (ja) | 気相蒸着方法及び気相蒸着装置 | |
JP5877244B2 (ja) | 気相蒸着材料ソース及びその作製方法 | |
US11713506B2 (en) | Evaporator, deposition arrangement, deposition apparatus and methods of operation thereof | |
JP5485888B2 (ja) | 熱に敏感な材料の気化 | |
TWI583809B (zh) | 用以沉積oled的方法與裝置 | |
KR20210123421A (ko) | 페로브스카이트 반도체의 증착을 위한 증기상 수송 시스템 및 방법 | |
TW200927964A (en) | Device for generating vapor of organic materials, film forming source and film forming device | |
WO2007037268A1 (ja) | 原料供給装置および蒸着装置 | |
KR20200016276A (ko) | Oled들을 증착시키기 위한 방법 | |
TW202035741A (zh) | 用以蒸發一材料之蒸發設備及使用蒸發裝置蒸發材料之方法 | |
JP6712592B2 (ja) | 基板上に層を堆積するための装置 | |
JP2022188434A (ja) | ガスキャリア気化器、これを含む蒸着装置、及びこれを用いた有機el素子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20141210 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150106 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150219 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150818 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150930 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160105 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160125 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5877245 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |