JP5848822B2 - 気相蒸着システム及び供給ヘッド - Google Patents
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Description
本発明の別の態様においては、伝導性三次元オープンセル網状構造体が、好適にはガラス質炭素発泡体である。先ず、高融点金属材料又はセラミック材料のコーティングが、伝導性三次元オープンセル網状構造体上に気相蒸着され、選択された気相蒸着材料の固体コーティングは、その高融点金属材料又はセラミック材料のコーティングの上に存在する。選択された気相蒸着材料の固体コーティングは、1nmから2μmまでの範囲の厚さを有し、実質的に不純物を含まない。選択された気相蒸着材料は、OLED材料等の有機材料又は有機金属材料である。
網状カーボン発泡構造体の製造方法は、特許文献14に開示されている。特許文献14は、ガラス質炭素発泡体がしばしば、化学気相蒸着プロセスにより他の材料でコーティングされることを記載している。基本的なガラス質炭素発泡体において、1に比べて大きく異なるアスペクト比をもつセルが大半を占めている場合、それから得られるコーティングされた発泡構造体は、異方性をもつ可能性がある。化学気相蒸着は、SiC又はBN等のセラミック及びW又はTa等の金属により炭素発泡構造体をコーティングするために用いられる。
ペレットを形成するための、精確な粉末計量又は液体の使用若しくは粉末の前処理の必要性を排除する、改良された蒸発プロセスが開発されてきた。この改良された蒸発プロセスは、有機材料の熱暴露を低減する一方、高速応答制御システムの必要性を排除する。その設計は、材料の蒸発すなわち昇華を支配する基本因子である温度、表面積、分圧及び全圧を一般的すなわちマクロな意味で典型的に制御するのみである、観察によって導かれる。るつぼの壁とるつぼが収容する有機粉末の間の限定された接触、有機粉末全体に存在し得る大きな熱勾配、粉末粒子サイズのばらつき、及び、粉末の加熱される質量中での局所的分圧勾配及び全圧勾配の全てが、蒸発制御の不正確さに関与するとともに、所与の蒸着速度を得るために必要な理論値を超えるるつぼ温度を必要とすることに関与する。以下の原理は、局所的蒸発条件が平均的蒸発条件といかに大きく異なる可能性があるかを理解するために有用である。
これに替えて、蒸発装置14は、精製される材料を蒸発させるために、るつぼ20の変わりに本開示の装置を利用すると有益である。蒸気は、凝縮物収集管22を通過するように流される。凝縮物収集管22は、添付グラフ(図1A参照)に示される温度勾配を有する。これにより、凝縮物収集管22の温度は、蒸発装置14に隣接する端部において高く、反対側の端部において低くなっている。凝縮物収集管22の2つの端部の間に、1又は複数のオープンセル発泡構造体10が設置されている。オープンセル発泡構造体10の温度が所望する凝縮温度Tcに制御されかつ維持されることにより、所望する分子構造を持つ蒸気がオープンセル発泡構造体10上に好適に凝縮することができる。オープンセル発泡構造体10は、図1のように、凝縮物収集管22の軸に対して垂直に位置する面をもつように配置される。あるいは、オープンセル発泡構造体10は、多面体形状又は管体形状を有しかつ凝縮物収集管22内に同心的に配置されてもよい。オープンセル発泡構造体10は、凝縮物収集管22の壁に対してほぼ沿うように形成された平板の形態をとることもできる。真空チャンバ16は、圧力センサ24及び圧力コントローラ26と組み合わされた真空ポンプ21により所望する圧力に維持される。
図2は、オープンセル発泡構造体10における、相互接続された柱状物又は索状物28から構成されるオープンセル多面体構造の拡大図である。ガラス状炭素から作製されるこのような発泡構造体は、ERG Aerospaceから市販されており入手可能である。これらの発泡材料は、化学気相蒸着により金属及びセラミックをコーティングされてもよい。
図3は、発泡構造体の索状物28をさらに大きく拡大した断面である。発泡構造体は、ほぼ三角形であり、この図では凝縮材料のコーティング30である非常に厚いコーティングで取り囲まれている。
ガス分配マニホールド110、ヒーター130と任意のガスヒーター106、入口ダクト108、配線112及び113並びに接点114及び116と、オープンセル発泡構造体10及び132とを組み合わせたものを、本明細書では、気相蒸着ヘッド140と称する場合がある。
オープンセル発泡構造体602に供給する電力を制御する基本ループにおける持続的な正又は負の制御信号に基づいて、蒸気ソース604及び606の平均補充蒸気フラックスを調整するために、制御システムが直列的制御ループを含むことが有利な場合もある。
11 昇華精製装置
12 精製される材料
14 蒸発装置
16 真空チャンバ
18 ヒーター
20 るつぼ
21 真空ポンプ
22 凝縮物収集管
24 圧力センサ
26 圧力コントローラ
28 柱状物又は索状物
30 凝縮材料のコーティング
32 気相蒸着装置
34 入口管
36 マスフローコントローラ
38 ガスヒーター
40 入口ダクト
42 ガス分配マニホールドすなわちプレナム
44、45 配線
46、48 接点
50 真空チャンバ
52 基板ホルダ
54 基板
56 真空ポンプ
58 圧力センサ
60 圧力コントローラ
62 ヒーター
64、66 電極
68、70 電気リード配線
72、74 補完部材
76、78 接点
80 絶縁部材
84 クランプ構造材
86 サーモカップル
100 気相蒸着装置
102 入口管
104 マスフローコントローラ
106 ガスヒーター
108 入口ダクト
110 ガス分配マニホールドすなわちプレナム
112、113 配線
114、116 接点
118 真空チャンバ
120 基板ホルダ
122 基板
124 真空ポンプ
126 圧力センサ
128 圧力コントローラ
130 ヒーター
131、133 補完部材
132 第2のオープンセル発泡構造体すなわち加熱素子
134、136 接点
135、137 電極
138、139 配線
140 気相蒸着ヘッド
142、144 電極
146、148 補完部材
150 絶縁部材
152 クランプ構造材
154 ヒーター
300 蒸着ソース供給ヘッド
302 ロータ
304 ステータ
306 フレーム
308 供給管
309 接点
310 ダクト
312 ダクト
314 基板
316 基板ホルダ
320 多角柱
322 基板ホルダ
324 標的基板
400 蒸着ソース供給ヘッド
402 ロータ
404、406 ステータ部分
408 フレーム
410 供給管
412、414 ダクト
416 基板
418 基板ホルダ
420、422 ダクト
500 気相蒸着ヘッド
502 供給管
504 ダクト
506 ステータ部分
508 ダクト
510 ロータ
512 基板
514 基板ホルダ
516 供給管
518 ダクト
520 ステータ部分
522 ダクト
524 基板
600 気相蒸着装置
602 オープンセル発泡構造体
604、606 蒸気生成ソース
608、610 キャリアガス入口
612、614 ガスフローコントローラ
616 蒸気混合器
618 希釈キャリアガス入口
620 ガスフローコントローラ
622 ガス温度コントローラ
624 送管
626 ガス入口管
628 ガス分配マニホールドすなわちプレナム
630 オープンセル発泡構造体
631 ヒーター
632、633 配線
634、635 接点
636 基板ホルダ
637 基板
638 真空チャンバ
639 真空ポンプ
640 圧力センサ
642 圧力コントローラ
644、646 接点
648、650 配線
652 気相蒸着ヘッド
654 標的基板
656 基板ホルダ
658、660 蒸着チャンバ
662 真空ポンプ
664 圧力センサ
666 圧力コントローラ
668、670 電極
672、674 補完部材
676 絶縁部材
678 クランプ構造材
680 サーモカップル
682 センサ
684 変動する流入量
686 流出量
700 インライン蒸着システム
702 気相蒸着ヘッド
704 基板
705 コーティングされた基板
706 コンベアシステム
708 基板供給マガジン
710 基板受容マガジン
712 真空チャンバ
714 圧力センサ
716 圧力コントローラ
718 真空ポンプ
800 ロールトゥロール蒸着システム
802 気相蒸着ヘッド
804 基板
805 コーティングされた基板
806 コンベアシステム
808 基板供給ロール
810 基板受容ロール
812 真空チャンバ
814 圧力センサ
816 圧力コントローラ
818 真空ポンプ
Claims (13)
- キャリアガスと蒸着ガスの混合物を、温度制御された標的基板に供給するための気相蒸着システムにおいて、
(a)第1部品と、
(b)前記第1部品の隣に配置された第2部品とを備え、前記第1部品と前記第2部品の間で相対的移動が行われ、前記第1部品は複数の支持面を具備し、各支持面はフレームを装着されており、
(c)各前記フレーム内に選択された気相蒸着材料の固体コーティングを有する三次元オープンセル網状構造体の加熱素子を備え、前記加熱素子は前記固体コーティングを制御可能に蒸発させることができ、
(d)前記第2部品内の供給ダクトにキャリアガスを供給するために前記第2部品に接続されたキャリアガス供給管を備え、
(e)前記第1部品内に複数の小側面ダクトを備え、各前記小側面ダクトは各前記支持面と揃っており、前記第1部品と前記第2部品の間の相対的移動により前記供給ダクトがいずれか1つの選択された前記小側面ダクトと揃えられ、それによりキャリアガスが選択された前記小側面ダクトの隣の前記加熱素子を通過可能となる
気相蒸着システム。 - 前記第1部品がロータでありかつ前記第2部品がステータであり、
前記ステータは前記ロータ内に又は前記ロータの周囲に回転可能に配置され、
前記ステータと前記ロータの相対的回転により、各加熱素子が前記標的基板に対向するように配置可能である、請求項1に記載の気相蒸着システム。 - 各前記フレームが、異なる選択された気相蒸着材料の固体コーティングを気相蒸着された加熱素子を支持することにより、異なるコーティング材料を前記標的基板上に順次コーティング可能である、請求項1又は2に記載の気相蒸着システム。
- 複数の標的基板を支持するための回転可能な支持構造をさらに備え、各前記標的基板は、前記支持構造の回転により前記小側面ダクトの選択された1つに対向するように個々にかつ順次配置される、請求項2又は3に記載の気相蒸着システム。
- 前記第1部品がロータでありかつ前記第2部品がステータであり、
前記ステータは第1ステータ部分及び第2ステータ部分を具備し、
キャリアガス及び蒸着ガスを第2ステータ部分の補充ダクトに供給するために前記第2ステータ部分に接続された蒸着ガス供給管を備え、
前記ロータが前記第1ステータ部分及び第2ステータ部分の周囲に回転可能に配置されており、前記ロータの回転により前記補充ダクトがいずれか1つの選択された前記小側面ダクトに揃えられ、それにより気相蒸着材料が前記蒸着ガス供給管を通って消耗した加熱素子上に気相蒸着されることが可能となる、請求項1〜4のいずれかに記載の気相蒸着システム。 - キャリアガスと蒸着ガスの混合物を、温度制御された標的基板に対して供給するための補充可能な気相蒸着ソース供給ヘッドであって、
(a)複数のダクトがその中を貫通しかつ互いに実質的に平面上に並んだ複数の加熱素子をその上に支持する第1部品を備え、各加熱素子は各ダクトと揃っており、各加熱素子は選択された気相蒸着材料の固体コーティングをその上に気相蒸着された電気伝導性三次元オープンセル網状構造体であり、前記加熱素子は前記固体コーティングを制御可能に蒸発させることができ、
(b)前記第1部品に対し相対的に移動するように取り付けられた第2部品を備え、前記第2部品はキャリアガス供給ダクト及び蒸着ガス供給ダクトを有し、前記第1部品は選択された加熱素子が前記キャリアガス供給ダクト又は前記蒸着ガス供給ダクトのいずれかと揃うように移動可能であり、
(c)キャリアガスを前記キャリアガス供給ダクトに供給するために前記第2部品に接続されたキャリアガス供給管と、
(d)蒸着ガスを前記蒸着ガス供給ダクトに供給するために前記第2部品に接続された蒸着ガス供給管と、を備えた、
補充可能な気相蒸着ソース供給ヘッド。 - 請求項6に記載の補充可能な気相蒸着ソース供給ヘッドと、
前記加熱素子に電流を供給するための電源と、を備えた、気相蒸着装置。 - (a)前記加熱素子の各々に接続された個々の電極の対と、
(b)不活性キャリアガスが前記加熱素子の各々を通過して各加熱素子内で前記蒸着ガスの制御可能な分圧を生じつつ前記複数の加熱素子の各々がその上の固体コーティングを蒸発させ、蒸発した各固体コーティングと前記キャリアガスがそれぞれ混合物を形成するように前記キャリアガスが供給されるために通る、前記第1部品における個々の前記ダクトと、
(c)温度制御された基板がその内部に支持された真空チャンバと、
(d)各混合物を前記真空チャンバに供給するための手段とを備えた、
請求項7に記載の気相蒸着装置。 - 前記標的基板上の別々の層の各々が、異なる気相蒸着材料により形成される、請求項7又は8に記載の気相蒸着装置。
- 前記固体コーティングが、OLED材料である固体有機材料若しくは固体有機金属材料であるか、又は、前記固体コーティングが固体金属材料又はセラミック材料である、
請求項7〜9のいずれかに記載の気相蒸着装置。 - 前記電気伝導性三次元オープンセル網状構造体がガラス質炭素発泡体である、
請求項7〜10のいずれかに記載の気相蒸着装置。 - 前記三次元オープンセル網状構造体上に高融点金属の均一なコーティングを備え、前記高融点金属がタングステン、タンタル又はモリブデンである、
請求項7〜11のいずれかに記載の気相蒸着装置。 - 材料蒸着速度を計測して、前記加熱素子に供給される電流を制御しかつ補充蒸気フラックスを制御するためにフィードバックするための気相蒸着速度センサをさらに備えた、
請求項7〜12のいずれかに記載の気相蒸着装置。
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CN106119781B (zh) * | 2016-07-27 | 2018-10-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 蒸发装置、蒸镀设备和蒸镀方法 |
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DE102017105374A1 (de) | 2017-03-14 | 2018-09-20 | Aixtron Se | Vorrichtung zum Abscheiden einer strukturierten Schicht auf einem Substrat sowie Verfahren zum Einrichten der Vorrichtung |
DE102017112668A1 (de) * | 2017-06-08 | 2018-12-13 | Aixtron Se | Verfahren zum Abscheiden von OLEDs |
CN107349756A (zh) * | 2017-07-12 | 2017-11-17 | 盐城国众化工有限公司 | 一种化工废气降温液化吸收装置 |
DE102017119565A1 (de) | 2017-08-25 | 2019-02-28 | Aixtron Se | Vorrichtung und Verfahren zum Fördern eines Pulvers, insbesondere als Komponente einer Beschichtungseinrichtung |
DE102017120529A1 (de) | 2017-09-06 | 2019-03-07 | Aixtron Se | Vorrichtung zum Abscheiden einer strukturierten Schicht auf einem Substrat unter Verwendung einer Maske |
KR102218628B1 (ko) * | 2017-10-31 | 2021-02-22 | 한국세라믹기술원 | 탄화층 코팅용 소스 가스 공급 장치 |
JP7163211B2 (ja) * | 2019-02-13 | 2022-10-31 | 株式会社アルバック | 蒸着装置及び蒸着方法 |
KR102096623B1 (ko) * | 2019-07-29 | 2020-04-02 | 주식회사 세미안 | 오스뮴 가스 누출 방지 장치 및 방법 |
DE102019129176A1 (de) | 2019-10-29 | 2021-04-29 | Apeva Se | Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden organischer Schichten |
DE102020122800A1 (de) * | 2020-09-01 | 2022-03-03 | Apeva Se | Vorrichtung zum Abscheiden von OLED-Schichten mit einer Run-/Vent-Leitung |
DE102020123764A1 (de) | 2020-09-11 | 2022-03-17 | Apeva Se | Verfahren zum Erzeugen eines zeitlich konstanten Dampfflusses sowie Verfahren zum Einstellen eines Arbeitspunktes einer Vorrichtung zum Erzeugen eines Dampfes |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4885211A (en) | 1987-02-11 | 1989-12-05 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with improved cathode |
US4769292A (en) | 1987-03-02 | 1988-09-06 | Eastman Kodak Company | Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone |
US5059292A (en) | 1989-02-28 | 1991-10-22 | Collins George J | Single-chamber apparatus for in-situ generation of dangerous polyatomic gases and radicals from a source material contained within a porous foamed structure |
US5204314A (en) | 1990-07-06 | 1993-04-20 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method for delivering an involatile reagent in vapor form to a CVD reactor |
JPH0598445A (ja) * | 1991-07-05 | 1993-04-20 | Chodendo Hatsuden Kanren Kiki Zairyo Gijutsu Kenkyu Kumiai | 有機金属化学気相蒸着用原料容器 |
US6103149A (en) | 1996-07-12 | 2000-08-15 | Ultramet | Method for producing controlled aspect ratio reticulated carbon foam and the resultant foam |
US5820678A (en) | 1997-05-30 | 1998-10-13 | The Regents Of The University Of California | Solid source MOCVD system |
US6337102B1 (en) * | 1997-11-17 | 2002-01-08 | The Trustees Of Princeton University | Low pressure vapor phase deposition of organic thin films |
US6037241A (en) | 1998-02-19 | 2000-03-14 | First Solar, Llc | Apparatus and method for depositing a semiconductor material |
DE10048759A1 (de) * | 2000-09-29 | 2002-04-11 | Aixtron Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden insbesondere organischer Schichten im Wege der OVPD |
US20030026601A1 (en) * | 2001-07-31 | 2003-02-06 | The Arizona Board Of Regents On Behalf Of The University Of Arizona | Vapor deposition and in-situ purification of organic molecules |
US6881445B1 (en) * | 2001-10-29 | 2005-04-19 | Innovation Chemical Technologies, Ltd. | Forming thin films on substrates using a porous carrier |
US20050079278A1 (en) | 2003-10-14 | 2005-04-14 | Burrows Paul E. | Method and apparatus for coating an organic thin film on a substrate from a fluid source with continuous feed capability |
US7288286B2 (en) | 2004-09-21 | 2007-10-30 | Eastman Kodak Company | Delivering organic powder to a vaporization zone |
JP2006111920A (ja) * | 2004-10-14 | 2006-04-27 | Sony Corp | 蒸着装置および蒸着方法 |
US8128753B2 (en) | 2004-11-19 | 2012-03-06 | Massachusetts Institute Of Technology | Method and apparatus for depositing LED organic film |
DE102005013875A1 (de) | 2005-03-24 | 2006-11-02 | Creaphys Gmbh | Heizeinrichtung, Beschichtungsanlage und Verfahren zur Verdampfung oder Sublimation von Beschichtungsmaterialien |
JP4815447B2 (ja) | 2006-05-19 | 2011-11-16 | 株式会社アルバック | 有機蒸着材料用蒸着装置、有機薄膜の製造方法 |
KR101167547B1 (ko) | 2007-03-26 | 2012-07-20 | 가부시키가이샤 알박 | 증착원, 증착 장치, 성막 방법 |
US8027574B2 (en) * | 2007-08-06 | 2011-09-27 | Global Oled Technology Llc | Vaporization of thermally sensitive materials |
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