JP2007011146A - ポリマー光導波路の電極形成方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ポリマー光導波路上に薄膜のヒータ電極パターンを密着性よく形成し、しかも、電極形成プロセスでポリマー光導波路が受ける表面ダメージを最小限に抑えることで、ヒータ電極パターンにシワやクラック、剥離等が発生する危険性を未然に回避する。
【解決手段】まず、ポリマー光導波路(20)表面を活性化処理後、全面にヒータ電極膜(30)を形成する。つぎに、ヒータ電極膜(30)上にレジスト(40)を塗布し、ヒータ電極をパターニングしたフォトリソグラフィ処理によりレジストパターン(45)を形成する。つぎに、レジストパターン(45)をエッチングしてヒータ電極パターン(35)を形成する。つぎに、ヒータ電極パターン(35)上の残留レジスト(45)を除去する。
【選択図】図1
【解決手段】まず、ポリマー光導波路(20)表面を活性化処理後、全面にヒータ電極膜(30)を形成する。つぎに、ヒータ電極膜(30)上にレジスト(40)を塗布し、ヒータ電極をパターニングしたフォトリソグラフィ処理によりレジストパターン(45)を形成する。つぎに、レジストパターン(45)をエッチングしてヒータ電極パターン(35)を形成する。つぎに、ヒータ電極パターン(35)上の残留レジスト(45)を除去する。
【選択図】図1
Description
この発明は、光通信や光センシング等の分野で広く使われる光スイッチ、可変光減衰器、光変調器、各種光送受信モジュール等の用途に適用される電極を備えたポリマー光導波路の電極形成方法に関するものである。
一般に、ポリマー光導波路の熱光学係数は、石英系の光導波路に比べて1桁以上大きい。また、ポリマー光導波路の製造プロセスは、石英光導波路の場合のように、プラズマCVD(Chemical Vapour Deposition)装置や、反応性イオンエッチングRIE(Reactive Ion Etching)装置を必要としないうえ、プロセス時間も極めて短い。
これらの特徴があるため、ポリマー光導波路を用いることで、石英光導波路に比べてより低消費電力で、より低コストの光デバイスを実現することが可能である。
ところで、例えば、熱光学効果を利用するポリマー光導波路では、ポリマー光導波路上に薄膜ヒータ電極を形成することが必要不可欠である。この場合、電極形成プロセスには、ポリマー材料の有機物性に起因する技術的困難があり、それを克服しなければならない。
すなわち、従来のポリマーフィルムは、ガラス転移温度Tg(Glass transition temperature)が低く、耐熱性が悪く、また、熱膨張係数が大きい。そのため、電極形成は、導電性ペースト(導電性インクや導電性塗料を含む)を塗布してフォトエッチングする製法(例えば、特許文献1参照)や、導電性金属箔を接着剤で貼り付けてフォトエッチングする製法等が用いられている。
一方、近年開発された、例えば、ポリイミドやフッ素化ポリイミド等の光学ポリマー材料は、ガラス転移温度Tgが従来のものに比べて高く、耐熱性が300℃を超えるようになったため、反応性イオンエッチング法を用いてポリマー光導波路側方に電極を形成することが可能になった(例えば、特許文献2参照)。
また、近年では、成膜装置として使用される低温のスパッタリング装置が開発され、スパッタリング温度が例えば80℃以下の装置も販売されている。そのため、ポリマー光導波路上に直接スパッタリングすることによって電極を成膜することが可能になった。
したがって、最近では、ポリマー光導波路上に電極を形成する方法として、フォトリソグラフィ処理にともなうリフトオフ法や、ウエットエッチング法、さらにはドライエッチング法が可能であるといえる。
ここで、参考のために、石英光導波路に電極を形成するプロセスの一例を図6に示す。この電極形成プロセスは、まず、シリコン(Si)基板310上に石英光導波路320を形成する(図6a参照)。
つぎに、石英光導波路320上にレジストを塗布し、電極をパターニングしたフォトリソグラフィ処理によりレジストパターン345を形成する(図6b参照)。
つぎに、レジストパターン345上に、例えばクロム(Cr)、金(Au)等の導電性薄膜材料を順番に、例えばスパッタリングすることで成膜330する(図6c参照)。
その後、剥離溶剤でレジストをリフトオフして、Cr/Au電極パターン335を形成する(図6d参照)。
特開2004−266078号公報
特開2004−109425号公報
しかしながら、有機ポリマー光導波路は、無機石英光導波路と比べると、耐薬品性や電極形成材料との密着性に大きな違いがある。例えば、ポリマー光導波路材料は、薄膜電極のパターン形成に使用された有機溶剤を吸収して膨潤、変質する性質がある。また、ポリマー材料は、プロセス温度の変化によって、より大きな膨張収縮が発生する。さらに、ポリマー材料は、電極形成用の金属材料との密着性が悪いという問題がある。
その結果、電極形成工程において使用される有機溶剤を吸収して膨潤し、電極パターンにシワやクラックが発生しやすく、電極パターンの剥離やポリマー光導波路の剥離が起こりやすいという問題がある。
例えば、図6に示すような一般的な石英光導波路に適用される電極形成プロセスを、ポリマー光導波路の電極形成に用いると、フォトリソグラフィ処理やリフトオフ工程でポリマー光導波路の表面が有機溶剤に長時間露出されるため、表面ダメージが発生したり、薄膜電極にシワやクラックが発生する等して、電極の密着性が失われるという問題がある。
さらに、ポリマー光導波路の熱光学効果を用いて光素子を構成する場合、ポリマー光導波路上に薄膜ヒータ電極を形成することに加えて、はんだボンディング用の厚めのリード電極を形成することも必要である。
しかし、石英光導波路に比べて耐熱性が低く、熱膨張係数が大きく、有機溶剤に対する耐性が弱いというポリマー光導波路材料の特性を考慮すると、厚めのリード電極を形成することは、薄膜ヒータ電極を形成すること以上に困難である。
この発明は、上記課題を解決するために為されたものであり、ポリマー光導波路上に薄膜のヒータ電極パターンを密着性よく形成し、しかも、電極形成プロセスでポリマー光導波路が受ける表面ダメージを最小限に抑えることで、ヒータ電極パターンにシワやクラック、剥離等が発生する危険性を未然に回避することのできるポリマー光導波路の電極形成方法を提供することを目的とする。
また、この発明は、薄膜のヒータ電極パターンに加えて、厚膜のリード電極パターンをポリマー光導波路上に密着性よく形成し、しかも、電極形成プロセスでポリマー光導波路が受ける表面ダメージを最小限に抑えることで、ヒータ電極パターンおよびリード電極パターンにシワやクラック、剥離等が発生する危険性を未然に回避することのできるポリマー光導波路の電極形成方法を提供することを目的とする。
この発明の請求項1に係るポリマー光導波路の電極形成方法は、ポリマー光導波路表面を活性化処理後、実質的に全面にヒータ電極膜を形成する工程と、前記ヒータ電極膜上にレジストを塗布し、ヒータ電極をパターニングしたフォトリソグラフィ処理によりレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをエッチングしてヒータ電極パターンを形成する工程と、前記ヒータ電極パターン上の残留レジストを除去する工程と、を含むことを特徴とするものである。
この発明の請求項2に係るポリマー光導波路の電極形成方法は、ポリマー光導波路表面を活性化処理後、実質的に全面にヒータ電極膜を形成する工程と、前記ヒータ電極膜上にレジストを塗布し、リード電極をパターニングしたフォトリソグラフィ処理により第1のレジストパターンを形成する工程と、前記第1のレジストパターンを有する前記ヒータ電極膜形成領域上にリード電極膜を形成する工程と、前記第1のレジストパターンをリフトオフしてリード電極パターンを形成する工程と、前記リード電極パターンを有する前記ヒータ電極膜形成領域上にレジストを塗布し、当該リード電極パターンおよびヒータ電極をパターニングしたフォトリソグラフィ処理により第2のレジストパターンを形成する工程と、前記第2のレジストパターンをエッチングしてヒータ電極パターンを形成する工程と、前記ヒータ電極パターンおよび前記リード電極パターン上の残留レジストを除去する工程と、を含むことを特徴とするものである。
この発明の請求項3に係るポリマー光導波路の電極形成方法は、ポリマー光導波路表面を活性化処理後、実質的に全面にヒータ電極膜を形成する工程と、前記ヒータ電極膜上にレジストを塗布し、リード電極をパターニングしたフォトリソグラフィ処理により第1のレジストパターンを形成する工程と、前記第1のレジストパターンに覆われていない前記ヒータ電極膜上に電解めっきによりリード電極パターンを形成する工程と、前記第1のレジストパターンを除去する工程と、前記リード電極パターンを有する前記ヒータ電極膜形成領域上にレジストを塗布し、当該リード電極パターンおよびヒータ電極をパターニングしたフォトリソグラフィ処理により第2のレジストパターンを形成する工程と、前記第2のレジストパターンをエッチングしてヒータ電極パターンを形成する工程と、前記ヒータ電極パターンおよび前記リード電極パターン上の残留レジストを除去する工程と、を含むことを特徴とするものである。
この発明の請求項4に係るポリマー光導波路の電極形成方法は、請求項1〜3のいずれか1項記載のポリマー光導波路の電極形成方法において、前記ヒータ電極膜は、クロム、ニッケル、チタン、タンタル、金、白金、アルミニウム等の金属または合金からなる導電性薄膜材料を用いて、スパッタリングまたは真空蒸着の製法により1層または数層に成膜されることを特徴とするものである。
この発明の請求項5に係るポリマー光導波路の電極形成方法は、請求項2または請求項4記載のポリマー光導波路の電極形成方法において、前記リード電極膜は、金、白金、アルミニウム等の電気抵抗が小さい金属を用いて、無電解めっき、スパッタリングまたは真空蒸着の製法により0.5μm以上の厚膜に形成されることを特徴とするものである。
この発明の請求項6に係るポリマー光導波路の電極形成方法は、請求項3記載のポリマー光導波路の電極形成方法において、前記リード電極膜は、金、白金、アルミニウム等の電気抵抗が小さい金属を用いて、0.5μm以上の厚膜に形成されることを特徴とするものである。
この発明の請求項7に係るポリマー光導波路の電極形成方法は、請求項1〜6のいずれか1項記載のポリマー光導波路の電極形成方法において、前記光導波路のポリマー材料は、光導波路形成に適するエポキシ樹脂、ポリイミド、フッ素化ポリイミド、ポリシラン、感光性ゾルゲル材料、アクリル樹脂、珪素樹脂、ポリシロキサン等の中から選ばれることを特徴とするものである。
この発明は以上のように、ポリマー光導波路表面を活性化処理後、実質的に全面にヒータ電極膜を形成する工程と、前記ヒータ電極膜上にレジストを塗布し、ヒータ電極をパターニングしたフォトリソグラフィ処理によりレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンをエッチングしてヒータ電極パターンを形成する工程と、前記ヒータ電極パターン上の残留レジストを除去する工程とを含むので、ポリマー光導波路上に薄膜のヒータ電極パターンを密着性よく形成し、しかも、電極形成プロセスでポリマー光導波路が受ける表面ダメージを最小限に抑えることで、ヒータ電極パターンにシワやクラック、剥離等が発生する危険性を未然に回避することができる。
また、この発明は、ポリマー光導波路表面を活性化処理後、実質的に全面にヒータ電極膜を形成する工程と、前記ヒータ電極膜上にレジストを塗布し、リード電極をパターニングしたフォトリソグラフィ処理により第1のレジストパターンを形成する工程と、前記第1のレジストパターンを有する前記ヒータ電極膜形成領域上にリード電極膜を形成する工程と、前記第1のレジストパターンをリフトオフしてリード電極パターンを形成する工程と、前記リード電極パターンを有する前記ヒータ電極膜形成領域上にレジストを塗布し、当該リード電極パターンおよびヒータ電極をパターニングしたフォトリソグラフィ処理により第2のレジストパターンを形成する工程と、前記第2のレジストパターンをエッチングしてヒータ電極パターンを形成する工程と、前記ヒータ電極パターンおよび前記リード電極パターン上の残留レジストを除去する工程とを含むので、薄膜のヒータ電極パターンに加えて、厚膜のリード電極パターンをポリマー光導波路上に密着性よく形成し、しかも、電極形成プロセスでポリマー光導波路が受ける表面ダメージを最小限に抑えることで、ヒータ電極パターンおよびリード電極パターンにシワやクラック、剥離等が発生する危険性を未然に回避することができる。
この発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。
図1は、この発明によるポリマー光導波路の電極形成方法の第1の実施形態の工程を示し、ポリマー光導波路上にヒータ電極パターンを形成するものである。
この電極形成プロセスは、まず、シリコン(Si)基板10上に形成したポリマー光導波路20表面を活性化処理する(図1a参照)。
ポリマー光導波路表面の活性化処理は、紫外線プラズマ処理や、アルゴン(Ar)などの不活性ガスを用いたプラズマ処理、紫外線照射処理等が使われるが、それに加えて、スパッタリングの前処理として、アルゴン(Ar)ガスを用いてポリマー光導波路表面を逆スパッタ処理によって表面をクリーニング、改質を行うことができる。
一例として、ポリマー光導波路20の表面20sに、紫外線照射処理した後、スパッタリングの前処理としてアルゴンガスを用いて逆スパッタ処理を行うことで、ポリマー光導波路表面はクリーニング改質され、密着性の高い表面状態を得ることができる。
ポリマー光導波路20は、シリコン(Si)基板10上に、下部クラッド層21、コア部22、上部クラッド層23を順次形成することで構成される。
つぎに、ポリマー光導波路20の実質的に全面にヒータ電極膜30を形成する(図1b参照)。
具体的には、活性化処理して密着性を高めたポリマー光導波路20の表面20s全体に、導電性薄膜材料を低温スパッタリングしてヒータ電極膜30を形成する。
ここで、導電性薄膜材料としては、クロム(Cr)、ニッケル(Ni)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、金(Au)、白金(Pt)、アルミニウム(Al)等の金属または合金を用いることができる。
また、これらの導電性薄膜材料を1層または数層に成膜することで、ヒータ電極膜30を構成することができる。
また、低温スパッタリングに限らず、例えば、真空蒸着の製法によりヒータ電極膜30を形成することができる。
この実施形態では、密着性を高めたポリマー光導波路20の表面20s全体に、まず、クロム(Cr)を低温スパッタリングしてCr層31を成膜し、続いて金(Au)を低温スパッタリングしてAu層32を成膜し、Cr/Auの2層でヒータ電極膜30を構成する。
つぎに、ヒータ電極膜30上にレジスト40を塗布し、ヒータ電極をパターニングしたフォトリソグラフィ処理(図1c参照)により、レジストパターン45を形成する(図1d参照)。
具体的には、ヒータ電極膜30上に塗布したレジスト40の上方から、ヒータ電極をパターニングしたフォトマスク41を用いて露光し、露光後のレジスト40を現像・ベイクすることで、レジストパターン45を形成する。
つぎに、レジストパターン45をエッチングして、ヒータ電極パターン35を形成する(図1e参照)。
具体的には、レジストパターン45をウエットエッチングすることで、ヒータ電極パターン35を形成する。
また、ウエットエッチングに限らず、ドライエッチングによりヒータ電極パターン35を形成することもできる。
つぎに、ヒータ電極パターン35上の残留レジスト45を除去する(図1f参照)。
これにより、ポリマー光導波路20上の所定位置にヒータ電極パターン35を形成することができる。
なお、ポリマー光導波路20のポリマー材料としては、光導波路形成に適するエポキシ樹脂、ポリイミド、フッ素化ポリイミド、ポリシラン、感光性ゾルゲル材料、アクリル樹脂、珪素樹脂、ポリシロキサン等の中から選ぶことができる。
図2、図3は、この発明によるポリマー光導波路の電極形成方法の第2の実施形態の工程を示し、ポリマー光導波路上にヒータ電極パターンおよびリード電極パターンを形成するものである。
この電極形成プロセスは、まず、シリコン(Si)基板110上に形成したポリマー光導波路120表面を活性化処理する(図2a参照)。
ポリマー光導波路表面の活性化処理は、上記したように、紫外線プラズマ処理や、アルゴン(Ar)などの不活性ガスを用いたプラズマ処理、紫外線照射処理等が使われるが、それに加えて、スパッタリングの前処理として、アルゴン(Ar)ガスを用いてポリマー光導波路表面を逆スパッタ処理によって表面をクリーニング、改質を行うことができる。
一例として、ポリマー光導波路120の表面120sに、紫外線照射処理した後、スパッタリングの前処理としてアルゴンガスを用いて逆スパッタ処理を行うことで、ポリマー光導波路表面はクリーニング改質され、密着性の高い表面状態を得ることができる。
ポリマー光導波路120は、シリコン(Si)基板110上に、下部クラッド層121、コア部122、上部クラッド層123を順次形成することで構成される。
つぎに、ポリマー光導波路120の実質的に全面にヒータ電極膜130を形成する(図2b参照)。
具体的には、活性化処理して密着性を高めたポリマー光導波路120の表面120s全体に、導電性薄膜材料を低温スパッタリングしてヒータ電極膜130を形成する。
ここで、導電性薄膜材料としては、クロム(Cr)、ニッケル(Ni)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、金(Au)、白金(Pt)、アルミニウム(Al)等の金属または合金を用いることができる。
また、これらの導電性薄膜材料を1層または数層に成膜することで、ヒータ電極膜130を構成することができる。
また、低温スパッタリングに限らず、例えば、真空蒸着の製法によりヒータ電極膜130を形成することができる。
この実施形態では、密着性を高めたポリマー光導波路120の表面120s全体に、まず、クロム(Cr)を低温スパッタリングしてCr層131を成膜し、続いて金(Au)を低温スパッタリングしてAu層132を成膜し、Cr/Auの2層でヒータ電極膜130を構成する。
つぎに、ヒータ電極膜130上にレジスト140を塗布し、リード電極をパターニングしたフォトリソグラフィ処理(図2c参照)により、第1のレジストパターン145を形成する(図2d参照)。
具体的には、ヒータ電極膜130上に塗布したレジスト140の上方から、リード電極をパターニングしたフォトマスク141を用いて露光し、露光後のレジスト140を現像・ベイクすることで、第1のレジストパターン145を形成する。
つぎに、第1のレジストパターン145を有するヒータ電極膜130形成領域上に、リード電極膜150を形成する(図2e参照)。
具体的には、第1のレジストパターン145上およびヒータ電極膜130上に、電気抵抗が小さい金属を無電解めっき処理してリード電極膜150を形成する。
ここで、リード電極膜150としては、金(Au)、白金(Pt)、アルミニウム(Al)等の電気抵抗が小さい金属を用いることができる。
このリード電極膜150は、0.5μm以上の厚膜に形成されることが好ましい。
また、無電解めっきに限らず、例えば、スパッタリングの製法によりリード電極膜150を形成することができる。
また、真空蒸着の製法によりリード電極膜150を形成することもできる。
つぎに、第1のレジストパターン145をリフトオフして、リード電極パターン155を形成する(図2f参照)。
具体的には、リフトオフ剥離溶剤を用いて、第1のレジストパターン145とともに、このレジストパターン145上のリード電極膜150を除去することで、リード電極パターン155を形成する。
つぎに、リード電極パターン155を有するヒータ電極膜130形成領域上にレジスト160を塗布し、リード電極パターン155およびヒータ電極をパターニングしたフォトリソグラフィ処理(図3g参照)により、第2のレジストパターン165を形成する(図3h参照)。
具体的には、リード電極パターン155およびヒータ電極膜130上に塗布したレジスト160の上方から、リード電極パターン155およびヒータ電極をパターニングしたフォトマスク161を用いて露光し、露光後のレジスト160を現像・ベイクすることで、第2のレジストパターン165を形成する。
これにより、第2のレジストパターン165は、ヒータ電極のパターンに相当するレジストパターン部165aと、リード電極パターン155に相当するレジストパターン部165bとで構成される。
つぎに、第2のレジストパターン165(165a,165b)をエッチングして、ヒータ電極パターン135を形成する(図3i参照)。
具体的には、第2のレジストパターン165(165a,165b)をウエットエッチングすることで、ヒータ電極パターン135を形成する。
このとき、ヒータ電極膜130からは、ヒータ電極パターン135が形成されるとともに、リード電極パターン155の下部にリード電極用ベースパターン136が形成される。
また、ウエットエッチングに限らず、ドライエッチングによりヒータ電極パターン135(およびリード電極用ベースパターン136)を形成することもできる。
つぎに、ヒータ電極パターン135およびリード電極パターン155上の残留レジスト165a,165bを除去する(図3j参照)。
これにより、ポリマー光導波路120上の所定位置にヒータ電極パターン135およびリード電極パターン155を形成することができる。
なお、ポリマー光導波路120のポリマー材料としては、光導波路形成に適するエポキシ樹脂、ポリイミド、フッ素化ポリイミド、ポリシラン、感光性ゾルゲル材料、アクリル樹脂、珪素樹脂、ポリシロキサン等の中から選ぶことができる。
図4、図5は、この発明によるポリマー光導波路の電極形成方法の第3の実施形態の工程を示し、この電極形成プロセスは、図2、図3に示す第2の実施形態の工程中(e)(f)のみが異なり、他はすべて共通のものである。そのため、第2の実施形態と同様の部分には、図2、図3で用いた符号に100を加えた符号を付けて示し、異なる部分についてのみ説明する。
まず、シリコン(Si)基板210上に形成したポリマー光導波路220表面を活性化処理し(図4a参照)、つぎに、ポリマー光導波路220の実質的に全面にヒータ電極膜230を形成し(図4b参照)、つぎに、ヒータ電極膜230上にレジスト240を塗布し、リード電極をパターニングしたフォトリソグラフィ処理(図4c参照)により、第1のレジストパターン245を形成する(図4d参照)までの工程およびその内容は、第2の実施形態の場合と同様である。
つぎに、第1のレジストパターン245に覆われていないヒータ電極膜230上に、ヒータ電極膜230の導電性を利用して、電解めっきによりリード電極パターン255を形成する(図4e参照)。
ここで、リード電極パターン255の材料としては、金(Au)、白金(Pt)、アルミニウム(Al)等の電気抵抗が小さい金属を用いることができる。
このリード電極パターン255は、0.5μm以上の厚膜に形成されることが好ましい。
つぎに、第1のレジストパターン245を、レジスト剥離溶剤を用いて除去する(図4f参照)。
その後、リード電極パターン255を有するヒータ電極膜230形成領域上にレジスト260を塗布し、リード電極パターン255およびヒータ電極をパターニングしたフォトリソグラフィ処理(図5g参照)により、第2のレジストパターン265を形成し(図5h参照)、つぎに、第2のレジストパターン265(265a,265b)をエッチングして、ヒータ電極パターン235を形成し(図5i参照)、つぎに、ヒータ電極パターン235およびリード電極パターン255上の残留レジスト265a,265bを除去する(図5j参照)工程およびその内容は、第2の実施形態の場合と同様である。
これにより、ポリマー光導波路220上の所定位置にヒータ電極パターン235およびリード電極パターン255を形成することができる。
上記したように、この発明によるポリマー光導波路の電極形成方法によれば、まず最初に、活性化処理して密着性を高めたポリマー光導波路の表面全体に、導電性薄膜材料を低温スパッタリングしてヒータ電極膜を形成する。
このようにして形成された緻密性の良い電極膜がポリマー光導波路の表面を覆うことで、後工程のフォトリソグラフィ処理やリフトオフ工程において、ポリマー光導波路の表面がレジスト溶剤やリフトオフ剥離溶剤等に直接長時間露出することはなく、有機溶剤によるダメージを最小限に止めることができる。
これにより、ヒータ電極パターンおよびリード電極パターンにシワやクラック、剥離等が発生する危険性がなく、密着信頼性のよい電極が形成できる。
また、この発明によるポリマー光導波路の電極形成方法によれば、最初にポリマー光導波路の表面全体に形成するヒータ電極膜が導電体であるため、その導電性を利用することで、厚膜リード電極のめっき処理は無電解めっきに限らず電解めっきも容易になり、電極プロセスの簡易性を図ることができる。
結論として、この発明によるポリマー光導波路の電極形成方法によれば、石英光導波路に比べて耐熱性が低く、熱膨張係数が大きく、有機溶剤に弱いという特性を備えたポリマー材料製の光導波路上に、薄膜ヒータ電極および厚膜リード電極を問題なく形成することができる。
そして、ポリマー材料製の光導波路上に形成する電極として、例えば、Cr/Au、Cr/Ni/Au、Cr/Ti/Au、Cr/Al/Ti/Au等、適宜の組み合わせを用いることが可能である。
10,110,210 シリコン(Si)基板
20,120,220 ポリマー光導波路
20s,120s,220s 表面
21,121,221 下部クラッド層
22,122,222 コア部
23,123,223 上部クラッド層
30,130,230 ヒータ電極膜
31,131,231 Cr層
32,132,232 Au層
35,135,235 ヒータ電極パターン
40,140,160,260 レジスト
41,141,161,261 フォトマスク
45 レジストパターン(残留レジスト)
136,236 リード電極用ベースパターン
145,245 第1のレジストパターン
150 リード電極膜
155,255 リード電極パターン
165,265 第2のレジストパターン
165a,165b,265a,265b レジストパターン部(残留レジスト)
20,120,220 ポリマー光導波路
20s,120s,220s 表面
21,121,221 下部クラッド層
22,122,222 コア部
23,123,223 上部クラッド層
30,130,230 ヒータ電極膜
31,131,231 Cr層
32,132,232 Au層
35,135,235 ヒータ電極パターン
40,140,160,260 レジスト
41,141,161,261 フォトマスク
45 レジストパターン(残留レジスト)
136,236 リード電極用ベースパターン
145,245 第1のレジストパターン
150 リード電極膜
155,255 リード電極パターン
165,265 第2のレジストパターン
165a,165b,265a,265b レジストパターン部(残留レジスト)
Claims (7)
- ポリマー光導波路表面を活性化処理後、実質的に全面にヒータ電極膜を形成する工程と、
前記ヒータ電極膜上にレジストを塗布し、ヒータ電極をパターニングしたフォトリソグラフィ処理によりレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをエッチングしてヒータ電極パターンを形成する工程と、
前記ヒータ電極パターン上の残留レジストを除去する工程と、
を含むことを特徴とするポリマー光導波路の電極形成方法。 - ポリマー光導波路表面を活性化処理後、実質的に全面にヒータ電極膜を形成する工程と、
前記ヒータ電極膜上にレジストを塗布し、リード電極をパターニングしたフォトリソグラフィ処理により第1のレジストパターンを形成する工程と、
前記第1のレジストパターンを有する前記ヒータ電極膜形成領域上にリード電極膜を形成する工程と、
前記第1のレジストパターンをリフトオフしてリード電極パターンを形成する工程と、
前記リード電極パターンを有する前記ヒータ電極膜形成領域上にレジストを塗布し、当該リード電極パターンおよびヒータ電極をパターニングしたフォトリソグラフィ処理により第2のレジストパターンを形成する工程と、
前記第2のレジストパターンをエッチングしてヒータ電極パターンを形成する工程と、
前記ヒータ電極パターンおよび前記リード電極パターン上の残留レジストを除去する工程と、
を含むことを特徴とするポリマー光導波路の電極形成方法。 - ポリマー光導波路表面を活性化処理後、実質的に全面にヒータ電極膜を形成する工程と、
前記ヒータ電極膜上にレジストを塗布し、リード電極をパターニングしたフォトリソグラフィ処理により第1のレジストパターンを形成する工程と、
前記第1のレジストパターンに覆われていない前記ヒータ電極膜上に電解めっきによりリード電極パターンを形成する工程と、
前記第1のレジストパターンを除去する工程と、
前記リード電極パターンを有する前記ヒータ電極膜形成領域上にレジストを塗布し、当該リード電極パターンおよびヒータ電極をパターニングしたフォトリソグラフィ処理により第2のレジストパターンを形成する工程と、
前記第2のレジストパターンをエッチングしてヒータ電極パターンを形成する工程と、
前記ヒータ電極パターンおよび前記リード電極パターン上の残留レジストを除去する工程と、
を含むことを特徴とするポリマー光導波路の電極形成方法。 - 前記ヒータ電極膜は、クロム、ニッケル、チタン、タンタル、金、白金、アルミニウム等の金属または合金からなる導電性薄膜材料を用いて、スパッタリングまたは真空蒸着の製法により1層または数層に成膜されることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項記載のポリマー光導波路の電極形成方法。
- 前記リード電極膜は、金、白金、アルミニウム等の電気抵抗が小さい金属を用いて、無電解めっき、スパッタリングまたは真空蒸着の製法により0.5μm以上の厚膜に形成されることを特徴とする請求項2または請求項4記載のポリマー光導波路の電極形成方法。
- 前記リード電極膜は、金、白金、アルミニウム等の電気抵抗が小さい金属を用いて、0.5μm以上の厚膜に形成されることを特徴とする請求項3記載のポリマー光導波路の電極形成方法。
- 前記光導波路のポリマー材料は、光導波路形成に適するエポキシ樹脂、ポリイミド、フッ素化ポリイミド、ポリシラン、感光性ゾルゲル材料、アクリル樹脂、珪素樹脂、ポリシロキサン等の中から選ばれることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項記載のポリマー光導波路の電極形成方法。
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