CN114229838B - 一种石墨烯器件、多层膜及其制作方法和应用 - Google Patents

Abstract

一种石墨烯器件、多层膜及其制作方法和应用，属于石墨烯领域。多层膜包括：目标基底，具有第一表面；图形化的石墨烯薄膜，附着于第一表面，且石墨烯薄膜具有背离第一表面的第二表面；以及图形化的基底层，附着于第二表面，且基底层是石墨烯薄膜的生长基底。在该多层膜中，石墨烯的生长基底未经完全去除，并且可作为电极使用，从而能够提高基于石墨烯的器件的制备工艺的效率且简化操作。

Description

一种石墨烯器件、多层膜及其制作方法和应用

技术领域

本申请涉及石墨烯领域，具体而言，涉及一种石墨烯器件、多层膜及其制作方法和应用。

背景技术

石墨烯具有电导率高，透光率好，机械强度高，化学稳定性好等优异性能。但是，石墨烯的制备技术限制了石墨烯的发展，使得早期的石墨烯研究仅停留于科研领域。

近年来，随着石墨烯制备技术越发成熟，石墨烯的应用领域也快速发展。比如在集成电路、场效应晶体管、射频器件和传感器等领域，石墨烯器件层出不穷。因此，如何更有效得到石墨烯器件成为了近年来的研究重点。

目前，最有效的大规模制备石墨烯技术是通过化学气相沉积法在铜箔上制备出大面积石墨烯。在获得上述大面积的石墨烯之后，为了制作石墨烯器件，需要把铜箔上的石墨烯转移到相应基底上。然后通过光刻、刻蚀和蒸镀金属等流程得到最终的石墨烯器件。

上述的制备方法往往比较繁琐。如果能把该方法简化，那么得到石墨烯器件的效率会大大提升，且会更加有利于石墨烯的应用。

发明内容

本申请提出了一种石墨烯器件、多层膜及其制作方法和应用，其能够被应用于为改善或缓解石墨烯在应用过程中器件制备工艺复杂的问题。

本申请是这样实现的：

在第一方面，本申请的示例提供了一种多层膜。其包括目标基底、图形化的石墨烯薄膜以及图形化的基底层。其中，目标基底具有第一表面；图形化的石墨烯薄膜附着于第一表面；同时，石墨烯薄膜具有背离第一表面的第二表面；而图形化的基底层则附着于该第二表面。并且基底层是石墨烯薄膜的生长基底。

根据本申请的一些示例，石墨烯薄膜的图形化结构与基底层的图形化结构不同；和/或，石墨烯薄膜和基底层分别为非连续膜结构；和/或，生长基底是金属箔；可选地，生长基底是铜箔；和/或，目标基底也是图形化的；和/或，基底层作为电极层。

在第二方面，本申请示例提出了一种前述的多层膜在制备基于石墨烯的石墨烯器件或者半导体器件中的应用。

在第三方面，本申请示例提出了一种石墨烯器件，其包含前述的多层膜。

在第四方面，本申请示例提出了一种多层膜的制作方法。

制作方法包括：

提供以图形化的方式附着于生长基底上的石墨烯薄膜；

对生长基底进行图形化。

根据本申请的一些示例，制作方法还包括：在对生长基底进行图形化之前或之后执行的转移操作，且转移操作包括：将图形化的石墨烯薄膜转移到目标衬底。

根据本申请的一些示例，以图形化的方式附着于生长基底上的石墨烯薄膜处于保护状态；

可选地，保护状态通过图形化的石墨烯薄膜的表面附着保护层实现；

可选地，保护层包括硬质膜，可选地，硬质膜包括PET膜；或者，保护层包括依次层叠于石墨烯薄膜的表面的光刻胶和支撑层，且光刻胶位于石墨烯薄膜和支撑层之间。

在第五方面，本申请示例提出了一种多层膜的制作方法，制备方法包括：

提供附着于生长基底上的石墨烯层；

对石墨烯层进行图形化处理之后，获得图形化的石墨烯薄膜；

在保护图形化的石墨烯薄膜之后，对生长基底进行图形化，获得图形化的生长基底；

在保护图形化的生长基底之后，去除图形化的石墨烯薄膜的保护、并在图形化的石墨烯薄膜的表面附着目标基底；以及

去除图形化的生长基底的保护。

根据本申请的一些示例，对石墨烯层进行图形化处理的包括光刻工艺；和/或，保护图形化的石墨烯薄膜的方法包括：在已经图形化的石墨烯薄膜表面附着光刻胶层；

可选地，保护图形化的石墨烯薄膜的方法还包括：在已经图形化的石墨烯薄膜表面附着光刻胶层之后，在光刻胶层的表面附着支撑层；

可选地支撑层为高分子聚合物膜；

可选地，支撑层为PET膜。

根据本申请的一些示例，对生长基底进行图形化的方法包括：

在生长基底背离石墨烯薄膜的表面，附着图形化的掩膜，然后对生长基底进行图形化的腐蚀；

和/或，保护图形化的生长基底的方法包括：在图形化的生长基底的表面附着保护膜层；

可选地，保护膜层与掩膜的材料相同；

可选地，材料是石蜡。

在以上实现过程中，本申请实施例提供的多层膜基于生长在生长基底上的石墨烯膜，在不经剥离生长基底的情况下对其进行应用。由于免去了去除生长基底的步骤，从而可以在制作基于石墨烯的器件和电子设备等方面时达到对工艺的简化的效果。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

图1为本申请示例中的多层膜的结构示意图；

图2示出了本申请示例中的基于石墨烯的多层膜的制作工艺；

图3示出了实施图2所示的工艺过程中的各个步骤所对应的获得层状物的结构示意图。

图标：1-基底层；2-石墨烯薄膜；3-光刻胶固化层；4-支撑层；5-图案化的石蜡层；6-目标基底。

具体实施方式

在制作大面积石墨烯的技术中，化学气相沉积是重要的且使用广泛的方案。其一般是采取在箔材的表面沉积上石墨烯膜材。由于石墨烯难以自支撑地以独立的高质量膜材存在。而基于石墨烯材料制作的器件通常都是需要将石墨烯从前述的箔材(生长基底)上转移到对应器件的相应结构层(目标基底)上。在将石墨烯材料转移之后，再同通过适当的手段对其进行一系列工艺处理。但是，上述的器件制作流程中，存在石墨烯的转移步骤/生长基底的剥离(目前多通过刻蚀)，从而增加了工艺流程和工艺复杂度。并且，一般是，现将石墨烯以及生长基底中的生长基底完全刻蚀掉，然后再转移到目标基底上。

简言之，目前对于石墨烯的应用，通常都是将其沉积到一定的生长基底之上，然后再将该生长基底去除之后，再将其转移到所需的目标基底上。而该方案是复杂和繁琐的。

因此，有必要对石墨烯应用工艺进行简化。

在示例中，本申请的一些方案主要基于在铜箔上沉积的石墨烯为例进行说明。换言之，对于通过诸如化学气相沉积而生长于铜箔表面的石墨烯，本申请示例的方案并不需要将铜箔剥离，而是基于铜箔存在并被利用基础上而实现基于石墨烯材料的器件等的制备。也即，示例中的方案保留了至少部分的石墨烯的生长基底，并且该保留部分还可以是基于对应器件的需要而进行图形化或图形化处理的功能层。

换言之，本申请部分示例的方案中，从铜箔材质的生长基底出发，把原先在转移时需要完全刻蚀的生长基底仅刻蚀部分，把生长基底在经过刻蚀之后剩下的部分用作金属电极(当然也可以不作为电极使用，具体根据器件结构设计而定)。

通过这样的方式可以省去后期制备器件—器件例如是如功率器件、半导体器件或芯片、石墨烯器件(如石墨烯光电晶体管)等—的金属电极的步骤，从而减少了原材料的损耗，并且还缩短了石墨烯器件制备工序。

进一步地，如前述，既有工艺是将生长基底去除之后，再通过额外的工艺如蒸镀制作金属电极，本申请示例中的可以将化学气相沉积中的生长基底(或是部分)作为金属电极。因此，既有工艺中，额外制作的金属电极与石墨烯是通过蒸镀方式结合，而本申请中的基于生长基底的金属电极与石墨烯通过化学气相沉积的方式结合。

显然，上述两种结合方式是不同。既有工艺中，石墨烯作为载体，金属蒸镀而沉积到载体的表面。该沉积过程主要涉及的是物质状态变化，属于物理气相沉积。

于之所不同的是，本申请示例的方案，金属箔材作为载体，石墨烯化学气相沉积到载体表面。这样的沉积方式可以获得更好的附着强度，且膜层均匀。并且，本申请示例方案中，石墨烯不需要经历去除铜箔生长基底和再次蒸镀铜的两次操作，从而减少、甚至避免石墨烯受到损坏的情况，从而避免其结构和性能上的衰减。

并且上文两种方式中，石墨烯和铜箔的接触界面之间也存在不同。例如，本申请示例中，石墨烯和铜箔化学气相沉积接触的时候，石墨烯是直接生长在铜箔上，因此，石墨烯和铜箔的接触面非常的干净，中间没有污染。而经过剥离再蒸镀的既有方案中，剥离铜箔之后，再次蒸镀时，由于剥离会涉及到腐蚀液、聚合物等物质，且再次蒸镀铜电极也会涉及到光刻胶，因此石墨烯的表面会有很多的污染，没有最开始那么干净。

在实施本申请的上述示例方案的过程中，可以获得这样下述的多层膜结构。并且，该多层膜包括目标基底6、石墨烯薄膜2以及基底层1；其结构请参阅图1。并且，基于前述，本申请的方案中，当石墨烯是通过化学气相沉积(其他示例中也可以是外延生长)的方式制作于基底层(作为生长基底)表面的情况下，多层膜具有化学气相沉积接触界面，且该界面由石墨烯和生长基底构成。

在该多层膜中，前述三个结构按照层状方式依次分布。因此，石墨烯薄膜附着于目标基底的第一表面，且基底层附着于石墨烯薄膜的第二表面(背离于第一表面)。并且，在该结构中，基底层是石墨烯薄膜的生长基底。同时，石墨烯薄膜和基底层都是图形化的。

其中的生长基底例如是铜箔，并且该石墨烯薄膜可以通过诸如化学气相沉积的方式生长于该铜箔的表面。生长基底还可以是其他导电的箔材(如金属箔)或膜材等；或者，生长基底也可以是其他半导体材料或适当选择的衬底材料。其中的目标基底则可以是在半导体工艺领域中的各种半导体材料，例如碳化硅。示例性地，生长基底包括单不限于硅、二氧化硅、刚玉(Al₂O₃)、石英、云母或玻璃等等。进一步，目标基底既可以是单层结构，也可以是多层结构，或者其他的半导体器件的选定功能层的表面。

此外，前述的图形化既可以是石墨烯薄膜和基底层在部分的厚度内形成图形化结构，从而在整体上仍然是连续膜层。或者，在另一些示例中，图形化的石墨烯薄膜和图形化的基底层分别为非连续膜结构。例如，在图1所示的结构中，目标基底6是非图形化的，而石墨烯薄膜2和基底层1分别是图形化的，且分别形成非连续膜。此外，在另一些示例中，上述的目标基底也可以是图形化的。在前述的多层膜中的各层分别为图形化的结构时，各层的图形化结构可以是相同，也可以是相异的。

作为一种应用的示例，上述多层膜有潜力被用于制作各种石墨烯器件和半导体器件。在这些应用中，该多层膜既可以作为独立的被预制的膜结构而被应用于器件中；或者，该多层膜也可以是在这些器件的制作工艺中，被逐层地在线制备而应用于其中。通过将该多层膜应用于这些或其他的一些器件中，进一步还可以被制作为各种电子设备。例如，基于该多层膜所制作的一些半导体敏感组件(如传感器芯片)，再进一步被用于制作诸如探测器等电子设备。此外，上述基于石墨烯的多层膜，还可以应用于其他石墨烯传感器，例如石墨烯生物传感器。

为了方便于本领于技术人员实施上述技术方案，示例中还提出了一种多层膜的制作方法。

该制作方法包括：提供以图形化的方式附着于生长基底上的石墨烯薄膜；以及对生长基底进行图形化。本申请示例中的该方案，将生长基底通过图形化的方式处理，使其部分保留于石墨烯的表面。

进一步地，在前述工艺的基础上，为了方便于对生长基底进行图形化处理，部分示例中可以选择先对图形化的石墨烯进行保护。即，以图形化的方式附着于生长基底上的石墨烯薄膜处于保护状态。通过对图形化的石墨烯进行保护，可以避免在对生长基底进行图形化处理时对石墨烯造成的不利影响。

其中的保护实现方式例如是在图形化的石墨烯薄膜的表面附着保护层实现的。其中的保护层例如是通过在图形化的石墨烯的表面粘结的保护材料。此外，由于石墨烯质地较柔软，并且其已经图形化，因此更易于受损，因此，保护层可以采用硬质膜，例如各种高分子材料膜，且包括但不限于PET膜。或者，在另一些示例中，保护层也可以是依次地层叠在石墨烯薄膜的表面的光刻胶(固化或非完全固化；或者，图形化或非图形化)和支撑层；并且从层状分布而言，光刻胶位于石墨烯薄膜和支撑层之间。

另外，考虑到基于石墨烯的器件，通常具有多个不同的结构和功能层，因此，在另一些制作工艺中，还可以包含将石墨烯转移到其他层之上的转移操作—例如，将图形化的石墨烯薄膜转移到目标衬底。并且，该转移操作可以是在对生长基底进行图形化之前或之后实施。简言之，部分示例中，制作方法包括：提供以图形化的方式附着于生长基底上的石墨烯薄膜；将附着于生长基底的石墨烯薄膜转移到目标基底；然后再对生长基底进行图形化。或者，另一些示例中，制作方法包括：提供以图形化的方式附着于生长基底上的石墨烯薄膜；然后，对生长基底进行图形化，再然后将附着于生长基底的石墨烯薄膜转移到目标基底。

除上述示例的制作工艺之外，示例中还提出了另一种制作多层膜的方法。

该制备方法包括：

步骤S101、提供附着于生长基底上的石墨烯层。

附着于生长基底的石墨烯层，可以通过诸如化学气相沉积进行制作。在沉积中所使用的衬底或称生长基底可以是金属材料/导电材料，或半导体材料等。例如，通过化学气相沉积在铜箔表面制作大面积石墨烯；其具体工艺可以由本领域技术人员根据本领域的已知方案进行实施，在此不予赘述。

在一些具体可替代的示例中，生长基底例如还可以是硅片、氧化硅片、陶瓷板、玻璃板等。当然，考虑到不同的生长基底的特性不同，当调整生长基底的材料时，对应在该生长基底上的制作石墨烯层的方案也可以进行调整——即不限于化学气相沉积。

步骤S102、对石墨烯层进行图形化处理之后，获得图形化的石墨烯薄膜。

石墨烯的图形化处理可以沿用或者在适当的调整情况下，使用半导体领域中的光刻工艺。例如通过涂敷光刻胶，然后进行掩膜暴光、显影等操作。在通过光刻工艺获得图形化的光刻胶之后，即可在此基础上对石墨烯进行处理，使其形成图形化。例如，在图形化的光刻胶附着于石墨烯表面之后，可以采用诸如氧等离子轰击工艺的方式进行处理。如此，通过氧等离子轰击，图形化的光刻胶的图案会被转印到石墨烯上，使石墨烯也呈现图形化的结构。

步骤S103、在保护图形化的石墨烯薄膜之后，对生长基底进行图形化，获得图形化的生长基底。

在采用前述的光刻工艺进行石墨烯的图形化的基础上，对于图形化的石墨烯薄膜的保护，同样也可以采用光刻胶对其进行保护。例如，旋涂光刻胶，然后对其进行固化。或者，进一步地，在旋涂光刻胶之后，再于光刻胶的表面附着(如粘结)覆盖结构层。其中的覆盖结构层可以作为支撑层起到支撑作用。示例性地，该支撑层可以为高分子聚合物膜，例如，PET(聚对苯二甲酸类塑料，即聚对苯二甲酸乙二醇酯)材质的薄膜。

当在步骤S102中采取光刻工艺进行石墨烯的图形化时，上述的保护操作可以是随即进行的。但是考虑到，残留的光刻胶所可能导致不利影响，将图形化处理步骤中的光刻胶清除后再进行图形化石墨烯的保护将是有利的。其中的保护既是确保后续操作不会对石墨烯产生不利的影响的结构。其中的保护既可以是使其免于受到化学试剂的不利影响(如腐蚀)，也可以是免于受到机械作用的不利影响(如机械弯曲或刮擦伤害等)；或者是二者兼而有之。同时，硬质或具有适当的结构强度的保护层还可以被用于转移石墨烯到目标基底。即保护层能够提供转移石墨烯的过程中的着力点，从而方便地移动图形化的石墨烯和图形化的生长基底。

对生长基底的图形化则可以根据其具体的材料而进行适应性的选择。例如，当生长基底采用的是金属材料时，则可以使用腐蚀性物质对其进行选区腐蚀。为了进行选区腐蚀(部分区域腐蚀，剩余的其他部分保留/不腐蚀)，可以预先在生长基底的表面形成图案化的覆盖结构/掩膜，然后再在此基础上使用相应的腐蚀性材料，以腐蚀露出部分的生长基底。可以理解的是，其中使用的腐蚀性物质是与前述的覆盖结构相匹配的。即覆盖结构包括遮蔽生长基底的遮盖部分以及露出生长基底的镂空部分。则腐蚀性物质可以从镂空部分与生长基底接触，从而对其实现腐蚀。而其他部分则会由于覆盖结构的存在，而不会受到腐蚀性物质的腐蚀。

步骤S104、在保护图形化的生长基底之后，去除图形化的石墨烯薄膜的保护、并在图形化的石墨烯薄膜的表面附着目标基底。

在对生长基底进行图形化和保护之后，即可将受保护的石墨烯暴露出来，以便进行转移操作。即通过去除石墨烯的保护而将其暴露。

其中保护图形化的生长基底的保护方式例如是在其表面制作覆盖层，使生长基底免受损伤等影响。同时，对生长基底的保护，也能够对图形化的石墨烯起到的保护作用—保持石墨烯平整，而不会发生大幅度的弯曲和褶皱等情况。其中的覆盖层例如是胶质材料。部分示例中，覆盖层可以是采用与在制作图形化的生长基底时所使用的掩膜相同的材料的薄膜。一种具体且可替代的示例是，覆盖层和掩膜都采用石蜡材质。

而在暴露石墨烯之后，即可在其表面附着目标基底。其中目标基底可以是独立的可自支撑的膜，并与石墨烯以贴合的方式进行附着；或者，在其他的示例中，目标基底也可以是通过适当的制膜工艺而被在线制作于石墨烯的表面。

步骤S105、去除图形化的生长基底的保护。

根据对生长基底的保护结构的不同，其去除方式也有所不同。示例性地，去除方式例如可以是机械剥离或者通过化学物质反应腐蚀掉。

以下将结合具体实施例，对本申请示例中的方案进行说明。

实施例1

快速制备石墨烯器件的工艺过程如图2所示，并且各个步骤所对应的结构如图3所示。

快速制备石墨烯器件的方法包括以下步骤：

步骤1.将光刻胶旋涂到已经生长好石墨烯薄膜2且作为基底层1(生长基底)的铜箔上。

其中光刻胶为304正型光刻胶，旋涂厚度为1.6μm，旋涂计量为4mL，低转速为500r/min，时间5s，高转速为3000r/min，时间为60s。

旋涂完成后，把光刻胶/石墨烯/铜箔放在100℃热板上进行烘烤，使光刻胶固化，得到光刻胶固化层3。

步骤2.将光刻胶/石墨烯/铜箔放入紫外光刻机上曝光。曝光时间为6s，曝光计量为10W。曝光完成后把光刻胶/石墨烯/铜箔放入3080显影液中显影60s，完成光刻胶的图案化，得到图案化光刻胶。

步骤3.把图案化光刻胶/石墨烯/铜箔放入等离子体清洗机中，用氧等离子体轰击石墨烯表面，完成石墨烯的图案化。

步骤4.用丙酮去除图案化的光刻胶，并重新在图案化的石墨烯表面旋涂新的一层光刻胶，并烘烤，使得光刻胶固化。

步骤5.将PET薄膜作为支撑层4与光刻胶层贴合紧密。

步骤6.在铜箔表面放入一个掩膜版，把石蜡滴到其表面。通过掩膜版，使石蜡直接在铜箔上形成一层图案化的石蜡层5，随后掩膜板取出。

步骤7.把步骤6中制得的样品放入0.2mol/L过硫酸铵溶液中腐蚀。由于有图案化的石蜡的保护，得到图案化的铜箔电极层。

在该步骤中，把铜箔仅被腐蚀部分，而留下的铜箔能直接作为电极，从而省去了后期的金属蒸镀步骤。

步骤8.去除图案化的石蜡，然后旋涂新的石蜡层到在样品(支撑层以及光刻胶层/图案化石墨烯/图案化铜箔电极层)表面作为保护层的石蜡保护膜。

在该步骤中，之所以制作石蜡保护膜是因为下步(步骤9)需要去掉光刻胶与支撑层。而图案化的石墨烯和图案化的铜箔电极结构强度不高，容易损坏。如果没有保护膜，铜箔电极和石墨烯容易出现破损。

步骤9.去除掉支撑层以及光刻胶层，把石墨烯表面暴露出来。

步骤10.把目标基底6与石墨烯表面贴合紧密。

步骤11.去除掉作为保护层的石蜡保护膜，得到石墨烯器件。

在本申请示例的上述工艺中，在将石墨烯从生长基底转移到目标基底6的过程中，通过仅刻蚀部分作为生长基底的铜箔，并且把留下的铜箔作为金属电极。该工艺省去了制作器件的后期的需要额外地实施金属电极的制备步骤。换言之，本申请示例的方案，在转移过程中就完成了器件的制备。由此，上述方案提高了制备石墨烯器件的效率，同时由于利用了作为生长基底而本身存在的铜箔，从而减少了原材料的浪费。

作为上述石墨烯器件的应用示例，可以将其与硅片结合—目标基底层6状附着于硅片的表面—以形成石墨烯生物芯片。

为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，上文结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。因此，上文对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (13)

1.一种多层膜的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供附着于生长基底上的石墨烯层；

对所述石墨烯层进行图形化处理之后，获得图形化的石墨烯薄膜；

在保护所述图形化的石墨烯薄膜之后，对所述生长基底进行图形化，获得图形化的生长基底；所述生长基底是导电的箔材、导电的膜材或半导体材料；

在保护所述图形化的生长基底之后，去除所述图形化的石墨烯薄膜的保护、并在所述图形化的石墨烯薄膜的表面附着目标基底；以及

去除所述图形化的生长基底的保护。

2.根据权利要求1所述的多层膜的制作方法，其特征在于，对所述石墨烯层进行图形化处理的方法包括光刻工艺；

和/或，保护所述图形化的石墨烯薄膜的方法包括：在已经图形化的石墨烯薄膜表面附着光刻胶层。

3.根据权利要求2所述的多层膜的制作方法，其特征在于，保护所述图形化的石墨烯薄膜的方法还包括：在已经图形化的石墨烯薄膜表面附着光刻胶层之后，在所述光刻胶层的表面附着支撑层。

4.根据权利要求3所述的多层膜的制作方法，其特征在于，所述支撑层为高分子聚合物膜。

5.根据权利要求3所述的多层膜的制作方法，其特征在于，所述支撑层为PET膜。

6.根据权利要求1所述的多层膜的制作方法，其特征在于，对所述生长基底进行图形化的方法包括：

在生长基底背离所述石墨烯薄膜的表面，附着图形化的掩膜，然后对所述生长基底进行图形化的腐蚀；

和/或，保护所述图形化的生长基底的方法包括：在所述图形化的生长基底的表面附着保护膜层。

7.根据权利要求6所述的多层膜的制作方法，其特征在于，所述保护膜层与所述掩膜的材料相同。

8.根据权利要求7所述的多层膜的制作方法，其特征在于，所述掩膜的材料是石蜡。

9.一种多层膜，其特征在于，所述多层膜采用权利要求1-8中任一项所述的多层膜的制备方法制得，所述多层膜包括：

目标基底，具有第一表面；

图形化的石墨烯薄膜，附着于所述第一表面，所述石墨烯薄膜具有背离所述第一表面的第二表面；

图形化的基底层，附着于所述第二表面，且所述基底层是所述石墨烯薄膜的生长基底；

所述生长基底是导电的箔材、导电的膜材或半导体材料。

10.根据权利要求9所述的多层膜，其特征在于，所述石墨烯薄膜的图形化结构与所述基底层的图形化结构不同；

和/或，所述石墨烯薄膜和所述基底层分别为非连续膜结构；

和/或，所述生长基底是金属箔；

和/或，所述目标基底也是图形化的；

和/或，所述基底层作为电极层。

11.根据权利要求10所述的多层膜，所述生长基底是铜箔。

12.根据权利要求9-11中任一项所述的多层膜在制备基于石墨烯的石墨烯器件或者半导体器件中的应用。

13.一种石墨烯器件，其特征在于，包含根据权利要求9-11中任一项所述的多层膜。

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