KR20190099903A - 하이브리드 투명 전극의 패터닝 방법 - Google Patents

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KR20190099903A KR1020180019954A KR20180019954A KR20190099903A KR 20190099903 A KR20190099903 A KR 20190099903A KR 1020180019954 A KR1020180019954 A KR 1020180019954A KR 20180019954 A KR20180019954 A KR 20180019954A KR 20190099903 A KR20190099903 A KR 20190099903A
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조성진
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경북대학교 산학협력단
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    • H01B13/32—Filling or coating with impervious material
    • H01B13/322—Filling or coating with impervious material the material being a liquid, jelly-like or viscous substance

Abstract

본 발명의 하이브리드 투명 전극의 패터닝 방법은 나노와이어 코팅층을 형성하는 단계; 나노와이어 코팅층 상에 그래핀층을 형성하는 단계; 그래핀층 상에 그래핀층의 일부를 노출시키는 개구를 갖는 포토 패턴을 형성하는 단계; 및 포토 패턴을 식각 방지막으로 그래핀층 및 나노와이어 코팅층을 건식 식각하여, 그래핀 전극 패턴과, 그래핀 전극 패턴 하부에 배치된 도전성 영역 및 금속 나노와이어의 절단 부분이 배치된 절연 영역을 갖는 투명 전극 패턴으로 패터닝하는 단계를 포함한다.

Description

하이브리드 투명 전극의 패터닝 방법{METHOD OF PATTERNING A HYBRID TRANSPARENT ELECTRODE}
본 발명은 하이브리드 투명 전극의 패터닝 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 나노와이어와 그래핀의 하이브리드 투명 전극의 패터닝 방법에 관한 것이다.
투명 전극은 광을 투과시켜 영상을 표시하는 디스플레이 장치나, 태양광을 흡수하여 전류를 발생시키는 태양전지에 공통적으로 이용되는 핵심 구성 성분으로서, 광학적으로는 투명성을 갖고 전기적으로는 도전성을 갖는다. 투명 전극은 스퍼터링법에 의해 제조되는 ITO(indium tin oxide)가 널리 이용되고 있고, 낮은 면저항 및 높은 투과도의 장점을 가지고 있다. 하지만, ITO 전극은 고가의 증착법을 사용하기 때문에 제조 단가가 높고, 인듐 자체가 희소성 물질로 자원 고갈의 우려가 있다는 단점에 있다. 또한, ITO 전극은 유연성(flexibility)이 부족하여 굽혔을 때 산화물 박막에 금이 가거나 깨지고, 이로 인해 투명전극의 표면저항을 증가시키는 문제점이 있어 최근 각광 받고 있는 플렉시블 전자디바이스 분야에는 적용하기가 어렵다.
이러한 종래의 ITO 전극을 대체할 수 있는 투명전극의 개발이 절실히 요구되고 있으며, 메탈 메쉬(Metal Mesh)나 은 나노와이어(Ag Nanowire), 탄소나노튜브(CNT), 그래핀(Graphne) 등이 투명 전극 소재로서 관심받고 있으며 이와 관련된 많은 연구가 진행되고 있다.
특히, 이들 중에서 은 나노와이어는 뛰어난 전기 전도성 및 투과율을 바탕으로 현재 ITO를 대체할 수 있는 최적의 물질로 많은 분야에 걸쳐서 연구가 진행되고 있다. 은 나노와이어는 기계적 변형에도 저항의 변화가 적고, 스핀 코팅, 스프레이 코팅, 브러쉬 코팅, 바 코팅 등 저온 용액 공정으로 투명전도성 필름을 형성할 수 있기 때문에 유연성 투명전극 재료로서 적합한 특성을 갖는 장점이 있다. 하지만, 은 나노와이어 네트워크 구조는 와이어가 서로 가로 지르면서 생기는 빈 공간 때문에 전자를 통과시키지 못하는 절연 공간이 다른 전면 전극에 비해서 많이 존재하고, 와이어 간 겹쳐지는 네트워크 구조로 표면 거칠기가 증가하여 순수한 은 나노와이어 만으로 이루어진 전극은 고해상도 디스플레이나 터치패널, 태양전지에 적용되기 어렵다는 단점이 있다.
은 나노와이어의 절연 공간을 최소화시면서도 광의 투과율 저하는 최소화시키기 위한 방안으로서, 은 나노와이어를 그래핀과 함께 이용하는 하이브리드 전극이 제안된 바 있다. 이러한 하이브리드 전극을 다양한 전자 소자에 적합한 전극으로 적용시키기 위해서는 하이브리드 전극을 다양한 형상으로 패터닝하여야 하는데, 은 나노와이어는 금속 기반의 전극이므로 이를 식각하기 위한 식각액을 이용하여 습식 식각을 진행하고 있고, 그래핀은 산소 플라즈마 등의 식각 가스를 이용한 건식 식각을 진행하고 있어, 하이브리드 전극의 패터닝을 위해서 2번의 식각 공정을 수행해야하는 번거로움이 있다.
본 발명의 일 목적은 단일 공정의 하이브리드 투명 전극의 패터닝 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 목적을 위한 하이브리드 투명 전극의 패터닝 방법은 나노와이어 코팅층을 형성하는 단계; 상기 나노와이어 코팅층 상에 그래핀층을 형성하는 단계; 상기 그래핀층 상에 그래핀층의 일부를 노출시키는 개구를 갖는 포토 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 포토 패턴을 식각 방지막으로 상기 그래핀층 및 상기 나노와이어 코팅층을 건식 식각하여, 그래핀 전극 패턴과, 상기 그래핀 전극 패턴 하부에 배치된 도전성 영역 및 금속 나노와이어의 절단 부분이 배치된 절연 영역을 갖는 투명 전극 패턴으로 패터닝하는 단계를 포함한다.
일 실시예에서, 상기 패터닝하는 단계는 산소가스를 이용한 반응성 이온 식각 공정으로 수행할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 패터닝하는 단계에서 건식 식각의 식각 가스에 의해서, 상기 포토 패턴에 의해 노출된 그래핀층은 제거되고, 제거된 그래핀층에 의해 노출된 나노와이어 코팅층의 금속 나노와이어가 절단될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 도전성 영역과 상기 절연 영역 모두에 금속 나노와이어들이 배치되되, 상기 절연 영역에 금속 나노와이어의 절단 부분이 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 나노와이어 코팅층을 형성하는 단계는 금속 나노와이어 용액을 코팅하여 수행하고, 상기 그래핀층을 형성하는 단계는 상기 나노와이어 코팅층 상에 그래핀을 전사시켜 형성할 수 있다.
상기에서 설명한 본 발명의 하이브리드 투명 전극의 패터닝 방법에 따르면, 단일 공정으로 금속 나노와이어와 그래핀의 하이브리드 투명 전극을 패터닝할 수 있어 공정을 단순화시킬 수 있다. 이에 따라서 제조비용을 감소시킴으로써 생산성을 향상시킬 수 있다.
상기 단일 공정 중에서 금속 나노와이어는 절단되거나 절연체로 변화된 부분은 존재하지만 물리적으로 완전히 제거되지 않은 상태로 금속 나노와이어가 잔류하기 때문에, 금속 나노와이어의 존재 유무에 따른 반사도 차이에 의해서 금속 나노와이어가 형성된 영역과 미형성된 영역이 구분되어 시인되는 것을 최소화할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 하이브리드 투명 전극의 패터닝 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 제조예 1 및 2에 따라 패터닝된 하이브리드 투명 전극의 SEM 이미지를 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 제조예 2에 따라 패터닝된 하이브리드 투명 전극에 인가된 전압에 대한 전류 변화를 측정한 결과를 나타낸 도면이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로서 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 하이브리드 투명 전극의 패터닝 방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 1의 (a)를 참조하면, 베이스 기재(110) 상에 나노와이어 코팅층(120) 및 그래핀층(130)을 형성한다.
일 실시예에서, 그래핀층(130)이 나노와이어 코팅층(120) 상에 배치될 수 있고, 나노와이어 코팅층(120)은 베이스 기재(110) 상에 바로 직접 형성될 수 있다. 도면으로 도시하지 않았으나, 나노와이어 코팅층(120)과 베이스 기재(110) 상에는 하이브리드 투명 전극과 전기적으로 연결되는 전자소자 적층 구조체가 형성될 수 있다.
일 실시예에서, 베이스 기재(110)는 유연성을 갖는 플렉시블 기판일 수 있다. 플렉시블 기판은 고분자로 형성된 플라스틱 기판일 수 있다. 이외에도, 베이스 기재(110)로서는 유리 기판, 실리콘 웨이퍼 등이 다양하게 이용될 수 있다.
나노와이어 코팅층(120)은 금속 나노와이어들이 분산된 코팅 용액을 코팅 공정을 이용하여 형성한다. 나노와이어들은 은(silver)으로 형성된 은 나노와이어일 수 있다. 코팅 공정은 스핀 코팅, 바 코팅, 스프레이 코팅 등의 방식으로 수행될 수 있다. 나노와이어 코팅층(120)은 베이스 기재(110)의 일면에 전체적으로 형성된다.
나노와이어 코팅층(120)이 형성된 베이스 기재(110)에 대해서 그래핀을 전사시켜, 나노와이어 코팅층(120) 상에 그래핀층(130)을 형성한다. 그래핀층(130)을 형성하기 위한 그래핀 성장은 종래에 알려져 있는 다양한 방법으로 수행될 수 있다. 그래핀층(130)과 나노와이어 코팅층(120) 모두 도전성을 갖는 박막들로서, 상하로 적층되어 면접촉함으로써 하나의 하이브리드 투명 전극을 구성할 수 있다.
다만, 나노와이어 코팅층(120)은 그래핀층(130)의 하부에 배치되는 것이 바람직하다. 본 발명에서 나노와이어 코팅층(120)과 그래핀층(130)은 한번의 공정으로 패터닝하기는 하지만, 나노와이어 코팅층(120)은 물리적으로 금속 나노와이어를 제거함으로써 패터닝하는 것이 아니기 때문에 그래핀층(130) 위에 나노와이어 코팅층(120)이 배치된 경우에 본 발명에 따른 공정을 수행하는 경우에는 잔류하는 금속 나노와이어에 의해서 그래핀층(130)이 제거되어야 할 부분이 완전히 제거되지 않는 문제가 있다. 따라서, 본 발명에서는 그래핀층(130)은 나노와이어 코팅층(120)을 형성한 후에 그 위에 형성하는 것이 바람직하다.
도 1의 (b)를 참조하면, 나노와이어 코팅층(120) 및 그래핀층(130)이 순차적으로 형성된 상태에서, 그래핀층(130) 상에 개구를 갖는 포토 패턴(140)을 형성한다.
포토 패턴(140)은 네가티브형 또는 포지티브형 포토레지스트 조성물을 코팅하여 포토레지스트층을 형성한 후, 이에 대해 노광 및 현상 공정을 수행하여 형성할 수 있다. 노광 공정은, 포토레지스트층 상에 광을 투과시키는 투광부와 차단하는 차광부를 포함하는 마스크를 배치시킨 상태에서 수행한다. 네가티브형 포토레지스트 조성물을 이용하여 형성된 포토레지스트층은 상기 마스크가 배치된 상태에서 노광 공정이 수행되면 광이 조사되는 부분이 경화되고, 현상 공정에서 차광된 부분이 미경화 상태로 현상액에 의해 제거되어 개구가 되고 경화되는 부분은 잔류하여 포토 패턴(140)을 형성한다. 포지티브형 포토레지스트 조성물을 이용하여 형성된 포토레지스트층은 상기 마스크가 배치된 상태에서 노광 공정이 수행되면, 광이 조사된 부분은 현상액에 대해서 가용성이 되어 제거됨으로써 개구가 되고 차광된 부분은 경화된 상태로 잔류하여 포토 패턴(140)을 형성한다.
포토 패턴(140)은 베이스 기재(110)의 일 방향으로 연장된 바(bar)들이 상기 일 방향과 교차하는 다른 방향으로 이격되어 일렬로 배열된 스트라이프 패턴으로 형성될 수 있다. 또는, 포토 패턴(140)은 메쉬 형태일 수 있다. 포토 패턴(140)을 통해서, 포토 패턴(140)이 형성된 영역에서는 그래핀층(130)이 커버되고 포토 패턴(140)의 미형성 영역의 그래핀층(130)은 외부로 노출된다.
도 1의 (c)를 참조하면, 포토 패턴(140)을 식각 방지막으로 이용하여 식각 가스를 이용한 건식 식각을 수행한다. 상기 건식 식각은 산소(O2)를 이용한 반응성 이온 식각(reactive ion etching, RIE) 공정으로 수행될 수 있다.
상기 건식 식각 단계를 통해서, 그래핀층(130)은 그래핀 전극 패턴(132)이 되고, 나노와이어 코팅층(120)은 도전성 영역(122) 및 나노와이어의 절단 부분이 배치된 절연 영역(124)을 갖는 투명 전극 패턴이 된다.
구체적으로, 상기 건식 식각에서, 포토 패턴(140)으로 커버된 영역의 그래핀층(130)은 식각되지 않고 포토 패턴(140)의 개구에 의해서 노출된 그래핀층(130)이 식각 가스에 의해서 제거된다.
포토 패턴(140)의 형성으로 인해 산소에 노출되지 않은 식각 가스 미처리 영역의 그래핀층(130)이 잔류함으로써 그래핀 전극 패턴(132)을 형성하게 된다. 그래핀 전극 패턴(132)의 하부에는 나노와이어 코팅층(120)이 잔류하는 도전성 영역(122)이 형성된다. 그래핀층(130)이 제거되면, 그 하부에 형성된 나노와이어 코팅층(120) 또한 식각 가스에 노출되게 된다. 식각 가스에 노출된 나노와이어 코팅층(120)의 금속 나노와이어들은 부분적으로 절단되어 절연 영역(124)을 형성하게 된다. 식각 공정의 RF 파워 증가 및/또는 공정 시간의 증가를 통해서 금속 나노와이어들이 물리적으로 끊어질 수 있도록 할 수 있다. 이때, 금속 나노와이어들의 일부 중에서는 식각 가스가 처리되었지만 절단되지 않더라도 금속산화물을 형성하면서 절연체가 됨으로써 절연 영역(124)에 포함될 수 있다. 예를 들어, O2 RIE 공정을 이용하는 경우, 은 금속 나노와이어가 산화되어 은 산화물을 형성함으로써 절연체가 될 수 있다.
식각 가스 미처리 영역과 식각 가스 처리 영역에 걸쳐 있는 1개의 금속 나노와이어에 있어서, 일부는 금속 나노와이어의 원래 상태를 유지하지만 식각 가스 처리 영역에서는 절단 부분을 갖기 때문에 금속 나노와이어가 식각 가스 미처리 영역과 식각 가스 처리 영역에 걸쳐 있기는 하지만 전기적으로는 투명 전극 패턴이 도전성 영역(122)과 절연 영역(124)으로 구분될 수 있다.
본 발명에 따르면 식각 공정을 거치고 나서도, 식각 가스 처리 영역에서는 금속 나노와이어들의 일부가 끊겨 금속 나노와이어들의 절단 부분이 존재하는 것일 뿐, 식각 가스 처리 영역의 금속 나노와이어들이 물리적으로 완전히 제거되는 것이 아니므로, 전체적으로는 베이스 기재(110)의 전체에 금속 나노와이어들이 균일하게 배치된 상태는 최초에 나노와이어 코팅층(120)을 형성한 상태와 비교하여 변함이 없다. 따라서 금속 나노와이어의 존재 유무에 따른 반사도 차이에 의해서 금속 나노와이어가 형성된 영역과 미형성된 영역이 구분되어 시인되는 것을 최소화할 수 있다. 즉, 본 발명에서, 도전성 영역(122)과 절연 영역(124) 사이의 반사도 차이가 크게 나지 않기 때문에 도전성 영역(122)과 절연 영역(124)이 구분되어 시인되는 문제를 최소화시킬 수 있다.
도전성 영역(122) 및 그래핀 전극 패턴(132)을 형성한 후에, 포토 패턴(140)을 제거함으로써, 하이브리드 전극의 패터닝 공정이 완료될 수 있다. 포토 패턴(140)은 포토레지스트 스트립퍼(stripper)를 이용하여 제거할 수 있다.
도 1을 참조하여 설명한 본 발명의 하이브리드 투명 전극의 패터닝 방법에 따르면, 단일 공정으로 금속 나노와이어와 그래핀의 하이브리드 투명 전극을 패터닝할 수 있어 공정을 단순화시킬 수 있다. 이에 따라서 제조비용을 감소시킴으로써 생산성을 향상시킬 수 있다. 건식 식각 공정에서 금속 나노와이어는 절단 부분이 있으나 물리적으로 완전히 제거되지 않고 잔류하기 때문에, 금속 나노와이어의 존재 유무에 따른 반사도 차이에 의해서 금속 나노와이어가 형성된 영역과 미형성된 영역이 구분되어 시인되는 것을 최소화할 수 있다.
이하에서는, 실제의 제조예 1 및 2에 따라서 하이브리드 투명 전극의 패터닝 방법과 그 결과에 대해서 보다 구체적으로 설명하기로 한다.
제조예 1 및 2
플라스틱 기판 상에 은 나노와이어 용액을 이용하여 코팅층을 형성하였다. 코팅층이 형성된 플라스틱 기판 상에 전사 공정을 이용하여 코팅층 상에 그래핀층을 전사하였다. 그래핀층 상에, 포토리소그래피 공정을 진행할 수 있는 포토레지스트(AZ-5214E)를 3000 rpm으로 30초 동안 스핀코팅 한 후, 110 ℃에서 1분간 열처리를 진행하여 휘발성 용제를 제거하였고, 용제가 제거되어 경화된 포토레지스트층에 대해서 마스크를 이용하여 노광 및 현상 공정을 수행하여 포토 패턴을 형성하였다. 상기 포토 패턴을 식각 방지막으로 이용하여, 산소 100% 분위기에서 O2 RIE(reactive ion etcher) 장비를 사용한 건식 식각 공정을 통해 그래핀층과 은 나노와이어 코팅층을 패터닝하였으며, 식각 후에 포토 패턴을 스트립 용액을 이용하여 제거하여 제조예 1을 수행하였다. 이때, O2 RIE의 RF 파워는 50 W이었다.
또한, O2 RIE의 RF 파워를 100 W로 한 것을 제외하고는 상기 공정과 실질적으로 동일한 공정을 수행하여 제조예 2를 수행하였다.
SEM 이미지 분석
제조예 1 및 제조예 2에 따라 제조된 샘플들 각각의 SEM 이미지를 얻었고, 그 결과를 도 2에 나타낸다.
도 2는 본 발명의 제조예 1 및 2에 따라 패터닝된 하이브리드 투명 전극의 SEM 이미지를 나타낸 도면이다.
도 2에서, 상부의 3장의 SEM 이미지들은 제조예 1의 결과이고, 하부의 3장의 SEM 이미지들은 제조예 2의 결과로서, 각각에서 O2 RIE를 수행한 부분(with O2 RIE)과 O2 RIE가 수행되지 않은 부분(without O2 RIE)의 차이가 있음을 확인할 수 있다. 즉, O2 RIE를 수행한 부분(with O2 RIE)에서는 은 나노와이어가 끊어진 것을 확인할 수 있으며 O2 RIE가 수행되지 않은 부분(without O2 RIE)에서는 은 나노와이어가 그 형상을 유지하고 있는 것을 확인할 수 있었다. 또한, 제조예 1에 비해서 더 높은 RF 파워를 이용한 제조예 2의 경우, 은 나노와이어가 더 많이 끊어져 있는 것을 확인할 수 있다.
특성 분석
제조예 2에 따라 준비된 샘플에 대해서, DC 전원공급장비(Keithley 2400)를 연결한 후, 금속 패드(도 3의 사진에서 "0-0"로 표시함)일정한 전압(-1 ~ 1 V)을 인가한 후 측정되는 전류의 값을 측정하였다. 그 결과를 도 3의 (a)에 나타낸다.
또한, 동일 금속 패드(0-0)에 전압을 인가하였을 때와, 식각 구간을 넘어선 주변 금속 패드를 통해 전압을 인가할 경우(도 3의 사진에서 0-1, 0-2, 0-3, 0-4로 표시함)의 전류의 흐름을 측정하여 하이브리드 전극의 패터닝 여부를 판단하였다. 그 결과를 도 3의 (b)에 나타낸다.
도 3은 본 발명의 제조예 2에 따라 패터닝된 하이브리드 투명 전극에 인가된 전압에 대한 전류 변화를 측정한 결과를 나타낸 도면이다.
도 3의 (a)를 참조하면, 식각되지 않고 잔류하는 패드는 도전성을 그대로 유지하고 있기 때문에 인가된 전압이 증가함에 따라 전류도 증가하는 것을 확인할 수 있다. 반면, 도 3의 (b)를 참조하면, 주변 금속 패드를 연결할 경우 노이즈가 측정되는 것을 확인할 수 있다. 이는, 충분한 은 나노와이어의 식각이 일어나 패턴들 사이의 절연성을 나타내는 것이다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
110: 베이스 기재 120: 나노와이어 코팅층
130: 그래핀층 140: 포토 패턴
122: 도전성 영역 124: 절연 영역
132: 그래핀 전극 패턴

Claims (5)

  1. 나노와이어 코팅층을 형성하는 단계;
    상기 나노와이어 코팅층 상에 그래핀층을 형성하는 단계;
    상기 그래핀층 상에 그래핀층의 일부를 노출시키는 개구를 갖는 포토 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 포토 패턴을 식각 방지막으로 상기 그래핀층 및 상기 나노와이어 코팅층을 건식 식각하여, 그래핀 전극 패턴과, 상기 그래핀 전극 패턴 하부에 배치된 도전성 영역 및 금속 나노와이어의 절단 부분이 배치된 절연 영역을 갖는 투명 전극 패턴으로 패터닝하는 단계를 포함하는,
    하이브리드 투명 전극의 패터닝 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 패터닝하는 단계는 산소가스를 이용한 반응성 이온 식각 공정으로 수행하는 것을 특징으로 하는,
    하이브리드 투명 전극의 패터닝 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 패터닝하는 단계에서 건식 식각의 식각 가스에 의해서,
    상기 포토 패턴에 의해 노출된 그래핀층은 제거되고,
    제거된 그래핀층에 의해 노출된 나노와이어 코팅층의 금속 나노와이어가 절단되는 것을 특징으로 하는,
    하이브리드 투명 전극의 패터닝 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 도전성 영역과 상기 절연 영역 모두에 금속 나노와이어들이 배치되되, 상기 절연 영역에 금속 나노와이어의 절단 부분이 배치된 것을 특징으로 하는,
    하이브리드 투명 전극의 패터닝 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 나노와이어 코팅층을 형성하는 단계는 금속 나노와이어 용액을 코팅하여 수행하고,
    상기 그래핀층을 형성하는 단계는 상기 나노와이어 코팅층 상에 그래핀을 전사시켜 형성하는 것을 특징으로 하는,
    하이브리드 투명 전극의 패터닝 방법.
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