KR101791299B1 - 롤투롤 연속 공정을 통한 보조전극을 포함하는 전극의 제조방법, 이에 따라 제조되는 전극 및 이를 포함하는 전자소자 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 a)이송 중인 기재 상에 광 기능성층을 형성하는 단계; b)상기 광 기능성층이 형성된 이송 중인 기재 상에 금속층을 증착하고, 보조전극 패턴을 형성하는 단계; c)상기 보조전극 패턴이 형성된 이송 중인 기재 상에 투명전극층을 증착한 후 소결하는 단계; 및 d)상기 투명전극층이 증착된 이송 중인 기재 상에 감광절연층을 도포하고 기재 후면에서 노광 공정을 실시하여 보조전극 패턴 상부에 절연막 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 롤투롤 연속 공정을 통한 보조전극을 포함하는 전극의 제조방법, 이에 따라 제조한 전극 및 이를 포함하는 전자소자를 제공한다.

Description

롤투롤 연속 공정을 통한 보조전극을 포함하는 전극의 제조방법, 이에 따라 제조되는 전극 및 이를 포함하는 전자소자{method for manufacturing a electrode comprising auxiliary electrode through roll-to-roll consecutive process, electrode manufactured by the same, and electric device comprising the same}
본 발명은 전극 및 이를 포함하는 전자소자에 관한 것으로 더 구체적으로, 본 발명은 연속공정이 용이한 보조전극을 포함하는 전극의 제조방법, 이에 따라 제조되는 전극 및 이를 포함하는 전자소자에 관한 것이다.
최근, 디스플레이나 터치패널 등의 전자 소자에서 유효 화면부 영역에 투명전극의 적용 제품의 수요가 증가하고 있는데 이를 위해 ITO, IZO, ZnO 등과 같은 금속 산화물 계열의 투명 도전막을 사용하고 있으나 이들은 재료 자체의 내인적인 전도도가 낮아 대형화에 있어 치명적인 문제점을 안고 있다. 특히 최근에 각광받고 있는 OLED 조명 소자를 개발함에 있어서 산화물계 투명전극의 높은 저항 특성으로 인해 소자의 크기가 커질수록 캐리어 크라우딩(crowding) 현상에 의한 전류량의 불균일이 초래되는 문제점이 발생하고 있다. 이는 밝기 균일도의 급격한 감소와 함께 소자 동작 시 국부적으로 높은 열 발생을 유도하여 유기 물질의 열화 (thermal degradation)에 의한 소자 수명의 감소로 이어진다.
이를 해소하기 위해 투명전극에 더불어 금속전극을 이용한 보조전극을 증착 및 패터닝하는 기술이 개발되고 있다.
이와 관련하여 종래에 도 1에서 참조되는 바와 같이 투명전극에 보조전극을 구현하기 위해 1회 이상의 포토리소그래피 공정을 통해 플레이트 투 플레이트(plate to plate) 방식을 적용하는 기술이 시도되었으나, 여러 번의 포토리소그래피 공정을 시도함으로써 생산비용이 증가하고 생산성이 저하되는 단점이 있었다.
KR 10-2013-0028305 A
상기 종래 기술의 문제점을 해결하기 위해, 본 발명은 생산단가 절감 및 생산성 향상을 위해 인쇄 공정 기술을 기반으로 한 롤투롤(roll to roll) 연속 공정을 통한 보조전극의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
보다 상세하게, 본 발명은 롤투롤 연속 공정을 통해 투명 전극에 금속 배선의 보조전극이 포함된 전극을 제조하는 방법과 이에 따라 제조되는 전극을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 a)이송 중인 기재 상에 광 기능성층을 형성하는 단계; b)상기 광 기능성층이 형성된 이송 중인 기재 상에 금속층을 증착하고, 보조전극 패턴을 형성하는 단계; c)상기 보조전극 패턴이 형성된 이송 중인 기재 상에 투명전극층을 증착한 후 소결하는 단계; 및 d)상기 투명전극층이 증착된 이송 중인 기재 상에 감광절연층을 도포하고 기재 후면에서 노광 공정을 실시하여 보조전극 패턴 상부에 절연막 패턴을 형성하는 단계를 포함하는, 롤투롤 연속 공정을 통한 보조전극을 포함하는 전극의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 a)이송 중인 기재 상에 광 기능성층을 형성하는 단계; b)상기 광 기능성층 상에 투명전극층을 증착한 후 소결하는 단계; c)상기 투명전극층 상에 금속층을 증착하고, 보조전극 패턴을 형성하는 단계; 및 d)상기 보조전극 패턴 상부에 감광절연층을 도포하고 기재 후면에서 노광 공정을 실시하여 절연층을 보조전극 패턴 상부에 정렬하여 패턴화하는 단계를 포함하는, 롤투롤 연속 공정을 통한 보조전극을 포함하는 전극의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 기재; 상기 기재 상에 형성된 광 기능성층; 상기 광 기능성층 상의 일부에 형성된 보조전극 금속층; 상기 보조전극 금속층 및 보조전극 금속층이 없는 광 기능성층 영역에 형성된 투명전극층; 및 상기 보조전극 금속층 상부의 투명전극층상에 보조전극 금속층을 차단하도록 형성된 절연층을 포함하여 이루어지고, 상기 제조방법에 따라 제조된 것을 특징으로 하는 전극을 제공한다.
또한, 본 발명은 기재; 상기 기재 상에 형성된 광 기능성층; 상기 광 기능성층 상에 형성된 투명전극층; 상기 투명전극층 상의 일부에 형성된 보조전극 금속층; 및 상기 보조전극 금속층 상부에 보조전극 금속층을 차단하도록 형성된 절연층을 포함하여 이루어지고, 상기 제조방법에 따라 제조된 것을 특징으로 하는 전극을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 전극을 포함하는 전자소자를 제공한다.
본 발명에 따르면, 전극의 제조방법에 포함되는 절연막 패터닝 공정에서 별도의 패터닝 공정의 추가없이 금속 보조 전극 자체를 마스크로 이용하여 추가적인 정렬(align)없이 후면 노광을 통해 보조전극 상부에 절연막 층을 구현할 수 있다. 따라서, 본 발명의 전극 제조방법은 롤투롤 연속 공정을 통한 유연 보조전극 기재의 제조 및 양산에 효과적으로 적용이 가능하다.
도 1은 종래 기술에 따라 플레이트 투 플레이트(plate to plate) 방식으로 보조전극을 포함하는 전극을 제조하는 과정을 단계별로 모식적으로 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명에 따라 보조전극을 포함하는 전극을 제조하는 과정을 단계별로 모식적으로 나타낸 것이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따라 제조한 보조전극을 포함하는 전극을 제조하는 공정흐름도와 이에 따라 제조한 전극을 모식적으로 나타낸 것이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따라 제조한 보조전극을 포함하는 전극을 제조하는 공정흐름도와 이에 따라 제조한 전극을 모식적으로 나타낸 것이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따라 롤루톨 연속 공정을 통해 보조전극을 포함하는 전극을 제조하는 과정을 모식적으로 나타낸 것이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따라 롤투롤 연속 공정을 통해 보조전극을 포함하는 전극을 제조하는 과정을 모식적으로 나타낸 것이다.
도 7은 실시예 1의 사각형 패턴(square pattern)을 촬영한 것으로, 배리어 층이 상하부에 증착 처리된 투명 폴리이미드 필름에 Al 보조 전극이 형성되어 있다.
도 8은 실시예 1의 광학 현미경 사진으로서, 도 7의 반사, 투과 모드 광학현미경 이미지이다.
도 9는 실시예 1의 하프 일루미네이션(half illumination) 사진이다. 즉, 도 7의 필름에 PSPI(감광성 폴리이미드)를 코팅하고 별도의 마스크 없이 패턴 후면에서 노광(필름의 반쪽만 노광)한 후 현상 및 세척하여 제작된 샘플의 사진으로서, Al 보조 전극 자체가 포토 마스크로 작용되어 후면 노광에 따라 Al 보조 전극 상부에 절연막을 별도의 align 공정없이 형성시킬 수 있음을 보여준다.
도 10은 실시예 1의 하프 일루미네이션(half illumination) 광학 현미경 사진으로서, 도 9의 노광된 영역과 노광되지 않은 영역의 반사, 투과 모드 현미경 이미지이다.
도 11은 실시예 1의 하프 일루미네이션(half illumination) SEM 이미지이다. 도 9의 노광된 영역과 노광되지 않은 영역의 SEM 이미지이로서, 기저 보조 전극 패턴이 포토마스크로 작용하여 보조 패턴 상부에 별도의 align 공정 없이 절연층이 형성된 것을 보여준다.
도 12는 실시예 1의 다른 하프 일루미네이션(half illumination) SEM 이미지로서, 보조 전극 상부에 절연층 막이 형성되어 있는 것을 보여주는 고배율 전자현미경 이미지이다.
도 13은 실시예 2의 육각형 패턴에 관한 것으로, 육각형 배열 보조 전극 패턴이 형성된 것을 보여준다.
도 14는 실시예 2의 광학 현미경 사진이다.
도 15는 실시예 2의 하프 일루미네이션(half illumination) 사진이다.
도 16은 실시예 2의 하프 일루미네이션(half illumination) 광학 현미경 사진으로서, 육각형 배열 보조 전극 패턴이 형성된 것을 보여준다.
도 17은 실시예 2의 하프 일루미네이션(half illumination) SEM 이미지이다.
도 18은 후면 노광에 의해 Al 전극의 상부에 레지스트 패턴이 셀프 얼라인된(self-aligned) 것을 보여주는 것으로서, 절연막이 보조 전극 전체 영역에서 well-align, well passivation 되어 있는지를 확인하기 위해 고의적으로 패턴을 일부 훼손시켜 전자현미경으로 관찰한 사진이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명에 대하여 상세히 설명한다.
도 3에서 도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 롤투롤 연속 공정을 통한 보조전극을 포함하는 전극의 제조방법은 a)이송 중인 기재 상에 광 기능성층을 형성하는 단계; b)상기 광 기능성층이 형성된 이송 중인 기재 상에 금속층을 증착하고, 보조전극 패턴을 형성하는 단계; c)상기 보조전극 패턴이 형성된 이송 중인 기재 상에 투명전극층을 증착한 후 소결하는 단계; 및 d)상기 투명전극층이 증착된 이송 중인 기재 상에 감광절연층을 도포하고 기재 후면에서 노광 공정을 실시하여 보조전극 패턴 상부에 절연막 패턴을 형성하는 단계를 포함한다.
도 6은 본 발명에 따라 롤투롤(roll to roll) 연속 공정을 통해 보조전극을 포함하는 전극을 제조하는 과정을 단계별로 모식적으로 나타낸 것이다.
도 6에 도시된 바와 같이, 기재는 롤러에 의해 롤투롤 방식으로 이송되며 기재 상에 전극이 형성된다. 즉, 맨 오른쪽 롤에 투명전극을 포함한 보조전극 패턴된 기재에 감광재가 도포된 기재가 말려 있으며 이 기재가 오른쪽에서 왼쪽으로 풀리면서 자외선으로 노광이 진행되며 현상액을 통과하면서 열풍 건조된다.
상기 기재의 재료로는 투명성을 갖는 것이면 제한 없이 사용할 수 있으며, 예를 들어 아크릴 필름, 폴리카보네이트 필름, PET 필름 또는 박막 유리 등일 수 있다.
상기 광 기능성층은 광학적으로 우수한 산란 및 확산 특성을 가지며 빛 또는 열에 의해 경화되는 층이다. 상기 광 기능성층은 가시광 영역에서 우수한 광산란 및 광확산을 일으킬 수 있는 티타늄 산화물(TiO2) 또는 아연 산화물(ZnO) 나노 입자와, 빛 또는 열경화를 유도할 수 있는 바인더를 포함할 수 있다. 예컨대, 상기 광 기능성층은 50~400nm 입경을 갖는 티타늄 산화물, 아연 산화물 입자들이 밀집되어 0.1~3㎛ 두께로 형성된 박막층일 수 있다.
상기 광 기능성층은 열증착, 스퍼터링, 전자빔 증착, 이온빔 증착 등의 방법을 이용하여 기재 상에 형성될 수 있으나, 이들 방법에만 한정되지 않는다.
상기 금속층에 사용될 수 있는 금속의 예로는 알루미늄, 몰리브데늄, 크롬, 구리, 티타늄, 니켈, 금, 은, 주석, 납 및 이들의 합금 또는 카본 화합물 등이 있으나, 이들에만 한정되는 것은 아니다.
상기 금속들은 열, 전자빔 증착 또는 스퍼터링 등에 의한 증착법에 의해 기판 상에 증착 또는 상기 금속 입자들이 분산된 용액의 코팅을 통해 형성될 수 있다. 그리고, 포토리소그래피법, 그래비아 프린팅(gravure printing), 리버스 옵셋(reverse offset), 잉크젯 프린팅(inkjet printing), 스크린 프린팅(screen printing) 등의 방법에 의해 보조전극 패턴을 형성할 수 있다.
상기 금속층의 두께는 선폭에 따라 달라지나 5 nm 내지 900 nm 일 수 있다. 보다 바람직하게는 10 nm 내지 300 nm 의 두께일 수 있다. 상기 두께가 5nm 미만인 경우 상대적으로 거친 표면을 갖는 광기능성 층 상부를 전체적으로 커버하지 못하고 저항이 너무 커서 보조 전극으로서의 기능을 수행하지 못하며, 900 nm 를 초과하는 경우, 박막의 구동층으로 형성되는 OLED 조명과 같은 응용에 있어 절연막 층의 국소적인 defect 에서도 상하부 전극의 단락을 가져올 수 있다.
상기 투명전극층은 예를 들면, 진공 증착법, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법, 스프레이 열분해법, 화학 도금법, 전기 도금법 또는 상기 중 2종 이상의 방법을 조합한 코팅 층 형성법으로 형성할 수 있고, 바람직하게는 진공증착법 또는 스퍼터링법으로 기재의 상부, 즉, 스페이서 상부 및 스페이서 사이의 기재 상부에 형성될 수 있다.
상기 투명전극층은 Si, Ti, Sn, Nb, In, Mg, Ta 및 Zn으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 산화물, 질화물 또는 산질화물로 형성될 수 있다. 예컨대, 인듐 옥사이드(indium oxide), 틴 옥사이드(tin oxide), 진크옥사이드(zinc oxide), 인듐 옥사이드-틴 옥사이드(indium oxide-tin oxide)(ITO), 안티모니 옥사이드-틴 옥사이드(antimony oxide-tin oxide)(ATO), 또는 진크 옥사이드-알루미늄 옥사이드(zinc oxide-aluminium oxide)(ZAO) 등을 사용할 수 있다. 보다 구체적으로는 ITO(Indium Tin Oxide)를 사용할 수 있다.
상기 투명전극층은 연속 피막의 형성 가능성, 도전성 및 투명성 등을 고려하여, 5 nm 내지 200 nm의 두께를 가질 수 있다. 보다 구체적으로는 10 nm 내지 150 nm의 두께를 가질 수 있다. 상기 두께가 5nm 미만인 경우 하부언더코팅층의 표면을 전체적으로 커버하지 못하고 저항이 너무 커서 투명전극으로서의 기능을 수행하지 못하며, 200 nm를 초과하는 경우 투과도가 저하될 수 있다.
상기 투명전극층의 소결은 투명전극층의 열처리를 통한 전기전도도의 향상을 목적으로 100~250℃의 대류 오븐에서 1.0~3.0 시간의 열처리 조건에서 진행된다.
본 발명은 상기 투명전극층이 증착된 이송 중인 기재 상에 감광절연층을 도포하고 기재 후면에서 노광 공정을 실시하여 보조전극 패턴 상부에 절연막 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이때 수은 아크 램프나 제논 램프를 노광원으로 주로 사용하며 단위 면적당 10~500mJ에 해당하는 광량을 조사하도록 기재의 이송 속도를 적절히 조절하여 공정을 진행할 수 있다.
본 발명은 전극의 제조방법에 포함되는 절연막 패터닝 공정에서 별도의 패터닝 공정의 추가없이 보조전극 패턴 자체를 마스크로 이용하여 추가적인 정렬(align)없이 후면 노광을 통해 보조전극 패턴 상부에 절연막 패턴층을 구현할 수 있다.
도 4에서 도시한 바와 같이, 본 발명의 다른 구체예는 a)이송 중인 기재 상에 광 기능성층을 형성하는 단계; b)상기 광 기능성층 상에 투명전극층을 증착한 후 소결하는 단계; c)상기 투명전극층 상에 금속층을 증착하고, 보조전극 패턴을 형성하는 단계; 및 d)상기 보조전극 패턴 상부에 감광절연층을 도포하고 기재 후면에서 노광 공정을 실시하여 절연층을 보조전극 패턴 상부에 정렬하여 패턴화하는 단계를 포함하는, 롤투롤 연속 공정을 통한 보조전극을 포함하는 전극의 제조방법을 제공한다.
또한, 도 3에서 도시한 바와 같이, 본 발명은 기재; 상기 기재 상에 형성된 광 기능성층; 상기 광 기능성층 상의 일부에 형성된 보조전극 금속층; 상기 보조전극 금속층 및 보조전극 금속층이 없는 광 기능성층 영역에 형성된 투명전극층; 및 상기 보조전극 금속층 상부의 투명전극층상에 보조전극 금속층을 차단하도록 형성된 절연층을 포함하여 이루어지고, 상기 제조방법에 따라 제조된 것을 특징으로 하는 전극을 제공한다.
또한, 도 4에서 도시한 바와 같이, 본 발명은 기재; 상기 기재 상에 형성된 광 기능성층; 상기 광 기능성층 상에 형성된 투명전극층; 상기 투명전극층 상의 일부에 형성된 보조전극 금속층; 및 상기 보조전극 금속층 상부에 보조전극 금속층을 차단하도록 형성된 절연층을 포함하여 이루어지고, 상기 제조방법에 따라 제조된 것을 특징으로 하는 전극을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 전극을 포함하는 전자소자를 제공한다.
상기 전기소자의 예로는 디스플레이나 터치패널 등을 들 수 있으나, 반드시 이에 제한되지는 않는다.
이하, 본 발명의 실시예를 통해 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다. 그러나, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 상술하는 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이다.
<실시예 1>
[기재의 준비]
보조전극을 제작하는 방법으로 기존 포토리소그래피와 습식 식각을 사용하였다. SiO2층을 진공 스퍼터링 방법으로 폴리이미드 필름에 양면 증착한 배리어 기재-PI(polyimide) 또는 TPI(transparent Polyimide-Neolulim® L-Mitsubishi Gas Chemical Co., Inc. ), SiO2/ TPI/ SiO2(20nm/ 100㎛/ 20nm)-를 스퍼터링한 기재에 70 nm 두께의 Al 박막을 증착하여 기재를 준비하였다.
[광기능성 층 형성]
SiO2층을 진공 스퍼터링 방법으로 폴리이미드 필름에 양면 증착한 배리어 기재 상부에 평균 입경 200 nm를 갖는 TiO2 입자들이 열경화성 바인더에 분산되어 있는 용액(TiO2 고형분 30 중량%)을 스핀코팅을 통해 2, 000rpm, 30초 코팅하고 120℃, 15분간 열경화를 유도하여 광기능성 층을 도입하였다.
[보조전극 패터닝]
일반 포토리소그래피, 습식 식각 방법을 통해 보조전극을 형성하였다. 즉 2, 000rpm, 30초 조건으로 Al 상층 부에 PR(AZ1512)을 코팅한 후, 5 분 동안 120℃에서 컨벡션 오븐 내에서 건조하였다. 이후 선폭 10㎛, 그리드 간격 200㎛의 사각형 격자를 갖는 형상의 포토마스크를 사용하여, 3초 간 노광하고(Karl Suss MA6 Mask Aligner, 15 ~20 mW/cm2), 각각 2 분 동안 CPD-18을 사용하여 현상한 후, 5분 동안 인산계 식각용액을 이용해 습식 식각하여 Al 보조전극을 패터닝하고 최종적으로 아세톤으로 레지스트 패턴을 제거하여 Al 보조전극 층을 완성하였다.
[투명전극 증착 및 절연막 패터닝]
Al 패턴 상부의 70nm 두께의 ITO 박막을 스퍼터링에 의해 증착하고, 1시간 동안 150℃ 조건의 컨벡션 오븐 내에서 ITO 박막의 소결을 진행하였다. 그 다음 1, 100rpm, 60초 조건으로 ITO 상부에 PS PI(photosensitive polyimide)을 코팅한 후, 40초 동안 110℃에서 컨벡션 오븐 내에서 베이킹하였다. 그 다음 시료의 바닥면으로부터 UV를 270 mJ의 광량으로 5초간 조사시켰다. 이때 후면 노광을 통한 Al 보조 전극 상부의 선택적인 절연막 형성을 비교하기 위해 패턴 기재의 반을 가린 후 노광하였다. 이후 110℃에서 1분간 건조 후 전용 현상액을 이용해 현상하였다(현상 속도 1. 2?m/min @23℃). 이후 140℃에서 60초 동안 건조하여 Al 보조전극 상부에 선택적인 절연막을 구현하였다.
<실시예 2>
선폭 10㎛, 그리드 간격 200㎛의 사각형 격자를 갖는 형상의 포토마스크 대신 선폭 20㎛, 그리드 간격 400㎛의 육각형 격자를 갖는 형상의 포토마스크를 사용하는 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 Al 보조전극 상부에 선택적인 절연막을 구현하였다.

Claims (10)

  1. a)이송 중인 기재 상에 광 기능성층을 형성하는 단계;
    b)상기 광 기능성층이 형성된 이송 중인 기재 상에 금속층을 증착하고, 상기 금속층을 보조전극 패턴으로 형성하는 단계;
    c)상기 보조전극 패턴이 형성된 이송 중인 기재 상에 투명전극층을 증착한 후 소결하는 단계; 및
    d)상기 투명전극층이 증착된 이송 중인 기재 상에 감광절연층을 도포하고 기재 후면에서 노광 공정을 실시하여 보조전극 패턴 상부에 절연막 패턴을 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 투명전극층의 소결은 100~250℃에서 1.0~3.0 시간 열처리하여 진행되는 롤투롤 연속 공정을 통한 보조전극을 포함하는 전극의 제조방법.
  2. a)이송 중인 기재 상에 광 기능성층을 형성하는 단계;
    b)상기 광 기능성층이 형성된 이송 중인 기재 상에 투명전극층을 증착한 후 소결하는 단계;
    c)상기 투명전극층이 증착된 이송 중인 기재 상에 금속층을 증착하고, 상기 금속층을 보조전극 패턴으로 형성하는 단계; 및
    d)상기 보조전극 패턴이 형성된 이송 중인 기재 상에 감광절연층을 도포하고 기재 후면에서 노광 공정을 실시하여 보조전극 패턴 상부에 절연막 패턴을 형성하는 단계를 포함하며,
    상기 투명전극층의 소결은 100~250℃에서 1.0~3.0 시간 열처리하여 진행되는 롤투롤 연속 공정을 통한 보조전극을 포함하는 전극의 제조방법.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 기재는 아크릴 필름, 폴리카보네이트 필름, PET 필름 또는 박막 유리인 것을 특징으로 하는 롤투롤 연속 공정을 통한 보조전극을 포함하는 전극의 제조방법.
  4. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 금속층의 두께는 5~900nm인 것을 특징으로 하는 롤투롤 연속 공정을 통한 보조전극을 포함하는 전극의 제조방법.
  5. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 보조전극 패턴은 포토리소그래피법, 그래비아 프린팅(gravure printing), 리버스 옵셋(reverse offset), 잉크젯 프린팅(inkjet printing) 또는 스크린 프린팅(screen printing)에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 롤투롤 연속 공정을 통한 보조전극을 포함하는 전극의 제조방법.
  6. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 투명전극층은 5 nm 내지 200 nm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 롤투롤 연속 공정을 통한 보조전극을 포함하는 전극의 제조방법.
  7. 삭제
  8. 기재;
    상기 기재 상에 형성된 광 기능성층;
    상기 광 기능성층 상의 일부에 형성된 보조전극 금속층;
    상기 보조전극 금속층 및 보조전극 금속층이 없는 광 기능성층 영역에 형성된 투명전극층; 및
    상기 보조전극 금속층 상부의 투명전극층상에 보조전극 금속층을 차단하도록 형성된 절연층을 포함하여 이루어지고, 청구항 1에 따라 제조된 것을 특징으로 하는 전극.
  9. 기재;
    상기 기재 상에 형성된 광 기능성층;
    상기 광 기능성층 상에 형성된 투명전극층;
    상기 투명전극층 상의 일부에 형성된 보조전극 금속층; 및
    상기 보조전극 금속층 상부에 보조전극 금속층을 차단하도록 형성된 절연층을 포함하여 이루어지고, 청구항 2에 따라 제조된 것을 특징으로 하는 전극.
  10. 청구항 8 또는 청구항 9의 전극을 포함하는 전자소자.
KR1020140130176A 2014-09-29 2014-09-29 롤투롤 연속 공정을 통한 보조전극을 포함하는 전극의 제조방법, 이에 따라 제조되는 전극 및 이를 포함하는 전자소자 KR101791299B1 (ko)

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