JP5857051B2 - 不透明導電性領域の自己整合被覆 - Google Patents
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Description
−好適には導電性層である少なくとも1つの透明層と、透明層上に堆積された第1および第2の不透明導電性領域のパターンとを含む第1の積層で少なくとも部分的に被覆された透明基板を提供するステップと、
−第1の積層上に、少なくとも第2の不透明導電性領域を完全に被覆する電気的に絶縁性のフォトレジスト材料で作られているフォトレジスト層を堆積するステップと、
−不透明導電性領域が下にないフォトレジスト層の領域においてフォトレジスト材料を溶解性とするように、適切な波長の光でフォトレジスト層を、透明基板を介して、照射するステップと、
−フォトレジスト層の溶解性の領域を除去するステップと、
−透明層に接触する第2の不透明導電性領域のエッジを被覆するようにフォトレジスト層をリフローさせるため、少なくとも第2の不透明導電性領域上に残存するフォトレジスト層の領域を加熱するステップと、
−フォトレジスト層の残存領域を硬化するステップと、
を含む。
−第1の積層、および、フォトレジスト層の残存領域上に、有機層を少なくとも含む第2の積層を堆積するステップと、
−有機薄膜デバイスを提供するために、第2の積層上に導電性層を堆積するステップと、をさらに含む。
1 基板
2 透明層、好適には導電性層(第1の電極)
31 第1の不透明導電性領域
32 第2の不透明導電性領域
4 フォトレジスト層
41 第1の不透明導電性領域上のフォトレジスト層
42 不透明導電性領域が下にあるフォトレジスト層の領域
42b 第2の不透明導電性領域のエッジと、加熱ステップ後の透明層上にリフローされたフォトレジスト層領域の外側エッジとの間の距離
43 不透明導電性領域が下にないフォトレジスト層の領域
5 フォトレジスト層を現像するための光
6 少なくとも有機エレクトロルミネッセント層を含む第2の積層
7 導電性層、第2の電極
8 外部電源
9 エレクトロルミネッセント光
CC 導電性コンポーネント
EL 有機エレクトロルミネッセントデバイス
E 透明層2に接触している第2の不透明導電性領域31のエッジ
SL シャント線
MS 不透明導電性サテライト(図面では金属サテライト)
P 提供ステップ
D 堆積ステップ
C 追加露光ステップ
IL 照射ステップ
R 除去ステップ
B 加熱ステップ
H 硬化ステップ
DP 第2の不透明導電性領域のパターンの堆積
D−EL 第1の積層および残存フォトレジスト層上への第2の積層の堆積
D−CL 第2の積層上への導電性層の堆積
Claims (11)
- 自己整合プロセスにおいて不透明導電性領域を被覆する方法であって、
導電性層である少なくとも1つの透明層と、前記透明層上に堆積された第1および第2の不透明導電性領域のパターンとを含む第1の積層で少なくとも部分的に被覆された透明基板を提供するステップと、
前記第1の積層上に、少なくとも前記第2の不透明導電性領域を完全に被覆する電気的に絶縁性のフォトレジスト材料で作られているフォトレジスト層を堆積するステップと、
不透明導電性領域が下にない前記フォトレジスト層の領域において前記フォトレジスト材料を溶解性とするために、適切な波長の光で前記フォトレジスト層を、前記透明基板を介して、照射するステップと、
前記フォトレジスト層の溶解性の領域を除去するステップと、
前記透明層に接触する前記第2の不透明導電性領域のエッジを被覆するように前記フォトレジスト層をリフローさせるため、少なくとも前記第2の不透明導電性領域上に残存する前記フォトレジスト層の領域を加熱するステップと、
前記フォトレジスト層の前記残存領域を硬化するステップと、
を含む、方法。 - 前記フォトレジスト層を堆積するステップは、スリットコーティング、スピンコーティング、スロットダイコーティング、インクジェットプリンティング、スクリーンプリンティング、グラビアまたはフレキソプリンティングによって行われることを特徴とする、請求項1に記載の方法。
- 前記フォトレジスト層を堆積するステップは、前記第2の不透明導電性領域および前記透明層の一部の上に前記フォトレジスト層を、適合スリットコーティング、スクリーンプリンティング、インクジェットプリンティング、グラビアまたはフレキソプリンティングによって、局所的にプリントすることにより行われることを特徴とする、請求項1または2に記載の方法。
- 前記第1の不透明導電性領域から前記フォトレジスト層を部分的に除去可能とするために、前記第1の不透明導電性領域を追加露光するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項1乃至3の何れか一項に記載の方法。
- 前記追加露光ステップは、前記フォトレジスト層側からレーザまたはマスクを用いた露光によって行われることを特徴とする、請求項4に記載の方法。
- 前記第2の不透明導電性領域のパターンの堆積は、前記透明層上への直接の第2の不透明導電性領域のレーザ堆積若しくはプリンティングパターンによって、および/または、レーザアブレーション若しくはエッチングを用いて、前記透明層上に堆積された第2の不透明導電性層から第2の不透明導電性材料を局所的に除去することにより、行われることを特徴とする、請求項1乃至5の何れか一項に記載の方法。
- 前記フォトレジスト層の現像された領域を除去するステップは、ウェット化学レジスト剥離プロセスによって行われることを特徴とする、請求項1乃至6の何れか一項に記載の方法。
- 前記加熱するステップは、100℃超のピーク温度で行われることを特徴とする、請求項1乃至7の何れか一項に記載の方法。
- 前記加熱ステップの継続時間は、前記第2の不透明導電性領域の前記エッジの周りの100nmを上回る延長部で前記透明層の領域を被覆するのに適した前記フォトレジスト層のリフローを達成するために調節されることを特徴とする、請求項8に記載の方法。
- 前記フォトレジストの前記残存領域を硬化するステップは、前記加熱ステップと同時に行われることを特徴とする、請求項1乃至9の何れか一項に記載の方法。
- 前記第1の積層、および、前記フォトレジスト層の前記残存領域上に、有機層を少なくとも含む第2の積層を堆積するステップと、
有機薄膜デバイスを提供するために、前記第2の積層上に導電性層を堆積するステップと、
をさらに含むことを特徴とする、請求項1乃至10の何れか一項に記載の方法。
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