JP2017054685A - 基板の製造方法及び有機ｅｌデバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】金属配線がフィルム表面上に所定パターンで形成された透明フィルムの熱変形を抑制しながら、上記所定パターンが有する開口部が透明樹脂で埋められた基板を製造する方法及びその基板を含む有機ＥＬデバイスの製造方法を提供する。【解決手段】一実施形態に係る基板１０の製造方法は、透明フィルム１２のフィルム表面１２ａ上に形成されている金属配線１４を埋設するように、透明樹脂を含む塗布液を塗布して塗布膜２０をフィルム表面１２ａ上に形成する工程と、塗布膜から溶媒を除去して透明樹脂膜２２を形成する工程と、透明樹脂膜のうち、金属配線におけるフィルム表面と反対側の面１４ａ上の部分を除去して開口部に対応する部分を残すように、透明樹脂膜をパターニングする工程と、透明フィルム上に残存した透明樹脂膜を加熱処理して予備硬化する工程と、フラッシュアニール処理により透明樹脂膜を本硬化する本硬化工程と、を備える。【選択図】図２

Description

本発明は、基板の製造方法及び有機ＥＬデバイスの製造方法に関する。

有機エレクトロルミネッセンス(有機ＥＬ)デバイスなどに代表される有機電子デバイスが有する基板として、プラスチック材料を含む透明フィルム上に金属配線パターン（金属細線パターン）が形成された導電性基板がある(例えば、特許文献１参照)。

特許文献１記載の技術では、導電性基板の金属配線パターンを、直接、有機ＥＬ素子の電極として使用しているが、金属配線パターンを、有機ＥＬ素子の電極への電力供給用のグリッド電極として使用する場合もある。この場合、導電性基板上に形成する有機電子素子（例えば有機ＥＬ素子）が有する各層の平坦性を確保するため、金属配線パターンが有する開口部を、透明樹脂からなる充填材で埋めて導電性基板の表面を平坦化することがある。

国際公開２０１４／１８５２５６号

表面に形成された凹凸を平坦にするために、凹部を膜で埋める場合がある。このように使用する膜は平坦化膜として知られている。平坦化膜が樹脂からなる場合、例えば、次のようにして形成され得る。まず、平坦化膜となるべき透明樹脂膜を、例えば塗布法などにより形成した後、その透明樹脂膜を硬化させる。膜の硬化の手法として、パルス光を照射して処理対象物を加熱するフラッシュアニール処理がある。フラッシュアニール処理では、高強度の光を利用しているため、膜硬化に要する時間を短縮できるという利点がある。

本発明者は、上記フラッシュアニール処理を利用した平坦化膜形成技術を、透明フィルム上に設けられた金属配線パターンの平坦化のために適用することを検討した。そして、金属配線パターンの開口部を埋める樹脂の硬化に、フラッシュアニール処理を適用すると、金属配線パターンが表面に設けられた透明フィルムが熱変形するという問題点を見出した。

したがって、本発明は、金属配線がフィルム表面上に所定パターンで形成された透明フィルムの熱変形を抑制しながら、上記所定パターンが有する開口部が透明樹脂で埋められた基板を製造する方法、及び、その製造方法で形成された基板を含む有機ＥＬデバイスの製造方法を提供することを目的とする。

本発明の一側面に係る基板の製造方法は、プラスチック材料を含む透明フィルムと、透明フィルムのフィルム表面上に、複数の開口部を有する所定パターンで形成されている金属配線とを有し、透明樹脂を含む透明樹脂膜で開口部が埋められている、基板の製造方法であり、透明フィルムのフィルム表面上に形成されている金属配線を埋設するように、熱硬化性を有する透明樹脂を含む塗布液を塗布してフィルム表面上に塗布膜を形成する塗布膜形成工程と、塗布膜を加熱処理し、塗布膜から溶媒を除去して透明樹脂膜を形成する透明樹脂膜形成工程と、透明樹脂膜のうち、金属配線におけるフィルム表面と反対側の面上の部分を除去して開口部に対応する部分を残すように、透明樹脂膜をパターニングするパターニング工程と、パターニング工程後に、透明フィルム上に残存した透明樹脂膜を加熱処理して予備硬化する予備硬化工程と、透明フィルムのフィルム表面側から予備硬化された透明樹脂膜にパルス光を照射して透明樹脂膜をフラッシュアニール処理することによって、透明樹脂膜を本硬化する本硬化工程とを備える。

上記基板の製造方法では、塗布膜形成工程で形成された塗布膜を、透明樹脂膜形成工程で加熱処理して透明樹脂膜を形成する。次に、透明樹脂膜をパターニング工程でパターニングすることで、金属配線におけるフィルム表面と反対側の面を露出させる一方、所定パターンが有する開口部を透明樹脂膜で埋めている。その後、予備硬化工程で、開口部内の透明樹脂膜を予備硬化した後、本硬化工程で、透明樹脂膜をフラッシュアニール処理することで、本硬化する。これにより、透明フィルムと、その透明フィルムのフィルム表面上に、複数の開口部を有する所定パターンで形成されている金属配線とを有し、透明樹脂膜で開口部が埋められている基板を製造できる。開口部は、透明樹脂膜で埋められているので、基板の開口部は透明樹脂で埋められていることになる。

上記製造方法では、フラッシュアニール処理を適用した本硬化工程の前に、予備硬化工程を設け、透明樹脂膜を予備硬化している。そのため、本硬化工程では、予備硬化をせずに、フラッシュアニール処理のみで透明樹脂膜を所望の硬度まで硬化させる場合に比べて、フラッシュアニール処理での処理条件を緩和できる。よって、上記製造方法では、金属配線がフィルム表面上に所定パターンで形成された透明フィルムの熱変形を抑制しながら、上記所定パターンが有する開口部が透明樹脂で埋められた基板を製造することができる。そのため、基板の製造歩留まりを向上し得る。

上記フラッシュアニール処理において、透明樹脂膜に照射される光量は、予備硬化工程を実施せずに、パターニング工程後の透明樹脂膜を本硬化する場合の光量より少なくし得る。

上記本硬化工程では、フラッシュアニール処理の前後における透明フィルムの反りの増加量が１．０ｍｍ以下であるような光量で、透明樹脂膜をフラッシュアニール処理することが好ましい。これにより、反りが抑制された基板を得ることができる。

上記本硬化工程では、フラッシュアニール処理後における金属配線の表面が目視観察で鏡面を保つような光量で、透明樹脂膜をフラッシュアニール処理することが好ましい。これにより、金属配線の熱変形を一層抑制し得る。

上記本硬化工程では、フラッシュアニール処理の前後における金属配線の表面抵抗値（Ω/□）の比が１０倍以下となる光量で、透明樹脂膜をフラッシュアニール処理することが好ましい。これにより、金属配線の熱変形がより一層抑制され得る。

上記フラッシュアニール処理後の透明樹脂膜の鉛筆硬度が２Ｈ以上であることが好ましい。このような硬度を有することで、基板を、有機ＥＬ素子などの支持基板として好適に利用し易い。

上記予備硬化工程では、焼成炉又はホットプレートにより透明樹脂膜を予備硬化させてもよい。

上記透明樹脂はネガ型の感光性を有していてもよい。この場合、パターニング工程は、透明フィルムのフィルム表面と反対側から透明樹脂膜を透明樹脂の感光波長を有する光で露光する露光工程と、露光工程後の透明樹脂膜を現像する現像工程と、を有し得る。

透明樹脂が上記のようにネガ型の感光性を有する場合、透明フィルムのフィルム表面と反対側から透明樹脂膜を透明樹脂の感光波長を有する光で露光すれば、金属配線がマスクとして機能する。これにより、透明樹脂膜のうち、開口部の部分は露光される一方、金属配線におけるフィルム表面と反対側の面上の部分は未露光状態となる。よって、現像工程で、透明樹脂膜を現像すれば、金属配線におけるフィルム表面と反対側の面の部分を除去し、開口部を選択的に透明樹脂膜で埋めることが可能である。

本発明の他の側面に係る有機ＥＬデバイスの製造方法は、（Ａ）上記本発明に係る基板の製造方法により基板を製造する基板製造工程と、（Ｂ）基板の金属配線上に、第１の電極層と、有機発光層と、第２の電極層とを順に積層してなる有機ＥＬ素子を形成する素子形成工程と、を備える。

この場合、基板の製造方法により基板を製造しており、その基板上に有機ＥＬ素子を形成している。そのため、基板製造工程において、金属配線がフィルム表面上に形成された透明フィルムの熱変形を抑制しながら、開口部内の透明樹脂膜を、フラッシュアニール処理を利用して硬化させることができる。これにより、基板の製造において、金属配線がフィルム表面上に形成された透明フィルムの熱変形が生じにくいので、基板の製造歩留まりが向上し、その結果、有機ＥＬデバイスの製造歩留まりの向上に資する。また、基板を効率的に製造できるので、有機ＥＬデバイスの製造効率も向上する。

本発明によれば、金属配線がフィルム表面上に所定パターンで形成された透明フィルムの熱変形を抑制しながら、上記所定パターンが有する開口部が透明樹脂で埋められた基板を製造する方法、及び、その製造方法で形成された基板を含む有機ＥＬデバイスの製造方法を提供できる。

図１（ａ）は、一実施形態に係る基板の製造方法で製造される基板の模式的な平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＩｂ―Ｉｂ線に沿った断面の一部拡大図である。 図２は、一実施形態に係る基板の製造方法のフローチャートである。 図３は、一実施形態に係る基板の製造方法における塗布膜形成工程後の透明フィルム上の構成を示す図面である。 図４は、一実施形態に係る基板の製造方法におけるパターニング工程が有する露光工程を説明するための図面である。 図５は、一実施形態に係る基板の製造方法におけるパターニング工程後の透明フィルム上の構成を示す図面である。 図６は、一実施形態に係る基板の製造方法における本硬化工程を説明するための図面である。 図７は、一実施形態に係る有機ＥＬデバイスの構成を概略的に示す図面である。 図８は、一実施形態に係る有機ＥＬデバイスの製造方法のフローチャートである。

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。同一の要素には同一符号を付する。重複する説明は省略する。図面の寸法比率は、説明のものと必ずしも一致していない。

（第１の実施形態）
第１の実施形態に係る基板の製造方法で製造された基板１０は、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示したように、透明フィルム１２を備える。透明フィルム１２の表面（フィルム表面）１２ａ上には、金属配線１４が所定パターンＰで設けられている。金属配線１４が呈する所定パターンＰは、複数の開口部１６を有しており、各開口部１６には、透明樹脂充填材１８が充填されており、基板１０の表面１０ａの平坦化が図られている。このような基板１０は、例えば有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子の支持基板として好適に利用され得る。

透明フィルム１２は、可視光（波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの光）に対して透光性を有する。透明フィルム１２の厚さの例は、３０μｍ以上５００μｍ以下であり、透明フィルム１２は可撓性を有し得る。透明フィルム１２は、帯状でもよいし、又は、枚葉状でもよい。

透明フィルム１２はプラスチック材料を含むプラスチックフィルムである。プラスチック材料の例は、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂；ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、環状ポリオレフィン等のポリオレフィン樹脂；ポリアミド樹脂；ポリカーボネート樹脂；ポリスチレン樹脂；ポリビニルアルコール樹脂；エチレン−酢酸ビニル共重合体のケン化物；ポリアクリロニトリル樹脂；アセタール樹脂；ポリイミド樹脂；エポキシ樹脂を含む。

これらの樹脂のなかでも、耐熱性が高く、線膨張率が低く、かつ、製造コストが低いことから、ポリエステル樹脂、ポリオレフィン樹脂が好ましく、ポリエチレンレテフタレート、ポリエチレンナフタレートが特に好ましい。これらの樹脂は、１種を単独で用いても２種以上を組み合わせて用いてもよい。

透明フィルム１２の表面１２ａ上には、バリア膜が形成されていてもよい。バリア膜は、例えば、シリコン（Ｓｉ）、酸素（Ｏ）及び炭素（Ｃ）からなる膜、又は、Ｓｉ、Ｏ、Ｃ及びＮからなる膜であり得る。具体的には、バリア膜の材料の例は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素等である。バリア膜の厚さの例は、１００ｎｍ以上１０μｍ以下である。

基板１０を例えば有機ＥＬ素子の支持基板として使用する場合、透明フィルム１２には、有機ＥＬ素子を駆動するための駆動回路（例えば、薄膜トランジスタなどを含む回路）が形成されていてもよい。このような駆動回路は、通常、透明材料から構成される。

金属配線１４は、透明フィルム１２の表面１２ａ上に所定パターンＰで設けられておいる。所定パターンＰは複数の開口部１６（又は窓部）を有するパターン（金属配線パターン）である。このような所定パターンＰを呈する金属配線１４は、複数の開口部１６を有する金属層に対応する。

所定パターンＰの例は、図１（ａ）に示すような格子状又はメッシュ状のパターンであり、この場合、複数の開口部１６は、網目に対応する。開口部１６の形状の例は、図１（ａ）に示したような六角形に限定されず、長方形又は正方形のような四角形、三角形及びその他の多角形を含む。所定パターンＰのパターン形状は、金属配線１４がネットワーク構造を有すれば限定されない。

所定パターンＰを形成する金属配線１４の断面の形状の一例は、図１（ｂ）に示したような台形形状である。金属配線１４の断面とは、金属配線１４の延在方向に直交する断面を意味する。金属配線１４は開口部１６を画成しているため、金属配線１４の延在方向は開口部１６の外縁に沿った方向である。具体的には、例えば、開口部１６が多角形（例えば六角形）であれば、各辺の延在方向であり、開口部１６が円形であれば周方向である。ただし、金属配線１４の断面の形状は限定されない。

金属配線１４における表面１２ａと反対側の面である上面１４ａと表面１２ａとの間の距離（以下、「金属配線の厚さ」とも称す）の例は、２０ｎｍ以上且つ２μｍ以下である。金属配線１４の幅の例は、１０μｍ以上である。通常、金属配線１４の幅は、５ｍｍ以下であり、金属配線１４は、金属細線であり得る。金属配線１４の幅は、上面１４ａにおける金属配線１４の延在方向に直交する方向の長さである。

金属配線１４の材料の例は、ＭＡＭ（モリブデン・アルミニウム・モリブデン）、銅、ニッケル、アルミニウムである。

一実施形態において、金属配線１４の上面１４ａは目視観察において鏡面である。

基板１０が例えば有機ＥＬデバイスに使用される場合において、金属配線１４は、有機ＥＬ素子への電力供給用のグリッド電極（又は補助電極）として機能する。基板１０を備えた有機ＥＬデバイスが基板１０側から光を取り出す形態の場合、所定パターンＰを規定する開口部１６の大きさ及び金属配線１４の幅は、基板１０側から光を取り出せるように設定されていればよい。

上記金属配線１４の形成方法は、複数の開口部１６を有する所定パターンＰを有するように金属配線１４を形成可能であれば、特に限定されない。

例えば、金属配線１４は、フォトリソグラフィー法を利用して形成され得る。この場合、まず、物理蒸着（ＰＶＤ）法及びスパッタリング法などにより、金属配線１４となるべき金属層を表面１２ａ上に形成する。その後、その金属層を、フォトリソグラフィー法を用いて上記所定のパターンにパターニングすることで、金属配線１４が得られる。

或いは、金属配線１４は、リフトオフ法を用いて形成されてもよい。この場合、まず、表面１２ａ上に、所定パターンＰの金属配線１４が形成されるべき領域が開口されているようにマスクを形成する。その後、物理蒸着法及びスパッタリング法等によりマスクの開口部に金属を堆積させて金属配線を形成する。続いて、マスクを除去すすることで、所定パターンＰの金属配線１４が得られる。

更に或いは、金属配線１４は、インクジェット印刷、グラビア印刷又はスクリーン印刷などの種々の印刷法を用いて形成されてもよい。この場合、例えば、インクジェット印刷法などによって、金属粒子が分散されたインクを、金属配線１４の所定パターンＰで表面１２ａ上に印刷する。その後、インクが印刷された透明フィルム１２を焼成することで金属配線１４が得られる。

透明樹脂充填材１８は、複数の開口部１６のそれぞれに充填されており、開口部１６を埋めている。透明樹脂充填材１８は、透明樹脂を含み熱硬化された透明樹脂膜である。よって、開口部１６は透明樹脂で埋められている。透明樹脂充填材１８に含まれる透明樹脂は、熱硬化性を有する。後述するように、透明樹脂充填材１８を形成する工程において、露光工程を有する場合、透明樹脂は、ネガ型の感光性、すなわち、感光波長の光に対する光硬化性も有する。透明樹脂充填材１８となる透明樹脂の例としては、フォトレジスト材料として使用されるものが挙げられ、例えば、例えば特開２００８−６５３１９号公報に記載の重合性樹脂化合物を好適に用いることができる。

透明樹脂充填材１８の厚さは、金属配線１４の厚さとほぼ同じである。すなわち、透明樹脂充填材１８における表面１２ａと反対側の面である上面１８ａと、金属配線１４の上面１４ａとは、実質的に面一とされている。したがって、透明樹脂充填材１８は、上面１６ａと上面１８ａとを含む基板１０の表面（基板表面）１０ａを平坦化するための平坦化膜として機能する。

透明樹脂充填材１８は、鉛筆硬度において、２Ｈ以上を有し得る。本明細書において、「鉛筆硬度」とは、ＪＩＳ Ｋ５６００で規定された試験方法で得られた硬度である。

図１（ａ）及び図１（ｂ）に示した基板１０の構成では、透明フィルム１２上に形成された金属配線１４の上面１４ａは露出している。そのため、例えば、基板１０の表面１０ａ上に、有機ＥＬ素子を形成しても、金属配線１４を利用して、有機ＥＬ素子が有する電極（陽極又は陰極）に電力を供給できる。

透明樹脂充填材１８で開口部１６を埋めていることから、基板１０の表面１０ａ上に、上記有機ＥＬ素子を形成しても、有機ＥＬ素子を構成する各層それぞれを均一な厚さで形成し易い。

これまでの基板１０の説明では、透明フィルム１２上の構成を、金属配線１４を基準にして説明した。一方、開口部１６を埋めている透明樹脂充填材１８を基準としてみれば、基板１０は、透明フィルム１２上に、透明樹脂充填材１８を構成する透明樹脂からなる透明樹脂層が形成されており、その透明樹脂層に、表面が露出するようにネットワーク構造の金属配線１４が設けられている構成でもある。

次に、基板１０の製造方法について説明する。ここでは、金属配線１４が表面１２ａに所定のパターンで形成されている透明フィルム１２を利用して基板１０を製造する方法について説明する。以下の説明では、特に断らない限り、透明樹脂充填材１８となる透明樹脂は、熱硬化性と共に、ネガ型の感光性を有する。

基板１０の製造方法は、図２のフローチャートに示したように、塗布膜形成工程Ｓ１０と、透明樹脂膜形成工程Ｓ１２と、パターニング工程Ｓ１４と、予備硬化工程Ｓ１６と、本硬化工程Ｓ１８と、を有する。各工程について説明する。

[塗布膜形成工程]
塗布膜形成工程Ｓ１０では、透明樹脂充填材１８となるべき透明樹脂を含む塗布液を、金属配線１４を埋設するように透明フィルム１２の表面１２ａ上に塗布し、図３に示したように、塗布膜２０を表面１２ａ上に形成する。塗布膜２０は、後工程での収縮などを考慮して、形成すべき透明樹脂充填材１８の厚さが、金属配線１４の厚さと実質的に一致するような厚さで形成すればよい。塗布膜２０の厚さは、通常、５０ｎｍ〜４００ｎｍであり、例えば、３００ｎｍである。

塗布液の溶媒としては、塗布膜２０に含まれるべき透明樹脂を溶解できるものであれば限定されないが、例えば、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、プロピレングリコール1-モノメチルエーテル2-アセタート、３−メトキシブチルアセテート、3-メトキシ-1-ブタノール、シクロヘキサノンが挙げられる。

塗布法としては、スロットダイ法、キャスティング法、スリットコート法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、及び、インクジェットプリント法などを挙げることができる。

[透明樹脂膜形成工程]
塗布膜形成工程Ｓ１０後に透明樹脂膜形成工程Ｓ１２を実施する。透明樹脂膜形成工程Ｓ１２では、塗布膜形成工程Ｓ１０後の透明フィルム１２を加熱処理（プリベーク処理）する。これにより、塗布膜２０から溶媒を除去し、溶媒が除去された塗布膜２０である透明樹脂膜２２（図４参照）を形成する。この工程での加熱処理は、焼成炉を利用して行い得る。加熱処理は、塗布膜２０の溶媒を除去可能であって、且つ、透明フィルム１２の熱変形が生じない条件が行われればよい。例えば、透明フィルム１２の温度がガラス転移温度以下である条件で行われ得る。一実施形態では、塗布膜２０が形成された透明フィルム１２を焼成炉において、１００℃で３分程度、加熱処理する。

[パターニング工程]
透明樹脂膜形成工程Ｓ１２の後、パターニング工程Ｓ１４を実施する。パターニング工程Ｓ１４では、透明樹脂膜２２において開口部１６に対応する部分を残存させる一方、金属配線１４の上面１４ａ上の部分を除去するように、透明樹脂膜２２をパターニングする。

具体的には、図２に示したように、パターニング工程Ｓ１４は、露光工程Ｓ１４ａと、現像工程Ｓ１４ｂとを有し得る。

露光工程Ｓ１４ａでは、図４に示したように、透明フィルム１２の裏面１２ｂ側に露光用の光源部２４を配置し、光源部２４から透明樹脂膜２２に光を照射する。すなわち、透明フィルム１２を裏面露光する。この場合、金属配線１４がマスクとして機能することから、透明樹脂膜２２のうち、開口部１６の部分は露光される一方、金属配線１４の上面１４ａの部分は未露光状態となる。

光源部２４は、透明樹脂に対する感光波長の光を出力可能であればよい。例えば、透明樹脂充填材１８となる透明樹脂が、可視光に対して感光性を有する場合、光源部２４は、可視光を出力する光源であればよい。この場合、光源部２４の例は、紫外光をカットするように構成した高圧水銀灯、ガリウムランプ、メタルハライドランプ、キセノンランプ、及びＳＳＤ（Super Small Discharge）ランプを含む。透明樹脂が紫外光に感光性を有する場合には、光源部２４は、紫外光を出力する光源であればよい。

透明樹脂膜２２が形成された透明フィルム１２を裏面露光する形態では、光源部２４からの光は、透明フィルム１２を通過して、透明樹脂膜２２に照射される。この場合、透明フィルム１２により光源部２４からの光の波長の一部がカットされる場合もある。そのため、透明樹脂膜２２を構成する透明樹脂は、光源部２４から出力され透明フィルム１２を通過した後の光に対して感光性を有するように調整されていることが好ましい。

一実施形態において、光源部２４からの光の照射方向に対して透明フィルム１２を相対的に移動させながら露光用の光を透明フィルム１２に照射してもよい。例えば、透明フィルム１２を、搬送ローラなどで図４の白抜き矢印の方向に搬送しながら光源部２４から露光用の光を透明フィルム１２に照射し得る。これにより、透明フィルム１２全体に露光用の光を照射できる。ただし、透明フィルム１２を光源部２４に対して固定した状態で露光してもよい。

現像工程Ｓ１４ｂでは、露光工程Ｓ１４ａ後の透明フィルム１２を現像液に浸漬させて現像処理する。これにより、図５に示したように、透明樹脂膜２２における未露光部分、例えば、金属配線１４の上面１４ａ上の透明樹脂膜２２を除去する。これによって、金属配線１４の上面１４ａが露出する一方、開口部１６には透明樹脂膜２２が残存する。現像方法は、露光処理された透明樹脂膜２２を現像できれば、現像方法は限定されない。

上述した露光処理及び現像処理により、通常、透明樹脂膜２２の厚さは、露光及び現像処理前より薄くなる。従って、塗布膜２０の厚さは、前述したように、このような露光及び現像処理での透明樹脂膜２２の厚さの収縮を考慮して設定されている。図５では、透明樹脂膜２２の厚さは、金属配線１４の厚さと実質的に同じであるが、例えば、後工程の予備硬化工程Ｓ１６及び本硬化工程Ｓ１８で更に収縮するようであれば、図５の状態で透明樹脂膜２２の厚さは、金属配線１４の厚さより若干厚くなっていてもよい。

[予備硬化工程]
パターニング工程Ｓ１４の後、予備硬化工程Ｓ１６を実施する。予備硬化工程Ｓ１６では、パターニング工程Ｓ１４後の透明フィルム１２を加熱処理して、開口部１６に残存している透明樹脂膜２２を予備硬化（或いは、半硬化）する。透明フィルム１２の加熱処理は、例えば、焼成炉を利用した焼成でもよいし、ホットプレートによる加熱でもよい。

予備硬化工程Ｓ１６では、透明樹脂膜２２を本硬化させて得られる透明樹脂充填材１８の硬度未満に透明樹脂膜２２を硬化できればよい。例えば、透明樹脂充填材１８の硬度のＦ程度に硬化できていればよい。

予備硬化工程Ｓ１６では、透明フィルム１２が熱変形せず、且つ、透明樹脂膜２２を予備硬化可能な条件で透明樹脂膜２２を加熱処理すればよい。よって、加熱温度としては、１００℃以上であり、透明フィルム１２のガラス転移温度以下が例示される。より具体的には、焼成炉内で焼成する場合、１３０℃で２０分程度の焼成が例示される。

[本硬化工程]
本硬化工程Ｓ１８では、予備硬化された透明樹脂膜２２を、フラッシュアニール処理して本硬化する。すなわち、パルス光（或いはフラッシュランプ）を透明樹脂膜２２に照射して透明樹脂膜２２を本硬化する。本硬化工程Ｓ１８において、本硬化された透明樹脂膜２２が透明樹脂充填材１８である。本硬化工程Ｓ１８では、透明樹脂充填材１８が所望の鉛筆硬度以上（例えば、鉛筆硬度が２Ｈ以上）であるように、透明樹脂膜２２を硬化する。

具体的には、図６に示したように、透明フィルム１２の表面１２ａ上に配置されたフラッシュアニール用の光源部２６からパルス光を透明フィルム１２に向けて照射して、透明樹脂膜２２を加熱し、硬化させる。

光源部２６は、透明樹脂膜２２を加熱可能な光、すなわち、透明樹脂膜２２が吸収可能な波長を有する光を出力できればよい。光源部２６の例はキセノンフラッシュランプである。

一実施形態において、露光工程Ｓ１４ａの場合と同様に、光源部２６からの光の照射方向に対して透明フィルム１２を相対的に移動させながらパルス光を透明フィルム１２に向けて照射してもよい。例えば、透明フィルム１２を、搬送ローラなどで図６の白抜き矢印の方向に搬送しながら光源部２６からパルス光を透明フィルム１２に照射し得る。ただし、透明フィルム１２を光源部２６に対して固定した状態でパルス光を照射してもよい。

フラッシュアニール処理においては、金属配線１４が形成された透明フィルム１２が熱変形しないように処理条件を設定する。具体的には、次の＜条件１＞を満たすような照射光量の条件で、透明樹脂膜２２をフラッシュアニール処理する。
＜条件１＞
フラッシュアニール処理前後における透明フィルム１２の反りの増加量が１．０ｍｍ以下である。

上記＜条件１＞における「透明フィルムの反り」とは、５ｃｍ角の試験用透明フィルムに対してフラッシュアニール処理を行った後に、処理後の試験用透明フィルムを平坦な台に載置したとき、その試験用透明フィルムの台側の面の中心部と、平坦な台との間の距離を意味する。試験用透明フィルムは、透明フィルム１２の組成と同じ組成を有するフィルムである。

フラッシュアニール処理における照射光量の条件は、＜条件２＞を更に満たすことが好ましく、＜条件３＞を満たすことが更に好ましい。
＜条件２＞
フラッシュアニール処理後における金属配線１４の表面が目視観察で鏡面を保っている。この＜条件２＞では、金属配線１４の上面１４ａが目視観察で鏡面であればよい。
＜条件３＞
フラッシュアニール処理の前後における金属配線１４の表面抵抗値（Ω/□）の比が１０倍以下である。具体的には、フラッシュアニール処理前の金属配線１４の表面抵抗値をＲ１（Ω／□）とし、フラッシュアニール処理後の金属配線１４の表面抵抗値をＲ２（Ω／□）とした場合、Ｒ２／Ｒ１が１０倍以下である。

フラッシュアニール処理における照射光量条件は、主に、透明樹脂膜２２が形成された透明フィルム１２に照射するパルス光のパルス幅、及び繰返し周波数、パルス光の照射時間、及び、光源部２６の光出射面と、照射対象物である透明樹脂膜２２が形成された透明フィルム１２との間の距離Ｄを調整することで、設定され得る。これらのパラメータの一例は次の通りである。
・パルス光のパルス幅：１００μｓ〜３００μｓ
・パルス光の繰返し周波数：３Ｈｚ〜１０Ｈｚ
・距離Ｄ：１０ｍｍ〜５０ｍｍ

図６に示したように、透明フィルム１２が、白抜き矢印の方向に搬送されている場合には、パルス光の照射時間は、透明フィルム１２の搬送速度にも依存する。よって、透明フィルム１２も搬送速度も照射光量条件を設定する際のパラメータの一つであり得る。搬送速度の例は、０．５ｍ／分〜５ｍ／分である。

光源部２６がキセノンフラッシュランプであり且つ透明フィルム１２が図６に示した白抜き矢印の方向に搬送されている形態について、照射光量条件を設定する際の主なパラメータは、キセノンフラッシュランプにおける発光部への設定電圧、パルス光のパルス幅及び繰返し周波数、距離Ｄ、透明フィルム１２の搬送速度である。パルス光のパルス幅及び繰返し周波数、距離Ｄ、透明フィルム１２の搬送速度の例は、先に例示した例と同様とし得る。キセノンフラッシュランプにおける発光部への設定電圧の例としては、３ｋＶ〜５ｋＶである。

よって、本硬化工程では、本硬化工程の透明樹脂膜２２が所望の硬度を有すると共に、＜条件１＞を満たすように（或いは実現可能なように）上記例示した各パラメータを調整して、フラッシュアニール処理を実施すればよい。

上記例示した基板１０の製造方法は、例えば、巻出しロールに巻かれた帯状（或いは長尺）の透明フィルム１２を巻出しロールから繰り出し、搬送した後に、巻取りロールに巻き取る間に、所定の処理工程を実施するロールツーロール方式を採用して行ってもよい。この場合、ロールツーロール方式で全工程を連続的に行ってもよいし、或いは、各工程で、独立にロールツーロール方式で行ってもよい。

基板１０の製造方法の一例では、透明樹脂膜２２及び透明樹脂充填材１８を構成する透明樹脂は、ネガ型の感光性を有する形態を説明した。しかしながら、上記透明樹脂は、例えば、ポジ型の感光性を有してもよい。上述した露光工程Ｓ１４ａの説明では、裏面露光を例示した。しかしながら、露光工程Ｓ１４ａでは、マスクなどを利用して例示したパターニングができれば表面１２ａ側から透明樹脂膜２２を露光してもよい。

以上説明した基板１０の製造方法では、所定パターンＰを呈する金属配線１４が設けられた透明フィルム１２を備え、所定パターンＰが有する開口部１６が透明樹脂充填材１８で埋められた基板１０を製造できる。

基板１０の製造工程では、本硬化工程Ｓ１８の前に、予備硬化工程Ｓ１６を設けている。そのため、フラッシュアニール処理において、金属配線１４が表面１２ａに設けられた透明フィルム１２の熱変形を抑制できる。この点について、予備硬化工程Ｓ１６を設けない場合と比較しながら説明する。

予備硬化工程Ｓ１６を設けずに、透明樹脂膜２２を所望の硬度まで硬化させる方法としては、例えば、透明樹脂膜２２が形成された透明フィルム１２を焼成炉内で焼成することが考えられる。この場合、高温（例えば、１６０℃）で長時間（例えば、６０分）の焼成が必要になる。その結果、透明フィルム１２が熱変形し易く、基板１０の製造効率も低下する。効率性の観点からは、フラッシュアニール処理のみで透明樹脂膜２２を所望の硬度まで硬化させることが考えられる。しかしながら、本発明者らの知見では、フラッシュアニール処理のみで透明樹脂膜２２を所望の硬度まで硬化させると、透明フィルム１２に熱変形が生じるし、更に、金属配線１４の上面１４ａが許容範囲を超えて粗くなる場合も生じ得る。また、フラッシュアニール処理のみで透明樹脂膜２２を硬化させる際に、上述した熱変形を回避しようとすると、透明樹脂膜２２を所望の硬度まで硬化できない傾向にある。

これに対して、図２のフローチャートで例示した基板１０の製造方法では、予備硬化工程Ｓ１６を設けている。予備硬化工程Ｓ１６では、本硬化する必要はないので、焼成炉又はホットプレートなどで加熱処理する際も、透明フィルム１２のガラス転移温度以下で、より短い時間（例えば、２０分程度）の処理でよい。そして、上記製造方法では、予備硬化工程Ｓ１６の後に、本硬化工程Ｓ１８を実施し、予備硬化された透明樹脂膜２２をフラッシュアニール処理で本硬化する。

本硬化工程Ｓ１８では、透明樹脂膜２２は、予備硬化されているので、フラッシュアニール処理だけで透明樹脂膜２２を所望の硬度以上に硬化させる場合より、フラッシュアニール処理での処理条件を緩和できる。具体的には、フラッシュアニール処理における光量を、フラッシュアニール処理だけで透明樹脂膜２２を所望の硬度以上に硬化させる場合より低減できる。その結果、フラッシュアニール処理において、金属配線１４が表面１２ａに設けられた透明フィルム１２の熱変形を抑制できる。

したがって、図２のフローチャートに例示した基板１０の製造方法では、金属配線１４が表面１２ａ上に形成された透明フィルム１２の熱変形を抑制しながら、開口部１６内の透明樹脂膜２２を、フラッシュアニール処理を利用して硬化させることができる。フラッシュアニール処理を利用していることから、透明樹脂膜２２の硬化処理時間を短くできる。また、予備硬化工程Ｓ１６においても、透明樹脂膜２２を、透明樹脂充填材１８としての所望の硬度まで硬化させる必要がないので、予備硬化処理に要する時間は短くてよい。よって、所望の硬度の透明樹脂充填材１８を有する基板１０を、効率的に製造可能である。

上記＜条件１＞を満たすように、フラッシュアニール処理での照射光量条件を調整する形態では、所望の硬度を実現しながら、フラッシュアニール処理前後での透明フィルム１２の反りの増加を１．０ｍｍ以下に抑制可能である。

上記＜条件２＞を満たすように、上記照射光量条件を調整する形態では、金属配線１４の上面１４ａの鏡面状態を維持できる。これにより、例えば、基板１０上に有機ＥＬ素子を形成した際に、有機ＥＬ素子の電極と、金属配線１４との密着性が向上するので、金属配線１４を介して有機ＥＬ素子の電極に均一に電力を供給できる。

更にまた、＜条件３＞を満たすように、上記照射光量条件を調整する形態では、フラッシュアニール処理の前後における金属配線１４の表面抵抗値（Ω/□）の比を１０倍以下にできる。

（第２の実施形態）
第２の実施形態として、第１の実施形態の製造方法で製造された基板１０を備えた有機ＥＬデバイス及びその製造方法について説明する。

図７に模式的に示した有機ＥＬデバイス２８は、基板１０と、有機ＥＬ素子３０とを備える。基板１０の構成は、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示した基板１０の構成と同じであることから、説明を省略する。有機ＥＬ素子３０は、基板１０上に設けられており、陽極層（第１の電極層）３０ａと、陰極層（第２の電極層）３０ｂと、陽極層３０ａ及び陰極層３０ｂの間に配置された発光層（有機発光層）３０ｃを含む。有機ＥＬデバイス２８は、基板１０側から光を出射するボトムエミッション型であっても、基板１０とは反対側から光を出射するトップエミッション型であってもよい。

陽極層３０ａには、基板１０における金属配線１４上に設けられている。陽極層３０ａは、金属酸化物、金属硫化物及び金属などからなる薄膜を用いることができ、具体的には酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、ＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ：略称ＩＺＯ）、金、白金、銀、及び銅などからなる薄膜が用いられる。発光層３０ｃから放射される光が陽極層３０ａを通って素子外に出射する構成の有機ＥＬデバイスの場合、陽極層３０ａには光透過性を示す電極が用いられる。

陰極層３０ｂは、発光層３０ｃを介して陽極層３０ａ上に設けられている。陰極層３０ｂの材料としては、仕事関数が小さく、発光層３０ｃへの電子注入が容易で、電気伝導度の高い材料が好ましい。陽極層３０ａ側から光を取り出す構成の有機ＥＬデバイスでは、発光層３０ｃから放射される光を陰極で陽極層３０ａ側に反射するために、陰極層３０ｂの材料としては可視光反射率の高い材料が好ましい。陰極層３０ｂには、例えばアルカリ金属、アルカリ土類金属、遷移金属および周期表の１３族金属などを用いることができる。陰極層３０ｂとしては導電性金属酸化物および導電性有機物などからなる透明導電性電極を用いることができる。

発光層３０ｃは、光を発光する機能を有する有機機能層である。発光層３０ｃは、通常、主として蛍光及び／又はりん光を発光する有機物、または該有機物とこれを補助するドーパントとから形成される。ドーパントは、例えば発光効率を向上させるため、或いは、発光波長を変化させるために加えられる。発光層３０ｃに含まれる有機物は、低分子化合物でも高分子化合物でもよい。発光層３０ｃを構成する発光材料としては、有機ＥＬ素子に利用される例えば公知の色素系材料、金属錯体系材料、高分子系材料、ドーパント材料を挙げることができる。

有機ＥＬデバイス２８の製造方法の一例について説明する。この製造方法は、図８のフローチャートに示したように、基板製造工程Ｓ２０と、素子形成工程Ｓ２２とを備える。基板製造工程Ｓ２０は、第１の実施形態で説明した製造方法で基板１０を製造する工程である。そのため、基板製造工程Ｓ２０の説明は省略する。

素子形成工程Ｓ２２では、基板１０上に、陽極層３０ａ、発光層３０ｃ及び陰極層３０ｂを順次形成することによって有機ＥＬ素子３０を形成する。

陽極層３０ａ、陰極層３０ｂ及び発光層３０ｃは、蒸着法や塗布法によって形成することができる。塗布法としては、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スリットコート法、キャピラリーコート法、スプレーコート法およびノズルコート法などのコート法、並びにグラビア印刷法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、反転印刷法、インクジェットプリント法などの塗布法を挙げることができる。パターン塗布が必要な場合には、パターン塗布が可能な塗布法によって形成され、とくにインクジェットプリント法によって形成されることが好ましい。

塗布法に用いるインク（塗布液）の溶媒としては、各材料を溶解させるものであれば制限はなく、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタンなどの塩素系溶媒、テトラヒドロフランなどのエーテル系溶媒、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテートなどのエステル系溶媒、および水を挙げることができる。

有機ＥＬデバイス２８の製造方法では、基板製造工程Ｓ２０を備えており、基板製造工程Ｓ２０は、図２に示したフローチャートに沿って基板１０を製造する。したがって、有機ＥＬデバイス２８の製造方法は、少なくとも第１の実施形態で説明した基板１０の製造方法と同様の作用効果を有する。

すなわち、基板製造工程Ｓ２０において、金属配線１４が表面１２ａ上に形成された透明フィルム１２の熱変形を抑制しながら、開口部１６内の透明樹脂膜２２を、フラッシュアニール処理を利用して硬化させることができる。これにより、前述したように、基板１０を効率的に製造できるので、有機ＥＬデバイス２８の製造効率も向上する。更に、基板１０の製造において、金属配線１４が表面１２ａ上に形成された透明フィルム１２の熱変形が生じにくいので、基板１０の製造歩留まりが向上し、その結果、有機ＥＬデバイス２８の製造歩留まりの向上に資する。

上記のように製造された有機ＥＬデバイス２８では、基板１０が有する金属配線１４に接して陽極層３０ａが設けられている。そのため、金属配線１４を介して陽極層３０ａに電力を供給可能である。金属配線１４は、複数の開口部１６を有する所定パターンＰで形成されていることから、開口部１６を有さない場合或いは陽極層３０ａに直接電力を供給する場合に比べて、陽極層３０ａの中央（有機ＥＬデバイス２８の平面視形状における中央）部分に対する電圧降下を低減しながら陽極層３０ａに電力を供給可能である。その結果、有機ＥＬデバイス２８から照射される光の輝度均一性が向上する。

金属配線１４が呈する所定パターンＰにおける複数の開口部１６には、透明樹脂充填材１８が充填されていることから、基板１０の表面１０ａ（陽極層３０ａとの界面）は平坦化されている。仮に、複数の開口部１６に透明樹脂充填材１８が充填されていない場合、基板の表面は凹凸形状を有する。このような基板表面の凹凸は、電流リークの原因となり、発光効率が低下する場合がある。これに対して、基板１０の表面１０ａが平坦化されていれば、陽極層３０ａ、発光層３０ｃ及び陰極層３０ｂのそれぞれをほぼ均一な厚さで形成可能である。平坦な陽極層３０ａ上に形成される発光層３０ｃは、局所的に薄くなる箇所が無いので、電流リークが生じにくい。その結果、有機ＥＬデバイス２８の発光効率の向上を図ることができる。

基板１０が有する透明フィルム１２上に設けられる金属配線１４は、複数の開口部１６を有する所定パターンＰで形成されており、開口部１６には透明樹脂充填材１８が埋められている。そのため、陽極層３０ａ側から発光層３０ｃの光を取り出すことが可能である。

図７では、陽極層３０ａと陰極層３０ｂとの間に発光層３０ｃのみが設けられている例を示したが、陽極層３０ａと陰極層３０ｂとの間には発光層３０ｃ以外の有機機能層が設けられてもよい。以下、具体的に説明する。

陰極層３０ｂと発光層３０ｃとの間に設けられる層の例としては、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層などを挙げることができる。陰極層３０ｂと発光層３０ｃとの間に電子注入層と電子輸送層との両方の層が設けられる場合、陰極層３０ｂに接する層を電子注入層といい、この電子注入層を除く層を電子輸送層という。

電子注入層は、陰極層３０ｂからの電子注入効率を改善する機能を有する層である。電子輸送層は、陰極、電子注入層または陰極層３０ｂにより近い電子輸送層からの電子注入を改善する機能を有する層である。正孔ブロック層は、正孔の輸送を堰き止める機能を有する層である。電子注入層および／または電子輸送層が正孔の輸送を堰き止める機能を有する場合には、これらの層が正孔ブロック層を兼ねることがある。正孔ブロック層が正孔の輸送を堰き止める機能を有することは、例えば正孔電流のみを流す有機ＥＬ素子を作製し、その電流値の減少で堰き止める効果を確認することができる。

陽極層３０ａと発光層３０ｃとの間に設けられる層としては、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層などを挙げることができる。陽極層３０ａに接する層を正孔注入層という。

正孔注入層は、陽極層３０ａからの正孔注入効率を改善する機能を有する層である。正孔輸送層は、陽極、正孔注入層または陽極層３０ａにより近い正孔輸送層からの正孔注入を改善する機能を有する層である。電子ブロック層は、電子の輸送を堰き止める機能を有する層である。正孔注入層および／または正孔輸送層が電子の輸送を堰き止める機能を有する場合には、これらの層が電子ブロック層を兼ねることがある。電子ブロック層が電子の輸送を堰き止める機能を有することは、例えば電子電流のみを流す有機ＥＬ素子を作製し、測定された電流値の減少で電子の輸送を堰き止める効果を確認することができる。

上述した各種の有機機能層を含む有機ＥＬデバイスにおける、有機ＥＬ素子の層構成の例を以下に示す。
ａ）陽極層／発光層／陰極層
ｂ）陽極層／正孔注入層／発光層／陰極層
ｃ）陽極層／正孔注入層／発光層／電子注入層／陰極層
ｄ）陽極層／正孔注入層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極層
ｅ）陽極層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／陰極層
ｆ）陽極層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層／陰極層
ｇ）陽極層／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極層
ｈ）陽極層／発光層／電子注入層／陰極層
ｉ）陽極層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極層

記号「／」は、記号「／」の両側の層同士が接合していることを意味している。上記ａ）の構成が図７に示した構成に対応する。

正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層のそれぞれの材料は公知の材料を用いることができる。正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層のそれぞれは、例えば、発光層３０ｃと同様に塗布法により形成できる。

有機ＥＬデバイス２８は単層の発光層３０ｃを有していても２層以上の発光層３０ｃを有していてもよい。上記ａ）〜ｉ）の層構成のうちのいずれか１つにおいて、陽極層３０ａと陰極層３０ｂとの間に配置された積層構造を「構造単位Ａ」とすると、２層の発光層３０ｃを有する有機ＥＬ素子の構成として、例えば、下記ｊ）に示す層構成を挙げることができる。２個ある（構造単位Ａ）の層構成は互いに同じであっても、異なっていてもよい。
ｊ）陽極層／（構造単位Ａ）／電荷発生層／（構造単位Ａ）／陰極層

ここで電荷発生層とは、電界を印加することにより、正孔と電子とを発生する層である。電荷発生層としては、例えば酸化バナジウム、インジウムスズ酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：略称ＩＴＯ）、酸化モリブデンなどからなる薄膜を挙げることができる。

「（構造単位Ａ）／電荷発生層」を「構造単位Ｂ」とすると、３層以上の発光層を有する有機ＥＬ素子の構成として、例えば、以下のｋ）に示す層構成を挙げることができる。
ｋ）陽極層／（構造単位Ｂ）ｘ／（構造単位Ａ）／陰極層

記号「ｘ」は、２以上の整数を表し、「（構造単位Ｂ）ｘ」は、（構造単位Ｂ）がｘ段積層された積層体を表す。また複数ある（構造単位Ｂ）の層構成は同じでも、異なっていてもよい。

電荷発生層を設けずに、複数の発光層３０ｃを直接的に積層させて有機ＥＬ素子を構成してもよい。

基板１０上に形成される層の順序、層の数、および各層の厚さについては、発光効率、寿命を勘案して適宜設定することができる。有機ＥＬデバイスは、通常、陽極層を基板１０側に配置して基板１０上に設けられるが、陰極層を基板１０側に配置して基板１０上に設けてもよい。例えばａ）〜ｋ）の各有機ＥＬ素子を基板１０上に作製する場合、陽極層を基板１０側に配置する形態では陽極層側（各構成ａ〜ｋの左側）から順に各層を基板１０上に積層し、陰極層を基板１０側に配置する形態では陰極層（各構成ａ〜ｋの右側）から順に各層を基板１０上に積層する。

以上、本発明の種々の実施形態について説明した。しかしながら、本発明は上述した種々の実施形態に限定されず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能である。

１０…基板、１２…透明フィルム、１２ａ…表面（フィルム表面）、１４…金属配線、１４ａ…上面（金属配線におけるフィルム表面と反対側の面）、１６…開口部、２０…塗布膜、２２…透明樹脂膜、２８…有機ＥＬデバイス、３０…有機ＥＬ素子、３０ａ…陽極層（第１の電極層）、３０ｂ…陰極層（第２の電極層）、３０ｃ…発光層（有機発光層)、 Ｐ…所定パターン。

Claims (9)

1. プラスチック材料を含む透明フィルムと、前記透明フィルムのフィルム表面上に、複数の開口部を有する所定パターンで形成されている金属配線とを有し、透明樹脂を含む透明樹脂膜で前記開口部が埋められている、基板の製造方法であって、
   前記透明フィルムの前記フィルム表面上に形成されている前記金属配線を埋設するように、熱硬化性を有する透明樹脂を含む塗布液を塗布して前記フィルム表面上に塗布膜を形成する塗布膜形成工程と、
   前記塗布膜を加熱処理し、前記塗布膜から溶媒を除去して透明樹脂膜を形成する透明樹脂膜形成工程と、
   前記透明樹脂膜のうち、前記金属配線における前記フィルム表面と反対側の面上の部分を除去して前記開口部に対応する部分を残すように、前記透明樹脂膜をパターニングするパターニング工程と、
   前記パターニング工程後に、前記透明フィルム上に残存した前記透明樹脂膜を加熱処理して予備硬化する予備硬化工程と、
   前記透明フィルムの前記フィルム表面側から前記予備硬化された前記透明樹脂膜にパルス光を照射して前記透明樹脂膜をフラッシュアニール処理することによって、前記透明樹脂膜を本硬化する本硬化工程と、
   を備える、基板の製造方法。
2. 前記フラッシュアニール処理において、前記透明樹脂膜に照射される光量は、前記予備硬化工程を実施せずに、前記パターニング工程後の前記透明樹脂膜を本硬化する場合の光量より少ない、
   請求項１に記載の基板の製造方法。
3. 前記本硬化工程では、前記フラッシュアニール処理の前後における前記透明フィルムの反りの増加量が１．０ｍｍ以下であるような光量で、前記透明樹脂膜を前記フラッシュアニール処理する、
   請求項１又は２に記載の基板の製造方法。
4. 前記本硬化工程では、前記フラッシュアニール処理後における前記金属配線の表面が目視観察で鏡面を保つような光量で、前記透明樹脂膜を前記フラッシュアニール処理する、
   請求項３に記載の基板の製造方法。
5. 前記本硬化工程では、前記フラッシュアニール処理の前後における前記金属配線の表面抵抗値（Ω/□）の比が１０倍以下となる光量で、前記透明樹脂膜を前記フラッシュアニール処理する、
   請求項３に記載の基板の製造方法。
6. 前記フラッシュアニール処理後の前記透明樹脂膜の鉛筆硬度が２Ｈ以上である、
   請求項１〜５の何れか一項に記載の基板の製造方法。
7. 前記予備硬化工程では、焼成炉又はホットプレートにより前記透明樹脂膜を予備硬化する、請求項１〜６の何れか一項に記載の基板の製造方法。
8. 前記透明樹脂はネガ型の感光性を有しており、
   前記パターニング工程は、
   前記透明フィルムの前記フィルム表面と反対側から前記透明樹脂膜を前記透明樹脂の感光波長を有する光で露光する露光工程と、
   前記露光工程後の前記透明樹脂膜を現像する現像工程と、
   を有する、
   請求項１〜７の何れか一項に記載の基板の製造方法。
9. 請求項１〜８の何れか一項に記載の基板の製造方法により基板を製造する基板製造工程と、
   前記基板の前記金属配線上に、第１の電極層と、有機発光層と、第２の電極層とを順に積層してなる有機ＥＬ素子を形成する素子形成工程と、
   を備える、有機ＥＬデバイスの製造方法。

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