CN1892269A - 聚合物光波导路的电极形成方法 - Google Patents

聚合物光波导路的电极形成方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1892269A
CN1892269A CNA2006100959894A CN200610095989A CN1892269A CN 1892269 A CN1892269 A CN 1892269A CN A2006100959894 A CNA2006100959894 A CN A2006100959894A CN 200610095989 A CN200610095989 A CN 200610095989A CN 1892269 A CN1892269 A CN 1892269A
Authority
CN
China
Prior art keywords
optical waveguide
electrode
protective seam
polymer optical
heating electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA2006100959894A
Other languages
English (en)
Inventor
吴玉英
石川重太
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SEIKO ENGINEERING Co Ltd
Seikoh Giken Co Ltd
Original Assignee
SEIKO ENGINEERING Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SEIKO ENGINEERING Co Ltd filed Critical SEIKO ENGINEERING Co Ltd
Publication of CN1892269A publication Critical patent/CN1892269A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/13Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
    • G02B6/138Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by using polymerisation
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/122Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
    • G02B6/1221Basic optical elements, e.g. light-guiding paths made from organic materials
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/0147Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on thermo-optic effects
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2202/00Materials and properties
    • G02F2202/02Materials and properties organic material
    • G02F2202/022Materials and properties organic material polymeric

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)

Abstract

在聚合物光波导路上粘合性良好地形成薄膜的加热电极图形,并且在电极形成工艺中把聚合物光波导路受到的表面损伤抑制到最低,由此来提前避免在加热电极图形上产生褶皱、断裂、剥离等的危险性。聚合物光波导路的电极形成方法:首先,在对聚合物光波导路表面活性化处理后,全面地形成加热电极膜。接着,在加热电极膜上涂布保护层,并通过印刻了加热电极的图形的光刻处理来形成保护层图形。然后,对保护层图形进行蚀刻来形成加热电极图形。接着,除去加热电极图形上的残留保护层。

Description

聚合物光波导路的电极形成方法
本申请主张基于在日本2005年7月1日申请的专利2005-194234号的优先权,并且将其全内容写入本说明书。
技术领域
本发明涉及适用于在光通信及光传感等领域广泛使用的光开关、可变光衰减器、光调制器、各种光收发模块等用途的、具有电极的聚合物光波导路的电极形成方法。
背景技术
一般,聚合物(polymer)光波导路的热光学系数比石英的光波导路大1个数量级以上。另外,聚合物光波导路的制造工艺,也如同石英光波导路那样,不需要等离子(plasma)CVD(Chemical Vapour Deposition)装置、反应性离子蚀刻RIE(Reactive Ion Etching)装置,而且工艺时间也极短。
因为具有这些特征,所以通过使用聚合物光波导路,可以实现比石英光波导路更省电,成本更低的光器件。
但是,例如在利用热光学效果的聚合物光波导路中必须在聚合物光波导路上形成薄膜加热电极。此时,在电极形成工艺中具有由于聚合物材料的有机物性所带来的技术困难,因此,必须克服它。
也就是说,现有的聚合物薄膜,玻璃转移温度Tg(Glass transitiontemperature)低,耐热性差,此外热膨胀系数大。因此,电极形成使用涂布导电膏(paste)(含有导电墨水、导电性涂料)进行光刻的制法(例如,参照特开2004-266078号公报),或使用通过粘着剂贴附导电性金属箔进行光刻的制法等。
另一方面,近年已开发出的,例如聚酰亚胺及氟聚酰亚胺等光学聚合物材料,因为玻璃转移温度Tg比现有的聚合物薄膜高,耐热性可超过300℃,所以可以使用反应性离子蚀刻法在聚合物光波导路的一侧形成电极(例如,参照特开2004-109425号公报)。
另外,近年,开发了作为成膜装置使用的低温溅射装置,溅射温度例如为80℃或低于80℃的装置也有销售。因此,通过在聚合物光波导路上直接溅射可以成膜而形成电极。
因此,最近,作为在聚合物光波导路上形成电极的方法,可以是伴随着光刻处理的剥离(lift off)法,湿蚀刻法以及干蚀刻法。
这里,为了参考,在图1A~图1D中表示在石英光波导路上形成电极的工艺的一个例子。该电极形成工艺首先在硅(Si)基板310上形成石英光波导路320(参照图1A)。
接着,在石英光波导路320上涂布保护层,并通过对电极进行图形形成的光刻处理来形成保护层图形(patter)345(参照图1B)。
接着,在保护层图形345上,例如依次溅射例如铬(Cr)、金(Au)等导电性薄膜材料来形成膜330(参照图1C)。
之后,用剥离溶剂剥离保护层,来形成Cr/Au电极图形335(参照图1D)。
但是,有机聚合物光波导路与无机石英光波导路相比,在抗腐蚀性以及与电极形成材料的粘合性上有很大的区别。例如,聚合物光波导路材料具有吸收在薄膜电极图形形成中使用的有机溶剂而膨润、变质的性质。另外,聚合物材料由于工艺温度的变化产生更大的膨胀收缩。此外,聚合物材料还存在与电极形成用金属材料的粘合性差的问题。
其结果存在以下问题,吸收在电极形成工序中使用的有机溶剂而膨润,在电极图形上容易产生褶皱或断裂,容易引起电极图形的剥离及聚合物光波导路的剥离。
例如,当把适用于图1A~图1D所示的一般石英光波导路的电极形成工艺使用到聚合物光波导路的电极形成时,由于在光刻处理及剥离工序中聚合物光波导路的表面长时间暴露于有机溶剂中,所以存在产生表面损伤,或在薄膜电极上产生褶皱或断裂等,电极粘合性丧失的问题。
此外,在使用聚合物光波导路的热光学效果来构成光元件时,除了在聚合物光波导路上形成薄膜加热电极之外,还必须形成用于焊接的较厚的引脚(lead)电极。
可是,当考虑到与石英光波导路相比耐热性低,热膨胀系数大,对有机溶剂的抗腐蚀性差这样的聚合物光波导路材料的特性时,形成厚的引脚电极比形成薄膜加热电极更困难。
发明内容
本发明是为了解决上述课题而发明的,其目的之一在于提供一种聚合物光波导路的电极形成方法,其在聚合物光波导路上粘合性良好地形成薄膜的加热电极图形,并且在电极形成工艺中把聚合物光波导路受到的表面损伤抑制到最低,由此可以提前避免在加热电极图形上产生褶皱、断裂或剥离等的危险性。
另外,本发明其它的目的在于提供一种聚合物光波导路的电极形成方法,其除了薄膜的加热电极图形之外,还在聚合物光波导路上粘合性良好地形成厚膜的引脚电极图形,并且在电极形成工艺中把聚合物光波导路受到的表面损伤抑制到最低,由此来提前避免在加热电极图形以及引脚电极图形上产生褶皱、断裂或剥离等的危险性。
为了实现上述目的,根据本发明的1个aspect,提供一种聚合物光波导路的电极形成方法,其具有:在对聚合物光波导路表面进行活性化处理后,实质地在全部表面上形成加热电极膜的工序;在所述加热电极膜上涂布保护层,并通过印刻了加热电极的图形的光刻处理来形成保护层图形的工序;对所述保护层图形进行蚀刻来形成加热电极图形的工序;和除去所述加热电极图形上的残留保护层的工序。
根据本发明的其他aspect,提供一种聚合物光波导路的电极形成方法,其具有:在对聚合物光波导路表面进行活性化处理后,实质地在全部表面上形成加热电极膜的工序;在所述加热电极膜上涂布保护层,并通过印刻了引脚电极的图形的光刻处理来形成第1保护层图形的工序;在具有所述第1保护层图形的所述加热电极膜形成区域上形成引脚电极膜的工序;剥离所述第1保护层图形来形成引脚电极图形的工序;在具有所述引脚电极图形的所述加热电极膜形成区域上涂布保护层,并通过印刻了该引脚电极图形以及加热电极的图形的光刻处理来形成第2保护层图形的工序;对所述第2保护层图形进行蚀刻来形成加热电极图形的工序;和除去所述加热电极图形以及所述引脚电极图形上的残留保护层的工序。
根据本发明的其他aspect,提供一种聚合物光波导路的电极形成方法,其具有:在对聚合物光波导路表面进行活性化处理后,实质性地在全部表面形成加热电极膜的工序;在所述加热电极膜上涂布保护层,并通过印刻了引脚电极的图形的光刻处理来形成第1保护层图形的工序;在没有被所述第1保护层图形覆盖的所述加热电极膜上,通过电解电镀来形成引脚电极图形的工序;除去所述第1保护层图形的工序;在具有所述引脚电极图形的所述加热电极膜形成区域上涂布保护层,并通过印刻了该引脚电极图形以及加热电极的图形的光刻处理来形成第2保护层图形的工序;对所述第2保护层图形进行蚀刻来形成加热电极图形的工序;和除去所述加热电极图形以及所述引脚电极图形上的残留保护层的工序。
根据本发明其它的aspect,提供一种聚合物光波导路的电极形成方法:所述加热电极膜使用由铬、镍、钛、钽、金、铂、铝等金属或者合金组成的导电性薄膜材料,通过溅射或者真空蒸镀的方法来形成1层或多层的膜。
根据本发明其它的aspect,提供一种聚合物光波导路的电极形成方法:所述引脚电极膜使用金、铂、铝等电阻小的金属,通过无电解电镀、溅射或者真空蒸镀的方法来形成0.5μm或大于0.5μm的厚膜。
根据本发明其它的aspect,提供一种聚合物光波导路的电极形成方法:所述引脚电极膜使用金、铂、铝等电阻小的金属,来形成0.5μm或大于0.5μm的厚膜。
根据本发明其它的aspect,提供一种聚合物光波导路的电极形成方法:所述光波导路的聚合物材料从适合光波导路形成的环氧树脂、聚酰亚胺、氟聚酰亚胺、聚硅烷、感光性溶胶一凝胶材料、丙稀树脂、硅树脂、聚硅氧烷等材料中选择。
附图说明
通过参照附图来说明本发明的最佳实施例,本发明上述的以及其它的目的以及结构将会变得更加明白。
图1A是表示现有的石英光波导路的电极形成工艺的一个例子中的工序A的概略截面图;
图1B是表示现有的石英光波导路的电极形成工艺的一个例子中的工序B的概略截面图;
图1C是表示现有的石英光波导路的电极形成工艺的一个例子中的工序C的概略截面图;
图1D是表示现有的石英光波导路的电极形成工艺的一个例子中的工序D的概略截面图;
图2A是表示在本发明的聚合物光波导路的电极形成方法的第1实施方式中的工序A的概略截面图;
图2B是表示在本发明的聚合物光波导路的电极形成方法的第1实施方式中的工序B的概略截面图;
图2C是表示在本发明的聚合物光波导路的电极形成方法的第1实施方式中的工序C的概略截面图;
图2D是表示在本发明的聚合物光波导路的电极形成方法的第1实施方式中的工序D的概略截面图;
图2E是表示在本发明的聚合物光波导路的电极形成方法的第1实施方式中的工序E的概略截面图;
图2F是表示在本发明的聚合物光波导路的电极形成方法的第1实施方式中的工序F的概略截面图;
图3A是表示在本发明的聚合物光波导路的电极形成方法的第2实施方式中的工序A的概略截面图;
图3B是表示在本发明的聚合物光波导路的电极形成方法的第2实施方式中的工序B的概略截面图;
图3C是表示在本发明的聚合物光波导路的电极形成方法的第2实施方式中的工序C的概略截面图;
图3D是表示在本发明的聚合物光波导路的电极形成方法的第2实施方式中的工序D的概略截面图;
图3E是表示在本发明的聚合物光波导路的电极形成方法的第2实施方式中的工序E的概略截面图;
图3F是表示在本发明的聚合物光波导路的电极形成方法的第2实施方式中的工序F的概略截面图;
图3G是表示在本发明的聚合物光波导路的电极形成方法的第2实施方式中的工序G的概略截面图;
图3H是表示在本发明的聚合物光波导路的电极形成方法的第2实施方式中的工序H的概略截面图;
图3I是表示在本发明的聚合物光波导路的电极形成方法的第2实施方式中的工序I的概略截面图;
图3J是表示在本发明的聚合物光波导路的电极形成方法的第2实施方式中的工序J的概略截面图;
图4A是表示在本发明的聚合物光波导路的电极形成方法的第3实施方式中的工序A的概略截面图;
图4B是表示在本发明的聚合物光波导路的电极形成方法的第3实施方式中的工序B的概略截面图;
图4C是表示在本发明的聚合物光波导路的电极形成方法的第3实施方式中的工序C的概略截面图;
图4D是表示在本发明的聚合物光波导路的电极形成方法的第3实施方式中的工序D的概略截面图;
图4E是表示在本发明的聚合物光波导路的电极形成方法的第3实施方式中的工序E的概略截面图;
图4F是表示在本发明的聚合物光波导路的电极形成方法的第3实施方式中的工序F的概略截面图;
图4G是表示在本发明的聚合物光波导路的电极形成方法的第3实施方式中的工序G的概略截面图;
图4H是表示在本发明的聚合物光波导路的电极形成方法的第3实施方式中的工序H的概略截面图;
图4I是表示在本发明的聚合物光波导路的电极形成方法的第3实施方式中的工序I的概略截面图;
图4J是表示在本发明的聚合物光波导路的电极形成方法的第3实施方式中的工序J的概略截面图;
具体实施方式
参照附图对本发明的实施方式进行说明。
图2A~图2F表示本发明聚合物光波导路的电极形成方法的第1实施方式的工序A~F,在聚合物光波导路上形成加热电极图形。
该电极形成工艺首先对在硅(Si)基板10上形成的聚合物光波导路20的表面进行活性化处理(参照图2A)。
聚合物光波导路表面的活性化处理使用紫外线等离子处理,采用了氩(Ar)等憜性气体的等离子处理、紫外线照射处理等,而且除了这些之外,作为溅射的前期处理可以采用氩(Ar)气通过逆溅射处理对聚合物光波导路表面进行清洗、改质。
例如,在聚合物光波导路20的表面20s上进行了紫外线照射处理之后,作为溅射的前期处理采用氩气进行逆溅射处理,由此来清洗改质聚合物光波导路的表面,可以得到粘合性高的表面状态。
聚合物光波导路20可以通过在硅(Si)基板10上依次形成下部金属包层21、核心部22、上部金属包层23来构成。
接着,实质地在聚合物光波导路20的全部表面上形成加热电极膜30(参照图2B)。
具体来说,在进行活性化处理而提高了粘合性的聚合物光波导路20的整个表面20s上,低温溅射导电性薄膜材料来形成加热电极膜30。
这里,作为导电性薄膜材料可以采用铬(Cr)、镍(Ni)、钛(Ti)、钽(Ta)、金(Au)、铂(Pt)、铝(Al)等金属或合金。
另外,通过将这些导电性薄膜材料形成1层或数层的薄膜,可以构成加热电极膜30。
另外,并不限于低温溅射,例如,可以通过真空蒸镀的制法来形成加热电极膜30。
在该实施方式中,在提高了粘合性的聚合物光波导路20的整个表面20s上,首先,低温溅射铬(Cr)来成膜Cr层31,然后低温溅射金(Au)来成膜Au层32,通过Cr/Au的2层构成加热电极膜30。
接着,在加热电极膜30上涂布保护层40,并通过印刻了加热电极的图形的光刻处理(参照图2C)形成保护层图形45(参照图2D)。
具体来说,从在加热电极膜30上涂布的保护层40的上方,采用印刻了加热电极的图形的光掩模41进行露光,并对露光后的保护层40进行显像/烘烤,由此来形成保护层图形45。
接着,对保护层图形45进行蚀刻来形成加热电极图形35(参照图2E)。
具体来说,通过对保护层图形45进行湿蚀刻来形成加热电极图形35。
另外,并不限于湿蚀刻,也可以通过干蚀刻来形成加热电极图形35。
接着,除去加热电极图形35上的残留保护层45(参照图2F)。
由此,可以在聚合物光波导路20上的规定位置形成加热电极图形35。
此外,作为聚合物光波导路20的聚合物材料,可以从适合光波导路形成的环氧树脂、聚酰亚胺、氟聚酰亚胺、聚硅烷、感光性溶胶一凝胶材料、丙稀树脂、硅树脂、聚硅氧烷等材料中进行选择。
图3A~图3J表示本发明的聚合物光波导路的电极形成方法的第2实施方式的工序A~J,在聚合物光波导路上形成加热电极图形以及引脚电极图形。
该电极形成工艺首先对在硅(Si)基板110上形成的聚合物光波导路120的表面进行活性化处理(参照图3A)。
如上所述,聚合物光波导路表面的活性化处理,使用紫外线等离子处理,采用了氩(Ar)等惰性气体的等离子处理、紫外线照射处理等,而且除了这些之外,作为溅射的前期处理可以采用氩(Ar)气通过逆溅射处理对聚合物光波导路表面进行清洗、改质。
作为一例,在聚合物光波导路120的表面120s上进行紫外线照射处理之后,作为溅射的前期处理采用氩气进行逆溅射处理,由此来清洗改质聚合物光波导路表面,这样可以得到粘合性高的表面状态。
聚合物光波导路120通过在硅(Si)基板110上依次形成下部金属包层121、核心部122、上部金属包层123来构成。
接着,实质地在聚合物光波导路120的整个表面上形成加热电极膜130(参照图3B)。
具体来说,在进行活性化处理而提高了粘合性的聚合物光波导路120的整个表面120s上,低温溅射导电性薄膜材料来形成加热电极膜130。
这里,作为导电性薄膜材料可以采用铬(Cr)、镍(Ni)、钛(Ti)、钽(Ta)、金(Au)、铂(Pt)、铝(Al)等金属或者合金。
另外,通过将这些导电性薄膜材料形成1层或者数层的膜,可以构成加热电极膜130。
另外,并不限于低温溅射,例如,可以通过真空蒸镀的制法来形成加热电极膜130。
该实施方式中,在提高了粘合性的聚合物光波导路120的整个表面120s上,首先,低温溅射铬(Cr)来形成Cr层131,然后低温溅射金(Au)来形成Au层132,通过Cr/Au的2层构成加热电极膜130。
然后,在加热电极膜130上涂布保护层140,通过印刻了引脚电极的图形的光刻处理(参照图3C)形成第1保护层图形145(参照图3D)。
具体来说,通过从在加热电极膜130上所涂布的保护层140的上方,采用印刻了引脚电极的图形的光掩模141进行露光,并对露光后的保护层140进行显像/烘烤,由此来形成第1保护层图形145。
接着,在具有第1保护层图形145的加热电极膜130形成区域上形成引脚电极膜150(参照图3E)。
具体来说,在第1保护层图形145上以及加热电极膜130上,对电阻小的金属进行无电解电镀处理来形成引脚电极膜150。
这里,作为引脚电极膜150可以采用金(Au)、铂(Pt)、铝(Al)等电阻小的金属。
该引脚电极膜150最好形成为0.5μm或大于0.5μm的厚膜。
另外,不限于无电解电镀,例如可以通过溅射的制法来形成引脚电极膜150。
另外,通过真空蒸镀的制法也可以形成引脚电极膜150。
接着,剥离第1保护层图形145来形成引脚电极图形155(参照图3F)。
具体来说,使用剥离溶剂,与第1保护层图形145一起,除去该保护层图形145上的引脚电极膜150,由此来形成引脚电极图形155。
接着,在具有引脚电极图形155的加热电极膜130形成区域上涂布保护层160,并通过印刻了引脚电极图形155以及加热电极的图形的光刻处理(参照图3G),来形成第2保护层图形165(参照图3H)。
具体来说,从在引脚电极图形155以及加热电极膜130上涂布的保护层160的上方,采用印刻了引脚电极图形155以及加热电极的图形的光掩模161进行露光,并对露光后的保护层160进行显像/烘烤,来形成第2保护层图形165。
由此,第2保护层图形165由相当于加热电极图形的保护层图形部165a和相当于引脚电极图形155的保护层图形部165b构成。
接着,对第2保护层图形165(165a、165b)进行蚀刻来形成加热电极图形135(参照图3I)。
具体来说,通过对第2保护层图形165(165a、165b)进行湿蚀刻来形成加热电极图形135。
此时,由加热电极膜130形成加热电极图形135,并且在引脚电极图形155的下部形成引脚电极用基础图形136。
另外,并不限于湿蚀刻,也可以通过干蚀刻来形成加热电极图形135以及引脚电极用基础图形136。
接着,除去加热电极图形135以及引脚电极图形155上的残留保护层165a、165b(参照图3J)。
由此,可以在聚合物光波导路120上的规定位置形成加热电极图形135以及引脚电极图形155。
此外,作为聚合物光波导路120的聚合物材料,可以从适合光波导路形成的环氧树脂、聚酰亚胺、氟聚酰亚胺、聚硅烷、感光性溶胶-凝胶材料、丙稀树脂、硅树脂、聚硅氧烷等材料中选择。
图4A~图4J表示本发明的聚合物光波导路的电极形成方法的第3实施方式的工序A~J,该电极形成工艺仅与图3A~图3J所示的第2实施方式的工序E、F不同,其它都相同。因此,对与第2实施方式相同的部分标注对在图3A~图3J中使用的符号上增加100后的符号,仅对不同的部分进行说明。
首先,对在硅(Si)基板210上形成的聚合物光波导路220的表面进行活性化处理(参照图4A),接着,实质地在聚合物光波导路220的全部表面上形成加热电极膜230(参照图4B),然后,在加热电极膜230上涂布保护层240,通过印刻了引脚电极的图形的光刻处理(参照图4C),来形成第1保护层图形245(参照图4D)。在此之前的工序A~D以及其内容与第2实施方式的情况相同。
接着,在没有被第1保护层图形245覆盖的加热电极膜230上,利用加热电极膜230的导电性,通过电解电镀来形成引脚电极图形255(参照图4E)。
这里,作为引脚电极图形255的材料可以采用金(Au)、铂(Pt)、铝(Al)等电阻小的金属。
该引脚电极图形255最好为0.5μm或大于0.5μm的厚膜。
接着,使用保护层剥离溶剂来除去第1保护层图形245(参照图4F)。
此后,在具有引脚电极图形255的加热电极膜230形成区域上涂布保护层260,通过印刻了引脚电极图形255以及加热电极的图形的光刻处理(参照图4G),来形成第2保护层图形265(参照图4H),接着,对第2保护层图形265(265a、265b)进行蚀刻来形成加热电极图形235(参照图4I),然后,除去加热电极图形235以及引脚电极图形255上的残留保护层265a、265b(参照图4J)。这些工序G~J以及其内容与第2实施方式的情况相同。
由此,可以在聚合物光波导路220上的规定位置形成加热电极图形235以及引脚电极图形255。
如上所述,根据本发明的聚合物光波导路的电极形成方法,首先一开始,在进行活性化处理而提高了粘合性的聚合物光波导路的整个表面上低温溅射导电性薄膜材料而形成加热电极膜。
这样形成的致密性良好的电极膜覆盖聚合物光波导路的表面,由此在之后工序的光刻处理及剥离工序中,聚合物光波导路的表面不会直接且长时间地暴露在保护层溶剂及剥离溶剂等中,因此可以把有机溶剂所导致的损伤限制到最低。
由此,可以没有在加热电极图形以及引脚电极图形上产生褶皱、断裂、剥离等危险性地,形成粘接可靠性好的电极。
换句话说,在聚合物光波导路上粘合性良好地形成薄膜的加热电极图形,并且,在电极形成工艺中把聚合物光波导路受到的表面损伤抑制到最低,由此可以提前避免在加热电极图形上产生褶皱、断裂、剥离等的危险性。
另外,根据本发明的聚合物光波导路的电极形成方法,因为最初在聚合物光波导路的整个表面上形成的加热电极膜是导电体,所以通过利用其导电性,厚膜引脚电极的电镀处理并不限于无电解电镀,电解电镀也变得容易,可以实现电极工艺的简化。
换句话说,除了薄膜的加热电极图形之外,还在聚合物光波导路上粘合性良好地形成厚膜的引脚电极图形,并且在电极形成工艺中把聚合物光波导路受到的表面损伤抑制到最低,由此可以提前避免在加热电极图形以及引脚电极图形上发生褶皱、断裂、剥离等的危险性。
作为结论,根据本发明的聚合物光波导路的电极形成方法,可以在与石英光波导路相比具有耐热性低,热膨胀系数大,对有机溶剂的抗腐蚀性差的特性的聚合物材料的光波导路上,无问题地形成薄膜加热电极以及厚膜引脚电极。
于是,作为在聚合物材料的光波导路上形成的电极,例如可以采用Cr/Au、Cr/Ni/Au、Cr/Ti/Au、Cr/Al/Ni/Au等适当的组合。

Claims (8)

1.一种聚合物光波导路的电极形成方法,其特征在于,
包含:
在对聚合物光波导路表面进行活性化处理后,实质地在全部表面上形成加热电极膜的工序;
在所述加热电极膜上涂布保护层,并通过印刻了加热电极的图形的光刻处理来形成保护层图形的工序;
对所述保护层图形进行蚀刻来形成加热电极图形的工序;和
除去所述加热电极图形上的残留保护层的工序。
2.一种聚合物光波导路的电极形成方法,其特征在于,
包含:
在对聚合物光波导路表面进行活性化处理后,实质地在全部表面上形成加热电极膜的工序;
在所述加热电极膜上涂布保护层,并通过印刻了引脚电极的图形的光刻处理来形成第1保护层图形的工序;
在具有所述第1保护层图形的所述加热电极膜形成区域上形成引脚电极膜的工序;
剥离所述第1保护层图形来形成引脚电极图形的工序;
在具有所述引脚电极图形的所述加热电极膜形成区域上涂布保护层,并通过印刻了该引脚电极图形以及加热电极的图形的光刻处理来形成第2保护层图形的工序;
对所述第2保护层图形进行蚀刻来形成加热电极图形的工序;和
除去所述加热电极图形以及所述引脚电极图形上的残留保护层的工序。
3.一种聚合物光波导路的电极形成方法,其特征在于,
包含:
在对聚合物光波导路表面进行活性化处理后,实质地在全部表面上形成加热电极膜的工序;
在所述加热电极膜上涂布保护层,并通过印刻了引脚电极的图形的光刻处理来形成第1保护层图形的工序;
在没有被所述第1保护层图形覆盖的所述加热电极膜上,通过电解电镀来形成引脚电极图形的工序;
除去所述第1保护层图形的工序;
在具有所述引脚电极图形的所述加热电极膜形成区域上涂布保护层,并通过印刻了该引脚电极图形以及加热电极的图形的光刻处理来形成第2保护层图形的工序;
对所述第2保护层图形进行蚀刻来形成加热电极图形的工序;和
除去所述加热电极图形以及所述引脚电极图形上的残留保护层的工序。
4.根据权利要求1~3的任意1项所述的聚合物光波导路的电极形成方法,其特征在于,
所述加热电极膜使用由铬、镍、钛、钽、金、铂、铝等金属或者合金组成的导电性薄膜材料,形成1层或数层的薄膜。
5.根据权利要求1~3的任意1项所述的聚合物光波导路的电极形成方法,其特征在于,
所述加热电极膜通过溅射或真空蒸镀的方法形成1层或数层的薄膜。
6.根据权利要求2所述的聚合物光波导路的电极形成方法,其特征在于,
所述引脚电极膜通过无电解电镀、溅射或者真空蒸镀的方法来形成0.5μm或大于0.5μm的厚膜。
7.根据权利要求2或3所述的聚合物光波导路的电极形成方法,其特征在于,
所述引脚电极膜使用金、铂、铝等电阻小的金属来形成0.5μm或大于0.5μm的厚膜。
8.根据权利要求1~3的任意1项所述的聚合物光波导路的电极形成方法,其特征在于,
所述光波导路的聚合物材料从适合光波导路形成的环氧树脂、聚酰亚胺、氟聚酰亚胺、聚硅烷、感光性溶胶-凝胶材料、丙稀树脂、硅树脂、聚硅氧烷等材料中选择。
CNA2006100959894A 2005-07-01 2006-06-30 聚合物光波导路的电极形成方法 Pending CN1892269A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005194234 2005-07-01
JP2005194234A JP2007011146A (ja) 2005-07-01 2005-07-01 ポリマー光導波路の電極形成方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN1892269A true CN1892269A (zh) 2007-01-10

Family

ID=37597339

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2006100959894A Pending CN1892269A (zh) 2005-07-01 2006-06-30 聚合物光波导路的电极形成方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20070019911A1 (zh)
JP (1) JP2007011146A (zh)
CN (1) CN1892269A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105487174A (zh) * 2016-02-02 2016-04-13 吉林大学 一种聚合物柔性的可变光衰减器及其制备方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9594213B2 (en) * 2015-03-27 2017-03-14 Mellanox Technologies Silicon Photonics Inc. Temperature control of components on an optical device
US10533104B2 (en) * 2017-09-01 2020-01-14 Kateeva, Inc. Two-step process for forming cured polymeric films for electronic device encapsulation

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3484543B2 (ja) * 1993-03-24 2004-01-06 富士通株式会社 光結合部材の製造方法及び光装置
JP2000305117A (ja) * 1999-02-19 2000-11-02 Fuji Xerox Co Ltd 光デバイス、光デバイスの駆動方法、及び光デバイスの製造方法
KR100590615B1 (ko) * 2001-05-29 2006-06-15 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 전극구조
JP4078898B2 (ja) * 2002-06-28 2008-04-23 日本電気株式会社 熱光学位相シフタ及びその製造方法
JP3966409B2 (ja) * 2002-11-19 2007-08-29 富士通株式会社 光導波路デバイスの製造方法
JP2005043402A (ja) * 2003-07-22 2005-02-17 Fujitsu Ltd 光導波路デバイス及びその製造方法
US20060039646A1 (en) * 2004-08-20 2006-02-23 Keiichi Nashimoto Optical switch and matrix optical switch

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105487174A (zh) * 2016-02-02 2016-04-13 吉林大学 一种聚合物柔性的可变光衰减器及其制备方法
CN105487174B (zh) * 2016-02-02 2018-10-02 吉林大学 一种聚合物柔性的可变光衰减器及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007011146A (ja) 2007-01-18
US20070019911A1 (en) 2007-01-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101161301B1 (ko) 플라즈마를 이용한 금속 배선이 함몰된 유연 기판의 제조방법 및 이에 따라 제조되는 유연 기판
CN1883061A (zh) 有源矩阵显示器和具有等离子基板的其它电子装置
CN1444436A (zh) 印刷电路板及其制造方法
CN1228236C (zh) 微开关
CN1324933C (zh) 布线材料、布线基板及其制造方法以及显示面板
CN1444270A (zh) Cof柔性印刷线路板及制造该线路板的方法
CN1458665A (zh) 转移叠层的方法以及制造半导体器件的方法
US9082844B2 (en) Methods of transferring semiconductor elements and manufacturing semiconductor devices
CN1387239A (zh) 电路板,半导体装置制造方法,及电镀系统
CN1917142A (zh) 半导体器件制造装置
CN1901162A (zh) 连续电镀制作线路组件的方法及线路组件结构
CN1891018A (zh) 印刷电路板、其制造方法以及电路装置
TW200810154A (en) Method of arranging powder layer on substrate and layer structure with at least one powder layer on substrate
KR101913487B1 (ko) 폴리이미드 필름의 제조 방법, 전자기기의 제조 방법 및 도막의 박리 방법
CN1596063A (zh) 图案形成方法、导电性薄膜、电光学装置、电子机器
CN1104832C (zh) 独立导体电路电镀的方法
CN1892269A (zh) 聚合物光波导路的电极形成方法
JP6548425B2 (ja) フレキシブルデバイスの製造方法及びフレキシブルデバイス並びにフレキシブルデバイス製造装置
CN1946265A (zh) 制作布线电路板的工艺
CN1234605A (zh) 半导体器件其制造方法
CN1400734A (zh) 声表面波元件及其制造方法以及使用该元件的声表面波装置及其制造方法
CN1313646C (zh) 微细电铸用模具及其制造方法
CN1929715A (zh) 配线电路基板
CN1899002A (zh) 印刷电路板、其制造方法以及电路装置
CN1467757A (zh) 电阻元件及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication