JP4457399B2 - 光導波路デバイスの製造方法、および、光導波路デバイス - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、光導波路に関し、特に、無機材料基板の上に搭載された樹脂製の光導波路に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年のパソコンやインターネットの普及に伴い、情報伝送需要が急激に増大している。このため、伝送速度の速い光伝送を、パソコン等の末端の情報処理装置まで普及させることが望まれている。これを実現するには、光インターコネクション用に、高性能な光導波路を、安価かつ大量に製造する必要がある。
【0003】
光導波路の材料としては、ガラスや半導体材料等の無機材料と、樹脂が知られている。無機材料により光導波路を製造する場合には、真空蒸着装置やスパッタ装置等の成膜装置により無機材料膜を成膜し、これを所望の導波路形状にエッチングすることにより製造する方法が用いられる。しかしながら、真空蒸着装置やスパッタ装置は、真空排気設備が必要であるため、装置が大型で高価である。また、真空排気工程が必要であるため工程が複雑になる。これに対し、樹脂によって光導波路を製造する場合には、成膜工程を、塗布と加熱により大気圧中で行うことができるため、装置および工程が簡単であるという利点がある。
【0004】
また、光導波路ならびにクラッド層を構成する樹脂としては、種々のものが知られているが、ガラス転移温度(Tg)が高く、耐熱性に優れるポリイミドが特に期待されている。ポリイミドにより光導波路およびクラッド層を形成した場合、長期信頼性が期待でき、半田付けにも耐えることができる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
樹脂製の光導波路は、一般的には、基板上に、樹脂製の下部クラッド層、光導波路層および上部クラッド層を積層することにより構成される。このとき、基板は、精度良く平滑な面を有するものが入手しやすいという点で、Si基板、石英基板、ガラス基板等の無機材料基板が用いられることが多い。しかしながら無機材料の基板は、樹脂膜と比較して熱膨張率が一桁小さいため、基板上に下部クラッド層、光導波路層および上部クラッド層を、材料溶液の塗布と加熱を繰り返すことにより積層していくと、基板と樹脂層との熱膨張率の差によって応力が残存し、基板に反りが生じてしまう。特に、基板としてウエハ状等の大きなのものを用い、多数の光導波路を基板上に配列して一度に形成し、最終工程で基板を切断して所望の光導波路デバイスを量産する場合には、ウエハ状の基板の反りが大きな問題となる。というのは、一般的には、基板上の樹脂膜を導波路形状にパターニングするためにフォトリソグラフィの手法を用いるため、露光の工程で焦点深度以上に基板が反っていると、基板の一部分にマスクパターン像を合焦させても、基板の他の部分は焦点からずれ、その部分にはマスクパターン像にぼけが生じる。このため、基板全面に、微細な導波路形状を精度良くパターニングすることができない。この基板の反りの問題は、基板が大きくなるほど顕著になるため、光導波路デバイスを大量生産する場合の障害になる。
【0006】
本発明は、無機材料基板上に樹脂製光導波路を搭載した光導波路デバイスの製造方法であって、基板の反りを抑制して精度良く光導波路をパターニングすることのできる光導波路デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明によれば、以下のような光導波路デバイスの製造方法が提供される。
【0008】
すなわち、基板の上面に、下部クラッド層を樹脂により形成する第1の工程と、
前記下部クラッド層の上に光導波路用樹脂層をさらに積層する第2の工程と、
前記第2の工程で形成した光導波路用樹脂層を所望の光導波路の形状にパターニングするためにフォトリソグラフィを行う第3の工程とを有する光導波路デバイスの製造方法であって、
前記基板として無機材料からなる基板を用い、前記第1の工程の前、または、第1の工程後で第2の工程の前、もしくは、第2の工程後で第3の工程前に、前記下部クラッド層および前記光導波路用樹脂層が前記基板に与える応力をうち消すための樹脂層を前記基板の裏面に形成する裏面樹脂層形成工程を含むことを特徴とする光導波路デバイスの製造方法である。
【0009】
【発明の実施の形態】
本発明の一実施の形態について説明する。
【0010】
まず、本実施の形態の製造方法により製造される光導波路デバイス100の構成を図3を用いて説明する。光導波路デバイス100は、Si基板1の上に、光導波路積層体10を備え、光導波路積層体10が配置されていない領域に電極部7が配置された構成である。
【0011】
光導波路積層体10は、シリコン基板1の上に配置された下部クラッド層3と、その上に搭載された光導波路4と、光導波路4を埋め込む上部クラッド層5とを含んでいる。
【0012】
下部クラッド層3および上部クラッド層5は、いずれも、日立化成工業株式会社製OPI−N1005(商品名)を用いて形成したポリイミド膜からなる。下部クラッド層3の膜厚は、約6μm、上部クラッド層5の膜厚は、下部クラッド層表面から約12μmである。光導波路4は、日立化成工業株式会社製OPI−N3205(商品名)を用いて形成したポリイミド膜からなり、その膜厚は約6μmで、光導波路4の幅は約6μmである。
【0013】
電極部7は、シリコン基板1の上に配置されている。電極7は、発光素子、発光素子の出力をモニタする受光素子、受光素子等を搭載するための電極である。
【0014】
つぎに、本実施の形態の光導波路デバイスの製造方法について、図1(a)〜(c)、図2(d)、(e)を用いて説明する。
ここでは、基板1として直径約12.7cmのシリコンウエハを用意し、この基板1の上に図3の構造を多数配列して形成し、後の工程でダイシングにより切り離して、多数の図3の光導波路デバイス100を一度に製造する。なお、図1(a)〜(c)および図2(d),(e)は、図示の都合上、ウエハ状の基板1のうち、一つの光導波路デバイス100となる一部分のみを切り出した状態で図示している。また、成膜やパターニング等は、ウエハ状の基板1全体で一度に行う。
【0015】
まず、ウエハ状の基板1の上に金属膜を成膜してパターニングすることにより、図1(a)のように電極部7を形成する。つぎに、基板1の裏面に、下部クラッド層3の材料溶液と同じOPI−N1005をスピン塗布して材料溶液膜を形成する。その後、乾燥器で100℃で30分、次いで、200℃で30分加熱することにより溶媒を蒸発させ、続けて370℃で60分加熱することにより硬化させ、厚さ12μmの裏面樹脂層30を形成する。この裏面樹脂層30は、基板1に対して裏面側から引っ張り応力を与えるために形成される。裏面樹脂層30の応力は、この後の工程で基板1の上面に形成される下部クラッド層3および光導波路4を形成するポリイミド層が基板1に与える応力とつりあうことが望ましい。このため、裏面樹脂層30の厚さを、上面クラッド層3と光導波路4の厚さの合計と同じになるように形成する。
【0016】
つぎに、基板1の全体に前述のOPI−N1005をスピン塗布して材料溶液膜を形成する。その後、乾燥器で100℃で30分、次いで、200℃で30分加熱することにより溶媒を蒸発させ、続けて370℃で60分加熱することにより硬化させ、厚さ6μmの下部クラッド層3を形成する(図1(b))。
【0017】
この下部クラッド層3の上に、前述のOPI−N3205をスピン塗布して材料溶液膜を形成する。その後、乾燥器で100℃で30分、次いで、200℃で30分加熱することにより溶媒を蒸発させ、続けて350℃で60分加熱することにより硬化を行い、光導波路4となる厚さ6μmのポリイミド膜を形成する。
【0018】
この時点で、基板1の上面には、下部クラッド層3と光導波路4となるポリイミド層が合計12μmの厚さで形成され、基板1の裏面側には、厚さ12μmの下部クラッド層3と同じ材質の裏面樹脂層30が形成されている。よって、基板1の上面側のポリイミド層が基板1に与える応力と、基板1の裏面側のポリイミド層が基板1に与える応力とはほぼつり合うため、この時点の基板1の反りは、直径約12.7cmのウエハで3〜7.5μm程度に抑えることができる(図4(a))。これに対し、比較例として、裏面樹脂層30を形成しなかった場合には、基板1の反りは直径約12.7cmのウエハで16〜20μmにも達していた。このように、本実施の形態では、裏面樹脂層30を設けたことにより、基板1の反りを数μmに抑制することができるため、光導波路4をパターニングするためのフォトリソグラフィの露光工程で、基板1の反りが焦点深度以内に収まり、直径約12.7cmの基板1の全面にマスク像を合焦させることができる。これにより、基板1の全面に光導波路4のパターンを高精度に形成することができる。
【0019】
フォトリソグラフィの具体的な工程を説明する。まず、光導波路4となるポリイミド層の上にレジストをスピン塗布し、乾燥後、水銀ランプでマスク像を露光する。上述のように本実施の形態では基板1の反りが少ないため、ウエハ状の基板1の全体にマスク像を合焦させて露光することができる。つぎに、レジストを現像し、レジストパターン層を形成する。このレジストパターン層は、前述のポリイミド膜を光導波路4の形状に加工するためのマスクとして用いられる。このレジストパターン層をマスクとして、前述のポリイミド層を酸素でリアクティブイオンエッチング(O2−R1E)することにより、光導波路4を基板1上に多数配列して形成することができる(図1(c))。その後、レジストパターン層を剥離する。
【0020】
レジストの現像および剥離の工程を利用してポリイミド層30を剥離することができる。これにより、基板1には上面側の下部クラッド層3および光導波路4の応力のみが働くことになり、基板1には反りが生じるが、この後の工程には、光導波路4をパターニングする際に必要とされるほど精密なパターニングの工程はないため、基板1が反っていても問題とならない。
【0021】
つぎに、光導波路4および下部クラッド層3を覆うように、OPI−N1005をスピン塗布する。得られた材料溶液膜を、乾燥器で100℃で30分、次いで、200℃で30分加熱して材料溶液膜中の溶媒を蒸発させ、350℃で60分加熱することによりポリイミド膜の上部クラッド層5を形成する(図2(d))。
【0022】
つぎに上部クラッド層5、光導波路4、下部クラッド層3の積層膜に対してダイシングにより膜厚方向に切り込みを入れ、電極部7の領域に形成されている上部クラッド層5から下部クラッド層3までを、基板1上から剥がして除去する。これにより、光導波路積層体10は図2(e)の形状となり、基板1上の電極部7の領域では、電極部7とシリコン基板1が露出される。
【0023】
つぎに、露出された電極部7に、所望の形状のAu/Snはんだ層を形成する。
【0024】
その後、ウエハ状の基板1をダイシングにより図5(a)のように短冊状に切り出す。短冊状のまま、側面11に研磨処理を施す(図5(b))。その後、短冊状基板をさらにダイシングにより切り出し、光導波路デバイス100を完成させる(図5(c)、(d))。
【0025】
このように、本実施の形態の光導波路デバイス100の製造方法は、光導波路4をパターニングする際の基板1の反りを低減するために、基板1の裏面に裏面樹脂層30を形成している。これにより、ウエハ状の基板1の全体にマスク像を合焦させて露光することができ、光導波路4を高精度にパターニングすることができる。よって、光導波路4の形状のばらつきが少なく、設計通りの光学特性を有する高性能な光導波路デバイスを製造することができる。
【0026】
また、本実施の形態では、基板1と下部クラッド3の間に例えば耐熱性のポリイミド樹脂からなる接着層を設け、基板1と裏面樹脂層30の間には接着層を設けない構成にすると、接着層を形成していないため、裏面樹脂層30を容易に剥離することができる。
【0027】
なお、本実施の形態では、下部クラッド層3と同じ材質で裏面樹脂層30を形成しているが、裏面樹脂層30は、基板に与える応力が、下部クラッド層3およびパターニング前の光導波路4を構成するポリイミド膜が基板に与える応力とほぼつり合うような膜であればよく、材質は自由に選択することができる。たとえば、裏面樹脂層30を光導波路4と同じOPI−N3205で形成することができる。この場合、OPI−N3205から形成したポリイミドは、応力の大きさが下部クラッド層3のポリイミドと同程度であるので、裏面樹脂層30の膜厚は上述の実施の形態と同様にする。また、裏面樹脂層30を、応力が強く、しかも、より剥離のしやすい性質を有するポリイミドとすることにより形成することもできる。このポリイミドを裏面樹脂層30として用いる場合には、応力が強いため、膜厚を上述の実施の形態よりも薄くすることができる。
【0028】
また、上述の実施の形態では、裏面樹脂層30を下部クラッド層3を形成する前に形成しているが、裏面樹脂層30は、光導波路4のパターニングための露光工程よりも前に形成されていれば良い。よって、下部クラッド層3を形成した後で裏面樹脂層30を形成する工程にすることもできる。
【0029】
また、裏面樹脂層30の本実施の形態では、光導波路4のパターニングの工程で基板から剥離しているが、剥離はこれ以降の工程で行ってもよい。例えば、上部クラッド層5を形成した後で剥離することができる。
【0030】
また、裏面樹脂層30を基板1から剥離しない工程にすることもできる。この場合、図3の光導波路デバイス100の基板1の裏面に、裏面樹脂層30が形成されたままの製品となる。この裏面樹脂層30は、光導波路デバイス100を電気回路基板に搭載して用いる際に光導波路デバイス100と電気回路基板とを絶縁する絶縁層として利用することができる。
【0031】
また、裏面樹脂層30を基板1から剥離しない場合、裏面樹脂層30を接着性のある樹脂で形成しておくことにより、光導波路デバイス100を電気回路基板に搭載して用いる際に、光導波路デバイス100を電気回路基板に接着する接着層として利用することもできる。例えば、裏面樹脂層として加熱により接着性を示す樹脂により形成しておくことにより、光導波路デバイス100を電気回路基板に搭載して加熱することにより両者を固定することができる。
【0032】
また、裏面樹脂層30を基板1から剥離しない場合、光導波路デバイス100にレーザーダイオードのような光源が搭載されている構成のときには、裏面樹脂層30を熱伝導性のある樹脂で形成しておくことにより、その熱を電気回路基板に伝導させて逃がすことができるため好ましい。裏面樹脂層30を構成する熱伝導性の高い樹脂としては、例えば、銀、Si、ダイヤモンド等の粒子がフィラーとして加えられた樹脂を用いることができる。
【0033】
また、裏面樹脂層30を製造工程で剥離しない場合、図5(c)で短冊状の基板1を光導波路デバイス100の個片にダイシングする工程において、裏面樹脂層30のみを残してダイシングするようにすることができる。これにより、複数の光導波路デバイス100が、連続した1枚の裏面樹脂層30により短冊状に連なった形状で完成品となるため、流通時や光導波路デバイス100を装置に搭載する工程等での取り扱いが容易になるという効果が得られる。また、ダイシングの際に基板1の裏面に別途ダイシング用テープを貼る必要がないという利点もある。このように連なった形状で完成品とする場合、短冊状に連なった光導波路デバイス100から、個々の光導波路デバイスを切り離す際には、隣り合う光導波路デバイス100の境で裏面樹脂層30を切り離すことにより、裏面樹脂層30が裏面に付いた光導波路デバイス100の個片が得られる。よって、裏面樹脂層30を軟らかい樹脂で形成しておくことにより、個々の光導波路デバイス100に小さな力で切り離すことができる。また、裏面樹脂層30として基板1からの剥離性のよい樹脂を用いておき、短冊状に連なった光導波路デバイス100の裏面樹脂層30から個々の光導波路デバイス100を剥がして使うようにすることもできる。
【0034】
上述してきた本実施の形態で製造した光導波路デバイスは、下部クラッド層3から上部クラッド層5まで全ての層をポリイミドで形成しているため、Tgが高く、耐熱性にすぐれている。よって、本実施の形態の光導波路デバイスは、高温になっても伝搬特性を維持できる。また、ポリイミドは、半田付け等の高温工程にも耐えることができるため、光導波路デバイスの上にさらに別の光導波路デバイスや電気回路素子や受発光素子をはんだ付けすることも可能である。なお、裏面樹脂層30を剥離しないで上述のように接着層や絶縁層等として利用する構成にする場合には、裏面樹脂層30を構成する材料の樹脂成分として、耐熱性に優れたポリイミドを用いることが望ましい。
【0035】
本実施の形態の光導波路デバイス100は、光導波路4のパターニングの際に、基板1の反りを抑制して露光を行っているため、無機基板1の上に樹脂製の光導波路を搭載した構成でありながら、光導波路4の形状の誤差が小さく、設計通りに優れた光学特性を有する光導波路デバイスを量産することができる。よって、光通信装置に本実施の形態の光導波路デバイス100を用いることにより高性能な光通信装置を安価に製造することができる。また、裏面樹脂層30を熱伝導性が高くしかも接着性のある樹脂、例えば銀のフィラーを加えたポリイミドで形成しておき、裏面樹脂層30を剥がさない構成にすることにより、光導波路デバイス100を電気回路基板に固定する際の接着剤として利用でき、工程が簡略化できる。また、レーザーダイオードの熱が裏面樹脂層30を伝導して電気回路基板に逃げるため、電気回路基板を介して放熱できるという利点も得られる。
【0036】
【発明の効果】
上述してきたように、本発明によれば、無機材料基板上に樹脂製光導波路を搭載した光導波路デバイスの製造方法であって、基板の反りを抑制して精度良く光導波路をパターニングすることのできる光導波路デバイスの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 (a)〜(c)は、本発明の一実施の形態の模式化された光導波路デバイスの製造方法を示す切り欠き斜視図である。
【図2】 (d)、(e)は、本発明の一実施の形態の模式化された光導波路デバイスの製造方法を示す切り欠き斜視図である。
【図3】 本発明の一実施の形態の製造方法で製造した模式化された光導波路デバイスの構成を示す斜視図である。
【図4】 (a)は、図1(c)の工程で光導波路4をパターニングする前の基板1の反りを示す断面図である。(b)は、比較例として裏面樹脂層30を形成しなかった場合の基板1の反りを示す断面図である。
【図5】 (a)〜(d)は、本発明の一実施の形態の光導波路デバイスの製造方法においてダイシングの工程を示す説明図である。
【符号の説明】
1・・・シリコン基板
3・・・下部クラッド層
4・・・光導波路
5・・・上部クラッド層
7・・・電極部
10・・・光導波路積層体
30・・・裏面樹脂層
100・・・光導波路デバイス
Claims (6)
- 基板の上面に、下部クラッド層を樹脂により形成する第1の工程と、
前記下部クラッド層の上に光導波路用樹脂層をさらに積層する第2の工程と、
前記第2の工程で形成した光導波路用樹脂層を所望の光導波路の形状にパターニングするためにフォトリソグラフィを行う第3の工程とを有する光導波路デバイスの製造方法であって、
前記基板として無機材料からなる基板を用い、前記第1の工程の前、または、第1の工程後で第2の工程の前、または、第2の工程後で第3の工程前に、前記下部クラッド層および前記光導波路用樹脂層が前記基板に与える応力をうち消すための加熱により接着性を示し、かつ樹脂中に熱伝導性材料の粒子が分散された熱伝導性を示す樹脂層を、前記基板の裏面に形成する裏面樹脂層形成工程を含むことを特徴とする光導波路デバイスの製造方法。 - 請求項1において、裏面樹脂層形成工程が、第1の工程の前に行われる光導波路デバイスの製造方法。
- 請求項1又は2において、熱伝導性を示す樹脂として、ポリイミド樹脂中に、銀、Si、ダイヤモンドからなる群より選択される熱伝導性材料の粒子が分散されたものを用いる光導波路デバイスの製造方法。
- 請求項1乃至3の何れかにおいて、基板として光導波路が複数個形成できる大きさのものを用い、第1、第2、第3および裏面樹脂層形成工程を前記基板全体に対して施すことにより、前記光導波路を前記基板上に複数個形成し、前記第3の工程の後に、前記光導波路ごとに前記基板を切り分ける切断工程を有し、該切断工程において前記基板裏面の樹脂層を残して前記基板を切り分けることにより、前記樹脂層により複数の前記光導波路デバイスが連なった形状で完成させることを特徴とする光導波路デバイスの製造方法。
- 無機材料基板と、前記基板の上面に配置された、樹脂製の光導波路と、樹脂製のクラッド層とを有し、前記基板の裏面には、前記樹脂製の光導波路と前記樹脂製のクラッド層とが前記基板に与える応力をうち消すための樹脂層であって、加熱により接着性を示し、かつ樹脂中に熱伝導性材料の粒子が分散された熱伝導性を示す裏面樹脂層が配置されていることを特徴とする光導波路デバイス。
- 請求項5において、熱伝導性を示す樹脂が、ポリイミド樹脂中に銀、Si、ダイヤモンドからなる群より選択される熱伝導性材料の粒子が分散されたものである光導波路デバイス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000208579A JP4457399B2 (ja) | 2000-07-10 | 2000-07-10 | 光導波路デバイスの製造方法、および、光導波路デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000208579A JP4457399B2 (ja) | 2000-07-10 | 2000-07-10 | 光導波路デバイスの製造方法、および、光導波路デバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002022992A JP2002022992A (ja) | 2002-01-23 |
JP4457399B2 true JP4457399B2 (ja) | 2010-04-28 |
Family
ID=18705137
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000208579A Expired - Fee Related JP4457399B2 (ja) | 2000-07-10 | 2000-07-10 | 光導波路デバイスの製造方法、および、光導波路デバイス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4457399B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4742779B2 (ja) * | 2005-09-26 | 2011-08-10 | 富士ゼロックス株式会社 | 光導波路素子の製造方法 |
JP2017142423A (ja) * | 2016-02-12 | 2017-08-17 | 古河電気工業株式会社 | 基板、光導波路素子、基板の製造方法、および光導波路素子の製造方法 |
-
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002022992A (ja) | 2002-01-23 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20051220 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20051220 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070612 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090410 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090420 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090618 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090831 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091130 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091209 |
|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20091216 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100118 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100131 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130219 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130219 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140219 Year of fee payment: 4 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140219 Year of fee payment: 4 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |