JP4742779B2 - 光導波路素子の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の目的は、光導波路素子の下部クラッド層と導波路層間における剥離を抑え、切断の工程等でロットアウトしてしまう素子を減らすことができ、コストを削減することができる光導波路素子の製造方法を提供することにある。
(1)さらに、前記導波路層を形成後、導波路部を形成するまでの間に、前記導波路層における入出力端面の光の入出力に係らない部分を除去する工程を含む。
(2)さらに、基板上に下部電極を形成する工程、および上部クラッド層上に、上部電極を形成する工程を含む。このように電極を設けることにより、膜厚方向に電圧を印加することが可能となる。
(3)前記導波路層が、電気光学効果を有する導波路層である。導波路層に電気光学効果を有する材料を用いることにより、電気光学効果によって、伝搬光を制御することが可能となる。
(4)導波路層を形成した後、パターンニングを行い、リッジ型の構造に加工する。このように、導波路層を適当な高さに加工することにより、光導波路の横方向の実効屈折率を、任意に設計し、モードフィールド径を変化させることが可能となる。
(5)下部クラッド層を形成した後、パターンニングを行い、該下部クラッド層を加工してトレンチを形成する工程と、この上に、導波路層を形成することにより、逆リッジ型の構造を得る。
[有機薄膜素子及びその製造方法]
本発明の有機薄膜素子の製造方法は、基板上に、少なくとも1層の有機機能性薄膜を形成する第1工程と、該有機機能性薄膜上に保護層を形成する第2工程と、保護層形成後の基板を切断して素子状に加工する第3工程とを有する有機薄膜素子の製造方法において、前記第1工程と前記第2工程との間に、前記有機機能性薄膜における、前記第3工程で切断される切断線を含む領域の一部または全部を除去する工程を有することを特徴としている。
また、本発明の有機薄膜素子は、基板上に、少なくとも1層の有機機能性薄膜と、保護層とを有し、素子状に切断されてなる有機薄膜素子において、切断線を含む領域の有機機能性薄膜の一部または全部が除去されてなることを特徴としている。
次に、本発明の第2の態様である光導波路素子及びその製造方法について説明する。第2の態様は、前記第1の態様の具体的態様である。すなわち、
本発明の光導波路素子は、基板上に、下部クラッド層を形成する工程と、該下部クラッド層上に導波路層を形成する工程と、前記導波路層に光の伝搬を行う導波路部を形成する工程と、前記導波路層の上部に上部クラッド層を形成する工程と、光の入出力端面と、該入出力端面と交わる2面とが切断面となるように素子状に切断する工程と、を有する光導波路素子の製造方法であって、前記導波路層を形成後、導波路部を形成するまでの間に、前記入出力端面と交わる予定切断面と少なくとも前記導波路層とが交差する領域を含む導波路層の一部又は全部の領域を除去する工程を含むことを特徴としている。
なお、前記「予定切断面」とは、切断工程において切断しようとする面を、予め定めた仮想的な面である。
このような本発明の光導波路素子は、本発明の光導波路素子の製造方法により以下のようにして製造される。
以下に、本発明の光導波路素子の製造方法によって製造される。以下、順を追って説明する。
まず、基板の表面に、必要に応じて下部電極として金属材料を堆積する。上記基板としては、各種金属基板(アルミニウム、金、鉄、ニッケル、クロム、ステンレスなど)、各種半導体基板(シリコン、酸化シリコン、酸化チタン、酸化亜鉛、ガリウム−ヒ素など)、ガラス基板、プラスチック基板(PET(ポリエチレンテレフタレート)、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアセテート、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリウレタン、ポリイミド、ポリスチレン、ポリアミドなど)、等を用いることができる。これらの基板は厚く剛直でもよいし、薄く柔軟でもよい。半導体基板、ガラス基板、プラスチック基板の表面には、前記のように下部電極が形成される。下部電極の材料としては、Au、Ti、TiN、Pt、Ir、Cu、Al、Al−Cu、Al−Si−Cu、W、Moなどの各種金属、各種酸化物(NESA(酸化スズ)、酸化インジウム、ITO(酸化スズ−酸化インジウム複合酸化物)や、各種有機導電体(ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリパラフェニレンビニレン、ポリアセチレン)などが用いられる。これらの導電膜は、蒸着、スパッタリング、塗布や電解析出法などにより形成され、必要に応じてパターンが形成されていてもよい。
D−P−A ・・・ 構造式(1)
構造式(1)中、Dは、電子供与性を有する原子団、Pは結合部、Aは電子吸引性を有する原子団、を表す。構造式(1)において、「D」で表される電子供与性を有する原子団としては、電子供与性を有するものであれば公知のものを用いることができるが、電子供与性置換基を有する、脂肪族不飽和結合、芳香環、ヘテロ芳香環、及びそれらの組み合わせからなるものであることが好ましい。前記電子供与性置換基としては、電子供与性を有するものであれば特に限定されないが、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基、などが望ましい。なお、前記アルキル基の一部がアルコキシ基やフェニル基で置換されてもよく、前記アルコキシ基の一部がアルコキシ基やフェニル基で置換されてもよく、また、前記アミノ基の一部がアルキル基やアルコキシ基、あるいはフェニル基で置換されてもよい。
導波路層の材料として、下記構造式で表されるポリカーボネート樹脂を、THF1質量部とシクロヘキサノン4質量部とを混合した溶媒中に溶解し、15質量%の樹脂溶液を調製した。次いで、この樹脂溶液中に、Dispers Red 1を固形分比として20質量%となる量だけ添加して溶解し、導波路層用塗布液とした。
このようにして上部クラッド層まで形成したシリコンウェハを、ダイサーにより、5mm×20mmに切り出して光導波路素子とした。この際、光導波路素子の各層間での剥離は起こらず、所望の光導波路素子を得ることができた。この光導波路素子を用い、波長が1.55μmの半導体レーザを光源とする光挿入損失評価装置により、モードフィールド径10.5μmのシングルモード光ファイバーに対する挿入損失を評価した結果、挿入損失は9.2dBであった。
実施例1と同様にして導波路層用塗布液まで塗布した後、入出力端面と直行する2辺の切断線の導波路層を除去しないでドライエッチングにより、導波路として幅が4.2μmで、0.8μmの段差を有するリッジ型のチャネル導波路を作製した。
さらに、導波路を形成した前記導波路層の表面に、エポキシ樹脂をスピンコートにより塗布して上部クラッド層形成した。該上部クラッド層の膜厚は5.2μmであった。
このようにして上部クラッド層まで形成したシリコンウェハを、ダイサーにより、5mm×20mmに切り出して光導波路素子としようとしたが、切断時に導波路層と下部クラッド層との層間より剥離が生じてしまい、所望の光導波路素子を得ることはできなかった。
自然酸化膜を有するシリコン基板(直径:50.8mm、厚さ:0.5mm)表面に、スパッタ法により下部電極としてAuを厚さ0.3μm設けたものを基板として用い、この下部電極表面に、エポキシ樹脂(NTT-AT製、C2861)を、スピンコート法により塗布した後、紫外線照射装置を用いて、50mW/cm2の紫外線を5分間照射し、さらに100℃にて1時間加熱して下部クラッド層を形成した。該下部クラッド層の膜厚は4.5μmであった。次いで、導波路層用塗布液として実施例1と同様なものを用いて、上記下部クラッド層の表面に滴下し、スピンコートにより製膜し、溶媒を乾燥して導波路層とした。該導波路層の膜厚は、2.3μmであった。この導波路層に、フォトリソグラフィーを用いて、入出力端面と直行する2辺の切断線を、幅500μmに渡って、パターンニングした後、ドライエッチングにより深さ2.6μmに渡って導波路層を除去した。次いで、同様にフォトリソグラフィーを用いて、マッハツェンダー型の導波路パターンを作製した後、ドライエッチングにより、導波路として幅が4.8μmで、0.9μmの段差を有するリッジ型のチャネル導波路を作製した。
次いで上部クラッド層表面に、フォトリソグラフィーを用いて制御電極パターンを形成した後、スパッタ法によりAuを厚さ0.3μm成膜し、リフトオフ法により制御電極を形成した。
このようにして制御電極まで形成したシリコンウェハを、ダイサーにより、5mm×20mmに切り出して導波路型マッハツェンダー光デバイスとした。この際、光導波路素子の各層間での剥離は起こらず、所望の導波路型マッハツェンダー光デバイスを得ることができた。この導波路型マッハツェンダー光デバイスを用い、波長が1.55μmの半導体レーザを光源とする光挿入損失評価装置により、モードフィールド径10.5μmのシングルモード光ファイバーに対する挿入損失を評価した結果、挿入損失は9.8dBであった。
次いで、この導波路型マッハツェンダー光デバイスに電圧を印加し、変調特性を評価した。半波長電圧(Vπ)は22Vの結果が得られ、光変調素子として機能することが確認された。
導波路層の材料として、ポリサルホン樹脂(ソルベイアドバンストポリマーズ製、Udel P-1700)を、THF1質量部とシクロヘキサノン9質量部とを混合した溶媒中に溶解し、13質量%の樹脂溶液を作製した。次いで、この樹脂溶液中に、Dispers Red 1を固形分比として25質量%となる量だけ添加して溶解し、導波路層用塗布液とした。実施例2と同様にして下部クラッド層まで形成した後、前記導波路層をスピンコート法により製膜し、溶媒を乾燥して導波路層とした。該導波路層の膜厚は、1.9μmであった。
導波路層を除去する工程を除いた以外は、実施例2と同様にして制御電極まで形成した後、シリコンウェハを、ダイサーにより、5mm×20mmに切り出して光導波路素子としようとしたが、切断時に導波路層と下部クラッド層との層間より剥離が生じてしまい、所望の光導波路素子を得ることはできなかった。
実施例3と同様にして、導波路層まで形成し、導波路層を除去する工程を行わず、フォトリソグラフィーを用いて、マッハツェンダー型の導波路パターンを作製した後、ドライエッチングにより、導波路として幅が2.2μmで、2.1μmの深さまでエッチングして、チャネル導波路を作製した。その後、実施例2と同様にして上部クラッド層、制御電極を形成して埋め込み型の導波路構造を有する導波路型マッハツェンダー光デバイスを作製した。
実施例3と同様にして、下部クラッド層まで形成し、フォトリソグラフィーを用いて、マッハツェンダー型の導波路パターンを作製した後、ドライエッチングにより、導波路として幅が5.1μmで、0.9μmの段差を有するリッジ型のチャネル導波路パターンのトレンチを形成した。
このようにして制御電極まで形成したシリコンウェハを、ダイサーにより、5mm×20mmに切り出して導波路型マッハツェンダー光デバイスとした。この際、光導波路素子の各層間での剥離は起こらず、所望の導波路型マッハツェンダー光デバイスを得ることができた。この導波路型マッハツェンダー光デバイスを用い、波長が1.55μmの半導体レーザを光源とする光挿入損失評価装置により、モードフィールド径10.5μmのシングルモード光ファイバーに対する挿入損失を評価した結果、挿入損失は9.2dBであった。
実施例1における導波路層を除去する工程において、入出力端面と直行する2辺の切断線に対応する領域のみならず、入出力端面となる切断線を含む領域(幅:500μm)であって、光の入出力に係らない導波路層を除去したこと以外は実施例1と同様にして光導波路素子を作製した。ダイサーにより切り出す際、光導波路素子の各層間での剥離は起こらず、所望の光導波路素子を得ることができた。この光導波路素子を用い、波長が1.55μmの半導体レーザを光源とする光挿入損失評価装置により、モードフィールド径10.5μmのシングルモード光ファイバーに対する挿入損失を評価した結果、挿入損失は9.3dBであった。
12 基板
13 下部電極
14 下部クラッド層
16 導波路層
18 上部クラッド層
20 上部電極
Claims (6)
- 基板上に、下部クラッド層を形成する工程と、該下部クラッド層上に導波路層を形成する工程と、前記導波路層に光の伝搬を行う導波路部を形成する工程と、前記導波路層の上部に上部クラッド層を形成する工程と、光の入出力端面と、該入出力端面と交わる2面とが切断面となるように素子状に切断する工程と、を有する光導波路素子の製造方法であって、
前記導波路層を形成後、導波路部を形成するまでの間に、前記入出力端面と交わる予定切断面と少なくとも前記導波路層とが交差する領域を含む導波路層の一部又は全部の領域を除去する工程であって、前記導波路層よりも深くエッチングして、前記導波路層の一部又は全部の領域を除去する工程を含むことを特徴とする光導波路素子の製造方法。 - さらに、前記導波路層を形成後、導波路部を形成するまでの間に、前記導波路層における入出力端面の光の入出力に係らない部分を除去する工程を含むことを特徴とする請求項1に記載の光導波路素子の製造方法。
- さらに、基板上に下部電極を形成する工程、および上部クラッド層上に、上部電極を形成する工程を含むことを特徴とする請求項1又は2に記載の光導波路素子の製造方法。
- 前記導波路層が、電気光学効果を有する導波路層であることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の光導波路素子の製造方法。
- 導波路層を形成した後、パターンニングを行い、リッジ型の構造に加工することを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の光導波路素子の製造方法。
- 下部クラッド層を形成した後、パターンニングを行い、該下部クラッド層を加工してトレンチを形成する工程と、この上に、導波路層を形成することにより、逆リッジ型の構造を得ることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項記載の光導波路素子の製造方法。
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