JPH0959380A - フッ素化ポリイミドの表面改良方法 - Google Patents
フッ素化ポリイミドの表面改良方法Info
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- JPH0959380A JPH0959380A JP21713195A JP21713195A JPH0959380A JP H0959380 A JPH0959380 A JP H0959380A JP 21713195 A JP21713195 A JP 21713195A JP 21713195 A JP21713195 A JP 21713195A JP H0959380 A JPH0959380 A JP H0959380A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 フッ素化ポリイミド同士の接着性をプロセス
加工に必要な程度に向上させる。また、フッ素化ポリイ
ミドと金属膜との接着性をプロセス加工に必要な程度に
向上させる。 【解決手段】 通信用有機光学材料として用いるフッ素
化ポリイミドを、Ｏ2ガスとＣＦ4ガスとの混合ガスで前
記ＣＦ4ガスを２５％以下の混合比とする混合ガスのプ
ラズマによって処理することにより、フッ素化ポリイミ
ド同士の層間接着強度を向上させる。また、通信用有機
光学材料として用いるフッ素化ポリイミドを、Ｏ2ガス
とＣＦ4ガスとの混合ガスで前記ＣＦ4ガスをほぼ５０％
の混合比とする混合ガスのプラズマによって処理するこ
とにより、フッ素化ポリイミドとＴｉ膜との接着強度を
向上させる。
加工に必要な程度に向上させる。また、フッ素化ポリイ
ミドと金属膜との接着性をプロセス加工に必要な程度に
向上させる。 【解決手段】 通信用有機光学材料として用いるフッ素
化ポリイミドを、Ｏ2ガスとＣＦ4ガスとの混合ガスで前
記ＣＦ4ガスを２５％以下の混合比とする混合ガスのプ
ラズマによって処理することにより、フッ素化ポリイミ
ド同士の層間接着強度を向上させる。また、通信用有機
光学材料として用いるフッ素化ポリイミドを、Ｏ2ガス
とＣＦ4ガスとの混合ガスで前記ＣＦ4ガスをほぼ５０％
の混合比とする混合ガスのプラズマによって処理するこ
とにより、フッ素化ポリイミドとＴｉ膜との接着強度を
向上させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機光学材料を用
いた光導波路部品などの光学部品の作製に適用されるフ
ッ素化ポリイミドの表面改良方法に関するものである。
いた光導波路部品などの光学部品の作製に適用されるフ
ッ素化ポリイミドの表面改良方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、通信用有機光学材料として有望視
されているフッ素化ポリイミドを用いた光導波路は、２
種類の屈折率の異なる材料を用いて屈折率の高いコアに
光を閉じ込めて導波させている。この導波路は、図２に
断面図で示すような作製工程により形成される。
されているフッ素化ポリイミドを用いた光導波路は、２
種類の屈折率の異なる材料を用いて屈折率の高いコアに
光を閉じ込めて導波させている。この導波路は、図２に
断面図で示すような作製工程により形成される。
【０００３】すなわち、図２（ａ）に示すように光導波
路のベースとなるシリコン基板１上に後工程で屈折率の
低いフッ素化ポリイミド（以下、ＦＬＵＰＩと称す）の
クラッド層を形成する前処理としてシリコン基板１とフ
ッ素化ポリイミドとの接着性を向上させるために図２
（ｂ）に示すように接着改良剤２を塗布する。次に図２
（ｃ）に示すようにスピンコート法などより、屈折率の
低いフッ素化ポリイミドを塗布してクラッド層３を形成
する。
路のベースとなるシリコン基板１上に後工程で屈折率の
低いフッ素化ポリイミド（以下、ＦＬＵＰＩと称す）の
クラッド層を形成する前処理としてシリコン基板１とフ
ッ素化ポリイミドとの接着性を向上させるために図２
（ｂ）に示すように接着改良剤２を塗布する。次に図２
（ｃ）に示すようにスピンコート法などより、屈折率の
低いフッ素化ポリイミドを塗布してクラッド層３を形成
する。
【０００４】この場合、屈折率の低いフッ素化ポリイミ
ドとしては、ＰＭＤＡ／ＴＦＤＢ：９０％および６ＦＤ
Ａ／ＴＦＤＢ：１０％（以下、ＦＬＵＰＩ−９１と称
す）が用いられる。ここで、ＰＭＤＡはピロメリト酸二
無水物、ＴＦＤＢは２，２′−ビス（トリフルオロメチ
ル）−４，４′−ジアミノビフェニル、６ＦＤＡは２，
２′−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフ
ルオロプロパン二無水である。なお、フッ素化ポリイミ
ドは、ＰＭＤＡ／ＴＦＤＢと６ＦＤＡ／ＴＦＤＢとを反
応させてイミドを作製し、それを重合させて作製され
る。
ドとしては、ＰＭＤＡ／ＴＦＤＢ：９０％および６ＦＤ
Ａ／ＴＦＤＢ：１０％（以下、ＦＬＵＰＩ−９１と称
す）が用いられる。ここで、ＰＭＤＡはピロメリト酸二
無水物、ＴＦＤＢは２，２′−ビス（トリフルオロメチ
ル）−４，４′−ジアミノビフェニル、６ＦＤＡは２，
２′−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフ
ルオロプロパン二無水である。なお、フッ素化ポリイミ
ドは、ＰＭＤＡ／ＴＦＤＢと６ＦＤＡ／ＴＦＤＢとを反
応させてイミドを作製し、それを重合させて作製され
る。
【０００５】次に図２（ｄ）に示すようにクラッド層３
の表面を図示しない接着改良剤により処理し、その上に
屈折率の高いフッ素化ポリイミドでコア層４を形成す
る。さらにこのコア層４の表面にコア層４をリッジ型に
エッチングするために例えばＴｉを堆積させてマスク５
を形成する。この場合、屈折率の高いポリイミドとして
は、ＰＭＤＡ／ＴＦＤＢ：１００％（以下、ＦＬＵＰＩ
−１０と称す）が用いられる。なお、フッ素化ポリイミ
ドの屈折率はフッ素の含有量によって制御されている。
また、従来では、このような適切な表面改良剤が存在し
ていなかったので、Ｔｉ堆積の前処理としての表面改良
剤が使用されていない。
の表面を図示しない接着改良剤により処理し、その上に
屈折率の高いフッ素化ポリイミドでコア層４を形成す
る。さらにこのコア層４の表面にコア層４をリッジ型に
エッチングするために例えばＴｉを堆積させてマスク５
を形成する。この場合、屈折率の高いポリイミドとして
は、ＰＭＤＡ／ＴＦＤＢ：１００％（以下、ＦＬＵＰＩ
−１０と称す）が用いられる。なお、フッ素化ポリイミ
ドの屈折率はフッ素の含有量によって制御されている。
また、従来では、このような適切な表面改良剤が存在し
ていなかったので、Ｔｉ堆積の前処理としての表面改良
剤が使用されていない。
【０００６】次に図２（ｅ）に示すようにパターン形成
されたＴｉマスク５を用いてＯ2 ガス雰囲気でのＲＩＥ
（反応性イオンエッチング）により、光を閉じ込めて導
波するコア６を形成する。次に図２（ｆ）に示すように
Ｔｉマスク５を除去し、屈折率の低いフッ素化ポリイミ
ド（ＦＬＵＰＩ−９１）を塗布してオーバークラッド層
７を形成して光導波路が完成する。
されたＴｉマスク５を用いてＯ2 ガス雰囲気でのＲＩＥ
（反応性イオンエッチング）により、光を閉じ込めて導
波するコア６を形成する。次に図２（ｆ）に示すように
Ｔｉマスク５を除去し、屈折率の低いフッ素化ポリイミ
ド（ＦＬＵＰＩ−９１）を塗布してオーバークラッド層
７を形成して光導波路が完成する。
【０００７】ここで、前述した図２（ｄ）の工程におい
て、クラッド層３（ＦＬＵＰＩ−９１）とコア層４（Ｆ
ＬＵＰＩ−１０）とがプロセス中に剥離することを防止
するために接着改良剤を塗布している。これは、通信用
有機光学材料として優れた特性を有するフッ素化ポリイ
ミドは、屈折率制御のためにフッ素が使用されており、
このフッ素があるためにフッ素化ポリイミド同士の接着
性を悪くし、極端な場合は剥離を起こすためである。
て、クラッド層３（ＦＬＵＰＩ−９１）とコア層４（Ｆ
ＬＵＰＩ−１０）とがプロセス中に剥離することを防止
するために接着改良剤を塗布している。これは、通信用
有機光学材料として優れた特性を有するフッ素化ポリイ
ミドは、屈折率制御のためにフッ素が使用されており、
このフッ素があるためにフッ素化ポリイミド同士の接着
性を悪くし、極端な場合は剥離を起こすためである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに接着改良剤を用いる方法によると、クラッド層３と
コア層４との層間に屈折率の異なる材料が存在し、光導
波路などの屈折率の違いによって光を閉じ込めて導波さ
せる部品には適さないという問題があった。なお、フッ
素を含まず、通信用有機光学材料として不適当なポリイ
ミド層間の接着強度に対してはプラズマ処理による改善
例が存在するが、この場合は、プラズマを生成するガス
としてＯ2：５０％，ＣＦ4：５０％の混合比を使用する
と、強い接着強度が得られるという報告例がある。
うに接着改良剤を用いる方法によると、クラッド層３と
コア層４との層間に屈折率の異なる材料が存在し、光導
波路などの屈折率の違いによって光を閉じ込めて導波さ
せる部品には適さないという問題があった。なお、フッ
素を含まず、通信用有機光学材料として不適当なポリイ
ミド層間の接着強度に対してはプラズマ処理による改善
例が存在するが、この場合は、プラズマを生成するガス
としてＯ2：５０％，ＣＦ4：５０％の混合比を使用する
と、強い接着強度が得られるという報告例がある。
【０００９】一般にＲＩＥなどのようなエッチングを含
むプロセスを支障無く実施できるためには、エッチング
の対象となるものは、５００ｇｆ／ｃｍ以上の接着強度
を持っていることが必要と言われている。
むプロセスを支障無く実施できるためには、エッチング
の対象となるものは、５００ｇｆ／ｃｍ以上の接着強度
を持っていることが必要と言われている。
【００１０】また、フッ素化ポリイミドとＴｉマスクな
どのような金属膜との接着強度については、前述した従
来例では、適切な表面改良材が存在しないために特別な
前処理は施されていないが、プロセス加工を実施するた
めの十分な接着強度が得られないという問題があった。
どのような金属膜との接着強度については、前述した従
来例では、適切な表面改良材が存在しないために特別な
前処理は施されていないが、プロセス加工を実施するた
めの十分な接着強度が得られないという問題があった。
【００１１】また、マスクの接着強度が不十分である
と、ＲＩＥなどでドライエッチングした場合、ポリイミ
ドの加工精度が低下するため、サブミクロンオーダの精
度が要求される光導波路を再現性良く作製することが困
難であった。
と、ＲＩＥなどでドライエッチングした場合、ポリイミ
ドの加工精度が低下するため、サブミクロンオーダの精
度が要求される光導波路を再現性良く作製することが困
難であった。
【００１２】なお、通信用有機光学材料としては用いら
れないポリイミドと金属膜との接着性については、従来
イオンビームなどによって表面の粗面化による接着強度
向上の報告があるが、フッ素を含む前記フッ素化ポリイ
ミドに対しては、接着強度が不十分であり、厚い金属膜
が形成できない。
れないポリイミドと金属膜との接着性については、従来
イオンビームなどによって表面の粗面化による接着強度
向上の報告があるが、フッ素を含む前記フッ素化ポリイ
ミドに対しては、接着強度が不十分であり、厚い金属膜
が形成できない。
【００１３】したがって本発明は、前述した従来の課題
を解決するためになされたものであり、その目的は、フ
ッ素化ポリイミド同士の接着性をプロセス加工に必要な
程度に向上させることができるフッ素化ポリイミドの表
面改良方法を提供することにある。また、他の目的は、
フッ素化ポリイミドと金属膜との接着性をプロセス加工
に必要な程度に向上させることができるフッ素化ポリイ
ミドの表面改良方法を提供することにある。
を解決するためになされたものであり、その目的は、フ
ッ素化ポリイミド同士の接着性をプロセス加工に必要な
程度に向上させることができるフッ素化ポリイミドの表
面改良方法を提供することにある。また、他の目的は、
フッ素化ポリイミドと金属膜との接着性をプロセス加工
に必要な程度に向上させることができるフッ素化ポリイ
ミドの表面改良方法を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために本発明は、通信用有機光学材料として用いるフ
ッ素化ポリイミドを、Ｏ2ガスとＣＦ4ガスとの混合ガス
で前記ＣＦ4ガスを２５％以下の混合比とする混合ガス
のプラズマによって処理することにより、フッ素化ポリ
イミド同士の層間接着強度を向上させるようにしたもの
である。
るために本発明は、通信用有機光学材料として用いるフ
ッ素化ポリイミドを、Ｏ2ガスとＣＦ4ガスとの混合ガス
で前記ＣＦ4ガスを２５％以下の混合比とする混合ガス
のプラズマによって処理することにより、フッ素化ポリ
イミド同士の層間接着強度を向上させるようにしたもの
である。
【００１５】また、他の発明は、通信用有機光学材料と
して用いるフッ素化ポリイミドを、Ｏ2ガスとＣＦ4ガス
との混合ガスで前記ＣＦ4ガスをほぼ５０％の混合比と
する混合ガスのプラズマによって処理することにより、
フッ素化ポリイミドとＴｉ膜との接着強度を向上させる
ようにしたものである。
して用いるフッ素化ポリイミドを、Ｏ2ガスとＣＦ4ガス
との混合ガスで前記ＣＦ4ガスをほぼ５０％の混合比と
する混合ガスのプラズマによって処理することにより、
フッ素化ポリイミドとＴｉ膜との接着強度を向上させる
ようにしたものである。
【００１６】本発明におけるＯ2ガスとＣＦ4ガスとの混
合ガスのプラズマは、化学的活性種（イオン，フリーラ
ジカル，活性原子など）の密度が高いので、ポリイミド
表面にＦ−Ｃ＝Ｏ基などの官能基が生成する傾向があ
る。そのＦ−Ｃ＝Ｏ基がポリイミドワニス中のアミノ基
またはペプチド基と脱フッ化水素反応を起こし縮合し、
ＣとＮとの間に共有結合を生成する。この共有結合が接
着性を向上させる。
合ガスのプラズマは、化学的活性種（イオン，フリーラ
ジカル，活性原子など）の密度が高いので、ポリイミド
表面にＦ−Ｃ＝Ｏ基などの官能基が生成する傾向があ
る。そのＦ−Ｃ＝Ｏ基がポリイミドワニス中のアミノ基
またはペプチド基と脱フッ化水素反応を起こし縮合し、
ＣとＮとの間に共有結合を生成する。この共有結合が接
着性を向上させる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の実施
形態を説明する。図１は、スピンコート法により形成し
た厚さ約５０μｍの屈折率の低いフッ素化ポリイミド
（ＦＬＵＰＩ−９１）を塗布して形成した薄膜に対して
その表面にＯ2ガスとＣＦ4ガスとのガス混合比を変えて
プラズマ処理した後、さらに厚さ約５０μｍの屈折率の
低いフッ素化ポリイミド（ＦＬＵＰＩ−９１）を塗布し
て形成した薄膜の接着強度の変化を示したものである。
形態を説明する。図１は、スピンコート法により形成し
た厚さ約５０μｍの屈折率の低いフッ素化ポリイミド
（ＦＬＵＰＩ−９１）を塗布して形成した薄膜に対して
その表面にＯ2ガスとＣＦ4ガスとのガス混合比を変えて
プラズマ処理した後、さらに厚さ約５０μｍの屈折率の
低いフッ素化ポリイミド（ＦＬＵＰＩ−９１）を塗布し
て形成した薄膜の接着強度の変化を示したものである。
【００１８】なお、図中、右縦軸は接着強度（黒四角）
を示し、左縦軸はプラズマ処理時のエッチング速度（白
丸）を示している。接着強度は、Ｔ型ピールテストによ
り評価した。また、屈折率の低いフッ素化ポリイミド
（ＦＬＵＰＩ−９１）の表面のプラズマ処理は、平行平
板型反応性イオンエッチング装置により行った。また、
ＲＦパワーを約２００Ｗとし、全ガス圧力を１．０Ｐａ
とし、処理は約３分間行った。
を示し、左縦軸はプラズマ処理時のエッチング速度（白
丸）を示している。接着強度は、Ｔ型ピールテストによ
り評価した。また、屈折率の低いフッ素化ポリイミド
（ＦＬＵＰＩ−９１）の表面のプラズマ処理は、平行平
板型反応性イオンエッチング装置により行った。また、
ＲＦパワーを約２００Ｗとし、全ガス圧力を１．０Ｐａ
とし、処理は約３分間行った。
【００１９】図１より、Ｏ2 ガス１００％の条件で接着
強度は約７５０ｇｆ／ｃｍを示し、これはプラズマ処理
を行わない条件での接着強度２５０ｇｆ／ｃｍのほぼ３
倍の強度を示すことが判る。これより、プロセス条件で
ある接着強度５００ｇｆ／ｃｍ以上を満たすためには、
ＣＦ4ガスの混合比が２５％以下とすれば良いことが判
る。しかも、エッチング速度はＣＦ4ガスが２５％以下
では大きいので、効率的である。
強度は約７５０ｇｆ／ｃｍを示し、これはプラズマ処理
を行わない条件での接着強度２５０ｇｆ／ｃｍのほぼ３
倍の強度を示すことが判る。これより、プロセス条件で
ある接着強度５００ｇｆ／ｃｍ以上を満たすためには、
ＣＦ4ガスの混合比が２５％以下とすれば良いことが判
る。しかも、エッチング速度はＣＦ4ガスが２５％以下
では大きいので、効率的である。
【００２０】また、光導波路の形成には、フッ素の含有
率の低いＦＬＵＰＩ−１０と、フッ素含有率の高いＦＬ
ＵＰＩ−９１とが接触する組み合わせも必要となるが、
フッ素が少ない方が接着強度は大きくなるので、ＦＬＵ
ＰＩ−９１同士の組み合わせにおいて必要な接着強度が
保証できれば、光導波路の形成上では十分である。
率の低いＦＬＵＰＩ−１０と、フッ素含有率の高いＦＬ
ＵＰＩ−９１とが接触する組み合わせも必要となるが、
フッ素が少ない方が接着強度は大きくなるので、ＦＬＵ
ＰＩ−９１同士の組み合わせにおいて必要な接着強度が
保証できれば、光導波路の形成上では十分である。
【００２１】下記表１は、フッ素含有率の高いＦＬＵＰ
Ｉ−９１とＴｉとの接着性を示し、前述した同様の条件
でプラズマ処理を施した場合、碁盤目テストによって接
着強度を評価した結果を示したものである。なお、表１
中、評価記号○は、碁盤目テストの結果が０〜３０％剥
離の場合を示し、十分な接着強度があることを示してい
る。また、評価記号△は、３０〜６０％剥離を示し、評
価記号×は６０〜１００％剥離を示している。表１より
明かなようにプロセス条件を満たすフッ素化ポリイミド
と金属膜との接着強度を得るには、ＣＦ4ガス混合比を
約５０％とすれば良いことが判る。
Ｉ−９１とＴｉとの接着性を示し、前述した同様の条件
でプラズマ処理を施した場合、碁盤目テストによって接
着強度を評価した結果を示したものである。なお、表１
中、評価記号○は、碁盤目テストの結果が０〜３０％剥
離の場合を示し、十分な接着強度があることを示してい
る。また、評価記号△は、３０〜６０％剥離を示し、評
価記号×は６０〜１００％剥離を示している。表１より
明かなようにプロセス条件を満たすフッ素化ポリイミド
と金属膜との接着強度を得るには、ＣＦ4ガス混合比を
約５０％とすれば良いことが判る。
【００２２】
【表１】
【００２３】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
通信用有機光学材料としてのフッ素化ポリイミドに対し
てプラズマ処理を施すことにより、フッ素化ポリイミド
同士の接着強度を、間に屈折率の異なる接着改良材を介
在させることなく、プロセス加工上、十分な大きさにす
ることが可能となる。
通信用有機光学材料としてのフッ素化ポリイミドに対し
てプラズマ処理を施すことにより、フッ素化ポリイミド
同士の接着強度を、間に屈折率の異なる接着改良材を介
在させることなく、プロセス加工上、十分な大きさにす
ることが可能となる。
【００２４】また、フッ素化ポリイミドと金属マスクと
の間の接着強度をプロセス加工上、十分な大きさにする
ことが可能となる。これによってサブミクロンオーダの
精度が要求される光導波路を再現性良く製造することが
できる。
の間の接着強度をプロセス加工上、十分な大きさにする
ことが可能となる。これによってサブミクロンオーダの
精度が要求される光導波路を再現性良く製造することが
できる。
【図１】 プラズマ処理におけるＯ2ガスとＣＦ4ガスと
のガス混合比がフッ素化ポリイミド同士の接着強度に与
える影響を示す図である。
のガス混合比がフッ素化ポリイミド同士の接着強度に与
える影響を示す図である。
【図２】 通信用有機光学材料であるフッ素化ポリイミ
ドを用いた光導波路の従来構造の作製工程を説明する各
工程の断面図である。
ドを用いた光導波路の従来構造の作製工程を説明する各
工程の断面図である。
１…シリコン基板、２…接着改良剤、３…クラッド層
（屈折率の低いフッ素化ポリイミド）、４…コア層（屈
折率の高いフッ素化ポリイミド）、５…Ｔｉマスク、６
…コア、７…オーバクラッド層（屈折率の低いフッ素化
ポリイミド）。
（屈折率の低いフッ素化ポリイミド）、４…コア層（屈
折率の高いフッ素化ポリイミド）、５…Ｔｉマスク、６
…コア、７…オーバクラッド層（屈折率の低いフッ素化
ポリイミド）。
Claims (2)
- 【請求項１】 通信用有機光学材料として用いるフッ素
化ポリイミドを、Ｏ2ガスとＣＦ4ガスとの混合ガスで前
記ＣＦ4ガスを２５％以下の混合比とする混合ガスのプ
ラズマによって処理することによりフッ素化ポリイミド
同士の層間接着を行うことを特徴とするフッ素化ポリイ
ミドの表面改良方法。 - 【請求項２】 通信用有機光学材料として用いるフッ素
化ポリイミドを、Ｏ2ガスとＣＦ4ガスとの混合ガスで前
記ＣＦ4ガスをほぼ５０％の混合比とする混合ガスのプ
ラズマによりフッ素化ポリイミドとＴｉ膜との接着を行
うことを特徴とするフッ素化ポリイミドの表面改良方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21713195A JP3333864B2 (ja) | 1995-08-25 | 1995-08-25 | 光導波路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21713195A JP3333864B2 (ja) | 1995-08-25 | 1995-08-25 | 光導波路の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0959380A true JPH0959380A (ja) | 1997-03-04 |
| JP3333864B2 JP3333864B2 (ja) | 2002-10-15 |
Family
ID=16699347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21713195A Expired - Lifetime JP3333864B2 (ja) | 1995-08-25 | 1995-08-25 | 光導波路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3333864B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002022988A (ja) * | 2000-07-10 | 2002-01-23 | Hitachi Chem Co Ltd | 光導波路デバイスの製造方法 |
| JP2003121674A (ja) * | 2001-10-16 | 2003-04-23 | Dainippon Printing Co Ltd | 光導波路およびその製造方法 |
| US6731856B1 (en) | 1998-11-27 | 2004-05-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Organic waveguide and manufacturing method thereof and optical part using the same |
| JP2004203022A (ja) * | 2002-12-10 | 2004-07-22 | Toppan Printing Co Ltd | 帯電防止性能を有する強密着蒸着フィルム |
| JP2004203023A (ja) * | 2002-12-10 | 2004-07-22 | Toppan Printing Co Ltd | 高性能バリアフィルム |
| JP2007093634A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-12 | Fuji Xerox Co Ltd | 有機薄膜素子及びその製造方法、並びに光導波路素子及びその製造方法 |
-
1995
- 1995-08-25 JP JP21713195A patent/JP3333864B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
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