JPS6377050A - 三層レジスト用中間層材料およびパタ−ン形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、超ＬＳＩ等の基板のパターン形成に用いられ
るオルガノポリシロキサンを主成分とする三層レジスト
用中間層材料に関し、特に、経時変化が少なく、しかも
、中間層上に均一な膜厚を有する良好な上層レジストを
形成することができる三層レジスト用中間層材料および
該中間層材料を用いた基板のパターン形成方法に関する
。

従来の技術 近年、ＬＳＩ等の半導体集積回路の高集積化に伴い、半
導体基板のパターン形成において、高精度・微細な加工
が要求されている。リソグラフィ法においても近紫外光
を用いた縮小投影露光、電子線直接描画、あるいはＸ線
露光と多様な展開を呈している。このようなりソグラフ
ィ法を用いた素子製造過程において、従来、基板上に存
在する段差が基板上に塗布したレジスト眉の膜厚を変動
させ、露光方法の如何によらずレジストパターンの寸法
精度を低下させるという問題を引き起こしていた。また
、パターン寸法が微細化するに従って、光露光の場合に
は基板からの反射光による定在波効果が、電子線露光の
場合には、反射電子による近接効果が形成パターン精度
低下の主な原因となりつつあり、これに対する対策が急
務となっている。

これらの問題の解決策として三層の膜を積層した、いわ
ゆる三層レジストがある。第１図はこの三層レジストの
構成を示す断面図である。第１図から明らかなように、
三層レジストはパターンを形成すべき基板１と、有機高
分子材料からなる下層レジスト層２と、中間層３と、放
射線感応高分子材料からなる上層レジスト４とで構成さ
れ、例えば上層レジスト４はＡ　Ｚ　−１３５０（シピ
レー社製）などの紫外線レジスト、ＰＭｊＶＩＡなどの
電子線又はＸ線レジストが適用される。この三層レジス
トは、下層レジスト層２が厚（形成されているため基板
段差を実効的に平坦化し、さらに、露光すべき上層レジ
スト層４は基板から隔てられることになるので、上記の
問題はすべて解決できる。

このような三層レジストのパターン形成は、先ず公知の
露光法により上層レジスト層４上に所定のパターンを形
成した後、中間層３及び下層レジスト層２を順次エツチ
ングおよび除去して行なわれる。エツチング手段として
は、主に寸法変換差の少ない反応性イオンエツチング（
ＲＩＥ）が用いられ、特に下層レジスト層２のエツチン
グは通常酸素ガスを用いた反応性イオンエツチング法（
０，ＲＩＥ）が用いられている。

また、中間層３がこの下層レジスト層２のエツチング時
のマスクとして作用するため、中間層としては０□ＲＩ
Ｅ耐性の高い材料、例えばＳｌ、３１０２、ＡＩ等の無
機材料が適用されている。

この中間層の形成法としては、一般にＣＶＤ法、スパッ
タ法、蒸着法のいずれかが用いられている。

しかしながら、最近では、通常の有機高分子と同様に基
板上にスピン塗布法により膜形成ができ、かつ無機材料
同様の化学的特性を有するオルガノポリシロキサン（通
常シリコーン樹脂）あるいは５ｉｎ２塗布液（通常スピ
ンオングラス、５ＯＧ）が上記中間層として用いられる
ようになってきた。

これはスピン塗布法が、ＣＶＤ法、蒸着法、スパッタ法
に比べ形成時間が極端に短くかつ簡単な操作で実施でき
るためである。

しかしながら、前記Ｓｉｎ、塗布液は、安定な特性を有
する被膜にするためには２００℃以上に加熱し、かつゆ
るやかな昇温での熱処理を必要とするため、熱処理条件
がきびしく限定され、この条件外だと被膜が割れる欠点
を有していた。また、５ｉｎ２塗布液には経時変化の問
題があり、スピン塗布用ノズルの先端で硬化してしまい
、また時間とともにゲル化してしまうため長期保存がで
きないという欠点を有していた。

一方、オルガノポリシロキサンは上記Ｓｉ○２塗布液よ
りも取り扱いが容易であるが、熱架橋して硬化するもの
は経時変化の問題を有し、また、未架橋のまま使用する
と熱軟化温度が低いため形成被膜が流動してしまうとい
う問題を有していた。

本出願人らは過去において、上記オルガノポリシロキサ
ンの有する問題点を解決するものとして、一般式： ％式％ （式中、Ｒは、同一もしくは異っていてもよく、炭化水
素基、水素、水酸基、アルコキシ基からなる群から選ば
れる一種であり、ｍ＋ｎ＋ｐ＋ｑ”ｌ、ｍ＞０、ｎ、　
ｐ、Ｑ≧０である） で表され、ｍ／ｑ≦１（但しｑ≠０）またはｍ／ｐ≦０
．３（但しｐ≠０）でｐとｑが同時に０とならないオル
ガノポリシロキサンを開示した（特開昭６０−２６２１
５０号）。このようなオリガノポリシロキサンは、未架
橋のままであり、しかも熱軟化温度が８０℃と比較的高
く、被膜流動を防ぐことができる特徴を有するため、こ
の種の中間層材料としては最も優れた材料として注目さ
れている。

発明が解決しようとする問題点 本出願人らの開示したオルガノポリシロキサンは、上記
のように優れた特徴を有していたが、このようなオルガ
ノポリシロキサンの中間層の上に上層レジ子トを塗布し
た時、そのレジスト用溶媒、例えば東京応化製フォトレ
ジストであれば、エチルセロソルブアセテ−）　（ＥＣ
Ａ）がオルガノポリシロキサンを溶解すると同時に、上
層レジストとオルガノポリシロキサンが混合するという
ことが生じていた。このため、上層レジストが均一に形
成されず、良好なレジストパターンができない結果、基
板上に形成されたパターンの精度が低下するという問題
を有していた。

そこで、本発明の目的は、上層レジストの溶媒によって
溶解せず、均一な膜厚の上層レジスト膜を形成できるオ
ルガノポリシロキサンを主Ｅｌ、分とする三層レジスト
用中間層材料を提供することにある。

さらに、本発明のもうひとつの目的は、上記中間層材料
を用いた三層レジストにより、基板上にパターンを形成
する方法を提供することにある。

問題点を解決するための手段 本発明者らは、前記従来の問題を解決するために鋭意検
討・研究した結果、前記の本出願人らが開示した特開昭
６０−２６２１５０号公報記載のオルガノポリシロキサ
ンを含んだ三層レジスト用中間層材料に有機過酸化物を
含有することによって、三層レジストにおいて上層レジ
ストを溶解せず均一な膜厚でしかも経時変化の少ない上
層レジストを形成できる中間層材料を見出した。

すなわち、本発明は、 一般式（Ｉ）： （Ｒ３ＳＩＯ１／２）　ｍ　　・（Ｒ２ＳｉＯ）ｎ・（
Ｒ３ｉＴｏ／２）　ｐ　　・（ＳＩＤ２）　ｑ　　　　
　　　　　　　・・・（１）（式中、Ｒは、同一もしく
は異っていてもよく、炭化水素基、水素、水酸基、アル
コキシ基からなる群から選ばれる一極であり、ｍ＋ｎ＋
ｐ＋ｑ＝Ｌ、ｍ＞０、ｎ、ｐ、ｑ≧０である） で表され、ｍ／ｑ≦１（但しｑ≠０）またはｍ／ｐ≦０
．３（但しｐ≠０）でｐとｑが同時に０とならないオル
ガノポリシロキサンを主成分とする三層レジスト用中間
層材料であって、さらに、架橋剤として有機過酸物を含
有することを特徴とする三層レジスト用中間層材料を提
供するものである。

本発明にふいて、上記（１）式のオルガノポリシロキサ
ン中のＲで表わされる基は、同一もしくは異なってもよ
く、炭化水素基、水素、水酸基、アルコキシ基からなる
群から選ばれる一種であり、炭化水素基である場合は、
例えばメチル、エチル、ビニル等の飽和あるいは不飽和
の低級炭化水素基が挙げられ、またアルコキシ基として
は、例えばメトキシ、エトキシ等の低級アルコキシ基が
挙げられる。本発明の目的を達成する上で、オルガノポ
リシロキサン中のＲは、総てメチル基であることが好ま
しい。

また、本発明において、（Ｉ）式のオルガノポリシロキ
サンの構造因子であるｍｚ　ｎｚ　ｐＳＱの変数のうち
、鎮状高分子の性質の割合を表わすｎは、中間層材料の
熱硬化温度を上げるため、できるだけ小さい方がよく、
好ましくはｎ＝Ｑである。

本発明において、上記オルガノポリシロキサンを主成分
とする三層レジスト用中間層材料に含有する有機過酸化
物の好ましい例としては、メチルエチルケトンパーオキ
サイド、メケルシクロヘキサンパーオキサイド等のケト
ンパーオキサイド類、ベンゾイルパーオキサイド、アセ
チルパーオキサイド等のジアシルパーオキサイド類、ｔ
−ブチルハイドロパーオキサイド等のハイドロパーオキ
サイド類、ジクミルパーオキサイド、ジブチルパーオキ
サイド等のジアルキルパーオキサイド類、ジブチルパー
オキシトリメチルシクロヘキサン等のパーオキシケター
ル類、ブチルパーオキシベンゾエート、ジブチルパーオ
キシアゼレート等のアルキルパーエステル類、ブチルパ
ーオキシイソプロビルカーボネート等のバーカーボネー
ト類が挙げられる。

このような有機過酸化物は、り（）式で表わされるオル
ガノポリシロキサンに対して　２〜２０重量％添加する
のが好適である。

本発明の、式（Ｉ）のオルガノポリシロキサンおよび上
記有機過酸化物を含んだ中間層材料を中間層に用いる三
層レジストによる基板のパターン形成方法について以下
に説明する。

まず、シリコン等の半導体基板に、有機高分子材料から
なる下層レジストを、通常１〜２μｍの膜厚にスピン塗
布した後、ホットプレート等で１５０〜３００℃の温度
で５〜３０分間加熱処理する。

次に、このような下層レジストの上に、オルガノポリシ
ロキサンに所定量の有機過酸化物を添加した中間層材料
をスピン塗布し、加熱処理を行なう。

次に、放射線で架橋もしくは分解する高分子材料からな
る上層レジスト層をスピン塗布し、加熱処理することで
基板上に三層レジストが得られる。

このような三層レジストを形成した基板にパターンを形
成するには、まず、上層レジストを電子線、紫外線等に
より露光し、現像して上層レジスト層のパターンを形成
し、次に上記中間層材料のエツチング（通常はＦ含有ガ
スによりＲＩＥ）を行い、続いて下層レジストのエツチ
ング（通常は０□ＲＩＥ）’を行ない、三層レジストパ
ターンとする（この時、上層レジストも除去される）。

この後、中間層を適当な有機溶媒によって除去するかま
たは、基板をプラズマエツチング等の手法によりエツチ
ングして所望のパターンを得、最後に、適当な有機溶媒
によって上記中間層および下層レジストを除去する。

上述した三層レジストによるパターン形成方法において
は、下層レジスト層として、例えば、Ａ　Ｚ　−１３５
０Ｊ　５ＯＦＰＲ−８００（東京応化製）等が挙げられ
るが、基板表面に密着性良く塗布でき、かつ０２ＲＩＥ
の方法により容易にエツチングし得る材料であれば本発
明に適用可能である。従って、市販のレジスト材料の他
、塗布可能な有機高分子材料ならば特に限定されず、総
て本発明に適用できる。

また、薄膜、基板としては、ＬＳＩ等の半導体の製造に
際して微細加工が必要とされる各種材料の全てが本発明
に適用できる。

上層レジストとしては、例えば、Ａ　Ｚ　−１３５０Ｊ
などの紫外線レジスト、ＰＭＭＡなどのＸ線レジストま
たは電子線レジスト等のレジストが挙げられ、露光、現
像の方法に限定されず、通常の三層レジストに使用可能
なレジストならば本発明に適用できる。

作用 式（１）で表わされるオルガノポリシロキサンは、従来
のオルガノポリシロキサンの有するスピン塗布性、０□
ＲＩＥ耐性に加えて、ゲル化などが生じない経時安定性
、被膜流動問題とは無関係の高い熱安定性を有する。

しかしながら、架橋してないため、上記オルガノポリシ
ロキサンは溶媒可溶性を有しており、その結果上層レジ
ストの溶媒に溶解するという欠点を有している。これを
解決するためには架橋させれば良いが、常温で架橋しな
いもの、あるいは架橋密度をある程度制御できるもので
なければ、逆にゲル化等経時変化の問題が生じてしまう
。溶解性と経時変化の問題を同時に解決するには、（ａ
）容易に架橋する成分は除く。

（ｂ）制御しやすい架橋開始剤を樹脂中に導入すること
が必要である。（ａ）に関して容易に架橋する成分とし
ては、 ＯＨ基　　（−０Ｈ＋Ｈ○−→−０−＋Ｈ２０）ＣＨ＝
ＣＨ２基（−ＣＨ＝ＣＨ２＋Ｈ−→ＣＨ２ＣＨ２） 等がある。これらは、触媒等の存在の下で急速に反応し
、架橋する。また、ＯＨ基は樹脂内部に制御性良く一定
の数を導入することは不可能に近い。

従って、これらの基を有するものは、常温で反応しやす
くゲル化しやすい傾向にある。また、所定の溶媒にのみ
溶解させない為の架橋密度の制御を行なうことはむずか
しく、結果としてこの成分はここで要求する架橋には不
適当である。

一方、メチル基は、架橋しにくく、エツチングしやすい
特性を有しているため好適である。

このようなメチル基は、通常では全く反応しないが、（
ａ）を満足した状態でら）の様な架橋開始剤を導入して
やると、次式のような反応を起こす。

・・・（ｎ） この反応は、架橋開始剤の種類、濃度、反応温度で容易
に制御でき、ゲル化なく架橋密度を任意に上げることが
可能である。

架橋開始剤としては、分子内に過酸素結合（−０−０−
）を有し、この結合のエネルギーが小さいため分解しや
すい有機過酸化物が適している。有機過酸化物が、分解
の結果、遊離のラジカル（−〇・）を発生し、水素引き
抜きを起こし、上記（ｎ）の反応が進行する。

このようにして、本発明の目的を達成するオルガノポリ
シロキサンの架橋が形成され、これを三層レジスト用中
間層材料に用いることによって、経時変化が少なく、し
かも、中間層上に均一な膜厚を有する良好な上層レジス
トを形成することができる。

実施例 以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明するが
、本発明はこれら実施例により何等限定されない。

実施例１ 本発明の目的とする上層レジスト膜厚の均一性について
、本発明の中間層材料を用いて、以下のようにして測定
および評価した。４インチのシリコンウェーハ上に、あ
らかじめｍ／ｑ＝０．９、ｎ＝ｏおよびｐ＝０となるよ
うに合成したオルガノポリシロキサンに対して、２重量
パーセントのジブチルパーオキサイドを添加したｎ−ヘ
キサンの溶液を、０．２μｍ膜厚となるようにスピン塗
布した。次に、この上に、上層レジストとして０ＦＰＲ
−８００を１μｍ厚にスピン塗布した。このようにして
形成された上層レジストの膜厚を測定した。得られた結
果を第２図（ａ）に示す。

これより、本発明の有機過酸化物を添加したオルガノポ
リシロキサンを上層レジストの下層に用いることにより
、上層レジストの膜厚のバラツキが±１％以内と、非常
に均一な膜厚の上層レジストが得られることがわかる。

比較例 次に、比較例として、有機過酸化物であるジブチルパー
オキサイドを上記オルガノポリシロキサンに添加しない
以外は、上記実施例と同様にして、４インチのシリコン
ウェーハ上に上記オルガノポリシロキサンの膜、および
上層レジストを形成して、上層レジストの膜厚を測定し
た。得られた結果を第２図（ｂ）に示す。

第２図（ｂ）より、上層レジストの膜厚は、０．６〜１
．２μｍと第２図（ａ）に比べてかなり膜厚のバラツキ
が大きいことがわかる。

実施例２ ０．５μｍ厚のアルミニウム薄膜を堆積したシリコン基
板上に、下層レジストとしてシプレー社製ホトレジスト
Ａ　Ｚ　−１３５０Ｊを１．５μｍの膜厚にスピン塗布
し、窒素雲囲気下２５０℃にて、３０分間加熱処理した
。次いで、あらかじめｍ／ｑ＝０．９、ｎ＝ｏ、ｐ＝０
となるように合成したオルガノポリシロキサンに対して
、２重量パーセントのジクミルパーオキサイドを添加し
たｎ−ヘキサンの溶液を、０，２μｍ膜厚の中間層を形
成するようにスピン塗布した。この後、上層レジストと
してＡＺ−１３５０Ｊを１μｍ厚にスピン塗布し、紫外
線（４３６ｎｍ）露光、現像処理することにより所望の
上層レジストパターンを形成した。次に、ＣＦ、＋２５
％Ｈ２混合ガスによる反応性イオンエツチング法を用い
、まず、１３．５６ＭＨｚ　ノ高周波テ３００１’ｌ、
上記混合ガス０．０１Ｔｏｒｒの条件で、上層レジスト
パターンをマスクとして中間層をエツチングした。次に
、ガスを酸素に切換え、５００Ｗ、　０．０１Ｔｏｒｒ
の条件で上記中間層をマスクとして下履レジストをエツ
チングした。この後、アルミニウム薄膜を３００ＷＳＣ
ＣＡ　。

５０ｓｃｃｍ、　０．２Ｔｏｒｒのガスプラズマにより
エツチングを行い、この後、アセトンにより中間層を溶
解し、２００１＋１．　Ｏ７ｌ　Ｔｏｒｒの円筒型プラ
ズマエツチングにより下層レジストを灰化することによ
り基板上に０．５μｍ幅のアルミニウム薄膜パターンを
得実施例３ 膜厚０．３μｍの多結晶シリコンを堆積したシリコン基
板上に、下層レジストとして０ＦＰＲ−８００を１μｍ
厚にスピン塗布し、１５０℃、３０分間加熱処理した。

次に、中間層として、あらかじめｎ＝Ｑであり、ｍ／ｑ
＝０．３およびｍ／ｐ＝０．８５になるように合成した
オルガノポリシロキサンに対して５重量パーセントのｔ
−ブチルパーオキシベンゾエートを添加したものを、ｎ
−ヘキサンに溶解して、下層レジストに、０．２μｍ膜
厚の中間層を形成するようにスピン塗布した。この後、
上層レジストとして、Ａ　Ｚ　−１３５０Ｊを１μｍ厚
にスピン塗布し、紫外線（４３６ｎｍ）露光、現像処理
することにより所望の上層レジストパターンを形成した
。次に、実施例１と同様にして、中間層および下層レジ
ストをエツチングした。さらに、多結晶シリコンを５０
０周、ＣＣＲ２Ｆ２２５ｓｃｃｍ、０、　１Ｔｏｒｒの
条件でプラズマエツチングした。この後、１００℃に加
熱した０−ジクロロベンゼン−テトラクロロエチレン混
合液により、中間層および下層レジストを除去し、基板
上に１μｍ幅の多結晶シリコンパターンを得た。

実施例４ ０．５μｍ厚のアルミニウム薄膜を堆積したシリコン基
板上に、下層レジストとして０ＦＰＲ−８００を２μｍ
厚にスピン塗布し、２５０℃、５分間加熱処理した。次
いで、あらかじめｍ／　ｑ＝　０．８５　、ｎ＝０およ
びｎ＝０となるように合成したオルガノポリシロキサン
に対して、１０重量パーセントのジブチルパーオキサイ
ドを添加したｎ−ヘキサンの溶液を、０．２　μｍ膜厚
の中間層を形成するように、下層レジストにスピン塗布
した。この後、上層レジストとして電子線ポジ型レジス
トであるＦＢＭ−Ｇ（ポリテトラフルオロプロピルメタ
クリレート）を０．５μｍ厚にスピン塗布し、電子線露
光、現像処理することにより所望の上層レジストパター
ンを形成した。続いて、実施例１と同様にして、中間層
および下層レジストをエツチングした。次に、１００Ｗ
、　　ＣＦ、＋５％０２１５Ｑｓｃｃｍ、　１０Ｐａの
条件により中間層をプラズマエツチングで除去した。

最後に、下層レジストを灰化することにより、基板上０
．５μｍ幅のアルミニウム薄膜パターンを得た。

発明の詳細 な説明したように、本発明は従来のオルガノポリシロキ
サン材料の欠点を解決したものであり、本発明によれば
、経時変化なく、上層レジストと混合することなく、従
って均一な膜厚を有する良好な上層レジストを形成する
ことができる中間層材料が提供される。このように本発
明により、超ＬＳＩをはじめとする各種固体素子の製作
において不可欠となりつつある多層レジストプロセスが
確立され、基板上にサブミクロンオーダーのパターンの
形成をすることが容易となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は三層レジストの構成を示す断面図、第２図（ａ
）は、実施例１で製造したウェハ面内のレジスト膜厚を
示す図である。 第２図（ｂ）は、比較例で製造したウェハ面内レジスト
膜厚を示す図である。 （主な参照番号）

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. （１）一般式： （Ｒ＿３ＳｉＯ＿１＿／＿２）＿ｍ・（Ｒ＿２ＳｉＯ）
   ＿ｎ・（ＲＳｉＯ＿３＿／＿２）＿ｐ・（ＳｉＯ＿２）
   ＿ｑ （式中、Ｒは、同一もしくは異っていてもよく、炭化水
   素基、水素、水酸基、アルコキ シ基からなる群から選ばれる一種であり、 ｍ＋ｎ＋ｐ＋ｑ＝１、ｍ＞０、ｎ、ｐ、ｑ ≧０である） で表され、ｍ／ｑ≦１（但しｑ≠０）またはｍ／ｐ≦０
   ．３（但しｐ≠０）でｐとｑが同時に０とならないオル
   ガノポリシロキサンを主成分とする三層レジスト用中間
   層材料であって、さらに、架橋剤として有機過酸化物を
   含有することを特徴とする三層レジスト用中間層材料。
2. （２）上記一般式において、ｎ＝０であることを特徴と
   する特許請求の範囲第１項記載の三層レジスト用中間層
   材料。
3. （３）上記一般式において、Ｒが総てメチル基であるこ
   とを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記載
   の三層レジスト用中間層材料。
4. （４）上記有機過酸化物が、ケトンパーオキサイド、ジ
   アシルパーオキサイド、ハイドロパーオキサイド、ジア
   ルキルパーオキサイド、パーオキシケタール、アルキル
   パーエステル、パーカーボネートからなる群より選ばれ
   た少なくとも１種であることを特徴とする特許請求の範
   囲第１項乃至第３項のいずれか１項に記載の三層レジス
   ト用中間層材料。
5. （５）上記有機過酸化物が、オルガノポリシロキサンに
   対して２乃至２０重量％含有されることを特徴とする特
   許請求の範囲第１項乃至第４項のいずれか１項に記載の
   三層レジスト用中間層材料。
6. （６）パターンを形成すべき基板上に有機高分子材料か
   らなる下層レジスト層と、中間層と、放射線で架橋もし
   くは分解する高分子材料からなる上層レジスト層を順次
   積層した三層レジストにより、各層に所定のパターンを
   形成する工程および各層のマスクを除去する工程を含む
   基板上にパターンを形成する方法であって、 前記中間層に下記の一般式、 （Ｒ＿３ＳｉＯ＿１＿／＿２）＿ｍ・（Ｒ＿２ＳｉＯ）
   ＿ｎ・（ＲＳｉＯ＿３＿／＿２）＿ｐ・（ＳｉＯ＿２）
   ＿ｑ （式中、Ｒは、同一もしくは異っていてもよく、炭化水
   素基、水素、水酸基、アルコキ シ基からなる群から選ばれる一種であり、 ｍ＋ｎ＋ｐ＋ｑ＝１、ｍ＞０、ｎ、ｐ、ｑ ≧０である） で表され、ｍ／ｑ≦１（但しｑ≠０）またはｍ／ｐ≦０
   ．３（但しｐ≠０）でｐとｑが同時に０とならないオル
   ガノポリシロキサンを主成分し、さらに、架橋剤として
   有機過酸化物を含有する材料を用いることを特徴とする
   三層レジストによる基板のパターン形成方法。
7. （７）上記有機過酸化物が、ケトンパーオキサイド、ジ
   アシルパーオキサイド、ハイドロパーオキサイド、ジア
   ルキルパーオキサイド、パーオキシケタール、アルキル
   パーエステル、パーカーボネートからなる群より選ばれ
   る少なくとも１種であることを特徴とする特許請求の範
   囲第６項記載の三層レジストによる基板のパターン形成
   方法。
8. （８）上記中間層材料を上記下層レジスト層の上にスピ
   ン塗布して形成することを特徴とする特許請求の範囲第
   ７項記載の三層レジストによる基板のパターン形成方法
   。