JPH023024A - 半導体光スイッチ - Google Patents
半導体光スイッチInfo
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- JPH023024A JPH023024A JP15082488A JP15082488A JPH023024A JP H023024 A JPH023024 A JP H023024A JP 15082488 A JP15082488 A JP 15082488A JP 15082488 A JP15082488 A JP 15082488A JP H023024 A JPH023024 A JP H023024A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 53
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 35
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 35
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 3
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 abstract 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012792 core layer Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- JGJLWPGRMCADHB-UHFFFAOYSA-N hypobromite Inorganic materials Br[O-] JGJLWPGRMCADHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
光を空間的に切換える半導体光スイッチの構造に関し、
光信号のクコストークの小さな半導体光スイッチの提供
を目的とし、 ２本の光導波路が交差する領域上に電流注入領域が設け
られ、該電流注入領域に注入される電流を制御して該光
導波路が交差する領域における屈折率を変化し、外部か
らの入力光を透過或いは屈折させて該入力光が出射する
光導波路を選択する半導体光スイッチにおいて、該入力
光が透過した時に選択される光導波路上に該電流注入領
域が延長されてなる構成を有する。
を目的とし、 ２本の光導波路が交差する領域上に電流注入領域が設け
られ、該電流注入領域に注入される電流を制御して該光
導波路が交差する領域における屈折率を変化し、外部か
らの入力光を透過或いは屈折させて該入力光が出射する
光導波路を選択する半導体光スイッチにおいて、該入力
光が透過した時に選択される光導波路上に該電流注入領
域が延長されてなる構成を有する。
本発明は光を空間的に切換える半導体光スイッチの構造
に関する。
に関する。
近年、長距離、大容量の光通信システムが急速に発展し
、その有用性が高まっている。
、その有用性が高まっている。
従来、この光通信システムにおいては、光信号を一度電
気信号に換え、電気的に信号を処理した後に、再び光信
号に戻す方式が用いられていた。
気信号に換え、電気的に信号を処理した後に、再び光信
号に戻す方式が用いられていた。
しかし、光の高速性を活かす上にも、また信号処理部の
構成素子数を減らす上にも、光信号を先のままで処理で
きる方式の開発が望まれていた。
構成素子数を減らす上にも、光信号を先のままで処理で
きる方式の開発が望まれていた。
このような新しい信号処理方式を構成するためには、光
を空間的に切換える光スイッチが必要であり、上記シス
テムの高性能化のためには光スイッチの特性向上が重要
になる。
を空間的に切換える光スイッチが必要であり、上記シス
テムの高性能化のためには光スイッチの特性向上が重要
になる。
光スイッチの一つに光の全反射性質を利用した交差型光
スイッチがある。
スイッチがある。
従来上記光スイッチとしては、ニオブ酸すチュウム（Ｌ
ｉＮｂＯｔ）等の誘電体よりなる基体に、チタン（Ｔｉ
）等を拡散して選択的に屈折率を上げることによって導
波路を形成し、導波路に電界を印加し電気光学効果によ
り屈折率差を生じさせてスイッチを行わせる素子が主流
であったが、近年、導波路の交差角が大きくとれるため
に素子長を短くできる、偏光依存性が小さい、レーザ、
フォトダイオード等の半導体発受光素子との集積が可能
である等の利点により、化合物半導体を用いた光スイッ
チが有望視されてきている。
ｉＮｂＯｔ）等の誘電体よりなる基体に、チタン（Ｔｉ
）等を拡散して選択的に屈折率を上げることによって導
波路を形成し、導波路に電界を印加し電気光学効果によ
り屈折率差を生じさせてスイッチを行わせる素子が主流
であったが、近年、導波路の交差角が大きくとれるため
に素子長を短くできる、偏光依存性が小さい、レーザ、
フォトダイオード等の半導体発受光素子との集積が可能
である等の利点により、化合物半導体を用いた光スイッ
チが有望視されてきている。
第５図（ａｌ及び（ｂｌは従来例による交差型半導体光
スイッチを模式的に示す平面図（ａＪ、Ａ−Ａ断面図（
ｂｌ及びＦ３−Ｂ断面図（Ｃ）である。
スイッチを模式的に示す平面図（ａＪ、Ａ−Ａ断面図（
ｂｌ及びＦ３−Ｂ断面図（Ｃ）である。
この図を用い、製造工程の概略と共に従来構造を説明す
る。
る。
即ち該ｎ４ｎＰ基板１の表面にリブガイド構造の交差す
る導波路形成用の溝２ （２Ａ及び２Ｂ）を形成した後
、該基板１上にノンドープＩｎＧａＡｓＰ導波層３ 、
ｎ４１ｐクラッド層４、ｐ−１ｎＧａＡｓＰコンタクト
層５を順次成長し、該コンタクト層５上にＳｉＯ□膜６
を被着し、該ＳｉＯ□膜６における前記１１．２Ａ、２
Ｂの交差部の上部の電流注入領域を形成する領域を開口
し、該開口からｐ−［ｎＧａＡｓＩ’コンタクト層５及
びｎ−ＩｎＰ層４内に亜鉛（Ｚｎ）を拡散してｐ型電流
注入領域７を形成して、ＩｎＧａＡｓＰ導波層３との間
にｐ−０接合を形成し、次いで基板の裏面にｎ側電極８
を、基板表面のｐ型電流注入領域７を覆ってｎ側電極９
を形成した構造であった。
る導波路形成用の溝２ （２Ａ及び２Ｂ）を形成した後
、該基板１上にノンドープＩｎＧａＡｓＰ導波層３ 、
ｎ４１ｐクラッド層４、ｐ−１ｎＧａＡｓＰコンタクト
層５を順次成長し、該コンタクト層５上にＳｉＯ□膜６
を被着し、該ＳｉＯ□膜６における前記１１．２Ａ、２
Ｂの交差部の上部の電流注入領域を形成する領域を開口
し、該開口からｐ−［ｎＧａＡｓＩ’コンタクト層５及
びｎ−ＩｎＰ層４内に亜鉛（Ｚｎ）を拡散してｐ型電流
注入領域７を形成して、ＩｎＧａＡｓＰ導波層３との間
にｐ−０接合を形成し、次いで基板の裏面にｎ側電極８
を、基板表面のｐ型電流注入領域７を覆ってｎ側電極９
を形成した構造であった。
この構造において、ノンドープＩｎＧａＡｓＰ導波層３
の屈折率はｎ−ＴｎＰクラッド層４より大きいので垂直
方向に光の導波機構を有する。またＩｎＧａＡｓＰ導波
層３が厚くなっているところでは、水平方向に等価的に
屈折率が高（なっているので、水平方向にも光の導波機
構を有する。
の屈折率はｎ−ＴｎＰクラッド層４より大きいので垂直
方向に光の導波機構を有する。またＩｎＧａＡｓＰ導波
層３が厚くなっているところでは、水平方向に等価的に
屈折率が高（なっているので、水平方向にも光の導波機
構を有する。
以上の構造を持つ光スイッチの入力ポートＰ。に入射す
る光（波長λ〜１．５５μｍ）は、電流注入領域７に電
流を流さない時、交差部を直進して透過光が第１の出力
ポートＰ＋へ出力される。一方該電流注入領域７に電流
を流すと、ノンドープＩｎＧａＡｓＰ導波層３の電流注
入領域７に接する領域に小数キャリアが発生してその屈
折率が低下するために、交差部において光は全反射され
該反射光が第２の出力ポートＰ！に出力される。
る光（波長λ〜１．５５μｍ）は、電流注入領域７に電
流を流さない時、交差部を直進して透過光が第１の出力
ポートＰ＋へ出力される。一方該電流注入領域７に電流
を流すと、ノンドープＩｎＧａＡｓＰ導波層３の電流注
入領域７に接する領域に小数キャリアが発生してその屈
折率が低下するために、交差部において光は全反射され
該反射光が第２の出力ポートＰ！に出力される。
このように半導体光スイッチにおいては、電流注入領域
７に流す電流の存無により空間的に光の進路を切換える
ことができる。
７に流す電流の存無により空間的に光の進路を切換える
ことができる。
しかしながら上記構造を有する従来の半導体光スイッチ
においては、電流注入によりＩｎＧａＡｓＰ導波層３の
屈折率を減少させると、同時に核層３の光の吸収係数も
増大するために、入射光は上記交差部において完全には
反射されず（全反射せず）、一部透過光が第１の出力ボ
ートＰｌ側へ出力されるという現象があり、電流注入時
の光信号のクロストークが大きいという問題があった。
においては、電流注入によりＩｎＧａＡｓＰ導波層３の
屈折率を減少させると、同時に核層３の光の吸収係数も
増大するために、入射光は上記交差部において完全には
反射されず（全反射せず）、一部透過光が第１の出力ボ
ートＰｌ側へ出力されるという現象があり、電流注入時
の光信号のクロストークが大きいという問題があった。
そこで本発明は光信号のクロス］・−りの小さな半導体
光スイッチの提供を目的とする。
光スイッチの提供を目的とする。
上記課題は、２本の光導波路が交差する領域上に電流注
入領域が設けられ、該電流注入領域に注入される電流を
制御して該光導波路が交差する領域における屈折率を変
化し、外部からの入力光を透過或いは屈折させて該入力
光が出射する光導波路を選択する半導体光スイッチにお
いて、該入力光が透過した時に選択される光導波路上に
該電流注入領域が延長されてなる本発明による半導体光
スイッチによって解決される。
入領域が設けられ、該電流注入領域に注入される電流を
制御して該光導波路が交差する領域における屈折率を変
化し、外部からの入力光を透過或いは屈折させて該入力
光が出射する光導波路を選択する半導体光スイッチにお
いて、該入力光が透過した時に選択される光導波路上に
該電流注入領域が延長されてなる本発明による半導体光
スイッチによって解決される。
即ち本発明においては、ｒｎＧａＡｓＰ導波層Ａｓ法の
注入によって、屈折率の低下を生ずるのみでなく、光の
吸収係数が増大する性質を有することを利用し、電流注
入領域を透過光出力用の導波路上に拡げることによって
、電流注入時の透過光を該導波路内で吸収して減衰させ
、電流注入時即ち光路切換え時におけるクロストークの
小さい交差型半導体光スイ・７チを実現する。
注入によって、屈折率の低下を生ずるのみでなく、光の
吸収係数が増大する性質を有することを利用し、電流注
入領域を透過光出力用の導波路上に拡げることによって
、電流注入時の透過光を該導波路内で吸収して減衰させ
、電流注入時即ち光路切換え時におけるクロストークの
小さい交差型半導体光スイ・７チを実現する。
以下本発明を、図示実施例により具体的に説明する。
第１図は本発明の一実施例を模式的に示す平面図（ａ）
、Ａ−Ａ断面図（ｂｌ及びＦ３−Ｂ断面図（Ｃ）、第２
図（ａｌ〜（ｂｌは同実施例の製造工程を示す平面図、
第３図（ａ）〜Ｑ）ｌは同実施例の製造工程を示すＡ−
Ａ断面図、第４図は本発明の効果を示す図である。
、Ａ−Ａ断面図（ｂｌ及びＦ３−Ｂ断面図（Ｃ）、第２
図（ａｌ〜（ｂｌは同実施例の製造工程を示す平面図、
第３図（ａ）〜Ｑ）ｌは同実施例の製造工程を示すＡ−
Ａ断面図、第４図は本発明の効果を示す図である。
全図を通じ同一対象物は同一符合で示す。
本発明に係る交差型半導体光スイッチは、入力ボートＯ
（ｒ’、）から入射光用導波路１０を介して光（波長
７〜１．５５μｍ）が入射する構成において、例えば第
１図に示すように、従来１ｎＧａＡｓＰ導波層３によっ
て構成されるリプ状の導波路３Ａ、３Ｂの交差部上の所
定部のみに設けられていたｐ型電流注入卯域７が、第１
の出力ポートｐ＋で示される透過光用導波路１１の上部
に誦の如く延長して配設され、それに伴って該電流注入
領域７及び７Ａに電流を流し込むｐ側電極９ （Ｔｉ
／Ｐｔ／Ａｕ１よりなる）も、電流注入領域７Ａ上に９
への如く延長して形成される。この構成において、導波
路３Ａ、３Ｂの幅ａは２〜３μｍ程度に、導波路３Ａと
３Ｂの交差角θは４度程度に、交差部上の電流注入領域
７は幅ｂ−１０μｍ、長さＣ−９０μｍ程度に、透過光
用導波路上の電流注入領域延長部７八は幅ｅ＝３μｍ、
長さｆ＝］ｏＯｌ１ｍ程度に形成される。
（ｒ’、）から入射光用導波路１０を介して光（波長
７〜１．５５μｍ）が入射する構成において、例えば第
１図に示すように、従来１ｎＧａＡｓＰ導波層３によっ
て構成されるリプ状の導波路３Ａ、３Ｂの交差部上の所
定部のみに設けられていたｐ型電流注入卯域７が、第１
の出力ポートｐ＋で示される透過光用導波路１１の上部
に誦の如く延長して配設され、それに伴って該電流注入
領域７及び７Ａに電流を流し込むｐ側電極９ （Ｔｉ
／Ｐｔ／Ａｕ１よりなる）も、電流注入領域７Ａ上に９
への如く延長して形成される。この構成において、導波
路３Ａ、３Ｂの幅ａは２〜３μｍ程度に、導波路３Ａと
３Ｂの交差角θは４度程度に、交差部上の電流注入領域
７は幅ｂ−１０μｍ、長さＣ−９０μｍ程度に、透過光
用導波路上の電流注入領域延長部７八は幅ｅ＝３μｍ、
長さｆ＝］ｏＯｌ１ｍ程度に形成される。
なおその他の構造は従来と同様であり、図中、１はｎ−
ＴｎＰ基板、２、静、２Ｂは導波路形成用の溝、４はｎ
−ｒｎＰｎワク９フ、５はρ−ＴｎＧａＡｓＰコンタク
ト層、６は５ｉＯｔ膜、８はｎ側電極（ＡｕＧｅＮｉよ
りなる）、１０は入射光用導波路、１２は反射光用導波
路、Ｐ２は第２の出力ポートを示す。
ＴｎＰ基板、２、静、２Ｂは導波路形成用の溝、４はｎ
−ｒｎＰｎワク９フ、５はρ−ＴｎＧａＡｓＰコンタク
ト層、６は５ｉＯｔ膜、８はｎ側電極（ＡｕＧｅＮｉよ
りなる）、１０は入射光用導波路、１２は反射光用導波
路、Ｐ２は第２の出力ポートを示す。
次いで上記構造を図を参照し、製造方法により更に詳し
く説明する。
く説明する。
第２図（ａ）及び第３図（ａｌ参照
先ず例えばｎ型不純物濃度３ ＸＩＯ”ａｍ−３を有し
、且つ（１００）面を有するｎ−ＴｎＰ基板１上に、エ
ツチング手段に臭素水等によるウェットエツチング法を
用いるフォトリソグラフィにより４度程度の角度θで交
差する幅ａ＝３ｐｍ、深さ（Ｌ ＝０．３ ；ｔｍ程度
のリブ状の導波路形成用溝静、２Ｂを形成する。
、且つ（１００）面を有するｎ−ＴｎＰ基板１上に、エ
ツチング手段に臭素水等によるウェットエツチング法を
用いるフォトリソグラフィにより４度程度の角度θで交
差する幅ａ＝３ｐｍ、深さ（Ｌ ＝０．３ ；ｔｍ程度
のリブ状の導波路形成用溝静、２Ｂを形成する。
第２図（ｂｌ及び第３図（ｂｌｌ参
照−で液相エピタキシャル成長（ＬＰＥ）法により上記
基板１上にフォトルミネセンス波長λ１．＝１．３．＋
１ｍの組成を存する厚さｄ ｚ ＝ ０．４ｐ ｍのノ
ンドープＴｎＧａＡｓＰ導波Ｍ３、ｎ型不純物濃度１×
ｌ Ｑ Ｉ ７ ｃｍ ” ：ｌ、厚さｄｚ ＝ １．
５μｍを有するｎ４ｎＰクラッド層４、ｐ型不純物濃度
１ ｘ １０Ｉ ！ｌ ｃ「３ λ、Ｌ＝１．３ μ
ｍの組成、厚さｄｆｆ＝ ０．３μｍを存するρ−Ｔｎ
ＧａＡｓｒ’コンタクト層５を成長する。
基板１上にフォトルミネセンス波長λ１．＝１．３．＋
１ｍの組成を存する厚さｄ ｚ ＝ ０．４ｐ ｍのノ
ンドープＴｎＧａＡｓＰ導波Ｍ３、ｎ型不純物濃度１×
ｌ Ｑ Ｉ ７ ｃｍ ” ：ｌ、厚さｄｚ ＝ １．
５μｍを有するｎ４ｎＰクラッド層４、ｐ型不純物濃度
１ ｘ １０Ｉ ！ｌ ｃ「３ λ、Ｌ＝１．３ μ
ｍの組成、厚さｄｆｆ＝ ０．３μｍを存するρ−Ｔｎ
ＧａＡｓｒ’コンタクト層５を成長する。
ここで前記ｎ−１ｎＰ基板ｌの導波路構成用ａ２Ａ、２
ｎ内にノンドープＴｎＧａＡｓｌ’による導波路３Ａ及
び３Ｂが形成される。
ｎ内にノンドープＴｎＧａＡｓｌ’による導波路３Ａ及
び３Ｂが形成される。
第１図（ａｌ、ｆｂｌ、（Ｃ１参照
次いで上記コンタクト層５上にＣＶＤ法により厚さ２０
００人程度の５ｉｎ２膜６を形成し、通常のフォトリソ
グラフィ手段により該ＳｉＯ□膜６の前記導波路３Ａと
３Ｂの交差部上の図示寸法を有する所定の領域及び透過
光用導波路１１上を図示寸法で覆う領域に連続した開孔
１３を形成し、該ＳｉＯ□ｖ、６の開孔１３から通常の
ガス拡散法によりノンドープＩｎＧａＡｓＰ導波層３に
達する深さに亜鉛（Ｚｎ）を拡散し、ノンドープＩｎＧ
ａＡｓＰ導波層３との間にｐ−ｎ接合を存する一体のｐ
型電流注入領域７及び録を形成する。
００人程度の５ｉｎ２膜６を形成し、通常のフォトリソ
グラフィ手段により該ＳｉＯ□膜６の前記導波路３Ａと
３Ｂの交差部上の図示寸法を有する所定の領域及び透過
光用導波路１１上を図示寸法で覆う領域に連続した開孔
１３を形成し、該ＳｉＯ□ｖ、６の開孔１３から通常の
ガス拡散法によりノンドープＩｎＧａＡｓＰ導波層３に
達する深さに亜鉛（Ｚｎ）を拡散し、ノンドープＩｎＧ
ａＡｓＰ導波層３との間にｐ−ｎ接合を存する一体のｐ
型電流注入領域７及び録を形成する。
そして以後、通常の方法により該基板１の裏面全体にＡ
ｕＧｅＮｉよりなるｎ（！ＴＩＩ電極８を形成し、前記
ＳｉＯ□膜６の開孔１３上にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕの積層構
造よりなる一体のｐ側電極９及び９Ａを形成する。
ｕＧｅＮｉよりなるｎ（！ＴＩＩ電極８を形成し、前記
ＳｉＯ□膜６の開孔１３上にＴｉ／Ｐｔ／Ａｕの積層構
造よりなる一体のｐ側電極９及び９Ａを形成する。
以上のようにして形成した本発明に係る交差型半導体光
スイッチにおいては、導波路３Ａ、３Ｂの交差部にｐ型
電流注入領域７を介して電流が注入される際、同時にｐ
型電流注入領域７Ａを介して透過光用導波路１１にも電
流が注入され該透過光用導波路１１の光吸収係数が増大
する。そのため導波路３Ａ、３Ｂの交差部に電流注入に
よって形成される低屈折率面で全反射されずに一部透過
光用導波路１１に入射してくる光は光吸収係数が増大し
た該導波路１１において吸収され、該透過光用導波路１
１を介して第１の出力ポートＰ１に出力される透過光、
即ち電流を注入し光路を切換えた際における透過光用導
波路１１側へのクロストークは大幅に減少する。
スイッチにおいては、導波路３Ａ、３Ｂの交差部にｐ型
電流注入領域７を介して電流が注入される際、同時にｐ
型電流注入領域７Ａを介して透過光用導波路１１にも電
流が注入され該透過光用導波路１１の光吸収係数が増大
する。そのため導波路３Ａ、３Ｂの交差部に電流注入に
よって形成される低屈折率面で全反射されずに一部透過
光用導波路１１に入射してくる光は光吸収係数が増大し
た該導波路１１において吸収され、該透過光用導波路１
１を介して第１の出力ポートＰ１に出力される透過光、
即ち電流を注入し光路を切換えた際における透過光用導
波路１１側へのクロストークは大幅に減少する。
第４図この効果を電流注入領域７．７Ａに注入する電流
と透過光用出力ポートＰ＋及び反射光用出力ポートＰ２
に出力される透過光り、１反射光Ｉ、２の相対変化によ
って表した図で、実線で示すＬｌ及びＬ２は上記実施例
に係るカーブで、鎖線で示す１７１．及びり、□は従来
のカーブである。
と透過光用出力ポートＰ＋及び反射光用出力ポートＰ２
に出力される透過光り、１反射光Ｉ、２の相対変化によ
って表した図で、実線で示すＬｌ及びＬ２は上記実施例
に係るカーブで、鎖線で示す１７１．及びり、□は従来
のカーブである。
この図から、従来βで示すように２０％程度あったクロ
ストークがαで示すように１０％程度に減少し、数ｄＢ
のクロスト−り改善がなされることがわかる。
ストークがαで示すように１０％程度に減少し、数ｄＢ
のクロスト−り改善がなされることがわかる。
〔発明の効果〕
以を説明のように、本発明によれば交差型半導体光スイ
ッチの電流注入時におけるクロスト−りを大幅に改善で
き、該半導体光スイッチの性能が向上できる。
ッチの電流注入時におけるクロスト−りを大幅に改善で
き、該半導体光スイッチの性能が向上できる。
第１図は本発明の一実施例を模式的に示す平面図（ａｌ
、Ａ−Ａ断面図（ｂｌ及びＢ−Ｂ断面図（Ｃ１、第２図
（ａｌ〜（ｂｌは同実施例の工程平面図、第３図（ａｌ
〜（ｂｌは同実施例の工程断面図、第４図は本発明の効
果を示す図、 第５図は従来例による交差型半導体光スイッチを模式的
に示す平面図（ａｌ、Ａ−Ａ断面図（ｂｌ及びＢ−Ｂ断
面図（ｅ）である。 図において、 １はｎ−Ｔｎｒ’基板、 ２．２Ａ、２Ｂは導波路形成用の溝、 ３はＩｎＧａＡｓＰ導波層、 論、３ＢはＩｎＧａＡｓＰ導波層による導波路、４はｎ
−Ｔｎｒ’クラッド層、 ５はｐ−ＴｎＧａＡｓＰ コンタクト層、６は５ｉ０２
膜、 ７．７Ａはｐ型電流注入領域、 ８はｎ側電極、 ９、静はｐ側電極、 １０は入射光用導波路、 １１はｊ３過光用導波路、 １２は反射光用導波路、 Ｐｏは入力ボート、 ｒ’１ｓ Ｐ２は出力ポート を示す。 ＜ｂ） Ａ−Ａ ｌｌｆＴ面図 ＣＣ） Ｆ３−Ｂ断面図 木受ｇ肋−割也９忰ａ＜図 第 １ 図 （（’ｔ） （ａ、） （す ７本茫萌ｎ−実１己張−Ｉｎニ畦平面図ノド弓；艷日月
６ワークＣ方亡λイ紛ユＬオ＝＄６ララｆ５昂 ス 第 図 ７寸ミイ芒日月σつ効１辷−？ 示、Ｔ図下 図
、Ａ−Ａ断面図（ｂｌ及びＢ−Ｂ断面図（Ｃ１、第２図
（ａｌ〜（ｂｌは同実施例の工程平面図、第３図（ａｌ
〜（ｂｌは同実施例の工程断面図、第４図は本発明の効
果を示す図、 第５図は従来例による交差型半導体光スイッチを模式的
に示す平面図（ａｌ、Ａ−Ａ断面図（ｂｌ及びＢ−Ｂ断
面図（ｅ）である。 図において、 １はｎ−Ｔｎｒ’基板、 ２．２Ａ、２Ｂは導波路形成用の溝、 ３はＩｎＧａＡｓＰ導波層、 論、３ＢはＩｎＧａＡｓＰ導波層による導波路、４はｎ
−Ｔｎｒ’クラッド層、 ５はｐ−ＴｎＧａＡｓＰ コンタクト層、６は５ｉ０２
膜、 ７．７Ａはｐ型電流注入領域、 ８はｎ側電極、 ９、静はｐ側電極、 １０は入射光用導波路、 １１はｊ３過光用導波路、 １２は反射光用導波路、 Ｐｏは入力ボート、 ｒ’１ｓ Ｐ２は出力ポート を示す。 ＜ｂ） Ａ−Ａ ｌｌｆＴ面図 ＣＣ） Ｆ３−Ｂ断面図 木受ｇ肋−割也９忰ａ＜図 第 １ 図 （（’ｔ） （ａ、） （す ７本茫萌ｎ−実１己張−Ｉｎニ畦平面図ノド弓；艷日月
６ワークＣ方亡λイ紛ユＬオ＝＄６ララｆ５昂 ス 第 図 ７寸ミイ芒日月σつ効１辷−？ 示、Ｔ図下 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ２本の光導波路が交差する領域上に電流注入領域が設け
られ、該電流注入領域に注入される電流を制御して該光
導波路が交差する領域における屈折率を変化し、外部か
らの入力光を透過或いは屈折させて該入力光が出射する
光導波路を選択する半導体光スイッチにおいて、 該入力光が透過した時に選択されろ光導波路上に該電流
注入領域が延長されてなることを特徴とする半導体光ス
イッチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15082488A JPH023024A (ja) | 1988-06-17 | 1988-06-17 | 半導体光スイッチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15082488A JPH023024A (ja) | 1988-06-17 | 1988-06-17 | 半導体光スイッチ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH023024A true JPH023024A (ja) | 1990-01-08 |
Family
ID=15505205
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15082488A Pending JPH023024A (ja) | 1988-06-17 | 1988-06-17 | 半導体光スイッチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH023024A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0396926A (ja) * | 1989-09-08 | 1991-04-22 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光スイッチ |
| JP2007093634A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-12 | Fuji Xerox Co Ltd | 有機薄膜素子及びその製造方法、並びに光導波路素子及びその製造方法 |
-
1988
- 1988-06-17 JP JP15082488A patent/JPH023024A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0396926A (ja) * | 1989-09-08 | 1991-04-22 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光スイッチ |
| JP2007093634A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-12 | Fuji Xerox Co Ltd | 有機薄膜素子及びその製造方法、並びに光導波路素子及びその製造方法 |
| JP4742779B2 (ja) * | 2005-09-26 | 2011-08-10 | 富士ゼロックス株式会社 | 光導波路素子の製造方法 |
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