JP2001007463A - 光電気混載基板およびその製造方法 - Google Patents
光電気混載基板およびその製造方法Info
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- JP2001007463A JP2001007463A JP11178766A JP17876699A JP2001007463A JP 2001007463 A JP2001007463 A JP 2001007463A JP 11178766 A JP11178766 A JP 11178766A JP 17876699 A JP17876699 A JP 17876699A JP 2001007463 A JP2001007463 A JP 2001007463A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光導波路部および電気配線部の３次元的な混
載化および低コスト化を図る。 【解決手段】 光電気混載基板は、電気絶縁層４および
微細銅配線５からなる微細電気配線部と、光導波路クラ
ッド層６および光導波路コア層７からなる光導波路部と
を有している。微細電気配線部の電気絶縁層４および光
導波路部６，７は、照射される露光光量によって屈折率
が変化する感光性樹脂で構成されている。
載化および低コスト化を図る。 【解決手段】 光電気混載基板は、電気絶縁層４および
微細銅配線５からなる微細電気配線部と、光導波路クラ
ッド層６および光導波路コア層７からなる光導波路部と
を有している。微細電気配線部の電気絶縁層４および光
導波路部６，７は、照射される露光光量によって屈折率
が変化する感光性樹脂で構成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光導波路部と電気
配線部とが混載され、光通信等において用いられる光電
気変換機能を有する光電気混載基板およびその製造方法
に関する。
配線部とが混載され、光通信等において用いられる光電
気変換機能を有する光電気混載基板およびその製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年では、通信の大容量化および高速化
を実現するために、光交換機や光インターコネクション
装置等の研究開発が活発に行われている。それらの装置
は、電気信号処理部、光信号処理部、および光信号と電
気信号とを相互に変換する光電気変換部を有している。
光電気変換部分は、ＬＤ（レーザダイオード）やＰＤ
（フォトダイオード）等の光電変換素子と、それを駆動
または増幅する電気素子とから構成されている。
を実現するために、光交換機や光インターコネクション
装置等の研究開発が活発に行われている。それらの装置
は、電気信号処理部、光信号処理部、および光信号と電
気信号とを相互に変換する光電気変換部を有している。
光電気変換部分は、ＬＤ（レーザダイオード）やＰＤ
（フォトダイオード）等の光電変換素子と、それを駆動
または増幅する電気素子とから構成されている。
【０００３】従来の光インターコネクションでは、光導
波路が形成され光素子が実装されている基板にはその特
性上シリコン基板が用いられ、また、電気配線が形成さ
れ電気素子が実装されている基板にはセラミック基板ま
たはプリント基板が多く用いられている。互いの基板
は、光素子用基板が電気基板上に搭載された状態で、ボ
ンディングワイヤーによって接続されている。
波路が形成され光素子が実装されている基板にはその特
性上シリコン基板が用いられ、また、電気配線が形成さ
れ電気素子が実装されている基板にはセラミック基板ま
たはプリント基板が多く用いられている。互いの基板
は、光素子用基板が電気基板上に搭載された状態で、ボ
ンディングワイヤーによって接続されている。
【０００４】また、特開平９−２３６７３１号公報に
は、光素子と電気素子との両方が実装された基板が開示
されている。本公報では、光素子と電気素子とがいずれ
もセラミック配線基板上に実装され、光導波路の材料と
してシロキサン系ポリマーが用いている基板が示されて
いる。
は、光素子と電気素子との両方が実装された基板が開示
されている。本公報では、光素子と電気素子とがいずれ
もセラミック配線基板上に実装され、光導波路の材料と
してシロキサン系ポリマーが用いている基板が示されて
いる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、光導波
路が形成され光素子が実装されている基板と、電気配線
が形成され電気素子が実装されている基板とをボンディ
ングワイヤーによって接続する構成の従来技術では、そ
のワイヤーが比較的に長いために、伝送容量を上げるた
めに駆動周波数を高くすると信号にノイズが重畳してし
まい、高周波化を実現することができなかった。
路が形成され光素子が実装されている基板と、電気配線
が形成され電気素子が実装されている基板とをボンディ
ングワイヤーによって接続する構成の従来技術では、そ
のワイヤーが比較的に長いために、伝送容量を上げるた
めに駆動周波数を高くすると信号にノイズが重畳してし
まい、高周波化を実現することができなかった。
【０００６】また、特開平９−２３６７３１号公報に開
示されている混在基板は、セラミック多層配線基板の上
にシロキサン系ポリマーからなる光導波路が形成されて
いる構成となっている。このように、配線基板と光導波
路とが互いに異なる材料からなる場合には、配線基板の
電気絶縁層と光導波路とを互いに異なる材料で個別のプ
ロセスで形成する必要があり、本混載基板では光導波路
部および電気配線部の３次元的な完全な混載化および低
コスト化を図ることが困難であった。なお、本混載基板
において光導波路用の樹脂として用いられているシロキ
サン系ポリマーは、感光によって微細配線およびビアホ
ールを形成することが難しく、そのため電気絶縁膜用材
料として用いることができない。
示されている混在基板は、セラミック多層配線基板の上
にシロキサン系ポリマーからなる光導波路が形成されて
いる構成となっている。このように、配線基板と光導波
路とが互いに異なる材料からなる場合には、配線基板の
電気絶縁層と光導波路とを互いに異なる材料で個別のプ
ロセスで形成する必要があり、本混載基板では光導波路
部および電気配線部の３次元的な完全な混載化および低
コスト化を図ることが困難であった。なお、本混載基板
において光導波路用の樹脂として用いられているシロキ
サン系ポリマーは、感光によって微細配線およびビアホ
ールを形成することが難しく、そのため電気絶縁膜用材
料として用いることができない。
【０００７】以上の問題点に鑑み、本発明は、光導波路
部および電気配線部の３次元的な混載化および低コスト
化を図ることができる光電気混載基板およびその製造方
法を提供することを目的とする。
部および電気配線部の３次元的な混載化および低コスト
化を図ることができる光電気混載基板およびその製造方
法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の光電気混載基板は、電気配線層と電気絶縁
層とを有する電気配線部と、コア部とクラッド部とから
なる光導波路部とを備えた光電気混載基板であって、前
記電気配線部の電気絶縁層と前記光導波路部とが同じ材
料で構成されていることを特徴とする。
め、本発明の光電気混載基板は、電気配線層と電気絶縁
層とを有する電気配線部と、コア部とクラッド部とから
なる光導波路部とを備えた光電気混載基板であって、前
記電気配線部の電気絶縁層と前記光導波路部とが同じ材
料で構成されていることを特徴とする。
【０００９】上記のように構成された本発明の光電気混
載基板によれば、電気配線部と光導波路部とを同じプロ
セスで形成することが可能となるため、光導波路部およ
び電気配線部の３次元的な混載化および光電気混載基板
の低コスト化を図ることが可能となる。
載基板によれば、電気配線部と光導波路部とを同じプロ
セスで形成することが可能となるため、光導波路部およ
び電気配線部の３次元的な混載化および光電気混載基板
の低コスト化を図ることが可能となる。
【００１０】また、前記電気配線部と前記光導波路部と
が互いに別体に設けられている構成としてもよい。
が互いに別体に設けられている構成としてもよい。
【００１１】あるいは、前記光導波路部が前記電気配線
部の上に設けられている構成としてもよく、また、前記
電気配線部の前記電気絶縁層に前記光導波路部が形成さ
れている構成としてもよい。これにより、光電気混載基
板のさらなる高密度化を図ることが可能となる。
部の上に設けられている構成としてもよく、また、前記
電気配線部の前記電気絶縁層に前記光導波路部が形成さ
れている構成としてもよい。これにより、光電気混載基
板のさらなる高密度化を図ることが可能となる。
【００１２】さらに、前記材料は照射される露光光量に
よって屈折率が変化する感光性樹脂からなり、前記光導
波路部のコア部は、前記光導波路部を構成する前記感光
性樹脂のコア部となる部分の屈折率が前記感光性樹脂の
クラッド部となる部分の屈折率よりも大きくなるよう
に、露光光を前記感光性樹脂の所望の位置に焦点を合わ
せながら走査させることによって形成されている構成と
してもよい。
よって屈折率が変化する感光性樹脂からなり、前記光導
波路部のコア部は、前記光導波路部を構成する前記感光
性樹脂のコア部となる部分の屈折率が前記感光性樹脂の
クラッド部となる部分の屈折率よりも大きくなるよう
に、露光光を前記感光性樹脂の所望の位置に焦点を合わ
せながら走査させることによって形成されている構成と
してもよい。
【００１３】加えて、前記電気配線部および前記光導波
路部が基板の上に設けられている構成としてもよい。
路部が基板の上に設けられている構成としてもよい。
【００１４】さらに、前記基板がセラミック基板、単層
配線基板あるいは多層配線基板である構成としてもよ
い。
配線基板あるいは多層配線基板である構成としてもよ
い。
【００１５】また、本発明の光電気混載基板の製造方法
は、電気配線層と電気絶縁層とを有する電気配線部と、
コア部とクラッド部とからなる光導波路部とを備えた光
電気混載基板の製造方法であって、前記電気配線部を形
成する工程と、前記光導波路部を形成する工程とを有
し、前記電気配線部の電気絶縁層と前記光導波路部とを
同じ材料で構成することを特徴とする。
は、電気配線層と電気絶縁層とを有する電気配線部と、
コア部とクラッド部とからなる光導波路部とを備えた光
電気混載基板の製造方法であって、前記電気配線部を形
成する工程と、前記光導波路部を形成する工程とを有
し、前記電気配線部の電気絶縁層と前記光導波路部とを
同じ材料で構成することを特徴とする。
【００１６】これにより、電気配線部と光導波路部とを
同じプロセスで形成することが可能となり、光導波路部
および電気配線部の３次元的な混載化および光電気混載
基板の低コスト化が図られる。
同じプロセスで形成することが可能となり、光導波路部
および電気配線部の３次元的な混載化および光電気混載
基板の低コスト化が図られる。
【００１７】また、前記電気配線部を形成する工程と、
前記光導波路部を形成する工程とが、前記電気配線部と
前記光導波路部とを互いに別体となるように設ける工程
を含む構成としてもよい。
前記光導波路部を形成する工程とが、前記電気配線部と
前記光導波路部とを互いに別体となるように設ける工程
を含む構成としてもよい。
【００１８】さらに、前記電気配線部と前記光導波路部
とを互いに別体となるように設ける工程は、前記材料を
積層しつつ、該積層された材料の所望の位置に前記電気
配線部および前記光導波路部をそれぞれ構成する工程
と、前記積層された材料の、前記電気配線部および前記
光導波路部のいずれも構成しない箇所を除去する工程と
を有する構成としてもよい。
とを互いに別体となるように設ける工程は、前記材料を
積層しつつ、該積層された材料の所望の位置に前記電気
配線部および前記光導波路部をそれぞれ構成する工程
と、前記積層された材料の、前記電気配線部および前記
光導波路部のいずれも構成しない箇所を除去する工程と
を有する構成としてもよい。
【００１９】また、前記光導波路部を形成する工程は、
前記電気配線部の上に前記光導波路部を形成する工程を
含む構成としてもよく、あるいは、前記電気配線部を形
成する工程と、前記光導波路部を形成する工程とが、前
記電気配線部を形成する工程中において前記電気配線部
の前記電気絶縁層に前記光導波路部を形成する工程を含
む構成としてもよい。これにより、さらなる高密度化が
図られた光電気混載基板が構成される。
前記電気配線部の上に前記光導波路部を形成する工程を
含む構成としてもよく、あるいは、前記電気配線部を形
成する工程と、前記光導波路部を形成する工程とが、前
記電気配線部を形成する工程中において前記電気配線部
の前記電気絶縁層に前記光導波路部を形成する工程を含
む構成としてもよい。これにより、さらなる高密度化が
図られた光電気混載基板が構成される。
【００２０】さらに、照射される露光光量によって屈折
率が変化する感光性樹脂を前記材料として用い、前記光
導波路部を構成する前記感光性樹脂のコア部となる部分
の屈折率が前記感光性樹脂のクラッド部となる部分の屈
折率よりも大きくなるように、露光光を前記感光性樹脂
の所望の位置に焦点を合わせながら走査させることによ
って前記光導波路部のコア部を形成する工程を含む構成
としてもよい。
率が変化する感光性樹脂を前記材料として用い、前記光
導波路部を構成する前記感光性樹脂のコア部となる部分
の屈折率が前記感光性樹脂のクラッド部となる部分の屈
折率よりも大きくなるように、露光光を前記感光性樹脂
の所望の位置に焦点を合わせながら走査させることによ
って前記光導波路部のコア部を形成する工程を含む構成
としてもよい。
【００２１】また、前記電気配線部および前記光導波路
部を基板の上に設ける工程を有する構成としてもよく、
さらに、前記基板として、セラミック基板、単層配線基
板あるいは多層配線基板を用いる構成としてもよい。
部を基板の上に設ける工程を有する構成としてもよく、
さらに、前記基板として、セラミック基板、単層配線基
板あるいは多層配線基板を用いる構成としてもよい。
【００２２】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態について
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
【００２３】（第１の実施形態）図１は、本発明の光電
気混載基板の第１の実施形態を示す断面図である。
気混載基板の第１の実施形態を示す断面図である。
【００２４】本実施形態の光電気混載基板（以下、「混
載基板」という。）は、銅配線２および層間ビアホール
３によって両表面および内部に電気配線が形成されたセ
ラミック多層配線基板１と、電気絶縁層４および微細銅
配線５からなりセラミック多層配線基板１上に設けられ
た微細電気配線部と、光導波路クラッド層６および光導
波路コア層７からなり同じくセラミック多層配線基板１
上に設けられた光導波路部とを有している。セラミック
多層配線基板１上には、ＬＤ（レーザダイオード）８が
高融点はんだバンプ９を介して実装され、またドライバ
用シリコンＬＳＩ１０がはんだバンプ１１を介して実装
されている。さらに、微細電気配線部上には、制御用シ
リコンＬＳＩ１２が実装されている。
載基板」という。）は、銅配線２および層間ビアホール
３によって両表面および内部に電気配線が形成されたセ
ラミック多層配線基板１と、電気絶縁層４および微細銅
配線５からなりセラミック多層配線基板１上に設けられ
た微細電気配線部と、光導波路クラッド層６および光導
波路コア層７からなり同じくセラミック多層配線基板１
上に設けられた光導波路部とを有している。セラミック
多層配線基板１上には、ＬＤ（レーザダイオード）８が
高融点はんだバンプ９を介して実装され、またドライバ
用シリコンＬＳＩ１０がはんだバンプ１１を介して実装
されている。さらに、微細電気配線部上には、制御用シ
リコンＬＳＩ１２が実装されている。
【００２５】上記のように構成された混載基板では、制
御用シリコンＬＳＩ１２がドライバ用シリコンＬＳＩ１
０を制御し、ドライバ用シリコンＬＳＩ１０がＬＤ８を
駆動する。なお、ＬＤ８と光導波路コア７とは光学的に
結合されている。
御用シリコンＬＳＩ１２がドライバ用シリコンＬＳＩ１
０を制御し、ドライバ用シリコンＬＳＩ１０がＬＤ８を
駆動する。なお、ＬＤ８と光導波路コア７とは光学的に
結合されている。
【００２６】次に、図２を参照して図１に示した混載基
板の製造工程について説明する。図２は、図１に示した
混載基板の製造工程を示す断面図である。
板の製造工程について説明する。図２は、図１に示した
混載基板の製造工程を示す断面図である。
【００２７】混載基板の製造工程では、まず最初に、図
２（ａ）に示すように、セラミック多層配線基板１を作
成する。
２（ａ）に示すように、セラミック多層配線基板１を作
成する。
【００２８】まず、アルミナ粉末、フラックス、有機バ
インダ、溶剤および可塑剤をボールミル中で良く混合し
た後に、この混合物をブレードによってキャリアテープ
上へ伸展し、乾燥させてグリーンシートを作成する。次
に、グリーンシートに金型で穴開けを行い、この中へ金
属粉末で作成した導体ペーストを充填し、さらにグリー
ンシート上に所望の導体パターンを印刷する。次に、こ
のように構成した複数枚のグリーンシートを積層して焼
成する。以上により、セラミック多層配線基板１が作成
される。
インダ、溶剤および可塑剤をボールミル中で良く混合し
た後に、この混合物をブレードによってキャリアテープ
上へ伸展し、乾燥させてグリーンシートを作成する。次
に、グリーンシートに金型で穴開けを行い、この中へ金
属粉末で作成した導体ペーストを充填し、さらにグリー
ンシート上に所望の導体パターンを印刷する。次に、こ
のように構成した複数枚のグリーンシートを積層して焼
成する。以上により、セラミック多層配線基板１が作成
される。
【００２９】続いて、同図（ｂ）に示すように、セラミ
ック多層配線基板１の上に、微細電気配線部および光導
波路部を作成する。
ック多層配線基板１の上に、微細電気配線部および光導
波路部を作成する。
【００３０】まず、セラミック多層配線基板１上に光導
波路部の下部クラッド層６ａおよび微細電気配線部の電
気絶縁層４となる感光性樹脂をスピンコートする。次
に、露光および現像を行い、微細電気配線部として用い
る部分にはビアパターンを形成し、下部クラッド層６ａ
として用いる部分は一様な樹脂膜として残し、セラミッ
ク多層配線基板１の表面を露出させたい部分は感光性樹
脂を取り除く。なお、上記の感光性樹脂には露光光量に
よって屈折率が変化する樹脂を用い、露光および現像の
プロセスでは、下部クラッド６ｂの屈折率が後述する光
導波路コア７よりわずかに小さくなるように露光光量を
調整する。その後、樹脂に固有の温度で感光性樹脂を硬
化させる。次に、メッキレジストをスピンコート法を用
いて塗布し、露光および現像を行い、微細銅配線を形成
するパターニングを行った後、銅メッキを施し、微細銅
配線５を形成した後に、メッキレジストを除去する。
波路部の下部クラッド層６ａおよび微細電気配線部の電
気絶縁層４となる感光性樹脂をスピンコートする。次
に、露光および現像を行い、微細電気配線部として用い
る部分にはビアパターンを形成し、下部クラッド層６ａ
として用いる部分は一様な樹脂膜として残し、セラミッ
ク多層配線基板１の表面を露出させたい部分は感光性樹
脂を取り除く。なお、上記の感光性樹脂には露光光量に
よって屈折率が変化する樹脂を用い、露光および現像の
プロセスでは、下部クラッド６ｂの屈折率が後述する光
導波路コア７よりわずかに小さくなるように露光光量を
調整する。その後、樹脂に固有の温度で感光性樹脂を硬
化させる。次に、メッキレジストをスピンコート法を用
いて塗布し、露光および現像を行い、微細銅配線を形成
するパターニングを行った後、銅メッキを施し、微細銅
配線５を形成した後に、メッキレジストを除去する。
【００３１】次いで、光導波路コア層７および微細電気
配線部の電気絶縁層４となる感光性樹脂をスピンコート
する。次に、露光および現像を行い、微細電気配線とし
て用いる部分にはビアパターンを形成し、光導波路コア
７として用いる部分にはコアパターンを形成し、セラミ
ック多層配線基板１の表面を露出させたい部分は感光性
樹脂を取り除く。なお、上記の感光性樹脂には露光光量
によって屈折率が変化する樹脂を用い、露光および現像
のプロセスでは、光導波路コア層７のパターニングを行
うとともに、コア層７の屈折率を下部クラッド層６ａよ
りわずかに大きくさせるように露光光量を調整する。そ
の後、樹脂に固有の温度で感光性樹脂を硬化させる。次
に、メッキレジストをスピンコート法を用いて塗布し、
露光および現像を行い、微細銅配線を形成するためのパ
ターニングを行った後に銅メッキを施し、微細銅配線５
を形成した後に、メッキレジストを除去する。
配線部の電気絶縁層４となる感光性樹脂をスピンコート
する。次に、露光および現像を行い、微細電気配線とし
て用いる部分にはビアパターンを形成し、光導波路コア
７として用いる部分にはコアパターンを形成し、セラミ
ック多層配線基板１の表面を露出させたい部分は感光性
樹脂を取り除く。なお、上記の感光性樹脂には露光光量
によって屈折率が変化する樹脂を用い、露光および現像
のプロセスでは、光導波路コア層７のパターニングを行
うとともに、コア層７の屈折率を下部クラッド層６ａよ
りわずかに大きくさせるように露光光量を調整する。そ
の後、樹脂に固有の温度で感光性樹脂を硬化させる。次
に、メッキレジストをスピンコート法を用いて塗布し、
露光および現像を行い、微細銅配線を形成するためのパ
ターニングを行った後に銅メッキを施し、微細銅配線５
を形成した後に、メッキレジストを除去する。
【００３２】続いて、光導波路クラッド層６の上部クラ
ッド層６ｂおよび微細電気配線部の電気絶縁層４となる
感光性樹脂をスピンコートする。次に、露光および現像
を行い、微細電気配線として用いる部分にはビアパター
ンを形成し、上部クラッド層６ｂとして用いる部分には
コアパターンを形成し、セラミック多層配線基板１の表
面を露出させたい部分は感光性樹脂を取り除く。なお、
上記の感光性樹脂には露光光量によって屈折率が変化す
る樹脂を用い、露光および現像のプロセスでは、上部ク
ラッド６ｂの屈折率が光導波路コア７よりわずかに小さ
くなるように露光光量を調整する。その後、樹脂に固有
の温度で感光性樹脂を硬化させる。次に、メッキレジス
トをスピンコート法を用いて塗布し、露光および現像を
行い、微細銅配線を形成するためのパターニングを行っ
た後に、銅メッキを施し、微細銅配線５を形成した後
に、メッキレジストを除去する。
ッド層６ｂおよび微細電気配線部の電気絶縁層４となる
感光性樹脂をスピンコートする。次に、露光および現像
を行い、微細電気配線として用いる部分にはビアパター
ンを形成し、上部クラッド層６ｂとして用いる部分には
コアパターンを形成し、セラミック多層配線基板１の表
面を露出させたい部分は感光性樹脂を取り除く。なお、
上記の感光性樹脂には露光光量によって屈折率が変化す
る樹脂を用い、露光および現像のプロセスでは、上部ク
ラッド６ｂの屈折率が光導波路コア７よりわずかに小さ
くなるように露光光量を調整する。その後、樹脂に固有
の温度で感光性樹脂を硬化させる。次に、メッキレジス
トをスピンコート法を用いて塗布し、露光および現像を
行い、微細銅配線を形成するためのパターニングを行っ
た後に、銅メッキを施し、微細銅配線５を形成した後
に、メッキレジストを除去する。
【００３３】続いて、同図（ｃ）に示すように、ＬＤ８
を高融点はんだ９を用いてセラミック多層配線基板１上
に実装する。
を高融点はんだ９を用いてセラミック多層配線基板１上
に実装する。
【００３４】最後に、同図（ｄ）に示すように、はんだ
バンプ１１を介して、ドライバ用シリコンＬＳＩ１０を
セラミック多層配線基板１上に実装し、制御用シリコン
ＬＳＩ１２を微細電気配線部上に実装する。
バンプ１１を介して、ドライバ用シリコンＬＳＩ１０を
セラミック多層配線基板１上に実装し、制御用シリコン
ＬＳＩ１２を微細電気配線部上に実装する。
【００３５】以上の工程により、電気絶縁層４および微
細銅配線５からなる３層の微細電気配線部と光導波路と
を有し、光素子であるＬＤ８と電気素子であるＬＳＩ１
０，１２とが実装された混載基板が形成される。上記に
説明した製造方法によれば、セラミック多層配線基板１
上の別々の部分に、微細電気配線部および光導波路部
を、電気絶縁層４および光導波路の材料として同じ材料
を用いて同一のプロセスで作成することができる。な
お、微細電気配線部の配線層数は任意に選ぶことができ
る。また、光導波路は上記のような３次元型光導波路の
構成に限られない。
細銅配線５からなる３層の微細電気配線部と光導波路と
を有し、光素子であるＬＤ８と電気素子であるＬＳＩ１
０，１２とが実装された混載基板が形成される。上記に
説明した製造方法によれば、セラミック多層配線基板１
上の別々の部分に、微細電気配線部および光導波路部
を、電気絶縁層４および光導波路の材料として同じ材料
を用いて同一のプロセスで作成することができる。な
お、微細電気配線部の配線層数は任意に選ぶことができ
る。また、光導波路は上記のような３次元型光導波路の
構成に限られない。
【００３６】図３は、図１に示した混載基板における光
導波路の側面図である。
導波路の側面図である。
【００３７】図から分かるように、セラミック多層配線
基板１上には、光導波路クラッド層６が光導波路コア層
７を囲むような構造で光導波路が形成されている。な
お、図３には３つの光導波路コア層７が設けられている
例を示しているが、コア層７の数は光回路の使用目的等
に応じて変更してもよい。
基板１上には、光導波路クラッド層６が光導波路コア層
７を囲むような構造で光導波路が形成されている。な
お、図３には３つの光導波路コア層７が設けられている
例を示しているが、コア層７の数は光回路の使用目的等
に応じて変更してもよい。
【００３８】（第２の実施形態）図４は、本発明の混載
基板の第２の実施形態を示す断面図である。
基板の第２の実施形態を示す断面図である。
【００３９】本実施形態の混載基板は、銅配線２２およ
び層間ビアホール２３によって両表面および内部に電気
配線が形成されたセラミック多層配線基板２１を有して
いる。配線基板２１の上面には、電気絶縁層２４および
微細銅配線２５からなる微細電気配線層部が全体にわた
って形成されており、さらに、微細電気配線層部上の必
要な部分には、光導波路コア層２７および光導波路クラ
ッド２６からなる光導波路部が形成されている。電気絶
縁層２４と光導波路部とは同じ材料で形成されている。
さらに、微細電気配線層部上には、ＬＤ２８が高融点は
んだバンプ２９を介して実装され、ドライバ用シリコン
ＬＳＩ３０および制御用シリコンＬＳＩ３２がはんだバ
ンプ３１を介して実装されている。
び層間ビアホール２３によって両表面および内部に電気
配線が形成されたセラミック多層配線基板２１を有して
いる。配線基板２１の上面には、電気絶縁層２４および
微細銅配線２５からなる微細電気配線層部が全体にわた
って形成されており、さらに、微細電気配線層部上の必
要な部分には、光導波路コア層２７および光導波路クラ
ッド２６からなる光導波路部が形成されている。電気絶
縁層２４と光導波路部とは同じ材料で形成されている。
さらに、微細電気配線層部上には、ＬＤ２８が高融点は
んだバンプ２９を介して実装され、ドライバ用シリコン
ＬＳＩ３０および制御用シリコンＬＳＩ３２がはんだバ
ンプ３１を介して実装されている。
【００４０】上記のように構成された混載基板では、制
御用シリコンＬＳＩ３２がドライバ用シリコンＬＳＩ１
０を制御し、ドライバ用シリコンＬＳＩ３０がＬＤ２８
を駆動する。なお、レーザダイオード２８と光導波路コ
ア２７とは光学的に結合されている。
御用シリコンＬＳＩ３２がドライバ用シリコンＬＳＩ１
０を制御し、ドライバ用シリコンＬＳＩ３０がＬＤ２８
を駆動する。なお、レーザダイオード２８と光導波路コ
ア２７とは光学的に結合されている。
【００４１】次に、図５を参照して図４に示した混載基
板の製造工程について説明する。図５は、図４に示した
混載基板の製造工程を示す断面図である。
板の製造工程について説明する。図５は、図４に示した
混載基板の製造工程を示す断面図である。
【００４２】混載基板の製造工程では、まず最初に、図
５（ａ）に示すように、セラミック多層配線基板２１を
作成する。
５（ａ）に示すように、セラミック多層配線基板２１を
作成する。
【００４３】まず、アルミナ粉末、フラックス、有機バ
インダ、溶剤および可塑剤をボールミル中で良く混合し
た後に、この混合物をブレードによってキャリアテープ
上へ伸展し、乾燥させてグリーンシートを作成する。次
に、グリーンシートに金型で穴開けを行い、この中へ金
属粉末で作成した導体ペーストを充填し、さらにグリー
ンシート上に所望の導体パターンを印刷する。次に、こ
のように構成した複数枚のグリーンシートを積層して焼
成する。以上により、セラミック多層配線基板２１が作
成される。
インダ、溶剤および可塑剤をボールミル中で良く混合し
た後に、この混合物をブレードによってキャリアテープ
上へ伸展し、乾燥させてグリーンシートを作成する。次
に、グリーンシートに金型で穴開けを行い、この中へ金
属粉末で作成した導体ペーストを充填し、さらにグリー
ンシート上に所望の導体パターンを印刷する。次に、こ
のように構成した複数枚のグリーンシートを積層して焼
成する。以上により、セラミック多層配線基板２１が作
成される。
【００４４】続いて、同図（ｂ）に示すように、セラミ
ック多層配線基板２１の上面全体に微細電気配線部を作
成する。
ック多層配線基板２１の上面全体に微細電気配線部を作
成する。
【００４５】まず、セラミック多層配線基板２１上に、
電気絶縁層２４となる感光性樹脂をスピンコート法によ
り塗布する。次に、露光および現像を行い、電気絶縁層
のパターンを形成した後に、樹脂に固有の温度で加熱を
行い、樹脂を硬化させる。次に、メッキレジストをスピ
ンコート法で塗布し、露光および現像を行い、電気導体
層のパターニングを行った後に銅メッキを施し、微細銅
配線２５を形成する。さらに、上記の電気絶縁層の形成
工程と微細銅配線層の形成工程とを必要な回数だけ繰り
返して実施することにより、所望の微細電気配線層部が
セラミック多層配線基板２１上に作成される。
電気絶縁層２４となる感光性樹脂をスピンコート法によ
り塗布する。次に、露光および現像を行い、電気絶縁層
のパターンを形成した後に、樹脂に固有の温度で加熱を
行い、樹脂を硬化させる。次に、メッキレジストをスピ
ンコート法で塗布し、露光および現像を行い、電気導体
層のパターニングを行った後に銅メッキを施し、微細銅
配線２５を形成する。さらに、上記の電気絶縁層の形成
工程と微細銅配線層の形成工程とを必要な回数だけ繰り
返して実施することにより、所望の微細電気配線層部が
セラミック多層配線基板２１上に作成される。
【００４６】続いて、同図（ｃ）に示すように、セラミ
ック多層配線基板２１上に形成した電気絶縁層４および
微細銅配線５からなる微細電気配線部の上に、光導波路
部を作成する。
ック多層配線基板２１上に形成した電気絶縁層４および
微細銅配線５からなる微細電気配線部の上に、光導波路
部を作成する。
【００４７】まず、光導波路部の下部クラッド層２６ａ
となる電気絶縁層２４と同じ樹脂を微細電気配線部の上
にスピンコート法により塗布して露光および現像を行
い、光導波路下部クラッド層２６ａを所望の形状にパタ
ーニングし、樹脂に固有の温度で樹脂を硬化させる。次
に、光導波路コア層２７となる電気絶縁層２４と同じ樹
脂をスピンコート法により塗布し、露光および現像を行
い目的部分に光導波路コア層７をパターニングし、樹脂
に固有の温度で樹脂を硬化させる。
となる電気絶縁層２４と同じ樹脂を微細電気配線部の上
にスピンコート法により塗布して露光および現像を行
い、光導波路下部クラッド層２６ａを所望の形状にパタ
ーニングし、樹脂に固有の温度で樹脂を硬化させる。次
に、光導波路コア層２７となる電気絶縁層２４と同じ樹
脂をスピンコート法により塗布し、露光および現像を行
い目的部分に光導波路コア層７をパターニングし、樹脂
に固有の温度で樹脂を硬化させる。
【００４８】次に、光導波路上部クラッド層２６ｂとな
る電気絶縁層２４と同じ樹脂をスピンコート法により塗
布して露光および現像を行い、上部クラッド層２６ｂを
所望の形状にパターニングし、樹脂に固有の温度で樹脂
を硬化させる。なお、クラッド層２６ａ，２６ｂおよび
コア層２７を構成する樹脂には露光光量によって屈折率
が変化する材料を用い、露光および現像のプロセスで
は、パターニングを行うとともに光導波路コア層２７の
屈折率がクラッド層２６の屈折率よりもわずかに高くな
るように露光光量を調整する。
る電気絶縁層２４と同じ樹脂をスピンコート法により塗
布して露光および現像を行い、上部クラッド層２６ｂを
所望の形状にパターニングし、樹脂に固有の温度で樹脂
を硬化させる。なお、クラッド層２６ａ，２６ｂおよび
コア層２７を構成する樹脂には露光光量によって屈折率
が変化する材料を用い、露光および現像のプロセスで
は、パターニングを行うとともに光導波路コア層２７の
屈折率がクラッド層２６の屈折率よりもわずかに高くな
るように露光光量を調整する。
【００４９】最後に、同図（ｄ）に示すように、ＬＤ２
８を高融点はんだ２９を介して微細電気配線部上に実装
するとともに、ドライバ用シリコンＬＳＩ３０および制
御用シリコンＬＳＩ３２をはんだバンプ３１を介して微
細電気配線部上に実装する。
８を高融点はんだ２９を介して微細電気配線部上に実装
するとともに、ドライバ用シリコンＬＳＩ３０および制
御用シリコンＬＳＩ３２をはんだバンプ３１を介して微
細電気配線部上に実装する。
【００５０】以上の工程により、本実施形態の混載基板
が形成される。上記に説明した製造方法によれば、電気
絶縁層２４および光導波路の材料として同じ材料を用い
て同一のプロセスで、セラミック多層配線基板２１の微
細電気配線部の上に光導波路部を作成することができ
る。なお、微細電気配線部の配線層数は任意に選ぶこと
ができる。また、光導波路は上記のような３次元型光導
波路の構成に限られない。
が形成される。上記に説明した製造方法によれば、電気
絶縁層２４および光導波路の材料として同じ材料を用い
て同一のプロセスで、セラミック多層配線基板２１の微
細電気配線部の上に光導波路部を作成することができ
る。なお、微細電気配線部の配線層数は任意に選ぶこと
ができる。また、光導波路は上記のような３次元型光導
波路の構成に限られない。
【００５１】（第３の実施形態）図６は、本発明の混載
基板の第３の実施形態を示す断面図である。
基板の第３の実施形態を示す断面図である。
【００５２】本実施形態の混載基板は、銅配線４２およ
び層間ビアホール４３によって両表面および内部に電気
配線が形成されたセラミック多層配線基板４１を有して
いる。配線基板４１の上面には、電気絶縁層４４および
微細銅配線４５からなる微細電気配線層部が全体にわた
って形成されており、さらに、微細電気配線層部内に
は、光導波路である光送信用コア層５３および光受信用
コア層５５が形成されている。電気絶縁層４４と光導波
路とは同じ材料で形成されている。微細電気配線層部上
には、ＬＤ４８が高融点はんだバンプ４９を介して実装
され、ＰＤ５４、ドライバ用シリコンＬＳＩ５０および
制御用シリコンＬＳＩ５２がはんだバンプ５１を介して
実装されている。
び層間ビアホール４３によって両表面および内部に電気
配線が形成されたセラミック多層配線基板４１を有して
いる。配線基板４１の上面には、電気絶縁層４４および
微細銅配線４５からなる微細電気配線層部が全体にわた
って形成されており、さらに、微細電気配線層部内に
は、光導波路である光送信用コア層５３および光受信用
コア層５５が形成されている。電気絶縁層４４と光導波
路とは同じ材料で形成されている。微細電気配線層部上
には、ＬＤ４８が高融点はんだバンプ４９を介して実装
され、ＰＤ５４、ドライバ用シリコンＬＳＩ５０および
制御用シリコンＬＳＩ５２がはんだバンプ５１を介して
実装されている。
【００５３】上記のように構成された本実施形態の混載
基板では、制御用シリコンＬＳＩ５２がドライバ用シリ
コンＬＳＩ５０を制御し、ドライバ用シリコンＬＳＩ５
０がＬＤ４８を駆動する。なお、ＬＤ４８と光送信用コ
ア５３、ＰＤ５４と光受信用コア５５とは、それぞれ互
いに光学的に結合されている。
基板では、制御用シリコンＬＳＩ５２がドライバ用シリ
コンＬＳＩ５０を制御し、ドライバ用シリコンＬＳＩ５
０がＬＤ４８を駆動する。なお、ＬＤ４８と光送信用コ
ア５３、ＰＤ５４と光受信用コア５５とは、それぞれ互
いに光学的に結合されている。
【００５４】次に、図７を参照して図６に示した混載基
板の製造工程について説明する。図７は、図６に示した
混載基板の製造工程を示す断面図である。
板の製造工程について説明する。図７は、図６に示した
混載基板の製造工程を示す断面図である。
【００５５】まず、アルミナ粉末、フラックス、有機バ
インダ、溶剤および可塑剤をボールミル中で良く混合し
た後に、この混合物をブレードによってキャリアテープ
上へ伸展し、乾燥させてグリーンシートを作成する。次
に、グリーンシートに金型で穴開けを行い、この中へ金
属粉末で作成した導体ペーストを充填し、さらにグリー
ンシート上に所望の導体パターンを印刷する。次に、こ
のように構成した複数枚のグリーンシートを積層して焼
成する。以上により、セラミック多層配線基板４１が作
成される。
インダ、溶剤および可塑剤をボールミル中で良く混合し
た後に、この混合物をブレードによってキャリアテープ
上へ伸展し、乾燥させてグリーンシートを作成する。次
に、グリーンシートに金型で穴開けを行い、この中へ金
属粉末で作成した導体ペーストを充填し、さらにグリー
ンシート上に所望の導体パターンを印刷する。次に、こ
のように構成した複数枚のグリーンシートを積層して焼
成する。以上により、セラミック多層配線基板４１が作
成される。
【００５６】続いて、同図（ｂ）に示すように、セラミ
ック多層配線基板４１の上面全体に微細電気配線部を作
成する。
ック多層配線基板４１の上面全体に微細電気配線部を作
成する。
【００５７】まず、セラミック多層配線基板４１上に、
電気絶縁層４４となる感光性樹脂をスピンコート法によ
り塗布する。次に、露光および現像を行い、電気絶縁層
のパターンを形成した後に、樹脂に固有の温度で加熱を
行い、樹脂を硬化させる。次に、メッキレジストをスピ
ンコート法で塗布し、露光および現像を行い、電気導体
層のパターニングを行った後に銅メッキを施し、微細銅
配線４５を形成する。さらに、上記の電気絶縁層の形成
工程と微細銅配線の形成工程とを必要な回数だけ繰り返
して実施することにより、所望の微細電気配線層部がセ
ラミック多層配線基板４１上に作成される。
電気絶縁層４４となる感光性樹脂をスピンコート法によ
り塗布する。次に、露光および現像を行い、電気絶縁層
のパターンを形成した後に、樹脂に固有の温度で加熱を
行い、樹脂を硬化させる。次に、メッキレジストをスピ
ンコート法で塗布し、露光および現像を行い、電気導体
層のパターニングを行った後に銅メッキを施し、微細銅
配線４５を形成する。さらに、上記の電気絶縁層の形成
工程と微細銅配線の形成工程とを必要な回数だけ繰り返
して実施することにより、所望の微細電気配線層部がセ
ラミック多層配線基板４１上に作成される。
【００５８】続いて、同図（ｃ）に示すように、セラミ
ック多層配線基板４１上に形成した微細電気配線部の電
気絶縁層４４内に、光導波路を作成する。感光性樹脂に
は、照射される露光光としてのレーザ光の光量によって
屈折率が変化する樹脂を用い、光導波路コア層５３，５
５の屈折率が周囲の電気絶縁層４４よりもわずかに大き
くなるように、レーザ光を感光性樹脂のコア層５３，５
５を形成する位置に焦点を合わせながら走査させること
で、感光性樹脂に３次元的に光導波路コア層５３，５５
を書き込む。
ック多層配線基板４１上に形成した微細電気配線部の電
気絶縁層４４内に、光導波路を作成する。感光性樹脂に
は、照射される露光光としてのレーザ光の光量によって
屈折率が変化する樹脂を用い、光導波路コア層５３，５
５の屈折率が周囲の電気絶縁層４４よりもわずかに大き
くなるように、レーザ光を感光性樹脂のコア層５３，５
５を形成する位置に焦点を合わせながら走査させること
で、感光性樹脂に３次元的に光導波路コア層５３，５５
を書き込む。
【００５９】最後に、同図（ｄ）に示すように、ＬＤ４
８を高融点はんだ４９を介して微細電気配線部上に実装
するとともに、ＰＤ５４、ドライバ用シリコンＬＳＩ５
０および制御用シリコンＬＳＩ５２をはんだバンプ５１
を介して微細電気配線部上に実装する。
８を高融点はんだ４９を介して微細電気配線部上に実装
するとともに、ＰＤ５４、ドライバ用シリコンＬＳＩ５
０および制御用シリコンＬＳＩ５２をはんだバンプ５１
を介して微細電気配線部上に実装する。
【００６０】以上の工程により、本実施形態の混載基板
が形成される。上記に説明した製造方法によれば、電気
絶縁層４４および光導波路の材料として同じ材料を用い
て同一のプロセスで、セラミック多層配線基板４１の微
細電気配線部の上に光導波路部を作成することができ
る。
が形成される。上記に説明した製造方法によれば、電気
絶縁層４４および光導波路の材料として同じ材料を用い
て同一のプロセスで、セラミック多層配線基板４１の微
細電気配線部の上に光導波路部を作成することができ
る。
【００６１】
【実施例】本発明の混載基板を実現するためには、光透
過性が高く、かつ低コストな微細加工を実現する材料が
必要である。例えば、フルオレン骨格を有するエポキシ
アクリレート樹脂（新日鉄化学（株）製のＶ２５９Ｐ
Ａ）は、これらの条件を満たしており、シングルモード
用光導波路としての光損失が０．３ｄＢ／ｃｍ程度であ
り、光導波路用として開発されている他のポリマー材と
比較しても遜色ない性能を有している。また、上記のエ
ポキシアクリレート樹脂は、ＵＶ感光性を有しており、
しかも微細化に必要となる解像度も高いので、数ミクロ
ン程度の電気配線を低コストで形成することが可能であ
る。
過性が高く、かつ低コストな微細加工を実現する材料が
必要である。例えば、フルオレン骨格を有するエポキシ
アクリレート樹脂（新日鉄化学（株）製のＶ２５９Ｐ
Ａ）は、これらの条件を満たしており、シングルモード
用光導波路としての光損失が０．３ｄＢ／ｃｍ程度であ
り、光導波路用として開発されている他のポリマー材と
比較しても遜色ない性能を有している。また、上記のエ
ポキシアクリレート樹脂は、ＵＶ感光性を有しており、
しかも微細化に必要となる解像度も高いので、数ミクロ
ン程度の電気配線を低コストで形成することが可能であ
る。
【００６２】ここで、フルオレン骨格を有するエポキシ
アクリレート樹脂を用いて光導波路を形成する工程につ
いて説明する。
アクリレート樹脂を用いて光導波路を形成する工程につ
いて説明する。
【００６３】まず、光導波路を形成する基板に、フルオ
レン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂を溶解した
コーティング溶液をスピンコーティング法、ディップコ
ーティング法等により塗布し、塗布膜を得る。次に、ベ
ーキング処理を施し溶媒を蒸発させた後、露光を行い下
部クラッドを適当な屈折率に調整する。次いで、１６０
℃〜２５０℃で３０〜９０分程度の加熱処理（ポストベ
ーク）を行うことにより、露光部を固化させ下部クラッ
ドを作成する。次に、下部クラッド上にフルオレン骨格
を有するエポキシアクリレート樹脂を溶解したコーティ
ング溶液をスピンコーティング法、ディップコーティン
グ法等により塗布し、塗布膜を得る。次に、ベーキング
処理を施し溶媒を蒸発させた後に、所定のパターンを施
したガラスマスクを通して露光を行い、コアの屈折率を
調整すると共に、目的の部分を硬化させる。このとき、
コアの屈折率は、その周辺のクラッドの屈折率よりも１
％以下の違いで小さいことが必要である。
レン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂を溶解した
コーティング溶液をスピンコーティング法、ディップコ
ーティング法等により塗布し、塗布膜を得る。次に、ベ
ーキング処理を施し溶媒を蒸発させた後、露光を行い下
部クラッドを適当な屈折率に調整する。次いで、１６０
℃〜２５０℃で３０〜９０分程度の加熱処理（ポストベ
ーク）を行うことにより、露光部を固化させ下部クラッ
ドを作成する。次に、下部クラッド上にフルオレン骨格
を有するエポキシアクリレート樹脂を溶解したコーティ
ング溶液をスピンコーティング法、ディップコーティン
グ法等により塗布し、塗布膜を得る。次に、ベーキング
処理を施し溶媒を蒸発させた後に、所定のパターンを施
したガラスマスクを通して露光を行い、コアの屈折率を
調整すると共に、目的の部分を硬化させる。このとき、
コアの屈折率は、その周辺のクラッドの屈折率よりも１
％以下の違いで小さいことが必要である。
【００６４】次に、上記の基板を水酸化カリウム、ある
いはアミン系のアルカリ現像液に浸し、未露光部分を溶
解して現像し、さらに１６０℃〜２５０℃で３０〜９０
分程度の加熱処理（ポストベーク）を行うことにより、
露光部を固化させ、光導波路コアの形状を作成する。次
に、上部クラッドとして、コアおよび下部クラッド上に
フルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂を上
記の下部クラッドと同様の方法で成膜する。以上の工程
により、耐熱性を持ち、コア断面の高さおよび幅が数μ
ｍ程度のシングルモード光導波路や、コア断面の高さお
よび幅が数１０μｍ程度のマルチモード光導波路を簡便
な方法で作成することができる。
いはアミン系のアルカリ現像液に浸し、未露光部分を溶
解して現像し、さらに１６０℃〜２５０℃で３０〜９０
分程度の加熱処理（ポストベーク）を行うことにより、
露光部を固化させ、光導波路コアの形状を作成する。次
に、上部クラッドとして、コアおよび下部クラッド上に
フルオレン骨格を有するエポキシアクリレート樹脂を上
記の下部クラッドと同様の方法で成膜する。以上の工程
により、耐熱性を持ち、コア断面の高さおよび幅が数μ
ｍ程度のシングルモード光導波路や、コア断面の高さお
よび幅が数１０μｍ程度のマルチモード光導波路を簡便
な方法で作成することができる。
【００６５】また、他の実施例としては、例えば図１に
示すような構成の混載基板において、ＬＤ８から発生す
る熱を効果的に放熱させるために、セラミック多層配線
基板１のセラミック材料として、熱伝導性の良い窒化ア
ルミニウム、炭化シリコン、あるいは酸化ベリリウムを
用いてもよい。
示すような構成の混載基板において、ＬＤ８から発生す
る熱を効果的に放熱させるために、セラミック多層配線
基板１のセラミック材料として、熱伝導性の良い窒化ア
ルミニウム、炭化シリコン、あるいは酸化ベリリウムを
用いてもよい。
【００６６】さらに、他の実施例としては、例えば図１
に示すような構成の混載基板において、ＬＤ８をダイボ
ンディングする際に、温度変化によるＬＤ８とセラミッ
ク多層配線基板１との間の熱膨張差によってＬＤ８に生
じるひずみが小さくなるように、セラミック多層配線基
板１のセラミック材料としてＬＤ８の材料の熱膨張係数
に近い材料を用いてもよい。
に示すような構成の混載基板において、ＬＤ８をダイボ
ンディングする際に、温度変化によるＬＤ８とセラミッ
ク多層配線基板１との間の熱膨張差によってＬＤ８に生
じるひずみが小さくなるように、セラミック多層配線基
板１のセラミック材料としてＬＤ８の材料の熱膨張係数
に近い材料を用いてもよい。
【００６７】ここで、上記に説明した各実施形態および
実施例では、セラミック多層配線基板の上に電気配線部
および光導波路部が設けられている例を示したが、本発
明の光電気混載基板は、電気配線部および光導波路部が
基板上に設けられていることは必ずしも必要ではない。
また、電気配線部および光導波路部が基板上に設けられ
ている構成にあっては、基板はセラミック多層配線基板
に限られず、単なるセラミック基板や単層配線基板等の
任意の構成の基板の上に電気配線部および光導波路部が
設けられている構成としてもよい。
実施例では、セラミック多層配線基板の上に電気配線部
および光導波路部が設けられている例を示したが、本発
明の光電気混載基板は、電気配線部および光導波路部が
基板上に設けられていることは必ずしも必要ではない。
また、電気配線部および光導波路部が基板上に設けられ
ている構成にあっては、基板はセラミック多層配線基板
に限られず、単なるセラミック基板や単層配線基板等の
任意の構成の基板の上に電気配線部および光導波路部が
設けられている構成としてもよい。
【００６８】なお、本発明は上述の各実施形態および各
実施例に何ら限定されるものではなく、本発明の要旨を
逸脱しない範囲で種々の変更や改良等を加えることは何
ら差し支えない。
実施例に何ら限定されるものではなく、本発明の要旨を
逸脱しない範囲で種々の変更や改良等を加えることは何
ら差し支えない。
【００６９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、電気配
線部の電気絶縁層と光導波路部とが同じ材料で構成され
ているので、電気配線部と光導波路部とを同じプロセス
で形成することができ、光導波路部および電気配線部の
３次元的な混載化および光電気混載基板の低コスト化を
図ることができる。
線部の電気絶縁層と光導波路部とが同じ材料で構成され
ているので、電気配線部と光導波路部とを同じプロセス
で形成することができ、光導波路部および電気配線部の
３次元的な混載化および光電気混載基板の低コスト化を
図ることができる。
【図１】本発明の光電気混載基板の第１の実施形態を示
す断面図である。
す断面図である。
【図２】図１に示した混載基板の製造工程を示す断面図
である。
である。
【図３】図１に示した混載基板における光導波路の側面
図である。
図である。
【図４】本発明の混先基板の第２の実施形態を示す断面
図である。
図である。
【図５】図４に示した混載基板の製造工程を示す断面図
である。
である。
【図６】本発明の混載基板の第３の実施形態を示す断面
図である。
図である。
【図７】図６に示した混載基板の製造工程を示す断面図
である。
である。
１，２１，４１ セラミック多層配線基板 ２，２２，４２ 銅配線 ３，２３，４３ 層間ビアホール ４，２４，４４ 電気絶縁層 ５，２５，４５ 微細銅配線 ６，２６ 光導波路クラッド層 ６ａ，２６ａ 下部クラッド層 ６ｂ，２６ｂ 上部クラッド層 ７，２７ 光導波路コア層 ８，２８，４８ ＬＤ（レーザダイオード） ９，２９，４９ 高融点はんだバンプ １０，３０，５０ ドライバ用シリコンＬＳＩ １１，３１，５１ はんだバンプ １２，３２，５２ 制御用シリコンＬＳＩ ５３ 光送信用コア層 ５４ ＰＤ（フォトダイオード） ５５ 光受信用コア層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｋ 3/46 Ｇ０２Ｂ 6/12 Ｂ // Ｈ０１Ｌ 31/0232 Ｍ Ｈ０１Ｓ 5/022 Ｈ０１Ｌ 31/02 Ｃ (72)発明者 嶋田 勇三 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 伊藤 正隆 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 金山 義信 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 藤原 雅彦 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 Ｆターム(参考） 2H047 KA03 KB09 MA07 PA11 PA28 TA13 5E338 AA03 AA16 AA18 BB63 CC01 CC10 EE11 EE23 EE32 5E346 AA04 AA12 AA15 AA43 BB01 BB20 CC08 CC09 DD03 DD22 DD47 EE33 FF07 FF45 GG15 GG17 GG23 HH06 HH25 HH32 HH33 5F073 AB21 AB25 FA06 FA22 FA30 5F088 BB01 JA03 JA14 KA10
Claims (15)
- 【請求項１】 電気配線層と電気絶縁層とを有する電気
配線部と、コア部とクラッド部とからなる光導波路部と
を備えた光電気混載基板であって、 前記電気配線部の電気絶縁層と前記光導波路部とが同じ
材料で構成されていることを特徴とする光電気混載基
板。 - 【請求項２】 前記電気配線部と前記光導波路部とが互
いに別体に設けられている請求項１に記載の光電気混載
基板。 - 【請求項３】 前記光導波路部が前記電気配線部の上に
設けられている請求項１に記載の光電気混載基板。 - 【請求項４】 前記電気配線部の前記電気絶縁層に前記
光導波路部が形成されている請求項１に記載の光電気混
載基板。 - 【請求項５】 前記材料は照射される露光光量によって
屈折率が変化する感光性樹脂からなり、前記光導波路部
のコア部は、前記光導波路部を構成する前記感光性樹脂
のコア部となる部分の屈折率が前記感光性樹脂のクラッ
ド部となる部分の屈折率よりも大きくなるように、露光
光を前記感光性樹脂の所望の位置に焦点を合わせながら
走査させることによって形成されている請求項１から４
のいずれか１項に記載の光電気混載基板。 - 【請求項６】 前記電気配線部および前記光導波路部が
基板の上に設けられている請求項１から５のいずれか１
項に記載の光電気混載基板。 - 【請求項７】 前記基板がセラミック基板、単層配線基
板あるいは多層配線基板である請求項６に記載の光電気
混載基板。 - 【請求項８】 電気配線層と電気絶縁層とを有する電気
配線部と、コア部とクラッド部とからなる光導波路部と
を備えた光電気混載基板の製造方法であって、 前記電気配線部を形成する工程と、前記光導波路部を形
成する工程とを有し、前記電気配線部の電気絶縁層と前
記光導波路部とを同じ材料で構成することを特徴とする
光電気混載基板の製造方法。 - 【請求項９】 前記電気配線部を形成する工程と、前記
光導波路部を形成する工程とが、前記電気配線部と前記
光導波路部とを互いに別体となるように設ける工程を含
む請求項８に記載の光電気混載基板の製造方法。 - 【請求項１０】 前記電気配線部と前記光導波路部とを
互いに別体となるように設ける工程は、前記材料を積層
しつつ、該積層された材料の所望の位置に前記電気配線
部および前記光導波路部をそれぞれ構成する工程と、 前記積層された材料の、前記電気配線部および前記光導
波路部のいずれも構成しない箇所を除去する工程とを有
する請求項９に記載の光電気混載基板の製造方法。 - 【請求項１１】 前記光導波路部を形成する工程は、前
記電気配線部の上に前記光導波路部を形成する工程を含
む請求項８に記載の光電気混載基板の製造方法。 - 【請求項１２】 前記電気配線部を形成する工程と、前
記光導波路部を形成する工程とが、前記電気配線部を形
成する工程中において前記電気配線部の前記電気絶縁層
に前記光導波路部を形成する工程を含む請求項８に記載
の光電気混載基板の製造方法。 - 【請求項１３】 照射される露光光量によって屈折率が
変化する感光性樹脂を前記材料として用い、前記光導波
路部を構成する前記感光性樹脂のコア部となる部分の屈
折率が前記感光性樹脂のクラッド部となる部分の屈折率
よりも大きくなるように、露光光を前記感光性樹脂の所
望の位置に焦点を合わせながら走査させることによって
前記光導波路部のコア部を形成する工程を含む請求項８
から１２のいずれか１項に記載の光電気混載基板の製造
方法。 - 【請求項１４】 前記電気配線部および前記光導波路部
を基板の上に設ける工程を有する請求項８から１３のい
ずれか１項に記載の光電気混載基板の製造方法。 - 【請求項１５】 前記基板として、セラミック基板、単
層配線基板あるいは多層配線基板を用いる請求項１４に
記載の光電気混載基板の製造方法。
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Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004341454A (ja) * | 2002-05-28 | 2004-12-02 | Matsushita Electric Works Ltd | 光電気混載基板の製造方法 |
| JPWO2004095093A1 (ja) * | 2003-04-23 | 2006-07-13 | 太陽インキ製造株式会社 | 光導波路、光電気混載基板および該光電気混載基板の製造方法 |
| JP2006351718A (ja) * | 2005-06-14 | 2006-12-28 | Nec Corp | 光素子及びそれを用いた光モジュール |
| US7266262B2 (en) | 2002-10-24 | 2007-09-04 | Sony Corporation | Hybrid circuit substrate with optical and electrical interconnects, hybrid circuit module with optical and electrical interconnects and manufacturing methods thereof |
| JP2009103827A (ja) * | 2007-10-22 | 2009-05-14 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 光電複合基板及びその製造方法 |
| EP2083294A2 (en) | 2008-01-24 | 2009-07-29 | Nitto Denko Corporation | Manufacturing method of opto-electric hybrid board and opto-electric hybrid board obtained thereby |
| EP2083295A2 (en) | 2008-01-24 | 2009-07-29 | Nitto Denko Corporation | Manufacturing method of opto-electric hybrid board and opto-electric hybrid board obtained thereby |
| EP2083296A2 (en) | 2008-01-24 | 2009-07-29 | Nitto Denko Corporation | Manufacturing method of opto-electric hybrid board and opto-electric hybrid board obtained thereby |
| WO2010038871A1 (ja) * | 2008-10-03 | 2010-04-08 | ソニー株式会社 | 半導体装置 |
| KR101230512B1 (ko) | 2003-11-21 | 2013-02-18 | 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드 | 광-유도 열 현상형 막 및 광도파로 형성 방법 |
| KR101258036B1 (ko) | 2004-02-16 | 2013-04-24 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 광 도파로 및 그의 제조방법 |
| EP2662716A1 (en) * | 2012-05-08 | 2013-11-13 | Nitto Denko Corporation | Opto-electric hybrid board and method of manufacturing same |
| JP2014167652A (ja) * | 2014-05-21 | 2014-09-11 | Panasonic Corp | 光電複合基板の製造方法 |
| US9201203B2 (en) | 2012-03-08 | 2015-12-01 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Photoelectric composite substrate and method of manufacturing the same |
| JP2017536696A (ja) * | 2014-10-28 | 2017-12-07 | フィニサー コーポレイション | 多層基板 |
| JP2023516161A (ja) * | 2020-02-26 | 2023-04-18 | エイエムエス－オスラム インターナショナル ゲーエムベーハー | 基板および半導体レーザー |
-
1999
- 1999-06-24 JP JP17876699A patent/JP3491677B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004341454A (ja) * | 2002-05-28 | 2004-12-02 | Matsushita Electric Works Ltd | 光電気混載基板の製造方法 |
| JP4539031B2 (ja) * | 2002-05-28 | 2010-09-08 | パナソニック電工株式会社 | 光電気混載基板の製造方法 |
| US7266262B2 (en) | 2002-10-24 | 2007-09-04 | Sony Corporation | Hybrid circuit substrate with optical and electrical interconnects, hybrid circuit module with optical and electrical interconnects and manufacturing methods thereof |
| JPWO2004095093A1 (ja) * | 2003-04-23 | 2006-07-13 | 太陽インキ製造株式会社 | 光導波路、光電気混載基板および該光電気混載基板の製造方法 |
| KR101230512B1 (ko) | 2003-11-21 | 2013-02-18 | 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드 | 광-유도 열 현상형 막 및 광도파로 형성 방법 |
| KR101258036B1 (ko) | 2004-02-16 | 2013-04-24 | 닛토덴코 가부시키가이샤 | 광 도파로 및 그의 제조방법 |
| JP2006351718A (ja) * | 2005-06-14 | 2006-12-28 | Nec Corp | 光素子及びそれを用いた光モジュール |
| JP2009103827A (ja) * | 2007-10-22 | 2009-05-14 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 光電複合基板及びその製造方法 |
| US7747123B2 (en) | 2008-01-24 | 2010-06-29 | Nitto Denko Corporation | Manufacturing method of opto-electric hybrid board and opto-electric hybrid board obtained thereby |
| EP2083294A2 (en) | 2008-01-24 | 2009-07-29 | Nitto Denko Corporation | Manufacturing method of opto-electric hybrid board and opto-electric hybrid board obtained thereby |
| US7616846B2 (en) | 2008-01-24 | 2009-11-10 | Nitto Denko Corporation | Manufacturing method of opto-electric hybrid board and opto-electric hybrid board obtained thereby |
| EP2083296A2 (en) | 2008-01-24 | 2009-07-29 | Nitto Denko Corporation | Manufacturing method of opto-electric hybrid board and opto-electric hybrid board obtained thereby |
| US7957622B2 (en) | 2008-01-24 | 2011-06-07 | Nitto Denko Corporation | Manufacturing method of opto-electric hybrid board and opto-electric hybrid board obtained thereby |
| EP2083295A2 (en) | 2008-01-24 | 2009-07-29 | Nitto Denko Corporation | Manufacturing method of opto-electric hybrid board and opto-electric hybrid board obtained thereby |
| US9035411B2 (en) | 2008-10-03 | 2015-05-19 | Sony Corporation | Semiconductor device |
| WO2010038871A1 (ja) * | 2008-10-03 | 2010-04-08 | ソニー株式会社 | 半導体装置 |
| US9201203B2 (en) | 2012-03-08 | 2015-12-01 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Photoelectric composite substrate and method of manufacturing the same |
| EP2662716A1 (en) * | 2012-05-08 | 2013-11-13 | Nitto Denko Corporation | Opto-electric hybrid board and method of manufacturing same |
| US8837874B2 (en) | 2012-05-08 | 2014-09-16 | Nitto Denko Corporation | Opto-electric hybrid board and method of manufacturing same |
| JP2014167652A (ja) * | 2014-05-21 | 2014-09-11 | Panasonic Corp | 光電複合基板の製造方法 |
| JP2017536696A (ja) * | 2014-10-28 | 2017-12-07 | フィニサー コーポレイション | 多層基板 |
| JP2023516161A (ja) * | 2020-02-26 | 2023-04-18 | エイエムエス－オスラム インターナショナル ゲーエムベーハー | 基板および半導体レーザー |
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| Publication number | Publication date |
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