JP4698728B2 - 光電気集積配線基板および光電気集積配線システム - Google Patents
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Description
マイクロプロセッサの高速化に伴う電気配線の微細化は、クロストークや伝播損失が増すこととなるため、高密度化の限界あるいは駆動と受信回路の複雑化といった問題をもたらしており、それらの問題がコンピュータの高性能化の障害となっている。
まず、基板2として、厚み0.8mmのガラスエポキシ基板を用いる。基板には必要な電気配線層3が基板最表面の銅箔をフォトリソグラフィを行いエッチングすることで、すでに形成されている。また、基板は多層構造となっており、基板作製時には所定の穴あけ及びめっき工程などを経ており、基板内部のビアを通して基板の両面で電気的な接合が得られた形となっている。本基板を用意する工程は、従来のプリント配線板作製時となんら変わりなく、通常の工程を得て形成される。
次に、本基板に貫通孔6を穿設する工程を行う。実施例の光電気集積配線システムで用いるVCSEL、PDは、受発光部の直径200μm、250μmピッチの4チャンネルアレイとする。従って、穴あけ工程は従来のビア形成時のドリルを用いて、受発光素子の受発光部に対応した位置に、それぞれ直径200μmの穴を250μmピッチで4つずつ開けて貫通孔6を形成した。
次に、形成された貫通孔6内部に透明樹脂を充填する。透明樹脂には、絶縁層4及び光配線層5として用いるものと同じエポキシ樹脂を使用する。貫通孔6に樹脂充填後ベークを行い、樹脂を硬化させる。
次に、第1の面2aにおける樹脂絶縁層4aと、第2の面2bにおける樹脂絶縁層4b及び光配線層5とを形成する。まず、第2の面2b上(電気配線層3b上)に下部クラッド部11cとなるエポキシ樹脂を50μm塗布する。第2の面2b上に形成されている電気配線層3bは厚みが25μmであり、一方、下部クラッド部11cは第2の面2bからの厚みが50μmであるため、電気配線層3bは下部クラッド部11cで覆われた形となる。電気配線層3bの存在する部分では下部クラッド部11cの厚みは25μmとなり、下部クラッド部11cの上面は平坦に形成される。
ついで、下部クラッド部11c上にコア部10を形成するべく、屈折率が下部クラッド部11cよりわずかに高いエポキシ樹脂を40μm塗布する。プレベーク後、フォトマスクを用いてコア部10として残す場所に露光を行い、コア部10以外は露光されずに現像により除去される。
最後に、上部クラッド部11dとして下部クラッド部11cと同じエポキシ樹脂を60μmの厚みで塗布し、プレベークを行い、下部クラッド部11cと同じフォトマスクを用いて露光・現像を行う。これにより上部クラッド部11dが形成され、第2の面2bにおける光配線層5が完成する。同時に、樹脂絶縁層4bの全厚の上側半分も形成される。光配線層5及び樹脂絶縁層4bの厚さは110μmとなる。
以上により必要な箇所に開口部を有する第2の面2b側の樹脂絶縁層4及び光配線層5を形成した後、第1の面2a側に、第2の面2bのクラッド部と同じ材料のエポキシ樹脂を第1の面2aからの厚みが110μmとなるように塗布し、プレベークを行った後、適宜のフォトマスクを用いて樹脂絶縁層4aとして残す部分を露光し、開口部は未露光となるように露光を行う。その後、現像し、最後にポストベークを行うことで、第1の面2a側の樹脂絶縁層4aを形成する。
さらに、第2の面2bの光配線層5の両端部において、貫通孔6c、6dの開口位置に対応する光配線層5の表面に対しダイシングソーにより断面V字型の加工を行う。ダイシングソーには、ブレードとして先端が90度に加工された厚みが400μmのものを使用し、深さは光配線層5の表面より約85μm未満とする。従って、仮に電気配線層3(厚さ約25μm)が加工ライン上に形成されているとしても断線されず、自由な電気配線の引き回しが可能となっている。以上により、本発明の光電気集積配線基板1が得られる。
最後に、本発明の光電気集積配線基板1上に、受発光素子8c、8d並びに電子回路部品9を樹脂絶縁層4aが開口部となっている所定の位置に実装することにより電気的な接続が得られ、本発明の光電気集積配線システム100が得られる。
2 基板
2a 第1の面
2b 第2の面
3a 第1の電気配線層
3b 第2の電気配線層
4a 第1の樹脂絶縁層
4b 第2の樹脂絶縁層
5、5a、5b 光配線層
6c、6d、6e、6f 貫通孔
7c、7d、7e、7f 光路変換ミラー
8c、8e 発光素子
8d、8f 受光素子
9 電子回路部品
10 コア部
11 クラッド部
11c 上部クラッド部
11d 下部クラッド部
100 光電気集積配線システム
Claims (6)
- 第1の面と第2の面とで開口しかつ垂直方向に貫通する貫通孔を有する基板と、
前記第1の面上に設けられた電気配線層と、
前記電気配線層を覆い、前記第1の面上に設けられ、第1の樹脂絶縁層と、
前記第2の面上に設けられた、前記第1の樹脂絶縁層の厚さと厚さが等しくかつ透明樹脂で形成されている第2の樹脂絶縁層とを有し、
前記第1の面上における前記貫通孔の一方の開口の上には、発光素子または受光素子を収容して実装するために前記第1の樹脂絶縁層が設けられていない開口部を有し、
前記第2の樹脂絶縁層は、光配線層を具備し、
前記光配線層における前記貫通孔の他方の開口の上には、前記基板の垂直方向と前記基板の面内方向との間で光の進行方向を相互に変換可能な光路変換ミラーが形成され、
前記貫通孔の内部には、透明樹脂が充填されており、該透明樹脂は、当該貫通孔の前記一方の開口から突出し、前記開口部の内側に位置している、光電気集積配線基板。 - 前記貫通孔の内部に透明樹脂が充填されており、該該貫通孔の内部の透明樹脂と前記第2の樹脂絶縁層を形成する透明樹脂とが、当該貫通孔の他方の開口において界面が生じていない、請求項1に記載の光電気集積配線基板。
- 前記光路変換ミラーは、傾斜面に形成されている、請求項1または2に記載の光電気集積配線基板。
- 前記光路変換ミラーは、溝の備える傾斜面に形成される、請求項1乃至3のいずれかに記載の光電気集積配線基板。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の光電気集積配線基板と、
前記開口部に実装され、前記貫通孔を介して前記光配線層に光学的に結合する発光素子および受光素子の少なくとも一方とを有する、請求項1乃至4のいずれか記載の光電気集積配線システム。 - 前記基板は、内部に他の電気配線を有する多層基板であり、
前記発光素子および前記受光素子の少なくとも一方と、前記他の電気配線とは、前記電気配線層を介して電気的に接続されている、請求項5に記載の光電気集積配線システム。
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