JP2017142423A - 基板、光導波路素子、基板の製造方法、および光導波路素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
このように光導波路素子を製造するにあたり、基板に反りが生じていると、精度よく光導波路を形成することができないという問題がある。
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。図1は、基板10を製造する工程を示す図である。まず、図1(a)に示すシリコンまたは石英からなるSi系基材1を準備する。次にSi系基材1の一方の面に、SiO2層3aを形成する(図1(b))。
前述した様に基板10は、反り量が少ないため、その後に高精度な加工が可能である。図2は、光導波路素子20を製造する工程を示す図である。
なお、基板の反り量が大きい場合、フォトリソグラフィ技術の露光の際、フォーカスが安定せず面内分布が現れやすくなる。また、光導波路に応力がかかり、光学特性(特に偏波特性)が劣化してしまう問題も生じる。しかしながら、本実施形態においては、基板の反り量が小さく抑えられているため、寸法精度が高く、かつ、残留する応力が小さい光導波路5を形成することができる。
光導波路素子20の裏面側のSiO2層3aは、基板の反りを抑制する目的で設けられたが、光導波路5を形成した後には、このように除去してもよい。裏面側のSiO2層3aを除去せずそのままとする方が、光導波路5にかかる応力は小さくなるが、光導波路素子20が小さく切断されるため、切断後の反りは小さくなり、光導波路5にかかる応力も小さくなるためである。
次に、Si系基材1aを用いた光導波路素子の製造方法について説明する。図5は、Si系基材1aを用いた光導波路素子の製造工程を示す図である。
このような効果は、特に、SiO2層3a、3b等の厚みが20μm以上であると有効である。
3a、3b、3c………SiO2層
4………アンダークラッド層
5………光導波路
5a………光導波路層
7………SiO2層
8………オーバークラッド層
9………通電部品
10………基板
11………絶縁膜
13………除去部
20、20a………光導波路素子
Claims (7)
- Si系の材料からなるSi系基材と、
前記Si系基材の両面に形成されるSiO2層と、
を具備し、
前記Si系基材の両面のそれぞれの前記SiO2層の厚みがいずれも20μm以上であることを特徴とする基板。 - Si系の材料からなるSi系基材と、前記Si系基材の両面に形成されるSiO2層と、を具備し、
前記Si系基材の両面のそれぞれの前記SiO2層の厚みがいずれも20μm以上である基板と、
一方の前記SiO2層の上に形成された光導波路と、
前記光導波路を覆うクラッド層と、
を有することを特徴とする光導波路素子。 - 前記クラッド層の上に備えられた通電部品をさらに有することを特徴とする請求項2に記載の光導波路素子。
- Si系の材料からなるSi系基材を準備する工程と、
前記Si系基材の両面に、化学蒸着法、物理蒸着法、または火炎堆積法によって、ガラス化後の厚みがそれぞれ20μm以上のSiO2層を片面ずつ形成して基板を形成する工程と、
を有することを特徴とする基板の製造方法。 - Si系の材料からなるSi系基材を準備する工程と、
前記Si系基材の両面に、化学蒸着法、物理蒸着法、または火炎堆積法によって、ガラス化後の厚みがそれぞれ20μm以上のSiO2層を片面ずつ形成して基板を形成する工程と、
前記基板の一方の面の前記SiO2層上に光導波路およびクラッド層を形成する工程と、
を有することを特徴とする光導波路素子の製造方法。 - 前記クラッド層の上に通電部品を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項5に記載の光導波路素子の製造方法。
- 前記光導波路素子を所定のサイズに切断して複数の光導波路素子に分割する工程と、
分割した前記光導波路素子の裏面側の前記SiO2層の少なくとも一部を除去する工程と、
をさらに含むことを特徴とする請求項5または請求項6に記載の光導波路素子の製造方法。
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2016
- 2016-02-12 JP JP2016024642A patent/JP2017142423A/ja active Pending
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