JP5515025B2 - マスク、それに使用するマスク用部材、マスクの製造方法及び有機el表示用基板の製造方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 99
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 30
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 106
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 103
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 29
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 29
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 28
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 23
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 14
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 claims description 9
- 230000004907 flux Effects 0.000 claims description 6
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 6
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 claims description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 claims description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 2
- 239000012466 permeate Substances 0.000 claims 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 1
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 description 24
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 15
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 3
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000007499 fusion processing Methods 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
また、第2の発明によるマスクは、基板上の縦横方向に区画して予め定められた複数領域に夫々、複数の薄膜パターンから成る薄膜パターン群を形成するための開口パターンを有するマスクであって、可視光を透過し、耐熱性を有する樹脂製のフィルムと、前記基板上の前記複数領域内に予め定められた複数の薄膜パターン形成領域に対応して前記薄膜パターンよりも形状の大きい貫通する複数のストライプ状の開口部を形成した板体で構成され、前記フィルムを保持する保持部材と、を備え、前記フィルムは、前記保持部材の複数の前記開口部内に夫々位置するように、前記開口部よりも形状の小さい前記開口パターンをストライプ状に形成したものである。
また、第4の発明によるマスクは、基板上の縦横方向に区画して予め定められた複数領域に夫々、複数の薄膜パターンから成る薄膜パターン群を形成するための開口パターンを有するマスクであって、前記基板上の前記複数領域内に予め定められた複数の薄膜パターン形成領域に対応して前記薄膜パターンよりも形状の大きい貫通する複数のストライプ状の開口部を形成した金属製板体の保持部材と、可視光を透過し、耐熱性を有する樹脂製のフィルムとを面接合してマスク用部材を形成し、前記保持部材の複数の前記開口部内の前記フィルムの部分に夫々位置するように、前記開口部よりも形状の小さい前記開口パターンをストライプ状に形成したものである。
また、第6の発明によるマスクは、基板上の縦横方向に区画して予め定められた複数領域に夫々、複数の薄膜パターンから成る薄膜パターン群を形成するための開口パターンを有するマスクであって、前記基板上の前記複数領域内に予め定められた複数の薄膜パターン形成領域に対応して前記薄膜パターンよりも形状の大きい貫通する複数のストライプ状の開口部を形成した金属製板体の保持部材と、可視光を透過し、耐熱性を有する樹脂製のフィルムとを面接合してマスク用部材を形成し、前記保持部材の複数の前記開口部内に位置する前記フィルムの部分に前記保持部材側からレーザ光を照射して、夫々前記開口部よりも形状の小さい前記開口パターンをストライプ状に形成したものである。
さらに、第9の発明によるマスクの製造方法は、基板上の縦横方向に区画して予め定められた複数領域に夫々、複数の薄膜パターンから成る薄膜パターン群を形成するための開口パターンを有するマスクの製造方法であって、前記基板上の前記複数領域内に予め定められた複数の薄膜パターン形成領域に対応して前記薄膜パターンよりも形状の大きい貫通する複数のストライプ状の開口部を形成した金属製板体の保持部材と、可視光を透過し、耐熱性を有する樹脂製のフィルムとを面接合してマスク用部材を形成する工程と、前記保持部材の複数の前記開口部内の前記フィルムの部分に夫々位置するように、前記開口部よりも形状の小さい前記開口パターンをストライプ状に形成する工程と、を行うものである。
さらに、第11の発明によるマスクの製造方法は、基板上の縦横方向に区画して予め定められた複数領域に夫々、複数の薄膜パターンから成る薄膜パターン群を形成するための開口パターンを有するマスクの製造方法であって、前記基板上の前記複数領域内に予め定められた複数の薄膜パターン形成領域に対応して前記薄膜パターンよりも形状の大きい貫通する複数のストライプ状の開口部を形成した金属製板体の保持部材と、可視光を透過し、耐熱性を有する樹脂製のフィルムとを面接合してマスク用部材を形成する工程と、前記保持部材の複数の前記開口部内に位置する前記フィルムの部分に前記保持部材側からレーザ光を照射して、夫々前記開口部よりも形状の小さい前記開口パターンをストライプ状に形成する工程と、を行うものである。
先ず、同図(a)に示すように、可視光を透過する厚みが10μm〜30μm程度の例えばポリイミドのフィルム2と、基板上に予め定められた薄膜パターン形成領域に対応して薄膜パターンよりも形状の大きい貫通する開口部5を形成した例えば金属板からなる保持部材3とを、同図に矢印で示すように面接合し、同図(b)に示すマスク用部材8を形成する。
先ず、第1ステップにおいては、図8(a)に示すようにTFT基板15上にマスク1を載置し、マスク1に形成されたマスク側アライメントマーク6とTFT基板15に予め形成された図示省略の基板側アライメントマークとを顕微鏡により観察しながら、両マークが予め定められた位置関係となるように調整してマスク1とTFT基板15とを位置合わせする。これにより、同図(a)に示すように、マスク1の開口パターン4がTFT基板15のR対応のアノード電極16R上に合致することになる。
2…フィルム
3…保持部材
4…開口パターン
5…開口部
8…マスク用部材
9…金属膜
10…ノンフラックス半田
11…複数領域
14…凹部
15…TFT基板
Claims (22)
- 基板上に複数の薄膜パターンを形成するための開口パターンを有するマスクであって、
可視光を透過し、耐熱性を有する樹脂製のフィルムと、
前記基板上に予め定められた複数の薄膜パターン形成領域に対応して前記薄膜パターンよりも形状の大きい貫通する複数のストライプ状の開口部を形成した板体で構成され、前記フィルムを保持する保持部材と、
を備え、
前記フィルムは、前記保持部材の複数の前記開口部内に夫々位置するように、前記開口部よりも形状の小さい前記開口パターンをストライプ状に形成したことを特徴とするマスク。 - 基板上の縦横方向に区画して予め定められた複数領域に夫々、複数の薄膜パターンから成る薄膜パターン群を形成するための開口パターンを有するマスクであって、
可視光を透過し、耐熱性を有する樹脂製のフィルムと、
前記基板上の前記複数領域内に予め定められた複数の薄膜パターン形成領域に対応して前記薄膜パターンよりも形状の大きい貫通する複数のストライプ状の開口部を形成した板体で構成され、前記フィルムを保持する保持部材と、
を備え、
前記フィルムは、前記保持部材の複数の前記開口部内に夫々位置するように、前記開口部よりも形状の小さい前記開口パターンをストライプ状に形成したことを特徴とするマスク。 - 前記保持部材は、前記ストライプ状の開口部を、その長軸方向に複数単位に分割する部分を設けたことを特徴とする請求項1又は2記載のマスク。
- 前記フィルムは、前記ストライプ状の開口パターンを、その長軸方向に複数単位に分割する部分を設けたことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のマスク。
- 前記保持部材は、金属材料を含んで構成されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のマスク。
- 前記フィルムは、その一部に金属膜をコーティングして備え、該金属膜と前記保持部材とをノンフラックス半田付けして前記保持部材に保持されることを特徴とする請求項5記載のマスク。
- 前記フィルムは、厚みが10μm〜30μmであることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載のマスク。
- 前記フィルムは、ポリイミド又はポリエチレンテレフタレート(PET)から成ることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載のマスク。
- 前記保持部材は、磁性材料を含んで構成されていることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載のマスク。
- 基板上に複数の薄膜パターンを形成するための開口パターンを有するマスクあって、
前記基板上に予め定められた複数の薄膜パターン形成領域に対応して前記薄膜パターンよりも形状の大きい貫通する複数のストライプ状の開口部を形成した金属製板体の保持部材と、可視光を透過し、耐熱性を有する樹脂製のフィルムとを面接合してマスク用部材を形成し、
前記保持部材の複数の前記開口部内の前記フィルムの部分に夫々位置するように、前記開口部よりも形状の小さい前記開口パターンをストライプ状に形成した、
ことを特徴とするマスク。 - 基板上の縦横方向に区画して予め定められた複数領域に夫々、複数の薄膜パターンから成る薄膜パターン群を形成するための開口パターンを有するマスクであって、
前記基板上の前記複数領域内に予め定められた複数の薄膜パターン形成領域に対応して前記薄膜パターンよりも形状の大きい貫通する複数のストライプ状の開口部を形成した金属製板体の保持部材と、可視光を透過し、耐熱性を有する樹脂製のフィルムとを面接合してマスク用部材を形成し、
前記保持部材の複数の前記開口部内の前記フィルムの部分に夫々位置するように、前記開口部よりも形状の小さい前記開口パターンをストライプ状に形成した、
ことを特徴とするマスク。 - 基板上に複数の薄膜パターンを形成するための開口パターンを有するマスクであって、
前記基板上に予め定められた複数の薄膜パターン形成領域に対応して前記薄膜パターンよりも形状の大きい貫通する複数のストライプ状の開口部を形成した金属製板体の保持部材と、可視光を透過し、耐熱性を有する樹脂製のフィルムとを面接合してマスク用部材を形成し、
前記保持部材の複数の前記開口部内に位置する前記フィルムの部分に前記保持部材側からレーザ光を照射して、夫々前記開口部よりも形状の小さい前記開口パターンをストライプ状に形成した、
ことを特徴とするマスク。 - 基板上の縦横方向に区画して予め定められた複数領域に夫々、複数の薄膜パターンから成る薄膜パターン群を形成するための開口パターンを有するマスクであって、
前記基板上の前記複数領域内に予め定められた複数の薄膜パターン形成領域に対応して前記薄膜パターンよりも形状の大きい貫通する複数のストライプ状の開口部を形成した金属製板体の保持部材と、可視光を透過し、耐熱性を有する樹脂製のフィルムとを面接合してマスク用部材を形成し、
前記保持部材の複数の前記開口部内に位置する前記フィルムの部分に前記保持部材側からレーザ光を照射して、夫々前記開口部よりも形状の小さい前記開口パターンをストライプ状に形成した、
ことを特徴とするマスク。 - 基板上に複数の薄膜パターンを形成するための開口パターンを有するマスクを作製するためのマスク用部材であって、
可視光を透過し、耐熱性を有する樹脂製のフィルムと、
前記基板上に予め定められた複数の薄膜パターン形成領域に対応して前記薄膜パターンよりも形状の大きい貫通する複数のストライプ状の開口部を形成した板体で構成され、前記フィルムを保持する保持部材と、
を備え、
前記フィルムは、前記保持部材の前記複数の開口部内に夫々位置するように、前記開口部よりも形状の小さい前記開口パターンをストライプ状に形成するための凹部を設けたことを特徴とするマスク用部材。 - 前記保持部材は、金属材料を含んで構成されていることを特徴とする請求項14記載のマスク用部材。
- 基板上に複数の薄膜パターンを形成するための開口パターンを有するマスクの製造方法であって、
前記基板上に予め定められた複数の薄膜パターン形成領域に対応して前記薄膜パターンよりも形状の大きい貫通する複数のストライプ状の開口部を形成した金属製板体の保持部材と、可視光を透過し、耐熱性を有する樹脂製のフィルムとを面接合してマスク用部材を形成する工程と、
前記保持部材の複数の前記開口部内の前記フィルムの部分に夫々位置するように、前記開口部よりも形状の小さい前記開口パターンをストライプ状に形成する工程と、
を行うことを特徴とするマスクの製造方法。 - 基板上の縦横方向に区画して予め定められた複数領域に夫々、複数の薄膜パターンから成る薄膜パターン群を形成するための開口パターンを有するマスクの製造方法であって、
前記基板上の前記複数領域内に予め定められた複数の薄膜パターン形成領域に対応して前記薄膜パターンよりも形状の大きい貫通する複数のストライプ状の開口部を形成した金属製板体の保持部材と、可視光を透過し、耐熱性を有する樹脂製のフィルムとを面接合してマスク用部材を形成する工程と、
前記保持部材の複数の前記開口部内の前記フィルムの部分に夫々位置するように、前記開口部よりも形状の小さい前記開口パターンをストライプ状に形成する工程と、
を行うことを特徴とするマスクの製造方法。 - 前記保持部材には、前記ストライプ状の開口部を、その長軸方向に複数単位に分割する部分が設けられたことを特徴とする請求項16又は17記載のマスクの製造方法。
- 前記フィルムに、前記ストライプ状の開口パターンを、その長軸方向に複数単位に分割する部分を残したことを特徴とする請求項16〜18のいずれか1項に記載のマスクの製造方法。
- 基板上に複数の薄膜パターンを形成するための開口パターンを有するマスクの製造方法であって、
前記基板上に予め定められた複数の薄膜パターン形成領域に対応して前記薄膜パターンよりも形状の大きい貫通する複数のストライプ状の開口部を形成した金属製板体の保持部材と、可視光を透過し、耐熱性を有する樹脂製のフィルムとを面接合してマスク用部材を形成する工程と、
前記保持部材の複数の前記開口部内に位置する前記フィルムの部分に前記保持部材側からレーザ光を照射して、夫々前記開口部よりも形状の小さい前記開口パターンをストライプ状に形成する工程と、
を行うことを特徴とするマスクの製造方法。 - 基板上の縦横方向に区画して予め定められた複数領域に夫々、複数の薄膜パターンから成る薄膜パターン群を形成するための開口パターンを有するマスクの製造方法であって、
前記基板上の前記複数領域内に予め定められた複数の薄膜パターン形成領域に対応して前記薄膜パターンよりも形状の大きい貫通する複数のストライプ状の開口部を形成した金属製板体の保持部材と、可視光を透過し、耐熱性を有する樹脂製のフィルムとを面接合してマスク用部材を形成する工程と、
前記保持部材の複数の前記開口部内に位置する前記フィルムの部分に前記保持部材側からレーザ光を照射して、夫々前記開口部よりも形状の小さい前記開口パターンをストライプ状に形成する工程と、
を行うことを特徴とするマスクの製造方法。 - 請求項1〜13のいずれか1項に記載のマスクを使用して、薄膜トランジスタ(TFT)基板上に有機EL層を蒸着して形成することを特徴とする有機EL表示用基板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011221883A JP5515025B2 (ja) | 2011-10-06 | 2011-10-06 | マスク、それに使用するマスク用部材、マスクの製造方法及び有機el表示用基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011221883A JP5515025B2 (ja) | 2011-10-06 | 2011-10-06 | マスク、それに使用するマスク用部材、マスクの製造方法及び有機el表示用基板の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013083704A JP2013083704A (ja) | 2013-05-09 |
JP2013083704A5 JP2013083704A5 (ja) | 2013-12-05 |
JP5515025B2 true JP5515025B2 (ja) | 2014-06-11 |
Family
ID=48528974
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011221883A Active JP5515025B2 (ja) | 2011-10-06 | 2011-10-06 | マスク、それに使用するマスク用部材、マスクの製造方法及び有機el表示用基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5515025B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP6078818B2 (ja) | 2013-07-02 | 2017-02-15 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 成膜マスク及び成膜マスクの製造方法 |
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2011
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JP2013083704A (ja) | 2013-05-09 |
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