JP5895382B2 - 薄膜パターン形成方法及び有機el表示装置の製造方法 - Google Patents
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Description
このレーザ加工装置は、TFT基板1を同図に矢印Aで示す方向に一定速度で搬送しながら、TFT基板1上のマスク用部材4にレーザ光Lを照射して画素に対応した形状の開口5を設けてマスク6を形成するものであり、搬送手段7と、レーザ光学系8と、撮像手段9と、アライメント手段10と、制御手段11と、を備えて構成されている。
先ず、搬送手段7のステージ12上面にTFT基板1が位置決めして載置される。次に、搬送手段7は、TFT基板1をステージ12上に一定量だけ浮上させた状態で制御手段11により制御されて矢印A方向に一定速度で搬送を開始する。
2R…R対応のアノード電極
2G…G対応のアノード電極
2B…B対応のアノード電極
3R…R有機EL層
3G…G有機EL層
3B…B有機EL層
4…マスク用部材
5…開口
6…マスク
9…撮像手段
23…透明電極層
L…レーザ光
Claims (5)
- 基板上に薄膜パターンを形成する薄膜パターン形成方法であって、
前記基板上に可視光を透過する樹脂製のマスク用部材を被着するステップと、
撮像手段により前記マスク用部材を透して前記基板上に予め形成されたパターンを検出し、該パターンが検出された時の前記基板の位置を基準にして前記基板を予め設定された距離だけ移動し、前記基板上の予め定められた部分がレーザ光の照射位置に達するとレーザ光を照射し、当該部分の前記マスク用部材に開口を設けてマスクを形成するステップと、
前記基板上の前記予め定められた部分に前記マスクの前記開口を介して成膜するステップと、
前記マスクを剥離するステップと、
を含むことを特徴とする薄膜パターン形成方法。 - 前記レーザ光は、波長が400nm以下であることを特徴とする請求項1記載の薄膜パターン形成方法。
- TFT基板上のアノード電極上に対応色の有機EL層を形成して有機EL表示装置を製造する有機EL表示装置の製造方法であって、
前記TFT基板上に可視光を透過する樹脂製のマスク用部材を被着するステップと、
撮像手段により前記マスク用部材を透して前記TFT基板上に予め形成されたパターンを検出し、該パターンが検出された時の前記TFT基板の位置を基準にして前記TFT基板を予め設定された距離だけ移動し、前記TFT基板上の特定色のアノード電極がレーザ光の照射位置に達するとレーザ光を照射し、当該アノード電極上の前記マスク用部材に開口を設けてマスクを形成するステップと、
前記TFT基板上の前記特定色のアノード電極上に前記マスクの前記開口を介して前記特定色の有機EL層を成膜形成するステップと、
前記マスクを剥離するステップと、
を含むことを特徴とする有機EL表示装置の製造方法。 - 前記有機EL層を成膜形成するステップにおいては、前記有機EL層上に、さらに透明電極層を成膜形成することを特徴とする請求項3記載の有機EL表示装置の製造方法。
- 前記レーザ光は、波長が400nm以下であることを特徴とする請求項3又は4記載の有機EL表示装置の製造方法。
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