TW201316118A - 薄膜圖案形成方法及有機ｅｌ顯示裝置之製造方法 - Google Patents

薄膜圖案形成方法及有機ｅｌ顯示裝置之製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TW201316118A
TW201316118A TW101124349A TW101124349A TW201316118A TW 201316118 A TW201316118 A TW 201316118A TW 101124349 A TW101124349 A TW 101124349A TW 101124349 A TW101124349 A TW 101124349A TW 201316118 A TW201316118 A TW 201316118A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
mask
organic
layer
tft substrate
forming
Prior art date
Application number
TW101124349A
Other languages
English (en)
Inventor
Syuuji Kudo
Michinobu Mizumura
Koichi Kajiyama
Hany Maher Aziz
Original Assignee
V Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by V Technology Co Ltd filed Critical V Technology Co Ltd
Publication of TW201316118A publication Critical patent/TW201316118A/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/221—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by lift-off techniques
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本發明係於TFT基板上的陽極電極上形成對應顏色的有機EL層來製造有機EL顯示裝置之有機EL顯示裝置的製造方法，其包含以下步驟：覆蓋TFT基板上來將可被可見光穿透的樹脂製遮罩用構件密接之步驟；將雷射光照射在TFT基板上的R對應陽極電極上，而於該陽極電極上的遮罩用構件設置對應於畫素之形狀的開口來形成遮罩之步驟；於TFT基板上的R對應陽極電極上透過遮罩的開口來成膜形成R有機EL層之步驟；以及剝離遮罩之步驟。藉此，便可容易地進行高精細薄膜圖案的形成。

Description

薄膜圖案形成方法及有機EL顯示裝置之製造方法
本發明關於一種於基板上形成一定形狀的薄膜圖案之薄膜圖案形成方法，尤其係指一種可容易地進行高精細薄膜圖案的形成之薄膜圖案形成方法及有機EL顯示裝置的製造方法。
傳統的這類薄膜圖案形成方法係在使得遮罩(其具有對應於特定圖案之形狀的開口)相對於基板進行對位後，將該遮罩密接於該基板上，之後，透過遮罩來針對基板進行圖案化成膜(例如參閱日本特開2003-73804號公報)。
又，其他的薄膜圖案形成方法係將設置有對應於特定成膜圖案的複數開口之強磁性體所構成的金屬遮罩覆蓋基板的一面來使其密接於基板，並且，利用配置於基板的另一面側之磁石的磁力來固定金屬遮罩，而於真空蒸鍍裝置的真空槽內，透過上述金屬遮罩的開口來使蒸鍍材料附著在基板的一面以形成薄膜圖案(例如參閱日本特開2009-164020號公報)。
再一其他的薄膜圖案形成方法係於例如有機EL元件的製造方法中，在形成於透明基板上之陽極上形成電洞注入層或電洞輸送層，再於其上藉由噴射方式來圖案化形成發光層(例如參閱日本特開2000-208254 號公報)。
然後，又一薄膜圖案形成方法係於基材膜上形成光-熱轉換層，再於其上將形成有有機EL層所構成的轉印層之供體膜(donor film)以基材膜會成為外側之方式貼附在基板上，並從基材膜側照射雷射光L，而利用局部產生的熱能，來將上述轉印層選擇性地轉印在基板上(例如參閱日本特開2002-216957號公報)。
然而，上述傳統的薄膜圖案形成方法中，上述日本特開2003-73804號公報記載的方法所使用之遮罩，一般來說，由於係藉由例如蝕刻等而於薄金屬板形成有特定形狀的開口所製作，因此會難以高精確度地形成開口，又，會因金屬板的熱膨脹所導致之位置偏移或翹起等的影響而難以形成例如300dpi以上的高精細薄膜圖案。
又，上述日本特開2009-164020號公報記載的方法雖較上述專利文獻1要更為改善基板與遮罩的密接性，但製造例如有機EL顯示裝置的情況，會因必須依各個顏色來更換遮罩，以及將遮罩密接於TFT基板之前必須進行TFT基板與遮罩的精密對位等，而難以縮短有機EL顯示裝置之發光層形成工序的時間。
再者，上述日本特開2000-208254號公報記載的方法雖可形成高精細薄膜圖案，但由於會因高分子材料而造成層間的材料彼此容易溶解，因此要使例如有機EL具有不可缺的異質構造一事便較為困難。又， 由於不容易去除溶劑內的雜質，因此便會難以獲得充分的有機EL性能。
然後，上述日本特開2002-216957號公報記載的方法在例如有機EL顯示裝置的製造中，由於針對複數畫素所照射之雷射光的強度分佈不均勻，因此被照射面的溫度分佈便會變得不均勻，其結果，會有導致作為轉印層之有機EL層的寬度、形狀、膜質等發生變異之問題。又，供體膜的密接性不良時，會有產生未轉印區域的情況。再者，必須具有用以防止供體膜的剝離之保護層或接著層等之功能相異的複數層，且必須盡可能相互地不會發生缺陷，而有難以抑制製造成本之問題。
是以，本發明有鑑於上述問題點，其目的在於提供一種可容易地進行高精細薄膜圖案的形成之薄膜圖案形成方法及有機EL顯示裝置的製造方法。
為了達成上述目的，本發明之薄膜圖案形成方法係於基板上形成一定形狀的薄膜圖案之薄膜圖案形成方法；其特徵為包含以下步驟：覆蓋該基板上來將可被可見光穿透的樹脂製遮罩用構件密接之步驟；將雷射光照射在該基板上之預先設定的部分，而於該部分的該遮罩用構件設置一定形狀的開口來形成遮罩之步驟；透過該遮罩的該開口來於該基板上之該預先設定 的部分成膜之步驟；以及剝離該遮罩之步驟。
藉由上述結構，係覆蓋基板上來將可被可見光穿透的樹脂製遮罩用構件密接，並將雷射光照射在基板上之預先設定的部分，而於該部分的遮罩用構件設置一定形狀的開口來形成遮罩，且透過遮罩的開口而於基板上之預先設定的部分成膜後，剝離遮罩便會於基板上形成有一定形狀的薄膜圖案。
藉此，便不須基板與遮罩的對位。又，由於遮罩係相對於基板面而被密接固定，因此有別於習知技術，不會有發生遮罩撓曲或位置偏移，或者是成膜用材料分子繞進而附著在遮罩下面與基板上面之間的間隙，導致薄膜圖案擴大之虞。從而，便可容易地進行高精細薄膜圖案的形成。再者，由於遮罩用構件為透明，因此便可透過遮罩用構件來檢測成為陽極電極等的基準之位置，從而可位置精確度高地形成開口。
較佳地，該雷射光的波長為400nm以下，例如期望為KrF248nm。藉此，由於遮罩用構件的碳鍵結會在一瞬間被破壞並去除，因此便可進行無殘渣之乾淨的開孔加工。再者，由於係不使用藉由雷射光照射之熱的過程，因此可以同等於雷射光的照射尺寸之程度來進行圖案加工，而若使用縮小成像機構，便亦可形成具有數μm左右的開口之遮罩。從而，便可形成更高精細的薄膜圖案。
又，本發明之有機EL顯示裝置的製造方法係於 TFT基板上的陽極電極上形成對應顏色的有機EL層來製造有機EL顯示裝置之有機EL顯示裝置的製造方法；其特徵為包含以下步驟：覆蓋該TFT基板上來將可被可見光穿透的樹脂製遮罩用構件密接之步驟；將雷射光照射在該TFT基板上之特定顏色的陽極電極上，而於該陽極電極上的該遮罩用構件設置對應於畫素之形狀的開口來形成遮罩之步驟；於該TFT基板上之該特定顏色的陽極電極上透過該遮罩的該開口來成膜形成該特定顏色的有機EL層之步驟；以及剝離該遮罩之步驟。
藉由上述結構，係覆蓋TFT基板上來將可被可見光穿透的樹脂製遮單用構件密接，並將雷射光照射在TFT基板上之特定顏色的陽極電極上，而於該陽極電極上的遮罩用構件設置對應於畫素之形狀的開口來形成遮罩，且透過遮單的開口而於TFT基板上之特定顏色的陽極電極上成膜形成特定顏色的有機EL層後，剝離遮罩便會於TFT基板上的陽極電極上形成有對應顏色的有機EL層。
藉此，便不須TFT基板的陽極電極與遮罩的開口之對位。又，由於遮罩係相對於基板面而被密接固定，因此有別於習知技術，不會有發生遮罩撓曲或位置偏移，或者是有機EL層的材料分子繞進而附著在遮罩下面與TFT基板上面之間的間隙，導致有機EL層的薄膜圖案擴大之虞。從而，便可容易地進行高精細有 機EL層的薄膜圖案形成，且可製造高精細的有機EL顯示裝置。
較佳地，在成膜形成該有機EL層之步驟中係於該有機EL層上更進一步地成膜形成透明電極層。藉此，便可使透明電極具有作為有機EL層的保護膜之功能。從而，便可防止有機EL層在製造過程中變質。
較佳地，該雷射光的波長為400nm以下，例如期望為KrF248nm。藉此，由於遮罩用構件的碳鍵結會在一瞬間被破壞並去除，因此便可進行無殘渣之乾淨的開孔加工。又，由於係不使用藉由雷射光照射之熱的過程，因此可以同等於雷射光的照射尺寸之程度來進行圖案加工，而若使用縮小成像機構，便亦可形成具有數μm左右的開口之遮罩。從而，便可形成更高精細的有機EL層的薄膜圖案，且可製造更高精細的有機EL顯示裝置。
以下，依據添附圖式來詳細說明本發明實施型態。圖1~4係顯示本發明之有機EL顯示裝置製造方法的實施型態之工序圖。該有機EL顯示裝置的製造方法係於TFT基板上的陽極電極上形成對應顏色的有機EL層來製造有機EL顯示裝置之方法，其係由紅色(R)有機EL層形成工序、綠色(G)有機EL層形成工序、藍色(B)有機EL層形成工序、及陰極電極形成工序所 構成。
圖1係顯示R有機EL層形成工序之剖視說明圖。該R有機EL層形成工序係藉由在真空中加熱有機材料來將該有機材料蒸鍍在TFT基板1之方法或噴墨法等公知的技術，而於對應於TFT基板1的紅色(R)之陽極電極2R上依序成膜電洞注入層、電洞輸送層、R發光層、電子輸送層等之一般的層積構造來形成R有機EL層3R之工序，其係實施：覆蓋TFT基板1上來將可被可見光穿透的樹脂製遮罩用構件4密接之第1步驟；將雷射光L照射在TFT基板1上之R對應的陽極電極2R部分，而於該部分的上述遮罩用構件4設置畫素形狀的開口5來形成遮罩6之第2步驟；於R對應的陽極電極2R上透過上述遮罩6的開口5來成膜形成R有機EL層3R之第3步驟；以及剝離遮罩6之第4步驟。
更詳細地說明，首先，在第1步驟中，係如圖1(a)所示般地將例如厚度為10μm~30μm左右的聚乙烯對苯二甲酸酯(PET)或聚醯亞胺等之可被紫外線雷射消融的膜狀遮罩用構件4張設在TFT基板1之形成有陽極電極2R、2G、2B之面的上方，之後，如同圖(b)所示般地將該遮罩用構件4密接在TFT基板1面。此情況下，可以例如胺基甲酸乙酯橡膠般的彈性構件來均勻地按壓遮罩用構件4的上面，來使遮罩用構件4密接在TFT基板1面。
接下來，在第2步驟中，如圖1(c)所示，係將雷射光L照射在TFT基板1上之R對應的陽極電極2R上，再如同圖(d)所示般地於該陽極電極2R上的遮罩用構件4設置對應於畫素之形狀的開口5來形成遮罩6。此處所使用之雷射為波長400nm以下的準分子雷射13，例如KrF248nm的雷射。由於係藉由上述般之紫外線之雷射光L的光能，而在一瞬間破壞並去除遮罩用構件4的碳鍵結，因此便可進行無殘渣之乾淨的開孔加工。
圖5係顯示上述第2步驟中所使用之雷射加工裝置的一結構例之前視圖。
該雷射加工裝置係以一定速度來一邊將TFT基板1往同圖之箭頭A所示方向搬送，一邊將雷射光L照射在TFT基板1上的遮罩用構件4，來設置對應於畫素之形狀的開口5而形成遮罩6，其係構成為具備有搬送機構7、雷射光學系統8、攝影機構9、對位機構10及控制機構11。
上述搬送機構7係將TFT基板1載置於上面形成有複數空氣噴出孔及空氣吸引孔之台座12上，並使空氣的噴輸出與吸引力平衡，而在使TFT基板1浮起在上述台座12上一定量之狀態下，藉由省略圖示之移動機構來保持並搬送平行於TFT基板1的箭頭A方向之緣部。
上述搬送機構7的上方係設置有雷射光學系統 8。該雷射光學系統8係將紫外線的雷射光L照射在TFT基板1上之所選擇的陽極電極2R~2B上，其係構成為具備有：準分子雷射13，係放射例如KrF248nm的雷射光L；耦合光學系統14，係擴大雷射光L的光束徑，並使強度分佈均勻化來將平行光照射在後述光單15；以及光罩15，係對向於上述搬送機構7之台座12的上面所配置，而在平行於台座12的上面之面內，於箭頭A方向的交叉方向形成有複數開口17(參閱圖6)。
此處，詳細說明上述光罩15，光罩15例如圖6所示，係在設置於透明基板16的一面之鉻(Cr)等的遮光膜28，以TFT基板1之箭頭A方向的交叉方向上之畫素間距X的3倍之配列間距3X，來一列地並排形成有開口17，而另一面則使中心軸對齊於各開口17的中心而形成有複數微透鏡18，藉由微透鏡18來將開口17縮小投影在TFT基板1上。此情況下，開口17的大小當以微透鏡18的縮小倍率為M之情況下，便會形成為畫素尺寸的M倍大小。此外，同圖(a)中，畫上斜線的區域係照射有雷射光L之區域。
又，相對於上述複數開口17的中心而在箭頭A的相反方向上之相距距離D之位置處，係形成有具有與箭頭A方向呈交叉的長邊中心軸之細長狀觀看窗19。此觀看窗19係用以從光罩15的上方藉由後述攝影機構9來拍攝通過光罩15的下側之TFT基板1的 表面，窗內係設置有使長邊中心軸對齊於任一開口17的中心之平行於箭頭A方向的至少一道細線狀對位記號20(此處係以一道對位記號來顯示)。
上述搬送機構7的上方係設置有攝影機構9。此攝影機構9係通過上述光罩15的觀看窗19來拍攝TFT基板1的表面，其係於箭頭A方向的交叉方向上一直線地並排具有複數感光元件之線狀照相機。然後，複數感光元件的並排中心軸係配設為會對齊於上述光罩15之觀看窗19的長邊中心軸。再者，係設置有可從TFT基板1的上側來照明攝影機構9的拍攝區域之照明機構(省略圖示)。此外，圖5中，元件符號21係使攝影系統的光線路徑彎折之反射鏡。
設置有可使上述光罩15在平行於台座12的上面之面內移動於箭頭A的交叉方向之對位機構10。此對位機構10係用以使光罩15相對於移動中的TFT基板1進行對位，其係構成為可藉由包含有電磁致動器或馬達等所構成的移動機構來使光罩15移動於箭頭A的交叉方向。
設置有與上述搬送機構7、準分子雷射13、攝影機構9及對位機構10電連接之控制機構11。此控制機構11係用以控制搬送機構7來將TFT基板1以一定速度往箭頭A方向搬送，並將準分子雷射13控制為會以一定間隔發光，且處理從攝影機構9輸入的影像，來檢測預先設定在TFT基板1之基準位置，並且 計算該基準位置與光罩15的對位記號20之間的水平距離，而以該水平距離會成為預先設定的距離之方式來控制對位機構10以使光罩15移動。
使用上述方式構成的雷射加工裝置，來依下述方式實施上述第2步驟。
首先，將TFT基板1定位並載置於搬送機構7的台座12上面。接著，搬送機構7會在使TFT基板1浮起在台座12上一定量之狀態下受到控制機構11的控制而以一定速度開始往箭頭A方向搬送。
當TFT基板1被搬送而到達光罩15的下側，且通過光罩15的觀看窗19，並藉由攝影機構9來檢測預先形成於TFT基板1之與箭頭A方向呈交叉之設置在例如陽極電極或是特定部位處的線狀圖案等後，以檢測該陽極電極等時之TFT基板1的位置為基準而藉由控制機構11來計算TFT基板1的移動距離。然後，當該移動距離與預先設定而保存之移動距離的目標值一致，且TFT基板1之R對應的陽極電極2R到達光罩15的開口17正下方後，準分子雷射13便會受到控制機構11的控制而脈衝發光。
另一方面，在TFT基板1的移動中，係藉由攝影機構9來檢測預先形成於TFT基板1之平行於箭頭A方向之例如複數閘極線當中所預先選擇之成為對位基準之閘極線的緣部，且藉由控制機構11來計算所同時檢測之與光罩15的對位記號20之間的水平距離，且 控制對位機構10而以該距離會與預先設定而保存之對位的目標值一致之方式，來使光罩15移動於箭頭A的交叉方向。藉此，便可使光罩15追隨一邊晃動一邊移動於箭頭A的交叉方向之TFT基板1來進行對位。
如上所述，當TFT基板1之R對應的陽極電極2R到達光罩15的開口17正下方後，準分子雷射13便會發光。藉以將雷射光L照射在光罩15的照射區域。然後，通過光罩15的開口17後之雷射光L會因微透鏡18而聚光在對應於該開口17之TFT基板1之R對應的陽極電極2R上，來將該陽極電極2R上的遮罩用構件4去除而形成開口5。此外，亦可使準分子雷射13連續發光，且於雷射光的輸出光軸側設置有快門，而在當R對應的陽極電極2R到達光罩15的開口17正下方時，再打開快門。
以上的說明雖係針對將圖5所示雷射加工裝置設置在大氣中來進行處理的情況加以說明，但在真空中進行的情況，亦可於搬送機構7具備有藉由靜電夾具等來保持TFT基板1之保持機構，且藉由該保持機構來使TFT基板1往同圖所示之箭頭A方向移動。
此外，以上的說明中，雖係針對於光罩15處1列地並排設置有複數開口17之情況加以說明，但亦可於箭頭A方向以同方向之畫素間距的整數倍間距而設置有複數列上述複數開口17。此情況下，係藉由複數次雷射照射來去除R對應之陽極電極2R上的遮罩用構 件4。
第3步驟中，如圖1(e)所示，係使用例如真空蒸鍍裝置，而於TFT基板1之R對應的陽極電極2R上，透過遮罩6的開口5而與前述同樣地依序成膜有電洞注入層、電洞輸送層、R發光層、電子輸送層等之層積構造，來成膜形成R有機EL層3R，更進一步地，如同圖(f)所示，於該R有機EL層3R上使用蒸鍍或濺鍍等公知的成膜技術來成膜形成ITO膜所構成的透明電極層23。此時，若使G對應及B對應的陽極電極2G、2B通電而在對各陽極電極2G、2B施加一定電壓之狀態下進行真空蒸鍍，由於膜狀的遮罩6會被靜電吸著在G對應及B對應的陽極電極2G、2B而被固定，因此便不會有遮單6移動而導致遮罩6的開口5與TFT基板1之R對應的陽極電極2R的位置發生偏移之虞。又，由於遮罩6係密接於TFT基板1面而不會有於遮罩6的下面與TFT基板1的上面之間產生間隙之虞，因此亦可避免蒸鍍分子繞進且附著在該間隙而導致薄膜圖案的形成精確度變差之問題。
在第4步驟中，如圖1(g)所示，係將遮罩6的緣部往上方抬起而將遮罩6從TFT基板1面機械式剝離。藉此，R對應的陽極電極2R上便會殘留有R有機EL層3R，而結束R有機EL層形成工序。此情況下，由於相對於遮罩6的厚度為約10μm~30μm而R有機EL層3R的厚度為100nm左右，因此附著在遮罩 6的開口5側壁之R有機EL層3R的厚度便會極薄，又，由於該R有機EL層3R之開口部的長寬長度相對於遮罩6的厚度係十分地大，因此在剝離遮罩6之際，遮罩6與R對應之陽極電極2R上的R有機EL層3R便會容易分離。於是，便不會有R對應之陽極電極2R上的R有機EL層3R剝離之虞。此外，對G對應及B對應的陽極電極2G、2B施加電壓來使遮罩6靜電吸著在TFT基板1面之情況下，當剝離遮罩6之際，可關閉各陽極電極2G、2B的施加電壓，或是施加逆極性的電壓。藉此，便可容易地進行遮罩6的剝離。又，使用黏著劑來將遮罩用構件4貼附在TFT基板1面之情況下，可將較上述黏著劑的黏著力要來得大之力施加在遮罩6來機械式剝離。再者，若上述黏著劑會因紫外線照射而硬化的情況，則可在照射紫外線來使黏著劑硬化而降低遮罩6與TFT基板1面之界面的黏著力後再將遮罩6剝離。
圖2係顯示G有機EL層形成工序之剖視說明圖。該G有機EL層形成工序係於TFT基板1的綠色(G)對應的陽極電極2G上，與前述同樣地依序成膜電洞注入層、電洞輸送層、G發光層、電子輸送層等之層積構造來形成G有機EL層3G之工序，其係實施：覆蓋TFT基板1上來將可被可見光穿透的樹脂製遮罩用構件4密接之步驟(參閱同圖(a))；將雷射光L照射在TFT基板1上之G對應的陽極電極2G的部分，而於 該部分的上述遮罩用構件4設置畫素形狀的開口5來形成遮罩6之步驟(參閱同圖(b)、(c))；於G對應的陽極電極2G上透過上述遮罩6的開口5來成膜形成G有機EL層3G及透明電極層23之步驟(參閱同圖(d)、(e))；以及剝離遮罩6之步驟(參閱同圖(f))，而與R有機EL層形成工序同樣地進行。
圖3係顯示B有機EL層形成工序之剖視說明圖。該B有機EL層形成工序係於TFT基板1的藍色(B)對應的陽極電極2B上，與前述同樣地依序成膜電洞注入層、電洞輸送層、B發光層、電子輸送層等之層積構造來形成B有機EL層3B之工序，其係實施：覆蓋TFT基板1上來將可被可見光穿透的樹脂製遮罩用構件4密接之步驟(參閱同圖(a))；將雷射光L照射在TFT基板1上的B對應的陽極電極2B的部分，而於該部分的上述遮罩用構件4設置畫素形狀的開口5來形成遮罩6之步驟(參閱同圖(b)、(c))；於B對應的陽極電極2B上透過上述遮罩6的開口5來成膜形成B有機EL層3B及透明電極層23之步驟(參閱同圖(d)、(e))；以及剝離遮罩6之步驟(參閱同圖(f))，而與R有機EL層或G有機EL層形成工序同樣地進行。
圖4係顯示陰極電極形成工序之剖視說明圖。該陰極電極形成工序係用以將形成於TFT基板1的各陽極電極2R、2G、2B上之有機EL層3R、3G、3B上的透明電極層23電連接，如圖4所示，首先，使用公 知的成膜技術來覆蓋TFT基板1上面而形成ITO膜所構成的陰極電極24(透明電極)(參閱同圖(a))。接著，同樣地覆蓋陰極電極24來成膜形成絕緣性保護層25(參閱同圖(b))，再於其上藉由例如旋轉塗佈或噴霧塗佈來塗佈例如UV硬化性的樹脂而形成接著層26(參閱同圖(c))。然後，使透明的對向基板27密接於上述接著層26上後，從對向基板27側照射紫外線來使接著層26硬化，而將對向基板27接合於TFT基板1(參閱同圖(d))。藉此，便完成了有機EL顯示裝置。
此外，上述實施型態中雖已針對遮罩用構件4為膜狀的型態之情況加以說明，但本發明不限於此，只要是可被紫外線雷射消融的材料，則亦可為液狀者。此情況下係將遮罩用構件4藉由旋轉式塗佈(spin coat)或浸沾式塗佈(deep coat)來塗佈在TFT基板1面。
又，以上的說明，雖係針對在各有機EL層3R~3B的形成時，於有機EL層3R~3B上另形成有透明電極層23之情況加以說明，但本發明不限於此，亦可在有機EL層3R~3B的形成時不形成透明電極層23。但若遮罩用構件4為液狀者時，為了防止有機EL層3R~3B被該液狀遮罩用構件4溶解，因此較佳係在有機EL層3R~3B上形成有透明電極層23來作為保護膜。
然後，本發明不限於有機EL顯示裝置的製造方法，只要是能夠形成高精細薄膜圖案，則亦可適用於液晶顯示裝置之彩色濾光片的形成，或半導體基板之 配線圖案的形成等之任何物體的形成。
L‧‧‧雷射光
X、3X‧‧‧間距
1‧‧‧TFT基板
2R‧‧‧R對應的陽極電極
2G‧‧‧G對應的陽極電極
2B‧‧‧B對應的陽極電極
3R‧‧‧R有機EL層
4‧‧‧遮罩用構件
5‧‧‧開口
6‧‧‧遮罩
7‧‧‧搬送機構
8‧‧‧雷射光學系統
9‧‧‧攝影機構
10‧‧‧對位機構
11‧‧‧控制機構
12‧‧‧台座
13‧‧‧準分子雷射
14‧‧‧耦合光學系統
15‧‧‧光罩
16‧‧‧透明基板
17‧‧‧開口
18‧‧‧微透鏡
19‧‧‧觀看窗
20‧‧‧對位記號
21‧‧‧反射鏡
28‧‧‧遮光膜
圖1(a)~(g)為本發明之有機EL顯示裝置製造方法的實施型態之流程圖，係顯示R有機EL層形成工序之剖視說明圖。
圖2(a)~(f)為本發明之有機EL顯示裝置製造方法的實施型態之流程圖，係顯示G有機EL層形成工序之剖視說明圖。
圖3(a)~(f)為本發明之有機EL顯示裝置製造方法的實施型態之流程圖，係顯示B有機EL層形成工序之剖視說明圖。
圖4(a)~(d)為本發明之有機EL顯示裝置製造方法的實施型態之流程圖，係顯示陰極電極層形成工序之剖視說明圖。
圖5係顯示上有機EL層形成工序中所使用之雷射加工裝置的一結構例之前視圖。
圖6係顯示上述雷射加工裝置所使用之光罩的一結構例之流程圖，(a)為平面圖，(b)為(a)之O-O線箭頭剖視圖。
L‧‧‧雷射光
1‧‧‧TFT基板
7‧‧‧搬送機構
8‧‧‧雷射光學系統
9‧‧‧攝影機構
10‧‧‧對位機構
11‧‧‧控制機構
12‧‧‧台座
13‧‧‧準分子雷射
14‧‧‧耦合光學系統
15‧‧‧光罩
19‧‧‧觀看窗
21‧‧‧反射鏡

Claims (5)

  1. 一種薄膜圖案形成方法，係於基板上形成一定形狀的薄膜圖案之薄膜圖案形成方法；其特徵為包含以下步驟：覆蓋該基板上來將可被可見光穿透的樹脂製遮罩用構件密接之步驟；將雷射光照射在該基板上之預先設定的部分，而於該部分的該遮罩用構件設置一定形狀的開口來形成遮罩之步驟；透過該遮罩的該開口來於該基板上之該預先設定的部分成膜之步驟；以及剝離該遮罩之步驟。
  2. 如申請專利範圍第1項之薄膜圖案形成方法，其中該雷射光的波長為400nm以下。
  3. 一種有機EL顯示裝置的製造方法，係於TFT基板上的陽極電極上形成對應顏色的有機EL層來製造有機EL顯示裝置之有機EL顯示裝置的製造方法；其特徵為包含以下步驟：覆蓋該TFT基板上來將可被可見光穿透的樹脂製遮罩用構件密接之步驟；將雷射光照射在該TFT基板上之特定顏色的陽極電極上，而於該陽極電極上的該遮罩用構件設置對應於畫素之形狀的開口來形成遮罩之步 驟；於該TFT基板上之該特定顏色的陽極電極上透過該遮罩的該開口來成膜形成該特定顏色的有機EL層之步驟；以及剝離該遮罩之步驟。
  4. 如申請專利範圍第3項之有機EL顯示裝置的製造方法，其中成膜形成該有機EL層之步驟中係於該有機EL層上更進一步地成膜形成透明電極層。
  5. 如申請專利範圍第3或4項之有機EL顯示裝置的製造方法，其中該雷射光的波長為400nm以下。
TW101124349A 2011-07-08 2012-07-06 薄膜圖案形成方法及有機ｅｌ顯示裝置之製造方法 TW201316118A (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011152018A JP5895382B2 (ja) 2011-07-08 2011-07-08 薄膜パターン形成方法及び有機ｅｌ表示装置の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201316118A true TW201316118A (zh) 2013-04-16

Family

ID=47506035

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101124349A TW201316118A (zh) 2011-07-08 2012-07-06 薄膜圖案形成方法及有機ｅｌ顯示裝置之製造方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP5895382B2 (zh)
TW (1) TW201316118A (zh)
WO (1) WO2013008745A1 (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5935101B2 (ja) * 2011-09-16 2016-06-15 株式会社ブイ・テクノロジー 薄膜パターン形成方法
JP5884543B2 (ja) * 2011-09-16 2016-03-15 株式会社ブイ・テクノロジー 薄膜パターン形成方法、マスクの製造方法及び有機ｅｌ表示装置の製造方法
JP6194493B2 (ja) * 2012-03-30 2017-09-13 株式会社ブイ・テクノロジー 薄膜パターン形成方法
TWI640041B (zh) * 2014-03-28 2018-11-01 比利時商愛美科公司 一種針對並排多層的高解析度圖案化方法
JP6095088B2 (ja) * 2016-05-19 2017-03-15 株式会社ブイ・テクノロジー マスクの製造方法、薄膜パターン形成方法及び有機ｅｌ表示装置の製造方法
KR102491880B1 (ko) * 2016-06-16 2023-01-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001118679A (ja) * 1999-10-18 2001-04-27 Toyota Motor Corp 有機ｅｌ素子の製造方法
US6821348B2 (en) * 2002-02-14 2004-11-23 3M Innovative Properties Company In-line deposition processes for circuit fabrication
US7674712B2 (en) * 2007-10-22 2010-03-09 Cok Ronald S Patterning method for light-emitting devices

Also Published As

Publication number Publication date
WO2013008745A1 (ja) 2013-01-17
JP5895382B2 (ja) 2016-03-30
JP2013020764A (ja) 2013-01-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI555862B (zh) 蒸鍍遮罩、蒸鍍遮罩的製造方法及薄膜圖案形成方法
WO2013039196A1 (ja) 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法及び薄膜パターン形成方法
TW201316118A (zh) 薄膜圖案形成方法及有機ｅｌ顯示裝置之製造方法
JP5935179B2 (ja) 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法
TWI509673B (zh) A manufacturing method of a display element, a manufacturing apparatus for a display element, and a display device
JP5958804B2 (ja) 蒸着マスク、蒸着マスクの製造方法及び有機ｅｌ表示装置の製造方法
JP3580550B1 (ja) パターン基板の欠陥修正方法及び欠陥修正装置並びにパターン基板製造方法
US9240573B2 (en) Method of fabricating organic electroluminescent device
US20080286442A1 (en) Liquid material discharge method, wiring substrate manufacturing method, color filter manufacturing method, and organic el element manufacturing method
WO2014077125A1 (ja) 成膜マスクの製造方法
JP2013108143A (ja) マスクの製造方法及びマスクの製造装置
TW202029493A (zh) 載置膜、ｌｅｄ顯示面板之修補方法以及ｌｅｄ顯示面板之修補裝置
JP4924192B2 (ja) 透明導電性膜付きカラーフィルタ基板の欠陥修正方法および透明導電性膜付きカラーフィルタ基板
JP6078741B2 (ja) 薄膜パターン形成方法及びマスク
JP6822028B2 (ja) 蒸着用メタルマスクの補修装置、および、蒸着用メタルマスクの補修方法
CN108474101B (zh) 蒸镀掩模及其制造方法、有机el显示装置的制造方法
JP5884543B2 (ja) 薄膜パターン形成方法、マスクの製造方法及び有機ｅｌ表示装置の製造方法
US9397296B2 (en) Method of manufacturing organic light emitting display apparatus
JP2013173968A (ja) 蒸着マスク及び蒸着マスクの製造方法
JP5935101B2 (ja) 薄膜パターン形成方法
JP5953566B2 (ja) 薄膜パターン形成方法及び有機ｅｌ表示装置の製造方法
JP6095088B2 (ja) マスクの製造方法、薄膜パターン形成方法及び有機ｅｌ表示装置の製造方法
KR101706229B1 (ko) 박막 패턴의 제조 장치 및 방법