JP2012047937A - 露光評価用マスクおよび露光評価方法 - Google Patents

Abstract

【課題】マスクを使って露光する露光装置において、露光ムラの発生原因のうち、装置に起因する項目がどの程度影響しているかを精度良く把握することができる露光評価用マスクおよび露光評価方法を提供する。
【解決手段】露光評価用マスクＭａは、設計値に基づくパターンを有する第１の領域ａ１，ａ３，ａ５，・・・と、第１の領域に隣接して、設計値に対して露光量のずれを与えるパターンを有する第２の領域ａ２，ａ４，・・・と、を有する。
【選択図】図１

Description

本発明は、露光評価用マスクおよび露光評価方法に関し、より詳細には、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ等の大型のフラットパネルディスプレイの基板上にパターンを製造する際の性能向上を図るための露光評価用マスクおよび露光評価方法に関する。

近年、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ等、大型のフラットパネルディスプレイのカラーフィルタの製造方法として、フォトリソグラフィ法が採用されている。通常、フォトリソグラフィ法では、洗浄されたガラス基板にレジストを塗布し、プリベークを行った後、マスクを用いて露光を行い、その後、現像、洗浄、ベークなどが行われてパターンが形成される。

露光方法としては、例えば、基板上にマスクのパターンを分割逐次露光方式で近接露光転写するものがある。この種の分割逐次露光方法としては、例えば、パネルと同寸のマスクを用い、該マスクをマスクステージで保持すると共に基板をワークステージで保持して両者を近接して対向配置する。そして、ワークステージをマスクに対してステップ移動させる毎にマスク側から基板にパターン露光用の光を照射して、複数のマスクパターンを基板上に露光転写する。

また、他の露光方法として、マスクを細分化して、これらマスクを保持する複数のマスク保持部を千鳥状に配置し、基板を一方向に移動させながら露光を行う近接スキャン露光方式が知られている。この露光方式では、基板に形成されるパターンに、ある程度繰り返される部位があることを前提として、これをつなぎ合わせることで大きなパターンを形成できることを利用したものである。この場合、マスクは、パネルに合わせて大きくする必要がなく、比較的安価なマスクを用いることができる。

ところで、マスク保持部や照射部を複数有するマルチヘッドの露光装置を用いて露光する場合、ヘッド間での露光ムラが懸念される。露光ムラの原因としては、装置に起因するものでは、露光量差、位置ずれ差、ギャップ差があり、その他、レジストや現像液の材料、レジスト膜厚、レジストの乾燥温度や乾燥時間、現像時間などのプロセス条件が起因する。露光ムラの程度は、一般に人間の目視確認によるものなので、装置起因項目を数値変更しても、改善された度合いを明確にすることは困難であった。

露光ムラを評価する方法としては、重複露光領域に線幅や抵抗を評価する評価素子（ＴＥＧ）を用いて、ヘッド描画境界内の測定値と、単一露光領域内の測定値とを比較してヘッドの位置調整ずれを検知するようにしたものがある（例えば、特許文献１参照。）。

特開２００８−２７６１６８号公報

ところで、特許文献１に記載の評価方法は、直描露光において位置や抵抗の評価に限った技術であり、マスクを使って露光する際の露光ムラの要素を網羅したものではない。

本発明は、前述した課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、マスクを使って露
光する露光装置において、露光ムラの発生原因のうち、装置に起因する項目がどの程度影響しているかを精度良く把握することができる露光評価用マスクおよび露光評価方法を提供することにある。

本発明の上記目的は、下記の構成により達成される。
（１）設計値に基づくパターンを有する第１の領域と、該第１の領域に隣接して、前記設計値に対して露光量、位置、ギャップ量の少なくとも１つのずれを与えるパターンを有する第２の領域と、を有することを特徴とする露光評価用マスク。
（２）前記第１の領域と前記第２の領域は交互に並べられるようにそれぞれ複数設けられ、
前記複数の第２の領域では、前記設計値に対して露光量、位置、ギャップ量の少なくとも１つのずれ量がそれぞれ異なることを特徴とする（１）に記載の露光評価用マスク。
（３）前記第１の領域と前記第２の領域は交互に並べられるようにそれぞれ複数設けられ、
前記第１の領域と前記第２の領域との複数の境界部分は、それぞれ異なる角度で傾斜していることを特徴とする（１）または（２）に記載の露光評価用マスク。
（４）前記第１及び第２の領域のパターンは、直線状のパターンあるいは連続的なパターンであることを特徴とする（１）から（３）のいずれかに記載の露光評価用マスク。
（５）所定の方向に沿って往復自在に基板を搬送可能な基板搬送機構と、複数のマスクを前記搬送される基板から離れた状態でそれぞれ保持可能な複数のマスク保持部と、前記複数のマスク保持部の上方にそれぞれ配置され、露光用光を照射する複数の照射部と、を備える近接スキャン露光装置を用いた露光評価方法であって、前記複数のマスク保持部のいずれかに（１）から（４）のいずれかに記載の露光評価用マスクを保持させる工程と、前記搬送される基板に対して前記露光評価用マスクを介して前記露光用光を照射して、前記基板に前記露光評価用マスクのパターンを露光する工程と、前記基板に露光転写されたパターンを評価する工程と、を有することを特徴とする露光評価方法。
（６）前記基板に露光転写されたパターンを評価する工程が、ＣＣＤカメラによって撮像された前記基板の前記第１の領域と前記第２の領域の画像を差分解析し、差分解析によって得られた画像の閾値から露光評価を行う工程を含む（５）の露光評価方法。

本発明の露光評価用マスクによれば、設計値に基づくパターンを有する第１の領域と、第１の領域に隣接して、設計値に対して露光量、位置、ギャップ量の少なくとも１つのずれを与えるパターンを有する第２の領域と、を有するので、評価マスクを使って露光された基板を評価することで、露光装置に起因する露光量差、位置ずれ差、ギャップ差の少なくとも１つが露光ムラにどの程度影響しているかを精度良く把握することができる。

（ａ）は、本発明の第１実施形態に係る露光量のずれによる露光ムラを評価するための露光評価用マスクの部分平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＩ部拡大図であり、（ｃ）は、（ａ）のＩ´部拡大図である。 （ａ）は、本発明の第１実施形態に係る位置ずれによる露光ムラを評価するための露光評価用マスクの部分平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のII部拡大図であり、（ｃ）は、（ａ）のII´部拡大図であり、（ｄ）は、（ａ）にII´´部拡大図である。 （ａ）は、本発明の第１実施形態に係るギャップ量のずれによる露光ムラを評価するための露光評価用マスクの部分平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のIII部拡大図である。 （ａ）は、設計値のパターンによってギャップ量１５０μｍ、２００μｍで露光した場合の光の強度分布を示すグラフであり、（ｂ）は、設計値のパターンによってギャップ量２００μｍで露光した場合の光の強度分布と、主開口部及び補助開口部を有するパターンによってギャップ量１５０μｍで露光した場合の光の強度分布を示すグラフである。 本発明の露光評価方法に使用される一例である近接スキャン露光装置の平面図である。 図５におけるスキャン露光装置の側面図である。 本発明の第２実施形態に係るグラデーションによる露光ムラを評価するための露光評価用マスクの部分平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のVII部拡大図であり、（ｃ）は、（ａ）のVII´部拡大図である。

以下、本発明に係る露光評価用マスクおよび露光評価方法の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。

（第１実施形態）
本実施形態では、図１〜図３に示す３種類の露光評価用マスクＭａ〜Ｍｃを用いて、マルチヘッドの露光装置において、露光ムラ（筋ムラ）の原因のうち、装置に起因するものとして挙げられる露光量差、位置ずれ差、ギャップ差をそれぞれ評価する。

図１に示す露光評価用マスクＭａには、複数のパターン（矩形状の窓部）が直線状に形成されており、設計値に基づくパターンｐを有する複数の第１の領域ａ１，ａ３，ａ５，・・・と、設計値に対して露光量にずれを与えるパターンｐａを有する複数の第２の領域ａ２，ａ４，・・・と、が交互に並べられており、第２の領域ａ２，ａ４，・・・の露光量は、段階的にずれが大きくなるようにそれぞれ異ならせている。

具体的に、マスクＭａでは、図１（ｂ），（ｃ）に示すように、第１の領域ａ１，ａ３，ａ５のパターンｐの線幅ｗを１００μｍとし、第２の領域ａ２のパターンｐａの線幅ｗ１を１０２μｍとし、第２の領域ａ４のパターンｐａの線幅ｗ２を１０４μｍとして、線幅の違いを露光量のずれとして与えている。また、第１の領域ａ１，ａ３，ａ５と、第２の領域ａ２，ａ４との境界での位置ずれはなく、各領域ａ１，ａ２，ａ３，ａ４，ａ５，・・・のパターン間距離ｄを０．３ｍｍとしている。なお、第２の領域ａ２，ａ４，・・・は、露光量のずれが段階的に少なくなっていくように、線幅を小さくしていってもよい。

図２に示す露光評価用マスクＭｂでは、複数のパターン（矩形状の窓部）が直線状に形成されており、設計値に基づくパターンｐを有する複数の第１の領域ｂ１，ｂ３，ｂ５，・・・と、設計値に対して位置ずれを与えたパターンｐｂを有する複数の第２の領域ａ２，ａ４，・・・と、が交互に並べられており、第２の領域ａ２，ａ４，・・・の位置ずれ量は、段階的に広がるようにそれぞれ異ならせている。

具体的に、マスクＭｂでは、図２（ｂ）〜（ｄ）に示すように、各領域ｂ１、ｂ２，ｂ３，ｂ４，ｂ５，・・・のパターンｐ，ｐｂの線幅ｗを１００μｍ、パターン間距離ｄを０．３ｍｍとする。一方、第１の領域ｂ１，ｂ３の位置に対して第２の領域ｂ２の位置をずれ量β１（＝２μｍ）だけずらして、第１の領域ｂ１と第２の領域ｂ２との間隔を０．３０２ｍｍ、第２の領域ｂ２と第３の領域ｂ３との間隔を０．２９８ｍｍとしている。また、第１の領域ｂ３，ｂ５の位置に対して第２の領域ｂ４の位置をずれ量β２（＝４μｍ）だけずらして、第１の領域ｂ３と第２の領域ｂ４との間隔を０．３０４ｍｍ、第２の領域ｂ４と第３の領域ｂ５との間隔を０．２９６ｍｍとしている。

図３に示す露光評価用マスクＭｃには、複数のパターン（矩形状の窓部）が直線状に形成されており、設計値に基づくパターンｐを有する複数の第１の領域ｃ１、ｃ３、ｃ５、・・・と、設計値に対してギャップ量にずれを与えるパターンｐｃ有する複数の第２の領域ｃ２，ｃ４、・・・と、が交互に並べられており、第２の領域ｃ２，ｃ４、・・・のパターンｐｃによって与えられるギャップ量は、段階的に広がるようにそれぞれ異ならせている。

具体的に、マスクＭｃでは、図３（ｂ）に示すように、各領域ｃ１，ｃ２，ｃ３，ｃ４，ｃ５，・・・のパターン間距離ｄを０．３ｍｍとし、第１の領域ｃ１，ｃ３，ｃ５，・・・のパターンｐの線幅ｗを１００μｍとする。一方、第１の領域ｃ１，ｃ３，ｃ５，・・・に対して第２の領域ｃ２のギャップ量にずれを与えるように、第２の領域ｃ２のパターンｐｃは、線幅ｗを１００μｍとする主開口部と、現像処理後に解像されない主開口部の両側に設けられた副開口部とによって構成される。

これにより、マスクＭｃと基板Ｗとの間のギャップを１５０μｍで露光した場合、第１の領域ｃ１，ｃ３，ｃ５のパターンｐでは、図４（ａ）に示すような光の強度分布が得られる一方、第２の領域ｃ２のパターンｐｃでは、図４（ｂ）に示すような光の強度分布が得られ、ギャップを２００μｍで露光した場合の強度分布に近似した結果が得られる。

ここで、図１〜図３の露光評価用マスクを用いた露光評価方法について説明する。まず、該露光評価方法に使用されるマルチヘッドの露光装置の一例として、近接露光装置１について図５及び図６を参照して説明する。本実施形態の近接露光装置１は、基板（例えば、液晶ディスプレイ用基板としてのカラーフィルタ基板）Ｗを浮上させて支持すると共に、所定方向（図５のＸ方向）に搬送する基板搬送機構１０と、複数のマスクＭをそれぞれ保持し、所定方向と直交する方向（図５のＹ方向）に沿って千鳥状に二列配置された複数（図５に示す実施形態において、左右それぞれ６個）のマスク保持部１１と、マスク保持部１１を駆動するマスク駆動部１２と、複数のマスク保持部１１の上部にそれぞれ配置されて露光用光を照射する複数の照射部１４（図６参照）と、スキャン露光装置１の各作動部分の動作を制御する制御部１５と、を主に備える。なお、マスク保持部１１、マスク駆動部１２、照射部１４は、１つのヘッドを構成する。

基板搬送機構１０は、基板ＷをＸ方向に搬送する領域、即ち、複数のマスク保持部１１の下方領域、及びその下方領域からＸ方向両側に亘る領域に設けられた浮上ユニット１６と、基板ＷのＹ方向一側（図５において上辺）を保持してＸ方向に搬送する基板駆動ユニット１７とを備える。浮上ユニット１６は、複数のフレーム１９上にそれぞれ設けられた排気のみ或いは排気と吸気を同時に行なう複数のエアパッド２０を備える。

基板駆動ユニット１７は、図５に示すように、浮上ユニット１６によって浮上、支持された基板Ｗの一端を保持する吸着パッド２２を備え、モータ２３、ボールねじ２４、及びナット（図示せず）からなるＸ方向搬送機構であるボールねじ機構２５によって、ガイドレール２６に沿って基板ＷをＸ方向に搬送する。なお、図６に示すように、複数のフレーム１９は、地面にレベルブロック１８を介して設置された装置ベース２７上に他のレベルブロック２８を介して配置されている。また、基板Ｗは、ボールねじ機構２５の代わりに、リニアサーボアクチュエータによって搬送されてもよい。

マスク駆動部１２は、フレーム（図示せず）に取り付けられ、マスク保持部１１をＸ方向に沿って駆動するＸ方向駆動部３１と、Ｘ方向駆動部３１の先端に取り付けられ、マスク保持部１１をＹ方向に沿って駆動するＹ方向駆動部３２と、Ｙ方向駆動部３２の先端に取り付けられ、マスク保持部１１をθ方向（Ｘ，Ｙ方向からなる水平面の法線回り）に回転駆動するθ方向駆動部３３と、θ方向駆動部３３の先端に取り付けられ、マスク保持部１１をＺ方向（Ｘ，Ｙ方向からなる水平面の鉛直方向）に駆動するＺ方向駆動部３４と、を有する。これにより、Ｚ方向駆動部３４の先端に取り付けられたマスク保持部１１は、マスク駆動部１２によってＸ，Ｙ，Ｚ，θ方向に駆動可能である。なお、Ｘ，Ｙ，θ，Ｚ方向駆動部３１，３２，３３，３４の配置の順序は、適宜変更可能である。マスク駆動部１２は、後述するラインカメラ３５によって撮像された基板ＷのパターンとマスクＭのマークに基づいて、マスクＭと基板Ｗとの相対的なズレを補正する。

また、図５に示すように、Ｙ方向に沿ってそれぞれ直線状に配置された上流側及び下流側の各マスク保持部１１ａ，１１ｂ間には、各マスク保持部１１のマスクＭを同時に交換可能なマスクチェンジャ２が配設されている。マスクチェンジャ２により搬送される使用済み或いは未使用のマスクＭは、マスクストッカ３，４との間でマスクローダー５により受け渡しが行なわれる。なお、マスクストッカ３とマスクチェンジャ２とで受け渡しが行なわれる間にマスクプリアライメント機構（図示せず）によってマスクＭのプリアライメントが行なわれる。

図６に示すように、マスク保持部１１の上部に配置される照射部１４は、紫外線を含んだ露光用光ＥＬを放射する、超高圧水銀ランプからなる光源４１と、光源４１から照射された光を集光する凹面鏡４２と、この凹面鏡４２の焦点近傍に光路方向に移動可能な機構を有するオプチカルインテグレータ４３と、光路の向きを変えるための平面ミラー４５及び球面ミラー４６と、この平面ミラー４５とオプチカルインテグレータ４３との間に配置された照射光路を開閉制御するシャッター４４と、を備える。なお、光源４１としては、ＹＡＧフラッシュレーザやエキシマレーザであってもよい。フラッシュ光源を使用する場合には、制御部１５は、シャッターを開閉制御する必要がない。なお、露光量は、照度と時間の積によって算出されるが、フラッシュ光源の場合には、照度とショット数の積によって算出される。

また、マスク保持部１１の下方に配置されたフレーム１９には、基板ＷとマスクＭの相対位置を検知する撮像手段であるラインカメラ３５が、マスクＭの窓部８７を観測可能な位置で、複数のマスク保持部１１ごとに配置されている。ラインカメラ３５としては、公知の構成のものが適用され、搬送される基板Ｗに予め形成されたパターン（Ｒ，Ｇ，Ｂを露光する場合には、ブラックマトリクスの基準線）と、各マスクＭに設けられたラインカメラ用のマークとを、それぞれ同一視野に捕らえて撮像するものであり、光を受光する多数の受光素子を一直線上に並べて備えた受光面としてのラインＣＣＤと、基板Ｗの基準線やマークをラインＣＣＤ上に結像させる集光レンズ等を備える。

このような近接露光装置１は、浮上ユニット１６のエアパッド２０の空気流によって基板Ｗを浮上させて保持し、基板Ｗの一端を基板駆動ユニット１７で吸着してＸ方向に搬送する。そして、アライメント処理を施しながら、各マスクＭの下方に搬送された基板Ｗに対して、照射部１４からの露光用光ＥＬが基板Ｗに近接するマスクＭを介して照射され、マスクＭのパターンを基板Ｗに塗布されたレジストに転写する。

上記の近接露光装置１を用いて露光評価を行う場合には、複数のマスク保持部１１に露光評価用マスクＭａ〜Ｍｃの少なくとも一つを配置する。そして、ブラックマトリクスＢＭが形成された基板Ｗを搬送して、基板Ｗに対して露光評価用マスクＭａ〜Ｍｃを介して露光用光ＥＬを照射して、基板Ｗに露光評価用マスクＭａ〜Ｍｃのパターンを露光する。さらに、該基板Ｗを現像した後に、基板Ｗに露光転写されたパターンを目視によって評価する。これにより、いずれかの領域の境界部分において筋ムラが発生しているかどうか、即ち、露光量差、位置ずれ差、ギャップ差がどの程度ある場合に筋ムラが発生するかどうかを確認する。

このような評価は、レジストや現像液の材料、レジスト膜厚、レジストの乾燥温度、乾燥時間、現像時間などのプロセス条件が同一であり、また、単一のマスク保持部１４によって保持された露光評価マスクによって、また、単一の光源４１によって露光されることから、露光評価用マスクに与えたずれによるムラだけが基板Ｗに現れ、装置に起因する露光ムラを明確に把握することができる。

また、実際の露光は、上記評価結果に基づいて、複数のヘッド（マスク保持部１２及び照射部１４）間での露光量差、位置ずれ差、ギャップ差を筋ムラが発生しない程度に調整して行われる。

さらに、実際の露光において、複数のヘッド間での露光量差、位置ずれ差、ギャップ差が評価結果で筋ムラが発生しない程度に既に調整されている場合には、材料やプロセス条件にてムラ低減を解決すべく、材料やプロセス条件の変更を検討する。

従って、本実施形態の露光評価用マスクＭａ〜Ｍｃによれば、設計値に基づくパターンを有する第１の領域ａ１，ａ３，ａ５，・・・（ｂ１，ｂ３，ｂ５，・・・、ｃ１，ｃ３，ｃ５，・・・）と、第１の領域に隣接して、設計値に対して露光量、位置、ギャップ量のいずれかのずれを与えるパターンを有する第２の領域ａ２，ａ４，・・・（ｂ２，ｂ４，・・・、ｃ２，ｃ４，・・・）と、を有するので、該マスクＭａ〜Ｍｃを用いて露光された基板Ｗを目視評価することで、露光量差、位置ずれ差、ギャップ差が露光ムラにどの程度影響しているかを精度良く把握することができる。

なお、本実施形態の各露光評価用マスクＭａ〜Ｍｄは、適宜組み合わせて構成可能であり、露光ムラの要因が位置、線幅、ギャップ量の複合による場合にも有効に確認することができる。

また、フラッシュ光源を用いた露光装置においては、連続的に並んだ矩形パターンが配置されるが、その矩形パターン数を変えることで露光量を変えることも可能である。

また、設計値に基づく第１の領域が装置に起因するずれを与える第２の領域と交互に配置されることが、設計値に対するずれの影響を比較しやすいため好ましいが、ずれの要因が確認できる場合には、ずれを与えた第２の領域が連続的に配置されるようにしてもよい。

さらに、各領域のパターンの数は、目視が確認しやすい程度で任意に設定される。また、評価はＲ，Ｇ，Ｂのいずれか１色を露光・現像後に行ってもよいし、３色を露光・現像後に行ってもよい。

（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態に係る露光評価用マスク及び露光評価方法について説明する。

図７に示すように、本実施形態の露光評価用マスクＭｄには、複数のパターン（矩形状の窓部）が直線状に形成されており、設計値に基づくパターンｐを有する複数の第１の領域ｄ１，ｄ３，・・・と、設計値に対して露光量、位置、ギャップ量の少なくとも一つ（図８では、露光量、即ち線幅）にずれを与えるパターンｐｄを有する複数の第２の領域ｄ２，ｄ４，・・・と、が交互に並べられている。また、第１の領域ｄ１，ｄ３，・・・と第２の領域ｄ２，ｄ４，・・・との境界部分は、グラデーションがかかるように、それぞれ異なる角度で傾斜している。

具体的に、マスクＭｄでは、図７（ｂ），（ｃ）に示すように、第１の領域ｄ１，ｄ３，ｄ５のパターンｐの線幅ｗを１００μｍとし、第２の領域ｄ２，ｄ４のパターンｐｄの線幅ｗ３を１０２μｍとして、線幅の違いを露光量のずれとして与えている。また、各領域ｄ１，ｄ２，ｄ３，ｄ４，・・・のパターン間距離ｄを０．３ｍｍとしている。さらに、第１の領域ｄ１，ｄ３，・・・と、第２の領域ｄ２，ｄ４，・・・との境界部分では、パターンｐとパターンｐｄの各矩形状の窓部が位置を変えながら接続されている。第１の領域ｄ１と第２の領域ｄ２との境界部分では、接続位置の間隔ｌ１を２５ｍｍで変えており、第２の領域と第１の領域ｄ３との境界部分では、接続位置の間隔を１０ｍｍで変えており、第１の領域ｄ３と第２の領域ｄ４との境界部分では、接続位置の間隔ｌ２を５ｍｍで変えている。

このような露光評価用マスクＭｄは、例えば、第１実施形態の評価用マスクＭａ，Ｍｂ，Ｍｃを用いて評価した結果、評価用マスクＭａの第２の領域ａ２の線幅ｗ１が１０２μｍの場合に筋ムラが発生したことを確認した場合に、いずれの傾斜角度のグラデーションを掛けることで筋ムラが解消されるかを確認することができる。従って、このような評価結果を、実際に着色層を露光する際のマスクＭのパターン形状に反映する。

なお、本実施形態の露光評価用マスクＭｄは、単一のずれ量に対して複数のグラデーションの掛け方を設けているが、複数のずれ量のものをパターンに形成し、ずれ量毎にグラデーションの掛け方を変えたものを複数形成してもよい。その場合には、該マスクを利用することで、どのずれ量で、どのグラデーションで筋ムラが発生しているかどうかを一度に確認することができる。

また、本発明は、基板をＣＣＤカメラで撮像し画像として取り込み、基板上の画像から第一領域と第二領域から差分解析を行い、第一領域と第二領域の差分画像を取得する。取得した差分画像から閾値を求めて、第一領域の閾値と第二領域の閾値を比較することで、露光量差、位置ずれ差、ギャップ差が露光ムラにどの程度影響してくるかを精度良く把握することができる。さらに、目視確認と併用することによって、露光量差、位置ずれ差、ギャップ差が露光ムラにどの程度影響してくるかを精度良く基板の精度を把握することができる。
なお、本発明は、前述した実施形態に限定されるものではなく、適宜、変形、改良、等が可能である。
例えば、筋ムラの評価確認は目視及び閾値によって行っているが、検査装置を用いて行われてもよい。

また、本発明では、上記露光評価用マスクを用いることで、一定の材料・プロセス条件において露光ムラの程度が把握できる。このため、本発明の露光評価用マスクは、複数のマスク保持部を備えたマルチヘッドの露光装置で露光する場合の評価に限定されるものでなく、１つの光源を有する近接逐次露光装置で露光する場合の評価に用いることで、材料・プロセスの影響を確認することができる。

１ スキャン露光装置
１１ マスク保持部（ヘッド）
１２ マスク駆動部（ヘッド）
１４ 照射部（ヘッド）
ａ１，ａ３，ａ５，ｂ１,ｂ３、ｂ５，ｃ１，ｃ３，ｃ５，ｄ１，ｄ３ 第１の領域
ａ２，ａ４，ｂ２,ｂ４，ｃ２，ｃ４，ｄ２，ｄ４ 第２の領域
Ｍ マスク
Ｍａ，Ｍｂ，Ｍｃ，Ｍｄ 露光評価用マスク
Ｗ 基板

Claims (6)

1. 設計値に基づくパターンを有する第１の領域と、
   該第１の領域に隣接して、前記設計値に対して露光量、位置、ギャップ量の少なくとも１つのずれを与えるパターンを有する第２の領域と、
   を有することを特徴とする露光評価用マスク。
2. 前記第１の領域と前記第２の領域は交互に並べられるようにそれぞれ複数設けられ、
   前記複数の第２の領域では、前記設計値に対して露光量、位置、ギャップ量の少なくとも１つのずれ量がそれぞれ異なることを特徴とする請求項１に記載の露光評価用マスク。
3. 前記第１の領域と前記第２の領域は交互に並べられるようにそれぞれ複数設けられ、
   前記第１の領域と前記第２の領域との複数の境界部分は、それぞれ異なる角度で傾斜していることを特徴とする請求項１または２に記載の露光評価用マスク。
4. 前記第１及び第２の領域のパターンは、直線状のパターンあるいは連続的なパターンであることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の露光評価用マスク。
5. 所定の方向に沿って往復自在に基板を搬送可能な基板搬送機構と、複数のマスクを前記搬送される基板から離れた状態でそれぞれ保持可能な複数のマスク保持部と、前記複数のマスク保持部の上方にそれぞれ配置され、露光用光を照射する複数の照射部と、を備える近接スキャン露光装置を用いた露光評価方法であって、
   前記複数のマスク保持部のいずれかに請求項１から４のいずれかに記載の露光評価用マスクを保持させる工程と、
   前記搬送される基板に対して前記露光評価用マスクを介して前記露光用光を照射して、前記基板に前記露光評価用マスクのパターンを露光する工程と、
   前記基板に露光転写されたパターンを評価する工程と、
   を有することを特徴とする露光評価方法。
6. 前記基板に露光転写されたパターンを評価する工程が、ＣＣＤカメラによって撮像された前記工程の前記第１の領域と前記第２の領域の画像を差分解析し、差分解析によって得られた画像の閾値から露光評価を行う工程を含む請求項５の露光評価方法。

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