JP2001118679A - 有機el素子の製造方法 - Google Patents
有機el素子の製造方法Info
- Publication number
- JP2001118679A JP2001118679A JP29540699A JP29540699A JP2001118679A JP 2001118679 A JP2001118679 A JP 2001118679A JP 29540699 A JP29540699 A JP 29540699A JP 29540699 A JP29540699 A JP 29540699A JP 2001118679 A JP2001118679 A JP 2001118679A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- organic
- layer
- masking
- transparent substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims abstract description 49
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 5
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 110
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 65
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 15
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 7
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 5
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 3
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229910017090 AlO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000799 K alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019015 Mg-Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 O (Indium Tin Oxide) Chemical class 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001515 alkali metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000006081 fluorescent whitening agent Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 125000006617 triphenylamine group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 有機EL膜や背面電極を所定のパターンで容
易に形成することができる有機EL素子の製造方法を提
供することを課題とする。 【解決手段】 本有機EL素子の製造方法は、透明電極
21が形成された透明基板1上に、所定のマスク形状を
有するマスキングフィルム層4を形成した後、有機EL
膜22及び背面電極23を順次形成する。このように製
造することで、別途マスク板を要することがない。ま
た、マスキングフィルム層4は粘着剤層44によって透
明基板1上に固定されているため、パターン以外の部位
に有機EL膜22及び背面電極23の蒸着膜が形成され
ることがなく、正確なパターンとすることができる。
易に形成することができる有機EL素子の製造方法を提
供することを課題とする。 【解決手段】 本有機EL素子の製造方法は、透明電極
21が形成された透明基板1上に、所定のマスク形状を
有するマスキングフィルム層4を形成した後、有機EL
膜22及び背面電極23を順次形成する。このように製
造することで、別途マスク板を要することがない。ま
た、マスキングフィルム層4は粘着剤層44によって透
明基板1上に固定されているため、パターン以外の部位
に有機EL膜22及び背面電極23の蒸着膜が形成され
ることがなく、正確なパターンとすることができる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は有機EL(エレクト
ロルミネセンス)素子の製造方法に関する。更に詳しく
は、本発明は蒸着膜の形成時に正確なパターンを容易に
形成することができる有機EL素子の製造方法に関す
る。
ロルミネセンス)素子の製造方法に関する。更に詳しく
は、本発明は蒸着膜の形成時に正確なパターンを容易に
形成することができる有機EL素子の製造方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】従来より有機EL素子は図9に示すよう
に、その構成要素である有機EL膜22及び背面電極2
3等の薄膜を真空蒸着法等の物理的蒸着法により形成す
ることが多い。また、形成された薄膜が所定パターンと
なるように、パターン以外を覆うようなマスク形状のマ
スク板5を被せて形成されている。
に、その構成要素である有機EL膜22及び背面電極2
3等の薄膜を真空蒸着法等の物理的蒸着法により形成す
ることが多い。また、形成された薄膜が所定パターンと
なるように、パターン以外を覆うようなマスク形状のマ
スク板5を被せて形成されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような蒸
着膜の形成方法は、マスク板5を透明基板1の表面に密
着させることが困難であるために、マスク板5と透明基
板1の間に空隙があり、この空隙から回り込んだ蒸着物
がパターン以外の部位に蒸着する場合があった。また、
マスク板5と透明基板1の間に空隙があることで、透明
基板1とマスク板5との位置関係がずれ、正確なパター
ンを形成することができない場合があった。更に、マス
ク板5はその開口度が大きいためにたわみ易く、たわみ
が生じた場合は、マスク形状が変形した状態で蒸着膜が
形成される場合があった。
着膜の形成方法は、マスク板5を透明基板1の表面に密
着させることが困難であるために、マスク板5と透明基
板1の間に空隙があり、この空隙から回り込んだ蒸着物
がパターン以外の部位に蒸着する場合があった。また、
マスク板5と透明基板1の間に空隙があることで、透明
基板1とマスク板5との位置関係がずれ、正確なパター
ンを形成することができない場合があった。更に、マス
ク板5はその開口度が大きいためにたわみ易く、たわみ
が生じた場合は、マスク形状が変形した状態で蒸着膜が
形成される場合があった。
【0004】これに対して、透明基板上に逆テーパ形状
の隔壁を形成し、次いで有機EL膜及び背面電極を積層
形成する技術(特開平8−315981号公報)が例示
されている。これによれば、有機EL膜及び背面電極は
隔壁によってパターン形状となるため、蒸着膜の形成時
にマスク板を用いずに所定のパターンを備える有機EL
素子を作製することができる。しかし、このような方法
で作製された有機EL素子は、隔壁を作製するための煩
雑な工程を必要とした。本発明は、このような問題点を
解決するものであり、有機EL膜や背面電極を所定のマ
スク形状で容易に形成することができる有機EL素子の
製造方法を提供することを目的とする。
の隔壁を形成し、次いで有機EL膜及び背面電極を積層
形成する技術(特開平8−315981号公報)が例示
されている。これによれば、有機EL膜及び背面電極は
隔壁によってパターン形状となるため、蒸着膜の形成時
にマスク板を用いずに所定のパターンを備える有機EL
素子を作製することができる。しかし、このような方法
で作製された有機EL素子は、隔壁を作製するための煩
雑な工程を必要とした。本発明は、このような問題点を
解決するものであり、有機EL膜や背面電極を所定のマ
スク形状で容易に形成することができる有機EL素子の
製造方法を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本第1発明の有機EL素
子の製造方法は、透明基板上に、透明電極、有機EL膜
及び背面電極が、この順に積層されてなる有機EL素子
の製造方法において、上記透明電極が形成された上記透
明基板上に、所定のマスク形状を有するマスキングフィ
ルム層を形成した後、該マスキングフィルム層の上方か
ら物理的蒸着法により上記有機EL膜及び上記背面電極
を順次形成することを特徴とする。
子の製造方法は、透明基板上に、透明電極、有機EL膜
及び背面電極が、この順に積層されてなる有機EL素子
の製造方法において、上記透明電極が形成された上記透
明基板上に、所定のマスク形状を有するマスキングフィ
ルム層を形成した後、該マスキングフィルム層の上方か
ら物理的蒸着法により上記有機EL膜及び上記背面電極
を順次形成することを特徴とする。
【0006】上記「透明基板」としては、有機EL膜の
発光による文字、図形等の視認が損なわれない程度の透
明性を有する材質からなるものを使用することができ
る。そのような基板としては、無機ガラス、並びにポリ
オレフィン、ポリエステル、ポリアミド、ポリカーボネ
ート、及びアクリル樹脂等からなるもの等を用いること
ができる。この透明基板は無色透明であってもよいし、
適宜の色調に着色された着色透明のものであってもよ
い。
発光による文字、図形等の視認が損なわれない程度の透
明性を有する材質からなるものを使用することができ
る。そのような基板としては、無機ガラス、並びにポリ
オレフィン、ポリエステル、ポリアミド、ポリカーボネ
ート、及びアクリル樹脂等からなるもの等を用いること
ができる。この透明基板は無色透明であってもよいし、
適宜の色調に着色された着色透明のものであってもよ
い。
【0007】上記「有機EL膜」は、透明電極及び背面
電極から供給される正孔及び電子を再結合させることで
発光する部位である。この有機EL膜は、少なくとも有
機蛍光性物質を具備する発光層を備える。また、発光層
に加えて正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子
注入層のうち少なくとも一層を備えることもできる。更
に、各層を構成する材料としては、それぞれ通常使用さ
れる種々の材料を用いることができる。
電極から供給される正孔及び電子を再結合させることで
発光する部位である。この有機EL膜は、少なくとも有
機蛍光性物質を具備する発光層を備える。また、発光層
に加えて正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子
注入層のうち少なくとも一層を備えることもできる。更
に、各層を構成する材料としては、それぞれ通常使用さ
れる種々の材料を用いることができる。
【0008】有機EL膜を構成する発光層は、ベンゾチ
アゾール系、ベンゾイミダゾール系等の蛍光増白剤、及
び金属キレート化オキシノイド化合物、スチリルベンゼ
ン系化合物等の金属錯体等により形成することができ
る。また、正孔輸送層はトリフェニルアミン誘導体等に
より、電子輸送層はアルミキノリウム錯体等により形成
することができる。更に、正孔注入層は銅フタロシアニ
ン錯体等により、電子注入層はアルカリ金属のフッ化物
又は酸化物等により形成することができる。
アゾール系、ベンゾイミダゾール系等の蛍光増白剤、及
び金属キレート化オキシノイド化合物、スチリルベンゼ
ン系化合物等の金属錯体等により形成することができ
る。また、正孔輸送層はトリフェニルアミン誘導体等に
より、電子輸送層はアルミキノリウム錯体等により形成
することができる。更に、正孔注入層は銅フタロシアニ
ン錯体等により、電子注入層はアルカリ金属のフッ化物
又は酸化物等により形成することができる。
【0009】上記「透明電極」及び上記「背面電極」に
ついても、それぞれ種々の材質により形成することがで
きる。透明電極は、Au、Ni等の金属単体、及びIT
O(Indium Tin Oxide)、CuI、SnO2、ZnO等
の金属化合物等を使用して形成することができる。この
うち、生産性、安定した導電性等の観点からITOを用
いて形成することが特に好ましい。また、背面電極は、
Mg−Ag合金又はMgとAgとの混合物、Na、Na
−K合金、Mg、Li、Al、Al/AlO2、或いは
In、Yb等によって形成することができる。
ついても、それぞれ種々の材質により形成することがで
きる。透明電極は、Au、Ni等の金属単体、及びIT
O(Indium Tin Oxide)、CuI、SnO2、ZnO等
の金属化合物等を使用して形成することができる。この
うち、生産性、安定した導電性等の観点からITOを用
いて形成することが特に好ましい。また、背面電極は、
Mg−Ag合金又はMgとAgとの混合物、Na、Na
−K合金、Mg、Li、Al、Al/AlO2、或いは
In、Yb等によって形成することができる。
【0010】尚、有機EL膜の各層及び背面電極は第1
発明に示すように、マスキングフィルム層の上方から物
理的蒸着法によって形成することができる。また、透明
電極においても、有機EL膜の各層及び背面電極と同様
に物理的蒸着法を用いて形成することができる。この
「物理的蒸着法」は、真空蒸着法、イオンプレーティン
グ及びスパッタリング法等の蒸着法を例示することがで
きる。
発明に示すように、マスキングフィルム層の上方から物
理的蒸着法によって形成することができる。また、透明
電極においても、有機EL膜の各層及び背面電極と同様
に物理的蒸着法を用いて形成することができる。この
「物理的蒸着法」は、真空蒸着法、イオンプレーティン
グ及びスパッタリング法等の蒸着法を例示することがで
きる。
【0011】本発明の製造方法によって製造される有機
EL素子は、封止部材を設けることができる。この封止
部材は、その周縁において透明基板と接合される接合面
を有し、その他の部分は、この封止部材と有機EL積層
体とが接触しない程度の空間が形成されるキャップ形状
であることが好ましい。
EL素子は、封止部材を設けることができる。この封止
部材は、その周縁において透明基板と接合される接合面
を有し、その他の部分は、この封止部材と有機EL積層
体とが接触しない程度の空間が形成されるキャップ形状
であることが好ましい。
【0012】上記「マスキングフィルム層」は、有機E
L膜及び背面電極が所定のパターン以外の形状に形成さ
れることを防ぐために、透明電極が形成された透明基板
上に貼着されるマスクである。このマスキングフィルム
層に用いられるフィルムである、「未加工フィルム」の
材質は、蒸着等の作業雰囲気(温度、気圧等)や蒸着物
自体による劣化が生じず、必要なマスク形状を形成する
ことができるものが好ましい。このような材質として
は、ポリイミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリエ
ーテルスルホン等の樹脂を例示することができる。この
ような樹脂を用いることで、最小で約0.3mm(より
好ましくは約0.5mm)のマスク幅を備えるマスクを
容易に形成することができる。
L膜及び背面電極が所定のパターン以外の形状に形成さ
れることを防ぐために、透明電極が形成された透明基板
上に貼着されるマスクである。このマスキングフィルム
層に用いられるフィルムである、「未加工フィルム」の
材質は、蒸着等の作業雰囲気(温度、気圧等)や蒸着物
自体による劣化が生じず、必要なマスク形状を形成する
ことができるものが好ましい。このような材質として
は、ポリイミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリエ
ーテルスルホン等の樹脂を例示することができる。この
ような樹脂を用いることで、最小で約0.3mm(より
好ましくは約0.5mm)のマスク幅を備えるマスクを
容易に形成することができる。
【0013】また、マスキングフィルム層の厚さ(高
さ)は、透明電極、有機EL膜及び背面電極(以下、こ
れらをまとめた積層膜を有機EL積層膜とよぶ)が所定
のパターンを形成することができる厚さであればよく、
通常、有機EL積層膜の厚さの3倍程度以上とするのが
好ましい。
さ)は、透明電極、有機EL膜及び背面電極(以下、こ
れらをまとめた積層膜を有機EL積層膜とよぶ)が所定
のパターンを形成することができる厚さであればよく、
通常、有機EL積層膜の厚さの3倍程度以上とするのが
好ましい。
【0014】「マスキングフィルム層を形成する」と
は、マスキングフィルム又は未加工フィルムを透明電極
が形成された透明基板上に貼着すること、及び未加工フ
ィルムを所定マスク形状のマスキングフィルム層に加工
することを表わす。また、マスキングフィルム又は未加
工フィルムを透明電極が形成された透明基板上に貼着す
る方法は任意に選択することができ、粘着剤や接着剤を
用いて固定する方法等を挙げることができる。このう
ち、貼着後、マスキングフィルム層及び未加工フィルム
のうち不要な部分を容易に剥離して除去することができ
る、シリコン系及びアクリル系等の粘着剤を用いる方法
が好ましい。
は、マスキングフィルム又は未加工フィルムを透明電極
が形成された透明基板上に貼着すること、及び未加工フ
ィルムを所定マスク形状のマスキングフィルム層に加工
することを表わす。また、マスキングフィルム又は未加
工フィルムを透明電極が形成された透明基板上に貼着す
る方法は任意に選択することができ、粘着剤や接着剤を
用いて固定する方法等を挙げることができる。このう
ち、貼着後、マスキングフィルム層及び未加工フィルム
のうち不要な部分を容易に剥離して除去することができ
る、シリコン系及びアクリル系等の粘着剤を用いる方法
が好ましい。
【0015】更に、未加工フィルムを所定マスク形状の
マスキングフィルム層に加工する方法は任意に選択する
ことができ、鋭利な刃物やレーザ等を用いて切断加工す
ることを例示することができる。また、この形成は、未
加工フィルムを透明基板上に貼着する前後を問わずに任
意に行うことができる。例えば、第2発明に示すよう
に、マスキングフィルム層は、上記透明電極が形成され
た上記透明基板上に未加工フィルムを貼着した後、該未
加工フィルムを所定マスク形状に加工して、マスキング
フィルム層とすることができる。このように、透明電極
が形成された透明基板上に未加工フィルムを貼着した
後、所定のマスク形状に加工する場合であっても、透明
基板及び透明電極は十分に強固であるため、鋭利な刃物
やレーザ等を用いても損傷を起こすことなく形成をする
ことができる。更に、予め所定マスク形状に加工された
マスキングフィルムを上記透明電極が形成された上記透
明電極上に貼着することもできる。また、所定のマスク
形状に切断するためのガイドとなる溝を設けたフィルム
を貼着し、その後、溝に沿ってフィルムを切断すること
で、所定マスク形状を備えるマスキングフィルム層を形
成することができる。
マスキングフィルム層に加工する方法は任意に選択する
ことができ、鋭利な刃物やレーザ等を用いて切断加工す
ることを例示することができる。また、この形成は、未
加工フィルムを透明基板上に貼着する前後を問わずに任
意に行うことができる。例えば、第2発明に示すよう
に、マスキングフィルム層は、上記透明電極が形成され
た上記透明基板上に未加工フィルムを貼着した後、該未
加工フィルムを所定マスク形状に加工して、マスキング
フィルム層とすることができる。このように、透明電極
が形成された透明基板上に未加工フィルムを貼着した
後、所定のマスク形状に加工する場合であっても、透明
基板及び透明電極は十分に強固であるため、鋭利な刃物
やレーザ等を用いても損傷を起こすことなく形成をする
ことができる。更に、予め所定マスク形状に加工された
マスキングフィルムを上記透明電極が形成された上記透
明電極上に貼着することもできる。また、所定のマスク
形状に切断するためのガイドとなる溝を設けたフィルム
を貼着し、その後、溝に沿ってフィルムを切断すること
で、所定マスク形状を備えるマスキングフィルム層を形
成することができる。
【0016】更に、第3発明に示すように、有機EL膜
及び背面電極を形成した後に、マスキングフィルム層を
除去することができる。また、マスキングフィルム層を
透明基板上に残留させたまま、有機EL素子を作製する
こともできる。
及び背面電極を形成した後に、マスキングフィルム層を
除去することができる。また、マスキングフィルム層を
透明基板上に残留させたまま、有機EL素子を作製する
こともできる。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、図1〜図8を用いて本発明
の有機EL素子の製造方法を実施例により説明する。 (1)有機EL素子の製造方法 本発明の製造方法によって製造される有機EL素子は、
以下の各工程を経て製造される。 透明電極形成工程 まず、図2に示すように、透明基板1の表面にITO薄
膜を真空蒸着等の方法により形成し、透明電極21とし
た。
の有機EL素子の製造方法を実施例により説明する。 (1)有機EL素子の製造方法 本発明の製造方法によって製造される有機EL素子は、
以下の各工程を経て製造される。 透明電極形成工程 まず、図2に示すように、透明基板1の表面にITO薄
膜を真空蒸着等の方法により形成し、透明電極21とし
た。
【0018】マスキングフィルム層形成工程 次いで、上記透明電極21が形成された透明基板1上
に、所定のマスク形状を備えるマスキングフィルム層4
を形成した。この工程は、具体的には以下の2工程から
なる。
に、所定のマスク形状を備えるマスキングフィルム層4
を形成した。この工程は、具体的には以下の2工程から
なる。
【0019】a)未加工フィルム貼着工程 まず、図3に示すように、一方の表面全面にシリコン系
粘着剤が塗布され、粘着剤層44が形成されたポリイミ
ド製フィルムである未加工フィルム4Aを、透明電極2
1が形成された透明基板1の略全面に貼着した。尚、こ
の未加工フィルム4Aには端縁をつかんで剥離を容易に
するための周縁部分(図示せず)が設けられている。
粘着剤が塗布され、粘着剤層44が形成されたポリイミ
ド製フィルムである未加工フィルム4Aを、透明電極2
1が形成された透明基板1の略全面に貼着した。尚、こ
の未加工フィルム4Aには端縁をつかんで剥離を容易に
するための周縁部分(図示せず)が設けられている。
【0020】b)マスク形状形成工程 次いで、図4に示すように、所定のマスク形状となるよ
うに未加工フィルム4Aを粘着剤層44を含めて鋭利な
刃物を用いて切断した。これによって所定マスク形状の
マスク部41が形成される。また、パターンとなる部位
を覆うようなフィルム部43が形成される。その後、図
5に示すように、フィルム部43及びフィルム部43下
の粘着剤層を除去した。このフィルム部43は、その周
縁部分をつかんで剥離させることにより容易に除去する
ことができる。このようにして形成されるマスキングフ
ィルム層4は、透明基板1を覆うマスク部41及び粘着
層44と、透明基板1及び透明電極21が露出し、有機
EL膜22及び背面電極23が形成される部位であるパ
ターン部42とを備える。
うに未加工フィルム4Aを粘着剤層44を含めて鋭利な
刃物を用いて切断した。これによって所定マスク形状の
マスク部41が形成される。また、パターンとなる部位
を覆うようなフィルム部43が形成される。その後、図
5に示すように、フィルム部43及びフィルム部43下
の粘着剤層を除去した。このフィルム部43は、その周
縁部分をつかんで剥離させることにより容易に除去する
ことができる。このようにして形成されるマスキングフ
ィルム層4は、透明基板1を覆うマスク部41及び粘着
層44と、透明基板1及び透明電極21が露出し、有機
EL膜22及び背面電極23が形成される部位であるパ
ターン部42とを備える。
【0021】有機EL積層膜形成工程 次いで、図6に示すように、透明基板1上に有機EL膜
22を構成する各層(正孔注入層、正孔輸送層、発光
層、電子輸送層、及び電子注入層)を真空蒸着によって
形成した後、この有機EL膜22の表面に背面電極23
としてMgAg薄膜を真空蒸着によって形成し、有機E
L積層膜2を形成した。
22を構成する各層(正孔注入層、正孔輸送層、発光
層、電子輸送層、及び電子注入層)を真空蒸着によって
形成した後、この有機EL膜22の表面に背面電極23
としてMgAg薄膜を真空蒸着によって形成し、有機E
L積層膜2を形成した。
【0022】尚、上記蒸着膜の形成の際に、マスキング
フィルム層4のパターン部42上面に有機EL膜と同材
質である薄膜221、及び背面電極23と同材質である
薄膜231が形成されるが、これらは図6に示すよう
に、透明電極21に接触しない位置であるため、有機E
L積層膜として機能しない。このように、マスク板を用
いなくても、所定のパターンを備える有機EL積層膜2
を形成することができる。
フィルム層4のパターン部42上面に有機EL膜と同材
質である薄膜221、及び背面電極23と同材質である
薄膜231が形成されるが、これらは図6に示すよう
に、透明電極21に接触しない位置であるため、有機E
L積層膜として機能しない。このように、マスク板を用
いなくても、所定のパターンを備える有機EL積層膜2
を形成することができる。
【0023】マスキングフィルム層除去工程 有機EL積層膜の形成後、図7に示すように、透明基板
21上のマスキングフィルム層4を除去した。また、マ
スキングフィルム層4を除去することで、マスキングフ
ィルム層4の上面に形成された薄膜221、231も同
時に除去される。更に、この除去作業は、マスキングフ
ィルム層4の予め設けられた周縁部分をつかんで剥離さ
せることにより容易に除去することができる。
21上のマスキングフィルム層4を除去した。また、マ
スキングフィルム層4を除去することで、マスキングフ
ィルム層4の上面に形成された薄膜221、231も同
時に除去される。更に、この除去作業は、マスキングフ
ィルム層4の予め設けられた周縁部分をつかんで剥離さ
せることにより容易に除去することができる。
【0024】封止工程 その後、図1に示すように、封止部材3を接着剤によっ
て透明基板1に接合し、透明電極21、有機EL膜22
及び背面電極23を、透明基板1及び封止部材3の間に
封止した。
て透明基板1に接合し、透明電極21、有機EL膜22
及び背面電極23を、透明基板1及び封止部材3の間に
封止した。
【0025】(2)有機EL素子の構成 このような製造方法で作製される有機EL素子は図1に
示すように、ガラス製の透明基板1、ITO薄膜からな
る陽極である透明電極21、有機EL膜22、背面電極
23、及び封止部材3を備える。有機EL膜22は、正
孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注
入層等の各層を順次積層して構成される薄膜である。ま
た、陰極である背面電極23は、MgAg薄膜からな
る。これらは、マスキングフィルム層によって、所定の
パターンに形成される。
示すように、ガラス製の透明基板1、ITO薄膜からな
る陽極である透明電極21、有機EL膜22、背面電極
23、及び封止部材3を備える。有機EL膜22は、正
孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注
入層等の各層を順次積層して構成される薄膜である。ま
た、陰極である背面電極23は、MgAg薄膜からな
る。これらは、マスキングフィルム層によって、所定の
パターンに形成される。
【0026】更に、封止部材3は、各電極21、23及
び有機EL膜22を酸素や水等に接触させないように密
閉するためのものであり、金属や樹脂等からなり、有機
EL膜22及び背面電極23を封止するための凹部空間
を有するキャップ状体である。また、封止部材3は、接
着層31により透明基板1の表面に固定されている。
び有機EL膜22を酸素や水等に接触させないように密
閉するためのものであり、金属や樹脂等からなり、有機
EL膜22及び背面電極23を封止するための凹部空間
を有するキャップ状体である。また、封止部材3は、接
着層31により透明基板1の表面に固定されている。
【0027】(3)本実施例の効果 本実施例の有機EL素子の製造方法によれば、図5及び
図6に示すように、マスキングフィルム層4を透明基板
1上に貼着することで、別途マスク板を要することなく
所定のパターンとなる有機EL積層膜2を形成すること
ができる。また、マスキングフィルム層4は粘着剤層4
4によって透明基板1上に固定されているため、マスク
部41以外の部位に有機EL膜22及び背面電極23の
蒸着膜が形成されることがなく、正確なパターンを形成
することができる。更に、このようなマスキングフィル
ム層4は容易に形成することができるため、有機EL素
子を簡易な工程及び操作によって製造することができ
る。
図6に示すように、マスキングフィルム層4を透明基板
1上に貼着することで、別途マスク板を要することなく
所定のパターンとなる有機EL積層膜2を形成すること
ができる。また、マスキングフィルム層4は粘着剤層4
4によって透明基板1上に固定されているため、マスク
部41以外の部位に有機EL膜22及び背面電極23の
蒸着膜が形成されることがなく、正確なパターンを形成
することができる。更に、このようなマスキングフィル
ム層4は容易に形成することができるため、有機EL素
子を簡易な工程及び操作によって製造することができ
る。
【0028】尚、本発明においては、上記実施例に限ら
れず、目的、用途に応じて本発明の範囲内で種々変更し
た実施例とすることができる。即ち、実施例に示すマ
スキングフィルム層除去工程を行わず、マスキングフィ
ルム層4を残存させたまま、封止工程を行って有機E
L素子を作製することができる。このような有機EL素
子は図8に示すように、有機EL素子内にマスキングフ
ィルム層4と、有機EL膜22及び背面電極23と同材
質の薄膜221、231とを有している。このような有
機EL素子であっても、実施例に示す有機EL素子と同
様に発光する素子とすることができる。また、有機EL
薄膜2の厚みに対してマスキングフィルム層4の厚みが
十分に厚く、薄膜221、231がマスキングフィルム
層4によって絶縁されているため、隣接する有機EL薄
膜2と接触する等によって短絡を生じることもない。更
に、マスキングフィルム層除去工程が不要となるた
め、実施例に示す有機EL素子に比べて容易に作製する
ことができる。また、透明電極21、有機EL膜22、
及び背面電極23の材質を適宜選択することによって、
透明電極21を陰極とし、背面電極23を陽極とした有
機EL素子を作製することもできる。
れず、目的、用途に応じて本発明の範囲内で種々変更し
た実施例とすることができる。即ち、実施例に示すマ
スキングフィルム層除去工程を行わず、マスキングフィ
ルム層4を残存させたまま、封止工程を行って有機E
L素子を作製することができる。このような有機EL素
子は図8に示すように、有機EL素子内にマスキングフ
ィルム層4と、有機EL膜22及び背面電極23と同材
質の薄膜221、231とを有している。このような有
機EL素子であっても、実施例に示す有機EL素子と同
様に発光する素子とすることができる。また、有機EL
薄膜2の厚みに対してマスキングフィルム層4の厚みが
十分に厚く、薄膜221、231がマスキングフィルム
層4によって絶縁されているため、隣接する有機EL薄
膜2と接触する等によって短絡を生じることもない。更
に、マスキングフィルム層除去工程が不要となるた
め、実施例に示す有機EL素子に比べて容易に作製する
ことができる。また、透明電極21、有機EL膜22、
及び背面電極23の材質を適宜選択することによって、
透明電極21を陰極とし、背面電極23を陽極とした有
機EL素子を作製することもできる。
【0029】
【発明の効果】本第1〜3発明の有機EL素子の製造方
法によれば、マスキングフィルム層4を透明基板1上に
貼着することで、別途マスク板を要することなく、正確
なパターンを備える有機EL素子を容易に製造すること
ができる。
法によれば、マスキングフィルム層4を透明基板1上に
貼着することで、別途マスク板を要することなく、正確
なパターンを備える有機EL素子を容易に製造すること
ができる。
【図1】本発明の製造方法で製造した有機EL素子を説
明するための模式断面図である。
明するための模式断面図である。
【図2】透明基板の表面に透明電極を形成した様子を説
明するための模式断面図である。
明するための模式断面図である。
【図3】未加工フィルムを貼着した様子を説明するため
の模式断面図である。
の模式断面図である。
【図4】未加工フィルムを形成してマスキングフィルム
層を形成した様子を説明するための模式断面図である。
層を形成した様子を説明するための模式断面図である。
【図5】フィルム部を除去した様子を説明するための模
式断面図である。
式断面図である。
【図6】有機EL積層膜を形成した様子を説明するため
の模式断面図である。
の模式断面図である。
【図7】マスキングフィルム層を除去した様子を説明す
るための模式断面図である。
るための模式断面図である。
【図8】マスキングフィルム層を除去せずに封止部材に
て有機EL積層膜を封止した様子を説明するための模式
断面図である。
て有機EL積層膜を封止した様子を説明するための模式
断面図である。
【図9】従来の製造方法で有機EL積層膜を形成する場
合を説明するための、模式断面図である。
合を説明するための、模式断面図である。
1;透明基板、21;透明電極、22;有機EL膜、2
3;背面電極、3;封止部材、4;マスキングフィルム
層、4A;未加工フィルム、41;マスク部、42;パ
ターン部、43;フィルム部、44;粘着層、5;マス
ク板。
3;背面電極、3;封止部材、4;マスキングフィルム
層、4A;未加工フィルム、41;マスク部、42;パ
ターン部、43;フィルム部、44;粘着層、5;マス
ク板。
Claims (3)
- 【請求項1】 透明基板上に、透明電極、有機EL膜及
び背面電極が、この順に積層されてなる有機EL素子の
製造方法において、 上記透明電極が形成された上記透明基板上に、所定のマ
スク形状を有するマスキングフィルム層を形成した後、
該マスキングフィルム層の上方から物理的蒸着法により
上記有機EL膜及び上記背面電極を順次形成することを
特徴とする有機EL素子の製造方法。 - 【請求項2】 上記マスキングフィルム層は、上記透明
電極が形成された上記透明基板上に未加工フィルムを貼
着した後、該未加工フィルムを上記所定のマスク形状に
加工して得られるものである請求項1記載の有機EL素
子の製造方法。 - 【請求項3】 上記有機EL膜及び上記背面電極を形成
した後、上記マスキングフィルム層を除去する請求項1
又は2記載の有機EL素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29540699A JP2001118679A (ja) | 1999-10-18 | 1999-10-18 | 有機el素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29540699A JP2001118679A (ja) | 1999-10-18 | 1999-10-18 | 有機el素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001118679A true JP2001118679A (ja) | 2001-04-27 |
Family
ID=17820204
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29540699A Pending JP2001118679A (ja) | 1999-10-18 | 1999-10-18 | 有機el素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001118679A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004503066A (ja) * | 2000-07-12 | 2004-01-29 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | カプセル化された有機電子装置とその製造方法 |
JP2011501380A (ja) * | 2007-10-22 | 2011-01-06 | グローバル オーエルイーディー テクノロジー リミティド ライアビリティ カンパニー | 発光デバイスのパターニング方法 |
KR101097308B1 (ko) * | 2009-04-30 | 2011-12-23 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 |
WO2012090771A1 (ja) * | 2010-12-27 | 2012-07-05 | シャープ株式会社 | 蒸着膜の形成方法及び表示装置の製造方法 |
WO2012090770A1 (ja) * | 2010-12-27 | 2012-07-05 | シャープ株式会社 | 蒸着膜の形成方法及び表示装置の製造方法 |
JP2013020764A (ja) * | 2011-07-08 | 2013-01-31 | V Technology Co Ltd | 薄膜パターン形成方法及び有機el表示装置の製造方法。 |
JP2013065446A (ja) * | 2011-09-16 | 2013-04-11 | V Technology Co Ltd | 薄膜パターン形成方法 |
JP2013077541A (ja) * | 2011-09-16 | 2013-04-25 | V Technology Co Ltd | 薄膜パターン形成方法及び有機el表示装置の製造方法 |
WO2013146661A1 (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-03 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 薄膜パターン形成方法 |
US9334556B2 (en) | 2011-09-16 | 2016-05-10 | V Technology Co., Ltd. | Deposition mask, producing method therefor and forming method for thin film pattern |
-
1999
- 1999-10-18 JP JP29540699A patent/JP2001118679A/ja active Pending
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004503066A (ja) * | 2000-07-12 | 2004-01-29 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | カプセル化された有機電子装置とその製造方法 |
JP4699676B2 (ja) * | 2000-07-12 | 2011-06-15 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | カプセル化された有機電子装置とその製造方法 |
JP2011501380A (ja) * | 2007-10-22 | 2011-01-06 | グローバル オーエルイーディー テクノロジー リミティド ライアビリティ カンパニー | 発光デバイスのパターニング方法 |
KR101097308B1 (ko) * | 2009-04-30 | 2011-12-23 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법 |
CN103283306A (zh) * | 2010-12-27 | 2013-09-04 | 夏普株式会社 | 蒸镀膜的形成方法和显示装置的制造方法 |
JP5384752B2 (ja) * | 2010-12-27 | 2014-01-08 | シャープ株式会社 | 蒸着膜の形成方法及び表示装置の製造方法 |
US9076989B2 (en) | 2010-12-27 | 2015-07-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for forming deposition film, and method for producing display device |
US8906718B2 (en) | 2010-12-27 | 2014-12-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for forming vapor deposition film, and method for producing display device |
JPWO2012090770A1 (ja) * | 2010-12-27 | 2014-06-05 | シャープ株式会社 | 蒸着膜の形成方法及び表示装置の製造方法 |
CN103270816A (zh) * | 2010-12-27 | 2013-08-28 | 夏普株式会社 | 蒸镀膜的形成方法和显示装置的制造方法 |
WO2012090771A1 (ja) * | 2010-12-27 | 2012-07-05 | シャープ株式会社 | 蒸着膜の形成方法及び表示装置の製造方法 |
JP5384751B2 (ja) * | 2010-12-27 | 2014-01-08 | シャープ株式会社 | 蒸着膜の形成方法及び表示装置の製造方法 |
WO2012090770A1 (ja) * | 2010-12-27 | 2012-07-05 | シャープ株式会社 | 蒸着膜の形成方法及び表示装置の製造方法 |
JP2013020764A (ja) * | 2011-07-08 | 2013-01-31 | V Technology Co Ltd | 薄膜パターン形成方法及び有機el表示装置の製造方法。 |
JP2013077541A (ja) * | 2011-09-16 | 2013-04-25 | V Technology Co Ltd | 薄膜パターン形成方法及び有機el表示装置の製造方法 |
JP2013065446A (ja) * | 2011-09-16 | 2013-04-11 | V Technology Co Ltd | 薄膜パターン形成方法 |
US9334556B2 (en) | 2011-09-16 | 2016-05-10 | V Technology Co., Ltd. | Deposition mask, producing method therefor and forming method for thin film pattern |
US9555434B2 (en) | 2011-09-16 | 2017-01-31 | V Technology Co., Ltd. | Deposition mask, producing method therefor and forming method for thin film pattern |
US9555433B2 (en) | 2011-09-16 | 2017-01-31 | V Technology Co., Ltd. | Deposition mask, producing method therefor and forming method for thin film pattern |
US9586225B2 (en) | 2011-09-16 | 2017-03-07 | V Technology Co., Ltd. | Deposition mask, producing method therefor and forming method for thin film pattern |
JP2013229287A (ja) * | 2012-03-30 | 2013-11-07 | V Technology Co Ltd | 薄膜パターン形成方法 |
WO2013146661A1 (ja) * | 2012-03-30 | 2013-10-03 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 薄膜パターン形成方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2848383B1 (ja) | 有機el素子の製造方法 | |
US20070138949A1 (en) | Electroluminescence panel and method for manufacturing electroluminescence panel | |
JP4103045B2 (ja) | 有機elディスプレイパネル及びその製造方法 | |
JP2000077192A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスパネルとその製造方法 | |
KR20080110750A (ko) | 적색 유기 발광소자 및 이것을 구비한 표시장치, 도너 기판및 이것을 사용한 전사 방법, 표시장치의 제조 방법, 및 표시장치의 제조 시스템 | |
EP3331039B1 (en) | Lighting apparatus using organic light-emitting diode and method of fabricating the same | |
JP5790857B2 (ja) | トップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法 | |
JP2001118679A (ja) | 有機el素子の製造方法 | |
JP2000100562A (ja) | 有機el素子とその製造方法 | |
WO2015030125A1 (ja) | トップエミッション型有機エレクトロルミネッセンス表示装置およびその製造方法 | |
JP2002231443A (ja) | 表示装置 | |
JP3900675B2 (ja) | 電界発光素子及びその製造方法 | |
JP3736179B2 (ja) | 有機薄膜発光素子 | |
JP3599964B2 (ja) | 発光ディスプレイ及びその製造方法 | |
EP3349267A1 (en) | Lighting apparatus using organic light emitting device and method of fabricating thereof | |
JP2003076297A (ja) | 表示パネル及び基板保持装置 | |
KR20180077937A (ko) | 유기발광소자를 이용한 조명장치 및 그 제조방법 | |
JP2000021566A (ja) | エレクトロルミネセンス | |
JPH1187052A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JPH11307268A (ja) | 有機薄膜発光素子およびその製造方法 | |
JP3904950B2 (ja) | 発光表示装置、有機el表示装置及びその製造方法 | |
KR20040106058A (ko) | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 | |
JP2003282249A (ja) | 有機elパネル及びその製造方法 | |
JP2011071023A (ja) | 有機el素子の製造方法 | |
JP2004079373A (ja) | 有機エレクトロルミネセンス表示装置の製造方法 |