JP2016004840A - テンプレートとその製造方法およびインプリント方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 39
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 47
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 13
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 5
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 claims description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 19
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000001127 nanoimprint lithography Methods 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
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- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
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Abstract
【解決手段】実施形態によれば、第1パターンと、第2パターンと、第1ダミーパターンと、を有するテンプレート10が提供される。第1パターンは、100nm以下の幅を有する凹凸パターンが配置される。第2パターンは、100nmよりも広い幅を有する凹凸パターンが配置される。第1ダミーパターンは、第2パターンの凹パターンの底部に配置され、凹凸パターンの高さよりも低い。また、第1ダミーパターンに隣接する他のパターンとの間の間隔が100nm以下となるように第1ダミーパターンが配置される。
【選択図】図1
Description
[付記1]
100nm以下の幅を有する凹凸パターンが配置された第1パターンと、100nmよりも広い幅を有する凹凸パターンが配置された第2パターンと、を有するテンプレートにおいて、
前記第2パターンの凹パターンの底部に、前記凹凸パターンの高さよりも低い第1ダミーパターンを有し、
前記第1ダミーパターンに隣接する他のパターンとの間の間隔が100nm以下となるように前記第1ダミーパターンが配置されることを特徴とするテンプレート。
[付記2]
前記第1パターンは、幅が100nm以下のラインパターンとスペースパターンとが交互に配置されたラインアンドスペースパターンであり、
前記第1ダミーパターンは、前記ラインアンドスペースパターンと同じ幅を有するラインパターンおよび/またはスペースパターンを含むことを特徴とする付記1に記載のテンプレート。
[付記3]
前記ラインアンドスペースパターンは、アスペクト比が2以上であり、
前記第1ダミーパターンは、アスペクト比が1以下であることを特徴とする付記2に記載のテンプレート。
[付記4]
前記第2パターンの凸パターンに、前記凹凸パターンの深さよりも浅い第2ダミーパターンを有し、
前記第2ダミーパターンに隣接する他のパターンとの間の間隔が100nm以下となるように前記第2ダミーパターンが配置されることを特徴とする付記1に記載のテンプレート。
[付記5]
前記第1パターンは、幅が100nm以下のラインパターンとスペースパターンとが交互に配置されたラインアンドスペースパターンであり、
前記第2ダミーパターンは、前記ラインアンドスペースパターンと同じ幅を有するラインパターンおよび/またはスペースパターンを含むことを特徴とする付記4に記載のテンプレート。
[付記6]
前記ラインアンドスペースパターンは、アスペクト比が2以上であり、
前記第2ダミーパターンは、アスペクト比が1以下であることを特徴とする付記5に記載のテンプレート。
[付記7]
前記ラインアンドスペースパターンのアスペクト比と、前記第2ダミーパターンのアスペクト比と、が1以上異なることを特徴とする付記5に記載のテンプレート。
[付記8]
100nm以下の幅を有する凹凸パターンを含む第1パターン、100nmよりも広い幅を有する凹凸パターンを含む第2パターン、および前記第2パターンの凹パターンに、隣接する他のパターンとの間の間隔が100nm以下となるように配置される第1ダミーパターンを有する第1レジストパターンをテンプレート基板の一方の面に形成し、
前記第1レジストパターンをマスクとして前記テンプレート基板をエッチングし、
前記テンプレート基板の前記第1ダミーパターンの形成位置以外を覆う第2レジストパターンを形成し、
前記第2レジストパターンをマスクとして、前記第1ダミーパターンが所定の高さとなるように前記第1ダミーパターンをエッチングすることを特徴とするテンプレートの製造方法。
[付記9]
前記第1パターンは、幅が100nm以下のラインパターンとスペースパターンとが交互に配置されたラインアンドスペースパターンであり、
前記第1ダミーパターンは、前記ラインアンドスペースパターンと同じ幅を有するラインパターンおよび/またはスペースパターンを含むことを特徴とする付記8に記載のテンプレートの製造方法。
[付記10]
前記第1レジストパターンを用いたエッチングでは、前記ラインアンドスペースパターンのアスペクト比が2以上となるようにエッチングを行い、
前記第2レジストパターンを用いたエッチングでは、前記第1ダミーパターンのアスペクト比が1以下となるようにエッチングを行うことを特徴とする付記9に記載のテンプレートの製造方法。
[付記11]
前記第1レジストパターンを用いたエッチングと前記第2レジストパターンを用いたエッチングでは、前記ラインアンドスペースパターンのアスペクト比と、前記第1ダミーパターンのアスペクト比と、が1以上異なるようにエッチングを行うことを特徴とする付記9に記載のテンプレートの製造方法。
[付記12]
前記第2レジストパターンの形成では、前記第2パターンの凸パターンに、隣接する他のパターンとの間の間隔が100nm以下となるように配置される第2ダミーパターンを前記第2レジストパターンに形成することを特徴とする付記8に記載のテンプレートの製造方法。
[付記13]
加工対象上にレジストを滴下し、
100nm以下の幅を有する凹凸パターンが配置された第1パターンと、100nmよりも広い幅を有する凹凸パターンが配置された第2パターンと、を有するテンプレートを、パターン形成面が前記レジストを介して前記加工対象上に押し付け、
前記レジストを硬化させ、
前記テンプレートを前記加工対象から除去し、
前記テンプレートの押し付けで、前記テンプレートは、前記第2パターンの凹パターンの底部に、前記凹凸パターンの高さよりも低い第1ダミーパターンを有し、前記第1ダミーパターンに隣接する他のパターンとの間の間隔が100nm以下となるように前記第1ダミーパターンが配置されることを特徴とするインプリント方法。
[付記14]
前記第1パターンは、幅が100nm以下のラインパターンとスペースパターンとが交互に配置されたラインアンドスペースパターンであり、
前記第1ダミーパターンは、前記ラインアンドスペースパターンと同じ幅を有するラインパターンおよび/またはスペースパターンを含むことを特徴とする付記13に記載のインプリント方法。
[付記15]
前記ラインアンドスペースパターンは、アスペクト比が2以上であり、
前記第1ダミーパターンは、アスペクト比が1以下であることを特徴とする付記14に記載のインプリント方法。
[付記16]
前記ラインアンドスペースパターンのアスペクト比と、前記第1ダミーパターンのアスペクト比と、が1以上異なることを特徴とする付記14に記載のインプリント方法。
Claims (11)
- 100nm以下の幅を有する凹凸パターンが配置された第1パターンと、100nmよりも広い幅を有する凹凸パターンが配置された第2パターンと、を有するテンプレートにおいて、
前記第2パターンの凹パターンの底部に、前記凹凸パターンの高さよりも低い第1ダミーパターンを有し、
前記第1ダミーパターンに隣接する他のパターンとの間の間隔が100nm以下となるように前記第1ダミーパターンが配置されることを特徴とするテンプレート。 - 前記第1パターンは、幅が100nm以下のラインパターンとスペースパターンとが交互に配置されたラインアンドスペースパターンであり、
前記第1ダミーパターンは、前記ラインアンドスペースパターンと同じ幅を有するラインパターンおよび/またはスペースパターンを含むことを特徴とする請求項1に記載のテンプレート。 - 前記ラインアンドスペースパターンのアスペクト比と、前記第1ダミーパターンのアスペクト比と、が1以上異なることを特徴とする請求項2に記載のテンプレート。
- 前記第2パターンの凸パターンに、前記凹凸パターンの深さよりも浅い第2ダミーパターンを有し、
前記第2ダミーパターンに隣接する他のパターンとの間の間隔が100nm以下となるように前記第2ダミーパターンが配置されることを特徴とする請求項1に記載のテンプレート。 - 前記第1パターンは、幅が100nm以下のラインパターンとスペースパターンとが交互に配置されたラインアンドスペースパターンであり、
前記第2ダミーパターンは、前記ラインアンドスペースパターンと同じ幅を有するラインパターンおよび/またはスペースパターンを含むことを特徴とする請求項4に記載のテンプレート。 - 前記第1ダミーパターンの高さは、レジストを介して加工対象に当該テンプレートを接触させて前記凹凸パターンを転写し、転写された前記凹凸パターンを用いて加工を行った際に、前記加工対象に転写されない高さであることを特徴とする請求項1に記載のテンプレート。
- 100nm以下の幅を有する凹凸パターンを含む第1パターン、100nmよりも広い幅を有する凹凸パターンを含む第2パターン、および前記第2パターンの凹パターンに、隣接する他のパターンとの間の間隔が100nm以下となるように配置される第1ダミーパターンを有する第1レジストパターンをテンプレート基板の一方の面に形成し、
前記第1レジストパターンをマスクとして前記テンプレート基板をエッチングし、
前記テンプレート基板の前記第1ダミーパターンの形成位置以外を覆う第2レジストパターンを形成し、
前記第2レジストパターンをマスクとして、前記第1ダミーパターンが所定の高さとなるように前記第1ダミーパターンをエッチングすることを特徴とするテンプレートの製造方法。 - 加工対象上にレジストを滴下し、
100nm以下の幅を有する凹凸パターンが配置された第1パターンと、100nmよりも広い幅を有する凹凸パターンが配置された第2パターンと、を有するテンプレートを、パターン形成面が前記レジストを介して前記加工対象上に押し付け、
前記レジストを硬化させ、
前記テンプレートを前記加工対象から除去し、
前記テンプレートの押し付けで、前記テンプレートは、前記第2パターンの凹パターンの底部に、前記凹凸パターンの高さよりも低い第1ダミーパターンを有し、前記第1ダミーパターンに隣接する他のパターンとの間の間隔が100nm以下となるように前記第1ダミーパターンが配置されることを特徴とするインプリント方法。 - 前記レジストの滴下で、2次元的に規則正しく前記レジストを配置することを特徴とする請求項8に記載のインプリント方法。
- 前記第2パターンの凸パターンに、前記凹凸パターンの深さよりも浅い第2ダミーパターンを有し、
前記第2ダミーパターンに隣接する他のパターンとの間の間隔が100nm以下となるように前記第2ダミーパターンが配置されることを特徴とする請求項8に記載のインプリント方法。 - 前記テンプレートの除去の後、硬化した前記レジストに転写された凹凸パターンを用いて前記加工対象を加工し、
前記加工対象の加工では、前記第1ダミーパターンは、前記加工対象には転写されないことを特徴とする請求項8に記載のインプリント方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014122806A JP6338938B2 (ja) | 2014-06-13 | 2014-06-13 | テンプレートとその製造方法およびインプリント方法 |
US14/476,485 US10031414B2 (en) | 2014-06-13 | 2014-09-03 | Template, method of manufacturing the same, and imprint method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014122806A JP6338938B2 (ja) | 2014-06-13 | 2014-06-13 | テンプレートとその製造方法およびインプリント方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016004840A true JP2016004840A (ja) | 2016-01-12 |
JP6338938B2 JP6338938B2 (ja) | 2018-06-06 |
Family
ID=54835409
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014122806A Active JP6338938B2 (ja) | 2014-06-13 | 2014-06-13 | テンプレートとその製造方法およびインプリント方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10031414B2 (ja) |
JP (1) | JP6338938B2 (ja) |
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JP7384012B2 (ja) | 2019-12-05 | 2023-11-21 | 大日本印刷株式会社 | インプリントモールド及びその製造方法、並びにインプリント方法 |
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-
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- 2014-06-13 JP JP2014122806A patent/JP6338938B2/ja active Active
- 2014-09-03 US US14/476,485 patent/US10031414B2/en active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10031414B2 (en) | 2018-07-24 |
JP6338938B2 (ja) | 2018-06-06 |
US20150360412A1 (en) | 2015-12-17 |
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Date | Code | Title | Description |
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